JPH11145129A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable formation of a thickened heat-resisting polymeric film by a smaller number of processes, by performing a patterning process of a precursor of photosensitive polymeric resin and a process of wet-etching a precursor layer of nonphotosensitive polymeric resin simultaneously. SOLUTION: A nonphotosensitive polyimide precursor layer 5 of about 30 μm is formed on a silicon substrate 1 by spraying. Next, a photosensitive polyimide precursor layer 6 of about 20 μm is formed by spraying. Next, the precursor layer 6 is exposed to light into a desired pattern, and the unexposed sections are developed with an organic solvent composed mainly of NMP. At this time point, the precursor layer 5 being a lower layer also comes to show an appropriate etching rate to the organic solvent composed mainly of NMP, and is etched. When a developing solution is removed following that, and spin drying and heating by an oven are performed, respective precursor layers 5, 6 are imidized. The nonphotosensitive polyimide layer 7 shrinks to about 20 μm, and the photosensitive polyimide layer 8 shrinks to a film thickness of about 10 μm, and a buffer coat layer of a total film thickness 30 μm is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特にＬＳＩのバッファコートやα線遮蔽膜
としてＬＳＩのパッシベーション膜上に耐熱性高分子樹
脂のパターンを形成する方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for forming a pattern of a heat-resistant polymer resin on a passivation film of an LSI as a buffer coat or an α-ray shielding film of the LSI.

【０００２】[0002]

【従来の技術】通常、ＬＳＩでは素子を形成し、チップ
上の配線を形成した後、パッシベーション膜で覆って素
子や配線を湿度や機械的ダメージから保護しているが、
さらにパッシベーション膜の上にポリイミドなどの耐熱
性高分子樹脂を設ける場合が多い。この耐熱性高分子樹
脂を設ける理由としては、第１に、モールド樹脂とＬＳ
Ｉチップ間での応力を緩和するためである。すなわち、
ＬＳＩチップをパッケージに組み立てる際には、チップ
はモールド樹脂で封入される。この時、ＬＳＩチップ表
面はモールド樹脂と接触することになるが、モールド樹
脂の熱膨張係数がＬＳＩチップよりも非常に大きいた
め、パッシベーション膜にクラックが生じ、その結果、
パッシベーション膜の湿度保護の機能が損なわれ、耐湿
性が低下することとなる。したがって、応力緩和のため
に耐熱性高分子樹脂、例えばポリイミド層を形成するこ
とが一般に行われている。2. Description of the Related Art Normally, in an LSI, after an element is formed and wiring on a chip is formed, the element and the wiring are covered with a passivation film to protect the element and wiring from humidity and mechanical damage.
Further, a heat-resistant polymer resin such as polyimide is often provided on the passivation film. The reason for providing this heat-resistant polymer resin is firstly that the mold resin and the LS
This is for alleviating the stress between the I chips. That is,
When assembling an LSI chip into a package, the chip is sealed with a mold resin. At this time, the surface of the LSI chip comes into contact with the mold resin, but since the thermal expansion coefficient of the mold resin is much larger than that of the LSI chip, cracks occur in the passivation film, and as a result,
The function of the passivation film to protect the humidity is impaired, and the moisture resistance is reduced. Therefore, it is common practice to form a heat-resistant polymer resin, for example, a polyimide layer for stress relaxation.

【０００３】第２に、パッシベーション膜自身を機械的
ダメージから保護するためである。前記した様に、パッ
シベーション膜は素子部を保護するために設けられる
が、それ自身無機膜であるため、機械的衝撃に弱い。し
たがって、組立工程で機械的衝撃を受けたり、モールド
樹脂に含まれるフィラーによっても簡単にダメージを受
け、耐湿性の確保が困難になる場合があるため、耐熱性
高分子樹脂をパッシベーション膜上に設けている。[0003] Second, it is to protect the passivation film itself from mechanical damage. As described above, the passivation film is provided to protect the element portion. However, since the passivation film itself is an inorganic film, it is vulnerable to mechanical shock. Therefore, a mechanical shock may be applied during the assembly process, or the filler may be easily damaged by the filler contained in the mold resin, and it may be difficult to secure moisture resistance. Therefore, a heat-resistant polymer resin is provided on the passivation film. ing.

【０００４】第３に、モールド樹脂に含まれるフィラー
からのα線遮蔽である。通常、モールドに添加するフィ
ラーはシリカを使用するが、このシリカの純度が悪いも
のはウランやトリウムなどの放射性元素を含むことがあ
り、これらの元素からα線が放射される。このα線が素
子部に進入すると大量の電荷を発生し、ＬＳＩの誤動作
を招くことがある。これを防ぐためにポリイミドなどの
耐熱性高分子樹脂を厚く形成し、このポリイミド層の中
でα線が停止して、素子部に到達しない様にしている。[0004] Third, there is α-ray shielding from a filler contained in the mold resin. Usually, silica is used as a filler to be added to the mold, but silica having a low purity may contain radioactive elements such as uranium and thorium, and these elements emit α rays. When the α rays enter the element portion, a large amount of electric charge is generated, which may cause a malfunction of the LSI. To prevent this, a heat-resistant polymer resin such as polyimide is formed thickly so that the α-ray stops in this polyimide layer and does not reach the element portion.

【０００５】上記第１と第２の目的のためには、ウエハ
上に耐熱性高分子樹脂を塗布加工する方法が一般的であ
る。これには、非感光性ポリイミドを用いる方法と、感
光性ポリイミドを用いる方法とが知られている。まず、
非感光性ポリイミドを用いる方法について説明する。For the first and second objects, a method of applying a heat-resistant polymer resin on a wafer is generally used. For this, a method using a non-photosensitive polyimide and a method using a photosensitive polyimide are known. First,
A method using a non-photosensitive polyimide will be described.

【０００６】図３は、非感光性ポリイミドを用いた耐熱
性高分子樹脂層形成及び加工方法を説明する工程断面図
である。まず、素子及び配線が形成され、更にパッシベ
ーション膜で覆われたシリコン基板上に非感光性ポリイ
ミドの前駆体溶液を塗布する。図３（Ａ）ではシリコン
基板１、絶縁膜２、パッド３、パッシベーション膜４を
示しているが、素子やその他の配線については省略して
いる。また、パッド上のパッシベーション膜は予め所定
の開口が形成されている。塗布された非感光性ポリイミ
ド前駆体溶液は、１２０℃、３分間ホットプレート上で
加熱することにより乾燥され、厚さ約１０μｍの非感光
性ポリイミド前駆体層５が形成される。次に、非感光性
ポリイミド前駆体層５上に、フォトレジスト１１を厚さ
２μｍに形成する（図３（Ｂ））。フォトレジスト１１
を所定のパターンに露光し、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム（ＴＭＡＨ）の２．３８％水溶液などの現像剤を
用いて現像する。この時、１２０℃で加熱したポリイミ
ド前駆体層５は、ＴＭＡＨ水溶液に可溶であるので、フ
ォトレジストの現像に必要な時間に加えて、ポリイミド
前駆体層５をエッチングするのに必要な時間を足すこと
により、ポリイミド前駆体層５の加工が可能となる（図
３（Ｃ））。次に、ポリイミド前駆体層５がエッチング
されず、フォトレジストのみを溶解できる、例えば酢酸
ブチル等の溶剤を用いてフォトレジスト１１を除去す
る。しかる後、このウエハを３５０℃、６０分間程度の
オーブン中で加熱して、残存するポリイミド前駆体層５
をイミド化して、所定の位置に開口を有するポリイミド
層７を得ることができる（図３（Ｄ））。３５０℃の加
熱によるイミド化によりポリマー化する際には、同時に
膜減りが起こるため、得られたポリイミド層７の膜厚は
約７μｍ程度となる。FIG. 3 is a process sectional view for explaining a method of forming and processing a heat-resistant polymer resin layer using a non-photosensitive polyimide. First, a precursor solution of a non-photosensitive polyimide is applied on a silicon substrate on which elements and wirings are formed and further covered with a passivation film. FIG. 3A shows the silicon substrate 1, the insulating film 2, the pads 3, and the passivation film 4, but omits the elements and other wiring. Also, a predetermined opening is formed in the passivation film on the pad in advance. The applied non-photosensitive polyimide precursor solution is dried by heating on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes to form a non-photosensitive polyimide precursor layer 5 having a thickness of about 10 μm. Next, a photoresist 11 is formed to a thickness of 2 μm on the non-photosensitive polyimide precursor layer 5 (FIG. 3B). Photoresist 11
Is exposed to a predetermined pattern, and is developed using a developer such as a 2.38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH). At this time, since the polyimide precursor layer 5 heated at 120 ° C. is soluble in the TMAH aqueous solution, the time required for etching the polyimide precursor layer 5 is added to the time required for developing the photoresist. By adding, the processing of the polyimide precursor layer 5 becomes possible (FIG. 3C). Next, the photoresist 11 is removed using a solvent such as butyl acetate that can dissolve only the photoresist without etching the polyimide precursor layer 5. Thereafter, the wafer is heated in an oven at 350 ° C. for about 60 minutes to remove the remaining polyimide precursor layer 5.
Is imidized to obtain a polyimide layer 7 having an opening at a predetermined position (FIG. 3D). When the polymer is formed by imidization by heating at 350 ° C., the thickness of the polyimide layer 7 obtained is about 7 μm because the film thickness is reduced at the same time.

【０００７】次にもう一つの方法である感光性ポリイミ
ドを用いた手法について述べる。図4は感光性ポリイミ
ド前駆体を用いたポリイミド形成及び加工方法を示す工
程断面図である。素子及び配線が形成され、パッシベー
ション膜で覆われたシリコン基板上に感光性ポリイミド
前駆体６を塗布法により形成する（図４（Ａ））。図で
は、シリコン基板１、絶縁膜２、パッド３、パッシベー
ション膜４を示しているが、素子やその他の配線につい
ては省略している。ここではパッド３上のパッシベーシ
ョン膜４は残している。感光性ポリイミド前駆体層６
は、１２０℃、３分間ホットプレート上で加熱され、そ
の厚さは１０μｍ程度である。感光性ポリイミド前駆体
層６を所定のパターンに露光し、専用現像液を用いてこ
れを現像する（図４（Ｂ））。現在、感光性ポリイミド
としてはネガ型が一般的であり、その現像液としては有
機溶剤が用いられている。しかし、ポジ型の感光性ポリ
イミドや、現像液にフォトレジストと同様なＴＭＡＨ水
溶液を用いるものも開発されている。しかる後、このパ
ターン形成されたポリイミド前駆体層を形成させたウエ
ハを３５０℃、６０分間オーブン中で焼成し、所望の場
所に開口された感光性ポリイミド層８を得ることができ
る（図４（Ｃ））。この時、３５０℃での加熱によりポ
リイミド前駆体はイミド化反応が進み、ポリマー化する
が、同時に膜減りが起こり、膜厚は約５μｍとなる。非
感光性ポリイミドとの膜減り量の違いは、感光性ポリイ
ミドが感光性基等の追加の成分を含むためであるが、そ
の膜減りの割合は、ポリマーの種類によっても異なる。
しかる後、開口されたポリイミド層８をマスクにパッシ
ベーション膜４をドライエッチングする（図４
（Ｄ））。Next, another method using a photosensitive polyimide will be described. FIG. 4 is a process sectional view showing a method of forming and processing a polyimide using a photosensitive polyimide precursor. A photosensitive polyimide precursor 6 is formed by a coating method on a silicon substrate on which elements and wirings are formed and covered with a passivation film (FIG. 4A). In the figure, the silicon substrate 1, the insulating film 2, the pads 3, and the passivation film 4 are shown, but the elements and other wirings are omitted. Here, the passivation film 4 on the pad 3 is left. Photosensitive polyimide precursor layer 6
Is heated on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes, and its thickness is about 10 μm. The photosensitive polyimide precursor layer 6 is exposed to a predetermined pattern, and is developed using a dedicated developer (FIG. 4B). At present, a negative photosensitive polyimide is generally used, and an organic solvent is used as a developer thereof. However, positive photosensitive polyimides and those using a TMAH aqueous solution similar to a photoresist as a developing solution have also been developed. Thereafter, the wafer on which the patterned polyimide precursor layer has been formed is baked in an oven at 350 ° C. for 60 minutes to obtain the photosensitive polyimide layer 8 opened at a desired place (FIG. 4 ( C)). At this time, the polyimide precursor undergoes an imidization reaction by heating at 350 ° C. to be polymerized, but at the same time, the film thickness decreases, and the film thickness becomes about 5 μm. The difference between the non-photosensitive polyimide and the non-photosensitive polyimide is that the photosensitive polyimide contains an additional component such as a photosensitive group, but the ratio of the film reduction also differs depending on the type of the polymer.
Thereafter, the passivation film 4 is dry-etched using the opened polyimide layer 8 as a mask (FIG. 4).
(D)).

【０００８】先に説明した非感光性ポリイミドの場合
は、パターン精度が悪いためにこれをマスクにパッシベ
ーション膜をエッチングしようとすると、小さい開口部
を精度よく加工することが困難であったが、感光性ポリ
イミドの場合は、ポリイミド自身の加工精度が高いため
にこれをマスクとすることができるのである。もちろ
ん、小さい開口部を含まない基板であれば、非感光性ポ
リイミドでもこれをマスクとしてパッシベーション膜に
開口を形成することは可能であるし、逆に感光性ポリイ
ミドをパッシベーション膜開口済みのウエハに適用する
ことも可能である。In the case of the non-photosensitive polyimide described above, it is difficult to process a small opening with high accuracy when the passivation film is to be etched using this as a mask because the pattern precision is poor. In the case of a conductive polyimide, since the processing accuracy of the polyimide itself is high, it can be used as a mask. Of course, as long as the substrate does not include a small opening, it is possible to form an opening in the passivation film using non-photosensitive polyimide as a mask, and apply photosensitive polyimide to a wafer with a passivation film opened. It is also possible.

【０００９】第３の方式としてポッティングという手法
がある。これは図５に示すように、チップ１３の上に直
接ポリイミド前駆体溶液１２を滴下し（図５（Ａ））、
非感光性ポリイミド前駆体層５を形成し（図５
（Ｂ））、そのまま焼成してイミド化してポリイミド層
７を形成する（図５（Ｃ））というもので、ポリイミド
の加工は行わない。すなわち、組立工程にてリード線１
４をボンディング済みのチップ１３にポリイミド前駆体
溶液１２を滴下していくのである。As a third method, there is a method called potting. As shown in FIG. 5, the polyimide precursor solution 12 is dropped directly on the chip 13 (FIG. 5A).
A non-photosensitive polyimide precursor layer 5 is formed (FIG. 5).
(B)), it is baked as it is and imidized to form the polyimide layer 7 (FIG. 5 (C)), and the polyimide is not processed. That is, in the assembly process, the lead 1
The polyimide precursor solution 12 is dropped onto the bonded chip 13 with the polyimide precursor 4.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】非感光性ポリイミドあ
るいは感光性ポリイミドを用いてウエハ上にバッファコ
ート層を形成する方法では、膜厚に限界がある。応力緩
和や機械的ダメージからの保護が目的の場合には５〜１
０μｍの膜厚でも十分であり、これらの方法で形成可能
であるが、α線遮蔽を目的とする場合には、３０μｍ以
上の膜厚が必要であり、これらの方法では加工が困難で
ある。The method of forming a buffer coat layer on a wafer using non-photosensitive polyimide or photosensitive polyimide has a limit in film thickness. 5 to 1 for the purpose of stress relaxation and protection from mechanical damage
A film thickness of 0 μm is sufficient and can be formed by any of these methods. However, for the purpose of α-ray shielding, a film thickness of 30 μm or more is required, and processing by these methods is difficult.

【００１１】非感光性ポリイミドの場合には、レジスト
をマスクにウェットエッチングにより加工を行うため、
レジストマスクの下のポリイミドが除去され、レジスト
による「ひさし」が形成されるが、図６に示すように、
最終膜厚３０μｍを得ようとした場合、エッチング時に
は非感光性ポリイミド前駆体層５は約４０〜４５μｍ程
度の膜厚が必要であり、この膜厚をエッチングしようと
すると、レジストの下のサイドエッチも４０μｍ以上と
なり、一般的に形成されるレジスト厚みではレジスト折
れ１５が生じ、結果として、同図に示すように予定して
いない部分までエッチングされて寸法が広がってしま
う。レジストを厚く形成すればこのようなレジスト折れ
は生じないが、最終的に除去されるレジストを厚く形成
することはコスト高になり、実用的ではない。In the case of non-photosensitive polyimide, since processing is performed by wet etching using a resist as a mask,
The polyimide under the resist mask is removed, forming a "top" by the resist, as shown in FIG.
In order to obtain a final film thickness of 30 μm, the non-photosensitive polyimide precursor layer 5 needs to have a film thickness of about 40 to 45 μm at the time of etching. Is larger than 40 μm, and the resist is bent at a generally formed resist thickness. As a result, an unintended portion is etched as shown in FIG. If the resist is formed to be thick, such breakage of the resist does not occur. However, forming the resist to be finally removed to be thick increases the cost and is not practical.

【００１２】感光性ポリイミドの場合、最終膜厚３０μ
ｍを得ようとして前駆体層を４０〜４５μｍ厚に形成し
てしまうと、形成された前駆体層の光透過率はあまり高
くないため、感光に必要な光が層底部にまで到達でき
ず、ネガ型の場合にはアンダーカット１６（図７）が、
ポジ型の場合には抜け不良１７（図８）が生じてしま
う。In the case of photosensitive polyimide, the final film thickness is 30 μm.
If the precursor layer is formed to a thickness of 40 to 45 μm in order to obtain m, the light transmittance of the formed precursor layer is not so high, so that light necessary for exposure cannot reach the bottom of the layer, In the case of a negative type, the undercut 16 (FIG. 7)
In the case of the positive type, a missing defect 17 (FIG. 8) occurs.

【００１３】ポッティング法に依れば厚いポリイミド層
を形成できるが、チップ毎にポリイミドを滴下するには
手間がかかり、生産性が悪い。また、膜厚の再現性が悪
く、滴下した樹脂がチップ外に流れるなどの問題もあ
り、現在ではほとんど用いられていない。Although a thick polyimide layer can be formed by the potting method, it takes time and effort to drop the polyimide for each chip, resulting in poor productivity. Further, there is a problem that the reproducibility of the film thickness is poor and the dropped resin flows out of the chip.

【００１４】これに対して、非感光性ポリイミドと感光
性ポリイミドとを組み合わせ、感光性ポリイミドの露光
パターンをマスクに下層に形成した非感光性ポリイミド
をエッチングする方法が提案されている。このような従
来技術としては、例えば、特開昭５６-３８８２３号公
報、特開昭６３-８６５５０号公報、特開平１-１２００
９２号公報、特開平４-３２３８２８号公報、特開平５-
２１７０５号公報などが挙げられる。これらの従来技術
では、いずれも数μｍの膜厚の層間絶縁膜の形成を目的
としており、形成される樹脂層の膜厚はせいぜい数μｍ
から十数μｍ程度である。また、いずれの従来技術にお
いても、感光性ポリイミドの現像と非感光性ポリイミド
のエッチングとは別工程で行われており、工程数が多く
なるという課題を有している。On the other hand, there has been proposed a method of combining a non-photosensitive polyimide and a photosensitive polyimide and etching the non-photosensitive polyimide formed in a lower layer using an exposure pattern of the photosensitive polyimide as a mask. Examples of such prior art include, for example, JP-A-56-38823, JP-A-63-86550, and JP-A-1-1200.
No. 92, JP-A-4-323828, JP-A-5-
No. 21705, and the like. In these prior arts, the purpose is to form an interlayer insulating film having a thickness of several μm, and the thickness of the formed resin layer is at most several μm.
From about 10 to several μm. Further, in any of the conventional techniques, the development of the photosensitive polyimide and the etching of the non-photosensitive polyimide are performed in separate steps, and thus there is a problem that the number of steps is increased.

【００１５】[0015]

【発明を解決するための手段】上記課題を解決可能な本
発明は、少なくとも、素子が形成され、パッシベーショ
ン膜で覆われた半導体基板上に、３０μｍ以上の厚みを
有する耐熱性高分子樹脂の層を形成する工程を有する半
導体装置の製造方法において、前記耐熱性高分子樹脂層
形成工程が、（１）非感光性高分子の前駆体を塗布する
工程、（２）前記非感光性高分子樹脂の前駆体層上に感
光性高分子樹脂の前駆体を塗布する工程、（３）所望の
パターンに前記感光性高分子樹脂の前駆体を露光する工
程、（４）前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液で現
像してパターニングする工程、（５）パターニングされ
た感光性高分子樹脂の前駆体層をマスクに前記非感光性
高分子樹脂の前駆体層をウェットエッチングする工程、
及び（６）前記非感光性及び感光性高分子樹脂の前駆体
層をポリマー化する工程とを含むものであって、前記非
感光性高分子樹脂の前駆体が前記感光性高分子樹脂の前
駆体の現像液でエッチング可能であり、前記感光性高分
子樹脂の前駆体のパターニング工程及び前記非感光性高
分子樹脂の前駆体層をウェットエッチングする工程とを
同時に行うことを特徴とする。According to the present invention, which can solve the above problems, at least a layer of a heat-resistant polymer resin having a thickness of 30 μm or more is formed on a semiconductor substrate on which elements are formed and covered with a passivation film. In the method for manufacturing a semiconductor device having a step of forming a non-photosensitive polymer resin, the step of forming a heat-resistant polymer resin layer includes the steps of: (1) applying a precursor of a non-photosensitive polymer; (3) exposing the photosensitive polymer resin precursor to a desired pattern, and (4) exposing the photosensitive polymer resin to a desired pattern. (5) wet etching the non-photosensitive polymer resin precursor layer using the patterned photosensitive polymer resin precursor layer as a mask,
And (6) polymerizing the precursor layer of the non-photosensitive and photosensitive polymer resin, wherein the precursor of the non-photosensitive polymer resin is a precursor of the photosensitive polymer resin. And a step of patterning the precursor of the photosensitive polymer resin and a step of wet-etching the precursor layer of the non-photosensitive polymer resin.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】非感光性高分子樹脂前駆体層とし
ては、その上に形成される感光性高分子樹脂前駆体層の
現像液でエッチング可能なものであればいずれの非感光
性高分子樹脂の前駆体でもよいが、特に現像液としてＴ
ＭＡＨの２．３８％水溶液などのアルカリ現像液や、Ｎ
ＭＰやシクロペンタノンなどの有機系現像液でエッチン
グ可能なポリイミド系、ベンゾシクロブテン系などの耐
熱高分子の前駆体が好ましく使用できる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As the non-photosensitive polymer resin precursor layer, any non-photosensitive polymer resin layer which can be etched with a developer of a photosensitive polymer resin precursor layer formed thereon can be used. Although a precursor of a molecular resin may be used, in particular, T
Alkaline developer such as a 2.38% aqueous solution of MAH;
Precursors of heat-resistant polymers such as polyimide and benzocyclobutene that can be etched with an organic developer such as MP or cyclopentanone can be preferably used.

【００１７】感光性高分子樹脂前駆体としては、所定の
波長の光に対して感光性を有する化合物を含む組成物或
いはそのような基を側鎖に有する樹脂化合物であり、露
光部分又は未露光部分が現像液で現像可能となるもので
ある。具体的には、住友ベークライト製商品名「ＣＲＣ
−６０６１Ｐ」などのポリイミド系、住友ベークライト
製商品名「ＣＲＣ−８１００」などのポリベンゾオキサ
ゾール系の高分子樹脂前駆体が使用できる。これらは前
記した現像液でいずれも現像可能である。The photosensitive polymer resin precursor is a composition containing a compound having photosensitivity to light of a predetermined wavelength or a resin compound having such a group in a side chain, and is exposed or unexposed. The part can be developed with a developer. Specifically, Sumitomo Bakelite brand name "CRC
For example, a polyimide-based polymer resin precursor such as "-6061P" or a polybenzoxazole-based polymer resin precursor such as "CRC-8100" (trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite) can be used. These can be developed with any of the above-mentioned developing solutions.

【００１８】非感光性高分子樹脂前駆体層と、感光性高
分子樹脂前駆体層とは、最終的に両者を合わせた膜厚が
３０μｍ以上となるように形成されるが、上層の感光性
高分子樹脂前駆体層は、あまり薄すぎると下層の非感光
性高分子樹脂前駆体層のエッチング時にひさし部が折れ
てエッチングパターンが広がる場合があり、逆に厚すぎ
ると下部まで光が到達できずにネガ型の場合にはアンダ
ーカットが、ポジ型の場合には抜け不良が生じるため、
塗布乾燥時の膜厚として３〜２０μｍ、好ましくは５〜
１０μｍ程度に形成するのが望ましい。非感光性高分子
樹脂前駆体層としては、最終工程の熱硬化時の収縮率を
勘案して上層の感光性高分子樹脂層との合計膜厚が３０
μｍ以上となるように形成できる様適宜最適の膜厚に形
成すればよい。なお、最終的に形成される両層の合計膜
厚の上限は特に規定はなく、所望の半導体装置の用途に
合わせて適宜最適になるように形成すればよい。しかし
ながら、必要以上に厚くしてもα線遮蔽の効果は向上す
るわけではなく、樹脂材料のコスト高になるだけである
ため、４０μｍ、より好ましくは３５μｍ程度を上限と
すればよい。The non-photosensitive polymer resin precursor layer and the photosensitive polymer resin precursor layer are finally formed so that the total thickness of both layers is 30 μm or more. If the polymer resin precursor layer is too thin, the eaves may break during etching of the lower non-photosensitive polymer resin precursor layer and the etching pattern may spread, and if it is too thick, light can reach the lower part. In the case of a negative type, an undercut occurs.
3 to 20 μm, preferably 5 to
It is desirable to form it to about 10 μm. The total thickness of the non-photosensitive polymer resin precursor layer and the upper photosensitive polymer resin layer is 30 in consideration of the shrinkage rate at the time of thermosetting in the final step.
The film may be appropriately formed to have an optimum thickness so that the film can be formed to have a thickness of not less than μm. The upper limit of the total thickness of both layers to be finally formed is not particularly limited, and the upper limit may be appropriately determined in accordance with the intended use of the semiconductor device. However, increasing the thickness more than necessary does not necessarily improve the α-ray shielding effect, but only increases the cost of the resin material. Therefore, the upper limit may be set to 40 μm, more preferably about 35 μm.

【００１９】[0019]

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to only these Examples.

【００２０】実施例１ 図１は本発明に係る半導体装置の製造方法を示す工程断
面図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a process sectional view showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【００２１】まず、素子及び配線が形成され、パッシベ
ーション膜で覆われたシリコン基板上に非感光性ポリイ
ミドの前駆体層５を塗布法により形成する（図１
（Ａ））。図面上ではシリコン基板１、絶縁膜２、パッ
ド３、パッシベーション膜４を示しており、素子やその
他の配線等については省略している。ここでは、パッド
３上のパッシベーション膜４は予め開口が形成されては
いない。First, a non-photosensitive polyimide precursor layer 5 is formed by a coating method on a silicon substrate on which elements and wirings are formed and covered with a passivation film (FIG. 1).
(A)). In the drawing, a silicon substrate 1, an insulating film 2, a pad 3, and a passivation film 4 are shown, and elements and other wirings are omitted. Here, an opening is not formed in the passivation film 4 on the pad 3 in advance.

【００２２】ここで非感光性ポリイミド前駆体として
は、住友ベークライト製商品名「ＣＲＣ−６０６１Ｐ」
を使用した。形成されたポリイミド前駆体層５は、ホッ
トプレート上で１２０℃で３分間加熱され、固化する。
その厚さは３０μｍであった。次に、感光性ポリイミド
の前駆体層６を塗布法により形成し、同様にホットプレ
ート上で１２０℃で３分間加熱されて固化する。その厚
さは２０μｍであった（図１（Ｂ））。感光性ポリイミ
ドの前駆体としては、旭化成製商品名「Ｉ−８３２０
Ａ」のネガ型感光性ポリイミドを用いた。As the non-photosensitive polyimide precursor, "CRC-6061P" (trade name, manufactured by Sumitomo Bakelite) is used.
It was used. The formed polyimide precursor layer 5 is heated on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes to be solidified.
Its thickness was 30 μm. Next, a photosensitive polyimide precursor layer 6 is formed by a coating method, and similarly, is heated on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes to be solidified. Its thickness was 20 μm (FIG. 1 (B)). As a precursor of the photosensitive polyimide, “I-8320” manufactured by Asahi Kasei Corporation
The negative photosensitive polyimide of "A" was used.

【００２３】次に感光性ポリイミド前駆体層６を所望の
パターンに露光（波長３６５ｎｍ、露光量０．５Ｊ／ｃ
ｍ²）し、ＮＭＰを主成分とする有機溶剤で未露光部を
現像した。この時、下層の非感光性ポリイミド前駆体層
５も上記熱処理を受けたことで前記ＮＭＰを主成分とす
る有機溶剤に対して適当なエッチングレートを示すよう
になり、エッチングされる。具体的には、最初の１分間
で感光性ポリイミド前駆体層６の未露光部分がパターニ
ングされ（図１（Ｃ））、更に現像を続けると、パター
ニングされた感光性ポリイミド前駆体層６をマスクに下
層の非感光性ポリイミド前駆体層５が２分でパッシベー
ション膜４が露出するまで加工される（図１（Ｄ））。
この時、現像方法としては、パドル法を用いて、ウエハ
上に現像液を滴下し、そのまま現像液を盛り上げた状態
で保持した。このように厚い膜を現像する場合には現像
液が劣化するため、途中で現像液を振り切り、新しい現
像液を用いて同様の現像を行うと現像時間を短縮するこ
とができる。Next, the photosensitive polyimide precursor layer 6 is exposed to a desired pattern (wavelength 365 nm, exposure amount 0.5 J / c).
m ² ), and the unexposed portion was developed with an organic solvent containing NMP as a main component. At this time, the lower non-photosensitive polyimide precursor layer 5 also has an appropriate etching rate with respect to the organic solvent containing NMP as a main component due to the heat treatment, and is etched. Specifically, the unexposed portion of the photosensitive polyimide precursor layer 6 is patterned in the first minute (FIG. 1 (C)), and when the development is further continued, the patterned photosensitive polyimide precursor layer 6 is masked. Next, the lower non-photosensitive polyimide precursor layer 5 is processed in 2 minutes until the passivation film 4 is exposed (FIG. 1D).
At this time, a developing solution was dropped on the wafer by using a paddle method as a developing method, and the developing solution was held as it was. When such a thick film is developed, the developing solution deteriorates. Therefore, if the developing solution is shaken off in the middle and the same developing is performed using a new developing solution, the developing time can be reduced.

【００２４】その後、リンス液で現像液を除去し、スピ
ン乾燥する。オーブンにて３５０℃、６０分の加熱を行
うと、それぞれのポリイミド前駆体層はイミド化し、非
感光性ポリイミド層７は約２０μｍに、感光性ポリイミ
ド層８は約１０μｍの膜厚に収縮する（図１（Ｅ））。
このようにして合計膜厚３０μｍのバッファーコート層
を精度よく形成することができる。Thereafter, the developing solution is removed with a rinsing solution, and spin-dried. When heating is performed at 350 ° C. for 60 minutes in an oven, each polyimide precursor layer is imidized, and the non-photosensitive polyimide layer 7 shrinks to about 20 μm, and the photosensitive polyimide layer 8 shrinks to a thickness of about 10 μm ( FIG. 1 (E)).
In this way, a buffer coat layer having a total film thickness of 30 μm can be accurately formed.

【００２５】非感光性ポリイミドを用いた従来例ではレ
ジストマスクにウェットエッチを行ったためレジストの
ひさしが折れてしまったが、本実施例では２０μｍの厚
さの感光性ポリイミド前駆体層６がマスクとなるため、
ひさしが折れることはない。更にレジストの場合には、
エッチング後に除去しなければならないが、感光性ポリ
イミドはそのまま残ってバッファーコート層の一部とな
るため、非感光性ポリイミド前駆体層の厚さは上記の通
り３０μｍ程度でよく、したがってサイドエッチ量も少
なくなるためにますますひさしが折れにくくなる。ま
た、感光性ポリイミドの加工精度についても、光が到達
する程度の膜厚に設定することができるので問題はな
い。特に本実施例では、感光性ポリイミド前駆体層の現
像液でそのまま非感光性ポリイミド前駆体層をエッチン
グできるため、処理工程を削減できる。In the conventional example using a non-photosensitive polyimide, the eaves of the resist were broken due to the wet etching of the resist mask, but in this embodiment, the photosensitive polyimide precursor layer 6 having a thickness of 20 μm is used as the mask. To become
The eaves do not break. In the case of resist,
Although it must be removed after etching, since the photosensitive polyimide remains as it is and becomes a part of the buffer coat layer, the thickness of the non-photosensitive polyimide precursor layer may be about 30 μm as described above, and therefore the side etch amount is also small. The eaves are less likely to break because they are less. In addition, the processing accuracy of the photosensitive polyimide can be set to a thickness that allows light to reach, and there is no problem. In particular, in this embodiment, since the non-photosensitive polyimide precursor layer can be etched as it is with the developer for the photosensitive polyimide precursor layer, the number of processing steps can be reduced.

【００２６】最後に、このようにして形成されたバッフ
ァーコート層をマスクとしてドライエッチングによりパ
ッシベーション膜４をエッチングしてパッド上を開口し
て本発明の半導体装置が完成する（図１（Ｆ））。Finally, using the buffer coat layer thus formed as a mask, the passivation film 4 is etched by dry etching to open the pad, thereby completing the semiconductor device of the present invention (FIG. 1F). .

【００２７】実施例２ 次に図２を用いて本発明の第２の実施例を説明する。第
２の実施例では感光性高分子樹脂としてポリベンゾオキ
サゾールを用いる。この樹脂はポジ型の感光性で現像液
としてアルカリ性水溶液を用いる。また、この樹脂はベ
ークによる収縮率は約３０％なので、塗布膜厚は約１４
μｍとする。その他は実施例１と同様である。Embodiment 2 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, polybenzoxazole is used as the photosensitive polymer resin. This resin is a positive type photosensitive and uses an alkaline aqueous solution as a developing solution. Also, since this resin has a shrinkage ratio of about 30% by baking, the coating film thickness is about 14%.
μm. Others are the same as the first embodiment.

【００２８】以下、順を追って説明する。まず、素子及
び配線が形成され、パッシベーション膜で覆われたシリ
コン基板上に非感光性ポリイミドの前駆体層５を塗布法
により形成する（図２（Ａ））。図面上ではシリコン基
板１、絶縁膜２、パッド３、パッシベーション膜４を示
しており、素子やその他の配線等については省略してい
る。ここでは、パッド３上のパッシベーション膜４は予
め開口が形成されてはいない。Hereinafter, description will be made step by step. First, a non-photosensitive polyimide precursor layer 5 is formed by a coating method on a silicon substrate on which elements and wirings are formed and covered with a passivation film (FIG. 2A). In the drawing, a silicon substrate 1, an insulating film 2, a pad 3, and a passivation film 4 are shown, and elements and other wirings are omitted. Here, an opening is not formed in the passivation film 4 on the pad 3 in advance.

【００２９】ここで非感光性ポリイミド前駆体として
は、東レ製「セミコファインＳＰ−３４（商品名）」を
使用した。形成されたポリイミド前駆体層５は、ホット
プレート上で１２０℃で３分間加熱され、固化する。そ
の厚さは３０μｍであった。次に、感光性ベンゾオキサ
ゾールの前駆体層９を塗布法により形成し、同様にホッ
トプレート上で１２０℃で３分間加熱されて固化する。
その厚さは１４μｍであった（図２（Ｂ））。感光性ベ
ンゾオキサゾールの前駆体としては、住友ベークライト
製「ＣＲＣ−８１００」を用いた。As the non-photosensitive polyimide precursor, "Semico Fine SP-34 (trade name)" manufactured by Toray was used. The formed polyimide precursor layer 5 is heated on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes to be solidified. Its thickness was 30 μm. Next, a photosensitive benzoxazole precursor layer 9 is formed by a coating method, and is similarly solidified by heating on a hot plate at 120 ° C. for 3 minutes.
Its thickness was 14 μm (FIG. 2 (B)). "CRC-8100" manufactured by Sumitomo Bakelite was used as a precursor of the photosensitive benzoxazole.

【００３０】次に感光性ベンゾオキサゾール前駆体層９
を所望のパターンに露光（波長３６５ｎｍ、露光量０．
５Ｊ／ｃｍ²）し、ＴＭＡＨを主成分とするアルカリ水
溶液で露光部を現像した。この時、下層の非感光性ポリ
イミド前駆体層５も上記熱処理を受けたことで前記アル
カリ水溶液に対して適当なエッチングレートを示すよう
になり、エッチングされる。具体的には、最初の１分間
で感光性ベンゾオキサゾール前駆体層９の露光部分がパ
ターニングされ（図２（Ｃ））、更に現像を続けると、
パターニングされた感光性ベンゾオキサゾール前駆体層
９をマスクに下層の非感光性ポリイミド前駆体層５が２
分でパッシベーション膜４が露出するまで加工される
（図２（Ｄ））。Next, the photosensitive benzoxazole precursor layer 9
Is exposed to a desired pattern (wavelength 365 nm, exposure amount 0. 1).
5 J / cm ² ), and the exposed portion was developed with an alkaline aqueous solution containing TMAH as a main component. At this time, the lower non-photosensitive polyimide precursor layer 5 also has an appropriate etching rate with respect to the alkaline aqueous solution due to the heat treatment, and is etched. Specifically, the exposed portion of the photosensitive benzoxazole precursor layer 9 is patterned in the first minute (FIG. 2 (C)).
Using the patterned photosensitive benzoxazole precursor layer 9 as a mask, the lower non-photosensitive polyimide precursor layer 5
It is processed until the passivation film 4 is exposed in minutes (FIG. 2D).

【００３１】その後、リンス液で現像液を除去し、オー
ブンにて３５０℃、６０分の加熱を行うと、それぞれの
前駆体層はポリマー化し、非感光性ポリイミド層７は約
２０μｍに、感光性ポリベンゾオキサゾール層１０は約
１０μｍの膜厚に収縮する（図２（Ｅ））。このように
して合計膜厚３０μｍのバッファーコート層を精度よく
形成することができる。Thereafter, the developer is removed with a rinsing solution, and heating is performed at 350 ° C. for 60 minutes in an oven. Each precursor layer is polymerized, and the non-photosensitive polyimide layer 7 is reduced to about 20 μm. The polybenzoxazole layer 10 shrinks to a thickness of about 10 μm (FIG. 2E). In this way, a buffer coat layer having a total film thickness of 30 μm can be accurately formed.

【００３２】本実施例では、ポジ型の感光性ポリベンゾ
オキサゾールを用いるため、マスク欠陥に対して強いと
いう特徴を持つ。すなわち、感光性樹脂の露光時にネガ
型の場合には光の当たった場所が膜として残るため、露
光マスクにごみなどが存在した場合、ピンホールが発生
する。この樹脂をマスクに下層の非感光性樹脂、皿には
パッシベーション膜をエッチングするので、ピンホール
の発生はデバイスの信頼性に重大なダメージを引き起こ
す場合がある。しかし、本実施例のように、ポジ型の感
光性樹脂を用いた場合には、ごみの存在はピンホールの
原因とはならないため信頼性が向上する。また、本実施
例では現像液としてアルカリ水溶液を使用するため、有
機溶剤を現像液に使用する場合に比べて人体や環境に与
える影響が少ないというメリットもある。In this embodiment, since a positive photosensitive polybenzoxazole is used, it has a feature that it is strong against mask defects. That is, in the case of the negative type at the time of exposure of the photosensitive resin, a portion exposed to light remains as a film, and thus, when dust is present on the exposure mask, a pinhole is generated. Since the lower non-photosensitive resin is etched using the resin as a mask and the passivation film is etched on the plate, the generation of pinholes may cause serious damage to the reliability of the device. However, when a positive photosensitive resin is used as in this embodiment, the reliability is improved because the presence of dust does not cause pinholes. Further, in this embodiment, since an alkaline aqueous solution is used as the developing solution, there is an advantage that the influence on the human body and the environment is less than when an organic solvent is used for the developing solution.

【００３３】最後に、このようにして形成されたバッフ
ァーコート層をマスクとしてドライエッチングによりパ
ッシベーション膜４をエッチングしてパッド上を開口し
て本発明の半導体装置が完成する（図２（Ｆ））。Finally, using the buffer coat layer thus formed as a mask, the passivation film 4 is etched by dry etching to open the pad, thereby completing the semiconductor device of the present invention (FIG. 2F). .

【００３４】なお、上記の実施例ではいずれもバッファ
コート層をマスクにパッシベーション膜を加工する方法
を説明したが、もちろんあらかじめパッシベーション膜
に開口を形成した上に同様の工程によりバッファコート
層を形成、加工しても構わない。例えばリダンダンシー
ヒューズを有するようなデバイスの場合には開口寸法が
１０μｍ以下の場合もあり、いくら上記の方式で加工精
度が良いといっても限界であり、パッシベーション膜の
加工は別に行う方が現実的である。In each of the above embodiments, the method of processing the passivation film using the buffer coat layer as a mask has been described. Of course, after forming an opening in the passivation film in advance, a buffer coat layer is formed by the same process. It may be processed. For example, in the case of a device having a redundancy fuse, the opening size may be 10 μm or less, and it is a limit even if the processing accuracy is good by the above method, and it is more realistic to process the passivation film separately. It is.

【００３５】[0035]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
α線遮蔽に効果のある３０μｍ以上の膜厚の耐熱性高分
子樹脂からなるバッファコート層を所望のパターンに少
ない工程でウエハ上に一括して形成できるという効果を
有する。また、パターン精度も良好で、これをマスクに
パッシベーション膜を下降することが出来、パッシベー
ション膜加工用のリソグラフィ工程を省略することによ
る工程短縮、コスト削減が可能となる。As described above, according to the present invention,
This has the effect that a buffer coat layer made of a heat-resistant polymer resin having a film thickness of 30 μm or more that is effective for α-ray shielding can be formed on a wafer in a desired pattern in a small number of steps. In addition, the pattern accuracy is good, and the passivation film can be lowered using the mask as a mask, thereby making it possible to shorten the process and reduce the cost by omitting the lithography process for processing the passivation film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施形態になる半導体装置の製造方
法の工程断面図である。FIG. 1 is a process sectional view of a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図２】本発明の他の実施形態になる半導体装置の製造
方法の工程断面図である。FIG. 2 is a process sectional view of a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.

【図３】従来の非感光性ポリイミドを用いた半導体装置
の製造方法の工程断面図である。FIG. 3 is a process sectional view of a conventional method for manufacturing a semiconductor device using a non-photosensitive polyimide.

【図４】従来の感光性ポリイミドを用いた半導体装置の
製造方法の工程断面図である。FIG. 4 is a process cross-sectional view of a conventional method for manufacturing a semiconductor device using photosensitive polyimide.

【図５】従来のポッティング法による方法を説明する工
程断面図である。FIG. 5 is a process sectional view for explaining a conventional potting method.

【図６】従来例の問題点を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a problem of the conventional example.

【図７】従来例の問題点を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a problem of the conventional example.

【図８】従来例の問題点を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a problem of the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ シリコン基板 ２ 絶縁膜 ３ パッド ４ パッシベーション膜 ５ 非感光性ポリイミド前駆体層 ６ 感光性ポリイミド前駆体層 ７ 非感光性ポリイミド層 ８ 感光性ポリイミド層 ９ 感光性ベンゾオキサゾール前駆体層 １０ 感光性ポリベンゾオキサゾール層 Reference Signs List 1 silicon substrate 2 insulating film 3 pad 4 passivation film 5 non-photosensitive polyimide precursor layer 6 photosensitive polyimide precursor layer 7 non-photosensitive polyimide layer 8 photosensitive polyimide layer 9 photosensitive benzoxazole precursor layer 10 photosensitive polybenzo Oxazole layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 少なくとも、素子が形成され、パッシベ
ーション膜で覆われた半導体基板上に、３０μｍ以上の
厚みを有する耐熱性高分子樹脂の層を形成する工程を有
する半導体装置の製造方法において、 前記耐熱性高分子樹脂層形成工程が、 （１）非感光性高分子の前駆体を塗布する工程、 （２）前記非感光性高分子樹脂の前駆体層上に感光性高
分子樹脂の前駆体を塗布する工程、 （３）所望のパターンに前記感光性高分子樹脂の前駆体
を露光する工程、 （４）前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液で現像し
てパターニングする工程、 （５）パターニングされた感光性高分子樹脂の前駆体層
をマスクに前記非感光性高分子樹脂の前駆体層をウェッ
トエッチングする工程、及び （６）前記非感光性及び感光性高分子樹脂の前駆体層を
ポリマー化する工程とを含むものであって、前記非感光
性高分子樹脂の前駆体が前記感光性高分子樹脂の前駆体
の現像液でエッチング可能であり、前記感光性高分子樹
脂の前駆体のパターニング工程及び前記非感光性高分子
樹脂の前駆体層をウェットエッチングする工程とを同時
に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: forming at least a layer of a heat-resistant polymer resin having a thickness of 30 μm or more on a semiconductor substrate on which an element is formed and covered with a passivation film, The heat-resistant polymer resin layer forming step includes: (1) a step of applying a non-photosensitive polymer precursor, and (2) a photosensitive polymer resin precursor on the non-photosensitive polymer resin precursor layer. (3) exposing the photosensitive polymer resin precursor to a desired pattern; (4) developing and patterning with a developer solution of the photosensitive polymer resin precursor; 5) wet-etching the non-photosensitive polymer resin precursor layer using the patterned photosensitive polymer resin precursor layer as a mask; and (6) precursor of the non-photosensitive and photosensitive polymer resin. Poly layer Wherein the precursor of the non-photosensitive polymer resin is etchable with a developer of the precursor of the photosensitive polymer resin, and the precursor of the photosensitive polymer resin is And a step of wet etching the precursor layer of the non-photosensitive polymer resin. 【請求項２】 非感光性高分子及び感光性高分子が共に
ポリイミドであることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the non-photosensitive polymer and the photosensitive polymer are both polyimide. 【請求項３】 非感光性高分子がポリイミドであり、感
光性高分子がポリベンゾオキサゾールであることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the non-photosensitive polymer is polyimide, and the photosensitive polymer is polybenzoxazole. 【請求項４】 前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液
がアルカリ溶液であることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the developer of the photosensitive polymer resin is an alkaline solution. 【請求項５】 前記感光性高分子樹脂の前駆体の現像液
が有機溶剤であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the developer of the photosensitive polymer resin is an organic solvent. 【請求項６】 前記パッシベーション膜は、耐熱性高分
子層形成工程に先駆けて、予め所望の開口が形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein a desired opening is formed in the passivation film prior to a heat-resistant polymer layer forming step. Method. 【請求項７】 前記パッシベーション膜は、耐熱性高分
子層形成工程により形成された耐熱性高分子層のパター
ンをマスクに開口が形成されることを特徴とする請求項
１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。7. The passivation film according to claim 1, wherein an opening is formed using a pattern of the heat-resistant polymer layer formed in the heat-resistant polymer layer forming step as a mask. The manufacturing method of the semiconductor device described in the above.