JPH1116958A - 半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置の製造装置Info
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Abstract
型な半導体装置と、これを製造するための製造装置およ
び製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明における半導体装置は、半導体素
子1上の電極パッド1aと外部との電気信号入力を、金
属リード2のみで行うことを特徴とする。金属リード2
の断面はほぼ円形であり、その直径は、電極パッド1a
の間隔や所望のパッケージサイズに応じて、50〜10
0umのものを用いる。金属リード2の主材料には、A
u、Alの他にAg、Cuを用いることができる。金属
リード2としては、金属リード単体のみでなく、表面に
低融点ろう材を被覆したものや、金属リード2相互間お
よび金属リード2と半導体素子1間の絶縁性を高めるた
めに、金属リード表面に絶縁被覆材を施したものを用い
ても良い。
Description
lat Pack)に代表されるプラスチックパッケージ、特に
超小型の半導体装置およびその製造装置並びにその製造
方法に関する。
ケージの構成を示す図である。図において、1は半導体
素子、3は封止材、28はインナーリード、29、31
は電極パッド、30、36はリード、32はUBM(Un
der Bump Metal)、33、35、39はバンプ、34は
配線基板、37はダイボンディング部、38は金属ベー
ス、Aは半導体素子の幅、Bはパッケージの幅をそれぞ
れ示す。従来のリードフレームを用いるパッケージで
は、図21に示すように、インナーリード28の加工限
界から、半導体素子1の幅Aに対してパッケージの幅B
が大きくなる。また、図22は、TABテープを用いた
パッケージであり、半導体素子1上の電極パッド29の
配置に応じてリード30のパターンが用意される。ま
た、図23に示すように、めっきによりバンプ33を形
成するパッケージでは、電極パッド31上にUBM32
を形成した後にバンプ33を形成する必要がある。さら
に、図24に示すように、バンプ35を用いる接続形態
では、配線基板34の熱膨張および収縮により、バンプ
35に応力が発生しやすい。また、特開平3−9445
9号公報では、図25に示すように、封止材3外部に形
成された金属ベース38上に配置されたバンプ39と半
導体素子1が、金属リード36で接続されるパッケージ
構造が提案されている。
た従来のパッケージでは、以下のような問題点がある。
まず、図21に示すリードフレームを用いるパッケージ
では、インナーリード28の加工限界から、十分なパッ
ケージの小型化が望めない。また、TABテープを用い
るパッケージにおいては、図22(a)、(b)に示す
ように半導体素子1の電極パッド29の配置が異なる場
合、それぞれに対応するリード30のパターンを用意す
る必要があり、汎用性に乏しい。また、図23に示すめ
っきによりバンプ33を形成する方法では、電極パッド
31表面にUBM32を形成する必要があり、一般に用
いられている半導体素子を用いることができない。さら
に、バンプを用いる接続形態では、図24に示すように
バンプ35に応力が発生しやすく、接続の安定性が低
く、信頼性に問題がある。また、特開平3−94459
号公報で提案された図25に示すパッケージにおいて
は、製造工程が従来に比べて複雑化しており、コスト低
減が困難であるという問題がある。
ためになされたもので、汎用性があり、高い信頼性を有
する安価で小型な半導体装置と、これを製造するための
製造装置および製造方法を提供するものである。
装置は、電極パッドを有する半導体素子と、電極パッド
に一端を接続された金属リードと、半導体素子、電極パ
ッドおよび金属リードの一部を覆う封止材を備え、金属
リードにて外部との電気的接続を行うものである。ま
た、金属リードは、その断面がほぼ円形であるものとす
る。また、金属リードは、高伝導率の金属芯線を低融点
ろう材で被覆したものである。さらに、金属リードは、
その最外層面が絶縁被覆材で被覆されているものであ
る。また、金属リードの一部を、金属リードの直径より
も大なる厚みの絶縁材で覆うものである。また、金属リ
ードは、封止材の側面に沿って配置され、その一部が封
止材に埋め込まれ固定されているものである。さらに、
金属リードは、その先端に金属バンプを有し、金属バン
プが封止材から外部に露出しているものである。
電極パッドに一端を接続された金属リードと、半導体素
子、電極パッドおよび金属リードの一部を覆い、その側
面に沿って金属リードが配置された封止材と、半導体素
子をはめ込み固定する穴を有する配線基板と、配線基板
の穴の側面に配線基板面に対して垂直に配置され、金属
リードと接続される端子部を備えたものである。また、
配線基板は、低熱膨張率かつ高弾性率の材料よりなる保
持部材にて金属リードと端子部との接続を保持している
ものである。さらに、保持部材は、配線基板および半導
体素子上に広く接続されているものである。
は、高伝導率の金属芯線を低融点ろう材で被覆され、さ
らに最表面を絶縁被覆材で被覆されている金属リードの
一端に、低融点ろう材および金属芯線にダメージを与え
ない波長域のレーザを照射して絶縁被覆材を除去する工
程と、金属リードの他の一端を保持するろう付け可能部
を有するチップキャリアに電極パッドを有する半導体素
子を搭載し、金属リードの絶縁被覆材が除去された一端
と電極パッドをワイヤボンド装置にて接合する工程を含
んで製造するようにしたものである。また、金属リード
を切断するための突起を有するチップキャリアを用い、
このチップキャリアに半導体素子を搭載した状態で、一
端が半導体素子の電極パッドに、他端がチップキャリア
のろう付け可能部に接続された金属リードを、突起とワ
イヤボンド装置に備えられた切断工具を用いて切断する
工程を含んで製造するようにしたものである。さらに、
互いに分離可能な半導体搭載部とろう付け可能部を有す
るチップキャリアを用い、チップキャリアを使用後、ろ
う付け可能部のみを加熱し、残存した金属リードの除去
およびろう付け可能部の平坦化を行い、さらにプラズマ
による清浄化を行う工程を含んで製造するようにしたも
のである。
ードを接続し、半導体素子、電極パッドおよび金属リー
ドの一部を熱可塑性の樹脂である封止材にて封止する工
程と、封止材外部にある金属リードを、金属リード曲げ
加工金型にて封止材の側面に沿うように成形する工程
と、金属リードの一部を、加熱可能な金型にて封止材中
に埋め込み固定する工程を含んで製造するようにしたも
のである。また、半導体装置を実装する穴を有する配線
基板を加熱し、穴を拡大する工程と、半導体装置を穴に
挿入し、穴の側面に配置された端子と半導体装置の側面
に配置された金属リードを接合する工程と、半導体装置
実装後の配線基板を冷却し、穴を収縮させる工程を含ん
で製造するようにしたものである。さらに、半導体素子
の電極パッドに接合された金属リードの先端に金属球を
形成し、半導体素子、電極パッドおよび金属リードを封
止材で覆う工程と、封止材をレーザにて除去し金属リー
ド先端の金属球を露出させ、金属球表面を清浄化する工
程と、レベリングツールを用いて金属球の高さをそろえ
る工程を含んで製造するようにしたものである。
は、配線基板に設けられた穴に半導体装置を挿入し、穴
の側面に配置された端子と半導体素子の側面に配置され
た金属リードを接合する装置であって、半導体装置を保
持し、加熱、加圧、超音波印加機構を有するボンディン
グヘッドと、配線基板を搭載してボンディングヘッドと
の位置決めを行い、配線基板の穴を拡大させるための加
熱機構を有するステージを備えたものである。また、半
導体素子を搭載するステージと、半導体素子の電極パッ
ドに金属リードを接合するボンディングツールと、金属
リードを切断し、少なくとも半導体素子側の切断端に金
属球を形成するレーザを備えたものである。
半導体装置の構成を示す断面図である。図において、1
は一般に用いられる半導体素子、1aは半導体素子1上
に形成された電極パッド、2は金属リード、3は封止材
をそれぞれ示す。本実施の形態による半導体装置は、従
来用いられてきたリードフレームやTABテープを用い
ることなく、半導体素子1上の電極パッド1aと外部と
の電気信号入力を、金属リード2のみで行うことを特徴
とするものである。
体装置の構成および製造方法について説明する。金属リ
ード2の断面はほぼ円形であり、その直径は、電極パッ
ド1aの間隔や所望のパッケージサイズに応じて、50
〜100umのものを用いることができる。接続方法と
しては、ワイヤのままで接合するウェッジボンド技術
や、ワイヤ先端にボールを形成するボールボンド技術等
のワイヤボンド技術を用いる。金属リード2の主材料に
は、Au、Alの他にAg、Cuを用いることができ
る。さらに、半導体素子1を樹脂材料等の封止材3を用
いて封止し、図1に示す半導体装置を製造することがで
きる。金属リード2としては、金属リード単体のみでな
く、図2すように表面に低融点ろう材2aを被覆した金
属リード2を用いても良い。この場合の金属リード2の
接合方法としては、上述のワイヤボンド技術以外に、金
属の溶融現象を利用するマイクロソルダリング技術を用
いることができる。さらに、金属リード2相互間および
金属リード2と半導体素子1間の絶縁性を高めるため
に、図3に示すような絶縁被覆材2bを最外層面に施し
た金属リード2を用いても良い。この場合、絶縁被覆材
2bを除去するために、レーザを搭載したワイヤボンド
装置を用いる。レーザの波長は絶縁被覆材2bを除去で
き、かつ、低融点ろう材2aおよび金属リード2に影響
を及ぼさない範囲から選択する。この波長域のレーザを
用いて、図4に示すように、電極パッド1aへの接合前
に絶縁被覆材2bの除去を行うことにより、電極パッド
1aと金属リード2の接合の安定化が図られ、信頼性が
向上する。
工程では、図5に示すチップキャリア4を用いる。チッ
プキャリア4は、一個以上の半導体素子1を搭載するこ
とができる。また、チップキャリア4は、ろう付け可能
部4aを有し、金属リード2の一端を接続、保持するこ
とができ、ワイヤボンド装置が有する高度な位置決め精
度で金属リード2を成形できる。さらに、チップキャリ
ア4に、図6に示すような突起4bを設けることによ
り、金属リード2をワイヤボンド装置に備えられた切断
工具5を用いて切断する工程を容易に実現できる。ま
た、チップキャリア4は、図7に示すように、半導体素
子1を保持するメインキャリア4cと、ろう付け可能部
を有するサブキャリア4dに分離できるように構成して
も良い。この場合、サブキャリア4dのみをチップキャ
リア清浄化装置に投入し、図8に示すように、ろう付け
可能部4aに残存する金属リード2を除去し、さらにろ
う付け可能部4a表面の平坦化、清浄化を行うことがで
きる。金属リード2の除去には、ヒーター6による接触
および雰囲気加熱により、金属リード2をろう付け可能
部4aから溶解、離脱させる技術を用いる。この時同時
に、ろう付け可能部4a表面の平坦化を行うことができ
る。また、ろう付け可能部4aの表面の清浄化には、プ
ラズマ7を用いることができる。
は、図9に示すように絶縁材8を有する形態をとること
もできる。このとき、絶縁材8の厚みは、金属リード2
の直径よりも大きくすることが望ましい。絶縁材8によ
り、金属リード2相互間の絶縁性が高まり、信頼性が向
上する。絶縁材8を有する半導体装置の製造工程を図1
0に示す。まず、金属リード2を接続した半導体素子1
を圧着ステージ10に搭載し(図10(a))、上部か
ら絶縁材8を保持した圧着ツール9を下降させ、圧着ス
テージ10と圧着ツール9の間に金属リード2と絶縁材
8を挟み込むようにして加熱、加圧を行い(図10
(b))、金属リード2を絶縁材8で包み込むことがで
きる。絶縁材8としては、加熱により容易に軟化する熱
可塑性の樹脂を用いることができる。その形態として
は、予めシート状に加工したものを用いることができ
る。また、液状の樹脂を用いることもでき、別途供給装
置(図示せず)により供給するか、もしくは圧着ツール
9から供給する。なお、本例では、半導体素子1が電極
パッド1aを上部に有する場合の製造工程について示し
たが、下部または側面に有する場合についても同様の方
法で実施可能である。この後、絶縁材部分をクランプす
ることにより容易に封止工程を行うことができ、従来の
リードフレームタイプのパッケージと同様に、従来装置
(図示せず)を用いることができる。また、リード加工
工程は、予め金属リード2が切断されており、余分な支
持部材がないため、従来よりも簡略化することができ
る。
導体素子1上の電極パッド1aと外部との電気信号入力
を、金属リード2のみで行うようにしたので、汎用性が
高く、超小型な半導体装置を提供することが可能であ
る。また、従来の製造装置を用いることができ、さらに
簡略化される工程もあるため、製造コストが抑えられ、
安価に製造することができる。
形態2における半導体装置の構成を示す断面図である。
図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略
する。本実施の形態による半導体装置は、金属リード2
が封止材3の側面に沿って配置され、金属リード2の一
部が封止材中に埋め込まれ、固定されていることを特徴
とする。以下に、図12を用いて製造工程を説明する。
上記実施の形態1と同様に、電極パッド1aに絶縁材8
を有する金属リード2が接続された半導体素子1を、熱
可塑性の樹脂である封止材3にて封止する(図12
(a)、(b))。これをステージ12に搭載し、第1
金型11および第2金型13により金属リード2をおお
よそ封止材3の外形に沿うように成形する(図12
(c)、(d))。その後、加熱、加圧金型14を用い
て金属リード2を封止材3中に埋め込み固定する(図1
2(e))。以上の工程により、図11に示す半導体装
置が製造できる。
配線基板上に表面実装することも可能であるが、図13
に示す配線基板15を用いることにより、さらに薄型の
製品となる。図13(a)は、配線基板15の平面図、
図13(b)は、そのA−B断面図である。配線基板1
5は、半導体装置を実装するための穴である半導体装置
実装部15aを有し、その側面に配線基板15面と垂直
に配置された端子部である配線15bを有する。本実施
の形態による半導体装置は、図14に示す実装装置を用
いて、配線基板15に実装することができる。本実装装
置は、加熱、加圧、超音波振動印加が可能な半導体装置
実装ヘッド16を搭載していることが望ましい。半導体
装置実装ヘッド16は、半導体装置保持部16a、超音
波ホーン16b、超音波振動子16c、ヒーター16
d、加圧機構17からなり、外部にヒーター16d用の
電源19および真空吸着用の真空発生装置20を具備す
る。また、配線基板15を保持するステージ18側にも
ヒーター18aを具備し、外部にヒーター18a用の電
源19と基板保持用の真空発生装置20を具備する。図
14では、半導体装置実装ヘッド16とステージ18が
電源19および真空発生装置20を共有している例を示
したが、別個に用意しても良い。
とにより、半導体装置を容易に配線基板15の半導体装
置実装部15aに挿入でき、また、配線15bと金属リ
ード2の接触、接続を行うことができる。この時、半導
体装置の実装中には配線基板15を十分に加熱すること
により半導体装置実装部15aを拡大しておき(図15
(a))、実装後に冷却することにより半導体装置実装
部15aが収縮し、配線15bと金属リード2の電気的
接続が保たれる。このようにして、図15(b)に示す
ようなきわめて薄型の製品ができる。この時、図16に
示すように、半導体装置実装部15aの膨張による配線
15bと金属リード2の接続部の劣化を防止するため
に、低熱膨張率かつ高弾性率の材料よりなる保持部材2
1を配線基板15に接続してもよい。接続層22には、
接着剤を用いるか、または機械的な固定でもよい。さら
に、半導体装置からの発熱を外部に放散する効率を高め
るために、図17に示すように、保持部材21を配線基
板15および半導体素子1上に広く接続してもよい。保
持部材21の材料としては、例えばMo等を主材料とす
ることが望ましい。さらに、熱伝導率を高めるために、
Cu等の熱伝導率の高い材料と積層してもよく、また、
Cu等が分散された材料を用いてもよい。
形態3における半導体装置の構成を示す断面図である。
図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略
する。本実施の形態による半導体装置は、金属リード2
を半導体素子1の電極パッド1aが配置されている面か
ら垂直に封止材3を通して外部に出し、金属リード2の
外部端に金属バンプ2cを形成したことを特徴とする。
装置の製造方法を示す図であり、図において23は後に
金属バンプ2cとなる金属球、24は通常のボンディン
グツール、25はボンディングステージ、26はレベリ
ングツール、27はレベリングステージである。まず、
図19に示すように、ボンディングツール24を用いて
ワイヤボンドを行う工程において、金属リード2の切断
時にレーザを用い、所望の高さで金属リード2を切断す
るとともに、少なくとも金属リード2の半導体素子1側
の切断端に金属球23を形成できるワイヤボンド装置を
用いる。この工程の後に、封止材3で全体を包み、図2
0に示す用にレーザにて表面の封止材3を除去して金属
球23を露出させると同時に金属球23表面を清浄化す
る(図20(a)、(b))。続いて、レベリングステ
ージ27上でレベリングツール26を用いて金属球23
の高さをそろえ(図20(c))、これを金属バンプ2
cとする(図20(d))。以上の方法により、超小型
で金属バンプ2cが面配置となる半導体装置を容易に得
ることができる。
体素子の電極パッドと外部との電気信号入力を、金属リ
ードのみで行うようにしたので、汎用性が高く、超小型
な半導体装置を安価に提供することが可能である。
示す断面図である。
金属リードを示す断面図である。
金属リードを示す断面図である。
金属リード表面の絶縁被覆膜除去工程を示す断面図であ
る。
製造に用いるチップキャリアを示す断面図である。
製造に用いるチップキャリアを示す断面図である。
製造に用いるチップキャリアを示す断面図である。
製造に用いるチップキャリアの清浄化方法を示す断面図
である。
示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
を実装する配線基板を示す平面図および断面図である。
を実装するための実装装置を示す図である。
の実装工程を説明するための図である。
に実装後の半導体装置を示す断面図である。
に実装後の半導体装置を示す断面図である。
を示す断面図である。
の製造装置を示す断面図である。
の製造工程を示す断面図である。
を示す平面図である。
示す平面図である。
図である。
2a 低融点ろう材、2b 絶縁被覆材、2c 金属バ
ンプ、3 封止材、4 チップキャリア、4a ろう付
け可能部、4b 突起、4c メインキャリア、4d
サブキャリア、5 切断工具、6 ヒーター、7 プラ
ズマ、8 絶縁材、9 圧着ツール、10 圧着ステー
ジ、11 第1金型、12 ステージ、13 第2金
型、14 加熱、加圧金型、15 配線基板、15a
半導体装置実装部、15b 配線、16 半導体装置実
装ヘッド、16a 半導体装置保持部、16b 超音波
ホーン、16c 超音波振動子、16d ヒーター、1
7 加圧機構、18 ステージ、18a ヒーター、1
9 電源、20 真空発生装置、21 保持部材、22
接続層、23 金属球、24 ボンディングツール、
25 ボンディングステージ、26 レベリングツー
ル、27 レベリングステージ、28 インナーリー
ド、29、31 電極パッド、30、36 リード、3
2 UBM、33、35、39 バンプ、38 金属ベ
ース。
Claims (18)
- 【請求項1】 電極パッドを有する半導体素子、 上記電極パッドに一端を接続された金属リード、 上記半導体素子、上記電極パッドおよび上記金属リード
の一部を覆う封止材を備え、上記金属リードにて外部と
の電気的接続を行うことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 金属リードは、その断面がほぼ円形であ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 金属リードは、高伝導率の金属芯線を低
融点ろう材で被覆したものであることを特徴とする請求
項1または請求項2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 金属リードは、その最外層面が絶縁被覆
材で被覆されていることを特徴とする請求項1〜請求項
3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 【請求項5】 金属リードの一部を、上記金属リードの
直径よりも大なる厚みの絶縁材で覆うことを特徴とする
請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半導体装
置。 - 【請求項6】 金属リードは、封止材の側面に沿って配
置され、その一部が上記封止材に埋め込まれ固定されて
いることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一
項に記載の半導体装置。 - 【請求項7】 金属リードは、その先端に金属バンプを
有し、上記金属バンプが封止材から外部に露出している
ことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に
記載の半導体装置。 - 【請求項8】 電極パッドを有する半導体素子、 上記電極パッドに一端を接続された金属リード、 上記半導体素子、上記電極パッドおよび上記金属リード
の一部を覆い、その側面に沿って上記金属リードが配置
された封止材、 上記半導体素子をはめ込み固定する穴を有する配線基
板、 上記配線基板の穴の側面に上記配線基板面に対して垂直
に配置され、上記金属リードと接続される端子部を備え
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項9】 配線基板は、低熱膨張率かつ高弾性率の
材料よりなる保持部材にて金属リードと端子部との接続
を保持していることを特徴とする請求項8記載の半導体
装置。 - 【請求項10】 保持部材は、配線基板および半導体素
子上に広く接続されていることを特徴とする請求項9記
載の半導体装置。 - 【請求項11】 高伝導率の金属芯線を低融点ろう材で
被覆され、さらに最表面を絶縁被覆材で被覆されている
金属リードの一端に、上記低融点ろう材および金属芯線
にダメージを与えない波長域のレーザを照射して上記絶
縁被覆材を除去する工程、上記金属リードの他の一端を
保持するろう付け可能部を有するチップキャリアに電極
パッドを有する半導体素子を搭載し、上記金属リードの
絶縁被覆材が除去された一端と上記電極パッドをワイヤ
ボンド装置にて接合する工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項12】 金属リードを切断するための突起を有
するチップキャリアを用い、このチップキャリアに半導
体素子を搭載した状態で、一端が上記半導体素子の電極
パッドに、他端が上記チップキャリアのろう付け可能部
に接続された上記金属リードを、上記突起とワイヤボン
ド装置に備えられた切断工具を用いて切断する工程を含
むことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項13】 互いに分離可能な半導体搭載部とろう
付け可能部を有するチップキャリアを用い、上記チップ
キャリアを使用後、上記ろう付け可能部のみを加熱し、
残存した金属リードの除去および上記ろう付け可能部の
平坦化を行い、さらにプラズマによる清浄化を行う工程
を含むことを特徴とする請求項11または請求項12記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項14】 半導体素子上の電極パッドに金属リー
ドを接続し、上記半導体素子、上記電極パッドおよび上
記金属リードの一部を熱可塑性の樹脂である封止材にて
封止する工程、上記封止材外部にある上記金属リード
を、金属リード曲げ加工金型にて、上記封止材の側面に
沿うように成形する工程、上記金属リードの一部を、加
熱可能な金型にて上記封止材中に埋め込み固定する工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項15】 半導体装置を実装する穴を有する配線
基板を加熱し、上記穴を拡大する工程、半導体装置を上
記穴に挿入し、上記穴の側面に配置された端子と上記半
導体装置の側面に配置された金属リードを接合する工
程、上記半導体装置実装後の上記配線基板を冷却し、上
記穴を収縮させる工程を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項16】 半導体素子の電極パッドに接合された
金属リードの先端に金属球を形成し、上記半導体素子、
上記電極パッドおよび上記金属リードを封止材で覆う工
程、上記封止材をレーザにて除去し上記金属リード先端
の金属球を露出させ、上記金属球表面を清浄化する工
程、レベリングツールを用いて上記金属球の高さをそろ
える工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項17】 配線基板に設けられた穴に半導体装置
を挿入し、上記穴の側面に配置された端子と上記半導体
素子の側面に配置された金属リードを接合する装置であ
って、 上記半導体装置を保持し、加熱、加圧、超音波印加機構
を有するボンディングヘッド、 上記配線基板を搭載して上記ボンディングヘッドとの位
置決めを行い、上記配線基板の穴を拡大させるための加
熱機構を有するステージを備えたことを特徴とする半導
体装置の製造装置。 - 【請求項18】 半導体素子を搭載するステージ、 上記半導体素子の電極パッドに金属リードを接合するボ
ンディングツール、 上記金属リードを切断し、少なくとも上記半導体素子側
の切断端に金属球を形成するレーザを備えたことを特徴
とする半導体装置の製造装置。
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JP16392697A JP3548671B2 (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体装置およびその製造方法 |
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