JPH11168369A - 濾波された基準量を有するスイッチングシステム用の集積装置 - Google Patents

濾波された基準量を有するスイッチングシステム用の集積装置

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JPH11168369A
JPH11168369A JP10194779A JP19477998A JPH11168369A JP H11168369 A JPH11168369 A JP H11168369A JP 10194779 A JP10194779 A JP 10194779A JP 19477998 A JP19477998 A JP 19477998A JP H11168369 A JPH11168369 A JP H11168369A
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terminal
integrated device
switching
transistor
control signal
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JP10194779A
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Angelo Genova
アンジェロ・ジェノバ
Giuseppe Cantone
ジュゼッペ・カントーネ
Roberto Gariboldi
ロベルト・ガリボルディ
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STMicroelectronics SRL
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STMicroelectronics SRL
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26Current mirrors
    • G05F3/262Current mirrors using field-effect transistors only

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、スイッチング時の干渉を受けるこ
とがなく、構成が比較的簡単でコンパクトで、廉価な集
積装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 スイッチング制御信号を発生する制御手
段110 と、基準量Qrefを発生する基準手段120 と、基
準量を使用する手段110 とを具備しているスイッチング
システムのための集積装置105 において、基準量を蓄積
する手段130 と、第1の動作状態で基準量Qref を供給
するために基準手段120 を使用手段110 と蓄積手段130
へ接続し、第2の動作状態で基準手段120 を使用手段11
0 から遮断し、蓄積手段130 を使用手段110 へ接続して
蓄積された基準量Qref を供給するスイッチ手段122
と、制御信号Sh のスイッチングにしたがって濾波期間
中はスイッチ手段122 を第2の動作状態に維持するフィ
ルタ手段135 とを含むことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はスイッチングシステムの
ための集積装置、特に、少なくとも1つのスイッチング
制御信号を発生する制御手段と、少なくとも1つの基準
量を発生する基準手段と、基準量を使用する手段とを具
備しているスイッチングシステムのための集積装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】交互にカットオフおよびされ導電性にさ
れる1以上の電子スイッチを有するスイッチングシステ
ムは例えば、電源供給装置、発振器、インバータ等の種
々の応用で通常使用されている。電子スイッチのスイッ
チングは半導体材料の単一チップで集積さされた形態で
通常製造される適切な装置によって制御される。
【0003】電子スイッチをそれぞれスイッチングする
とき干渉が発生され、例えば共通の電源供給手段を介し
て、或いは半導体材料のチップ基体を通って、または容
量結合によって制御装置へ伝搬される。このスイッチン
グ干渉は制御装置内で使用される基準量(電圧または電
流)の値を変更し、例えば不所望のスイッチングを生じ
させる寄生素子の付勢等、内部回路の誤動作の原因とな
る。この問題は特に急峻な勾配のスイッチングエッジを
有するシステム、例えば高電圧(パワー)スイッチング
システム、または高周波数で動作する低電圧スイッチン
グシステムで生じる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】既知の制御装置はこの
問題を防止するため非常に複雑で高価な内部回路による
解決策を使用する。(数nF程度の)高いキャパシタン
スを有する濾波キャパシタが通常設けられ、制御装置が
形成されている半導体材料のチップへ外部で接続されて
いる。しかしながらこれらの外部素子はスイッチングシ
ステムの価格と大きさを増加させる。
【0005】本発明の目的は、前述の欠点を克服し、構
成が比較的簡単でコンパクトであり、廉価に製作するこ
とのできるスイッチング時の干渉を受けない集積装置を
提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも1
つのスイッチング制御信号を発生する制御手段と、少な
くとも1つの基準量を発生する基準手段と、基準量を使
用する手段とを具備しているスイッチングシステムのた
めの集積装置において、基準量を蓄積する手段と、第1
の動作状態で基準量を供給するために基準手段を使用手
段と蓄積手段へ接続し、第2の動作状態で基準手段を使
用手段から遮断し、蓄積手段を使用手段へ接続して蓄積
された基準量を供給するスイッチ手段と、制御信号のス
イッチングにしたがって濾波期間中はスイッチ手段を第
2の動作状態に維持するフィルタ手段とを含むことを特
徴とする。
【0007】本発明による集積装置は構成が非常に簡単
であり、特に、本発明は基準量を生成する回路をよりコ
ンパクトにし、それによって集積装置の大きさは全体的
に小さくなる。さらに本発明の構造は集積装置外部に濾
波キャパシタを必要としない。
【0008】最後に、この集積装置は非常に多能性であ
りフレキシブルで、使用上最も変化のある要件に容易に
適合することができる。本発明にしたがった集積装置の
さらに別の特性および利点は、添付図面を参照し例示と
して与えられた種々の好ましい実施形態についての以下
の説明から明白になるであろう。しかしながら、これら
の実施形態は本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。
【0009】
【発明の実施の形態】特に図1を参照すると、これは電
子スイッチとして、(Nチャンネル)、高電圧、金属・
酸化物・シリコン電界効果トランジスタ(MOSFET
または単にMOS)Mhを使用するスイッチングシステ
ム100 を示している。トランジスタMhは基準端子
(地)へ接続されているソース端子と、負荷Lの第1の
端子に接続されているドレイン端子を有し、負荷Lの第
2の端子は電源の正の端子VCCに接続され(電源の負の
端子は接地端子に接続されている)、トランジスタMh
のドレイン端子はまた信号Vout が得られる出力端子へ
接続されている。しかしながら、本発明の集積装置は、
例えば低電圧トランジスタ、電子スイッチとして異なっ
た素子、または2以上のスイッチを含む異なったスイッ
チングシステムでも使用される。
【0010】トランジスタMhは半導体材料のチップで
集積された形態で製造される装置105 により制御され、
トランジスタMhはディスクリートな外部素子により形
成され、または半導体材料の同じチップに集積される。
制御装置105 は電源端子Vccと接地端子へ適切に接続さ
れ、トランジスタMhのゲート端子に接続されているブ
ロック110 を含み、トランジスタMhに対するスイッチ
ング制御信号Shを発生する。適切なブロック120 によ
り発生した1以上の基準量(電流または電圧)Qref は
制御ブロック110 または他の回路素子により使用され、
基準量Qref の値は固定されているか例えば適切な外部
素子(典型的には抵抗)によってプログラム可能であ
る。基準ブロック120 はスイッチ122 により制御ブロッ
ク110 およびブロック130 へ接続され、ブロック130 は
基準量Qref を蓄積または保持することができ、蓄積ブ
ロック130 は好ましくは限定されたキャパシタンス(数
pF程度)のキャパシタまたは他の電荷蓄積手段を具備
している。代わりに、等価の素子が使用され、閉じた状
態では基準ブロック120 を制御ブロック110 と蓄積ブロ
ック130 へ接続し、開いた状態では基準ブロック120 を
制御ブロック110 から遮断し、蓄積ブロック130 を制御
ブロック110 へ接続する。スイッチ122 は、入力として
制御信号Shを受信するブロック135 により発生される
適切な濾波信号Sfにより制御される。濾波信号Sfは
制御装置105 の動作のサービス機能を行うブロック140
へも供給されることが好ましい。
【0011】図1のaのシステムの動作を説明するた
め、図2の定性的時間グラフを参照する。これは制御信
号Shと、出力信号Vout と、基準量Qref と、濾波信
号Sfの時間(t)に対する変化を示している。制御信
号Shが低い値であるとき(例えば接地に関して0
V)、トランジスタMhはカットオフされ、出力信号V
outは供給電圧Vccに等しい値に適合し、制御信号Sh
が高い値を有するとき(例えば5V)、トランジスタM
hは導電性であり、出力信号Vout は0値に適合する。
トランジスタMhのそれぞれのスイッチングにおいて、
出力信号Vout は基準量Qref で等しい期間の干渉を発
生する期間Tc の過渡的現象を受ける。この過渡的スイ
ッチング期間の終了時に、基準信号Qref はさらに過渡
的なリセット期間Tr 後にその本来の値へ戻る。
【0012】本発明者は基準量Qref における干渉が、
制御信号Sh のスイッチングと一致するため常に知られ
ている瞬間に開始する時間中のみに存在することを認識
しており、これらの干渉期間は継続時間Tn (問題の例
ではTc +Tr に等しい)を有し、これはスイッチング
システムの構造に依存している。
【0013】図1を参照すると、本発明にしたがった制
御装置105 では、スイッチ122 は通常閉じており、それ
によって基準量Qref が制御ブロック110 へ供給され、
同じ基準量Qref が同時にブロック130 に蓄積される。
制御信号Sh が(前述の各干渉期間Tn 中に)スイッチ
ングされたとき、スイッチ122 が開かれ、それによって
制御ブロック110 にブロック130 に蓄積された基準量が
与えられ、干渉が存在するとき蓄積ブロック130 はスイ
ッチ122 によりブロック120 から遮断されているのでこ
れはスイッチングの干渉を受けず、制御ブロック110 は
したがってどんな場合でも入力として、実質上一定値で
ある濾波された基準量Qref'を受信する。
【0014】濾波信号Sf はスイッチ122 を濾波期間T
f (図2)に対して開いた状態に保持することが好まし
く、この期間の開始は制御信号Sh のスイッチングに一
致する。濾波期間Tf は干渉期間Tn の継続期間と、要
求された正確度と、基準量Qref が使用される継続期間
に依存する期間を有する。通常、濾波期間Tf は干渉期
間Tn 以上、例えば数μs程度の期間を有する。代わり
に、濾波期間Tf は例えば非常に大きな正確度が必要と
されるか、または基準量Qref が短い期間のみ使用され
るならば短い期間を有する。
【0015】濾波期間Tf の継続期間は制御装置105 で
使用される全ての基準量Qref に対して単一の値を有す
ることが有効であり、それによって制御装置105 の構造
を簡単にし、したがってその大きさを減少する。その代
わりに異なった継続期間の濾波期間Tf は各基準量Qre
f に与えられ、それによって制御装置105 のより大きな
正確度を確実にする。
【0016】本発明の好ましい実施形態では、濾波信号
Sf がサービスブロック140 へ供給され、異なった動作
を実行するためにも使用される。例えばブロック140 は
電源供給電圧Vccが(電圧ロックアウトより下の)予め
定められたしきい値より下に低下するとき、または装置
の温度がさらに別のしきい値を越えるときに制御装置10
5 をオフにスイッチングする消弧回路を含んでいる。消
弧回路の動作は濾波期間Tf にディスエーブルされ、そ
れによってスイッチング干渉は制御装置105 の不所望な
スイッチングオフを生じることができず、この方法は消
弧回路の動作速度が非常に高速である必要はないので制
御装置105 に損傷を与える危険性がないことに留意すべ
きである。異なった実施形態はアナログデジタル変換シ
ステムにより構成され、この場合、変換されるアナログ
信号のサンプリングは濾波期間Tf 中ディスエーブルさ
れ、それによってスイッチング干渉が存在しないときの
み変換を行う。
【0017】本発明の異なった実施形態が図3に示され
ており(図1に既に示されている素子は同一の参照数字
または符号により示される)、これは電子スイッチとし
て、2つの(Nチャンネル)、ハーフブリッジとして接
続されている高電圧MOSトランジスタMh1、Mh2
を使用するスイッチングシステム200 を示している。特
にトランジスタMh1のドレイン端子は電源供給端子V
ccに接続され、トランジスタMh2のソース端子は接地
端子に接続され、トランジスタMh1のソース端子とト
ランジスタMh2のドレイン端子は負荷L1の第1の端
子に接続され、(負荷L1から出力信号Vout1が得られ
る)負荷L1の第2の端子は接地端子へ接続されてい
る。
【0018】トランジスタMh1、Mh2は(半導体材
料のチップ中に集積された形態で製造された)装置205
により制御され、トランジスタMh1、Mh2のゲート
端子に接続され、トランジスタMh1、Mh2の2つの
スイッチング制御信号Sh1、Sh2をそれぞれ発生す
るブロック210 を具備している。ブロック250 は入力と
して1以上の濾波された基準量Qref'と制御信号Sh2
を受信し、死時間信号Sdを発生し、この信号は制御ブ
ロック210 により、予め定められた期間Td(死時間)
だけトランジスタMh1とMh2の両者をカットオフに
維持するために使用され、それによってスイッチング段
中のこれらのトランジスタの電流ピークを阻止する。死
時間ブロック250 はまた前述の実施形態のように、スイ
ッチ122とサービスブロック140 により使用される濾波
信号Sf1を発生する。本発明のこの実施形態は適切な
濾波ブロック(図1の135 )を必要とせずに、濾波信号
Sf1が既存の回路ブロックの簡単な変形により発生さ
れることを可能にするので特に有効である。
【0019】図3のシステム動作を説明するため、図4
の定性的時間グラフを参照し、これは制御信号Sh1、
Sh2と、死時間信号Sdと、出力信号Vout 1と、基
準量Qref と、濾波信号Sf1の時間(t)に対する変
化を示している。高値(トランジスタMh2が導通)か
ら低値(トランジスタMh2がカットオフ)への制御信
号Sh2の各スイッチングは、死時間Tdによって、低
値(トランジスタMh1がカットオフ)から高値(トラ
ンジスタMh1が動作)へ対応して切換えることと分離
される。トランジスタMh1、Mh2のそれぞれのスイ
ッチングに対して、出力信号Vout1は死時間Tdと、死
時間後の過渡的切換え期間Tc1の合計に等しい期間で
ある過渡的な現象を受ける。この現象は基準量Qref に
おいて、さらに過渡的なリセット期間Tr1後に消滅す
る等しい期間の干渉を発生する。
【0020】この実施形態では、濾波期間Tf1を使用
することが好ましく、その開始は死時間Tdの開始と一
致し、その継続期間は例えば干渉期間Tn1=Td+T
c1+Tr1の期間以上である。死時間信号Sdを発生
するために使用される基準量は基準量が短期間だけに使
用される場合の典型的な例を与えることに留意すべきで
あり、基準量の濾波は死時間Td期間のみに必要とさ
れ、それによってそれぞれの濾波期間Tf1は死時間T
dの期間よりも僅かに長い。
【0021】(図1で既に示されている素子が同一の参
照数字または符号により識別されている)図5のaを参
照すると、これは基準電圧を発生するための回路レイア
ウトの1実施形態を示している。制御装置105 は(電源
端子Vccに接続されている)電流ミラー305 を含み、こ
の電流ミラー305 は、基準電流Iref1を発生する適切な
既知の一般的な回路(図示せず)に接続されている第1
の分岐と、制御装置105 が形成されるチップの外部ピン
310 へ接続されている第2の分岐を有する。ピン310 は
外部抵抗Rext1の第1の端子に接続され、その第2の端
子は接地端子に接続されており、ピン310 と接地端子の
間には、寄生キャパシタCpが存在する。ピン310 は
(濾波信号Sfにより制御される)スイッチ122 により
内部キャパシタC1の第1の端子へ接続され、その第2
の端子は接地端子に接続されている。
【0022】基準電流Iref1は電流ミラー305 によりピ
ン310 へ送られ、それによって、外部抵抗Rext1の端子
で、基準電圧Vref1=Iref1・Rext1が存在し、その値
は外部抵抗Rext1の抵抗の変化によりプログラムされる
ことができる。スイッチ122が閉じているとき、キャパ
シタC1は基準電圧Vref1へ充電され、スイッチ122が
開いているとき、キャパシタC1は基準電圧Vref1のス
イッチング干渉に無関係にこの電圧値を維持する。それ
故、キャパシタC1の端子に実質上一定の値である濾波
された基準電圧Vref1' が存在する。この場合、基準電
圧Vref1(図1のbではTr)をリセットする過渡的期
間は外部抵抗Rext1の抵抗と寄生キャパシタCpのキャ
パシタンスの積に比例する期間を有することに留意すべ
きである。
【0023】基準電流を発生する異なった実施形態が
(図1で既に示されている素子は同一の参照数字または
符号により示されている)図5のbに示されている。制
御装置105 は演算増幅器330 を含んでおり、この演算増
幅器330 は基準電圧Vref2を発生する適当な回路(図示
せず)に接続された非反転入力端子(+)と、外部ピン
335 に接続されている反転入力端子(−)とを有する。
ピン335 は外部抵抗Rext2の第1の端子に接続され、そ
の第2の端子は接地端子に接続されている。(Nチャン
ネル)、低電圧MOSトランジスタMldはピン335 に
接続されたソース端子と、演算増幅器330 の出力端子に
接続されているゲート端子と、(Pチャンネル)低電圧
MOSトランジスタMl1のドレイン端子に接続されて
いるドレイン端子とを有する。トランジスタMl1はそ
れ自身のドレイン端子に接続されているゲート端子と、
電源供給端子Vccに接続されているソース端子とを有す
る。装置105 はさらに(Pチャンネル)低電圧MOSト
ランジスタMl2を含んでおり、この低電圧MOSトラ
ンジスタMl2はドレイン端子と、スイッチ122 により
トランジスタMl1のゲート端子に接続されているゲー
ト端子と、トランジスタMl1のソース端子に接続され
ているソース端子とを有する。内部キャパシタC2はま
たトランジスタMl2のゲート端子とそのソース端子と
の間に接続されている。
【0024】基準電圧Vref2はインピーダンスセパレー
タ(バッファ)として動作する演算増幅器330 によりピ
ン335 へ供給され、(プログラム可能な値の)基準電流
Iref2=Vref2/Rext2はしたがって抵抗Rext2で流れ
る。スイッチ122 が閉じているとき、基準電流Iref2は
(ダイオードのように接続された)トランジスタMldを
通過し、トランジスタMl1とMl2により形成される
電流ミラーによって内部回路(図示せず)へ送られる。
この状態では、キャパシタC2はトランジスタMl2の
ゲート端子とソース端子との間に存在する電圧に等しい
電圧Vgsへ充電される。スイッチ122 が開くとき、キ
ャパシタC2はトランジスタMl2のゲートソース電圧
を同一値Vgsに維持し、それによってトランジスタM
l2を流れる電流は基準電流Iref2の干渉にかかわらず
変更されない。それ故、トランジスタMl2のドレイン
端子には実質上一定値の濾波された基準電流Iref2' が
存在する。
【0025】以上、偶然的な特定の要件を満たすため、
当業者は前述の集積装置に多数の変更および変形を適用
することができるが、これらは全て特許請求の範囲内に
限定された本発明の技術的範囲に含まれるべきものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の集積装置を有するスイッチングシステ
ムの基本的なブロック図。
【図2】図1のシステムの幾つかの電気量の変化につい
ての定性的な時間グラフ。
【図3】本発明の集積装置の異なった実施形態を有する
スイッチングシステムの基本的なブロック図。
【図4】図3のシステムの幾つかの電気量の変化につい
ての定性的な時間グラフ。
【図5】本発明の集積装置の部分的な回路レイアウト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジュゼッペ・カントーネ イタリア国、96100 シラクサ、ビア・フ ィリスト 123 (72)発明者 ロベルト・ガリボルディ イタリア国、20084 ラッキアレラ(ミラ ノ)、ビア・エフ・バラッカ 6/3

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1つのスイッチング制御信号
    を発生する制御手段と、少なくとも1つの基準量を発生
    する基準手段と、基準量を使用する手段とを具備してい
    るスイッチングシステムのための集積装置において、 基準量を蓄積する手段と、第1の動作状態で基準量を供
    給するために基準手段を使用手段と蓄積手段へ接続し、
    第2の動作状態で基準手段を使用手段から遮断し、蓄積
    手段を使用手段へ接続して蓄積された基準量を供給する
    スイッチ手段と、制御信号のスイッチングにしたがって
    濾波期間中はスイッチ手段を第2の動作状態に維持する
    フィルタ手段とを含むことを特徴とする集積装置。
  2. 【請求項2】 蓄積手段は少なくとも1つのキャパシタ
    を含んでいる請求項1記載の集積装置。
  3. 【請求項3】 制御手段が単一の制御信号を発生し、濾
    波期間は制御信号のスイッチングのときに開始する請求
    項1または2記載の集積装置。
  4. 【請求項4】 制御手段は第1の制御信号と第2の制御
    信号を発生し、集積装置は各スイッチングにおいて、予
    め定められた継続期間の死時間だけ、第1の制御信号と
    第2の制御信号を開放値に同時に維持する手段をさらに
    含んでおり、濾波期間は死時間の開始時に開始する請求
    項1または2記載の集積装置。
  5. 【請求項5】 濾波期間は基準量のスイッチング干渉が
    存在する期間に少なくとも等しいか、または、基準量の
    使用期間に少なくとも等しい期間を有する請求項3また
    は4記載の集積装置。
  6. 【請求項6】 基準手段は複数の基準量を生成し、濾波
    期間は等しい継続期間を有する各基準量に対応している
    請求項1乃至5のいずれか1項記載の集積装置。
  7. 【請求項7】 フィルタ手段に接続され、濾波期間中に
    オフに切換えられるサービス動作を行う手段をさらに含
    んでいる請求項1乃至6のいずれか1項記載の集積措
    置。
  8. 【請求項8】 基準電流を集積装置の外部ピンへ供給す
    る手段を具備し、この外部ピンは基準電圧を発生するた
    めに外部抵抗により基準端子へ接続されるように構成さ
    れ、内部キャパシタは基準端子に接続するための第1の
    端子とスイッチ手段により前記外部ピンへ接続される第
    2の端子とを有し、前記内部キャパシタは第1と第2の
    端子の間で、スイッチング干渉の濾波された基準電圧を
    維持している請求項1乃至7のいずれか1項記載の集積
    装置。
  9. 【請求項9】 基準電流を発生するために外部抵抗によ
    り第1の電源供給端子へ接続されるように構成されてい
    る集積装置の外部ピンへ基準電圧を供給する手段と、ピ
    ンと、第2の電源供給端子へ接続する第2の端子と、第
    1のトランジスタの第1の端子に接続されている制御端
    子とを有する第1のトランジスタの第1の端子へ基準電
    流を供給する手段と、第1の端子とスイッチ手段により
    第1のトランジスタの制御端子へ接続されている制御端
    子と第1のトランジスタの第2の端子に接続されている
    第2の端子とを有する第2のトランジスタと、第2のト
    ランジスタの制御端子と第2の端子の間に接続されてい
    る内部キャパシタとを具備し、それによって第2のトラ
    ンジスタは第1の端子においてスイッチング干渉の濾波
    された基準電流を維持している請求項1乃至7のいずれ
    か1項記載の集積装置。
  10. 【請求項10】 少なくとも1つの電子スイッチが制御
    手段に接続されている制御端子を有し、それによって対
    応するスイッチング制御信号を受信する請求項1乃至9
    のいずれか1項に記載された集積装置を具備しているス
    イッチングシステム。
JP10194779A 1997-08-07 1998-07-09 濾波された基準量を有するスイッチングシステム用の集積装置 Pending JPH11168369A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT97830415.2 1997-08-07
EP97830415A EP0896268B1 (en) 1997-08-07 1997-08-07 An integrated device for switching systems with filtered reference quantities

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010246B2 (en) 2002-06-10 2006-03-07 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus, drum unit, image forming module, and method of insertion and removal of a damper into and from an image carrier drum
US7190195B2 (en) * 2004-03-29 2007-03-13 Rohm Co., Ltd. Input circuit and output circuit
CN111538364B (zh) * 2020-05-15 2023-06-23 上海艾为电子技术股份有限公司 一种带隙基准电压源以及电子设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63234623A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH04155693A (ja) * 1990-10-18 1992-05-28 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体記憶装置のデータ出力回路
JPH07175535A (ja) * 1993-12-16 1995-07-14 Nec Corp Fet増幅器用電源回路
JP3561012B2 (ja) * 1994-11-07 2004-09-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
DE19540169C1 (de) * 1995-10-27 1996-11-28 Texas Instruments Deutschland Integrierte CMOS-Schaltung mit Schaltung zur Latch-up-Verhinderung sowie Status-Speicher

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