JPH11135261A - Organic electroluminescent element material, and organic electroluminescent element using it - Google Patents

Organic electroluminescent element material, and organic electroluminescent element using it

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JPH11135261A
JPH11135261A JP9293696A JP29369697A JPH11135261A JP H11135261 A JPH11135261 A JP H11135261A JP 9293696 A JP9293696 A JP 9293696A JP 29369697 A JP29369697 A JP 29369697A JP H11135261 A JPH11135261 A JP H11135261A
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JP
Japan
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group
substituted
organic
layer
general formula
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Application number
JP9293696A
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Japanese (ja)
Inventor
Shiyunichi Onikubo
俊一 鬼久保
Michiko Tamano
美智子 玉野
Satoshi Okutsu
聡 奥津
Shinichiro Maki
伸一郎 真木
Toshio Enokida
年男 榎田
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Toyo Ink Mfg Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink Mfg Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive hole injection material which has great positive hole injection ability, and durability, especially high-temperature-resistance, by using an organic electro-luminescence element material having a 9-phenantolyl group as a luminescent material. SOLUTION: As a luminescent material, an organic electro-luminescence element material represented by formula I is used. In the formula I, Ar<1> -Ar<4> show substituted or un-substituted aryl groups, and at least one is a substituted or un-substituted 9-phenantolyl group represented by formula II. In the formula II, R<1> -R<9> show hydrogen atoms, halogen atoms, and substituted or un-substituted alkoxyl groups, respectively and independently. Adjacent substituted groups of the R<1> -R<9> can combine with each other and form new saturation rings or aromatic rings. In addition, as the luminescent material, an organic electro-luminescence element material represented by formula III can be used. In the formula III, R<11> -R<14> show hydrogen atoms, halogen atoms, substituted or un-substituted alkyl groups, and alkoxyl groups, respectively and independently.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は平面光源や表示に使用さ
れる高輝度の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素
子に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-luminance organic electroluminescence (EL) device used for a flat light source or display.

【０００２】[0002]

【従来の技術】有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発
光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が
有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ
は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構
成されている。発光は、両電極間に電界が印加される
と、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入
される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結
合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際に
エネルギーを光として放出する現象である。2. Description of the Related Art An EL device using an organic substance is expected to be used as an inexpensive, large-area, full-color display device of a solid light emitting type, and many developments have been made. Generally EL
Is composed of a light-emitting layer and a pair of opposed electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side and holes are injected from the anode side. Further, the electrons are recombined with holes in the light emitting layer, and energy is emitted as light when the energy level returns from the conduction band to the valence band.

【０００３】従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比
べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。
また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率
を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ
素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィ
ジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年
参照）。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミ
ン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光
を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は数１０００ｃ
ｄ／ｍ2 、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成して、
実用領域に近い性能を持っている。[0003] Conventional organic EL devices have a higher driving voltage and lower luminous brightness and luminous efficiency than inorganic EL devices.
In addition, the characteristic deterioration was remarkable, and it had not been put to practical use.
2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL in which thin films containing an organic compound having high fluorescence quantum efficiency and emitting light at a low voltage of 10 V or less are laminated.
Devices have been reported and are of interest (see Applied Physics Letters, vol. 51, p. 913, 1987). This method uses a metal chelate complex for a light emitting layer and an amine compound for a hole injection layer to obtain high-intensity green light emission.
d / m 2 and maximum luminous efficiency of 1.5 lm / W,
Has performance close to the practical range.

【０００４】しかしながら、現在までの有機ＥＬ素子
は、構成の改善により発光強度はかなり改良されている
が、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな問題を
持っている。また、特に車載使用時などの室温より高い
温度での耐性に劣り、短時間で大きく劣化していた。こ
の改良のため、従来から正孔注入材料として用いられた
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン
（２Ｍｅ−ＴＰＤ）に代えてよりガラス転移温度の高い
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）
−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−Ｎ
ＰＤ、特開平５−２３４６８１）などの縮合芳香環を分
子中に有する化合物を用いる発明もなされたが、高温耐
性という面では未だ十分とはいえなかった。以上の理由
により、高い発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用
時や高温時の安定性の優れた有機ＥＬ素子の開発のため
に、優れた正孔注入能力を有し、耐久性、特に高温耐性
のある正孔注入材料の開発が望まれている。[0004] However, organic EL devices up to the present have considerably improved the emission intensity due to the improved structure, but have a serious problem that the stability upon repeated use is inferior. In addition, the resistance at a temperature higher than room temperature, particularly when used in a vehicle, is poor, and the deterioration is large in a short time. For this improvement, N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (2Me) conventionally used as a hole injection material is used. -TPD) instead of N, N'-diphenyl-N, N'-di (1-naphthyl) having a higher glass transition temperature.
-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α-N
Although inventions using compounds having a condensed aromatic ring in the molecule, such as PD and JP-A-5-234681, have been made, they have not been sufficient in terms of high temperature resistance. For the above reasons, for the development of an organic EL device having high light emission luminance and light emission efficiency and excellent stability during repeated use and at high temperatures, it has excellent hole injecting ability and durability, especially at high temperatures. There is a demand for the development of a hole injection material that is resistant.

【０００５】また、有機ＥＬ素子の輝度、効率、寿命な
どの改善や特に発光色を変えるために、膜形成性の良好
な材料からなる発光層中に有機蛍光色素を少量添加す
る、いわゆるドーピングという手法がしばしば採られ
る。しかし、ドーピング材料である有機蛍光色素の開発
例が多く、層の母体となるホスト材料の開発例は非常に
少ない。特に素子を真空蒸着などの乾式製膜法で作成す
る場合には、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ア
ルミニウム錯体をホスト材料とするものが、実際例の大
部分であった（特開昭６３−２６４６９２号公報、特開
平３−２５５１９０号公報、特開平５−７０７７３号公
報）。このため、ＥＬ素子の特性がホスト材料の性能に
より限定されたり、蛍光色素としては優秀な特性を持つ
ものでも、ホスト材料の性質と合致しないために、本来
有している能力を発揮していないと考えられるものもあ
った。In order to improve the brightness, efficiency and life of the organic EL device and to change the color of the emitted light, in particular, a small amount of an organic fluorescent dye is added to a light emitting layer made of a material having a good film forming property. Approaches are often taken. However, there are many development examples of an organic fluorescent dye as a doping material, and very few development examples of a host material serving as a base of a layer. In particular, when an element is formed by a dry film forming method such as vacuum evaporation, most of practical examples use a tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex as a host material (Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63/1988). -264692, JP-A-3-255190, JP-A-5-70773). For this reason, the characteristics of the EL element are limited by the performance of the host material, and even though the fluorescent dye has excellent characteristics, it does not match the characteristics of the host material, and thus does not exhibit its inherent ability. Some were considered.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た正孔注入能力を有し、耐久性、特に高温耐性のある正
孔注入材料を提供することにあり、さらにこの正孔注入
材料を正孔注入層や発光層ホスト材料として使用するこ
とにより、高い発光効率で長時間発光することの出来る
有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a hole injecting material having excellent hole injecting ability and durability, especially high temperature resistance. An object of the present invention is to provide an organic EL device that can emit light with high luminous efficiency for a long time by using as a hole injection layer or a light emitting layer host material.

【０００７】本発明者らは鋭意検討した結果、一般式
［１］または一般式［３］で示される有機ＥＬ素子用発
光材料は、正孔注入能力が大きく、これを正孔注入層や
発光層ホストに用いて作製した有機ＥＬ素子の素子特
性、保存および駆動寿命、特に高温時の寿命が優れてい
ることを見いだし本発明に至った。As a result of intensive studies, the present inventors have found that the light-emitting material for an organic EL device represented by the general formula [1] or [3] has a large hole-injecting ability. The present inventors have found that the organic EL device produced by using the layer host has excellent device characteristics, storage and driving life, especially life at high temperatures, and thus have accomplished the present invention.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
［１］で示される有機エレクトロルミネッセンス素子材
料に関する。 一般式［１］Means for Solving the Problems The present invention relates to an organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1]. General formula [1]

【０００９】[0009]

【化６】 Embedded image

【００１０】［式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 は、置換もしくは
未置換のアリール基を表し、かつ少なくとも一つは下記
一般式［２］で示される置換もしくは未置換の９−フェ
ナントリル基である。］ 一般式［２］[In the formula, Ar 1 to Ar 4 each represent a substituted or unsubstituted aryl group, and at least one is a substituted or unsubstituted 9-phenanthryl group represented by the following general formula [2]. General formula [2]

【００１１】[0011]

【化７】 Embedded image

【００１２】［式中、Ｒ1 〜Ｒ9 は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基を表す。ま
た、Ｒ1〜Ｒ9 は隣接した置換基同士で結合して新たな
飽和環もしくは芳香環を形成しても良い。］Wherein R 1 to R 9 are each independently
Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group. Further, R 1 to R 9 may be bonded together by adjacent substituents to form a new saturated ring or aromatic ring. ]

【００１３】さらに本発明は、下記一般式［３］で示さ
れる有機エレクトロルミネッセンス素子材料である。 一般式［３］Further, the present invention is an organic electroluminescent device material represented by the following general formula [3]. General formula [3]

【００１４】[0014]

【化８】 Embedded image

【００１５】［式中、Ｒ11〜Ｒ14は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキ
ル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基を表す。］Wherein R 11 to R 14 are each independently:
Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group. ]

【００１６】さらに本発明は、一対の電極間に、発光層
または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成して
なる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少な
くとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子材
料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素
子である。Further, the present invention provides an organic electroluminescent element comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein at least one layer contains the organic electroluminescent element material. The organic electroluminescent device is a layer.

【００１７】さらに本発明は、発光層と陽極との間の正
孔注入帯域中の少なくとも一層が上記有機エレクトロル
ミネッセンス素子材料を含有する層である有機エレクト
ロルミネッセンス素子である。Further, the present invention provides an organic electroluminescence device wherein at least one layer in a hole injection zone between the light emitting layer and the anode is a layer containing the above organic electroluminescence device material.

【００１８】さらに本発明は、発光層が上記有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有し、さらに有機蛍光
色素を添加した層である有機エレクトロルミネッセンス
素子である。Further, the present invention is an organic electroluminescent device in which the light emitting layer is a layer containing the organic electroluminescent device material described above and further containing an organic fluorescent dye.

【００１９】さらに本発明は、上記有機エレクトロルミ
ネッセンス素子材料を含有する層と陽極との間に正孔注
入層を設ける有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。Further, the present invention relates to an organic electroluminescent device in which a hole injection layer is provided between a layer containing the above-mentioned organic electroluminescent device material and an anode.

【００２０】さらに本発明は、上記正孔注入層が芳香族
三級アミン誘導体および／またはフタロシアニン誘導体
を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子
である。Further, the present invention is the organic electroluminescent device, wherein the hole injection layer is a layer containing an aromatic tertiary amine derivative and / or a phthalocyanine derivative.

【００２１】さらに本発明は、発光層が金属錯体化合
物、π共役重合体、下記一般式［４］、もしくは一般式
［５］のいずれかの化合物を含有する層である上記有機
エレクトロルミネッセンス素子である。 一般式［４］Further, the present invention provides the above-mentioned organic electroluminescent device, wherein the light-emitting layer is a layer containing a metal complex compound, a π-conjugated polymer, or any one of the following general formulas [4] and [5]. is there. General formula [4]

【００２２】[0022]

【化９】 Embedded image

【００２３】［式中、Ｚ1 は、置換もしくは未置換の窒
素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリ
ーレン基もしくはアリーレン基部分を有する２価の基で
ある。Ｒ21〜Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子、置換
もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシ
クロアルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリール基を表
す。］ 一般式［５］[In the formula, Z 1 is a substituted or unsubstituted arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom or a divalent group having an arylene group portion. R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted nitrogen atom, an aryl group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. Represents General formula [5]

【００２４】[0024]

【化１０】 Embedded image

【００２５】［式中、Ｚ2 は、置換もしくは未置換の窒
素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリ
ーレン基もしくはアリーレン基部分を有する２価の基で
ある。Ａｒ5 〜Ａｒ8 は、それぞれ独立に、置換もしく
は未置換の炭素原子数６〜２０のアリール基を表す。］[In the formula, Z 2 is a substituted or unsubstituted arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom or a divalent group having an arylene group portion. Ar 5 to Ar 8 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. ]

【００２６】さらに本発明は、発光層と陰極との間の電
子注入帯域中の少なくとも一層が金属錯体化合物および
／または含窒素五員芳香環誘導体を含有する層である上
記有機エレクトロルミネッセンス素子である。Further, the present invention is the above-mentioned organic electroluminescence device, wherein at least one layer in an electron injection zone between the light-emitting layer and the cathode is a layer containing a metal complex compound and / or a nitrogen-containing five-membered aromatic ring derivative. .

【００２７】[0027]

【発明の実施の形態】本発明における一般式［１］で示
される化合物のＡｒ1 〜Ａｒ4 は、置換もしくは未置換
のアリール基を表し、かつ少なくとも一つは一般式
［２］で示される置換もしくは未置換の９−フェナント
リル基である。置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル
基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル
基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル
基、４−クロロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４
−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メ
チルチオフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、
３，５−ジシアノフェニル基、４−トリフルオロメトキ
シフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシリ
ル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基、
４−フェノキシフェニル基、４−（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノ
フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、５
−メチルナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、
アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル
基、アントリル基、アントラキノリル基、３−メチルア
ントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、
ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−１−クリセニ
ル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−クロロペリレニ
ル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェ
ニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビ
セニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタ
フェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバ
レニル基等がある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, Ar 1 to Ar 4 of the compound represented by the general formula [1] represent a substituted or unsubstituted aryl group, and at least one of them is represented by the general formula [2]. It is a substituted or unsubstituted 9-phenanthryl group. Examples of the substituted or unsubstituted aryl group include phenyl, 4-ethylphenyl, biphenyl, 4-methylbiphenyl, 4-ethylbiphenyl, 4-cyclohexylbiphenyl, terphenyl, 4-chlorophenyl, and 3 -Nitrophenyl group, 4
-Cyanophenyl group, 4-methoxyphenyl group, 3-methylthiophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group,
3,5-dicyanophenyl group, 4-trifluoromethoxyphenyl group, o-, m- and p-tolyl group, xylyl group, o-, m- and p-cumenyl group, mesityl group,
4-phenoxyphenyl group, 4- (α, α-dimethylbenzyl) phenyl group, 4- (N, N-dimethyl) aminophenyl group, 4- (N, N-diphenylamino) phenyl group, pentalenyl group, indenyl group , Naphthyl group, 5
-Methylnaphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group,
Acenaphthylenyl group, phenalenyl group, fluorenyl group, anthryl group, anthraquinolyl group, 3-methylanthryl group, phenanthryl group, triphenylenyl group,
Pyrenyl group, chrysenyl group, 2-ethyl-1-chrysenyl group, picenyl group, perylenyl group, 6-chloroperylenyl group, pentaphenyl group, pentacenyl group, tetraphenylenyl group, hexaphenyl group, hexacenyl group, rubicenyl group, coronenyl Group, trinaphthylenyl group, heptaphenyl group, heptacenyl group, pyrantrenyl group, ovarenyl group and the like.

【００２８】本発明における一般式［２］で示される基
のＲ1 〜Ｒ9 および一般式［３］で示される化合物のＲ
11〜Ｒ14は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未
置換のアルコキシ基を表す。Ｒ 1 〜Ｒ9 およびＲ11〜Ｒ
14の具体例は、ハロゲン原子としてはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素、置換もしくは未置換のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、ステアリル基、２−フェニルイソプロピル基、トリ
クロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、
α−フェノキシベンジル基、α，α−ジメチルベンジル
基、α，α−メチルフェニルベンジル基、α，α−ジト
リフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、
α−ベンジルオキシベンジル基等がある。置換もしくは
未置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシ
ルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチ
ルオキシ基、ステアリルオキシ基、トリクロロメトキシ
基、１，１，１−テトラフルオロエトキシ基、ベンジル
オキシ基等がある。また、Ｒ1 〜Ｒ9 は隣接した置換基
同士で結合して新たな飽和環もしくは芳香環を形成して
も良い。ここで、隣接した置換基とは、同一環上の置換
基だけでなく、Ｒ1 とＲ2 のように縮合した隣接環上の
置換基同士、あるいはＲ5 とＲ6 のように隣接しない環
上の置換基であっても、距離的に近接し容易に環を形成
できるものも含む。この結果形成される環置換基として
は、６−アセフェナントリル基、５−クリセニル基、６
−クリセニル基、６−ペンタフェニル基、４−ピレニル
基、５−ピセニル基、６−ピセニル基、１３−ピセニル
基、ベンゾフェナントリル基、ジベンゾフェナントリル
基、ベンゾアントリル基、９−（４，５−メチレン）フ
ェナントリル基等である。The group represented by the general formula [2] in the present invention
R1~ R9And R of the compound represented by the general formula [3]
11~ R14Are each independently a hydrogen atom or a halogen atom
, Substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted
Represents a substituted alkoxy group. R 1~ R9And R11~ R
14Examples of the halogen atom is fluorine, chlorine, odor
As iodine, iodine, substituted or unsubstituted alkyl groups
Is methyl, ethyl, propyl, isopropyl
Group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl
Group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl
Group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, tri
Chloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group,
α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl
Group, α, α-methylphenylbenzyl group, α, α-dito
Trifluoromethylbenzyl group, triphenylmethyl group,
α-benzyloxybenzyl group and the like. Replacement or
Unsubstituted alkoxy groups include methoxy, ethoxy
Group, propoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy
Group, tert-butoxy group, pentyloxy group, hexyl
Ruoxy group, n-octyloxy group, tert-octyl
Ruoxy group, stearyloxy group, trichloromethoxy
Group, 1,1,1-tetrafluoroethoxy group, benzyl
There are oxy groups and the like. Also, R1~ R9Is an adjacent substituent
Bond together to form a new saturated or aromatic ring
Is also good. Here, the adjacent substituent means a substituent on the same ring
Not only the group1And RTwoOn adjacent rings fused as
Substituents, or RFiveAnd R6Rings that are not adjacent like
Even with the above substituents, they are close in distance and easily form a ring
Including what can be done. The resulting ring substituent is
Is a 6-acephenanthryl group, a 5-chrysenyl group, 6
-Chrysenyl group, 6-pentaphenyl group, 4-pyrenyl
Group, 5-picenyl group, 6-picenyl group, 13-picenyl
Group, benzophenanthryl group, dibenzophenanthryl
Group, benzoanthryl group, 9- (4,5-methylene)
And an enanthryl group.

【００２９】本発明における化合物は剛直な９−フェナ
ントリル基を構造中に有するため、ガラス転移点や融点
が高くなる。このため、電界発光時における有機層中、
有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生するジュ
ール熱に対する耐性（耐熱性）および高温環境下での耐
性が向上するので、有機ＥＬ素子の正孔注入材料や発光
層ホスト材料として使用した場合、高い発光輝度を示
し、長時間発光させる際にも有利である。Since the compound of the present invention has a rigid 9-phenanthryl group in the structure, the glass transition point and the melting point are high. Therefore, in the organic layer during electroluminescence,
When used as a hole injection material or a light emitting layer host material of an organic EL device because resistance to Joule heat generated between organic layers or between an organic layer and a metal electrode (heat resistance) and resistance under a high temperature environment are improved. It has high emission luminance and is advantageous when emitting light for a long time.

【００３０】本発明の一般式［１］または一般式［３］
で示される化合物の一般的な合成方法を以下に示す。
４，４’−ジハロゲノビフェニル１部とジアリールアミ
ン誘導体２部、またはＮ，Ｎ’−ジアリール−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン１部とアリールハラ
イド２部を、窒素雰囲気下、有機溶媒中または無溶媒
で、塩基および触媒の存在下で、所定の温度、所定の時
間反応させて得ることができる。この時アリール基の少
なくとも一つは９−フェナントリル誘導体である。また
ここで、同一分子中に異なるハロゲンやアリールを有す
る誘導体や、２種以上のハロゲン誘導体やアミン誘導
体、さらにはそれぞれの化合物の反応性に応じて仕込み
部数や順序を変えることにより、多種多様な９−フェナ
ントリル誘導体基を有する芳香族三級ジアミン誘導体を
得ることができる。The general formula [1] or the general formula [3] of the present invention.
A general method for synthesizing the compound represented by is shown below.
1 part of 4,4′-dihalogenobiphenyl and 2 parts of a diarylamine derivative, or N, N′-diaryl-1,1 ′
1 part of biphenyl-4,4′-diamine and 2 parts of aryl halide are obtained by reacting in a nitrogen atmosphere in an organic solvent or without solvent in the presence of a base and a catalyst at a predetermined temperature for a predetermined time. Can be. At this time, at least one of the aryl groups is a 9-phenanthryl derivative. Here, a variety of derivatives having different halogens and aryls in the same molecule, two or more types of halogen derivatives and amine derivatives, and further, by changing the number of charged parts and the order according to the reactivity of each compound, various An aromatic tertiary diamine derivative having a 9-phenanthryl derivative group can be obtained.

【００３１】本発明における誘導体化合物のハロゲン置
換基としては、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。本発
明で使用される塩基は、炭酸カリウム、水酸化リチウ
ム、水酸化ナトリウムのような無機塩基、ピリジン、ピ
コリン、トリエチルアミン、Ｎ−メチルピロリドン、
１，５−アザビシクロ［５，４，０］ウンデセン（ＤＢ
Ｕ）のような有機塩基が挙げられる。本発明で使用され
る触媒は、金属銅、酸化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅等が
挙げられる。本発明で使用しても良い溶媒は、反応を比
較的高い温度で行う場合が多いことから、ある程度高沸
点であることが好ましい。例えば、トルエン、キシレ
ン、ニトロベンゼン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド等の溶媒が挙げられる。さらに詳
しくは、対応する芳香族２級アミン化合物に置換させた
い基のヨード化物またはブロモ化物を１，３−ジメチル
−２−イミダゾリジノン等の高沸点有機溶媒中で、水酸
化ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基および塩化第一銅
を触媒として、脱ハロゲン反応により、目的の化合物を
製造することができる。The halogen substituent of the derivative compound in the present invention includes chlorine, bromine and iodine. The base used in the present invention is an inorganic base such as potassium carbonate, lithium hydroxide, sodium hydroxide, pyridine, picoline, triethylamine, N-methylpyrrolidone,
1,5-azabicyclo [5,4,0] undecene (DB
Organic bases such as U). Examples of the catalyst used in the present invention include metallic copper, copper oxide, copper halide, and copper sulfate. The solvent that may be used in the present invention preferably has a somewhat high boiling point because the reaction is often performed at a relatively high temperature. For example, toluene, xylene, nitrobenzene, dimethyl sulfoxide, N, N-
Solvents such as dimethylformamide. More specifically, iodide or bromide of a group to be substituted with the corresponding aromatic secondary amine compound is dissolved in a high boiling organic solvent such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone in sodium hydroxide, potassium carbonate, or the like. The target compound can be produced by a dehalogenation reaction using a base such as the above and cuprous chloride as a catalyst.

【００３２】以下に、本発明の一般式［１］または一般
式［３］の化合物の代表例を、表１に具体的に例示する
が、本発明は、この代表例に限定されるものではない。Hereinafter, typical examples of the compound represented by the general formula [1] or [3] of the present invention are specifically shown in Table 1, but the present invention is not limited to these typical examples. Absent.

【００３３】[0033]

【表１】 [Table 1]

【００３４】 [0034]

【００３５】 [0035]

【００３６】 [0036]

【００３７】本発明の一般式［１］または一般式［３］
で示される化合物は、陽極からの優れた正孔注入性およ
び正孔輸送性を持っているので、正孔注入材料として有
効に使用することができる。また、陰極からの電子注入
性および電子輸送性を持ち合わせているので、発光層ホ
スト材料としても有効に使用することができる。更に
は、他の正孔注入性材料、電子注入性材料もしくはドー
ピング材料を併せて使用してもさしつかえない。The general formula [1] or the general formula [3] of the present invention
Has excellent hole injecting property and hole transporting property from the anode, and thus can be effectively used as a hole injecting material. In addition, since it has the property of injecting and transporting electrons from the cathode, it can be effectively used as a host material for the light emitting layer. Furthermore, other hole injecting materials, electron injecting materials, or doping materials may be used together.

【００３８】有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もし
くは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場
合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層
は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した
正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸
送させるために、正孔注入材料もしくは電子注入材料を
含有しても良い。しかしながら、本発明の材料を発光層
ホスト材料に用いた場合は、高い正孔輸送能力および電
子輸送能力を併せ持ち、均一な薄膜を形成することがで
き、かつ発光量子効率の高いドーピング材料をその膜中
に均一に分散させることができるので、本発明の発光層
ホスト材料とドーピング材料のみで発光層を形成するこ
とも可能である。多層型は、（陽極／正孔注入帯域／発
光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入帯域／陰
極）、（陽極／正孔注入帯域／発光層／電子注入帯域／
陰極）の多層構成で積層した有機ＥＬ素子がある。本発
明の一般式［１］または一般式［３］で示される有機Ｅ
Ｌ素子材料は、陽極から有機層への正孔注入機能、およ
び注入した正孔を輸送し発光層に注入する機能を有して
いるので、正孔注入帯域が二層以上で構成される場合で
も、いずれの正孔注入層にも使用することが出来る。一
般式［１］または一般式［３］の化合物により形成され
る薄膜は非晶質性があるので、薄膜にした場合の長期間
の保存や素子を駆動させた場合の発光寿命等においても
有利である。また、一般式［１］または一般式［３］の
化合物は、膜のイオン化ポテンシャルが低く、ＩＴＯ等
の陽極に対する密着性も良好であるので、ＩＴＯ電極
（陽極）に接する正孔注入層に使用しても好適であり、
膜の平滑性や発光材料への正孔の注入性の点から、発光
材料に接する正孔注入層に使用しても好適である。さら
には、一般式［１］または一般式［３］の化合物は、正
孔注入性、正孔輸送特性および電子注入性、電子輸送特
性を合わせもっているので、発光層ホスト材料として発
光層にも使用できる。The organic EL device is a device in which one or more organic thin films are formed between an anode and a cathode. In the case of a single layer type, a light emitting layer is provided between an anode and a cathode. The light-emitting layer contains a light-emitting material and may further contain a hole-injection material or an electron-injection material for transporting holes injected from an anode or electrons injected from a cathode to the light-emitting material. However, when the material of the present invention is used as a light emitting layer host material, a doping material having both a high hole transporting ability and an electron transporting ability, capable of forming a uniform thin film, and having a high emission quantum efficiency is used for the film. Since the light-emitting layer can be uniformly dispersed in the light-emitting layer, the light-emitting layer can be formed using only the light-emitting layer host material and the doping material of the present invention. The multilayer type includes (anode / hole injection zone / emission layer / cathode), (anode / emission layer / electron injection zone / cathode), (anode / hole injection zone / emission layer / electron injection zone /
There is an organic EL element stacked in a multilayer structure of (cathode). The organic E represented by the general formula [1] or the general formula [3] of the present invention.
The L element material has a function of injecting holes from the anode to the organic layer, and a function of transporting the injected holes and injecting them into the light emitting layer. However, it can be used for any hole injection layer. Since the thin film formed by the compound of the general formula [1] or the general formula [3] is amorphous, it is advantageous in long-term storage when the thin film is formed, light emission life when the element is driven, and the like. It is. Further, the compound represented by the general formula [1] or the general formula [3] has a low ionization potential of a film and has good adhesion to an anode such as ITO, so that it is used for a hole injection layer in contact with an ITO electrode (anode). Is also suitable,
In view of the smoothness of the film and the property of injecting holes into the light emitting material, it is also suitable for use in a hole injecting layer in contact with the light emitting material. Further, since the compound of the general formula [1] or the general formula [3] has both hole injection property, hole transport property, electron injection property and electron transport property, it can be used as a light emitting layer host material in the light emitting layer. Can be used.

【００３９】発光層には、必要があれば、本発明の一般
式［１］または一般式［３］の化合物およびドーピング
材料である有機蛍光色素に加えて、さらなる公知の発光
材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもで
きる。有機ＥＬ素子は、多層構造にすることにより、ク
エンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができ
る。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注
入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することが出
来る。また、ドーピング材料の選択により、発光輝度や
発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることもでき
る。また、正孔注入帯域、発光層、電子注入帯域は、そ
れぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その
際には、正孔注入帯域の場合、電極から正孔を注入する
層を第一正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発
光層に正孔を注入する層を第二正孔注入層と呼ぶ。同様
に、電子注入帯域の場合、電極から電子を注入する層を
第一電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層
に電子を注入する層を第二電子注入層と呼ぶ。これらの
各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層もしく
は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用
される。If necessary, the light-emitting layer may further contain, in addition to the compound of the general formula [1] or the general formula [3] of the present invention and an organic fluorescent dye which is a doping material, a known light-emitting material and a hole injection material. Materials and electron injection materials can also be used. When the organic EL element has a multilayer structure, it is possible to prevent a decrease in luminance and life due to quenching. If necessary, a combination of a light emitting material, a doping material, a hole injection material, and an electron injection material can be used. Further, by selecting a doping material, emission luminance and emission efficiency can be improved, and red and blue light emission can be obtained. Further, each of the hole injection zone, the light emitting layer, and the electron injection zone may be formed by a layer structure of two or more layers. In that case, in the case of the hole injection zone, the layer for injecting holes from the electrode is the first hole injection layer, and the layer for receiving holes from the hole injection layer and injecting holes into the light emitting layer is the second hole. It is called a hole injection layer. Similarly, in the case of the electron injection zone, a layer that injects electrons from the electrode is called a first electron injection layer, and a layer that receives electrons from the electron injection layer and injects electrons into the light emitting layer is called a second electron injection layer. Each of these layers is selected and used depending on factors such as the energy level of the material, heat resistance, and adhesion to the organic layer or the metal electrode.

【００４０】本発明においては、陽極と陰極の間に発光
層ホスト材料とドーピング材料が均一に混合された層の
一層のみを設けても、十分に効果が得られるが、さら
に、発光輝度、効率を高める、あるいは寿命を向上させ
るために、一方または両方の電極側にドーピング材料を
含まない、ホスト材料のみの層あるいはホスト材料と蛍
光色素ではない添加物との混合層を設けたり、正孔注入
材料や電子注入材料を用いて、電極側に新たな層を設
け、多層型にすることができる。このような構成にする
ことにより、正孔および電子の注入効率を上げるととも
に、素子中に注入された正孔と電子が再結合せずに対抗
電極まで達してしまうことや、再結合により生じた励起
子が電極に逃げるのを防止することができる。特に本発
明においては、一般式［１］または一般式［３］の化合
物がどちらかというと電子注入・輸送性よりも正孔注入
・輸送性の方が高いため、本発明の構成からなる発光層
の陰極側に電子注入層を挿入することによって、電子の
注入性を高め、正孔の陰極への移動を防止することで、
素子の発光輝度、効率を大きく向上できる。In the present invention, a sufficient effect can be obtained by providing only one layer in which the light emitting layer host material and the doping material are uniformly mixed between the anode and the cathode. In order to increase the lifetime or improve the lifetime, a layer containing only a host material or a mixed layer of a host material and an additive that is not a fluorescent dye is provided on one or both electrodes, or a hole is injected. By using a material or an electron injection material, a new layer can be provided on the electrode side to form a multilayer structure. With such a configuration, the injection efficiency of holes and electrons is increased, and the holes and electrons injected into the device reach the counter electrode without recombination, or are caused by recombination. Excitons can be prevented from escaping to the electrode. In particular, in the present invention, the compound of the general formula [1] or the general formula [3] has a higher hole injecting / transporting property than an electron injecting / transporting property. By inserting an electron injection layer on the cathode side of the layer, it enhances electron injection and prevents holes from moving to the cathode,
The light emission luminance and efficiency of the device can be greatly improved.

【００４１】一般式［１］または一般式［３］の化合物
と共に、または別個に発光層に使用できる発光材料、発
光層ホスト材料、ないしはドーピング材料としては、ア
ントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テ
トラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリ
レン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、
フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジ
エン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジ
アゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビスス
チリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属
錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯
体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセ
ン、ジアミノカルバゾール、トリフェニルアミン、ベン
ジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフ
ェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミンピラン、
チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾール
キレート化オキシノイド化合物、ポルフィリン金属錯
体、フタロシアニン錯体、希土類金属錯体、キナクリド
ン、ルブレン、ルビセンおよび色素レーザー用や増白用
の蛍光色素等があるが、これらに限定されるものではな
い。特に本発明の化合物に有機蛍光色素と総称される上
記の化合物を添加した場合には、発光層中で正孔と電子
の再結合により発生する励起エネルギーが効率よく有機
蛍光色素に移動することにより、この蛍光色素本来の強
い発光色を得ることができる。The light-emitting material, light-emitting layer host material, or doping material that can be used in the light-emitting layer together with or separately from the compound of the general formula [1] or [3] includes anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, Coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone,
Phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, Vinylanthracene, diaminocarbazole, triphenylamine, benzidine-type triphenylamine, styrylamine-type triphenylamine, diamine-type triphenylaminepyran,
Thiopyran, polymethine, merocyanine, imidazole chelated oxinoid compounds, porphyrin metal complexes, phthalocyanine complexes, rare earth metal complexes, quinacridone, rubrene, rubicene and dye lasers and fluorescent dyes for whitening, but are limited to these. is not. In particular, when the above compound, which is collectively referred to as an organic fluorescent dye, is added to the compound of the present invention, the excitation energy generated by recombination of holes and electrons in the light emitting layer is efficiently transferred to the organic fluorescent dye. Thus, a strong emission color inherent in the fluorescent dye can be obtained.

【００４２】発光材料、発光層ホスト材料、ないしはド
ーピング材料として効果的な材料の具体例としては、ト
リス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ト
リス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アル
ミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリ
ウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナー
ト）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］
キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナ
ート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリ
ナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミ
ニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−
ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リナート）フェノラートガリウム、μ−オキソ−ビス
（ジ（２−メチル−８−キノリナート）ガリウム）、ビ
ス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラート）亜
鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラー
ト）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリアゾリル）フェ
ノラート）亜鉛などの金属錯体化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（４−（α, α’−ジメチルベンジ
ル）フェニル）アントラセン−９，１０−ジアミン、
９，１０−ビス（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニ
ル）アントラセンなどの芳香族アミン系化合物、４，
４’−ビス（β, β−ジフェニルビニル）ビフェニル、
４，４−ビス（β−（Ｎ−エチル−３−カルバゾリル）
ビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（ｐ−ジフェニル
アミノスチリル）ビフェニルなどのビススチリル系化合
物、ペリレン、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド誘導
体、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルア
ミノクマリン（クマリン６）、４−ジシアノメチレン−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ニールレッド、ジフェニルアン
トラセンおよびその誘導体、キナクリドンおよびその誘
導体、ルブレンおよびその誘導体、ルビセンおよびその
誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。
以下に、特にドーピング材料として効果的な材料の代表
例を、表２に具体的に例示する。Specific examples of materials effective as a light emitting material, a light emitting layer host material, or a doping material include tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum and tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum. , Tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinate) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h]
(Quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (o-cresolate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholate) aluminum , Bis (2-methyl-8-quinolinate) (2-
Naphtholate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) phenolate gallium, μ-oxo-bis (di (2-methyl-8-quinolinato) gallium), bis (o- (2-benzoxazolyl) phenolate Metal complex compounds such as zinc), bis (o- (2-benzothiazolyl) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzotriazolyl) phenolate) zinc, N, N, N ′,
N′-tetrakis (4- (α, α′-dimethylbenzyl) phenyl) anthracene-9,10-diamine;
Aromatic amine compounds such as 9,10-bis (4- (di-p-tolylamino) phenyl) anthracene;
4′-bis (β, β-diphenylvinyl) biphenyl,
4,4-bis (β- (N-ethyl-3-carbazolyl)
Bisstyryl compounds such as vinyl) biphenyl and 4,4'-bis (p-diphenylaminostyryl) biphenyl, perylene, perylenetetracarboxylic diimide derivative, 3- (2'-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6) , 4-dicyanomethylene-
2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4
Examples include, but are not limited to, H-pyran (DCM), neil red, diphenylanthracene and its derivatives, quinacridone and its derivatives, rubrene and its derivatives, rubicene and its derivatives.
Table 2 below specifically shows typical examples of materials particularly effective as doping materials.

【００４３】[0043]

【表２】 [Table 2]

【００４４】 [0044]

【００４５】 [0045]

【００４６】本発明の一般式［１］または一般式［３］
の化合物を正孔注入材料として用いた時に、発光層に特
に好適な材料としては、金属錯体化合物、π共役重合
体、一般式［４］、もしくは一般式［５］で示される化
合物がある。金属錯体化合物の具体例としては上記に挙
げたアルミニウム、ガリウム、ベリリウム、亜鉛等を中
心金属とし、ヒドロキシキノリン誘導体、ベンゾオキサ
ゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾトリア
ゾール誘導体等を配位子とする一連の化合物がある。The general formula [1] or the general formula [3] of the present invention
When the compound of the formula (1) is used as a hole injection material, examples of a material particularly suitable for the light emitting layer include a metal complex compound, a π-conjugated polymer, and a compound represented by the general formula [4] or [5]. As specific examples of the metal complex compound, a series of compounds having a central metal such as aluminum, gallium, beryllium, and zinc as described above, and a ligand such as a hydroxyquinoline derivative, a benzoxazole derivative, a benzothiazole derivative, or a benzotriazole derivative. There is.

【００４７】π共役重合体とは、二重結合と単結合が交
互に並ぶ構造を持つ重合体であって、本発明におけるπ
共役重合体としては、それぞれ置換基を有しても良いベ
ンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環、ピロール環、
フラン環等の芳香環もしくは複素芳香環が直接連結した
もの、あるいは置換を有しても良いビニレン基を介して
連結したものが好適である。具体例としては、ポリ（ｐ
−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポ
リ（２，５−ジペンチル−ｐ−フェニレンビニレン）、
ポリ（２，５−ジペンチル−ｍ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−ジオクチル−ｐ−フェニレンビニ
レン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フェニ
レンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｍ
−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジヘキシルチ
オ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジデシ
ルオキシ−ｐ−フェニレンビニレン）、ポリ（２−メト
キシ−５−ヘキシルオキシ−ｐ−フェニレンビニレ
ン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ポリ（３
−ｎ−オクチル−２，５−チエニレンビニレン）、ポリ
（１，４−ナフタレンビニレン）、ポリ（９，１０−ア
ントラセンビニレン）、ポリ（２，５−チエニレン）、
ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレン）、ポリ（３
−オクチル−２，５−チエニレン）、ポリ（３−ヘキシ
ルオキシ−２，５−チエニレン）等がある。The π-conjugated polymer is a polymer having a structure in which double bonds and single bonds are alternately arranged.
As the conjugated polymer, a benzene ring, a naphthalene ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, each of which may have a substituent,
Those in which an aromatic ring such as a furan ring or a heteroaromatic ring is directly connected, or those which are connected through a vinylene group which may have a substituent are preferable. As a specific example, poly (p
-Phenylene), poly (p-phenylenevinylene), poly (2,5-dipentyl-p-phenylenevinylene),
Poly (2,5-dipentyl-m-phenylenevinylene), poly (2,5-dioctyl-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2,5-dihexyl) Oxy-m
-Phenylenevinylene), poly (2,5-dihexylthio-p-phenylenevinylene), poly (2,5-didecyloxy-p-phenylenevinylene), poly (2-methoxy-5-hexyloxy-p-phenylenevinylene) , Poly (2,5-thienylenevinylene), poly (3
-N-octyl-2,5-thienylenevinylene), poly (1,4-naphthalenevinylene), poly (9,10-anthracenevinylene), poly (2,5-thienylene),
Poly (3-hexyl-2,5-thienylene), poly (3
-Octyl-2,5-thienylene), poly (3-hexyloxy-2,5-thienylene) and the like.

【００４８】本発明の一般式［４］で示される化合物
は、一般的にビススチリル系化合物と呼ばれるものであ
る。式中のＺ1 は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸
素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基も
しくはアリーレン基部分を有する２価の基である。具体
的な連結基としては、置換基を有しても良いベンゼン
環、ナフタレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ア
ントラセン環、ピレン環、チオフェン環、ビチオフェン
環、ピロール環、ピラジン環、フラン環、トリフェニル
アミン、Ｎ−エチルカルバゾールの２価残基等がある。
Ｒ21〜Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしく
は未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロア
ルキル基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素原子も
しくは硫黄原子を含んでも良いアリール基を表す。置換
もしくは未置換のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、２−フ
ェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフル
オロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル
基、α，α−ジメチルベンジル基、α，α−メチルフェ
ニルベンジル基、α，α−ジトリフルオロメチルベンジ
ル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベン
ジル基等がある。置換もしくは未置換のシクロアルキル
基としては、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、
１，３−シクロヘキサジエニル基、２−シクロペンテニ
ル基、２，４−シクロペンタジエニル基等がある。The compound represented by the general formula [4] of the present invention is generally called a bisstyryl compound. Z 1 in the formula is a substituted or unsubstituted arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom or a divalent group having an arylene group portion. As a specific linking group, a benzene ring, a naphthalene ring, a biphenyl ring, a terphenyl ring, an anthracene ring, a pyrene ring, a thiophene ring, a bithiophene ring, a pyrrole ring, a pyrazine ring, a furan ring, which may have a substituent, There are trivalent amine, divalent residue of N-ethylcarbazole and the like.
R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted nitrogen atom, an aryl group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. Represents Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, sec.
-Butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group, α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group, α, α-methylphenylbenzyl group, α, α-ditrifluoromethylbenzyl group, triphenylmethyl group, α-benzyloxybenzyl group and the like. As a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a cyclopropyl group, a cyclohexyl group,
There are a 1,3-cyclohexadienyl group, a 2-cyclopentenyl group, a 2,4-cyclopentadienyl group and the like.

【００４９】置換もしくは未置換のアリール基として
は、フェニル基、４−エチルフェニル基、ビフェニル
基、４−メチルビフェニル基、４−エチルビフェニル
基、４−シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル
基、４−クロロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４
−シアノフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メ
チルチオフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、
３，５−ジシアノフェニル基、４−トリフルオロメトキ
シフェニル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−トリル基、キシリ
ル基、ｏ−，ｍ−およびｐ−クメニル基、メシチル基、
４−フェノキシフェニル基、４−（α，α−ジメチルベ
ンジル）フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノ
フェニル基、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニ
ル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、５
−メチルナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、
アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル
基、アントリル基、アントラキノリル基、３−メチルア
ントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、
ピレニル基、クリセニル基、２−エチル−１−クリセニ
ル基、ピセニル基、ペリレニル基、６−クロロペリレニ
ル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェ
ニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビ
セニル基、コロネニル基、トリナフチレニル基、ヘプタ
フェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバ
レニル基等があり、これには縮合環も含まれる。また、
チエニル基、フリル基、ピロリル基、オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル
基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、フラザニル基、ピ
ラニル基、トリアゾリル基、ピリジル基、ピラジニル
基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル
基、ベンゾフリル基、インドリル基、インドリニル基、
イソインドリル基、イソインドリニル基、インダゾリル
基、クロメニル基、クロマニル基、キノリル基、イソキ
ノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾ
リニル基、クマリニル基、ジベンゾフリル基、キサンテ
ニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニ
ル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ベン
ゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダ
ゾリル基、２−メチルピリジル基、３−シアノピリジル
基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基等のよう
に、環中に窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を含ん
でも良い。一般式［４］の化合物の代表例としては、
４，４’−ビス（β, β−ジフェニルビニル）ビフェニ
ル、４，４−ビス（β−（Ｎ−エチル−３−カルバゾリ
ル）ビニル）ビフェニル、４，４’−ビス（ｐ−ジフェ
ニルアミノスチリル）ビフェニル、２，５−ビス（β,
β−ジフェニルビニル）ピラジン、２, ６−ビス（ｐ−
ジフェニルアミノスチリル）−４−ジシアノメチレン−
４Ｈ−ピラン等がある。The substituted or unsubstituted aryl group includes phenyl, 4-ethylphenyl, biphenyl, 4-methylbiphenyl, 4-ethylbiphenyl, 4-cyclohexylbiphenyl, terphenyl, and 4-chlorophenyl. Group, 3-nitrophenyl group, 4
-Cyanophenyl group, 4-methoxyphenyl group, 3-methylthiophenyl group, 3,5-dichlorophenyl group,
3,5-dicyanophenyl group, 4-trifluoromethoxyphenyl group, o-, m- and p-tolyl group, xylyl group, o-, m- and p-cumenyl group, mesityl group,
4-phenoxyphenyl group, 4- (α, α-dimethylbenzyl) phenyl group, 4- (N, N-dimethyl) aminophenyl group, 4- (N, N-diphenylamino) phenyl group, pentalenyl group, indenyl group , Naphthyl group, 5
-Methylnaphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group,
Acenaphthylenyl group, phenalenyl group, fluorenyl group, anthryl group, anthraquinolyl group, 3-methylanthryl group, phenanthryl group, triphenylenyl group,
Pyrenyl group, chrysenyl group, 2-ethyl-1-chrysenyl group, picenyl group, perylenyl group, 6-chloroperylenyl group, pentaphenyl group, pentacenyl group, tetraphenylenyl group, hexaphenyl group, hexacenyl group, rubicenyl group, coronenyl Group, trinaphthylenyl group, heptaphenyl group, heptacenyl group, pyranthrenyl group, ovarenyl group and the like, including a condensed ring. Also,
Thienyl group, furyl group, pyrrolyl group, oxazolyl group,
Isoxazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, furazanyl group, pyranyl group, triazolyl group, pyridyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, benzofuryl group, indolyl group, indolinyl group,
Isoindolyl, isoindolinyl, indazolyl, chromenyl, chromanyl, quinolyl, isoquinolyl, phthalazinyl, quinoxalinyl, quinazolinyl, coumarinyl, dibenzofuryl, xanthenyl, carbazolyl, acridinyl, phenazinyl, phenoxazinyl Group, phenothiazinyl group, benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, 2-methylpyridyl group, 3-cyanopyridyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, etc. It may contain a sulfur atom. As a typical example of the compound of the general formula [4],
4,4′-bis (β, β-diphenylvinyl) biphenyl, 4,4-bis (β- (N-ethyl-3-carbazolyl) vinyl) biphenyl, 4,4′-bis (p-diphenylaminostyryl) Biphenyl, 2,5-bis (β,
β-diphenylvinyl) pyrazine, 2,6-bis (p-
Diphenylaminostyryl) -4-dicyanomethylene-
4H-pyran and the like.

【００５０】本発明の一般式［５］で示される化合物
は、一般的に芳香族ジアミン系化合物と呼ばれるもので
ある。式中のＺ2 は、置換もしくは未置換の窒素原子、
酸素原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基
もしくはアリーレン基部分を有する２価の基である。具
体的な連結基としては、置換基を有しても良いベンゼン
環、ナフタレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ア
ントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、チオフェ
ン環、ビチオフェン環、ピロール環、ピラジン環、フラ
ン環、トリフェニルアミン、Ｎ−エチルカルバゾール、
ジフェニルアントラセン、ジアントリルエチレン、１，
１−ジフェニルシクロヘキサン、９，９−ジフェニルフ
ルオレン、ジベンゾチオフェンスルホン等の２価残基等
がある。Ａｒ5 〜Ａｒ8 は、それぞれ独立に、置換もし
くは未置換の炭素原子数６〜２０のアリール基を表す。
具体的には上記一般式［４］の説明中に挙げた基があ
る。一般式［５］の化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−ｍ−フェ
ニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メ
チルフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−
１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、ビス（４−（ジ−ｐ−ト
リルアミノ）フェニル）メタン、１，１−ビス（４−
（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）シクロヘキサン、
９，９−ビス（４−（ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニ
ル）フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）−
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ブチルフェニル）フェナントレ
ン−９，１０−ジアミン、４，４’，４”−トリス（Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリ
フェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４
−（α, α’−ジメチルベンジル）フェニル）アントラ
セン−９，１０−ジアミン、９，１０−ビス（４−（ジ
−ｐ−トリルアミノ）フェニル）アントラセン、α，
α’−ビス（１０−（４−（ジ−ｐ−メトキシフェニル
アミノ）アントリル）エテン、３，７−ビス（４−（ジ
−ｐ−フェノキシフェニルアミノ）ジベンゾチオフェン
スルホン等がある。以下に、発光層として用いられる材
料の代表例を、表３に具体的に例示する。The compound represented by the general formula [5] of the present invention is generally called an aromatic diamine compound. Z 2 in the formula is a substituted or unsubstituted nitrogen atom,
A divalent group having an arylene group or an arylene group portion which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. As a specific linking group, a benzene ring, naphthalene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, thiophene ring, bithiophene ring, pyrrole ring, pyrazine ring, which may have a substituent, Furan ring, triphenylamine, N-ethylcarbazole,
Diphenylanthracene, dianthrylethylene, 1,
There are divalent residues such as 1-diphenylcyclohexane, 9,9-diphenylfluorene and dibenzothiophene sulfone. Ar 5 to Ar 8 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
Specifically, there are the groups mentioned in the description of the general formula [4]. Representative examples of the compound of the general formula [5] include N, N,
N ', N'-tetra (4-methylphenyl) -m-phenylenediamine, N, N, N', N'-tetra (4-methylphenyl) -p-phenylenediamine, N, N'-
Diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl)-
1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, N, N,
N ', N'-tetra (4-methylphenyl) -1,1'
-Biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-di (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, bis (4- (di- p-tolylamino) phenyl) methane, 1,1-bis (4-
(Di-p-tolylamino) phenyl) cyclohexane,
9,9-bis (4- (di-m-tolylamino) phenyl) fluorene, N, N'-di (methylphenyl)-
N, N′-di (4-n-butylphenyl) phenanthrene-9,10-diamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N
-(3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine, N, N, N ', N'-tetrakis (4
-(Α, α′-dimethylbenzyl) phenyl) anthracene-9,10-diamine, 9,10-bis (4- (di-p-tolylamino) phenyl) anthracene, α,
α'-bis (10- (4- (di-p-methoxyphenylamino) anthryl) ethene, 3,7-bis (4- (di-p-phenoxyphenylamino) dibenzothiophene sulfone, etc. Table 3 specifically shows typical examples of materials used for the light emitting layer.

【００５１】[0051]

【表３】 [Table 3]

【００５２】 [0052]

【００５３】本発明の発光層に用いられるこれらの化合
物は、上記の代表例に限定されるものではない。また、
これらの化合物は、単独で用いても良いし、２種類以上
を混合しても良い。These compounds used in the light emitting layer of the present invention are not limited to the above representative examples. Also,
These compounds may be used alone or as a mixture of two or more.

【００５４】本発明において発光層に請求項記載の材料
またはその他の材料のうちの２種以上を混合して用いる
場合、これらの材料の発光層中での存在比率は、どれが
主成分であっても良い。つまり、材料の組み合わせによ
り、同一の材料が発光層ホスト材料にもドーピング材料
にも成り得る。ただし、一般的には発光層中で実際に発
光する材料の重量比は０．０１ｗｔ％〜５０ｗｔ％の範
囲が好ましい。０．０１ｗｔ％未満であると発光する材
料の膜中の絶対量が少なすぎるため、この材料からの発
光が十分に得られなく、５０ｗｔ％を越えると、材料の
種類により状況は異なるが、成膜性が低下したり、濃度
消光という現象により発光輝度、効率が著しく低下する
場合が多い。In the present invention, when two or more of the materials described in the claims or other materials are mixed and used in the light-emitting layer, which of these materials is present in the light-emitting layer is the main component. May be. That is, the same material can be used as the light emitting layer host material and the doping material depending on the combination of the materials. However, in general, the weight ratio of the material that actually emits light in the light emitting layer is preferably in the range of 0.01 wt% to 50 wt%. If the amount is less than 0.01 wt%, the absolute amount of the light emitting material in the film is too small, so that sufficient light emission from this material cannot be obtained. If the amount exceeds 50 wt%, the situation differs depending on the type of the material. In many cases, the brightness and efficiency of light emission are significantly reduced due to the phenomenon of film property deterioration or concentration quenching.

【００５５】正孔注入材料としては、正孔を輸送する能
力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の電子注入帯域または電子注入材料への移動
を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられ
る。具体的には、本発明の一般式［１］または一般式
［３］の化合物の他にフタロシアニン誘導体、ナフタロ
シアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、
オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミ
ダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロ
ン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサ
ジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリ
ールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ヘキサアルコ
キシトリフェニレン、ベンジジン型トリフェニルアミ
ン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型
トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリ
ビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高
分子材料等があるが、これらに限定されるものではな
い。以下に、正孔注入材料の代表例を、表４に具体的に
例示する。The hole injecting material has the ability to transport holes, has the effect of injecting holes from the anode, and has an excellent hole injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material. Compounds that prevent excitons from migrating to an electron injection zone or an electron injection material and have excellent thin film forming ability can be used. Specifically, phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazoles, as well as the compounds of the general formula [1] or the general formula [3] of the present invention,
Oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acylhydrazone, polyarylalkane, stilbene, butadiene, hexaalkoxytriphenylene, benzidine triphenylamine, styryl Examples include, but are not limited to, amine-type triphenylamine, diamine-type triphenylamine, and derivatives thereof, and polymer materials such as polyvinyl carbazole, polysilane, and conductive polymers. Table 4 below specifically shows typical examples of the hole injection material.

【００５６】[0056]

【表４】 [Table 4]

【００５７】 [0057]

【００５８】 [0058]

【００５９】本発明の有機ＥＬ素子において使用できる
正孔注入材料の中で、本発明の一般式［１］または一般
式［３］の化合物の他にさらに効果的な正孔注入材料
は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘
導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体例として
は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジ
フェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メ
チルフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフ
ェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ブチルフェニル）フ
ェナントレン−９，１０−ジアミン、４，４’，４”−
トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルア
ミノ）トリフェニルアミン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ
−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等、もしくは
これらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもし
くはポリマー等があるが、これらに限定されるものでは
ない。Among the hole injecting materials usable in the organic EL device of the present invention, a more effective hole injecting material besides the compound of the general formula [1] or [3] of the present invention is aromatic. Group tertiary amine derivatives or phthalocyanine derivatives. Specific examples of the aromatic tertiary amine derivative include triphenylamine, tolylamine, tolylphenylamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -1,1′-biphenyl-4. ,
4′-diamine, N, N, N ′, N′-tetra (4-methylphenyl) -p-phenylenediamine, N, N,
N ', N'-tetra (4-methylphenyl) -1,1'
-Biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-di (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-di ( Methylphenyl) -N, N'-di (4-n-butylphenyl) phenanthrene-9,10-diamine, 4,4 ', 4 "-
Tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine, 1,1-bis (4-di-p
(Tolylaminophenyl) cyclohexane and the like, and oligomers and polymers having an aromatic tertiary amine skeleton, but are not limited thereto.

【００６０】フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例と
しては、Ｈ2 Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、Ｚ
ｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰ
ｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ
2 ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、Ｖ
ＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−Ｇａ
Ｐｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン
誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。Specific examples of the phthalocyanine (Pc) derivative include H 2 Pc, CuPc, CoPc, NiPc, Z
nPc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlP
c, ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl
2 SiPc, (HO) AlPc, (HO) GaPc, V
OPc, TiOPc, MoOPc, GaPc-O-Ga
Examples include, but are not limited to, phthalocyanine derivatives such as Pc and naphthalocyanine derivatives.

【００６１】電子注入材料としては、電子を輸送する能
力を持ち、陰極からの正孔注入効果、発光層または発光
材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成
した励起子の正孔注入帯域への移動を防止し、かつ薄膜
形成能力の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオ
レノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオ
ピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、
トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン
酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、
アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定
されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物
質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することに
より増感させることもできる。The electron injecting material has the ability to transport electrons, has the effect of injecting holes from the cathode, and has an excellent electron injecting effect on the light emitting layer or the light emitting material. Compounds that prevent migration to the hole injection zone and have excellent thin film forming ability can be mentioned. For example, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole,
Triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane,
Examples include, but are not limited to, anthrones and derivatives thereof. In addition, sensitization can be performed by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and adding an electron donating substance to the electron injecting material.

【００６２】本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効
果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素
五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物とし
ては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８
−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキ
シキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナー
ト）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）
アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキ
ノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキ
ノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロ
キシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチ
ル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メ
チル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウ
ム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフ
トラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノ
リナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−
メチル−８−キノリナート）フェノラートガリウム、μ
−オキソ−ビス（ジ（２−メチル−８−キノリナート）
ガリウム）、ビス（ｏ−（２−ベンゾオキサゾリル）フ
ェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾチアゾリ
ル）フェノラート）亜鉛、ビス（ｏ−（２−ベンゾトリ
アゾリル）フェノラート）亜鉛等があるが、これらに限
定されるものではない。また、含窒素五員誘導体として
は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チ
アジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。
具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，
４−オキサゾール、１，４−ビス（２−（４−メチル−
５−フェニルオキサゾリル））ベンゼン、２，５−ビス
（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−
ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(
４”−ビフェニル) １，３，４−オキサジアゾール、
２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジ
アゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルオキサジ
アゾリル) ］ベンゼン、１，４−ビス［２−( ５−フェ
ニルオキサジアゾリル) −４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼ
ン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−
( ４”−ビフェニル) −１，３，４−チアジアゾール、
２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジア
ゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルチアジアゾ
リル) ］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェ
ニル）−５−( ４”−ビフェニル) −１，３，４−トリ
アゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４
−トリアゾール、１，４−ビス［２−( ５−フェニルト
リアゾリル) ］ベンゼン等があるが、これらに限定され
るものではない。以下に、電子注入材料の代表例を、表
５に具体的に例示する。In the organic EL device of the present invention, a more effective electron injecting material is a metal complex compound or a nitrogen-containing five-membered ring derivative. Specifically, as the metal complex compound, lithium 8-hydroxyquinolinate, bis (8
-Hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, tris (8-hydroxyquinolinato)
Aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] (Quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (o-cresolate) gallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) (1-naphtholate) aluminum , Bis (2-methyl-8-quinolinato) (2-naphtholate) gallium, bis (2-
Methyl-8-quinolinato) phenolate gallium, μ
-Oxo-bis (di (2-methyl-8-quinolinate)
Gallium), bis (o- (2-benzoxazolyl) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzothiazolyl) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzotriazolyl) phenolate) zinc and the like However, the present invention is not limited to these. As the nitrogen-containing five-membered derivative, an oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivative is preferable.
Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,3
4-oxazole, 1,4-bis (2- (4-methyl-
5-phenyloxazolyl)) benzene, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5-
Bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (
4 "-biphenyl) 1,3,4-oxadiazole,
2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5 -Phenyloxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4'-tert-butylphenyl) -5-
(4 "-biphenyl) -1,3,4-thiadiazole,
2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-thiadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenylthiadiazolyl)] benzene, 2- (4′-tert-butylphenyl)- 5- (4 "-biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4
-Triazole, 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)] benzene and the like, but are not limited thereto. Table 5 below specifically shows typical examples of the electron injection material.

【００６３】[0063]

【表５】 [Table 5]

【００６４】 [0064]

【００６５】本有機ＥＬ素子においては、正孔注入帯域
あるいは発光層中に、一般式［１］または一般式［３］
の化合物を用いた場合、これらの材料以外の発光材料、
ドーピング材料、正孔注入材料および電子注入材料の少
なくとも１種が同一層に含有されてもよい。また、本発
明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気
等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層
を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を
保護することも可能である。In the present organic EL device, the general formula [1] or the general formula [3] is provided in the hole injection zone or the light emitting layer.
When using a compound of the light-emitting materials other than these materials,
At least one of a doping material, a hole injection material, and an electron injection material may be contained in the same layer. In order to improve the stability of the organic EL device obtained according to the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, and the like, a protective layer may be provided on the surface of the device, or the entire device may be protected with silicon oil, resin, or the like. Is also possible.

【００６６】有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材
料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適
しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジ
ウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板
に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、
さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性
樹脂が用いられる。As the conductive material used for the anode of the organic EL device, a material having a work function of more than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, platinum , Palladium and their alloys, tin oxide used for ITO substrate, NESA substrate, metal oxide such as indium oxide,
Further, an organic conductive resin such as polythiophene or polypyrrole is used.

【００６７】陰極に使用される導電性物質としては、４
ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグ
ネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリ
ウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム
等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定さ
れるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、
マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等
が代表例として挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空
度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極お
よび陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成
されていても良い。As the conductive material used for the cathode, 4
Suitable are those having a work function lower than eV, such as, but not limited to, magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, and alloys thereof. . Alloys include magnesium / silver,
Representative examples include magnesium / indium and lithium / aluminum, but are not limited thereto. The ratio of the alloy is controlled by the temperature, atmosphere, degree of vacuum, and the like of the evaporation source, and is selected to be an appropriate ratio. The anode and the cathode may be formed by two or more layers if necessary.

【００６８】有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるた
めに、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充
分透明にすることが望ましい。また、基板も透明である
ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用
して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が
確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を
１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱
的強度を有し、透明性を有するものであれば限定される
ものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレ
ン板、ポリエチレンテレフテレート板、ポリエーテルサ
ルフォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられ
る。In the organic EL device, at least one of them is desirably sufficiently transparent in the emission wavelength region of the device in order to emit light efficiently. Further, it is desirable that the substrate is also transparent. The transparent electrode is set using the above-described conductive material so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering. The electrode on the light emitting surface desirably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and transparency, but, for example, a glass substrate, a polyethylene plate, a polyethylene terephthalate plate, a polyether sulfone plate, A transparent resin such as a polypropylene plate can be used.

【００６９】本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレ
ーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディ
ッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれ
の方法を適用することができる。膜厚は特に限定される
ものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜
厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加
電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピ
ンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝
度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範
囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさ
らに好ましい。Each layer of the organic EL device according to the present invention may be formed by any of dry film forming methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet film forming methods such as spin coating, dipping and flow coating. Can be applied. The film thickness is not particularly limited, but needs to be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too large, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too small, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but is more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

【００７０】湿式成膜法の場合、各層を形成する材料
を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、
ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜
を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。ま
た、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜の
ピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用して
も良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポ
リカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリ
アミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメ
タクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等
の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチ
オフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン等の
導電性樹脂を挙げることができる。ただし、本発明の一
般式［１］または一般式［３］で示される化合物の場
合、非晶質性が高いので、樹脂を混合しなくても、非常
に良好な膜を形成することができる。また、添加剤とし
ては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げるこ
とができる。In the case of the wet film forming method, the material forming each layer is made of ethanol, chloroform, tetrahydrofuran,
The thin film is formed by dissolving or dispersing in a suitable solvent such as dioxane, and any solvent may be used. In any of the organic thin film layers, a suitable resin or additive may be used for improving film forming properties, preventing pinholes in the film, and the like. Examples of usable resins include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and copolymers thereof, and poly-N-vinyl. Examples thereof include photoconductive resins such as carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene, polypyrrole, and polyphenylenevinylene. However, in the case of the compound represented by the general formula [1] or the general formula [3] of the present invention, a very good film can be formed without mixing a resin because the compound is highly amorphous. . Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.

【００７１】以上のように、有機ＥＬ素子の発光層に本
発明の化合物を用いることにより、発光効率、最大発光
輝度等の有機ＥＬ素子特性を改良することができた。ま
た、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さ
らには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得
られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に
低下させることができた。As described above, by using the compound of the present invention in the light emitting layer of the organic EL device, the characteristics of the organic EL device such as luminous efficiency and maximum luminous brightness could be improved. In addition, this device is extremely stable against heat and current, and furthermore, it can emit light that can be practically used at a low driving voltage, so that the deterioration, which has been a major problem until now, can be significantly reduced. Was completed.

【００７２】本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等
のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、
複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器
類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その
工業的価値は非常に大きい。また、本発明の材料は、有
機ＥＬ素子の他に、電子写真感光体、光電変換素子、太
陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用でき
る。The organic EL device of the present invention can be used as a flat panel display such as a wall-mounted television or a flat luminous body.
It can be applied to light sources such as copiers and printers, light sources such as liquid crystal displays and instruments, display boards, and sign lamps, and its industrial value is extremely large. Further, the material of the present invention can be used in the fields of electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversion elements, solar cells, image sensors, and the like, in addition to organic EL elements.

【００７３】[0073]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細
に説明する。ＤＳＣ分析によれば、本発明の一般式
［１］または［３］で示される化合物の多くはガラス転
移温度が１００℃以上であり、非結晶性正孔注入材料と
して従来まで使用されているＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン（２Ｍｅ−ＴＰＤ）の６３
℃、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチ
ル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α
−ＮＰＤ）の９６℃に比べて、ガラス転移温度が高く、
有機ＥＬ素子の正孔注入材料として、高い耐熱性を有し
ていることがわかる。例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（９−フェナントリル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンは、ガラス転移温度が１４
４℃とα−ＮＰＤと比較して５０℃近くも高くなってい
る。このため、高温時の駆動あるいは保存において非常
に有利である。また、本発明の一般式［１］または
［３］で示される全ての化合物は、低結晶性化合物であ
るので、陽極基板や有機薄膜層との密着性も良好であ
り、有機薄膜としての環境に対する耐性や、有機ＥＬ素
子を駆動した際の寿命および素子の保存性についても大
きな優位性がある。The present invention will be described below in more detail with reference to examples. According to DSC analysis, many of the compounds represented by the general formula [1] or [3] of the present invention have a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, and N which has been conventionally used as an amorphous hole injection material has been used. , N'-diphenyl-
63 of N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (2Me-TPD)
° C., N, N′-diphenyl-N, N′-di (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (α
−NPD) has a higher glass transition temperature than 96 ° C.
It can be seen that the organic EL device has high heat resistance as a hole injection material. For example, N, N'-diphenyl-
N, N'-di (9-phenanthryl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine has a glass transition temperature of 14
4 ° C. and nearly 50 ° C. higher than α-NPD. Therefore, it is very advantageous in driving or storing at a high temperature. In addition, since all the compounds represented by the general formula [1] or [3] of the present invention are low crystalline compounds, they have good adhesion to the anode substrate and the organic thin film layer, and have an environment as an organic thin film. There is also a great advantage in terms of resistance to luminescence, lifetime when the organic EL element is driven, and storage stability of the element.

【００７４】実施例１ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（１）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１）を真空蒸着して膜
厚５０ｎｍの発光層を作成し、その上に、マグネシウム
と銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極
を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒ
ｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この
素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度１５０（ｃｄ／
ｍ2 ）、最大発光輝度１７７００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光
効率１．８（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。Example 1 The compound (1) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (L-1) in Table 3 was vacuum-deposited to form a 50-nm-thick light-emitting layer, on which a 150-nm-thick electrode was formed using an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1. Thus, an organic EL device was obtained. Each layer is 10 -6 Torr
The film was deposited under the condition of room temperature and substrate temperature in a vacuum of r. This device has a light emission luminance of 150 (cd /
m 2 ), a maximum light emission luminance of 17700 (cd / m 2 ), and a light emission characteristic of 1.8 (lm / W).

【００７５】実施例２ 正孔注入層を、クロロホルムに溶解した表１の化合物
（５）をスピンコート法で形成する以外は、実施例１と
同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度２９０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光
輝度１５７００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率１．６（ｌｍ
／Ｗ）の発光特性が得られた。Example 2 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer was formed by spin coating the compound (5) in Table 1 dissolved in chloroform. This device has a light emission luminance of 290 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V, a maximum light emission luminance of 15700 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 1.6 (lm).
/ W).

【００７６】実施例３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−８）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次いで、表１の化合物（２）を真空蒸着し
て、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表
３の化合物（Ｌ−２）を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発
光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１
で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有
機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電
圧５Ｖで発光輝度５７０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度
１８６００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．５（ｌｍ／
Ｗ）の発光特性が得られた。Example 3 A compound (H-8) shown in Table 4 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a 40 nm-thick first hole injection layer. Next, the compound (2) in Table 1 was vacuum-deposited to obtain a 10-nm-thick second hole injection layer. Further, the compound (L-2) shown in Table 3 was vacuum-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and magnesium and silver were further deposited thereon in a ratio of 10: 1.
An electrode having a thickness of 150 nm was formed from the alloy mixed in the above step to obtain an organic EL device. Each layer is placed in a vacuum of 10 -6 Torr,
The deposition was performed at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 570 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V, a maximum light emission luminance of 18600 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 2.5 (lm / m 2 ).
The light emission characteristics of W) were obtained.

【００７７】実施例４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、無金属フタロシ
アニンを真空蒸着して、膜厚５ｎｍの第一正孔注入層を
得た。次いで、表１の化合物（４）を真空蒸着して、膜
厚３０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表３の化
合物（Ｌ−１）を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を
作成し、その上に、アルミニウムとリチウムを２５：１
で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有
機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、
基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電
圧５Ｖで発光輝度２９０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度
２３９００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．７（ｌｍ／
Ｗ）の発光特性が得られた。Example 4 Metal-free phthalocyanine was vacuum-deposited on a cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a 5 nm-thick first hole injection layer. Next, the compound (4) in Table 1 was vacuum-deposited to obtain a 30-nm-thick second hole injection layer. Further, the compound (L-1) shown in Table 3 was vacuum-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, on which aluminum and lithium were mixed at a ratio of 25: 1.
An electrode having a thickness of 150 nm was formed from the alloy mixed in the above step to obtain an organic EL device. Each layer is placed in a vacuum of 10 -6 Torr,
The deposition was performed at a substrate temperature of room temperature. This device has an emission luminance of 290 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V, a maximum emission luminance of 23900 (cd / m 2 ), and an emission efficiency of 2.7 (lm / m 2 ).
The light emission characteristics of W) were obtained.

【００７８】実施例５ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、ポリ（２，５−ジヘキシルオキシ−ｐ−フ
ェニレンビニレン）をクロロホルムに溶解させ、スピン
コーティング法により膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さ
らに、表５の化合物（Ｅ−１）を真空蒸着して膜厚３０
ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、アルミニウムと
リチウムを２５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔ
ｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。
この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度１４０（ｃｄ／ｍ
2 ）、最大発光輝度２５９００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効
率１．８（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。Example 5 The compound (3) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, poly (2,5-dihexyloxy-p-phenylenevinylene) was dissolved in chloroform, and a light-emitting layer having a thickness of 40 nm was obtained by spin coating. Further, the compound (E-1) shown in Table 5 was vacuum-deposited to a film thickness of 30.
An electron injection layer having a thickness of 150 nm was formed, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy in which aluminum and lithium were mixed at a ratio of 25: 1 to obtain an organic EL device. Each layer is 10 -6 T
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of orr.
This device has a light emission luminance of 140 (cd / m) at a DC voltage of 5 V.
2 ) Light emission characteristics of a maximum light emission luminance of 25900 (cd / m 2 ) and a light emission efficiency of 1.8 (lm / W) were obtained.

【００７９】実施例６ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（７）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、ポリ（３−ヘキシル−２，５−チエニレ
ン）をクロロホルムに溶解させ、スピンコーティング法
により膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化
合物（Ｅ−９）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入
層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で
混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機
ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基
板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧
５Ｖで発光輝度２４０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度１
６４００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率１．４（ｌｍ／Ｗ）
の発光特性が得られた。Example 6 The compound (7) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a 30-nm-thick hole injection layer. Next, poly (3-hexyl-2,5-thienylene) was dissolved in chloroform, and a light-emitting layer having a thickness of 40 nm was obtained by spin coating. Further, a compound (E-9) shown in Table 5 was vacuum-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 30 nm, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed on the electron injection layer by using a 10: 1 mixed alloy of magnesium and silver. Thus, an organic EL device was obtained. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This device has a light emission luminance of 240 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 1
6400 (cd / m 2 ), luminous efficiency 1.4 (lm / W)
Was obtained.

【００８０】実施例７ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（６）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１１）を真空蒸着し
て、膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化合
物（Ｅ−１）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層
を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混
合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機Ｅ
Ｌ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板
温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５
Ｖで発光輝度１７０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度２１
５００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．８（ｌｍ／Ｗ）の
発光特性が得られた。Example 7 The compound (6) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (L-11) in Table 3 was vacuum-deposited to obtain a light-emitting layer having a thickness of 40 nm. Further, a compound (E-1) shown in Table 5 was vacuum-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 30 nm, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1. And organic E
An L element was obtained. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This element has a DC voltage of 5
At V, the light emission luminance is 170 (cd / m 2 ), and the maximum light emission luminance is 21
Light emission characteristics of 500 (cd / m 2 ) and luminous efficiency of 2.8 (lm / W) were obtained.

【００８１】実施例８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−６）を真空蒸着して、
膜厚４０ｎｍの発光層を得た。さらに、表５の化合物
（Ｅ−１１）を真空蒸着して膜厚１０ｎｍの第二電子注
入層を作成し、次いで、表５の化合物（Ｅ−５）を真空
蒸着して膜厚３０ｎｍの第一電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件
下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度８
００（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度４６６００（ｃｄ／
ｍ2 ）、発光効率６．２（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得ら
れた。Example 8 A compound (3) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (L-6) in Table 3 was vacuum-deposited,
A light emitting layer having a thickness of 40 nm was obtained. Further, the compound (E-11) in Table 5 is vacuum-deposited to form a second electron injection layer having a thickness of 10 nm, and then the compound (E-5) in Table 5 is vacuum-deposited to form a second electron injection layer having a thickness of 30 nm. An electron injection layer was formed, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device.
Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This element emits 8 light at a DC voltage of 5V.
00 (cd / m 2 ), maximum emission luminance 46600 (cd / m 2 )
m 2 ) and luminous efficiency of 6.2 (lm / W) were obtained.

【００８２】実施例９〜２４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３に示した化合物を真空蒸着して膜厚５
０ｎｍの発光層を作成し、さらに表５に示した化合物を
真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各層は１０ -6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条
件下で蒸着した。この素子は表６で示された発光特性が
得られた。Examples 9 to 24 On a cleaned glass plate with ITO electrodes,
The compound is vacuum deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm.
Was. Next, the compounds shown in Table 3 were vacuum-deposited to a film thickness of 5
A light emitting layer having a thickness of 0 nm was formed.
An electron injection layer having a thickness of 30 nm is formed by vacuum deposition, and the
A film made of an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1
An electrode having a thickness of 150 nm was formed to obtain an organic EL device.
Each layer is 10 -6In a Torr vacuum, the substrate temperature is at room temperature.
Deposited under the following conditions. This device has the emission characteristics shown in Table 6.
Obtained.

【００８３】[0083]

【表６】 [Table 6]

【００８４】実施例２５〜４０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注入層を
得た。次いで、表１に示した化合物を真空蒸着して、膜
厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表３に示
した化合物を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
し、さらに表５に示した化合物を真空蒸着して膜厚３０
ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、アルミニウムと
リチウムを２５：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔ
ｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着し
た。この素子は表７で示された発光特性が得られた。Examples 25 to 40 The compounds shown in Table 4 were vacuum-deposited on the cleaned glass plate with ITO electrodes to obtain a first hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compounds shown in Table 1 were vacuum-deposited to obtain a second hole injection layer having a thickness of 10 nm. Further, the compounds shown in Table 3 were vacuum-deposited to form a 50 nm-thick light-emitting layer, and the compounds shown in Table 5 were further vacuum-deposited to form a light-emitting layer having a thickness of 30 nm.
An electron injection layer having a thickness of 150 nm was formed, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed thereon using an alloy in which aluminum and lithium were mixed at a ratio of 25: 1 to obtain an organic EL device. Each layer is 10 -6 T
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of orr. This device had the emission characteristics shown in Table 7.

【００８５】[0085]

【表７】 [Table 7]

【００８６】実施例４１ 表３の化合物（Ｌ−１）と表２の化合物（Ｄ−１０）を
重量比１００：１で蒸着して、膜厚４０ｎｍの発光層を
得る以外は実施例１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製
した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度６１０（ｃ
ｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度５２４００（ｃｄ／ｍ2 ）、
発光効率５．１（ｌｍ／Ｗ）の黄緑色発光が得られた。Example 41 A compound (L-1) shown in Table 3 and a compound (D-10) shown in Table 2 were vapor-deposited at a weight ratio of 100: 1 to obtain a light-emitting layer having a thickness of 40 nm. An organic EL device was manufactured in the same manner. This device has a light emission luminance of 610 (c) at a DC voltage of 5 V.
d / m 2 ), maximum emission luminance 52400 (cd / m 2 ),
Yellow-green luminescence with a luminous efficiency of 5.1 (lm / W) was obtained.

【００８７】実施例４２ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（８）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表３の化合物（Ｌ−１０）と表２の化合物
（Ｄ−２）を重量比１００：３で真空蒸着して膜厚５０
ｎｍの発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−３）
を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、そ
の上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で
膜厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得
た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝
度３７０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度４１０００（ｃ
ｄ／ｍ2 ）、発光効率３．６（ｌｍ／Ｗ）の黄橙色発光
が得られた。Example 42 The compound (8) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound (L-10) in Table 3 and the compound (D-2) in Table 2 were vacuum-deposited at a weight ratio of 100: 3 to form a film having a thickness of 50:
A light emitting layer having a thickness of 10 nm was prepared, and the compound (E-3) shown in Table 5 was further prepared.
Was vacuum-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 40 nm, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed on the electron injection layer with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. Each layer was deposited at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of 10 -6 Torr. This device has a light emission luminance of 370 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 41000 (c / m 2 ).
d / m 2 ), and yellow-orange light emission with a luminous efficiency of 3.6 (lm / W) was obtained.

【００８８】実施例４３ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−７）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層
を得た。次に、表１の化合物（４）と表２の化合物（Ｄ
−４）を重量比１００：５で真空蒸着して膜厚５０ｎｍ
の発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−６）を真
空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
２５０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度１８７００（ｃｄ
／ｍ2 ）、発光効率２．４（ｌｍ／Ｗ）の青色発光が得
られた。Example 43 The compound (H-7) shown in Table 4 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound (4) in Table 1 and the compound (D
-4) is vacuum-deposited at a weight ratio of 100: 5 to a film thickness of 50 nm.
The compound (E-6) shown in Table 5 was further vacuum-deposited to form a 40 nm-thick electron injection layer, and a film of an alloy obtained by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 was formed thereon. An electrode having a thickness of 150 nm was formed to obtain an organic EL device. Each organic layer was deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 250 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 18700 (cd / m 2 ).
/ M 2), blue light emission efficiency 2.4 (lm / W) was obtained.

【００８９】実施例４４ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−８）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次に、表４の化合物（Ｈ−２）を真空蒸着
して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、
表１の化合物（６）と表２の化合物（Ｄ−９）を重量比
１００：３で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
し、次いで、表５の化合物（Ｅ−４）を真空蒸着して膜
厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシ
ウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの
電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０
-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着し
た。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度６９０（ｃｄ
／ｍ2 ）、最大発光輝度３３８００（ｃｄ／ｍ2 ）、発
光効率３．２（ｌｍ／Ｗ）の緑色発光が得られた。Example 44 A compound (H-8) shown in Table 4 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a 30-nm-thick first hole injection layer. Next, the compound (H-2) in Table 4 was vacuum-deposited to obtain a 10-nm-thick second hole injection layer. further,
The compound (6) in Table 1 and the compound (D-9) in Table 2 were vacuum-deposited at a weight ratio of 100: 3 to form a 50 nm-thick light-emitting layer, and then the compound (E-4) in Table 5 was prepared. An electron injection layer having a thickness of 40 nm was formed by vacuum evaporation, and an electrode having a thickness of 150 nm was formed on the electron injection layer with an alloy of magnesium and silver mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic EL device. Each organic layer is 10
Vapor deposition was performed at a substrate temperature of room temperature in a vacuum of -6 Torr. This device has an emission luminance of 690 (cd) at a DC voltage of 5 V.
/ M 2), the maximum emission luminance 33800 (cd / m 2), green light emission efficiency 3.2 (lm / W) was obtained.

【００９０】実施例４５〜６７ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４に示した化
合物を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表１に示した化合物と表２に示した化合物
を表８に示した重量比で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発
光層を作成し、さらに表５に示した化合物を真空蒸着し
て膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグ
ネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎ
ｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０
-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度は室温の条件下で蒸着
した。この素子は表９で示された発光特性が得られた。Examples 45 to 67 The compounds shown in Table 4 were vacuum-deposited on the washed glass plate with the ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound shown in Table 1 and the compound shown in Table 2 were vacuum-deposited at a weight ratio shown in Table 8 to form a 50 nm-thick light-emitting layer, and the compounds shown in Table 5 were further vacuum-deposited. An electron injection layer having a thickness of 30 nm is formed, and a 150-nm-thick alloy formed by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 is formed thereon.
m electrodes were formed to obtain an organic EL device. Each layer is 10
The substrate was deposited in a vacuum of -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device had the emission characteristics shown in Table 9.

【００９１】[0091]

【表８】 [Table 8]

【００９２】[0092]

【表９】 [Table 9]

【００９３】実施例６８ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（３）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得
た。次いで、表１の化合物（３）と表２の化合物（Ｄ−
１５）を重量比１０００：５で真空蒸着して膜厚５０ｎ
ｍの発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−２）を
真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その
上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜
厚１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。
各有機層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の
条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝
度７０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度５５００（ｃｄ／
ｍ2 ）、発光効率０．８（ｌｍ／Ｗ）の赤色発光が得ら
れた。Example 68 The compound (3) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound (3) in Table 1 and the compound (D-
15) is vacuum-deposited at a weight ratio of 1000: 5 to a film thickness of 50 n.
m, a compound (E-2) in Table 5 was vacuum-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 40 nm, and an alloy obtained by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 was formed thereon. An electrode having a thickness of 150 nm was formed to obtain an organic EL device.
Each organic layer was deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 70 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 5500 (cd / m 2 ).
m 2 ), and red luminescence with a luminous efficiency of 0.8 (lm / W) was obtained.

【００９４】実施例６９ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物
（１０）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を
得た。次いで、表１の化合物（８）と表２の化合物（Ｄ
−１２）を重量比１０：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍ
の発光層を作成し、さらに表５の化合物（Ｅ−８）を真
空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上
に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚
１５０ｎｍの電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各
有機層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条
件下で蒸着した。この素子は、直流電圧５Ｖで発光輝度
３２０（ｃｄ／ｍ2 ）、最大発光輝度３９３００（ｃｄ
／ｍ2 ）、発光効率３．９（ｌｍ／Ｗ）の黄緑色発光が
得られた。Example 69 The compound (10) shown in Table 1 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound (8) in Table 1 and the compound (D
-12) is vacuum-deposited at a weight ratio of 10: 1 to a thickness of 50 nm.
The compound (E-8) shown in Table 5 was further vacuum-deposited to form an electron injection layer having a thickness of 40 nm, and a film of an alloy obtained by mixing magnesium and silver at a ratio of 10: 1 was formed thereon. An electrode having a thickness of 150 nm was formed to obtain an organic EL device. Each organic layer was deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 320 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V and a maximum light emission luminance of 39300 (cd / m 2 ).
/ M 2), yellow-green light emission efficiency 3.9 (lm / W) was obtained.

【００９５】実施例７０ 洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表４の化合物
（Ｈ−９）を真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの第一正孔注
入層を得た。次いで、表１の化合物（１４）を真空蒸着
して、膜厚１０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、
表１の化合物（１２）と表２の化合物（Ｄ−１７）を重
量比２：１で真空蒸着して膜厚５０ｎｍの発光層を作成
した。次いで、表５の化合物（Ｅ−５）を真空蒸着して
膜厚３０ｎｍの第二電子注入層を作成し、次いで、表５
の化合物（Ｅ−６）を真空蒸着して膜厚２０ｎｍの第一
電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１
０：１で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成し
て、有機ＥＬ素子を得た。各有機層は１０-6Ｔｏｒｒの
真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子
は、直流電圧５Ｖで発光輝度４９０（ｃｄ／ｍ2 ）、最
大発光輝度１８７００（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率２．５
（ｌｍ／Ｗ）の橙色発光が得られた。Example 70 A compound (H-9) shown in Table 4 was vacuum-deposited on a washed glass plate with an ITO electrode to obtain a first hole injection layer having a thickness of 40 nm. Next, the compound (14) shown in Table 1 was vacuum-deposited to obtain a 10-nm-thick second hole injection layer. further,
The compound (12) in Table 1 and the compound (D-17) in Table 2 were vacuum-deposited at a weight ratio of 2: 1 to form a 50 nm-thick light emitting layer. Next, the compound (E-5) shown in Table 5 was vacuum-deposited to form a second electron-injection layer having a thickness of 30 nm.
(E-6) was vacuum-deposited to form a first electron-injection layer having a thickness of 20 nm.
An electrode having a thickness of 150 nm was formed from an alloy mixed at 0: 1 to obtain an organic EL device. Each organic layer was deposited in a vacuum of 10 -6 Torr at a substrate temperature of room temperature. This device has a light emission luminance of 490 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 5 V, a maximum light emission luminance of 18700 (cd / m 2 ) and a light emission efficiency of 2.5
(Lm / W) orange light emission was obtained.

【００９６】比較例１ 表１の化合物（１）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例１と同
様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、室温
下、直流電圧５Ｖで発光輝度１３０（ｃｄ／ｍ2 ）、発
光効率１．６（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しか
し、８０℃下では発光効率が０．６（ｌｍ／Ｗ）に低下
し、また経時的に輝度が低下した。Comparative Example 1 In place of compound (1) in Table 1, N, N'-diphenyl-
An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that N, N'-di (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine was used. This device exhibited light emission characteristics of 130 (cd / m 2 ) and luminous efficiency of 1.6 (lm / W) at room temperature at a DC voltage of 5 V. However, at 80 ° C., the luminous efficiency decreased to 0.6 (lm / W), and the luminance decreased with time.

【００９７】比較例２ 表１の化合物（３）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例
８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子
は、直流電圧５Ｖで発光輝度５６０（ｃｄ／ｍ2 ）、発
光効率３．９（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しか
し、８０℃下では発光効率が０．９（ｌｍ／Ｗ）に低下
し、また経時的に輝度が低下した。Comparative Example 2 Instead of compound (3) in Table 1, N, N'-diphenyl-
An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 8, except that N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine was used. This device had emission characteristics of emission luminance of 560 (cd / m 2 ) and emission efficiency of 3.9 (lm / W) at a DC voltage of 5 V. However, at 80 ° C., the luminous efficiency decreased to 0.9 (lm / W), and the luminance decreased with time.

【００９８】比較例３ 表１の化合物（６）に代えて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミンを使用する以外は、実施例４４と
同様の方法で有機ＥＬ素子を作成した。この素子は、直
流電圧５Ｖで発光輝度２８０（ｃｄ／ｍ2 ）、発光効率
１．７（ｌｍ／Ｗ）の発光特性が得られた。しかし、８
０℃下では発光効率が０．８（ｌｍ／Ｗ）に低下し、ま
た経時的に輝度が低下した。Comparative Example 3 In place of compound (6) in Table 1, N, N'-diphenyl-
An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 44, except that N, N'-di (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine was used. This device had emission characteristics of emission luminance of 280 (cd / m 2 ) and emission efficiency of 1.7 (lm / W) at a DC voltage of 5 V. But 8
At 0 ° C., the luminous efficiency decreased to 0.8 (lm / W), and the luminance decreased with time.

【００９９】本実施例で示された全ての有機ＥＬ素子に
ついて、３（ｍＡ／ｃｍ2 ）で連続発光させたところ、
１０００時間以上初期輝度の５０％以上の輝度を観測出
来たが、比較例の素子を同様の条件で連続発光させたと
ころ、２００時間で初期輝度の５０％以下になり、素子
の未発光部分であるダークスポットの数も増加した。ま
た、比較例２の素子については、２５０時間以降に駆動
電圧の低下を伴う急激な輝度低下が生じた。さらに、本
実施例で示された全ての有機ＥＬ素子について、１００
℃に２４時間保持後、室温で測定を行ったところ、上記
実施例で示した値とほぼ同等の値を得たが、比較例の素
子については、半分以下の特性となった。加えて８０℃
下での駆動においても、実施例の素子は室温下の測定の
８０％以上の特性を示した。For all the organic EL devices shown in this example, continuous emission was performed at 3 (mA / cm 2 ).
Luminance of 50% or more of the initial luminance was observed for 1000 hours or more. However, when the device of the comparative example was continuously illuminated under the same conditions, the luminance was reduced to 50% or less of the initial luminance in 200 hours. The number of certain dark spots has also increased. In the device of Comparative Example 2, a sharp decrease in luminance accompanied by a decrease in drive voltage occurred after 250 hours. Further, for all the organic EL elements shown in this example, 100
After holding at 24 ° C. for 24 hours, measurement was performed at room temperature. As a result, a value almost equal to the value shown in the above example was obtained, but the element of the comparative example had characteristics less than half. 80 ° C in addition
Even in the lower driving, the devices of the examples exhibited characteristics of 80% or more of the measurement at room temperature.

【０１００】本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率、発光
輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使
用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電
子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製
方法を限定するものではない。The organic EL device of the present invention achieves an improvement in luminous efficiency, luminous brightness, and a long life, and is used together with a luminescent material, a doping material, a hole injecting material, an electron injecting material, It does not limit the sensitizer, resin, electrode material, and the like, and the element manufacturing method.

【０１０１】[0101]

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子材料を発光材料と
して使用した有機ＥＬ素子は、特に高温時において従来
に比べて高い発光効率で高輝度の発光を示し、長寿命の
有機ＥＬ素子を得ることができた。以上により本発明で
示した化合物を、有機ＥＬ素子の少なくとも一層に使用
すること、および、本発明の素子構成により形成された
有機ＥＬ素子は、高輝度、高発光効率、長寿命であり、
特に高温時の特性が優れた有機ＥＬ素子を容易に作製す
ることが可能となった。The organic EL device using the organic EL device material of the present invention as a light emitting material exhibits high luminance and high luminance light emission, especially at high temperatures, as compared with the prior art, thereby obtaining a long life organic EL device. I was able to. The compounds described in the present invention as described above are used in at least one layer of an organic EL device, and the organic EL device formed by the device configuration of the present invention has high luminance, high luminous efficiency, and long life,
In particular, it has become possible to easily produce an organic EL device having excellent characteristics at high temperatures.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真木 伸一郎 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 (72)発明者 榎田 年男 東京都中央区京橋二丁目３番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Shinichiro Maki 2-3-13 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo Inside Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Toshio Enoda 2-3-1 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo No. Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 下記一般式［１］で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子材料。 一般式［１］ 【化１】 ［式中、Ａｒ1 〜Ａｒ4 は、置換もしくは未置換のアリ
ール基を表し、かつ少なくとも一つは下記一般式［２］
で示される置換もしくは未置換の９−フェナントリル基
である。］ 一般式［２］ 【化２】 ［式中、Ｒ1 〜Ｒ9 は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換のアルコキシ基を表す。また、Ｒ1〜Ｒ9
は隣接した置換基同士で結合して新たな飽和環もしくは
芳香環を形成しても良い。］1. An organic electroluminescent device material represented by the following general formula [1]. General formula [1] [Wherein, Ar 1 to Ar 4 represent a substituted or unsubstituted aryl group, and at least one is represented by the following general formula [2]
And a substituted or unsubstituted 9-phenanthryl group. General formula [2] [Wherein, R 1 to R 9 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group. Also, R 1 to R 9
May be bonded with adjacent substituents to form a new saturated or aromatic ring. ] 【請求項２】 下記一般式［３］で示される有機エレク
トロルミネッセンス素子材料。 一般式［３］ 【化３】 ［式中、Ｒ11〜Ｒ14は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換も
しくは未置換のアルコキシ基を表す。］2. An organic electroluminescent device material represented by the following general formula [3]. General formula [3] [Wherein, R 11 to R 14 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted alkoxy group. ] 【請求項３】 一対の電極間に、発光層または発光層を
含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレク
トロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請
求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセ
ンス素子。3. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein at least one of the organic electroluminescent devices has a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including the light emitting layer formed between a pair of electrodes. An organic electroluminescent element which is a layer containing a material. 【請求項４】 発光層と陽極との間の正孔注入帯域中の
少なくとも一層が請求項１または２に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子材料を含有する層である請求項
３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。4. The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein at least one layer in the hole injection zone between the light emitting layer and the anode is a layer containing the organic electroluminescence device material according to claim 1 or 2. . 【請求項５】 発光層が請求項１または２に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子材料を含有し、さらに有
機蛍光色素を添加した層である請求項３記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。5. The organic electroluminescent device according to claim 3, wherein the light emitting layer is a layer containing the organic electroluminescent device material according to claim 1 or 2 and further adding an organic fluorescent dye. 【請求項６】 請求項１または２に記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子材料を含有する層と陽極との間に
正孔注入層を設ける請求項３ないしは５のいずれかに記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。6. The organic electroluminescence device according to claim 3, wherein a hole injection layer is provided between the layer containing the organic electroluminescence device material according to claim 1 and an anode. 【請求項７】 正孔注入層が芳香族三級アミン誘導体お
よび／またはフタロシアニン誘導体を含有する層である
請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。7. The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the hole injection layer is a layer containing an aromatic tertiary amine derivative and / or a phthalocyanine derivative. 【請求項８】 発光層が金属錯体化合物、π共役重合
体、下記一般式［４］、もしくは一般式［５］のいずれ
かの化合物を含有する層である請求項３ないしは７のい
ずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 一般式［４］ 【化４】 ［式中、Ｚ1 は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基もし
くはアリーレン基部分を有する２価の基である。Ｒ21〜
Ｒ24は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置
換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル
基、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素原子もしくは
硫黄原子を含んでも良いアリール基を表す。］ 一般式［５］ 【化５】 ［式中、Ｚ2 は、置換もしくは未置換の窒素原子、酸素
原子もしくは硫黄原子を含んでも良いアリーレン基もし
くはアリーレン基部分を有する２価の基である。Ａｒ5
〜Ａｒ8 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭
素原子数６〜２０のアリール基を表す。］8. The light-emitting layer according to claim 3, wherein the light-emitting layer contains a metal complex compound, a π-conjugated polymer, or a compound represented by the following general formula [4] or the general formula [5]. The organic electroluminescent device according to the above. General formula [4] [In the formula, Z 1 is a substituted or unsubstituted arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom or a divalent group having an arylene group portion. R 21 ~
R 24 independently represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted nitrogen atom, an aryl group which may contain an oxygen atom or a sulfur atom. General formula [5] [In the formula, Z 2 is a substituted or unsubstituted arylene group which may contain a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom or a divalent group having an arylene group portion. Ar 5
To Ar 8 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms. ] 【請求項９】 発光層と陰極との間の電子注入帯域中の
少なくとも一層が金属錯体化合物および／または含窒素
五員芳香環誘導体を含有する層である請求項３ないしは
８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。9. The method according to claim 3, wherein at least one layer in an electron injection zone between the light emitting layer and the cathode is a layer containing a metal complex compound and / or a nitrogen-containing five-membered aromatic ring derivative. Organic electroluminescence element.
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