JPH11180798A - シリコン単結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
シリコン単結晶の製造方法及び製造装置Info
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- JPH11180798A JPH11180798A JP36552797A JP36552797A JPH11180798A JP H11180798 A JPH11180798 A JP H11180798A JP 36552797 A JP36552797 A JP 36552797A JP 36552797 A JP36552797 A JP 36552797A JP H11180798 A JPH11180798 A JP H11180798A
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Abstract
きるとともに、高純度且つ高品質のシリコン単結晶を得
ることのできるシリコン単結晶の製造方法及び製造装置
の提供。 【構成】 粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリコン
融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給しなが
ら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する方法
において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液に対
して水平方向に磁場を印加する。
Description
結晶シリコンを連続的に供給してシリコン単結晶のイン
ゴットを得るFZ法(フロートゾーン法、浮遊帯域溶融
法)によるシリコン単結晶の製造方法とその製造装置に
関する。
方法としては、上軸に棒状の原料多結晶を、下軸に直径
の小さな単結晶の種を保持し、前記原料多結晶の周囲を
囲繞した高周波誘導加熱コイルにより前記原料多結晶棒
の一端を溶融しながら前記種結晶に融着して種付けした
後、種絞りにより無転位化しつつ、前記高周波誘導加熱
コイルと前記原料多結晶とを相対的に回転し且つ軸線方
向に相対移動させながら前記原料多結晶を帯域溶融させ
て、棒状のシリコン単結晶を製造する方法(以下、シー
メンス法という。)が公知である。
法により製造された棒状の多結晶を原料として使用する
が、その外径精度が悪く、使用に際しては前記原料多結
晶の外面を研削して直径を均一化する作業が必要があ
る。そして、その為の研削加工設備が必要であり、ま
た、原料多結晶の外面を研削することにより結晶の損失
も生ずる。また、製造するシリコン単結晶の直径や長さ
が大型化するに伴い、原料多結晶棒の保持機構や保持室
も同時に大型化しなければならないという問題があっ
た。
結晶シリコンを用いたFZ法が種々提案されている(特
開平5−286791号、特開平6−199589
号)。この粒状多結晶シリコンを原料としてFZ法によ
り棒状のシリコン単結晶を製造する方法は、原料の粒状
多結晶シリコンが安価であり、使用の前に研削加工が不
必要であることから結晶の損失も無く、また、原料が粒
状であることから予備加熱の必要が無いので所要電力が
小さく、さらに、原料多結晶棒の保持機構や保持室が必
要ないので設備も小型化することができる。
結晶シリコンを原料として用いる前記各従来技術によっ
て棒状のシリコン単結晶を製造する際には、次に示すよ
うな問題が生じてしまう。
原料となる粒状多結晶シリコンの飛散を防止するための
隔壁を設けた製造方法を提供するものであり、その構成
を図2に基づいて簡単に説明する。
上面は高周波誘導コイル104で加熱溶融され、溶融帯
102が形成される。溶融帯102の近くに、先端が該
溶融帯102の表面より僅か離れるか一致するか僅か浸
漬する程度に、石英等からなる障壁囲い105を設け、
この中に上方からパイプ107を通じて粒径0.5〜
5.0mmの粒状結晶106を供給する。この粒状結晶
106は容易に融解して原料シリコン融液として連続供
給され、インゴット101を回転しながら下降するにつ
れて溶融帯102が固化し、単結晶等が成長する。
により粒状結晶106の飛散を防止することはできる
が、障壁囲い105の下端は開口しており、該障壁囲い
105内で粒状結晶106が融解してなる原料シリコン
融液が溶融帯102と直接連通する構成を採るために、
前記原料シリコン融液が溶融帯102へ流出する量を制
御することは困難である。また、この従来技術におい
て、障壁囲い105の開口部に孔の開いた底板を設け、
この孔から原料シリコン融液を流出させてもよいとの技
術も示唆されているが、この場合、孔の開いた底板によ
り原料シリコン融液の流出速度をある一定値に制限する
ことはできても、原料シリコン融液の流出速度を増加さ
せたり減少させたりする制御は困難である。
れた孔の開いた底板が溶融帯102と接触すると、この
方法により製造されたシリコン単結晶は底板の材料物質
により汚染される可能性が極めて高い。これは障壁囲い
105自体についても同様であり、該障壁囲い105の
先端が溶融帯102の表面と一致するか僅かに浸漬する
場合にもやはり、この方法により製造されたシリコン単
結晶が障壁囲い105の材料物質により汚染される可能
性が極めて高いのである。
粒状多結晶シリコンをシリコン単結晶に転化する際、シ
リコンの溶融帯と接触したシリコン製の導管を通して、
粒状多結晶シリコンを一定の供給速度で供給するFZ法
を提供するものであり、その構成を図3に基づいて簡単
に説明する。
若しくは真空を維持するハウジングで、該ハウジング1
11内の上部にはシリコン製の導管113を保持するチ
ャック112を内蔵する。粒状多結晶シリコンは、ホッ
パー118から連結導管119及びシリコン製の導管1
13を経由して溶融帯115へ供給される。シリコン製
の導管113の下部は、誘導加熱コイル114により囲
繞され加熱溶融された溶融帯115に接触している。溶
融帯115から下方には生成されたシリコン単結晶11
6が延在し、その下端には昇降機構117上に支持され
たシリコン単結晶の種結晶が位置している。
113の下部は溶融帯115に接触している為、生成さ
れるシリコン単結晶116の純度は、シリコン製の導管
113の純度により左右される。シリコン製の導管11
3の純度を下げると、生成されるシリコン単結晶116
の純度も落ちるのである。
結晶の成長速度は、ホッパー118から連結導管119
及びシリコン製の導管113を経由して溶融帯115へ
供給される粒状多結晶シリコンの供給速度により制御さ
れる。しかし、粒状多結晶シリコンの供給速度を一定に
した場合においても、粒状多結晶シリコンの粒径は一定
でないので多結晶シリコンの供給量は一定にならない。
また、粒状多結晶シリコンの溶融速度も粒径により異な
る。
結晶シリコンの供給位置とが近接していないために、フ
ィードバックに時間がかかる。例えば、シリコン単結晶
の成長速度を即座に上げようとしても、ホッパー118
から連結導管119及びシリコン製の導管113を経由
して、粒状多結晶シリコンが溶融帯115に供給され、
さらに、該溶融帯115中で多結晶シリコンが溶融され
るまでに時間がかかってしまう。
特開平6−199589号は、原料の粒状多結晶シリコ
ンを溶融帯中で融解する技術であり、完全に融解したシ
リコン融液を溶融帯に供給する技術について開示するも
のではない。粒状多結晶シリコンを溶融帯中で融解する
場合、該粒状多結晶シリコンが完全に融解せずに単結晶
の成長界面に到達してしまうと、成長中のシリコン単結
晶が多結晶化するという問題がある。
なされたものであり、完全に融解したシリコン融液を溶
融帯に供給する技術を提供するとともに、粒状多結晶シ
リコンの溶融したシリコン融液が溶融帯へ流出する量を
効果的且つ確実に制御でき、製造するシリコン単結晶が
汚染される事が無く、これにより高純度且つ高品質のシ
リコン単結晶を得ることのできるシリコン単結晶の製造
方法及び製造装置を提供する事を目的とする。
の製造方法は、粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリ
コン融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給し
ながら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液
に磁場を印加することを特徴とする。
平方向に印加されることが好ましい。前記シリコン融液
はルツボ内に保持され、前記磁場は、前記ルツボからシ
リコン融液を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端
部に設けられた開口部を含む領域に形成されることが好
ましい。また、前記シリコン融液は、該シリコン融液を
保持するルツボの内壁面と非接触の状態に維持される。
また、前記ルツボは、前記溶融帯域に接触しないことが
好ましい。
遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する装置であ
って、粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリコン融液
を形成し、該シリコン融液を保持するとともに該シリコ
ン融液を溶融帯域に供給するルツボと、前記溶融帯域の
周囲を囲繞する高周波誘導加熱コイルと、前記シリコン
融液に対して水平方向に磁場を印加できるように配置さ
れた磁極とを有することを特徴とする。
を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端部に設けら
れた開口部を含む領域に磁場が形成されるように配置さ
れることが好ましい。例えば、前記磁極は電磁石であ
り、該電磁石に接続された電圧可変器により印加電圧を
変化させて前記磁場の大きさを制御可能に構成される。
また、前記ルツボは、高周波電流が流れるコイルにより
囲繞されることが好ましい。さらに、前記ルツボは、前
記溶融帯域に接触しないように配置されることが好まし
い。
実施の形態を例示的に説明する。ただし、この実施形態
に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、相対配
置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範
囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に
過ぎない。
域溶融法によりシリコン単結晶11を製造する装置を示
す。この製造装置は、粒状多結晶シリコン1を加熱溶融
してシリコン融液2を形成し、該シリコン融液2を保持
するとともに該シリコン融液2を溶融帯域80に供給す
るルツボ3と、前記溶融帯域80の周囲を囲繞する高周
波誘導加熱コイル9と、前記シリコン融液2に対して水
平方向に直流磁場6を印加できるように配置された磁極
60N,60Sと、前記直流磁場6の制御手段61とを
有する。溶融帯域80の下方には、単結晶成長界面81
を介して成長したシリコン単結晶11が位置し、さらに
その下端には、種絞り部10を介して種結晶7が配置さ
れている。
ば化学蒸着式流動床法で形成された半導体等級純度のも
のである。粒状多結晶シリコン1の粒径は、加熱された
ルツボ3内に供給されると速やかに溶融すれば良く、特
に限定は無いが、通常10μmφから10mmφ程度の
粒径のものを用いる。
銅、銀、金、又はステンレス等からなり、下面が縮径さ
れて開口する開口部5を有する逆円筒ドーム状に構成さ
れる。前記ルツボ3は、シリコン単結晶11の回転軸に
対して軸対称に、分割された壁31を容器状に配列させ
て構成される。各分割された壁31の内部には、該分割
された壁31を十分に冷却する冷却水還流部32が設け
られている。前記ルツボ3の下端部に設けられた開口部
5からは、シリコン融液2が溶融帯ネック部8を介して
溶融帯域80に向けて供給され、前記ルツボ3は溶融帯
域80に直接接触しない構成になっている。
繞して螺旋状に巻回したコイル4が配置される。該コイ
ル4に高周波電流を流すと、ルツボ3の表面にコイル4
とは逆方向に流れる高周波の渦電流が誘導される。この
高周波の渦電流は、ルツボ3を加熱して粒状多結晶シリ
コン1を融解してシリコン融液2を形成すると同時に、
シリコン融液2の表面に、ルツボ3とは逆方向に流れる
高周波の渦電流を誘導する。そして、ルツボ3の表面と
シリコン融液2の表面には、逆方向の渦電流が流れるた
めに、該ルツボ3の表面とシリコン融液2の表面との間
に電磁気的な反撥力が生じ、シリコン融液2はわずかに
浮揚する。この結果、シリコン融液2はルツボ3の内壁
面と非接触の状態に維持されるので、ルツボ3により汚
染されることがない。また、シリコン融液2は表面張力
作用によりルツボ3内に保持され、分割された壁31の
間から洩れることがない。
る。対流が発生すると、ルツボ3内に供給された粒状多
結晶シリコン1が、対流により加速されてルツボ3内で
完全に融解しないまま、単結晶の成長界面81に到達す
る可能性が高くなってしまう。
たシリコン融液2に、磁場を印加するのである。印加す
る磁場としては、直流磁場のほうが、常に一定の大きさ
をシリコン融液2に供給することができる点で、交流磁
場よりも好ましい。
融液2が、対流によって磁界内を移動すると、フレミン
グの右手の法則により、シリコン融液2の移動方向およ
び磁場の印加方向の両者に直交する方向に電場が発生
し、誘導電流が流れる。シリコン融液2中に誘導電流が
流れると、前記磁場との相互作用によりフレミングの左
手の法則に従って、電流の流れ方向および磁場の印加方
向の両者に直交する方向にローレンツ力が働くのであ
る。このローレンツ力は、シリコン融液2の移動方向と
は正反対の方向に働くので、シリコン融液2の流れが鈍
くなり、見かけ上の粘性が高くなる。
移動する未溶融の多結晶シリコン1の移動速度が遅くな
り、単結晶の成長界面81に到達するまでに該多結晶シ
リコン1を完全に融解することができるので、成長中の
シリコン単結晶11の多結晶化を抑制することができ
る。
持されており、該ルツボ3の外側から内部のシリコン融
液2に磁場を印加しても、導電性のルツボ3により遮蔽
されてシリコン融液2には磁場が形成されない。そのた
め、ルツボ3の下端部に設けられた開口部5を含む領域
に磁場を形成するとよい。
融帯域80に向けて供給されるが、この領域はルツボ3
により遮蔽されていないので、磁場を形成することがで
きるのである。ただし、溶融帯域80には磁場を印加し
ないほうが好ましい。溶融帯域80に磁場を印加する
と、該溶融帯域80の対流が抑制されるので、好ましく
ないファセットが形成されてしまうことがあるからであ
る。
口部5を含む領域に磁場が形成されるようにして、ルツ
ボ3の底面左右両側にN極とS極の磁極60N,60S
を配置する。該磁極60N,60Sは電磁石であり、電
圧可変器61により印加電圧を可変に構成される。
により形成される磁場が強くなり、溶融帯域80の対流
が大きく抑制されるので、見かけ上の粘性が高くなる。
一方、印加電圧を低くすると見かけ上の粘性が小さくな
る。このようにして、電磁石60N,60Sに接続され
た電圧可変器61により印加電圧を変化させて磁場の大
きさを制御すると、シリコン融液2の見かけ上の粘性を
調節することができる。
含む領域に形成される磁場は、シリコン融液2の対流を
抑制できればよく、水平磁場、垂直磁場、あるいは斜め
方向から印加される磁場であってもよい。ただし、図1
のように、シリコン融液2がルツボ3の下端部に設けら
れた開口部5から溶融帯域80へ下方向に供給される構
成の場合、水平磁場が最も効率的である。
部に設けられた開口部5を含む領域に水平磁場を形成す
ることにより、シリコン融液2の見かけ上の粘性を調節
すると同時に、ルツボ3から溶融帯域80へ下方向に供
給されるシリコン融液2の供給量も制御することもでき
る。
含む領域に形成された水平磁場内を、シリコン融液2が
溶融帯域80に向けて下方向に移動すると、フレミング
の右手の法則により、シリコン融液2の供給方向である
下方向および磁場の印加方向である水平方向の両者に直
交する水平方向に電場が発生し、誘導電流が流れる。
前記磁場との相互作用によりフレミングの左手の法則に
従って、電流の流れ方向および磁場の印加方向の両者に
直交する上方向にローレンツ力が働くのである。このロ
ーレンツ力は、シリコン融液2の供給方向とは正反対の
方向であるので、シリコン融液2の流れが鈍くなり、シ
リコン融液2の供給を抑制することができるのである。
方向に供給されるシリコン融液2に印加する水平磁場の
大きさを調節することにより、ルツボ3から溶融帯域8
0へ供給されるシリコン融液2の供給量を制御すること
ができるので、シリコン単結晶11の成長速度を調整す
ることができる。
平単巻状の高周波誘導加熱コイル9が配設されている。
高周波誘導加熱コイル9は、該高周波誘導加熱コイル9
の内周径が製造すべきシリコン単結晶11の外径より小
さく、且つ内周側に向けて断面先細り状に形成される。
高周波誘導加熱コイル9は、シリコン融液2および溶融
帯域80を加熱して固化を防止すると同時に、溶融帯域
80を高周波で押圧することにより該溶融帯域80をシ
リコン単結晶11上に保持する。高周波による溶融帯域
80の押圧を中止すると、該溶融帯域80は、シリコン
単結晶11上から直ちに滴下してしまう。
単結晶製造装置を用いて、本発明にかかる実施形態のシ
リコン単結晶11を製造する方法について、具体的に説
明する。
造装置に配設された、内径が40mmで銅製のルツボ3
内に、図示しない原料供給管を介して、0.2mmφ〜
5mmφ程度の粒径を有する粒状多結晶シリコン1を供
給する。
し螺旋状に巻回して配置されたコイル4に、約2MHz
の高周波を印加して、前記粒状多結晶シリコン1を約1
50mlのシリコン融液2に融解する。そして、ルツボ
3の下端部に設けられた直径15mmの開口部5から供
給される融解したシリコン融液2に種結晶7を接触さ
せ、該種結晶7の一端部を融解させて種付けを行う。
回転させつつ下方に移動させると同時に、溶融帯ネック
部8に配置した外径100mm、内径20mmの銅製の
高周波誘導加熱コイル9により加熱出力を調節しなが
ら、転位を除去するための種絞り部10を形成する。こ
の時、ルツボ3の下端部に設けられた開口部5を含む領
域に、250〜500ガウスの水平磁場を形成して、種
結晶7上に形成されるシリコン単結晶11が多結晶化し
ないように、シリコン融液2の見かけ上の粘性を調節す
る。種絞り部10が細くなりすぎる場合には、水平磁場
の印加を小さくして成長速度を大きくする。
5〜10rpmの速度で回転させつつ高周波誘導加熱コ
イル9の出力を増加させ、シリコン単結晶11の直径を
増大させていく。この時、晶癖線が大きく成長するなら
ば、水平磁場の印加を小さくしてシリコン融液2の見か
け上の粘性を小さくする。該シリコン単結晶11の直径
が目的とする30mmとなる少し前に、高周波誘導加熱
コイル9の出力増大の割合を徐々に減少させる。そし
て、シリコン単結晶11の直径が目的とする直径になっ
た後は、一定の出力で誘導加熱を行う。
ボ3内のシリコン融液2の量が一定に保たれるように、
粒状多結晶シリコン1をルツボ3内に供給する。直径3
0mmのシリコン単結晶11を2.0〜3.0mm/m
inで成長する場合、シリコン融液2は、およそ2ml
/minの割合で溶融帯域80に供給される。また、シ
リコン単結晶11の成長速度に応じて、ルツボ3の下端
部に設けられた開口部5を含む領域に印加する水平磁場
の強度を、250〜1000ガウスの間で調節する。水
平磁場の強度は、250ガウスより小さいとその効果は
無いが、1000ガウスよりも大きくすると単結晶成長
界面81にファセットが形成され、抵抗率の面内分布が
著しく悪化するため、好ましくない。本実施例による
と、直径30mmのシリコン単結晶11を50cmの長
さまで成長することができた。
に融解したシリコン融液を溶融帯域に供給することがで
きるので、成長するシリコン単結晶の多結晶化を防止す
ることができる。また、粒状多結晶シリコンの溶融した
シリコン融液が溶融帯へ流出する量を効果的且つ確実に
制御できる。さらに、シリコン融液はルツボの内壁面と
非接触の状態に維持されるので、製造するシリコン単結
晶が汚染される事が無く、これにより高純度且つ高品質
のシリコン単結晶を得ることができる。
ンを原料とするシリコン単結晶の製造装置の概念図であ
る。
とするシリコン単結晶の製造装置の概念図である。
原料とするシリコン単結晶の製造装置の概念図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 粒状多結晶シリコンを加熱溶融してシリ
コン融液を形成し、該シリコン融液を溶融帯域に供給し
ながら浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を製造する
方法において、前記溶融帯域に供給されるシリコン融液
に磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製
造方法。 - 【請求項2】 前記磁場は、前記シリコン融液に対して
水平方向に印加されることを特徴とする請求項1記載の
シリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項3】 前記シリコン融液はルツボ内に保持さ
れ、前記磁場は、前記ルツボからシリコン融液を溶融帯
域に供給するために該ルツボの下端部に設けられた開口
部を含む領域に形成されることを特徴とする請求項1若
しくは2記載のシリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項4】 前記シリコン融液は、該シリコン融液を
保持するルツボの内壁面と非接触の状態に維持されるこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項記載の
シリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項5】 前記ルツボは、前記溶融帯域に接触しな
いことを特徴とする請求項3または4記載のシリコン単
結晶の製造方法。 - 【請求項6】 浮遊帯域溶融法によりシリコン単結晶を
製造する装置であって、粒状多結晶シリコンを加熱溶融
してシリコン融液を形成し、該シリコン融液を保持する
とともに該シリコン融液を溶融帯域に供給するルツボ
と、前記溶融帯域の周囲を囲繞する高周波誘導加熱コイ
ルと、前記シリコン融液に対して水平方向に磁場を印加
できるように配置された磁極とを有することを特徴とす
るシリコン単結晶の製造装置。 - 【請求項7】 前記磁極は、前記ルツボからシリコン融
液を溶融帯域に供給するために該ルツボの下端部に設け
られた開口部を含む領域に磁場が形成されるように配置
されたことを特徴とする請求項6記載のシリコン単結晶
の製造装置。 - 【請求項8】 前記磁極は電磁石であり、該電磁石に接
続された電圧可変器により印加電圧を変化させて前記磁
場の大きさを制御可能に構成されることを特徴とする請
求項6若しくは7記載のシリコン単結晶の製造装置。 - 【請求項9】 前記ルツボは、高周波電流が流れるコイ
ルにより囲繞されることを特徴とする請求項6ないし8
のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造装置。 - 【請求項10】 前記ルツボは、前記溶融帯域に接触し
ないように配置されることを特徴とする請求項6ないし
9のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36552797A JP3644227B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | シリコン単結晶の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH11180798A true JPH11180798A (ja) | 1999-07-06 |
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ID=18484489
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10204178A1 (de) * | 2002-02-01 | 2003-09-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial |
JP2011093793A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | 顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置 |
JP2011102234A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Siltronic Ag | 粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法 |
JP2013523594A (ja) * | 2010-04-13 | 2013-06-17 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 単結晶半導体材料の生成 |
TWI449770B (zh) * | 2010-02-03 | 2014-08-21 | Siltronic Ag | 使用熔融顆粒製造由矽構成的單晶體的方法 |
JP2016121052A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
CN107513760A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-26 | 青海鑫诺光电科技有限公司 | 一种单晶棒放肩装置及其使用方法 |
JP2018108912A (ja) * | 2017-01-05 | 2018-07-12 | 蒲池 豊 | シリコン結晶の製造方法 |
CN116288650A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 以颗粒硅为原料的硅单晶生长装置和生长方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36552797A patent/JP3644227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10204178B4 (de) * | 2002-02-01 | 2008-01-03 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial |
US7655089B2 (en) | 2002-02-01 | 2010-02-02 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material |
US8221550B2 (en) | 2002-02-01 | 2012-07-17 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a single crystal of semiconductor material |
DE10204178A1 (de) * | 2002-02-01 | 2003-09-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial |
JP2011093793A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | 顆粒を再溶融させることによってシリコンから成る単結晶を製造するための装置 |
JP2011102234A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Siltronic Ag | 粒体の包囲溶融によりシリコンから単結晶を製作するための方法 |
TWI449770B (zh) * | 2010-02-03 | 2014-08-21 | Siltronic Ag | 使用熔融顆粒製造由矽構成的單晶體的方法 |
JP2013523594A (ja) * | 2010-04-13 | 2013-06-17 | シュミット シリコン テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 単結晶半導体材料の生成 |
JP2016121052A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
US10800659B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-10-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polycrystalline silicon rod, processing method for polycrystalline silicon rod, method for evaluating polycrystalline silicon rod, and method for producing FZ single crystal silicon |
US11167994B2 (en) | 2014-12-25 | 2021-11-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polycrystalline silicon rod, processing method for polycrystalline silicon rod, method for evaluating polycrystalline silicon rod, and method for producing FZ single crystal silicon |
JP2018108912A (ja) * | 2017-01-05 | 2018-07-12 | 蒲池 豊 | シリコン結晶の製造方法 |
CN107513760A (zh) * | 2017-09-04 | 2017-12-26 | 青海鑫诺光电科技有限公司 | 一种单晶棒放肩装置及其使用方法 |
CN116288650A (zh) * | 2023-05-24 | 2023-06-23 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 以颗粒硅为原料的硅单晶生长装置和生长方法 |
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