JPH11167987A - Organic el display device and its manufacture - Google Patents
Organic el display device and its manufactureInfo
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- JPH11167987A JPH11167987A JP9335625A JP33562597A JPH11167987A JP H11167987 A JPH11167987 A JP H11167987A JP 9335625 A JP9335625 A JP 9335625A JP 33562597 A JP33562597 A JP 33562597A JP H11167987 A JPH11167987 A JP H11167987A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は平面ディスプレイ等
に用いられる有機ＥＬ表示装置とその製造方法に鞠する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL display device used for a flat display or the like and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】有機ＥＬ表示装置は、基板上に平面配置
された有機ＥＬ層を挟んでカソードとアノードをマトリ
クス配置し、これらカソードとアノードに電圧を印加す
ることにより有機ＥＬ素子を発光させる構成とされてい
る。すなわち、アノードとカソード間に電圧を印加して
有機ＥＬ層を発光させることにより任意のパターンの表
示をするには、アノードとカソードを格子状に交差する
様に配置する。そして、アノードとカソードの間に通常
５〜２０Ｖの電圧を印加して有機ＥＬ層に電流を流し、
アノードとカソードの交差領域の有機ＥＬ層を発生させ
ている。図９に従来の有機ＥＬ表示装置の一部の断面図
を示す。透明支持基板２１に透明電極、通常ではＩＴＯ
が形成され、フォトリソグラフイ技術を用い、塩化第二
鉄を含む化学薬液中でのウェットエッチング法で一方向
に伸びる複数列をした所要パターンに形成され、アノー
ド２２として構成される。このアノード２２上には真空
蒸着法で積層構造の有機ＥＬ層２３が成膜され、この有
機ＥＬ層２３の上に、前記アノードとは直交する方向に
伸びて前記アノード２２と交差する複数行のカソード２
４が形成される。このカソード２４の形成に際しては、
カソード２４間に予めスリット状のフォトレジスト２５
を形成しておき、このフォトレジスト２５を含む全面に
カソード用金属を蒸着し、しかる上で前記フォトレジス
ト２５をウェットエッチングにより除去することにより
フォトレジスト２５以外のカソード用金属を残す、いわ
ゆるリフトオフ法が用いられる。2. Description of the Related Art An organic EL display device has a structure in which a cathode and an anode are arranged in a matrix with an organic EL layer arranged on a substrate in a plane, and a voltage is applied to the cathode and the anode to cause the organic EL element to emit light. It has been. That is, to display an arbitrary pattern by applying a voltage between the anode and the cathode to cause the organic EL layer to emit light, the anode and the cathode are arranged so as to intersect in a grid pattern. Then, a voltage of usually 5 to 20 V is applied between the anode and the cathode to flow a current through the organic EL layer,
An organic EL layer is generated in the intersection region between the anode and the cathode. FIG. 9 shows a partial cross-sectional view of a conventional organic EL display device. A transparent electrode, usually ITO, is provided on the transparent support substrate 21.
Are formed in a required pattern in a plurality of rows extending in one direction by a wet etching method in a chemical solution containing ferric chloride using photolithography technology, and the anode 22 is formed. An organic EL layer 23 having a laminated structure is formed on the anode 22 by a vacuum deposition method. On the organic EL layer 23, a plurality of rows of Cathode 2
4 are formed. In forming the cathode 24,
A slit-shaped photoresist 25 is provided between the cathodes 24 in advance.
A cathode metal is deposited on the entire surface including the photoresist 25, and then the photoresist 25 is removed by wet etching to leave a cathode metal other than the photoresist 25, a so-called lift-off method. Is used.
【０００３】このような従来の有機ＥＬ表示装置では、
前記カソード２４の形成に際しては、フォトレジスト２
５を除去するためのウェットエッチング法を用いるた
め、このフォトレジストを剥離するときに、エッチング
薬液が有機ＥＬ層２３及び有機ＥＬ層とカソードとの界
面に浸潤してしまう。このために、表示装置の発光性能
及び寿命特性を著しく劣化させてしまうという問題が生
じる。このような不具合を回避する技術としては、シャ
ドウマスクを用いて有機ＥＬ層とカソードを蒸着法によ
り形成する技術が提案されている。すなわち、この方法
は、図９に示した構造の場合には、所要パターンのアノ
ード２２を形成した後に、全面に有機ＥＬ層２３を積層
状態に被着し、その上で有機ＥＬ層２３上にストライプ
状のスリットを有するシャドウマスクを被せ、このスリ
ットを通してカソードを構成する導電材料を蒸着法によ
って形成し、所要パターンのカソードを形成する。この
技術では、前記したウェットエッチングが存在しないた
め、水分やエッチング薬液による前記した問題を解消す
ることが可能となる。In such a conventional organic EL display device,
When forming the cathode 24, the photoresist 2
Since the wet etching method for removing the photoresist 5 is used, when the photoresist is stripped, the etching chemical permeates the organic EL layer 23 and the interface between the organic EL layer and the cathode. For this reason, there is a problem that the light emitting performance and the life characteristics of the display device are significantly deteriorated. As a technique for avoiding such a problem, a technique of forming an organic EL layer and a cathode by a vapor deposition method using a shadow mask has been proposed. That is, in the case of the structure shown in FIG. 9, after forming the anode 22 of a required pattern, this method applies the organic EL layer 23 over the entire surface in a laminated state, and then, on the organic EL layer 23 A shadow mask having a stripe-shaped slit is covered, and a conductive material constituting the cathode is formed by an evaporation method through the slit to form a cathode having a required pattern. In this technique, since the above-described wet etching does not exist, it is possible to solve the above-described problem caused by moisture and an etching solution.
【０００４】また、他の技術として、特開平５−２７５
１７２号公報の技術では、透明支持基板上に列方向に複
数のＩＴＯからなるアノードを形成した後、このアノー
ド列に交差する方向に伸びる壁を所要の間隔をあけて形
成し、その上に有機ＥＬ層を形成する。この壁は例えば
フォトレジストやドライフィルを用いて形成する。ま
た、壁の高さは有機ＥＬ層の厚さを上回る高さに設定し
ておく。しかる後、カソードを形成する金属の気相堆積
用ソース源を透明支持基板の表面に対して傾斜された角
度に設定し、カソード用金属を表面に被着する。このた
め、壁の側面領域はソース源の陰になるため、この領域
にはカソード用金属は被着されることがなく、この領域
で絶縁分離された複数本の行方向のカソードが壁に沿っ
て形成される。[0004] Another technique is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 5-275.
According to the technology disclosed in Japanese Patent No. 172, an anode composed of a plurality of ITOs is formed on a transparent support substrate in a column direction, and then a wall extending in a direction intersecting the anode row is formed at a predetermined interval, and an organic layer is formed thereon. An EL layer is formed. This wall is formed using, for example, a photoresist or a dry fill. In addition, the height of the wall is set to be higher than the thickness of the organic EL layer. Thereafter, the source for vapor deposition of the metal forming the cathode is set at an angle to the surface of the transparent support substrate, and the metal for the cathode is deposited on the surface. For this reason, since the side surface area of the wall is shaded by the source source, the metal for the cathode is not deposited on this area, and a plurality of row-direction cathodes which are insulated and separated in this area along the wall. Formed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】このような従来のカソ
ードの製造技術において、前記したシャドウマスクを利
用する技術は、有機ＥＬ表示装置の発光特性や寿命特性
を改善する上では有利であるが、形成しようとする有機
ＥＬ表示装置の基板サイズが大きな場合には、これに伴
ってシャドウマスクの寸法も大きくなる。このため、カ
ソードを堆積する際に、下方に向けられる透明支持基板
の表面に密着させるべきシャドウマスクが、自重によっ
てその中央領域が下方に撓んで密着されなくなり、この
隙間を通してカソード用金属が透明支持基板の表面に被
着されるために、シャドウマスク通りのパターンのカソ
ードを形成することができなくなり、隣接するカソード
が短絡してしまうことになる。特に、微細なカソードを
形成するためには、シャドウマスクの厚みも薄くなるた
め、シャドウマスクの剛性が低下され、前記した撓みが
顕著になり易い。In such a conventional cathode manufacturing technique, the technique using the above-described shadow mask is advantageous in improving the light emission characteristics and the life characteristics of the organic EL display device. When the substrate size of the organic EL display device to be formed is large, the size of the shadow mask also increases accordingly. Therefore, when depositing the cathode, the shadow mask, which is to be brought into close contact with the surface of the transparent support substrate which is directed downward, is bent by its own weight in the central region and is not brought into close contact with the shadow mask. Since the cathode is adhered to the surface of the substrate, it is impossible to form a cathode having a pattern according to a shadow mask, and an adjacent cathode is short-circuited. In particular, in order to form a fine cathode, the thickness of the shadow mask is also reduced, so that the rigidity of the shadow mask is reduced and the above-described bending is likely to be remarkable.
【０００６】このような問題に対しては、磁性材料で薄
いシャドウマスクを製作し、透明支持基板の反対側に磁
石を配置し、この磁石の磁力によってシャドウマスクを
透明支持基板の表面に密着させることが提案されてい
る。しかしながら、磁力によってシャドウマスクが透明
支持基板に当接されるため、その当接力によってシャド
ウマスクが有機ＥＬ層の表面に衝突され、有機ＥＬ層の
表面を損傷するおそれが生じる。有機ＥＬ層は、通常そ
の厚みが０．１μｍから０．２μｍ程度と極めて薄いの
で、例えば、図９に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ
層２３にこのような損傷による傷Ｘが生じると、この傷
Ｘは容易に有機ＥＬ層２３の下部のアノード２２に達し
てしまうことになり、この傷Ｘの部分でその表面に形成
されるカソード２４とアノード２２が電気的に短絡さ
れ、この部分での有機ＥＬ層の発光が行われなくなると
いう問題が生じる。To solve such a problem, a thin shadow mask is made of a magnetic material, a magnet is arranged on the opposite side of the transparent support substrate, and the shadow mask is brought into close contact with the surface of the transparent support substrate by the magnetic force of the magnet. It has been proposed. However, since the shadow mask is brought into contact with the transparent support substrate by magnetic force, the shadow mask collides with the surface of the organic EL layer due to the contact force, and the surface of the organic EL layer may be damaged. The organic EL layer usually has an extremely small thickness of about 0.1 μm to 0.2 μm. For example, the organic EL layer of the organic EL display device shown in FIG.
When the damage X due to such damage occurs in the layer 23, the damage X easily reaches the anode 22 below the organic EL layer 23, and the cathode X formed on the surface at the part of the damage X 24 and the anode 22 are electrically short-circuited, and there is a problem that the organic EL layer does not emit light at this portion.
【０００７】一方、前記した公報に記載のように、フォ
トレジスト等による壁を利用する技術では、透明支持基
板の有機ＥＬ層上の全ての領域に対してほぼ等しい角度
でカソード金属を被着する必要があるため、大きな面積
の透明支持基板にカソードを形成するためには大きな真
空成膜装置が必要になり設備投資が多額になり、これに
伴って製造原価が高くなる。一方、充分な大きさの真空
成膜装置が準備できずに、カソード用金属のソース源か
ら透明支持基板の各領域に対する被着角度が相違する場
合には、壁による陰の部分の寸法が各領域において相違
することになり、前記ソース源かに近い領域と遠い領域
とでは形成されるカソードの幅寸法や位置精度に偏りが
生じ、高密度でかつ高精度の表示装置を形成することが
できなくなるという問題も生じる。On the other hand, as described in the above-mentioned publication, in a technique using a wall made of a photoresist or the like, a cathode metal is applied at almost the same angle to all regions on an organic EL layer of a transparent support substrate. Because of the necessity, a large vacuum film forming apparatus is required to form a cathode on a transparent support substrate having a large area, which leads to a large capital investment and a high manufacturing cost. On the other hand, if a vacuum deposition apparatus of a sufficient size cannot be prepared and the deposition angle from the source of the cathode metal to each region of the transparent support substrate is different, the size of the shaded portion due to the wall may be different. Therefore, the width and position accuracy of the cathode formed in the region close to the source source and in the region far from the source source are biased, and a high-density and high-precision display device can be formed. There is also the problem of disappearing.
【０００８】本発明の目的は、高精度に管理されたカソ
ードの製造を可能とし、これにより、高密度でかつ安価
に製造できる有機ＥＬ表示装置とその製造方法を提供す
ることにある。[0008] An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of manufacturing a cathode controlled with high precision, thereby enabling high-density and low-cost manufacture, and a method of manufacturing the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の有機ＥＬ表示装
置は、透明支持基板の表面には複数本の溝が列方向に形
成され、アノード及びアノード上の有機ＥＬ層がこの溝
内に配設されていることを特徴とする。前記溝の深さ
は、前記アノードの厚みと前記有機ＥＬ層の厚みを加算
した厚みよりも深く形成されている。また、有機ＥＬ層
は前記複数本の溝及びアノードを含む前記透明支持基板
上の所要の矩形領域にわたって連続した面として形成さ
れる。また、前記溝の底面は円筒面状に形成され、前記
アノードはこの円筒面を覆うように形成されることが好
ましい。According to the organic EL display device of the present invention, a plurality of grooves are formed in a row direction on a surface of a transparent support substrate, and an anode and an organic EL layer on the anode are arranged in the grooves. It is characterized by being provided. The depth of the groove is formed to be greater than the sum of the thickness of the anode and the thickness of the organic EL layer. The organic EL layer is formed as a continuous surface over a required rectangular area on the transparent support substrate including the plurality of grooves and the anode. Preferably, the bottom of the groove is formed in a cylindrical shape, and the anode is formed so as to cover the cylindrical surface.
【００１０】また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方
法は、 透明支持基板上にフォトリソグラフイ法により
複数本の溝を列方向に形成する溝形成工程と、前記透明
支持基板上の前記溝の底面に透明電極からなる複数本の
アノードを列方向に形成するアノード形成工程と、前記
透明支持基板上の所要の領域に有機ＥＬ層を形成する有
機ＥＬ層形成工程と、前記透明支持基板上にシャドウマ
スクを密接し、前記シャドウマスクを利用して前記有機
ＥＬ層の表面上に複数本のカソードを行方向に形成する
カソード形成工程とを含むことを特徴とする。ここで、
前記シャドウマスクは磁性材料で形成され、前記透明支
持基板の反対側の面に配置された磁石によって生じる磁
力により前記透明支持基板の表面に密接されることが好
ましい。また、前記シャドウマスクは、複数本のスリッ
ト部が行方向に形成されるとともに、各スリット部には
行方向の所要の間隔をおいて列方向のブリッジ部が形成
されており、前記ブリッジ部は前記透明支持基板の溝上
に位置されるように密着されるようにしてもよい。さら
に、前記溝形成工程は、前記溝の底面を円筒面に形成す
る工程であることが好ましい。Further, the method of manufacturing an organic EL display device according to the present invention comprises: a groove forming step of forming a plurality of grooves in a column direction on a transparent support substrate by a photolithography method; An anode forming step of forming a plurality of anodes each formed of a transparent electrode on a bottom surface of the transparent supporting substrate in a column direction; an organic EL layer forming step of forming an organic EL layer in a required region on the transparent supporting substrate; Forming a plurality of cathodes in a row direction on the surface of the organic EL layer using the shadow mask. here,
Preferably, the shadow mask is formed of a magnetic material, and is closely contacted with a surface of the transparent support substrate by a magnetic force generated by a magnet disposed on a surface opposite to the transparent support substrate. In the shadow mask, a plurality of slit portions are formed in a row direction, and a bridge portion in a column direction is formed in each slit portion at a required interval in the row direction. The transparent support substrate may be closely attached so as to be located on the groove. Further, it is preferable that the groove forming step is a step of forming a bottom surface of the groove in a cylindrical surface.
【００１１】このように本発明は、透明支持基板に形成
される溝がアノード上の有機ＥＬ層の表面高さよりも深
いため、有機ＥＬ層の発光領域はシャドウマスクに接触
されることがなく、その損傷が防止される。また、カソ
ードの形成工程において、シャドウマスクを透明支持基
板の表面に密着させることが可能となるため、カソード
用金属の蒸着工程で飛来する蒸着金属原子の方向が等方
性であっても、正確にパターにングされた、微細でかつ
高精度のカソードが形成できる。As described above, according to the present invention, since the groove formed in the transparent support substrate is deeper than the surface height of the organic EL layer on the anode, the light emitting region of the organic EL layer does not come into contact with the shadow mask. The damage is prevented. In addition, since the shadow mask can be brought into close contact with the surface of the transparent support substrate in the step of forming the cathode, even if the direction of the vapor-deposited metal atoms flying in the vapor deposition step of the metal for the cathode is isotropic, it is accurate. A fine and high-precision cathode that is put on the target can be formed.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。本発明の第１の実施形態を製造工程
順に説明する。先ず、図１（ａ）のように、透明支持基
板１の表面上にネガ型のドライフィルムレジスト２をラ
ミネータで貼り付けた後、形成しようとするアノードの
パターンとほぼ同じ列方向に伸びる複数の遮光部３ａを
有するマスク３を用いて露光４を行い、かつ前記ドライ
フィルムレジスト２を現象することで、図１（ｂ）のよ
うにパターニングを行う。前記透明支持基板１を構成す
るガラス基板は水分の吸着が少ない無アルカリガラス板
が望ましいが、基板乾操を充分行うなど工程に気をつけ
れば安価な低アルカリガラス板あるいはソーダライムガ
ラス板でもよい。しかる上で、図１（ｃ）のように、前
記透明支持基板１をフツ酸等のエッチング液を用いて、
レジスト除去部分の透明支持基板１の表面をウェットエ
ッチングし、その側面が幾分傾斜された複数本の溝５を
形成する。なお、この溝５は後述するアノードと有機Ｅ
Ｌ層の厚みを加算した厚さよりも深く形成する。また、
前記レジスト２はその後剥離液で除去する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. A first embodiment of the present invention will be described in the order of manufacturing steps. First, as shown in FIG. 1A, a negative dry film resist 2 is attached on the surface of a transparent support substrate 1 with a laminator, and then a plurality of negative electrode dry film resists 2 extend in the same column direction as the pattern of the anode to be formed. Exposure 4 is performed using a mask 3 having a light-shielding portion 3a, and patterning is performed as shown in FIG. 1B by developing the dry film resist 2. The glass substrate constituting the transparent support substrate 1 is desirably an alkali-free glass plate that absorbs less moisture, but may be an inexpensive low-alkali glass plate or a soda-lime glass plate if careful steps such as sufficient drying of the substrate are taken. . Then, as shown in FIG. 1 (c), the transparent support substrate 1 is etched using an etching solution such as hydrofluoric acid.
The surface of the transparent support substrate 1 where the resist has been removed is wet-etched to form a plurality of grooves 5 whose side surfaces are slightly inclined. The groove 5 is formed between an anode (described later) and an organic E.
It is formed deeper than the thickness obtained by adding the thickness of the L layer. Also,
The resist 2 is then removed with a stripper.
【００１３】次に、図２に前記透明支持基板１の一部を
拡大図示するように、先ず、図２（ａ）のように、前記
溝５が形成された前記透明支持基板１の表面上にＩＴＯ
膜をスバッタ法で１００ｎｍの厚みに成膜する。そし
て、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフイ技術とエッチン
グ技術とで溝５に沿ってストライプ状にパターニング
し、前記溝５の底面上に延在されるアノード６を形成す
る。なお、ＩＴＯ膜はアノードとして機能すると共に、
後述する有機ＥＬ層で発光した光を透過させて外部へ出
射させて表示するものであるから、より低抵抗で、かつ
より光透過率が高いことが望ましい。また、この実施形
態では、前記アノード６のパターンは、溝５に追従して
ラインピッチ１．０ｍｍ、ライン幅０．６ｍｍ、長さ４
５ｍｍで１２８本の列として形成している。Next, as shown in FIG. 2 in which a part of the transparent support substrate 1 is enlarged, first, as shown in FIG. 2A, on the surface of the transparent support substrate 1 in which the grooves 5 are formed. To ITO
A film is formed to a thickness of 100 nm by a sputter method. Then, the ITO film is patterned in a stripe shape along the groove 5 by a photolithography technique and an etching technique, and an anode 6 extending on the bottom surface of the groove 5 is formed. In addition, the ITO film functions as an anode,
Since light emitted by the organic EL layer described later is transmitted and emitted to the outside for display, it is desirable that the resistance is lower and the light transmittance is higher. In this embodiment, the pattern of the anode 6 follows the groove 5 and has a line pitch of 1.0 mm, a line width of 0.6 mm, and a length of 4 mm.
It is formed as 128 rows of 5 mm.
【００１４】次に、図２（ｂ）のように、前記透明支持
基板１の表面上に、真空蒸着装置を用いて表示領域に積
層構造の有機ＥＬ層７（７ａ，７ｂ）を蒸着形成し、前
記アノード６を有機ＥＬ層７で覆う。しかる後、図３に
示すように、前記透明支持基板１の表面上に、図４のよ
うな、アノード６と直交する方向に細長いストライプ状
の遮蔽部８ａをもつシャドウマスク８を載置する。この
とき、図２（ｂ）に示すように、前記シャドウマスク８
は磁性体材料で形成し、また前記透明基板１の裏面には
磁石９を配置することで、前記シャドウマスク８を透明
支持基板１の表面に密接させる。これにより、シャドウ
マスク８が薄く形成され、かつ大面積に形成されている
場合でも、シャドウマスク８の全面が透明支持基板１の
表面に密接されることになる。また、この場合でも、実
際に発光動作を行う有機ＥＬ層７のアノード６上の領域
部、すなわち発光部は溝５内に位置しているため、この
発光部がシャドウマスク８に接触されて、傷等が発生す
ることが防止される。Next, as shown in FIG. 2B, an organic EL layer 7 (7a, 7b) having a laminated structure is formed on the surface of the transparent support substrate 1 in a display area by using a vacuum evaporation apparatus. The anode 6 is covered with an organic EL layer 7. Thereafter, as shown in FIG. 3, on the surface of the transparent support substrate 1, a shadow mask 8 having an elongated striped shielding portion 8a as shown in FIG. At this time, as shown in FIG.
Is formed of a magnetic material, and a magnet 9 is arranged on the back surface of the transparent substrate 1 so that the shadow mask 8 is brought into close contact with the surface of the transparent support substrate 1. Accordingly, even when the shadow mask 8 is formed thin and has a large area, the entire surface of the shadow mask 8 is in close contact with the surface of the transparent support substrate 1. Also in this case, since the region on the anode 6 of the organic EL layer 7 that actually performs the light emitting operation, that is, the light emitting portion is located in the groove 5, the light emitting portion is brought into contact with the shadow mask 8, The occurrence of scratches and the like is prevented.
【００１５】その上で、図外の蒸着装置により、前記シ
ャドウマスク８を利用して前記透明支持基板１の表面に
導電材料を蒸着し、図５に平面図を示すように、前記ア
ノード６に直交する行方向に伸びる複数本のカソード１
０を形成する。このとき、透明支持基板１を平面上で回
転することにより、透明支持基板１の全面に均一な幅寸
法のカソード１０を形成することが可能となる。このよ
うにして、製造される有機ＥＬ表示装置は図５に示した
通りであり、またそのＡＡ線断面図とＢＢ線断面図を図
６（ａ），（ｂ）に示す。このように、前記シャドウマ
スク８のストライプ状の遮蔽部８ａに対向する領域には
カソード１０は形成されておらず、遮蔽部以外のスリッ
ト部８ｂに対向する領域にはカソード１０が形成され
る。Then, a conductive material is vapor-deposited on the surface of the transparent support substrate 1 using the shadow mask 8 by a vapor deposition device (not shown), and the conductive material is deposited on the anode 6 as shown in a plan view in FIG. A plurality of cathodes 1 extending in the orthogonal row direction
0 is formed. At this time, by rotating the transparent support substrate 1 on a plane, it is possible to form the cathode 10 having a uniform width on the entire surface of the transparent support substrate 1. The organic EL display device thus manufactured is as shown in FIG. 5, and its AA line sectional view and BB line sectional view are shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b). As described above, the cathode 10 is not formed in the region of the shadow mask 8 that faces the stripe-shaped shielding portion 8a, but is formed in the region other than the shielding portion that faces the slit portion 8b.
【００１６】ここで、前記カソード１０を形成するため
のシャドウマスクとしては、図７に示すように、行方向
に形成された複数本のスリット部８ｂ内に所要の間隔で
複数のブリッジ部８ｃを形成したシャドウマスク８Ａを
用いることも可能である。このシャドウマスク８Ａで
は、ブリッジ部８ｃを透明支持基板１の溝５上に位置さ
せることにより、カソードを蒸着する際の金属がブリッ
ジ部８ｃの両側からそれぞれ斜め方向に蒸着されるた
め、ブリッジ部８ｃの裏側となる溝５内の有機ＥＬ層７
の発光部上にもカソード１０を形成することが可能とな
るためである。また、このシャドウマスク８Ａにより、
シャドウマスクの機械的な強度を高め、カソード１０を
高精度に形成する際に有利となる。Here, as a shadow mask for forming the cathode 10, as shown in FIG. 7, a plurality of bridge portions 8c are provided at required intervals in a plurality of slit portions 8b formed in a row direction. It is also possible to use the formed shadow mask 8A. In the shadow mask 8A, since the metal for depositing the cathode is deposited obliquely from both sides of the bridge 8c by positioning the bridge 8c on the groove 5 of the transparent support substrate 1, the bridge 8c Organic EL layer 7 in groove 5 on the back side of
This is because it is possible to form the cathode 10 also on the light-emitting portion of FIG. Also, with this shadow mask 8A,
This is advantageous when the mechanical strength of the shadow mask is increased and the cathode 10 is formed with high precision.
【００１７】図８は本発明の第２の実施形態の製造工程
の一部を示す断面図である。ここでは、透明支持基板１
に形成する溝５の底面を曲面、例えば円筒面５ａとして
形成する。そして、この円筒面５ａの上にアノード６を
形成する。そして、このアノード６を含む全面に有機Ｅ
Ｌ層７を形成した後、その上にカソード１０を形成す
る。このように、溝５の底面を円筒面５ａに形成してい
るため、アノード６の幅寸法を低減した場合でも必要と
される断面積を確保でき、アノード抵抗の増大が防止で
きるため、微細な表示装置を製造する上で有利となる。
また、アノード６の底面がレンズ効果を発揮するため、
有機ＥＬ層７の発光部からの発光に集光性が与えられ、
光の取り出し効率が向上される。FIG. 8 is a sectional view showing a part of the manufacturing process according to the second embodiment of the present invention. Here, the transparent support substrate 1
Is formed as a curved surface, for example, a cylindrical surface 5a. Then, the anode 6 is formed on the cylindrical surface 5a. Then, organic E is formed on the entire surface including the anode 6.
After forming the L layer 7, the cathode 10 is formed thereon. As described above, since the bottom surface of the groove 5 is formed in the cylindrical surface 5a, a required cross-sectional area can be secured even when the width dimension of the anode 6 is reduced, and an increase in anode resistance can be prevented. This is advantageous in manufacturing a display device.
Also, since the bottom surface of the anode 6 exerts a lens effect,
Light emission from the light emitting portion of the organic EL layer 7 is given a light condensing property,
Light extraction efficiency is improved.
【００１８】[0018]
【実施例】次に、本発明の実施例を図１ないし図８を再
度用いて説明する。先ず、図１（ａ）において、ネガ型
のドライフィルムレジスト２をラミネータで透明支持基
砺１上に貼り付ける。そして、フォトマスク３を使って
露光装置により近紫外光４を照射し、ストライプ状の光
学パターンをドライフィルムレジスト２に転写する。こ
こで、ネガ型のドライフィルムレジスト２は東京応化工
業（株）製の商品名αー４５０を使用した。また、透明
支持基板１へのラミネートは温度８５〜１１５℃、圧力
２〜４Ｋｇ／ｃｍ2 の条件で毎分１〜３ｍの速さで行っ
た。なお、フォトマスク３の遮光部３ａのパターン形状
は列になるように配列され、幅０．４ｍｍで間隔ピッチ
１０Ｏｍｍのストライプの列３１本となる。そして、両
端の列２本の外側にそれぞれ間隔０．６ｍｍを隔てて充
分幅の広いパターン部が配置してある。この近紫外光４
の照射で、前記ドライフィルムレジスト２の露光領域は
架橋して不溶性となり、末露光部分は現像及び剥離洗浄
により除去できるようになる。次に、Ｎａ2 ＣＯ3 の
０．８〜１．２％水溶液で現像する。そして、剥離洗浄
をＫＯＨの２〜４％水溶液で行う。このような現像及び
剥離洗浄は、透明支持基板上のドライフィルムレジスト
２を下而として４００ｒｐｍで回転させ、現像液または
剥離液をレジストにスプレーして行った。そして、剥離
後３０００ｒｐｍで６０秒間回転させ、１３０℃のクリ
ーンオープン内で６０分乾燥させた。これにより、図１
（ｂ）のレジストパターンが形成される。次いで、図１
（ｃ）のようにフッ酸等のエッチング液を用いてレジス
ト除去部分に露呈される透明支持基板１の表面をウェッ
トエツチして探さ２０〜６０μｍの断面が台形をした複
数の溝５を形成する。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, in FIG. 1A, a negative type dry film resist 2 is stuck on a transparent support base 1 with a laminator. Then, near-ultraviolet light 4 is irradiated by an exposure device using a photomask 3 to transfer a stripe-shaped optical pattern to the dry film resist 2. Here, as the negative type dry film resist 2, α-450 (trade name, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was used. Lamination to the transparent support substrate 1 was performed at a temperature of 85 to 115 ° C. and a pressure of 2 to 4 kg / cm 2 at a speed of 1 to 3 m / min. The pattern shapes of the light shielding portions 3a of the photomask 3 are arranged in rows, and there are 31 rows of stripes having a width of 0.4 mm and a pitch of 100 mm. A sufficiently wide pattern portion is arranged outside the two rows at both ends with a space of 0.6 mm. This near ultraviolet light 4
The exposed area of the dry film resist 2 is cross-linked to become insoluble, and the exposed part can be removed by developing and peeling and washing. Next, development is carried out with a 0.8 to 1.2% aqueous solution of Na 2 CO 3 . Then, peeling cleaning is performed with a 2 to 4% aqueous solution of KOH. Such development and peeling cleaning were performed by rotating the dry film resist 2 on the transparent support substrate at 400 rpm and spraying a developer or a peeling liquid onto the resist. After peeling, the substrate was rotated at 3000 rpm for 60 seconds and dried in a 130 ° C. clean open for 60 minutes. As a result, FIG.
The resist pattern of (b) is formed. Then, FIG.
As shown in (c), the surface of the transparent support substrate 1 exposed to the resist-removed portion is wet-etched using an etching solution such as hydrofluoric acid to form a plurality of grooves 5 having a trapezoidal cross section of 20 to 60 μm. .
【００１９】次いで、図２（ａ）のように、前記透明支
持基板１にＩＴＯ膜をスパック法で１００ｎｍの厚みに
成膜し、フォトリソグラフイ技術により溝５に沿ったス
トライプ状のアノード６を形成する。次に、溝５を下面
にしてこの透明支持基板１を図外の真空蒸着装置の基板
ホルダーに固定し、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートに
Ｎ．Ｎ’−ジフェニル−Ｎ．Ｎ’ビス（α−ナフチル）
−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、
α−ＮＰＤという）を入れる。そして、別の抵抗加熱ボ
ートにトリス（８−キノリライト）アルミニウム錯体
（以下、Ａｌｑ3という）を入れ、真空ポンプで真空蒸
着装置内を１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に排気する。しかる
後、有機ＥＬ層を蒸着する範囲を四角形にくり抜いた金
属製の図外のマスクを、前記溝５を有する透明支持基板
１の表面に固定するように設置する。そして、透明支持
基板１と前記マスクとの下部に配置されているα−ＮＰ
Ｄの抵抗加熱ボートに電流を流して加熱する。そして、
α−ＮＰＤ層７ａを膜厚５０ｎｍ程度になるように蒸着
する。その後、Ａｌｑ3 を入れた抵抗加熱ボートに電流
を流し、α−ＮＰＤ層７ａの表面にＡｌｑ3 層７ｂを膜
厚５０ｎｍまで蒸着する。このようにして、α−ＮＰＤ
盾７ａとＡｌｑ3 層７ｂとで構成する有機ＥＬ層７を形
成する。なお、α−ＮＰＤ層７ａは正孔を輸送する層と
して機能し、Ａｌｑ3 層７ｂは電子を輸送する層及び発
光層として機能する。ここで、α−ＮＰＤ及びＡｌｑ3
の蒸着有機分子は、溝５の真下方向から蒸薯膜の厚さが
より均一になるように、蒸着中に透明支持基板１を蒸着
ソース額に対して水平面内で回転させることが望まし
い。Next, as shown in FIG. 2A, an ITO film is formed on the transparent support substrate 1 to a thickness of 100 nm by the Spack method, and a striped anode 6 along the groove 5 is formed by photolithography. Form. Next, the transparent support substrate 1 is fixed to a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus (not shown) with the groove 5 facing downward, and N.V. N'-diphenyl-N. N'bis (α-naphthyl)
-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (hereinafter, referred to as
α-NPD). Then, a tris (8-quinolilite) aluminum complex (hereinafter, referred to as Alq 3 ) is put in another resistance heating boat, and the inside of the vacuum evaporation apparatus is evacuated to 1 × 10 −5 Torr or less by a vacuum pump. Thereafter, a metal mask (not shown) in which the area where the organic EL layer is to be deposited is cut out in a square shape is provided so as to be fixed to the surface of the transparent support substrate 1 having the groove 5. And α-NP disposed below the transparent support substrate 1 and the mask.
A current is passed through the resistance heating boat D to heat it. And
The α-NPD layer 7a is deposited so as to have a thickness of about 50 nm. Thereafter, an electric current is passed through a resistance heating boat containing Alq 3 to deposit an Alq 3 layer 7b on the surface of the α-NPD layer 7a to a thickness of 50 nm. Thus, α-NPD
The organic EL layer 7 composed of the shield 7a and the Alq 3 layer 7b is formed. The α-NPD layer 7a functions as a layer for transporting holes, and the Alq 3 layer 7b functions as a layer for transporting electrons and a light emitting layer. Here, α-NPD and Alq 3
It is desirable to rotate the transparent support substrate 1 in the horizontal plane with respect to the deposition source amount during the deposition so that the thickness of the potato film becomes more uniform from the direction directly below the groove 5.
【００２０】次に、図４に示したＳＵＳ４３０製のシャ
ドウマスタ８を、予め真空蒸着装置内に配置しておき、
シャドウマスク８の上に前記有機ＥＬ層７を形成した前
記透明支持基板１を有機ＥＬ層７を下方に向けて設置す
る。なお、この状態を示す図３と図２（ｂ）では上下関
係が逆になっている。このシャドウマスク８には、図４
に示すように、ストライプ状遮蔽部８ａ間にスリット部
８ｂが設けられており、透明支持基板１上のストライプ
状の溝５の列ラインに直交する行方向にストライプ状遮
蔽部８ａが向けられるように形成されている。このスト
ライプ状の遮蔽部８ａの寸法は、厚み０．４ｍｍ、幅
０．４ｍｍ、長さ１３０ｍｍである。また、ストライプ
状遮蔽部８ａは中心ピッチ１．０ｍｍで３２本平行に配
置されている。そして、シャドウマスク８のストライプ
状遮蔽蔀８ａが透明支持基板１上に密着されるように、
透明支持基板１の裏面（実際の上面）に配置された磁石
９の磁力によって引き付けられる。したがって、シャド
ウマスク８の材質は磁力で引きつけられる磁性材料で構
成される。Next, the SUS430 shadow master 8 shown in FIG. 4 is placed in a vacuum evaporation apparatus in advance,
The transparent support substrate 1 having the organic EL layer 7 formed on the shadow mask 8 is placed with the organic EL layer 7 facing downward. Note that the vertical relationship is reversed between FIG. 3 and FIG. 2B showing this state. This shadow mask 8 has the structure shown in FIG.
As shown in FIG. 5, a slit portion 8b is provided between the stripe-shaped shielding portions 8a so that the stripe-shaped shielding portions 8a are directed in a row direction orthogonal to the column lines of the stripe-shaped grooves 5 on the transparent support substrate 1. Is formed. The dimensions of the striped shielding portion 8a are 0.4 mm in thickness, 0.4 mm in width, and 130 mm in length. Also, 32 stripe-shaped shielding portions 8a are arranged in parallel at a center pitch of 1.0 mm. Then, the stripe-shaped shielding barrier 8 a of the shadow mask 8 is closely attached to the transparent support substrate 1,
It is attracted by the magnetic force of the magnet 9 arranged on the back surface (actual upper surface) of the transparent support substrate 1. Therefore, the material of the shadow mask 8 is made of a magnetic material attracted by magnetic force.
【００２１】しかる上で、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボ
ートにマグネシウムを入れ、また別の抵抗加熱ボートに
銀を入れて、マグネシウム：銀の比率を１０：１となる
蒸着速度で同時に蒸着する。この時、蒸着ソース源から
くる各蒸着金属は、シャドウマスク８に対して真下方向
に対して対称となるように幾分傾斜された方向から飛来
される。したがって、この蒸者中には透明支持基板１を
蒸着ソース源に対して水平面内で回転させることによ
り、均一な合金層が形成される。この合金層は前記シャ
ドウマスト８のスリット部８ｂのパターンに追従したパ
ターンに形成されるため、前記有機ＥＬ層７上に膜厚が
２００ｎｍ程度のカソード１０として形成される。その
後、前記透明支持基板１をシャドウマスク８から引き離
す。Then, magnesium is put into a resistance heating boat in a vacuum evaporation apparatus, and silver is put into another resistance heating boat, and the magnesium and silver are simultaneously evaporated at an evaporation rate of 10: 1. At this time, each vapor deposition metal coming from the vapor deposition source comes from a direction slightly inclined so as to be symmetrical with respect to the shadow mask 8 just below. Therefore, a uniform alloy layer is formed in the steamer by rotating the transparent support substrate 1 in a horizontal plane with respect to the evaporation source. Since this alloy layer is formed in a pattern following the pattern of the slit section 8b of the shadow mast 8, it is formed on the organic EL layer 7 as the cathode 10 having a thickness of about 200 nm. Thereafter, the transparent support substrate 1 is separated from the shadow mask 8.
【００２２】このようにして、図５及び図６（ａ），
（ｂ）に示した有機ＥＬ表示装置が製造される。このよ
うに本実施例では、透明支持基板１にシャドウマスク８
を密着させることができるため、シャドウマスク８が撓
むことによるカソード１０のパターン不良が生じること
はない。また、その一方で、溝５内のアノード６上の有
機ＥＬ層７にはシャドウマスク８が接触されることはな
く、有機ＥＬ層７の発光部での破損が防止される。この
ようにして形成した有機ＥＬ表示装置のカソード１０
に、デューティファクター１／３２、かつフレーム周波
数１５０Ｈｚで時分割走査する様に８Ｖのパルス電圧を
印加した。この時、非選択のカソードには＋８Ｖが印加
され、選択されているカソードは０Ｖとなる。１２８本
のアノード６にはカソード５の走査タイミングに合わせ
て、所望の点灯させたい画素につながるアノード６に定
電流回路から３００ｍＡ／ｃｍ2 、最大８Ｖのパルス電
流を流し、点灯させたくない画素につながるアノードは
０Ｖとなるよう制御した。この結果、画素の輝度６００
ｃｄ／ｍ2 で所望の表示パターンを通常の室内で観察で
きた。In this way, FIGS. 5 and 6 (a),
The organic EL display device shown in (b) is manufactured. As described above, in this embodiment, the shadow mask 8 is provided on the transparent support substrate 1.
Can be brought into close contact with each other, so that the pattern defect of the cathode 10 due to the bending of the shadow mask 8 does not occur. On the other hand, the shadow mask 8 does not come into contact with the organic EL layer 7 on the anode 6 in the groove 5, thereby preventing the organic EL layer 7 from being damaged in the light emitting portion. The cathode 10 of the organic EL display device thus formed
A pulse voltage of 8 V was applied so as to perform time-division scanning at a duty factor of 1/32 and a frame frequency of 150 Hz. At this time, +8 V is applied to the non-selected cathode, and the selected cathode becomes 0 V. In accordance with the scanning timing of the cathode 5, a pulse current of 300 mA / cm 2 and a maximum of 8 V is supplied from the constant current circuit to the anode 6 connected to a desired pixel to be lit in accordance with the scanning timing of the cathode 5 to the 128 anodes 6. The connected anode was controlled to be 0V. As a result, the pixel brightness 600
At cd / m 2 , a desired display pattern could be observed in a normal room.
【００２３】また、図７に示したシャドウマスク８Ａを
使用したところ、溝の探さが、２０μｍから６０μｍあ
り、また有機ＥＬ層７の厚さは１μｍにも満たないの
で、有機ＥＬ層７の表面からシャドウマスク８Ａの上面
までははぼ２０μｍから８０μｍの隙間が生じる。この
ため、この隙間を通してシャドウマスク８Ａのブリッジ
部８ｃの両側からそれぞれ斜め方向にも金属が蒸著され
る。なお、真空蒸着装置内で透明支持基板１を水平面で
回転させるときは、有機ＥＬ層７の表面に対して金属蒸
着ソース源から飛来する蒸着金属の方向は、射出角１５
度以上を確保できるように設計してある。このため、幅
２０μｍのブリッジ部８ｃの真裏の有機ＥＬ層の表面に
もカソード１０が形成できる。なお、このようなシャド
ウマスク８Ａは、スリット部８ｂがブリッジ部８ｃで補
強されることになるため、５０μｍという薄い金属板で
もシャドウマスクとして使用できる。ここで、適用でき
るブリッジ部の幅、溝の深さ及びシャドウマスク８Ａの
厚みは、用いる成膜装置でどれほどの射出角が確保でき
るかで定まるが、強度上、シャドウマスクは厚み５０μ
ｍ以上が望ましく、この場合ブリッジ部の幅は２０μｍ
程度が望ましい。When the shadow mask 8A shown in FIG. 7 is used, the search for the groove is 20 μm to 60 μm, and the thickness of the organic EL layer 7 is less than 1 μm. There is a gap of about 20 μm to 80 μm from the surface to the upper surface of the shadow mask 8A. For this reason, the metal is vaporized obliquely from both sides of the bridge portion 8c of the shadow mask 8A through this gap. When the transparent support substrate 1 is rotated on a horizontal plane in the vacuum deposition apparatus, the direction of the vapor deposition metal flying from the metal vapor deposition source with respect to the surface of the organic EL layer 7 is the exit angle 15 °.
It is designed to secure more than degree. For this reason, the cathode 10 can also be formed on the surface of the organic EL layer directly behind the bridge portion 8c having a width of 20 μm. Since the slit portion 8b of the shadow mask 8A is reinforced by the bridge portion 8c, a thin metal plate of 50 μm can be used as the shadow mask. Here, the applicable width of the bridge portion, the depth of the groove, and the thickness of the shadow mask 8A are determined by how much the emission angle can be secured by a film forming apparatus to be used.
m or more, and in this case, the width of the bridge portion is 20 μm
A degree is desirable.
【００２４】次に、本発明の第２の実施例を、図８を再
度用いて説明する。図８（ａ）において、第１の実施の
形態と同様にしてガラス製の透明支持基板１にネガ型ド
ライフィルムレジストをラミネータで貼り付け、フォト
マスクを使って露光機により、第１の実施の形態で説明
したのと同様にして光学パターンを転写した。そして、
現象及び剥離洗浄工程を経てストライプ状の溝５を形成
するがこの溝５の底辺を円筒面５ａとなるようにエッチ
ングする。このストライプ状の溝５に、列ラインセなる
アノード６を配列形成し、幅０．ｌｍｍで間隔ピッチ
０．３５ｍｍの６３本となっている。また、溝５の深さ
は２０μｍ〜８０μｍとなっている。そして、第ｌの実
施形態と同棲にα−ＮＰＤ層７ａ、Ａｌｑ3 層７ｂから
なる有機ＥＬ層７を真空蒸着法で成膜する。しかる後、
磁石９を用いＳＵＳ４３０製で厚さ５０μｍのシャドウ
マスク８を透明支持基板１上にセットする。このように
して、透明支持基板１上にシャドウマスク８のストライ
プ状遮蔽部８ａがアノード１８の列に直交する方向に設
置される。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 8A, a negative type dry film resist is stuck on a transparent support substrate 1 made of glass by a laminator in the same manner as in the first embodiment, and the first embodiment is performed by an exposing machine using a photomask. The optical pattern was transferred in the same manner as described in the embodiments. And
A stripe-shaped groove 5 is formed through a phenomenon and a peeling and cleaning step, and the bottom of the groove 5 is etched so as to be a cylindrical surface 5a. Anodes 6 serving as column lines are formed in the stripe-shaped grooves 5 so as to have a width of 0.1 mm. There are 63 lines with a pitch of 0.35 mm at 1 mm. The depth of the groove 5 is 20 μm to 80 μm. Then, the organic EL layer 7 composed of the α-NPD layer 7a and the Alq 3 layer 7b is formed by vacuum evaporation together with the first embodiment. After a while
A 50 μm thick shadow mask 8 made of SUS430 is set on the transparent support substrate 1 using the magnet 9. Thus, the stripe-shaped shielding portions 8 a of the shadow mask 8 are provided on the transparent support substrate 1 in a direction orthogonal to the rows of the anodes 18.
【００２５】次に、スパッタ法等でマグネシウムと銀と
の混合金属を成膜する。この場合には、直進性のある蒸
着金属が透明支持基板１に対しはぼ垂直から飛来するよ
うになる。そして、有機ＥＬ層４７に選択的にカソード
１０を形成する。次に、透明支持基板１からシャドウマ
スタ８を引き離す。この時にストライプ状遮蔽部８ａ上
の蒸着金属はリフトオフ法により除去される。このよう
にして図７（ｂ）に示すように透明支持基板１上に列状
のアノード６、有機ＥＬ層７及び行状のカソード１０を
有する有機ＥＬ表示装置が形成される。この第２の実施
形態では、０．３５ｍｍのように比較的狭いピッチで電
極を分離して形成しなければならないときに極めて有効
あると共に、溝５の底面の形状を円筒面にすることによ
り有機ＥＬ層７の発光部からの発光がアノード６のレン
ズ効果により光の取り出し効率をあげている。Next, a mixed metal of magnesium and silver is deposited by a sputtering method or the like. In this case, the deposited metal having a straight traveling property comes to fly from the direction perpendicular to the transparent support substrate 1. Then, the cathode 10 is selectively formed on the organic EL layer 47. Next, the shadow master 8 is separated from the transparent support substrate 1. At this time, the deposited metal on the stripe-shaped shielding portion 8a is removed by a lift-off method. In this way, as shown in FIG. 7B, an organic EL display device having the column-shaped anodes 6, the organic EL layers 7, and the row-shaped cathodes 10 on the transparent support substrate 1 is formed. The second embodiment is extremely effective when the electrodes must be separated and formed at a relatively narrow pitch such as 0.35 mm. Light emitted from the light emitting portion of the EL layer 7 enhances light extraction efficiency by the lens effect of the anode 6.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
表示装置は、透明支持基板内に列方向に溝が形成され、
この溝内にアノードと有機ＥＬ層が形成され、行方向に
カソードが形成された構成であるため、カソードを形成
する際のシャドウマスクを透明支持基板の表面に密着し
た場合でも、シャドウマスクが有機ＥＬ層に接触される
ことがなく、有機ＥＬ層がダメージを受けることがな
い。このため、シャドウマスクにより形成するカソード
の信頼性、精度が向上でき、微細でかつ高精度の有機Ｅ
Ｌ表示装置が得られるとともに、有機ＥＬ表示額置の製
造歩留まりが大幅に向上する。また、カソードの形成に
際してレジストを用いないため、レジストに残留する水
分、溶剤による素子劣化がない。さらに、透明支持基板
を回転しながらカソードが形成できるため、蒸着ソース
を有効に利用でき、かつ金属層を均一に成膜できるとと
もに、大型の表示装置を小型化の成膜装置を用いて製造
することも可能となり、設備コストの低減にも有効とな
る。As described above, the organic EL of the present invention
In the display device, grooves are formed in the column direction in the transparent support substrate,
Since the anode and the organic EL layer are formed in the groove and the cathode is formed in the row direction, even when the shadow mask for forming the cathode is in close contact with the surface of the transparent support substrate, the shadow mask is There is no contact with the EL layer, and the organic EL layer is not damaged. For this reason, the reliability and accuracy of the cathode formed by the shadow mask can be improved, and the fine and highly accurate organic E
The L display device is obtained, and the production yield of the organic EL display frame is greatly improved. Further, since no resist is used in forming the cathode, there is no device deterioration due to moisture and solvent remaining in the resist. Furthermore, since the cathode can be formed while rotating the transparent support substrate, the deposition source can be used effectively, the metal layer can be formed uniformly, and a large-sized display device can be manufactured using a small-sized film formation device. It is also possible to reduce equipment costs.
【図１】本発明の製造方法を説明するための工程断面図
のその１である。FIG. 1 is a process cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the present invention, FIG.
【図２】本発明の製造方法を説明するための工程断面図
のその２である。FIG. 2 is a process sectional view for explaining the manufacturing method of the present invention;
【図３】本発明の製造工程におけるカソードの製造工程
を説明するための斜視図である。FIG. 3 is a perspective view for explaining a cathode manufacturing process in the manufacturing process of the present invention.
【図４】カソード製造用のシャドウマスクの平面図であ
る。FIG. 4 is a plan view of a shadow mask for manufacturing a cathode.
【図５】製造された有機ＥＬ表示装置の一部を破断した
平面図である。FIG. 5 is a plan view in which a part of the manufactured organic EL display device is cut away.
【図６】図５のＡＡ線、ＢＢ線に沿う断面図である。6 is a sectional view taken along lines AA and BB in FIG.
【図７】本発明で使用するシャドウマスクの他の例の平
面図である。FIG. 7 is a plan view of another example of the shadow mask used in the present invention.
【図８】本発明の第２の実施形態を説明するための工程
断面図である。FIG. 8 is a process cross-sectional view for explaining a second embodiment of the present invention.
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の一部の断面図であ
る。FIG. 9 is a cross-sectional view of a part of a conventional organic EL display device.
１ 透明支持基板 ２ ドライフィルムレジスト ３ フォトマスク ５ 溝 ５ａ 円筒面 ６ アノード ７ 有機ＥＬ層 ８ シャドウマスク ９ 磁石 １０ カソード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent support substrate 2 Dry film resist 3 Photomask 5 Groove 5a Cylindrical surface 6 Anode 7 Organic EL layer 8 Shadow mask 9 Magnet 10 Cathode
Claims (8)
る複数本のアノードを列方向に有し、前記アノード上に
有機エレクトロルミネセント層（以下、有機ＥＬ層）を
有し、前記有機ＥＬ層上に前記アノードに直交する複数
本のカソードを行方向に有する有機ＥＬ表示装置におい
て、前記透明支持基板の表面には複数本の溝が列方向に
形成され、前記アノード及びアノード上の有機ＥＬ層は
前記溝内に配設されていることを特徴とする有機ＥＬ表
示装置。1. An organic electroluminescent layer (hereinafter, referred to as an organic EL layer) having a plurality of anodes formed of transparent electrodes in a column direction on a surface of a transparent support substrate. In an organic EL display device having a plurality of cathodes orthogonal to the anode in a row direction on a layer, a plurality of grooves are formed in a column direction on a surface of the transparent support substrate, and the anode and the organic EL on the anode are formed. An organic EL display device, wherein a layer is provided in the groove.
前記有機ＥＬ層の厚みを加算した厚みよりも深く形成さ
れている請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。2. The organic EL display according to claim 1, wherein the depth of the groove is formed to be greater than the sum of the thickness of the anode and the thickness of the organic EL layer.
ドを含む前記透明支持基板上の所要の矩形領域にわたっ
て連続された面として形成されている請求項１または２
に記載の有機ＥＬ表示装置。3. The organic EL layer is formed as a continuous surface over a required rectangular area on the transparent support substrate including the plurality of grooves and the anode.
4. The organic EL display device according to 1.
記アノードはこの円筒面を覆うように形成されている請
求項１ないし３のいずれかに記載に有機ＥＬ表示装置。4. The organic EL display device according to claim 1, wherein the bottom surface of the groove is formed in a cylindrical shape, and the anode is formed so as to cover the cylindrical surface.
により複数本の溝を列方向に形成する溝形成工程と、前
記透明支持基板上の前記溝の底面に透明電極からなる複
数本のアノードを列方向に形成するアノード形成工程
と、前記透明支持基板上の所要の領域に有機ＥＬ層を形
成する有機ＥＬ層形成工程と、前記透明支持基板上にシ
ャドウマスクを密接し、前記シャドウマスクを利用して
前記有機ＥＬ層の表面上に複数本のカソードを行方向に
形成するカソード形成工程とを含むことを特徴とする有
機ＥＬ表示装置の製造方法。5. A groove forming step of forming a plurality of grooves in a column direction on a transparent support substrate by a photolithography method, and forming a plurality of anodes made of a transparent electrode on a bottom surface of the grooves on the transparent support substrate. Forming an anode in a column direction, forming an organic EL layer in a desired area on the transparent support substrate, forming an organic EL layer on the transparent support substrate, using a shadow mask on the transparent support substrate, and using the shadow mask Forming a plurality of cathodes in the row direction on the surface of the organic EL layer.
れ、前記透明支持基板の反対側の面に配置された磁石に
よって生じる磁力により前記透明支持基板の表面に密接
される請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。6. The organic mask according to claim 5, wherein the shadow mask is formed of a magnetic material, and is brought into close contact with the surface of the transparent support substrate by a magnetic force generated by a magnet disposed on a surface opposite to the transparent support substrate. Manufacturing method of EL display device.
ト部が行方向に形成されるとともに、各スリット部には
行方向の所要の間隔をおいて列方向のブリッジ部が形成
されており、前記ブリッジ部は前記透明支持基板の溝上
に位置されるように密着される請求項５または６に記載
の有機ＥＬ表示装置の製造方法。7. The shadow mask has a plurality of slit portions formed in a row direction, and each slit portion has a column direction bridge portion at a required interval in the row direction. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 5, wherein the bridge portion is closely attached so as to be positioned on a groove of the transparent support substrate.
面に形成する請求項５ないし７のいずれかに記載の有機
ＥＬ表示装置の製造方法。8. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 5, wherein said groove forming step forms a bottom surface of said groove in a cylindrical surface.
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| JP2848384B1 JP2848384B1 (en) | 1999-01-20 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198167A (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Seiko Epson Corp | Illumination device and its manufacturing method, display device and electronic apparatus |
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1997
- 1997-12-05 JP JP9335625A patent/JP2848384B1/en not_active Expired - Fee Related
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