JPH11146633A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH11146633A
JPH11146633A JP9306815A JP30681597A JPH11146633A JP H11146633 A JPH11146633 A JP H11146633A JP 9306815 A JP9306815 A JP 9306815A JP 30681597 A JP30681597 A JP 30681597A JP H11146633 A JPH11146633 A JP H11146633A
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JP
Japan
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inductance
parallel
connection
conductors
connection conductor
Prior art date
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Application number
JP9306815A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Oide
宏 大出
Jiro Nemoto
治郎 根本
Shigetoshi Okamatsu
茂俊 岡松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、相互インダクタンスの性質を利用
し、単位回路の分担電流を簡単に平均化できる半導体装
置を提供することにある。 【解決手段】少なくても2個以上の半導体素子を並列に
接続導体で接続し、並列接続導体と電源又は負荷との間
を接続導体で接続する回路で、接続導体の一部に絶縁材
を介して平行に密接した接続導体を配置し、平行に密接
した接続導体のインダクタンスは不平行又は密接してい
ない接続導体のインダクタンスよりも長さ当たりの実効
インダクタンスが小さくして、分担電流の平均化を図
る。 【効果】本発明によれば、分担電流の平均化を図ること
により、半導体装置の利用効率が向上し、装置の大容量
化,小型化,長寿命化に効果があると共に、分担電流の
均等化を目的とした設計を容易に行うことが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、並列に接続された
半導体装置の分担電流を均等化する半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来用いられている主回路素子を4直列
に接続した、いわゆる3レベル直列多重電力変換器の構
成を図7に示す。
【0003】図7において、Q1〜Q4は半導体素子、
1A〜1Cは主回路1相分を構成する単位回路、P,
C,Nは電極、U,V,Wは変換器出力である。
【0004】電力変換器において、大電流を流す場合に
半導体素子単体では、電流容量に限界があるため半導体
素子を並列に接続して使用する。半導体素子を並列接続
する場合、図7の点線で囲まれた1A〜1Cを1つの単
位回路とすることで、並列接続を容易に行うことが出来
る。さらに、単位回路の中に複数の半導体素子を並列接
続したものが用いられている。単位回路を図8で表すこ
ととする。
【0005】並列接続された半導体素子を効率良く使用
するためには、分担電流を平均化する必要がある。分担
電流を平均化するためには、半導体素子の特性を揃える
と共に、接続導体のインダクタンスを均等化する必要が
ある。
【0006】単位回路を並列接続することを考えた場
合、インダクタンスを均等化するため図9のような構成
が一般的であった。図9は図面の複雑化を避けるため
に、電極Pの接続導体だけを示したものである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、距
離を等しくするという考えを基に、図9に示す2つの分
岐点の位置により、各単位回路の分担電流の平均化を図
るものであるが、相互インダクタンスの影響のため、各
単位回路の接続導体のインダクタンスを等しくすること
が困難である。これを図10に示す等価回路を用いて説
明する。図10は、図面の複雑化を避けるために、電極
Pと電極Uに接続される導体についての等価回路であ
る。実際には電極Cと電極Nにも同様な構成の接続導体
が接続される。図10中に示されるインダクタンスにお
いて、平行に配置された接続導体には相互インダクタン
スが作用する。
【0008】この従来方式では、各電極の2つの分岐点
の位置により、単位回路間での相互インダクタンスを等
しくしなければならない。実際の構成では、電極Cと電
極Nとの間の相互インダクタンスも考慮しなければなら
ず、1つの電極の分岐点を動かすと、全体のインダクタ
ンスに影響を与えることになり、複雑な相互インダクタ
ンスの関係が問題となる。このような理由から、2つの
分岐点を利用する従来の方式では、全てのインバータの
動作モードを考慮した場合、単位回路の分担電流を平均
化することは困難であった。
【0009】そこで本発明の目的は、上記欠点を解決す
るために相互インダクタンスの性質を利用し、単位回路
の分担電流を簡単に平均化できる半導体装置を提供する
ことにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、少なくても2個以上の半導体素子の陽極端子同士ま
たは陰極端子同士を各々並列に接続導体で接続し、前記
並列接続導体と電源又は負荷との間を接続導体で接続さ
れる半導体装置において、前記接続導体の一部に絶縁材
を介して平行に密接した接続導体を持たせたものであ
る。このため平行に密接した接続導体のインダクタンス
は不平行又は密接していない接続導体のインダクタンス
よりも長さ当たりの実効インダクタンスが小さくなる。
この作用を利用して、不平行又は密接していない接続導
体のインダクタンスによって、平行に密接した接続導体
でのインダクタンスの差を補うことにより、接続導体部
分でのインダクタンスを平均化し、半導体素子の分担電
流を均等化を図ることが出来る。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を説明す
る。図1に本発明の実施例を示す。図1において1〜3
2は接続導体、2A〜2Cは単位回路、Z1〜Z9は絶
縁材である。次に、このような接続導体の構成を取るこ
とによって単位回路の分担電流の平均化が実現できる理
由を等価回路図を用いて説明する。
【0012】図1の構成において、接続導体のインダク
タンスは図2に示す等価回路におくことが出来る。図2
において、図1の接続導体1,2のインダクタンスをL
1,L2、接続導体5,6のインダクタンスをL5,L
6、接続導体9,10のインダクタンスをL9,L1
0、接続導体13,14のインダクタンスをL13,L
14、接続導体17,18のインダクタンスをL17,
L18、接続導体21,22のインダクタンスをL2
1,L22、接続導体25のインダクタンスをL25
1,L252、接続導体26のインダクタンスをL26
1,L262、接続導体29のインダクタンスをL29
1〜L293、接続導体30のインダクタンスをL30
1〜L303とする。ここで、L302=L262,L
292=L252,L301=L261=L22,L2
91=L251=L21の関係にある。ただし、電極
C,Nついても電極P,Uと同様な構成をとるが図面の
複雑化を防ぐために省略している。以下、電極P−U間
に電流が流れる場合を例にとり説明を行う。本実施例に
おいては、単位回路間の相互インダクタンスの影響は小
さいことから除外して説明する。
【0013】ここで、図1の接続導体1〜12において
は、同じ電極に接続する導体は、同じ構成を持たせる。
つまり、L1=L5=L9,L2=L6=L10のよう
に同じ大きさのインダクタンスとする。
【0014】単位回路2Aと2Bの縦方向のインダクタ
ンスを比較すると、電極P側でL303がインダクタンスの
差となる。しかし、本発明では、L303とL293
は、平行・密接した構成になっており、さらに3レベル
変換装置であるから、L303とL293には往復電流
が流れるため相互インダクタンスの作用により、L313及
びL293のインダクタンスの実効分は減少する。平行
に密接した接続導体を用いた縦方向の電極間のインダク
タンスと不平行又は密接していない横方向の接続導体の
インダクタンスを比較した時、その長さ当たりのインダ
クタンスは平行に密接した縦方向の接続導体の電極間の
インダクタンスの方が小さくなることを意味する。この
作用を利用することにより、平行に密接した縦方向の接
続導体よりも不平行又は密接していない短い横方向の接
続導体L13,L14により、単位回路2Aと2Bのイ
ンダクタンスを等しくすることが出来る。つまり、単位
回路2Bにおいては、L13とL14をL303とL2
93の実効分のインダクタンスに等しくすることが可能
である。同様に、単位回路2Cに関しても、単位回路2
Aのインダクタンスと等しくなる様に、L17,L18
により平行に密接した縦方向のインダクタンスの差を吸
収することが可能である。
【0015】このように、平行に密接した接続導体と不
平行又は密接していない接続導体の長さ当たりのインダ
クタンス比を利用することにより、平行に密接した接続
導体のインダクタンスの差を、不平行又は密接していな
い接続導体のインダクタンスにより補い、各単位回路の
分担電流を平均化する事が出来る。本発明によれば、単
位回路間の相互インダクタンスの干渉が少ないため簡単
にインダクタンスを等しくすることが可能であり、単位
回路Aの接続導体を最初に設計し、次に単位回路B,C
の不平行又は密接していない横方向の接続導体をトータ
ルで単位回路Aの接続導体のインダクタンスに等しくす
ることにより、簡単に単位回路の分担電流を平均化する
ことが出来る利点がある。
【0016】次に、図3の実施例について説明する。図
3において、33から48は接続導体、Z10〜Z12
は絶縁材である。図3は電極から各単位回路に接続導体
を立ち上げる際、図1では各単位回路毎に分割していた
縦方向の接続導体を一つにまとめた構成である。この時
の電気的な等価回路を図5に示す。図5において、接続
導体33,34のインダクタンスをL33,L34、接
続導体37,38のインダクタンスをL37,L38、
接続導体41,42のインダクタンスをL41,L4
2、接続導体45,46のインダクタンスをL451〜
L453,L461〜L463とした。
【0017】単位回路2Bでの電極P−U間のインダク
タンスが単位回路2Aのインダクタンスと等しくするた
めには、前記実施例で示したL13,L14に相当する
インダクタンス分が必要となる。これを図5においてL
372,L382とL412,L422として図示し
た。
【0018】インダクタンスを等しくするために不平行
又は密接していない横方向の接続導体を図4に示すよう
な構成とし、距離を長くすることでインダクタンスの増
加を図り、平行に密接された縦方向の接続導体のインダ
クタンスの差を補う。
【0019】図6に示す構成も図3と同じ効果により単
位回路の分担電流の平均化を図ることが出来る。図3と
図6の違いは、インダクタンスを等しくするため、単位
回路の配置により縦方向の接続導体との距離を単位回路
A,B,Cで異なるようにした点である。等価回路は図
5と同様に表せ、単位回路の配置をインダクタンスを等
しくするようにすることで分担電流の平均化を図ること
が出来る。
【0020】以上述べた実施例の効果は、3レベル電力
変換器に限定するものではない。3レベル以外の多レベ
ル電力変換器に広く適用することが出来る。また、単位
回路について説明を行ってきたが、この構成方法は、往
復電流が流れる接続導体を使用する回路・素子に適用す
ることができる。例えば、単位回路内の半導体素子の並
列接続やコンデンサの並列接続に対しても有効である。
【0021】さらに、本実施例では3並列接続を例に取
り説明を行ってきたが、2並列以上の並列接続に対して
広く拡張することができる。
【0022】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置は、少なくても
2個以上の半導体素子の陽極端子同士または陰極端子同
士を各々並列に接続導体で接続し、前記並列接続導体と
電源又は負荷との間を接続導体で接続される半導体装置
において、前記接続導体の一部に絶縁材を介して平行に
密接した接続導体を持たせたものである。このため平行
に密接した接続導体のインダクタンスは不平行又は密接
していない接続導体のインダクタンスよりも長さ当たり
の実効インダクタンスが小さくなる。この作用を利用し
て、不平行又は密接していない接続導体のインダクタン
スによって、平行に密接した接続導体でのインダクタン
スの差を補うことにより、接続導体部分でのインダクタ
ンスを平均化し、半導体素子の分担電流を均等化を図り
並列半導体素子の利用効率が向上するので、大容量化,
小型化に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図2】図1の等価回路図である。
【図3】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図4】接続導体の一構成を示した図である。
【図5】図3,図6の等価回路図である。
【図6】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図7】一般的な3レベル直列多重電力変換器の構成図
である。
【図8】単位回路の模式図である。
【図9】従来例の構成を示す構成図である。
【図10】図9の等価回路図である。
【符号の説明】
Q1〜Q4…半導体素子、1A〜1C,2A〜2C…単
位回路、P,C,N…電極、U,V,W…変換器出力、
1〜75…接続導体、Z1〜Z15…絶縁材、L1,L
2,L5,L6,L9,L10,L13,L14,L1
7,L18,L21,L22,L33,L34,L25
1,L252,L261,L262,L291〜L29
3,L301〜L303,L371,L372,L38
1,L382,L411,L412,L421,L42
2,L451〜L453,L461〜L463,L66
1,L662,L671,L672,L681,L68
2,L691,L692,L701,L702,L71
1,L712,L721,L722,L731,L73
2,L741,L742,L751,L752…自己イ
ンダクタンス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくても2個以上の半導体素子の陽極端
    子同士または陰極端子同士を各々並列に接続導体で接続
    し、前記並列接続導体と電源又は負荷との間を接続導体
    で接続される半導体装置において、 前記接続導体の一部に絶縁材を介して平行に密接した接
    続導体を持つことを特徴とする半導体装置。
JP9306815A 1997-11-10 1997-11-10 半導体装置 Pending JPH11146633A (ja)

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JP9306815A JPH11146633A (ja) 1997-11-10 1997-11-10 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007028742A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Hitachi Ltd 電力変換装置及び電力変換方法
WO2023140077A1 (ja) * 2022-01-20 2023-07-27 日立Astemo株式会社 半導体装置および半導体装置を備えたインバータ

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