JPH1115012A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法Info
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- JPH1115012A JPH1115012A JP16174597A JP16174597A JPH1115012A JP H1115012 A JPH1115012 A JP H1115012A JP 16174597 A JP16174597 A JP 16174597A JP 16174597 A JP16174597 A JP 16174597A JP H1115012 A JPH1115012 A JP H1115012A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
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- Mathematical Physics (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】積層型液晶表示装置で視差ずれの少ない、高画
質、高精細な液晶表示装置を歩留りよく形成することを
目的とする。 【解決手段】液晶層が３層以上あり、液晶層の間の隔壁
となる基板を有した構造において、液晶層を挟んだ２つ
の基板の一方には非線形素子が基板の中間液晶層側に設
けられ、他方の基板の中間液晶層側と反対側には非線形
素子が設けられていないことを特徴とする。
質、高精細な液晶表示装置を歩留りよく形成することを
目的とする。 【解決手段】液晶層が３層以上あり、液晶層の間の隔壁
となる基板を有した構造において、液晶層を挟んだ２つ
の基板の一方には非線形素子が基板の中間液晶層側に設
けられ、他方の基板の中間液晶層側と反対側には非線形
素子が設けられていないことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の表示セルを
積層した表示装置及びその製造方法に関する。
積層した表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイは、薄型で低消費電力
であり、ノート型パソコンなどに広く用いられている。
特に消費電力が小さいことが他のＣＲＴ、プラズマディ
スプレイなどのディスプレイと比べて優れた特徴であ
り、今後は携帯情報機器への応用が期待されている。携
帯機器の場合、ディスプレイの消費電力が５００ｍＷ以
下、できれば数ｍＷと小さいことが望ましい。この要求
に対して、従来はＴＮ型液晶の単純マトリクス型でバッ
クライトが不要で消費電力の小さい反射型を用いてき
た。しかし、ＴＮ型では偏光板が必要であり反射率が３
０％程度と暗いこと、単純マトリクス型では画素数を増
やすとコントラストが下がりさらに見にくくなる等の問
題がある。そこで、液晶表示に偏光板を用いないＰＣＧ
Ｈ（相変化ゲストホスト型）モードを用いてアクティブ
マトリクスによる駆動を行うことにより、反射率が高
く、コントラストも高い表示を得ることが試みられてい
る。一方、反射型液晶表示装置で、カラー表示を実現す
るには、印加電圧により反射波長が異なるＥＣＢ方式が
あるが、表示可能な色範囲が狭い問題がある。色再現性
を上げるために、ＲＧＢカラーフィルタを平面的に配置
して用いて液晶を光学的なスイッチにする方式がある。
であり、ノート型パソコンなどに広く用いられている。
特に消費電力が小さいことが他のＣＲＴ、プラズマディ
スプレイなどのディスプレイと比べて優れた特徴であ
り、今後は携帯情報機器への応用が期待されている。携
帯機器の場合、ディスプレイの消費電力が５００ｍＷ以
下、できれば数ｍＷと小さいことが望ましい。この要求
に対して、従来はＴＮ型液晶の単純マトリクス型でバッ
クライトが不要で消費電力の小さい反射型を用いてき
た。しかし、ＴＮ型では偏光板が必要であり反射率が３
０％程度と暗いこと、単純マトリクス型では画素数を増
やすとコントラストが下がりさらに見にくくなる等の問
題がある。そこで、液晶表示に偏光板を用いないＰＣＧ
Ｈ（相変化ゲストホスト型）モードを用いてアクティブ
マトリクスによる駆動を行うことにより、反射率が高
く、コントラストも高い表示を得ることが試みられてい
る。一方、反射型液晶表示装置で、カラー表示を実現す
るには、印加電圧により反射波長が異なるＥＣＢ方式が
あるが、表示可能な色範囲が狭い問題がある。色再現性
を上げるために、ＲＧＢカラーフィルタを平面的に配置
して用いて液晶を光学的なスイッチにする方式がある。
【０００３】図１２にこの方式による従来例の構成を示
す。アレイ基板１３１上には反射型電極１３３が形成さ
れており、これをＴＦＴ１３７によって電圧を印加でき
る様になっている。このアレイ基板１３１とゲストホス
ト液晶１３４を介して対向基板１３２が設置されてお
り、その基板１３２表面にはゲストホスト液晶１３４に
電圧を印加するためのＩＴＯの対向電極１３５とカラー
フィルター１３６が形成されている。
す。アレイ基板１３１上には反射型電極１３３が形成さ
れており、これをＴＦＴ１３７によって電圧を印加でき
る様になっている。このアレイ基板１３１とゲストホス
ト液晶１３４を介して対向基板１３２が設置されてお
り、その基板１３２表面にはゲストホスト液晶１３４に
電圧を印加するためのＩＴＯの対向電極１３５とカラー
フィルター１３６が形成されている。
【０００４】この液晶表示装置は、原理的にはフルカラ
ーが表示できるが、並置混色であるため３原色が１／３
の面積でしか反射せず、光の利用効率が悪く暗い画面し
かできない問題があった。光利用効率を向上するために
シアン・マゼンタ・イエローの３層構造で減法混色とす
ればよいことは知られているが、画素ごとに３層に電圧
を印加して液晶を駆動するには各液晶層に独立して電圧
を印加する必要から電極構造等が複雑で形成方法等が難
しくコストアップとなり、また視差が発生する問題があ
った。
ーが表示できるが、並置混色であるため３原色が１／３
の面積でしか反射せず、光の利用効率が悪く暗い画面し
かできない問題があった。光利用効率を向上するために
シアン・マゼンタ・イエローの３層構造で減法混色とす
ればよいことは知られているが、画素ごとに３層に電圧
を印加して液晶を駆動するには各液晶層に独立して電圧
を印加する必要から電極構造等が複雑で形成方法等が難
しくコストアップとなり、また視差が発生する問題があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置
は、並置混色であるため光の利用効率が悪く暗いと言う
問題があった。また、シアン・マゼンタ・イエローの３
層構造で減法混色するものでは、その複雑な構造に起因
して視差等が発生する問題があった。
は、並置混色であるため光の利用効率が悪く暗いと言う
問題があった。また、シアン・マゼンタ・イエローの３
層構造で減法混色するものでは、その複雑な構造に起因
して視差等が発生する問題があった。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、液晶層を多層にする際に基板の厚さが厚いことに
よる視差が発生して見にくくなることおよび高精細にで
きないことを解消し、高画質な液晶表示装置を実現する
ことを目的とする。
ので、液晶層を多層にする際に基板の厚さが厚いことに
よる視差が発生して見にくくなることおよび高精細にで
きないことを解消し、高画質な液晶表示装置を実現する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の表示装置は、画素電極及びこの画素電極
に電圧を印加する非線形素子を表面に形成したアレイ基
板、表面に対向電極を形成した対向基板、及び前記アレ
イ基板と前記対向基板間に挟持され前記アレイ基板と前
記対向基板間の電位変動によって光の透過量或いは発光
量が制御される媒体とを有するセルを複数枚重ねた表示
装置において、最も外側の前記アレイ基板或いは対向基
板が中間の前記アレイ基板或いは対向基板よりも厚いこ
とを特徴とする。
に、請求項１の表示装置は、画素電極及びこの画素電極
に電圧を印加する非線形素子を表面に形成したアレイ基
板、表面に対向電極を形成した対向基板、及び前記アレ
イ基板と前記対向基板間に挟持され前記アレイ基板と前
記対向基板間の電位変動によって光の透過量或いは発光
量が制御される媒体とを有するセルを複数枚重ねた表示
装置において、最も外側の前記アレイ基板或いは対向基
板が中間の前記アレイ基板或いは対向基板よりも厚いこ
とを特徴とする。
【０００８】請求項２の表示装置は、請求項１におい
て、前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基板の前記
画素電極が重なっていることを特徴とする。請求項３の
表示装置は、画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置において、最も外側の前記アレイ基板或いは対向基板
が中間の前記アレイ基板或いは対向基板よりも厚いこと
を特徴とする。
て、前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基板の前記
画素電極が重なっていることを特徴とする。請求項３の
表示装置は、画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置において、最も外側の前記アレイ基板或いは対向基板
が中間の前記アレイ基板或いは対向基板よりも厚いこと
を特徴とする。
【０００９】請求項４の表示装置は、請求項３におい
て、前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基板の前記
画素電極が重なっていることを特徴とする。請求項５の
表示装置は、請求項３において、最も外側の前記液晶セ
ルの前記対向基板が中間の前記液晶セルの前記アレイ基
板或いは対向基板を兼ねることを特徴とする。
て、前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基板の前記
画素電極が重なっていることを特徴とする。請求項５の
表示装置は、請求項３において、最も外側の前記液晶セ
ルの前記対向基板が中間の前記液晶セルの前記アレイ基
板或いは対向基板を兼ねることを特徴とする。
【００１０】請求項６の表示装置は、請求項５におい
て、中間の前記対向基板は、この対向基板の上下の前記
液晶セルの前記対向基板を兼ねることを特徴とする。請
求項７の表示装置は、請求項３において、中間の前記液
晶セルは、前記アレイ基板と前記対向基板が前記アレイ
基板上の前記非線形素子上に形成された接着部で接続さ
れていることを特徴とする。
て、中間の前記対向基板は、この対向基板の上下の前記
液晶セルの前記対向基板を兼ねることを特徴とする。請
求項７の表示装置は、請求項３において、中間の前記液
晶セルは、前記アレイ基板と前記対向基板が前記アレイ
基板上の前記非線形素子上に形成された接着部で接続さ
れていることを特徴とする。
【００１１】請求項８の表示装置は、請求項３におい
て、最も外側の前記アレイ基板に近接して半透過層の反
射板を設けたことを特徴とする。請求項９の表示装置の
製造方法は、画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置を製造するに際し、前記アレイ基板の前記画素電極側
と前記対向基板の前記対向電極側を対向させて前記アレ
イ基板と前記対向基板を貼り合わせる第１の貼り合わせ
工程と、この後前記アレイ基板或いは前記対向基板の表
面を削って薄くする研磨工程と、薄くした前記アレイ基
板或いは前記対向基板に別の前記アレイ基板或いは前記
対向基板を対向して貼り付ける第２の貼り合わせ工程と
を具備することを特徴とする。
て、最も外側の前記アレイ基板に近接して半透過層の反
射板を設けたことを特徴とする。請求項９の表示装置の
製造方法は、画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置を製造するに際し、前記アレイ基板の前記画素電極側
と前記対向基板の前記対向電極側を対向させて前記アレ
イ基板と前記対向基板を貼り合わせる第１の貼り合わせ
工程と、この後前記アレイ基板或いは前記対向基板の表
面を削って薄くする研磨工程と、薄くした前記アレイ基
板或いは前記対向基板に別の前記アレイ基板或いは前記
対向基板を対向して貼り付ける第２の貼り合わせ工程と
を具備することを特徴とする。
【００１２】請求項１０の表示装置の製造方法は、請求
項８において、前記研磨工程を行うに際し、前記第１の
貼り合わせ工程で貼り合わせた前記アレイ基板と前記対
向基板の側面を予めカバーで覆っておくことを特徴とす
る。
項８において、前記研磨工程を行うに際し、前記第１の
貼り合わせ工程で貼り合わせた前記アレイ基板と前記対
向基板の側面を予めカバーで覆っておくことを特徴とす
る。
【００１３】ここで、非線形素子とはトランジスタ、ダ
イオード、微小真空管等の能動素子の他に非線形抵抗素
子（メタル- 絶縁膜−メタル構造、トンネルダイオード
など）やこれらを複合化した素子（back-to-backダイオ
ードなど）を挙げる事ができる。また、非線型素子によ
って光の透過量が制御される媒体として液晶等を挙げる
事ができる。また発光量が制御される媒体としてはフィ
ールドエミッション型表示装置における蛍光体を挙げる
ことができる。
イオード、微小真空管等の能動素子の他に非線形抵抗素
子（メタル- 絶縁膜−メタル構造、トンネルダイオード
など）やこれらを複合化した素子（back-to-backダイオ
ードなど）を挙げる事ができる。また、非線型素子によ
って光の透過量が制御される媒体として液晶等を挙げる
事ができる。また発光量が制御される媒体としてはフィ
ールドエミッション型表示装置における蛍光体を挙げる
ことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明では、表示を司る媒体例え
ば液晶層、蛍光体層等が３層以上重なっており、液晶
（表示）層の間の隔壁となる基板を有した構造におい
て、液晶（表示）層を挟んだ２つの基板の一方には非線
形素子が基板の中間液晶（表示）層側に設けられ、他方
の基板の中間液晶（表示）層側と反対側には非線形素子
が設けられていないことを骨子とする。この際、特に中
間の液晶層をはさむ基板同士は周辺部の他にセル内部で
接合されている。
ば液晶層、蛍光体層等が３層以上重なっており、液晶
（表示）層の間の隔壁となる基板を有した構造におい
て、液晶（表示）層を挟んだ２つの基板の一方には非線
形素子が基板の中間液晶（表示）層側に設けられ、他方
の基板の中間液晶（表示）層側と反対側には非線形素子
が設けられていないことを骨子とする。この際、特に中
間の液晶層をはさむ基板同士は周辺部の他にセル内部で
接合されている。
【００１５】さらに、非線形素子が設けられた基板とこ
れに対向する基板を貼りあわせる工程と、その基板対の
少なくとも１面を削って基板を薄くする工程と、貼りあ
わせた基板対の少なくとも一方の面に別の非線形素子を
設けた基板を対向させる工程を具備したことを製造方法
の骨子とする。本発明によれば、液晶層などの媒体を有
するセルを多層にする際に、中間の隔壁となる基板、特
に非線形素子を設けた基板の厚さを薄くでき、視差のな
い表示が得られる。さらに基板を薄くしても製造しやす
く、壊れにくい構造を得ることができる。
れに対向する基板を貼りあわせる工程と、その基板対の
少なくとも１面を削って基板を薄くする工程と、貼りあ
わせた基板対の少なくとも一方の面に別の非線形素子を
設けた基板を対向させる工程を具備したことを製造方法
の骨子とする。本発明によれば、液晶層などの媒体を有
するセルを多層にする際に、中間の隔壁となる基板、特
に非線形素子を設けた基板の厚さを薄くでき、視差のな
い表示が得られる。さらに基板を薄くしても製造しやす
く、壊れにくい構造を得ることができる。
【００１６】以下、本発明の詳細を実施例に基づいて説
明する。 （実施例１）図１に本発明の実施例１に係る液晶表示装
置の断面図を示す。図２に本実施例の製造工程を示す。
以下、図２に沿って製造工程を説明する。ガラスあるい
はプラスチック等の基板２６にＴＦＴ８等の非線形素子
および画素電極９を一対で２次元配列したマトリクス状
に形成する。図では通常の液晶表示装置で具備する配
線、補助容量などを省略し、ＴＦＴ８と画素電極９のみ
で構造物を代表させた。このとき、非線形素子を形成す
るのにマスクズレ等の問題の生じない十分な厚さの基板
を用いることができる。ここでは1.1mm 厚を用いた。ア
レイの作成にはゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、
ソース、 ドレイン電極、走査線、信号線等を成膜、パタ
ーニングするが、特にゲート絶縁膜や半導体膜の形成に
はＣＶＤ法など２００〜３５０℃程度の熱工程を通り、
また膜の形成で基板に応力がかかり、基板が反ったり、
伸縮したりするために基板の厚さは薄くすると基板搬送
が出来なくなったり、パターン合せの精度が低下した
り、基板が破損したりする問題があってこれを解消する
ためにガラス基板であれば ０．５ｍｍ〜 ３ｍｍの厚
さが必要となる。ＴＦＴのチャネル形成領域に使用する
半導体層はアモルファスシリコン、多結晶シリコン、な
どが利用でき、ゲート電極、ソース・ドレイン電極等に
はＭｏＷ，Ｔａ，Ｃｒ，Ａｌ、Ｃｕ等やこれらの合金、
積層膜などを用いることができる。ＴＦＴ以外にＭＩ
Ｍ、強誘電体などの２端子非線形素子でもよく、製造方
法も限定されることはない。その他、基板２６とＴＦＴ
８の間にアンダーコート層を設けたり、画素電極９をＴ
ＦＴ８、配線等の上に設けた絶縁膜の上に設けて開口率
を上げる構造やＴＦＴ８上や画素電極９周囲に遮光層を
設けた構造などを用いることもできる。この様なアレイ
基板は後述する最上或いは最下に位置するの別のＴＦＴ
基板でも同様である。この基板に対向させたガラスある
いはプラスチック等の基板２７を貼りあわせる。
明する。 （実施例１）図１に本発明の実施例１に係る液晶表示装
置の断面図を示す。図２に本実施例の製造工程を示す。
以下、図２に沿って製造工程を説明する。ガラスあるい
はプラスチック等の基板２６にＴＦＴ８等の非線形素子
および画素電極９を一対で２次元配列したマトリクス状
に形成する。図では通常の液晶表示装置で具備する配
線、補助容量などを省略し、ＴＦＴ８と画素電極９のみ
で構造物を代表させた。このとき、非線形素子を形成す
るのにマスクズレ等の問題の生じない十分な厚さの基板
を用いることができる。ここでは1.1mm 厚を用いた。ア
レイの作成にはゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、
ソース、 ドレイン電極、走査線、信号線等を成膜、パタ
ーニングするが、特にゲート絶縁膜や半導体膜の形成に
はＣＶＤ法など２００〜３５０℃程度の熱工程を通り、
また膜の形成で基板に応力がかかり、基板が反ったり、
伸縮したりするために基板の厚さは薄くすると基板搬送
が出来なくなったり、パターン合せの精度が低下した
り、基板が破損したりする問題があってこれを解消する
ためにガラス基板であれば ０．５ｍｍ〜 ３ｍｍの厚
さが必要となる。ＴＦＴのチャネル形成領域に使用する
半導体層はアモルファスシリコン、多結晶シリコン、な
どが利用でき、ゲート電極、ソース・ドレイン電極等に
はＭｏＷ，Ｔａ，Ｃｒ，Ａｌ、Ｃｕ等やこれらの合金、
積層膜などを用いることができる。ＴＦＴ以外にＭＩ
Ｍ、強誘電体などの２端子非線形素子でもよく、製造方
法も限定されることはない。その他、基板２６とＴＦＴ
８の間にアンダーコート層を設けたり、画素電極９をＴ
ＦＴ８、配線等の上に設けた絶縁膜の上に設けて開口率
を上げる構造やＴＦＴ８上や画素電極９周囲に遮光層を
設けた構造などを用いることもできる。この様なアレイ
基板は後述する最上或いは最下に位置するの別のＴＦＴ
基板でも同様である。この基板に対向させたガラスある
いはプラスチック等の基板２７を貼りあわせる。
【００１７】対向基板２７の表面にはＩＴＯなどの透明
導電膜１０が設けられている。貼りあわせには基板２７
の周辺部に接着剤からなるシール剤２２を印刷法、ディ
スペンス法などで形成し、基板間のギャップを決めるス
ペーサ（図示せず）を散布してから重ね合せて温度を上
げて接着し組み立てた。スペーサとしてはこのようにセ
ル組み立ての際に散布する方法の他に、一方、あるいは
両方の基板に所定の高さの突起を設けてこれをギャップ
を決めるスペーサとすることができる。なお、対向電極
の導通を得るために対向電極と非線形素子の基板の間に
銀ペーストなどによるトランスファー電極（図示せず）
を形成している。１９はＴＦＴ８に接続した外部接続電
極である（図２（ａ））。
導電膜１０が設けられている。貼りあわせには基板２７
の周辺部に接着剤からなるシール剤２２を印刷法、ディ
スペンス法などで形成し、基板間のギャップを決めるス
ペーサ（図示せず）を散布してから重ね合せて温度を上
げて接着し組み立てた。スペーサとしてはこのようにセ
ル組み立ての際に散布する方法の他に、一方、あるいは
両方の基板に所定の高さの突起を設けてこれをギャップ
を決めるスペーサとすることができる。なお、対向電極
の導通を得るために対向電極と非線形素子の基板の間に
銀ペーストなどによるトランスファー電極（図示せず）
を形成している。１９はＴＦＴ８に接続した外部接続電
極である（図２（ａ））。
【００１８】次に液晶１１を注入して注入口を紫外線硬
化樹脂（図示せず）で封止した。液晶はゲストホスト型
でシアン色素を入れている。液晶としてはマイクロカプ
セル状のものでもよく、ＰＤＬＣや反強誘電性液晶、コ
レステリック液晶、ホログラフィックＰＤＬＣなどでも
よく、注入せずに塗布や紫外線硬化などの手法で形成す
ることもできる（図２（ｂ））。
化樹脂（図示せず）で封止した。液晶はゲストホスト型
でシアン色素を入れている。液晶としてはマイクロカプ
セル状のものでもよく、ＰＤＬＣや反強誘電性液晶、コ
レステリック液晶、ホログラフィックＰＤＬＣなどでも
よく、注入せずに塗布や紫外線硬化などの手法で形成す
ることもできる（図２（ｂ））。
【００１９】その後、外部接続電極１９等の基板研磨工
程における保護膜としてのカバー２０１をノボラック樹
脂、アクリル樹脂、ＰＶＣ（塩化ビニール）、ＰＥＴな
ど、で形成する。本実施例ではフォトレジストと同じ樹
脂を塗布して８０℃で加熱して溶剤を飛ばした。材料は
他の樹脂でもよく、フィルムを貼ることでもよい。続い
て、セルの両面を研磨した。機械研磨によるもので１．
１ｍｍ厚から荒く０．５ｍｍまで削り、その後０．２ｍ
ｍまで精密研磨した。研磨の方法は、この他にエッチン
グ液を用いて化学研磨で行うことも出来る。また、化学
研磨後に機械研磨を行うなど、両者の併用も可能であ
る。化学研磨の場合、ガラス基板ではふっ酸を用い、流
速や濃度を制御して均一に研磨できる。化学研磨で０．
１ｍｍまで研磨した場合でも、基板が2 枚貼り合わせて
あることから、機械強度は一枚で２倍の厚さを持ったも
のよりも強くなっており、工程を進めることが可能であ
る（図２（ｃ））。
程における保護膜としてのカバー２０１をノボラック樹
脂、アクリル樹脂、ＰＶＣ（塩化ビニール）、ＰＥＴな
ど、で形成する。本実施例ではフォトレジストと同じ樹
脂を塗布して８０℃で加熱して溶剤を飛ばした。材料は
他の樹脂でもよく、フィルムを貼ることでもよい。続い
て、セルの両面を研磨した。機械研磨によるもので１．
１ｍｍ厚から荒く０．５ｍｍまで削り、その後０．２ｍ
ｍまで精密研磨した。研磨の方法は、この他にエッチン
グ液を用いて化学研磨で行うことも出来る。また、化学
研磨後に機械研磨を行うなど、両者の併用も可能であ
る。化学研磨の場合、ガラス基板ではふっ酸を用い、流
速や濃度を制御して均一に研磨できる。化学研磨で０．
１ｍｍまで研磨した場合でも、基板が2 枚貼り合わせて
あることから、機械強度は一枚で２倍の厚さを持ったも
のよりも強くなっており、工程を進めることが可能であ
る（図２（ｃ））。
【００２０】この後に、セルの両面に対向電極４、１５
をＩＴＯで形成する。なお、図２（ｃ）では研磨前の基
板寸法が最終寸法と一致しているが、研磨前は最終寸法
よりも大きな基板とし、研磨後にスクライブ、ブレーク
により所定の大きさに切出すようにすることも可能であ
る。その場合はカバーのフィルムを研磨面側まで折り返
すことが出来るため特に化学研磨の際の作業性が向上す
る。また、周辺に厚さの厚い領域ができるため、強度が
より向上する。対向電極４、１５を形成後に切出すよう
にすることもできる（図２（ｄ））。
をＩＴＯで形成する。なお、図２（ｃ）では研磨前の基
板寸法が最終寸法と一致しているが、研磨前は最終寸法
よりも大きな基板とし、研磨後にスクライブ、ブレーク
により所定の大きさに切出すようにすることも可能であ
る。その場合はカバーのフィルムを研磨面側まで折り返
すことが出来るため特に化学研磨の際の作業性が向上す
る。また、周辺に厚さの厚い領域ができるため、強度が
より向上する。対向電極４、１５を形成後に切出すよう
にすることもできる（図２（ｄ））。
【００２１】この後に、アレイ基板１、１２を中間のセ
ルを挟むように組み立てる。アレイ基板１はＴＦＴ２，
画素電極３等が設けられているが、画素電極３は反射板
を兼ねている。具体的には層間絶縁膜１７をアクリル樹
脂、ポリイミド、ＢＣＢなどで形成し、さらにその表面
に適当な凹凸を形成してから、Ａｌなどの金属をスパッ
タ法などで堆積して画素電極３をパターニングして形成
する。層間絶縁膜１７には図示されていないスルーホー
ルがあってＴＦＴ２のドレイン電極と画素電極３が接続
している。画素電極３はＴＦＴ２や配線などの上を覆っ
て広い開口率を得ている。一方、アレイ基板１２のＴＦ
Ｔ１３、画素電極１４は基板６上のものと基本的には同
一で良い。尚、ＴＦＴ８の上には黒色レジスト（黒色顔
料を分散させたアクリル樹脂など）などの遮光層（図示
せず）を形成している（図２（ｅ））。
ルを挟むように組み立てる。アレイ基板１はＴＦＴ２，
画素電極３等が設けられているが、画素電極３は反射板
を兼ねている。具体的には層間絶縁膜１７をアクリル樹
脂、ポリイミド、ＢＣＢなどで形成し、さらにその表面
に適当な凹凸を形成してから、Ａｌなどの金属をスパッ
タ法などで堆積して画素電極３をパターニングして形成
する。層間絶縁膜１７には図示されていないスルーホー
ルがあってＴＦＴ２のドレイン電極と画素電極３が接続
している。画素電極３はＴＦＴ２や配線などの上を覆っ
て広い開口率を得ている。一方、アレイ基板１２のＴＦ
Ｔ１３、画素電極１４は基板６上のものと基本的には同
一で良い。尚、ＴＦＴ８の上には黒色レジスト（黒色顔
料を分散させたアクリル樹脂など）などの遮光層（図示
せず）を形成している（図２（ｅ））。
【００２２】この後に液晶層５、１６を注入して完成す
る。液晶層１６はマゼンタ、液晶層５はイエローとし
た。なお、シール部２１で基板６の外部配線電極１９の
下にもシールを設けることにより、電極１９にＡＣＦで
熱圧着してフレキ配線やＴＡＢＩＣなどを接続する際に
強化されるのでよい。なお、液晶セルには配向膜を設け
ることは当然行われる。本実施例では垂直配向膜を設
け、透過状態での透過率を改善するために液晶分子の垂
直方向配向時の界面での垂直配向度を向上し、かつ吸収
状態での吸収率を改善しながらヒステリシスが出ないよ
うにする、との効果を得るためにネガ型の液晶とカイラ
ル材を入れて電圧印加時のセルギャップｄと螺旋ピッチ
ｐの比、ｄ／ｐを０．５〜０．８としている（図３）。
る。液晶層１６はマゼンタ、液晶層５はイエローとし
た。なお、シール部２１で基板６の外部配線電極１９の
下にもシールを設けることにより、電極１９にＡＣＦで
熱圧着してフレキ配線やＴＡＢＩＣなどを接続する際に
強化されるのでよい。なお、液晶セルには配向膜を設け
ることは当然行われる。本実施例では垂直配向膜を設
け、透過状態での透過率を改善するために液晶分子の垂
直方向配向時の界面での垂直配向度を向上し、かつ吸収
状態での吸収率を改善しながらヒステリシスが出ないよ
うにする、との効果を得るためにネガ型の液晶とカイラ
ル材を入れて電圧印加時のセルギャップｄと螺旋ピッチ
ｐの比、ｄ／ｐを０．５〜０．８としている（図３）。
【００２３】以上の工程で、中間の液晶層１１を注入し
てから研磨工程に進めたが、注入せずに３層セルを組み
立てた後に注入することも可能である。このようにして
得られた３層液晶セルは、中間基板となる基板６、７が
０．２ｍｍ〜０．１ｍｍと薄くすることができ、画素ピ
ッチが０．１ｍｍ 〜０．３ｍｍの場合でも視差ずれが
視認されないか気にならないレベルとなり、高画質な反
射型カラー液晶表示装置を得ることができた。特に画素
ピッチが細かい場合に有効であった。
てから研磨工程に進めたが、注入せずに３層セルを組み
立てた後に注入することも可能である。このようにして
得られた３層液晶セルは、中間基板となる基板６、７が
０．２ｍｍ〜０．１ｍｍと薄くすることができ、画素ピ
ッチが０．１ｍｍ 〜０．３ｍｍの場合でも視差ずれが
視認されないか気にならないレベルとなり、高画質な反
射型カラー液晶表示装置を得ることができた。特に画素
ピッチが細かい場合に有効であった。
【００２４】また、図１〜３の実施例１の場合、アレイ
基板上から見て（図の紙面上側或いは下側から見るこ
と）、ＴＦＴが下向き、中間基板でＴＦＴが上向きとな
り、それぞれ配線、画素等のパターンが異なり、また反
射電極のある基板１も別のパターンとなりパターンがず
れた（あるいは回転した）場合のモアレの見え方が問題
になるが、画素電極が重なるためモアレの見え方が軽減
できる効果がある。さらに、図４に示すように基板６に
設けた遮光層４０１を画素周辺の配線上にも形成するこ
とで表面反射が小さくなり、基板１２と基板６のパター
ンの間のモアレ、基板６と基板１の間のモアレをほぼな
くすことができ、同時に基板１と基板１２のパターンの
間を斜光することになって両者の間のモアレも発生しな
いようにできるが、基板６、７の厚さが薄くすることで
斜光層の幅が小さくできて画面の明るさを明るくでき
る。したがって高画質な反射型液晶表示装置を実現でき
る。液晶層５、１１、１６は各層ごとにさらに２層に分
けてそれぞれ配向を変えることもできる。その場合、２
層に分ける境界には１〜２０μm の有機樹脂等を用い、
２層の吸収状態での配向を直交させる、あるいは逆方向
に捻じることで１層目で吸収されなかった光（偏光）を
２層目で吸収させることができる。このようにすること
で吸収効率が向上し、色素の濃度が低くて透過状態での
透過率が高く、かつコントラスト比が高く出来ることか
ら反射型として高コントラスト、高反射率で視差ずれの
ない高精細のＬＣＤが実現できる。
基板上から見て（図の紙面上側或いは下側から見るこ
と）、ＴＦＴが下向き、中間基板でＴＦＴが上向きとな
り、それぞれ配線、画素等のパターンが異なり、また反
射電極のある基板１も別のパターンとなりパターンがず
れた（あるいは回転した）場合のモアレの見え方が問題
になるが、画素電極が重なるためモアレの見え方が軽減
できる効果がある。さらに、図４に示すように基板６に
設けた遮光層４０１を画素周辺の配線上にも形成するこ
とで表面反射が小さくなり、基板１２と基板６のパター
ンの間のモアレ、基板６と基板１の間のモアレをほぼな
くすことができ、同時に基板１と基板１２のパターンの
間を斜光することになって両者の間のモアレも発生しな
いようにできるが、基板６、７の厚さが薄くすることで
斜光層の幅が小さくできて画面の明るさを明るくでき
る。したがって高画質な反射型液晶表示装置を実現でき
る。液晶層５、１１、１６は各層ごとにさらに２層に分
けてそれぞれ配向を変えることもできる。その場合、２
層に分ける境界には１〜２０μm の有機樹脂等を用い、
２層の吸収状態での配向を直交させる、あるいは逆方向
に捻じることで１層目で吸収されなかった光（偏光）を
２層目で吸収させることができる。このようにすること
で吸収効率が向上し、色素の濃度が低くて透過状態での
透過率が高く、かつコントラスト比が高く出来ることか
ら反射型として高コントラスト、高反射率で視差ずれの
ない高精細のＬＣＤが実現できる。
【００２５】（実施例２）図５に本実施例の実施例２に
係る液晶表示装置を示す。実施例１との差違は図１にお
けるの中間基板のＴＦＴの向きが異なっている点であ
る。その他の点は実施例１と同一である。その他は実施
例１と同一である。以下の実施例の説明は、実施例１と
同一部分は同一番号を付しその詳細を省略する。また、
実施例１と同一製造工程の詳細な説明も省略する。基板
１２と同じ向きのＴＦＴアレイとなっている。これによ
り、実施例１と同一の効果を奏することに加え、基板６
と基板１２のパターンを同一にすることができ、生産性
が向上する効果がある。
係る液晶表示装置を示す。実施例１との差違は図１にお
けるの中間基板のＴＦＴの向きが異なっている点であ
る。その他の点は実施例１と同一である。その他は実施
例１と同一である。以下の実施例の説明は、実施例１と
同一部分は同一番号を付しその詳細を省略する。また、
実施例１と同一製造工程の詳細な説明も省略する。基板
１２と同じ向きのＴＦＴアレイとなっている。これによ
り、実施例１と同一の効果を奏することに加え、基板６
と基板１２のパターンを同一にすることができ、生産性
が向上する効果がある。
【００２６】（実施例３）図６に実施例３を示す。実施
例１と異なる点は、中央のセル内部に基板６、７の間の
距離を固定する接着部３０１があることで、その他の点
については実施例１と同一である。
例１と異なる点は、中央のセル内部に基板６、７の間の
距離を固定する接着部３０１があることで、その他の点
については実施例１と同一である。
【００２７】図６に示すごとく、各画素に（図ではＴＦ
Ｔ上に）接着部３０１を設けた。以上の実施例３の構成
によって、実施例１と同一の効果を奏することに加え、
セルの強度が向上し研磨時の基板の変形量を少なくでき
るために基板６、７の厚さを例えば０．１ｍｍ以下に実
施例１と比べてより薄くできるようになった。接着部は
熱硬化、紫外線硬化樹脂等で形成できる。また、表面に
接着層を設けたスペーサとしてもよい。接着部は数画素
ごとに設けてもよい。
Ｔ上に）接着部３０１を設けた。以上の実施例３の構成
によって、実施例１と同一の効果を奏することに加え、
セルの強度が向上し研磨時の基板の変形量を少なくでき
るために基板６、７の厚さを例えば０．１ｍｍ以下に実
施例１と比べてより薄くできるようになった。接着部は
熱硬化、紫外線硬化樹脂等で形成できる。また、表面に
接着層を設けたスペーサとしてもよい。接着部は数画素
ごとに設けてもよい。
【００２８】（実施例４）図７（ａ）、図７（ｂ）は実
施例４を示す。本実施例が実施例１と異なる点は、図２
のプロセスで積層セルを作成した後、図７（ｂ）に示す
ごとくさらに基板を研磨することである。保護部４０１
は樹脂やフィルムなどで形成され、基板４０２ａの裏面
を研磨することで薄いアレイ基板４０２ｂを得た。基板
４０２ｂの画素電極３は透明導電膜であるＩＴＯで形成
され、基板6 、 １２と同様な構成とすることができる。
このようにすれば、実施例１と同様の効果を奏すること
に加え、さらに、別のアレイ基板を貼り付けて４層目の
液晶セルを作成することができ、従ってカラーを出すＣ
ＭＹ液晶層と黒表示をする黒色色素を用いた液晶層を作
ることにより、ＣＭＹでは色相がずれたり吸収が不足し
たりする問題が改善されて黒白のコントラストが高く文
字など黒表示の視認性を上げることができる効果を得
る。これは図７のアレイ基板の薄板化の結果得られる１
つの実施例である。
施例４を示す。本実施例が実施例１と異なる点は、図２
のプロセスで積層セルを作成した後、図７（ｂ）に示す
ごとくさらに基板を研磨することである。保護部４０１
は樹脂やフィルムなどで形成され、基板４０２ａの裏面
を研磨することで薄いアレイ基板４０２ｂを得た。基板
４０２ｂの画素電極３は透明導電膜であるＩＴＯで形成
され、基板6 、 １２と同様な構成とすることができる。
このようにすれば、実施例１と同様の効果を奏すること
に加え、さらに、別のアレイ基板を貼り付けて４層目の
液晶セルを作成することができ、従ってカラーを出すＣ
ＭＹ液晶層と黒表示をする黒色色素を用いた液晶層を作
ることにより、ＣＭＹでは色相がずれたり吸収が不足し
たりする問題が改善されて黒白のコントラストが高く文
字など黒表示の視認性を上げることができる効果を得
る。これは図７のアレイ基板の薄板化の結果得られる１
つの実施例である。
【００２９】（実施例５）図８は実施例５を示してい
る。すなわち、セルの外部に反射板４０４を設けて反射
型液晶表示装置とするとともにこれを半透過層とするこ
とで、バックライト４０３からの光を照射して透過型で
見ることも出来る構成が得られる。他の構成は、 実施例
４と同一である。この実施例では、 外部反射板とする際
に基板４０２ｂの厚さが薄いことで文字浮きという視差
ずれがなく、あるいは軽減されて高精細で高画質な液晶
表示装置を実現することができる。同時に周囲が暗い場
合にバックライトを点灯することで映像を見ることがで
き、携帯情報機器の使い勝手を向上させることができ
る。
る。すなわち、セルの外部に反射板４０４を設けて反射
型液晶表示装置とするとともにこれを半透過層とするこ
とで、バックライト４０３からの光を照射して透過型で
見ることも出来る構成が得られる。他の構成は、 実施例
４と同一である。この実施例では、 外部反射板とする際
に基板４０２ｂの厚さが薄いことで文字浮きという視差
ずれがなく、あるいは軽減されて高精細で高画質な液晶
表示装置を実現することができる。同時に周囲が暗い場
合にバックライトを点灯することで映像を見ることがで
き、携帯情報機器の使い勝手を向上させることができ
る。
【００３０】図８では片側のアレイを研磨したが、基板
１２を含めて両方とも研磨することもできる。上部には
ペン入力の機能を付加することでペンと画像の視差ずれ
が軽減される効果が得られる。ペン入力は外部に感圧タ
ブレットを貼り付けることもできるし、アレイ基板に信
号を供給ないしは検知する機能を持たせることでも実現
できる。いずれの場合も前述のように視差ずれがほとん
どなくすることができる。
１２を含めて両方とも研磨することもできる。上部には
ペン入力の機能を付加することでペンと画像の視差ずれ
が軽減される効果が得られる。ペン入力は外部に感圧タ
ブレットを貼り付けることもできるし、アレイ基板に信
号を供給ないしは検知する機能を持たせることでも実現
できる。いずれの場合も前述のように視差ずれがほとん
どなくすることができる。
【００３１】（実施例６）図９に実施例６の断面図を、
図１０にその一部分の製造工程順の断面図を示す。
図１０にその一部分の製造工程順の断面図を示す。
【００３２】アレイ基板８０１ａとアレイ基板１２を薄
膜層の対向基板７０１を挟むように貼り合せてセルを作
る（図１０（ａ））。対向基板７０１は透明導電体でで
きており、対向電極を兼ねている。基板８０１ｂの厚さ
は０．１ｍｍ以下と薄く削っている。対向基板７０１は
両面にＩＴＯが形成されたＰＥＴフィルムとしてもよ
い。要は基板として最初から薄いフィルム状のものを２
枚のアレイ基板で挟んでセルを作ればどのような基板７
０１として作製することができる。セルができた後にア
レイ基板８０１を研磨して基板６が形成される。このよ
うにして液晶表示装置を得る。本実施例は実施例１と同
様の効果を奏することに加え、 あらかじめ薄膜層の薄い
対向基板を用いているため、視差ずれが低減できるとと
もにアレイ基板８０１を研磨する際に強度が保てるため
薄いアレイ基板を得ることができる。
膜層の対向基板７０１を挟むように貼り合せてセルを作
る（図１０（ａ））。対向基板７０１は透明導電体でで
きており、対向電極を兼ねている。基板８０１ｂの厚さ
は０．１ｍｍ以下と薄く削っている。対向基板７０１は
両面にＩＴＯが形成されたＰＥＴフィルムとしてもよ
い。要は基板として最初から薄いフィルム状のものを２
枚のアレイ基板で挟んでセルを作ればどのような基板７
０１として作製することができる。セルができた後にア
レイ基板８０１を研磨して基板６が形成される。このよ
うにして液晶表示装置を得る。本実施例は実施例１と同
様の効果を奏することに加え、 あらかじめ薄膜層の薄い
対向基板を用いているため、視差ずれが低減できるとと
もにアレイ基板８０１を研磨する際に強度が保てるため
薄いアレイ基板を得ることができる。
【００３３】（実施例７）この実施例が、実施例１と異
なる点は表示装置が液晶表示装置ではなくフィールドエ
ミッション型表示装置にした点である。図１１に断面構
造を示した。中間のセル２０５は、対向基板１０７とア
レイ基板１０６で主として構成される。これらの基板も
実施例１と同様にガラスあるいはプラスチック等を使用
する。この基板１０６、１０７の間にはマイクロエミッ
タ１０９、対向電極１１０、ゲート電極２０１、発光の
媒体としての赤色用の蛍光体２０２、隣接画素との分離
を図るための側壁２００等で１つの画素が構成されてい
る。このマイクロエミッタ１０９は画素電極として働く
と共に、ゲート電極２０１、対向電極１１０とを加えた
１セットとして真空管としての機能を有するもので非線
型素子としても動作する。この様なフィールドエミッシ
ョン型表示装置も液晶表示装置と同様に２枚の基板１０
６、１０７を使用しこの基板１０６、１０７に挟持した
真空或いは希ガス２０３中に電子を飛ばして発光の媒体
である蛍光体２０２に当てて発光させる原理で表示する
ことができる。この１枚のＲ用セル２０５と同様の構造
で蛍光体を変えたＧ用セル２０４、Ｂ用セル２０６の各
セルを３枚重ねてカラー表示可能な表示装置を構成す
る。
なる点は表示装置が液晶表示装置ではなくフィールドエ
ミッション型表示装置にした点である。図１１に断面構
造を示した。中間のセル２０５は、対向基板１０７とア
レイ基板１０６で主として構成される。これらの基板も
実施例１と同様にガラスあるいはプラスチック等を使用
する。この基板１０６、１０７の間にはマイクロエミッ
タ１０９、対向電極１１０、ゲート電極２０１、発光の
媒体としての赤色用の蛍光体２０２、隣接画素との分離
を図るための側壁２００等で１つの画素が構成されてい
る。このマイクロエミッタ１０９は画素電極として働く
と共に、ゲート電極２０１、対向電極１１０とを加えた
１セットとして真空管としての機能を有するもので非線
型素子としても動作する。この様なフィールドエミッシ
ョン型表示装置も液晶表示装置と同様に２枚の基板１０
６、１０７を使用しこの基板１０６、１０７に挟持した
真空或いは希ガス２０３中に電子を飛ばして発光の媒体
である蛍光体２０２に当てて発光させる原理で表示する
ことができる。この１枚のＲ用セル２０５と同様の構造
で蛍光体を変えたＧ用セル２０４、Ｂ用セル２０６の各
セルを３枚重ねてカラー表示可能な表示装置を構成す
る。
【００３４】勿論、中間のセル２０５の基板は、実施例
１と同様の製造工程を経て形成されるもので、２枚の基
板１０６、１０７の貼り合わせ終了後に研磨して薄くし
ている。その後も、基板の貼り合わせについては実施例
１と同様で、中間のセル２０５に対向してアレイ基板１
１２、１０１を貼り合わせてそれぞれＧ用セル２０４、
Ｂ用セル２０６を形成する。このようなフィールドエミ
ッション型表示装置においても、実施例１と同様な効果
を奏する。つまり、積層したセルを非線形素子で駆動し
ても中間基板の厚さを薄くすることができために視差ず
れの少ない高精細、高画質な表示装置を実現できるので
ある。その他本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変
形することができる。
１と同様の製造工程を経て形成されるもので、２枚の基
板１０６、１０７の貼り合わせ終了後に研磨して薄くし
ている。その後も、基板の貼り合わせについては実施例
１と同様で、中間のセル２０５に対向してアレイ基板１
１２、１０１を貼り合わせてそれぞれＧ用セル２０４、
Ｂ用セル２０６を形成する。このようなフィールドエミ
ッション型表示装置においても、実施例１と同様な効果
を奏する。つまり、積層したセルを非線形素子で駆動し
ても中間基板の厚さを薄くすることができために視差ず
れの少ない高精細、高画質な表示装置を実現できるので
ある。その他本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々に変
形することができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明により、中間基板の厚さを薄くす
ることができるため、視差ずれの少ない高精細、高画質
な表示装置を実現できる。
ることができるため、視差ずれの少ない高精細、高画質
な表示装置を実現できる。
【図１】 本発明の実施例１に係る液晶セルの断面図
【図２】 本発明の実施例１に係るプロセス順の断面図
【図３】 本発明の実施例１に係るプロセス順の断面図
【図４】 本発明の実施例１に係る液晶セルの変形例の
断面図
断面図
【図５】 本発明の実施例２に係る液晶セルの変形例の
断面図
断面図
【図６】 本発明の実施例３に係る液晶セルの断面図
【図７】 本発明の実施例４に係るプロセス順の断面図
【図８】 本発明の実施例５に係る液晶セルの断面図
【図９】 本発明の実施例６に係る液晶セルの断面図
【図１０】 本発明の実施例６に係る液晶セルの製造工
程順の断面図
程順の断面図
【図１１】 本発明の実施例７のフィールドエミッショ
ン型表示装置の断面図
ン型表示装置の断面図
【図１２】 従来の反射型液晶表示装置の例を断面図
１基板 ２ＴＦＴ ３画素電極 ４対向電極 ５液晶層 ６基板 １１液晶層 １２基板 １３ＴＦＴ １４画素電極 １５対向電極 １６液晶層 １７層間絶縁膜 １８引き出し電極
Claims (10)
- 【請求項１】画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板と前記対
向基板間に挟持され前記アレイ基板と前記対向基板間の
電位変動によって光の透過量或いは発光量が制御される
媒体とを有するセルを複数枚重ねた表示装置において、
最も外側の前記アレイ基板或いは対向基板が中間の前記
アレイ基板或いは対向基板よりも厚いことを特徴とする
表示装置。 - 【請求項２】前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基
板の前記画素電極が重なっていることを特徴とする請求
項１記載の表示装置。 - 【請求項３】画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置において、最も外側の前記アレイ基板或いは対向基板
が中間の前記アレイ基板或いは対向基板よりも厚いこと
を特徴とする表示装置。 - 【請求項４】前記アレイ基板上から見て前記各アレイ基
板の前記画素電極が重なっていることを特徴とする請求
項３記載の表示装置。 - 【請求項５】最も外側の前記液晶セルの前記対向基板が
中間の前記液晶セルの前記アレイ基板或いは対向基板を
兼ねることを特徴とする請求項３記載の表示装置。 - 【請求項６】中間の前記対向基板は、この対向基板の上
下の前記液晶セルの前記対向基板を兼ねることを特徴と
する請求項５記載の表示装置。 - 【請求項７】中間の前記液晶セルは、前記アレイ基板と
前記対向基板が前記アレイ基板上の前記非線形素子上に
形成された接着部で接続されていることを特徴とする請
求項３に記載の表示装置。 - 【請求項８】最も外側の前記アレイ基板に近接して半透
過層の反射板を設けたことを特徴とする請求項３に記載
の表示装置。 - 【請求項９】画素電極及びこの画素電極に電圧を印加す
る非線形素子を表面に形成したアレイ基板、表面に対向
電極を形成した対向基板、及び前記アレイ基板の前記画
素電極側の面と前記対向基板の前記対向電極側の面とで
挟まれた液晶層を有する液晶セルを複数枚重ねた表示装
置を製造するに際し、前記アレイ基板の前記画素電極側
と前記対向基板の前記対向電極側を対向させて前記アレ
イ基板と前記対向基板を貼り合わせる第１の貼り合わせ
工程と、この後前記アレイ基板或いは前記対向基板の表
面を削って薄くする研磨工程と、薄くした前記アレイ基
板或いは前記対向基板に別の前記アレイ基板或いは前記
対向基板を対向して貼り付ける第２の貼り合わせ工程と
を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】前記研磨工程を行うに際し、前記第１の
貼り合わせ工程で貼り合わせた前記アレイ基板と前記対
向基板の側面を予めカバーで覆っておくことを特徴とす
る請求項９に記載の表示装置の製造方法。
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