JPH1116805A - 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 - Google Patents
半導体装置の製造工程のフィードバック方法Info
- Publication number
- JPH1116805A JPH1116805A JP9163694A JP16369497A JPH1116805A JP H1116805 A JPH1116805 A JP H1116805A JP 9163694 A JP9163694 A JP 9163694A JP 16369497 A JP16369497 A JP 16369497A JP H1116805 A JPH1116805 A JP H1116805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- moving average
- feedback
- algorithm
- weighted moving
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のフィードバック方法では直近のロット
のデータに基づいて補正値を求めるため、数日あるいは
数週間に１ロットが流れる程度のデバイス製造ラインに
適用することは困難であった。 【解決手段】 半導体装置の製造プロセスのリソグラフ
ィー工程で、既に処理された数ロットのＩＰＱＣ（工程
内プロセス品質制御）データより着工するロットの処理
条件を決定するフィードバック方法であって、フィード
バック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均により求
める「加重移動平均による処理条件の決定」Ｓ１を行う
フィードバック方法であり、その加重価には時間をパラ
メータとした重み付け係数を導入する方法である。
のデータに基づいて補正値を求めるため、数日あるいは
数週間に１ロットが流れる程度のデバイス製造ラインに
適用することは困難であった。 【解決手段】 半導体装置の製造プロセスのリソグラフ
ィー工程で、既に処理された数ロットのＩＰＱＣ（工程
内プロセス品質制御）データより着工するロットの処理
条件を決定するフィードバック方法であって、フィード
バック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均により求
める「加重移動平均による処理条件の決定」Ｓ１を行う
フィードバック方法であり、その加重価には時間をパラ
メータとした重み付け係数を導入する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程のフィードバック方法に関し、詳しくはリソグラフ
ィー工程におけるフィードバック方法に関する。
工程のフィードバック方法に関し、詳しくはリソグラフ
ィー工程におけるフィードバック方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスの大きな課題として
ＣＯＯ（Cost Of Ownership ）の低減がある。特に非常
に回数、時間を要するリソグラフィー工程でのＣＯＯの
低減は半導体製造プロセス中でも重要である。
ＣＯＯ（Cost Of Ownership ）の低減がある。特に非常
に回数、時間を要するリソグラフィー工程でのＣＯＯの
低減は半導体製造プロセス中でも重要である。
【０００３】現在、リソグラフィー工程での生産性を大
きく低下させている要因の一つには、先行ウエハ（Send
Ahead Wafer）による事前の条件設定の工程があげられ
る。例えば、ウエハ１枚にレジストを塗布した後、露
光、現像を行い、レジストパターンの寸法測定を行う。
その結果に基づいて露光エネルギーおよびフォーカス位
置を決定する。さらに重ね合わせ精度の測定を行う。そ
れによってアライメント補正量を決定する。例えば、パ
ターンのシフト量（パターン横ずれ量）、スケーリング
（放射状の倍率）、ウエハ回転、直交性、ショット回
転、ショット倍率等の露光条件補正量を決定する。その
後、本体ウエハ上にレジストパターン形成を行う。
きく低下させている要因の一つには、先行ウエハ（Send
Ahead Wafer）による事前の条件設定の工程があげられ
る。例えば、ウエハ１枚にレジストを塗布した後、露
光、現像を行い、レジストパターンの寸法測定を行う。
その結果に基づいて露光エネルギーおよびフォーカス位
置を決定する。さらに重ね合わせ精度の測定を行う。そ
れによってアライメント補正量を決定する。例えば、パ
ターンのシフト量（パターン横ずれ量）、スケーリング
（放射状の倍率）、ウエハ回転、直交性、ショット回
転、ショット倍率等の露光条件補正量を決定する。その
後、本体ウエハ上にレジストパターン形成を行う。
【０００４】上記のような条件変動要因としては、リソ
グラフィー要因と他のプロセス要因とに分類できる。例
えば露光エネルギーの変動は、リソグラフィー要因とし
てはレジスト膜厚変動、レジスト感度変動、露光装置
（例えばステッパ）の照明むら変動等が、他のプロセス
では、下地のＣＶＤ時の膜厚や光学定数（屈折率、吸光
係数等）の変動等が考えられる。
グラフィー要因と他のプロセス要因とに分類できる。例
えば露光エネルギーの変動は、リソグラフィー要因とし
てはレジスト膜厚変動、レジスト感度変動、露光装置
（例えばステッパ）の照明むら変動等が、他のプロセス
では、下地のＣＶＤ時の膜厚や光学定数（屈折率、吸光
係数等）の変動等が考えられる。
【０００５】そこで上記のような先行ウエハを廃止する
目的で、ＩＢＭ社のＰＨＡＬＣＯＮ（Phot Automated L
ogging and Control System ）に代表されるフィードバ
ック方法が導入されつつある。これは上記先行ウエハに
よる条件出しを廃止する代わりに、直近の数ロットのデ
ータを用いて露光パラメータ（露光エネルギー、アライ
メント補正値）を決定する方法である。
目的で、ＩＢＭ社のＰＨＡＬＣＯＮ（Phot Automated L
ogging and Control System ）に代表されるフィードバ
ック方法が導入されつつある。これは上記先行ウエハに
よる条件出しを廃止する代わりに、直近の数ロットのデ
ータを用いて露光パラメータ（露光エネルギー、アライ
メント補正値）を決定する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｐ
ＨＡＬＣＯＮに代表されるフィードバック方法は、汎用
メモリのように大量に同じデバイスが流れる製造ライン
ではその威力を発揮するが、数日あるいは数週間に１ロ
ットが流れる程度のデバイス製造ラインには向かない。
そのため、ＡＳＩＣ等の少量多品種の高付加価値品の生
産工程に上記フィードバック方法を適用することは困難
であった。
ＨＡＬＣＯＮに代表されるフィードバック方法は、汎用
メモリのように大量に同じデバイスが流れる製造ライン
ではその威力を発揮するが、数日あるいは数週間に１ロ
ットが流れる程度のデバイス製造ラインには向かない。
そのため、ＡＳＩＣ等の少量多品種の高付加価値品の生
産工程に上記フィードバック方法を適用することは困難
であった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体装置の製造工程のフィード
バック方法である。すなわち、半導体装置の製造プロセ
スのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロットの
工程内プロセス品質制御〔ＩＰＱＣ（Inline Process Q
uality Control）〕データに基づいて着工するロットの
処理条件を決定するフィードバック方法であって、フィ
ードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均によ
り求めるフィードバック方法である。その加重価には時
間をパラメータとした重み付け係数を導入する。
決するためになされた半導体装置の製造工程のフィード
バック方法である。すなわち、半導体装置の製造プロセ
スのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロットの
工程内プロセス品質制御〔ＩＰＱＣ（Inline Process Q
uality Control）〕データに基づいて着工するロットの
処理条件を決定するフィードバック方法であって、フィ
ードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均によ
り求めるフィードバック方法である。その加重価には時
間をパラメータとした重み付け係数を導入する。
【０００８】上記半導体装置の製造工程のフィードバッ
ク方法では、フィードバック値を求めるアルゴリズムを
加重移動平均により求めることから、フィードバック値
を求めるアルゴリズムに加重価としてプロセス条件の時
間要因を導入することが可能になる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのＩＰＱＣデータに基づ
いてフィードバック値が求まる。また、加重価には時間
をパラメータとした重み付け係数を導入することから、
加重価によって時間的変動要因が考慮されることにな
る。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロットの
プロセスデータを基にしてフィードバック値を求めて
も、フィードバック値の時間による変動要因が抑制され
る。
ク方法では、フィードバック値を求めるアルゴリズムを
加重移動平均により求めることから、フィードバック値
を求めるアルゴリズムに加重価としてプロセス条件の時
間要因を導入することが可能になる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのＩＰＱＣデータに基づ
いてフィードバック値が求まる。また、加重価には時間
をパラメータとした重み付け係数を導入することから、
加重価によって時間的変動要因が考慮されることにな
る。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロットの
プロセスデータを基にしてフィードバック値を求めて
も、フィードバック値の時間による変動要因が抑制され
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を、図１
のリソグラフィー工程の説明図によって説明する。
のリソグラフィー工程の説明図によって説明する。
【００１０】図１に示すように、「加重移動平均による
処理条件の決定」Ｓ１によって、半導体装置の製造プロ
セスのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロット
の工程内プロセス品質制御データより着工するロットの
処理条件を決定する。
処理条件の決定」Ｓ１によって、半導体装置の製造プロ
セスのリソグラフィー工程で、既に処理された数ロット
の工程内プロセス品質制御データより着工するロットの
処理条件を決定する。
【００１１】上記「加重移動平均による処理条件の決
定」Ｓ１では、露光条件のフィードバック値を求めるア
ルゴリズムを加重移動平均により求める。その加重価に
は時間をパラメータとした重み付け係数を導入する。。
定」Ｓ１では、露光条件のフィードバック値を求めるア
ルゴリズムを加重移動平均により求める。その加重価に
は時間をパラメータとした重み付け係数を導入する。。
【００１２】一般的な重ね合わせのフィードバックアル
ゴリズムは（１）式のように表せる。
ゴリズムは（１）式のように表せる。
【００１３】
【数１】
【００１４】これに対し本発明では、（１）式に加重移
動平均を導入して、重ね合わせのフィードバックアルゴ
リズムを（２）式のように表した。
動平均を導入して、重ね合わせのフィードバックアルゴ
リズムを（２）式のように表した。
【００１５】
【数２】
【００１６】また、一般的な線幅精度に影響を及ぼす露
光エネルギーｅのフィードバックアルゴリズムは（３）
式のように表せる。
光エネルギーｅのフィードバックアルゴリズムは（３）
式のように表せる。
【００１７】
【数３】
【００１８】これに対し本発明では、（３）式に加重移
動平均を導入して、露光エネルギーｅのフィードバック
アルゴリズムを（４）式のように表した。
動平均を導入して、露光エネルギーｅのフィードバック
アルゴリズムを（４）式のように表した。
【００１９】
【数４】
【００２０】上記（２）式、（４）式等を用いて加重移
動平均による処理条件の決定を行い、入力補正値を求め
る。
動平均による処理条件の決定を行い、入力補正値を求め
る。
【００２１】そして「レジスト膜の形成」Ｓ２によっ
て、製品を形成するウエハにレジストを塗布してレジス
ト膜を形成する。その際、塗布後にベーキングを行って
レジスト膜を硬化させる。この「レジスト膜の形成」Ｓ
２は「加重移動平均による処理条件の決定」Ｓ１と並列
に処理してもよい。
て、製品を形成するウエハにレジストを塗布してレジス
ト膜を形成する。その際、塗布後にベーキングを行って
レジスト膜を硬化させる。この「レジスト膜の形成」Ｓ
２は「加重移動平均による処理条件の決定」Ｓ１と並列
に処理してもよい。
【００２２】次いで「露光」Ｓ３によって、上記「加重
移動平均による処理条件の決定」Ｓ１により決定した処
理条件に基づいて露光条件を設定して露光を行う。
移動平均による処理条件の決定」Ｓ１により決定した処
理条件に基づいて露光条件を設定して露光を行う。
【００２３】続いて「現像」Ｓ４によって、上記露光し
たウエハの現像を行い、レジストパターンを形成する。
たウエハの現像を行い、レジストパターンを形成する。
【００２４】その後「検査」Ｓ５によって、レジストパ
ターン寸法（線幅）の測定、レジストパターン形状の検
査を行う。その結果、良好であればリソグラフィー工程
を「終了」する。もし検査結果が不良であれば、ウエハ
を再生する工程に送る。
ターン寸法（線幅）の測定、レジストパターン形状の検
査を行う。その結果、良好であればリソグラフィー工程
を「終了」する。もし検査結果が不良であれば、ウエハ
を再生する工程に送る。
【００２５】このように、本発明の方法では、重ね合わ
せの補正値および露光エネルギーを求める式に加重移動
平均を導入することによって、アルゴリズムに加重価と
してプロセス条件の時間的要因を導入することが可能に
なる。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロット
のプロセスデータに基づいてフィードバック値が求ま
る。また、加重価Ｗi に時間をパラメータとした重み付
け係数を導入することにより、加重価Ｗi によって時間
的変動要因が考慮されることになる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのプロセスデータを基に
してフィードバック値を求めても、フィードバック値の
時間による変動要因が抑制される。
せの補正値および露光エネルギーを求める式に加重移動
平均を導入することによって、アルゴリズムに加重価と
してプロセス条件の時間的要因を導入することが可能に
なる。そのため、数日あるいは数週間前に流れたロット
のプロセスデータに基づいてフィードバック値が求ま
る。また、加重価Ｗi に時間をパラメータとした重み付
け係数を導入することにより、加重価Ｗi によって時間
的変動要因が考慮されることになる。そのため、数日あ
るいは数週間前に流れたロットのプロセスデータを基に
してフィードバック値を求めても、フィードバック値の
時間による変動要因が抑制される。
【００２６】次に重ね合わせ精度の平行移動誤差（Tran
slation ）を一例として、従来法と本発明の方法との比
較を行う。
slation ）を一例として、従来法と本発明の方法との比
較を行う。
【００２７】図２はあるステッパ（露光装置）のＥＱＣ
（装置メンテナンスデータ）での平均移動誤差を示した
ものであり、縦軸に平均移動誤差を示し、横軸に時間を
示す。
（装置メンテナンスデータ）での平均移動誤差を示した
ものであり、縦軸に平均移動誤差を示し、横軸に時間を
示す。
【００２８】図２に示すように、時間の経過とともに平
均移動誤差が変化していることがわかる。このような変
動が起こる理由は、例えばステッパのアライメントセン
サーのテレセン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化
等がある。このような変動要因を補正することを目的と
して、上記説明したように加重移動平均を導入すること
によってプロセス条件を求める。
均移動誤差が変化していることがわかる。このような変
動が起こる理由は、例えばステッパのアライメントセン
サーのテレセン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化
等がある。このような変動要因を補正することを目的と
して、上記説明したように加重移動平均を導入すること
によってプロセス条件を求める。
【００２９】また図３はある製品ロットでの先行ウエハ
法による重ね合わせ誤差とその時のステッパ（露光装
置）への補正入力値であり、縦軸にＩＰＱＣ値および補
正入力値を示し、横軸に時間を示す。
法による重ね合わせ誤差とその時のステッパ（露光装
置）への補正入力値であり、縦軸にＩＰＱＣ値および補
正入力値を示し、横軸に時間を示す。
【００３０】図３に示すように、補正を行わないＩＰＱ
Ｃ値は時間の経過とともに平均移動誤差は、例えば、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．００μｍ、
１１日前が０．０４μｍ、７日前が０．０６μｍ、２日
前が０．０５μｍ、当日が０．０６μｍというように、
大きく変動を起こしている。このように変動が起こる原
因は、例えばステッパのアライメントセンサーのテレセ
ン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化等がある。こ
のような変動要因を補正することを目的として、上記説
明したように加重移動平均を導入することによってプロ
セス条件を求める。今、先行ウエハ法による入力補正値
を理想補正値とする。その入力補正値は、５８日前が
０．００μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、１１日前が
−０．０３μｍ、７日前が−０．０４μｍ、２日前が−
０．０４μｍ、当日が−０．０６μｍであった。そし
て、その補正値を用いて処理した後のＩＰＱＣ値は、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、
１１日前が０．０１μｍ、７日前が０．０２μｍ、２日
前が０．０１μｍ、当日が０．００μｍになった。
Ｃ値は時間の経過とともに平均移動誤差は、例えば、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．００μｍ、
１１日前が０．０４μｍ、７日前が０．０６μｍ、２日
前が０．０５μｍ、当日が０．０６μｍというように、
大きく変動を起こしている。このように変動が起こる原
因は、例えばステッパのアライメントセンサーのテレセ
ン性（フォーカス像の横方向ずれ）の悪化等がある。こ
のような変動要因を補正することを目的として、上記説
明したように加重移動平均を導入することによってプロ
セス条件を求める。今、先行ウエハ法による入力補正値
を理想補正値とする。その入力補正値は、５８日前が
０．００μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、１１日前が
−０．０３μｍ、７日前が−０．０４μｍ、２日前が−
０．０４μｍ、当日が−０．０６μｍであった。そし
て、その補正値を用いて処理した後のＩＰＱＣ値は、５
８日前が−０．０１μｍ、５６日前が−０．０１μｍ、
１１日前が０．０１μｍ、７日前が０．０２μｍ、２日
前が０．０１μｍ、当日が０．００μｍになった。
【００３１】ここでフィードバック法を使用した場合
で、従来法である上記（１）式および本発明の方法であ
る（２）式において係数Ａ＝１．０とし、参照ロット数
を５ロット（ただし、参照データの有効期間は６０日）
として計算を行った。また加重移動平均の加重価はここ
では等差級数として以下のように設定した。Ｗ1 ＝０．
１０、Ｗ2 ＝０．１５、Ｗ3 ＝０．２０、Ｗ4 ＝０．２
５、Ｗ5 ＝０．３０、ただしΣＷi ＝１．００とした。
で、従来法である上記（１）式および本発明の方法であ
る（２）式において係数Ａ＝１．０とし、参照ロット数
を５ロット（ただし、参照データの有効期間は６０日）
として計算を行った。また加重移動平均の加重価はここ
では等差級数として以下のように設定した。Ｗ1 ＝０．
１０、Ｗ2 ＝０．１５、Ｗ3 ＝０．２０、Ｗ4 ＝０．２
５、Ｗ5 ＝０．３０、ただしΣＷi ＝１．００とした。
【００３２】その結果、従来法では、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０３μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０３μｍ
となった。一方、本発明の方法では、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０４μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０２μｍ
となった。そして両者を比較すると、加重移動平均を用
いた本発明の方法の方が、フィードバック性能は０．０
１μｍ良いことがわかる。
オフセット量）は−０．０３μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０３μｍ
となった。一方、本発明の方法では、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０４μｍとなり、理想補正量＝
−０．０６μｍとのフィードバック誤差は０．０２μｍ
となった。そして両者を比較すると、加重移動平均を用
いた本発明の方法の方が、フィードバック性能は０．０
１μｍ良いことがわかる。
【００３３】次に上記Ｗi を時間ｔの関数ｆ（ｔ）＝Ｗ
i とし、ここでは（５）式として、上記（２）式に適用
した場合を以下に示す。
i とし、ここでは（５）式として、上記（２）式に適用
した場合を以下に示す。
【００３４】
【数５】
【００３５】したがって、加重移動平均の加重価は以下
のようになる。例えば５８日前の加重価Ｗ1 ＝（−５
８）／６０＋１≒０．０３となる。ここでは、ｔは当日
を０として起算し、マイナスにて表すことにしている。
したがって、５８日前であればｔ＝−５８となる。同様
にして５６日前、１１日前、７日前、２日前の加重価
は、それぞれ、Ｗ2 ≒０．０７、Ｗ3 ≒０．８２、Ｗ4
≒０．８８、Ｗ5 ≒０．９７となる。これらの加重価を
基にして（２）式により計算すると、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０５μｍとなる。その結果、上
記理想補正値＝−０．０６μｍとのフィードバック誤差
は０．０１μｍである。両者を比較すると、加重移動平
均を用いた本発明の方法の方がフィードバック性能は
０．０２μｍ優れていることがわかる。
のようになる。例えば５８日前の加重価Ｗ1 ＝（−５
８）／６０＋１≒０．０３となる。ここでは、ｔは当日
を０として起算し、マイナスにて表すことにしている。
したがって、５８日前であればｔ＝−５８となる。同様
にして５６日前、１１日前、７日前、２日前の加重価
は、それぞれ、Ｗ2 ≒０．０７、Ｗ3 ≒０．８２、Ｗ4
≒０．８８、Ｗ5 ≒０．９７となる。これらの加重価を
基にして（２）式により計算すると、入力補正値（入力
オフセット量）は−０．０５μｍとなる。その結果、上
記理想補正値＝−０．０６μｍとのフィードバック誤差
は０．０１μｍである。両者を比較すると、加重移動平
均を用いた本発明の方法の方がフィードバック性能は
０．０２μｍ優れていることがわかる。
【００３６】ここでは、重み付けに、加重価が単調減少
する関数として一次関数を用いたが、ガウス関数など時
間により加重価が単調に減少する関数であれば、一次関
数に限定されない。なお、上記ガウス関数は標準偏差が
大きくなると、近似的に一次関数と見なすことが可能で
ある。
する関数として一次関数を用いたが、ガウス関数など時
間により加重価が単調に減少する関数であれば、一次関
数に限定されない。なお、上記ガウス関数は標準偏差が
大きくなると、近似的に一次関数と見なすことが可能で
ある。
【００３７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
フィードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均
により求めるので、アルゴリズムに加重価としてプロセ
ス条件の時間要因を導入することが可能になる。そのた
め、数日あるいは数週間前に流れたロットのプロセスデ
ータに基づいてフィードバック値を求めることが可能に
なるので、高精度のフィードバックを実現することが可
能になる。さらに加重価に時間をパラメータとした重み
付け係数を導入する方法によれば、さらに高精度のフィ
ードバックを実現できる。よって、ＴＡＴの短縮、再生
ウエハの発生の減少等を実現することができるので、生
産性の向上が図れる。それとともに、線幅精度の向上に
より素子の微細化、高集積化が可能になるとともにデバ
イス性能の向上が図れる。
フィードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均
により求めるので、アルゴリズムに加重価としてプロセ
ス条件の時間要因を導入することが可能になる。そのた
め、数日あるいは数週間前に流れたロットのプロセスデ
ータに基づいてフィードバック値を求めることが可能に
なるので、高精度のフィードバックを実現することが可
能になる。さらに加重価に時間をパラメータとした重み
付け係数を導入する方法によれば、さらに高精度のフィ
ードバックを実現できる。よって、ＴＡＴの短縮、再生
ウエハの発生の減少等を実現することができるので、生
産性の向上が図れる。それとともに、線幅精度の向上に
より素子の微細化、高集積化が可能になるとともにデバ
イス性能の向上が図れる。
【図１】リソグラフィー工程の説明図である。
【図２】ステッパのＥＱＣデータの説明図である。
【図３】先行ウエハ法による製品ロットの重ね合わせ結
果の説明図である。
果の説明図である。
Ｓ１…加重移動平均による処理条件の決定
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置の製造プロセスのリソグラフ
ィー工程で既に処理された数ロットの工程内プロセス品
質制御データに基づいて、これから着工するロットの処
理条件を決定するフィードバック方法であって、 フィードバック値を求めるアルゴリズムを加重移動平均
により求めることを特徴とする半導体装置の製造工程の
フィードバック方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造工程の
フィードバック方法において、 前記加重価に、時間をパラメータとした重み付け係数を
導入することを特徴とする半導体装置の製造工程のフィ
ードバック方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造工程の
フィードバック方法において、 前記重み付けに前記加重価が単調減少する関数を用いる
ことを特徴とする半導体装置の製造工程のフィードバッ
ク方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163694A JPH1116805A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163694A JPH1116805A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116805A true JPH1116805A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15778839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9163694A Pending JPH1116805A (ja) | 1997-06-20 | 1997-06-20 | 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116805A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506899A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | バッチ製造環境でラン・トゥ・ラン制御を行なうための方法および装置 |
| US6645683B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | Control system and methods for photolithographic processes |
| US6756241B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-29 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP9163694A patent/JPH1116805A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003506899A (ja) * | 1999-08-10 | 2003-02-18 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | バッチ製造環境でラン・トゥ・ラン制御を行なうための方法および装置 |
| US6645683B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-11-11 | Infineon Technologies Ag | Control system and methods for photolithographic processes |
| US6756241B2 (en) | 2000-12-27 | 2004-06-29 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and system for manufacturing the same |
| KR100443683B1 (ko) * | 2000-12-27 | 2004-08-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI635368B (zh) | 微影方法與微影裝置 | |
| JP2004246223A (ja) | マスクの補正方法 | |
| JPH11186132A (ja) | 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 | |
| US6689625B2 (en) | Method for correcting a design data of a layout pattern of a photomask, photomask manufactured by said method, and semiconductor device method using said photomask | |
| TW200947153A (en) | Focus measurement method and method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP2000133579A5 (ja) | ||
| EP1470447B1 (en) | Photolithographic critical dimension control using reticle measurements | |
| CN110568726B (zh) | 一种曝光聚焦补偿方法 | |
| JP2011066323A (ja) | 露光処理の補正方法 | |
| JPH1116805A (ja) | 半導体装置の製造工程のフィードバック方法 | |
| KR100677995B1 (ko) | 포토리소그래피 공정의 제어 방법 | |
| US11187994B2 (en) | Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses | |
| US10409170B2 (en) | Method for quickly establishing lithography process condition by a pre-compensation value | |
| Graitzer et al. | Correcting image placement errors using registration control (RegC) technology | |
| US10025285B2 (en) | On-product derivation and adjustment of exposure parameters in a directed self-assembly process | |
| JP2015138917A (ja) | パターン形成方法、リソグラフィ装置およびシステム、ならびに物品製造方法 | |
| JP2004524688A (ja) | 少なくとも１つまたは２つの半導体ウエハを露出するための方法 | |
| JPH10256114A (ja) | フォトレジスト膜のパターン形成方法 | |
| CN103631083B (zh) | 一种光学邻近修正的焦平面选择方法 | |
| JP2000294489A (ja) | パターン重ね合わせ方法及び露光装置 | |
| TWI845674B (zh) | 半導體裝置之製造中用於前饋製程控制之系統及方法 | |
| JP2004335850A (ja) | 露光装置、露光方法、半導体装置の製造方法および露光プログラム | |
| JPH1022195A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JP2003086497A (ja) | リソグラフィ方法 | |
| JP2007318181A (ja) | 現像処理装置の調整方法及び半導体装置の製造方法 |