JPH11160299A - 半導体汚染物質の捕集装置 - Google Patents
半導体汚染物質の捕集装置Info
- Publication number
- JPH11160299A JPH11160299A JP32807897A JP32807897A JPH11160299A JP H11160299 A JPH11160299 A JP H11160299A JP 32807897 A JP32807897 A JP 32807897A JP 32807897 A JP32807897 A JP 32807897A JP H11160299 A JPH11160299 A JP H11160299A
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- JP
- Japan
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- air
- substance
- adsorbed
- semiconductor
- silicon powder
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体汚染物質をガスクロマトグラフ分析する
場合のサンプル捕集方法に関する。クリーンルーム空気
中に含まれる半導体汚染物質を捕集する装置において、
半導体産業で問題となる汚染物のみを効率的に捕集し
て、高い感度の汚染物質分析を可能とすること。 【解決手段】石英管２に、１００〜５００μｍに粉砕し
たシリコン粉末３を充填する。ポンプ４を駆動させると
空気吸入口１より空気が吸入される。この時、エステル
系化合物やシロキサン系化合物などがシリコン粉末に吸
着され、半導体産業では問題とはならない化合物は吸着
されずに空気とともに排出される。その後、石英管をヒ
ーターで加熱することにより汚染物質をコールドトラッ
プ１３に導く。これを液体窒素で冷却し、次に高周波に
より急激に加熱することにより、汚染物質をガスクロマ
トグラフ部の分離カラムへと導く。
場合のサンプル捕集方法に関する。クリーンルーム空気
中に含まれる半導体汚染物質を捕集する装置において、
半導体産業で問題となる汚染物のみを効率的に捕集し
て、高い感度の汚染物質分析を可能とすること。 【解決手段】石英管２に、１００〜５００μｍに粉砕し
たシリコン粉末３を充填する。ポンプ４を駆動させると
空気吸入口１より空気が吸入される。この時、エステル
系化合物やシロキサン系化合物などがシリコン粉末に吸
着され、半導体産業では問題とはならない化合物は吸着
されずに空気とともに排出される。その後、石英管をヒ
ーターで加熱することにより汚染物質をコールドトラッ
プ１３に導く。これを液体窒素で冷却し、次に高周波に
より急激に加熱することにより、汚染物質をガスクロマ
トグラフ部の分離カラムへと導く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体汚染物質を
ガスクロマトグラフ分析する場合のサンプルの捕集方法
装置に関する。
ガスクロマトグラフ分析する場合のサンプルの捕集方法
装置に関する。
【０００２】特に半導体の特性に影響を及ぼす汚染物質
を選択的に効率よく捕集することにより、高い分析感度
を提供することを特徴としている。
を選択的に効率よく捕集することにより、高い分析感度
を提供することを特徴としている。
【０００３】
【従来の技術】従来空気中の汚染物質を捕集する方法と
して、テナックスと呼ばれる吸着物質やグラスウールな
どをガラス管や石英管に充填したものに空気を通過さ
せ、そこに汚染物質を吸着させて捕集した後、ガラス管
または石英管自体を加熱し、吸着した汚染物質をガスク
ロマトグラフへ導入し分析する方法がある。この方法は
公知であり、最も多く用いられている方法である。
して、テナックスと呼ばれる吸着物質やグラスウールな
どをガラス管や石英管に充填したものに空気を通過さ
せ、そこに汚染物質を吸着させて捕集した後、ガラス管
または石英管自体を加熱し、吸着した汚染物質をガスク
ロマトグラフへ導入し分析する方法がある。この方法は
公知であり、最も多く用いられている方法である。
【０００４】しかしこの方法では空気自体に含まれる全
ての物質を吸着させる為、一般的な環境分析の方法とし
ては優れているが、半導体産業での捕集方法としてはい
くつかの問題点を有している。半導体産業で問題となる
汚染物質は空気中に含まれる物質の中でもシリコンに選
択的に吸着する物質であり、エステル系化合物やシロキ
サン系化合物はその代表である。従来の方法では、シリ
コンにはほとんど吸着せず、しかもクリーンルームには
多量に存在する物質を多量に吸着する為、前記の選択的
に吸着しなければならない物質の捕集効率を低下させ、
分析の検出感度を低下させるといった問題があった。
ての物質を吸着させる為、一般的な環境分析の方法とし
ては優れているが、半導体産業での捕集方法としてはい
くつかの問題点を有している。半導体産業で問題となる
汚染物質は空気中に含まれる物質の中でもシリコンに選
択的に吸着する物質であり、エステル系化合物やシロキ
サン系化合物はその代表である。従来の方法では、シリ
コンにはほとんど吸着せず、しかもクリーンルームには
多量に存在する物質を多量に吸着する為、前記の選択的
に吸着しなければならない物質の捕集効率を低下させ、
分析の検出感度を低下させるといった問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は空気中に微量
に存在し、しかもシリコンに選択的に吸着する汚染物質
のみを効率的に捕集し、高い検出感度の分析方法を提供
することを目的とする。
に存在し、しかもシリコンに選択的に吸着する汚染物質
のみを効率的に捕集し、高い検出感度の分析方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は，空気中の半導
体汚染物質を捕集する方法において、吸着物質としてシ
リコン粉末を充填したサンプリング管に空気を通過させ
て捕集する装置である。
体汚染物質を捕集する方法において、吸着物質としてシ
リコン粉末を充填したサンプリング管に空気を通過させ
て捕集する装置である。
【０００７】
【作用】本発明の捕集装置を用いる事で、半導体汚染物
質のガスクロマトグラフ質量分析における検出感度を１
０倍以上にすることが可能となる。
質のガスクロマトグラフ質量分析における検出感度を１
０倍以上にすることが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を示す。図
１は本発明の捕集方法を示す図である。本発明は石英管
２の中に、１００〜５００μｍに粉砕したシリコン粉末
３を充填する。石英管の一方は空気吸入口１として用
い、もう一方をポンプ４と接続する事により本発明の捕
集システムを構成する。
１は本発明の捕集方法を示す図である。本発明は石英管
２の中に、１００〜５００μｍに粉砕したシリコン粉末
３を充填する。石英管の一方は空気吸入口１として用
い、もう一方をポンプ４と接続する事により本発明の捕
集システムを構成する。
【０００９】前記システムのポンプ４を駆動すると空気
は空気吸入口１より吸入され、シリコン粉末３の中を通
過する。この際、空気中特にシリコンに選択的に吸着さ
れるエステル系化合物やシロキサン系化合物などがシリ
コン粉末に効率的に吸着され、半導体産業で問題とはな
らず空気中に多量に含まれる不要な化合物は吸着されず
に空気とともに排気として排出される。シリコン粉末３
には半導体産業で問題とならない化合物はほとんど吸着
されない為、問題となる化合物の吸着のみでシリコン粉
末３が飽和するまで吸着は可能となる。この結果、従来
と比べ多量の捕集が可能となる。ここで用いるシリコン
粉末は細かいほど表面積は増加する為多量の吸着が可能
となる反面、空気の流量は低下する為多量の空気を吸入
することが困難となる。またシリコン粉末３を通過する
速度に応じて化合物により吸着する効率が変化する事か
らシリコン粉末の径は１００〜５００μｍが最適であ
る。流速１リッター／分にて積算２０リッターで捕集作
業は終了する。
は空気吸入口１より吸入され、シリコン粉末３の中を通
過する。この際、空気中特にシリコンに選択的に吸着さ
れるエステル系化合物やシロキサン系化合物などがシリ
コン粉末に効率的に吸着され、半導体産業で問題とはな
らず空気中に多量に含まれる不要な化合物は吸着されず
に空気とともに排気として排出される。シリコン粉末３
には半導体産業で問題とならない化合物はほとんど吸着
されない為、問題となる化合物の吸着のみでシリコン粉
末３が飽和するまで吸着は可能となる。この結果、従来
と比べ多量の捕集が可能となる。ここで用いるシリコン
粉末は細かいほど表面積は増加する為多量の吸着が可能
となる反面、空気の流量は低下する為多量の空気を吸入
することが困難となる。またシリコン粉末３を通過する
速度に応じて化合物により吸着する効率が変化する事か
らシリコン粉末の径は１００〜５００μｍが最適であ
る。流速１リッター／分にて積算２０リッターで捕集作
業は終了する。
【００１０】前記捕集方法にて捕集した後、シリコン粉
末３を充填した石英管２を図２に示すようにヒーター１
２で囲まれた中に装着する。シリコン粉末を充填した石
英管１１にヘリウムガスを５０ｃｃ／分で流し、ヒータ
ー１２で３０分間、４００℃に加熱することでシリコン
粉末３に吸着された汚染物質は完全に脱離し、コールド
トラップ１３に導かれる。この時、液体窒素冷却部及び
ヒーター部１４を液体窒素で−４０℃に冷却する事でコ
ールドトラップ１３に汚染物質は完全にトラップされ
る。次に液体窒素冷却部及びヒーター部１４を高周波に
より２５０℃に急激に加熱するとコールドトラップから
は濃縮された汚染物質が脱離しガスクロマトグラフ部１
５の分離カラム１６へ導入される。汚染物質は分離カラ
ム１６の中で各成分ごとに分離し、順次質量分析部１７
に導かれ質量分析されてその定性と定量が可能となる。
末３を充填した石英管２を図２に示すようにヒーター１
２で囲まれた中に装着する。シリコン粉末を充填した石
英管１１にヘリウムガスを５０ｃｃ／分で流し、ヒータ
ー１２で３０分間、４００℃に加熱することでシリコン
粉末３に吸着された汚染物質は完全に脱離し、コールド
トラップ１３に導かれる。この時、液体窒素冷却部及び
ヒーター部１４を液体窒素で−４０℃に冷却する事でコ
ールドトラップ１３に汚染物質は完全にトラップされ
る。次に液体窒素冷却部及びヒーター部１４を高周波に
より２５０℃に急激に加熱するとコールドトラップから
は濃縮された汚染物質が脱離しガスクロマトグラフ部１
５の分離カラム１６へ導入される。汚染物質は分離カラ
ム１６の中で各成分ごとに分離し、順次質量分析部１７
に導かれ質量分析されてその定性と定量が可能となる。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明の捕集装置を用いる
事で、半導体汚染物質のガスクロマトグラフ質量分析に
おける検出感度を１０倍以上にすることが可能となっ
た。
事で、半導体汚染物質のガスクロマトグラフ質量分析に
おける検出感度を１０倍以上にすることが可能となっ
た。
【図１】本発明の実施例による半導体汚染物質の捕集装
置を示す図。
置を示す図。
【図２】本発明の実施例による半導体汚染物質の分析方
法を示す図。
法を示す図。
【図３】従来の実施例による半導体汚染物質の捕集装置
を示す図。
を示す図。
１ 空気吸入口 ２ 石英管 ３ シリコン粉末 ４ ポンプ ５ 排気 １１ シリコン粉末を充填した石英管 １２ ヒーター １３ コールドトラップ １４ 液体窒素冷却部及びヒーター部 １５ ガスクロマトグラフ部 １６ 分離カラム １７ 質量検出部 ２１ 空気吸入口 ２２ ガラス管 ２３ グラスウール ２４ ポンプ ２５ 排気
Claims (1)
- 【請求項１】空気中の半導体汚染物質を捕集する方法に
おいて、吸着物質としてシリコン粉末を充填したサンプ
リング管に空気を通過させて捕集する事を特徴とする半
導体汚染物質の捕集装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32807897A JPH11160299A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 半導体汚染物質の捕集装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32807897A JPH11160299A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 半導体汚染物質の捕集装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11160299A true JPH11160299A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18206274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32807897A Withdrawn JPH11160299A (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 半導体汚染物質の捕集装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11160299A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014106159A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Fis Inc | 気体成分吸着管、気体成分採取装置及び気体成分採取方法。 |
| CN111128418A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-08 | 中国原子能科学研究院 | 用于检测冷阱净化性能的方法及*** |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32807897A patent/JPH11160299A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014106159A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Fis Inc | 気体成分吸着管、気体成分採取装置及び気体成分採取方法。 |
| CN111128418A (zh) * | 2020-01-02 | 2020-05-08 | 中国原子能科学研究院 | 用于检测冷阱净化性能的方法及*** |
| CN111128418B (zh) * | 2020-01-02 | 2022-04-08 | 中国原子能科学研究院 | 用于检测冷阱净化性能的方法及*** |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050201 |