JPH11150356A - Wiring board - Google Patents
Wiring boardInfo
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- JPH11150356A JPH11150356A JP31702097A JP31702097A JPH11150356A JP H11150356 A JPH11150356 A JP H11150356A JP 31702097 A JP31702097 A JP 31702097A JP 31702097 A JP31702097 A JP 31702097A JP H11150356 A JPH11150356 A JP H11150356A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基体の表面に
配線層を形成した配線基板に関するものである。The present invention relates to a wiring board having a wiring layer formed on the surface of an insulating substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電気回路基板や半導体素子収納用
パッケージ等に使用される配線基板はその配線層がＭｏ
ーＭｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成
されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a wiring board used for an electric circuit board or a package for housing a semiconductor element has a wiring layer of Mo.
-It is formed by employing a thick film forming technique such as the Mn method.
【０００３】このＭｏーＭｎ法は、タングステン
（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高
融点金属から成る金属粉末に有機溶剤、溶媒を添加し、
ペースト状となした金属ペーストを生もしくは焼結セラ
ミツク体の外表面にスクリーン印刷法により所定パター
ンに印刷塗布し、次にこれを還元雰囲気中で焼成し、高
融点金属とセラミック体とを焼結一体化させる方法であ
る。In the Mo-Mn method, an organic solvent and a solvent are added to a metal powder composed of a high melting point metal such as tungsten (W), molybdenum (Mo), and manganese (Mn).
A paste-shaped metal paste is applied to the outer surface of the raw or sintered ceramic body by printing in a predetermined pattern by a screen printing method, and then fired in a reducing atmosphere to sinter the high melting point metal and the ceramic body. It is a method of integrating.
【０００４】このＭｏーＭｎ法によって配線層を形成し
た配線基板は、タングステンやモリブデン等から成る配
線層の表面に金（Ａｕ）層をメッキ法等によって所定厚
み（数μｍ）に被着させ、タングステンやモリブデンの
耐蝕性を改善するとともに配線層の電気抵抗値を小さな
ものとしている。In a wiring board having a wiring layer formed by the Mo-Mn method, a gold (Au) layer is applied to the surface of a wiring layer made of tungsten, molybdenum or the like to a predetermined thickness (several μm) by a plating method or the like. The corrosion resistance of tungsten and molybdenum is improved, and the electrical resistance of the wiring layer is reduced.
【０００５】また、近時、電子機器の小型化に対応して
配線基板も小型にして、かつ配線層を高密度に形成する
ことが要求されるようになってきており、これに対応す
るために配線層を厚膜形成技術で形成するのに変えて微
細配線が可能な薄膜形成技術で形成した配線基板も使用
されるようになってきた。In recent years, it has been required to reduce the size of wiring boards and to form wiring layers with high density in response to the miniaturization of electronic equipment. Instead of forming a wiring layer by a thick film forming technique, a wiring board formed by a thin film forming technique capable of fine wiring has also been used.
【０００６】この配線層を薄膜形成技術で形成した配線
基板は、絶縁基体上に、例えば、窒化タンタル（Ｔａ2
Ｎ）やニッケル・クロム合金（ＮｉＣｒ）等から成る接
着層と、ニッケル・クロム合金（ＮｉＣｒ）やチタン・
タングステン合金（ＴｉＷ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）等から成る中間層と、金（Ａｕ）から成
る主導体層をイオンプレーティング法やスパッタリング
法、蒸着法、メッキ法等の薄膜形成技術を採用すること
によって順次被着させ、次に、これらの各層をフォトリ
ソグラフィー技術で所定パターンに加工し、配線層とな
すことによって形成されている。A wiring board having this wiring layer formed by a thin film forming technique is provided on an insulating substrate by, for example, tantalum nitride (Ta 2).
N), an adhesion layer made of nickel-chromium alloy (NiCr) or the like, and a nickel-chrome alloy (NiCr) or titanium
An intermediate layer made of tungsten alloy (TiW), nickel (Ni), palladium (Pd) or the like, and a main conductor layer made of gold (Au) are formed into thin films by ion plating, sputtering, vapor deposition, plating, etc. Is formed, and then these layers are processed into a predetermined pattern by a photolithography technique to form a wiring layer.
【０００７】なお、前記薄膜形成技術で形成された配線
層は、接着層が配線層を絶縁基体に強固に接着させる作
用をなし、中間層が接着層と主導体層の相互拡散を抑制
するとともに主導体層を接着層に強固に接着させる作用
をなしている。In the wiring layer formed by the thin film forming technique, the adhesive layer functions to firmly adhere the wiring layer to the insulating base, and the intermediate layer suppresses the mutual diffusion between the adhesive layer and the main conductor layer. It functions to firmly adhere the main conductor layer to the adhesive layer.
【０００８】またかかる配線層が厚膜形成技術、あるい
は薄膜形成技術で形成されている配線基板は配線層の表
面を含む絶縁基体上面にＳｉＯ2 から成る保護膜が被着
されており、該保護膜によって配線層に外力が印加され
て断線が発生するのを防止するとともに隣接する配線層
間に導体が付着して配線層間に短絡が発生するのを有効
に防止するようになしている。In a wiring board in which such a wiring layer is formed by a thick film forming technique or a thin film forming technique, a protective film made of SiO 2 is applied to the upper surface of an insulating substrate including the surface of the wiring layer. The film prevents an external force from being applied to the wiring layer to cause a disconnection, and effectively prevents a conductor from adhering between adjacent wiring layers and causing a short circuit between the wiring layers.
【０００９】このＳｉＯ2 から成る保護膜は配線層が形
成されている絶縁基体の上面にスパッタリング法等を採
用することによって所定の厚みに被着される。The protective film made of SiO 2 is applied to a predetermined thickness on the upper surface of the insulating substrate on which the wiring layer is formed by employing a sputtering method or the like.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線層の表面に形成されてい
る金（Ａｕ）と保護膜を形成するＳｉＯ2 との密着強度
が弱いこと、保護膜を形成するＳｉＯ2 中をＨ2 Ｏが移
動し易いこと等から、例えば、配線基板を洗浄するため
に水中に浸漬した場合、ＳｉＯ2 から成る保護膜中をＨ
2 Ｏが移動して保護膜に体積膨張が起こり、保護膜が配
線層より剥離してしまうという欠点を有していた。However, in this conventional wiring board, the adhesion strength between gold (Au) formed on the surface of the wiring layer and SiO 2 forming the protective film is weak, For example, when H 2 O is easily moved in SiO 2 for forming a wiring board, when the wiring board is immersed in water for cleaning, the protective film made of SiO 2 becomes H 2 O.
There is a drawback that 2 O moves to cause volume expansion of the protective film and the protective film is separated from the wiring layer.
【００１１】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は配線層の表面に保護膜を強固に被着さ
せ、該保護膜によって配線層に断線や隣接する配線層間
に電気的短絡が発生するのを有効に防止することができ
る配線基板を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks, and has as its object the purpose of firmly depositing a protective film on the surface of a wiring layer, and disconnecting the wiring layer by the protective film or providing an electrical connection between adjacent wiring layers. An object of the present invention is to provide a wiring board that can effectively prevent a short circuit from occurring.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体上
に、表面に金層を有する配線層を形成した配線基板であ
って、前記配線層の表面がＳｉＯ2-X ＮX （０．２５≦
Ｘ０．６５）から成る保護膜で被覆されていることを特
徴とするものである。The present invention SUMMARY OF] is on an insulating substrate, a wiring substrate having a wiring layer having a gold layer on the surface, the surface of the wiring layer is SiO 2-X N X (0 . 25 ≦
X0.65).
【００１３】また本発明は、前記保護膜の厚みが１００
乃至１０００ｎｍであることを特徴とするものである。Further, according to the present invention, the protective film has a thickness of 100
To 1000 nm.
【００１４】本発明の配線基板によれば、保護膜をＳｉ
Ｏ2-X ＮX （０．２５≦Ｘ０．６５）で形成したことか
ら、配線層と保護膜との間にＡｕーＳｉ結合ができて両
者は強固に接合する。同時にＨ2 Ｏが保護膜中を移動す
る経路となる膜中の原子、分子サイズの格子欠陥部分に
Ｎが固着され、経路をふさぐために膜中をＨ2 Ｏの分子
が移動し難くなる。そのため配線基板を水中に浸漬して
も保護膜中にＨ2 Ｏが入り込んで保護膜に体積膨張が発
生することはなく、これによって配線層表面を保護膜で
完全に保護することが可能となる。According to the wiring substrate of the present invention, the protective film is made of Si.
Since it is formed of O 2−X N x (0.25 ≦ X0.65), an Au—Si bond is formed between the wiring layer and the protective film, and the two are firmly joined. At the same time, N is fixed to the lattice defect portion of the atom and molecule size in the film, which becomes a path for H 2 O to move in the protective film, and it becomes difficult for H 2 O molecules to move in the film to block the path. Therefore, even if the wiring substrate is immersed in water, H 2 O does not enter the protective film and the protective film does not undergo volume expansion, whereby the surface of the wiring layer can be completely protected by the protective film. .
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】次に本発明の配線基板を添付図面
に基づき詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板の
一実施例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は配線
層である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a wiring board according to the present invention, wherein 1 is an insulating base, and 2 is a wiring layer.
【００１６】前記絶縁基体１は配線層２を支持する支持
部材として作用し、酸化アルミニウム質焼結体、ムライ
ト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼
結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁材料で形
成されている。The insulating substrate 1 functions as a support member for supporting the wiring layer 2, and is made of aluminum oxide sintered body, mullite sintered body, silicon carbide sintered body, aluminum nitride sintered body, glass ceramic sintered body. It is formed of an electrically insulating material such as a body.
【００１７】前記絶縁基体１は、例えば、酸化アルミニ
ウム質焼結体から成る場合は、酸化アルミニウム，酸化
珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末
に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすと
ともにこれをドクターブレード法やカレンダーロール法
等を採用することによってセラミックグリーンシート
（セラミック生シート）を形成し、しかる後、前記セラ
ミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所
定形状となすとともに高温（約１６００℃）で焼成する
ことによって製作される。When the insulating substrate 1 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, an appropriate organic solvent and a solvent are added to a raw material powder such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide, and the mixture is mixed. A ceramic green sheet (ceramic green sheet) is formed by employing a doctor blade method, a calendar roll method, or the like, and then the ceramic green sheet is appropriately punched to form a predetermined shape. And at a high temperature (about 1600 ° C.).
【００１８】前記絶縁基体１の上面には複数個の配線層
２が、例えば、薄膜形成技術を採用することによって所
定パターンに被着形成されている。On the upper surface of the insulating base 1, a plurality of wiring layers 2 are formed in a predetermined pattern by employing, for example, a thin film forming technique.
【００１９】前記薄膜形成技術により形成される配線層
２は接着層３と中間層４と主導体層５の３層構造を有し
ており、接着層３は絶縁基体１と配線層２との接着強度
を上げる作用をなし、中間層４は接着層３と主導体層５
との密着性を向上させるとともに接着層３と主導体層５
との相互拡散を防止する作用を為す。The wiring layer 2 formed by the thin film forming technique has a three-layer structure of an adhesive layer 3, an intermediate layer 4, and a main conductor layer 5, and the adhesive layer 3 is formed of the insulating base 1 and the wiring layer 2. The intermediate layer 4 functions to increase the adhesive strength, and the intermediate layer 4 is composed of the adhesive layer 3 and the main conductor layer 5.
The adhesion between the adhesive layer 3 and the main conductor layer 5 is improved.
And acts to prevent mutual diffusion.
【００２０】前記配線層２の接着層３は、例えば窒化タ
ンタル（Ｔａ2 Ｎ）、ニッケル・クロム合金（ＮｉＣ
ｒ）、クロム（Ｃｒ）等の材料から成り、蒸着法やイオ
ンプレーティング法等の薄膜形成技術を採用することに
よって絶縁基体１上に２０ｎｍ〜５００ｎｍの厚みに被
着される。The adhesive layer 3 of the wiring layer 2 is made of, for example, tantalum nitride (Ta 2 N), nickel-chrome alloy (NiC
r), a material such as chromium (Cr), and is deposited on the insulating substrate 1 to a thickness of 20 nm to 500 nm by employing a thin film forming technique such as an evaporation method or an ion plating method.
【００２１】前記接着層３はその厚みが２０ｎｍ未満と
なると配線層２を絶縁基体１上に強固に接着させること
が困難となり、また５００ｎｍを超えると接着層３を薄
膜形成技術により被着させる際、接着層３内に応力が発
生するとともに内在し、該内在応力によって接着層３と
絶縁基体１との接着強度が低下してしまうこととなる。
従って、接着層３の厚みは２０ｎｍ乃至５００ｎｍの範
囲としておくことが好ましい。When the thickness of the adhesive layer 3 is less than 20 nm, it is difficult to firmly adhere the wiring layer 2 to the insulating substrate 1. When the thickness exceeds 500 nm, the adhesive layer 3 is hardly adhered by a thin film forming technique. In addition, stress is generated in the adhesive layer 3 and is present inside the adhesive layer 3, and the intrinsic stress lowers the adhesive strength between the adhesive layer 3 and the insulating base 1.
Therefore, it is preferable that the thickness of the adhesive layer 3 be in the range of 20 nm to 500 nm.
【００２２】また前記接着層３の上面には中間層４が被
着形成されており、該中間層４は、例えば、ニッケル・
クロム合金（ＮｉＣｒ）やチタン・タングステン合金
（ＴｉＷ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、
チタン（Ｔｉ）等から成り、蒸着法やイオンプレーティ
ング法、スバッタリング法等の薄膜形成技術により接着
層３の上面に２０ｎｍ乃至３００ｎｍの厚みに被着され
る。On the upper surface of the adhesive layer 3, an intermediate layer 4 is formed by adhesion.
Chromium alloy (NiCr), titanium-tungsten alloy (TiW), nickel (Ni), palladium (Pd),
It is made of titanium (Ti) or the like, and is deposited to a thickness of 20 nm to 300 nm on the upper surface of the adhesive layer 3 by a thin film forming technique such as an evaporation method, an ion plating method, and a sputtering method.
【００２３】前記中間層４はその厚みが２０ｎｍ未満で
あると接着層３と主導体層５との密着性が低下するとと
もに接着層３と主導体層５との相互拡散を有効に防止す
ることができず、また３００ｎｍを超えるとと中間層４
を薄膜形成技術により被着させる際、中間層４内に応力
が発生するとともに内在し、該内在応力によって接着層
３と中間層４との接着強度が低下してしまう。従って、
中間層４の厚みは２０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲として
おくことが好ましい。When the thickness of the intermediate layer 4 is less than 20 nm, the adhesion between the adhesive layer 3 and the main conductor layer 5 is reduced and the mutual diffusion between the adhesive layer 3 and the main conductor layer 5 is effectively prevented. When the thickness exceeds 300 nm, the intermediate layer 4
When the is applied by the thin film forming technique, a stress is generated in the intermediate layer 4 and is present inside the intermediate layer 4, and the intrinsic stress reduces the adhesive strength between the adhesive layer 3 and the intermediate layer 4. Therefore,
The thickness of the intermediate layer 4 is preferably in the range of 20 nm to 300 nm.
【００２４】更に前記中間層４の上面には主導体層５が
蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法、
メッキ法等の薄膜形成技術により被着されており、該主
導体層５は主として電気を通す通路として作用をする。Further, a main conductor layer 5 is formed on the upper surface of the intermediate layer 4 by vapor deposition, ion plating, sputtering, or the like.
The main conductor layer 5 is applied by a thin film forming technique such as a plating method, and mainly functions as a passage for conducting electricity.
【００２５】前記主導体層５は導通抵抗が極めて小さい
金（Ａｕ）が使用されており、その厚みは２００ｎｍ未
満であると配線層２の導通抵抗が高くなって配線基板と
しては不向きとなるため２００ｎｍ以上の厚みが好まし
く、経済性を考慮すると１０００ｎｍ乃至１００００ｎ
ｍの範囲としておくことがより好適である。The main conductor layer 5 is made of gold (Au) having a very low conduction resistance. If the thickness is less than 200 nm, the conduction resistance of the wiring layer 2 becomes high, which makes the wiring layer unsuitable for a wiring board. The thickness is preferably 200 nm or more, and 1000 nm to 10000 n in consideration of economy.
It is more preferable to set the range of m.
【００２６】前記絶縁基体１上に形成されている配線層
２は、これを構成する接着層３、中間層４及び主導体層
５の各々が薄膜形成技術を採用することによって形成さ
れているため配線層２の微細化が可能となり、小型の絶
縁基体１上に配線層２を高密度に形成することができ
る。The wiring layer 2 formed on the insulating substrate 1 has the adhesive layer 3, the intermediate layer 4 and the main conductor layer 5 constituting the wiring layer 2 formed by employing a thin film forming technique. The wiring layer 2 can be miniaturized, and the wiring layer 2 can be formed on the small-sized insulating base 1 at a high density.
【００２７】また前記絶縁基体１の上面には配線層２の
表面を含んで保護膜６が被着されており、該保護膜６に
よって配線層２は外力が印加されても断線が発生するこ
とはなく、また隣接する配線層２間に導体が付着しても
配線層２間に短絡が発生しないようになっている。On the upper surface of the insulating base 1, a protective film 6 including the surface of the wiring layer 2 is applied. The protective film 6 causes the wiring layer 2 to be disconnected even when an external force is applied. No short circuit occurs between the wiring layers 2 even if a conductor adheres between the adjacent wiring layers 2.
【００２８】前記保護膜６はＳｉＯ2-X ＮX （０．２５
≦Ｘ≦０．６５）から成り、該ＳｉＯ2-X ＮX （０．２
５≦Ｘ≦０．６５）は配線層２の主導体層５を構成する
金との間でＡｕーＳｉ結合を形成して保護膜６を配線層
２に強固に接合し、同時にＨ2 ＯがＳｉＯ2 膜中を移動
する経路となる膜中の原子、分子サイズの格子欠陥部分
にＮが固着され、Ｈ2 Ｏの移動経路をふさぐために膜中
をＨ2 Ｏ分子が移動し難くなる。そのため配線基板を水
中に浸漬しても保護膜６中にＨ2 Ｏが入り込んで保護膜
６に体積膨張が発生することはなく、これによって配線
層２表面を保護膜６で完全に保護することが可能とな
る。The protective film 6 is made of SiO 2-x N x (0.25
≦ X ≦ 0.65), and the SiO 2-x N x (0.2
5 ≦ X ≦ 0.65) is a protective film 6 firmly bonded to the wiring layer 2 to form a Au over Si bonds between the gold constituting the main conductor layer 5 of the wiring layer 2, at the same time H 2 O made There atoms in the film to be the path for moving the SiO 2 film, N is fixed to a lattice defect portion of the molecular size, difficult to Makuchu to seal of H 2 O movement path to move the H 2 O molecules . Therefore, even if the wiring board is immersed in water, H 2 O does not enter the protective film 6 and the protective film 6 does not expand in volume, thereby completely protecting the surface of the wiring layer 2 with the protective film 6. Becomes possible.
【００２９】前記保護膜６はスパッタリング法によっ
て、具体的にはＮ2 を含有するＡｒ雰囲気中にＳｉＯ2
ターゲットを配置し、次にＳｉＯ2 ターゲットにプラズ
マで励起したＡｒ原子を当ててＳｉＯ2 を飛散させると
ともＮ2 を反応させてＳｉＯ2- X ＮX （０．２５≦Ｘ≦
０．６５）を生成させ、これを絶縁基体１上面に堆積さ
せることによって配線層２の表面を含む絶縁基体１上に
形成される。またＳｉＯ2-X ＮX のＸ値はＡｒ雰囲気中
のＮ2 濃度を可変することによって０．２５〜０．６５
の範囲に可変される。The SiO 2 by the protective film 6 is sputtering in Ar atmosphere specifically containing N 2
The target was placed, then both the shed Ar atoms excited by plasma SiO 2 target to scatter the SiO 2 by reacting N 2 SiO 2- X N X ( 0.25 ≦ X ≦
0.65) is formed on the insulating substrate 1 including the surface of the wiring layer 2 by depositing it on the upper surface of the insulating substrate 1. The X value of SiO 2-x N x can be set to 0.25 to 0.65 by changing the N 2 concentration in the Ar atmosphere.
Range.
【００３０】なお、前記ＳｉＯ2-X ＮX から成る保護膜
６はＸ値が０．２５＞ＸとなるとＮの濃度が低いため
に、Ｈ2 Ｏが保護膜６中を移動する経路となる膜中の原
子、分子サイズの格子欠陥部分をＮの固着で十分にふさ
ぐことができず、その結果、配線基板を水分中に浸漬し
たとき保護膜６に体積膨張が起こって保護膜６が配線層
２より剥離してしまい、またＸ＞０．６５となると保護
膜６の内部応力が高くなり、その応力によって保護膜６
の配線層２に対する被着強度が低下し、保護膜６が配線
層２より剥離し易いものとなってしまう。従って、前記
ＳｉＯ2-X ＮX から成る保護膜６はＸ値が０．２５≦Ｘ
≦０．６５の範囲に特定される。[0030] In order the protective film 6 made of SiO 2-X N X has the low concentration of N when the 0.25> X X value, a path that H 2 O is moving in the protective film 6 Atomic and molecular size lattice defects in the film cannot be sufficiently closed by the fixation of N. As a result, when the wiring substrate is immersed in moisture, the protective film 6 expands in volume, and the protective film 6 becomes unwieldy. When X> 0.65, the internal stress of the protective film 6 increases, and the stress causes the protective film 6 to peel off.
Of the protective layer 6 on the wiring layer 2 is reduced, and the protective film 6 is easily peeled off from the wiring layer 2. Thus, the protective film 6 made of SiO 2-X N X is X values 0.25 ≦ X
It is specified in the range of ≦ 0.65.
【００３１】また前記保護膜６はその厚みが１００ｎｍ
未満であると、保護膜６の電気絶縁性が低下して配線層
２を電気的に保護することが困難となり、また１０００
ｎｍを超えると内部応力が高くなり、その応力によって
保護膜６の配線層２に対する被着強度が低下し、保護膜
６が配線層２より剥離し易いものとなってしまう。従っ
て、前記保護膜６はその厚みを１００ｎｍ乃至１０００
ｎｍの範囲としておくことが好ましい。The protective film 6 has a thickness of 100 nm.
If it is less than 1, the electrical insulation of the protective film 6 decreases, making it difficult to electrically protect the wiring layer 2.
If the thickness exceeds 500 nm, the internal stress increases, and the stress reduces the adhesion strength of the protective film 6 to the wiring layer 2, and the protective film 6 is easily peeled from the wiring layer 2. Therefore, the protective film 6 has a thickness of 100 nm to 1000 nm.
It is preferable to set the range to nm.
【００３２】かくして上述の配線基板によれば、絶縁基
板１上の配線層２に半導体素子やコンデンサ等の電子部
品を半田等を介して接続すれば、各電子部品は配線層２
を介して電気的に接続されることとなる。Thus, according to the above-described wiring board, when electronic components such as semiconductor elements and capacitors are connected to the wiring layer 2 on the insulating substrate 1 via solder or the like, each electronic component is connected to the wiring layer 2.
Are electrically connected to each other.
【００３３】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例では配
線層２を接着層３、中間層４、主導体層５の３層構造か
ら成る薄膜形成技術により形成したもので説明したがこ
れを表面に金層を有する厚膜形成技術により形成したも
のであってもよい。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Although the description has been made with reference to a thin film forming technique having a three-layer structure of the adhesive layer 3, the intermediate layer 4, and the main conductor layer 5, it may be formed by a thick film forming technique having a gold layer on the surface. .
【００３４】（実験例）次に本発明の作用効果を下記に
示す実験例に基づき説明する。まず酸化アルミニウム質
焼結体から成る絶縁基体上に、スパッタリング法によ
り、厚さ１００ｎｍのニッケル・クロム層と、厚さ５０
０ｎｍの金層を順次被着させ、しかる後、フォトリソグ
ラフィー技術によって幅２００μｍ、長さ１０００μｍ
の帯状のパターンに加工し、配線層を形成する。(Experimental Example) Next, the operation and effect of the present invention will be described based on the following experimental examples. First, a 100-nm-thick nickel-chromium layer and a 50-nm-thick layer were formed on an insulating substrate made of an aluminum oxide sintered body by sputtering.
A gold layer of 0 nm is sequentially deposited, and then a width of 200 μm and a length of 1000 μm are formed by photolithography.
To form a wiring layer.
【００３５】次に配線層が形成されている絶縁基体の上
面全体にスパッタリング法により、厚さが５００ｎｍ
で、Ｘ値が表１に示す値のＳｉＯ2-X ＮX から成る保護
膜を被着させ、試料を各々、５００個作成した。次に、
各試料を水中に１０分間浸漬した後、保護膜にテープを
密着強度５５８ｇ／ｃｍ2 で張り付け、しかる後、テー
プを垂直方向に引っ張り、保護膜が剥がれたものの数を
数え、剥がれ率を算出した。Next, the entire upper surface of the insulating base on which the wiring layer is formed is formed to a thickness of 500 nm by sputtering.
In the protective film X value consists SiO 2-X N X values shown in Table 1 were deposited, respectively Samples were prepared 500. next,
After each sample was immersed in water for 10 minutes, a tape was adhered to the protective film at an adhesion strength of 558 g / cm 2 , and then the tape was pulled in the vertical direction to count the number of the peeled protective film and calculate the peeling rate. .
【００３６】その結果を表１に示す。Table 1 shows the results.
【００３７】[0037]
【表１】 [Table 1]
【００３８】表１より明らかなように、ＳｉＯ2-X ＮX
から成る保護膜のＸ値が０．２５≦Ｘ≦０．６５である
と保護膜の剥がれ率が４０％以下となり、特にＸ値を
０．３０≦Ｘ≦０．５０とすると保護膜の剥がれ率が８
％以下の極めて優れたものとなる。As is clear from Table 1, SiO 2-x N x
When the X value of the protective film made of 0.25 ≦ X ≦ 0.65, the peeling rate of the protective film becomes 40% or less. In particular, when the X value is 0.30 ≦ X ≦ 0.50, the peeling of the protective film occurs. Rate 8
% Or less.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、保護膜をＳ
ｉＯ2-X ＮX （０．２５≦Ｘ０．６５）で形成したこと
から、配線層と保護膜との間にＡｕーＳｉ結合ができて
両者は強固に接合する。同時にＨ2 Ｏが保護膜中を移動
する経路となる膜中の原子、分子サイズの格子欠陥部分
にＮが固着され、経路をふさぐために膜中をＨ2 Ｏの分
子が移動し難くなる。そのため配線基板を水中に浸漬し
ても保護膜中にＨ2 Ｏが入り込んで保護膜に体積膨張が
発生することはなく、これによって配線層表面を保護膜
で完全に保護することが可能となる。According to the wiring board of the present invention, the protective film is made of S
Since it is formed of iO 2-x N x (0.25 ≦ X0.65), an Au—Si bond is formed between the wiring layer and the protective film, and the two are firmly joined. At the same time, N is fixed to the lattice defect portion of the atom and molecule size in the film, which becomes a path for H 2 O to move in the protective film, and it becomes difficult for H 2 O molecules to move in the film to block the path. Therefore, even if the wiring substrate is immersed in water, H 2 O does not enter the protective film and the protective film does not undergo volume expansion, whereby the surface of the wiring layer can be completely protected by the protective film. .
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a wiring board of the present invention.
１・・・・絶縁基板 ２・・・・配線層 ６・・・・保護膜 1 ··· Insulating substrate 2 ··· Wiring layer 6 ··· Protective film
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成９年１１月２６日[Submission date] November 26, 1997
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項１[Correction target item name] Claim 1
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１２[Correction target item name] 0012
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基体上
に、表面に金層を有する配線層を形成した配線基板であ
って、前記配線層の表面がＳｉＯ2-X ＮX （０．２５≦
Ｘ≦０．６５）から成る保護膜で被覆されていることを
特徴とするものである。The present invention SUMMARY OF] is on an insulating substrate, a wiring substrate having a wiring layer having a gold layer on the surface, the surface of the wiring layer is SiO 2-X N X (0 . 25 ≦
X ≦ 0.65).
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１４】本発明の配線基板によれば、保護膜をＳｉ
Ｏ2-X ＮX （０．２５≦Ｘ≦０．６５）で形成したこと
から、配線層と保護膜との間にＡｕーＳｉ結合ができて
両者は強固に接合する。同時にＨ2 Ｏが保護膜中を移動
する経路となる膜中の原子、分子サイズの格子欠陥部分
にＮが固着され、経路をふさぐために膜中をＨ2 Ｏの分
子が移動し難くなる。そのため配線基板を水中に浸漬し
ても保護膜中にＨ2 Ｏが入り込んで保護膜に体積膨張が
発生することはなく、これによって配線層表面を保護膜
で完全に保護することが可能となる。According to the wiring substrate of the present invention, the protective film is made of Si.
Since it is formed of O 2−X N x (0.25 ≦ X ≦ 0.65), an Au—Si bond is formed between the wiring layer and the protective film, and both are firmly joined. At the same time, N is fixed to the lattice defect portion of the atom and molecule size in the film, which becomes a path for H 2 O to move in the protective film, and it becomes difficult for H 2 O molecules to move in the film to block the path. Therefore, even if the wiring substrate is immersed in water, H 2 O does not enter the protective film and the protective film does not undergo volume expansion, whereby the surface of the wiring layer can be completely protected by the protective film. .
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００３９[Correction target item name] 0039
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、保護膜をＳ
ｉＯ2-X ＮX （０．２５≦Ｘ≦０．６５）で形成したこ
とから、配線層と保護膜との間にＡｕーＳｉ結合ができ
て両者は強固に接合する。同時にＨ2 Ｏが保護膜中を移
動する経路となる膜中の原子、分子サイズの格子欠陥部
分にＮが固着され、経路をふさぐために膜中をＨ2 Ｏの
分子が移動し難くなる。そのため配線基板を水中に浸漬
しても保護膜中にＨ2 Ｏが入り込んで保護膜に体積膨張
が発生することはなく、これによって配線層表面を保護
膜で完全に保護することが可能となる。According to the wiring board of the present invention, the protective film is made of S
Since it is formed of iO 2-x N x (0.25 ≦ X ≦ 0.65), an Au—Si bond is formed between the wiring layer and the protective film, and the two are firmly joined. At the same time, N is fixed to the lattice defect portion of the atom and molecule size in the film, which becomes a path for H 2 O to move in the protective film, and it becomes difficult for H 2 O molecules to move in the film to block the path. Therefore, even if the wiring substrate is immersed in water, H 2 O does not enter the protective film and the protective film does not undergo volume expansion, whereby the surface of the wiring layer can be completely protected by the protective film. .
Claims (2)
を形成した配線基板であって、前記配線層の表面がＳｉ
Ｏ2-X ＮX （０．２５≦Ｘ０．６５）から成る保護膜で
被覆されていることを特徴とする配線基板。1. A wiring board having a wiring layer having a gold layer formed on a surface thereof on an insulating substrate, wherein the surface of the wiring layer is made of Si.
O 2-X N X wiring board, characterized in that it is coated with a protective layer made of (0.25 ≦ X0.65).
ｍであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。2. The protective film has a thickness of 100 to 1000 n.
2. The wiring board according to claim 1, wherein m is m.
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|---|---|---|---|
| JP31702097A JP3677381B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Wiring board |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP31702097A JP3677381B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Wiring board |
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| Publication Number | Publication Date |
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|---|---|---|---|
| JP31702097A Expired - Fee Related JP3677381B2 (en) | 1997-11-18 | 1997-11-18 | Wiring board |
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|---|---|
| JP (1) | JP3677381B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087508A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP31702097A patent/JP3677381B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087508A (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Ibiden Co Ltd | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board |
| US8362367B2 (en) | 2008-09-29 | 2013-01-29 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3677381B2 (en) | 2005-07-27 |
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