JPH11134961A - シールド導電キーユニット及びその製造方法 - Google Patents

シールド導電キーユニット及びその製造方法

Info

Publication number
JPH11134961A
JPH11134961A JP31147297A JP31147297A JPH11134961A JP H11134961 A JPH11134961 A JP H11134961A JP 31147297 A JP31147297 A JP 31147297A JP 31147297 A JP31147297 A JP 31147297A JP H11134961 A JPH11134961 A JP H11134961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal film
key unit
atoms
rubber
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31147297A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshio Kenmochi
持 芳 雄 釼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUN ARROW KK
Sunarrow Co Ltd
Original Assignee
SUN ARROW KK
Sunarrow Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUN ARROW KK, Sunarrow Co Ltd filed Critical SUN ARROW KK
Priority to JP31147297A priority Critical patent/JPH11134961A/ja
Publication of JPH11134961A publication Critical patent/JPH11134961A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Push-Button Switches (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、ギガ帯の装置及びデジタル
回路を組み込んだキーユニットに対しても電磁波のシー
ルド対策が必要となり、これらのシールド対策が可能と
なると同時に各キーに照射される光が外部に漏れるのを
防止することができ、かつ容易に金属シール膜を作るこ
とができ、しかもその金属シール膜は均一に膜を作るこ
とができ、レーザー加工による文字等のパターン形成が
容易であり、メタリック調のデザインを併用して実現で
きる等の生産性の高いシールド導電キーユニット及びそ
の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明に係るシールド導電キーユニット
は、ゴム製キーユニットの表面近くの内部に、蒸着した
金属皮膜原子の一部を浸透させてゴムと金属皮膜原子の
混合領域層を形成し、該混合領域層の上に蒸着した金属
皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜
層を形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯用パソコン、パ
ームトップ用等の各種フルキーボードその他電子・通信
機器の端末機等に組込み使用されるシールド導電キーユ
ニットに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、シリコン等の材料からなるラバー
キーパッド等のキーユニットに対しては電磁波のシール
ド対策は特にしていなかった。これはキーユニットには
高周波が流れていない(せいぜい周波数400MHz以
下)ためにシーリングを実施する必要性があまりなかっ
た。すなわちCPUのキースキャンクロックが低いため
高周波を発信しないということである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、周波数が高く
なるとキーユニットの回路が外部ノイズを取り込むよう
になる。従って、ギガ帯(1G=1000MHz)の装
置及びデジタル回路は、従来のアナログ及び400MH
z以下の回路に比べてはるかに発振しやすくなってい
る。又外部ノイズの影響も受けやすくなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところはギガ帯の
装置及びデジタル回路を組み込んだキーユニットに対し
ても電磁波のシールド対策が必要となり、これらのシー
ルド対策が可能となると同時に各キーに照射される光が
外部に漏れるのを防止することができ、かつ容易に金属
シール膜を作ることができ、しかもその金属シール膜は
均一に膜を作ることができ、レーザー加工による文字等
のパターン形成が容易であり、メタリック調のデザイン
を併用して実現できる等の生産性の高いシールド導電キ
ーユニット及びその製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係るシールド導
電キーユニットは、ゴム製キーユニットの表面近くの内
部に、蒸着した金属皮膜原子の一部を浸透させてゴムと
金属皮膜原子の混合領域層を形成し、該混合領域層の上
に蒸着した金属皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積層
構造の金属皮膜層を形成したものである。
【0006】また本発明に係るシールド導電キーユニッ
トの製造方法は、ゴム製キーユニットを高真空下の真空
室内にセットし、銀やニッケル等の金属蒸着材を電子線
にて融解、蒸発させると同時にゴム製キーユニットに向
けて放射される金属皮膜原子に向けてイオン発生源から
イオン照射して金属皮膜原子に衝突させ、ゴム製キーユ
ニットの表面近くの内部に、蒸着した金属皮膜原子の一
部を浸透させてゴムと金属皮膜原子の混合領域層を形成
し、さらに金属皮膜原子に衝突するようにイオン照射し
て該混合領域層の上に蒸着した金属皮膜原子による稠密
な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層を形成し、該キー
ユニットのキー相当部にレーザー光線により文字等のパ
ターン形成をしたものである。
【0007】
【作用】ゴムと金属皮膜原子の混合領域層の形成に当た
っては、高真空下の真空室内にセットされた被処理物で
あるゴム製キーユニットが、電子線により融解した金属
皮膜原子を蒸発させてゴム製キーユニットに蒸着させる
際にアルゴン等の不活性ガスのイオン照射によって該金
属皮膜原子に衝突させて強制的に金属皮膜原子の一部を
キーユニット表面から内部に浸入させることにより得ら
れる。これによって、ゴム中の金属皮膜原子は一種のア
ンカー効果を発揮することとなる。こうして金属皮膜原
子に向けて照射された不活性ガスイオンによって強制的
に打ち込まれる金属皮膜原子は混合領域層の上に次々に
稠密構造に積層され、従来の単なる蒸着形成に比べて空
隙部がなく、強固に密着した金属皮膜層が得られること
となる。こうして得られた金属皮膜層のうちキーユニッ
トのキー相当部にレーザー光線により文字等のパターン
形成をする。なお必要に応じてゴム製キーユニットの少
なくともキー相当部には白色、赤色、青色等の光透過性
の塗膜を形成するようにしてもよい。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
より説明する。1はゴム製キーユニットで、天然ゴム、
合成ゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム又はゴム弾性を有
する熱可塑性エラストマー等により成形して得られる。
キーユニットは作動部であるキー部1aと、非作動部1
bとが一枚のゴムシートにより一体に成形される。照光
式の場合は透光性のシリコンゴム等のゴム材で形成され
る。必要に応じてゴム製キーユニット1の上面全体もし
くはキー相当部には文字等のパターン1cを形成時の地
色となる白色、赤色、青色等の光透過性の塗膜1dを形
成する。
【0009】2はゴム製キーユニット1の表面近くの内
部に形成した混合領域層で、ゴムと金属皮膜原子の混合
した領域である。ゴムと金属皮膜原子の混合領域層の形
成に当たっては、例えば10-3〜10-5Torrといっ
た高真空下の真空室内に被処理物であるゴム製キーユニ
ット1をセットし、電子線により融解した銀、ニッケ
ル、Al、Cr、Ti、TiOz、Co等の金属元素等
の金属皮膜原子を蒸発させてゴム製キーユニット1に蒸
着させる際にアルゴン等の不活性ガスのイオン照射によ
って該金属皮膜原子に衝撃、衝突させて強制的に金属皮
膜原子の一部をゴム製キーユニット1の表面から内部に
侵入させることにより得られる。このようにイオン照射
は金属皮膜原子に衝撃、衝突を与えるように出力コント
ロールを独自に行うようにすることが肝要である。ゴム
製キーユニット1の表面近くの内部にイオン照射によっ
て金属皮膜原子が打ち込まれることによりアンカー効果
が発揮されることとなる。
【0010】そしてゴム製キーユニット1の表面には上
記の方法によるイオン照射により蒸着した金属皮膜原子
による稠密な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層3を形
成する。従来の真空蒸着法では被蒸着物の表面に蒸着物
質が塗布されて蒸着膜を形成していたが、このような方
法では蒸着物質の原子同士の密な結合は困難であり、図
8に示すように空隙部が生じ、蒸着膜を手で擦る等によ
って簡単に剥離してしまうものであった。ところが本発
明の真空蒸着法によれば、イオン照射により金属皮膜原
子が強制的に積層構造に配列されるようになり、結果と
して稠密な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層3が得ら
れることとなる。
【0011】図中、4はプリント配線した基板である。
5は本発明に係るシールド導電キーユニットである。こ
うして得られた金属皮膜層3のうちキーユニットのキー
部1aにレーザー光線により金属皮膜層3を除去して文
字等のパターン1cを形成をする。このとき予め白色、
赤色等の塗膜1dが形成されている場合は金属皮膜層3
だけを除去して塗膜1dがパターン1c上に現れるよう
にする。
【0012】
【発明の効果】本発明は上記の説明から判るように、シ
ールド導電キーユニットのゴム弾性が何ら損なわれるこ
となく、電磁波シールドが効果的に行われ、プリント基
板上に組み込まれたギガ帯の装置やデジタル回路等の電
子部品は導電キーユニットにより被覆される形となり電
磁波に対するシールド効果が有効に発揮することがで
き、電気特性を維持することができる。またシールド導
電キーユニットに形成された金属皮膜層はアンカー効果
の役割を果たすゴムと金属皮膜原子の混合領域層の上
に、蒸着した金属皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積
層構造の金属皮膜層を形成することとしたので、強固な
密着構造を維持し、手等で擦ろうとも金属皮膜層は剥離
することがない。しかも本発明の方法によれば容易に上
記特性の優れた導電ガスケットを作ることができる。
【0013】さらに本発明は均一な金属皮膜層を形成す
ることができるために、レーザー加工による文字等のパ
ターン形成が容易となる。またシールド導電キーユニッ
トの表面はメタリック調のデザインを併用して実現でき
る。そして生産性の高いシールド導電キーユニットを得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)(b)は本発明の一実施例を示す断面
図である。
【図2】 (a)(b)は本発明の他の実施例を示す断
面図である。
【図3】 本発明の一実施例を示すシールド導電キーユ
ニットの概略斜視図である。
【図4】 本発明に係るシールド導電キーユニットの要
部拡大断面図である。
【図5】 本発明に係るシールド導電キーユニットの金
属皮膜層の原子的説明図である。
【図6】 本発明に係るシールド導電キーユニット表面
のアンカー効果を示す拡大断面図である。
【図7】 本発明に係るシールド導電キーユニットを真
空蒸着法による得る一例を示す説明図である。
【図8】 従来の蒸着皮膜層の原子的説明図である。
【符号の説明】
1 ゴム製キーユニット 1a 作動部であるキー部 1b 非作動部 1c 文字等のパターン 1d 透光性の塗膜 2 ゴムと金属皮膜原子の混合領域層 3 金属皮膜層 4 プリント配線した基板 5 本発明に係るシールド導電キーユニット
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成10年1月6日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 シールド導電キーユニット及びその
製造方法

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ゴム製キーユニットの表面近くの内部
    に、蒸着した金属皮膜原子の一部を浸透させてゴムと金
    属皮膜原子の混合領域層を形成し、該混合領域層の上に
    蒸着した金属皮膜原子による稠密な金属皮膜原子積層構
    造の金属皮膜層を形成したことを特徴とするシールド導
    電キーユニット。
  2. 【請求項2】 ゴム製キーユニットを高真空下の真空室
    内にセットし、銀やニッケル等の金属蒸着材を電子線に
    て融解、蒸発させると同時にゴム製キーユニットに向け
    て放射される金属皮膜原子に向けてイオン発生源からイ
    オン照射して金属皮膜原子に衝突させ、ゴム製キーユニ
    ットの表面近くの内部に、蒸着した金属皮膜原子の一部
    を浸透させてゴムと金属皮膜原子の混合領域層を形成
    し、さらに金属皮膜原子に衝突するようにイオン照射し
    て該混合領域層の上に蒸着した金属皮膜原子による稠密
    な金属皮膜原子積層構造の金属皮膜層を形成し、該キー
    ユニットのキー相当部にレーザー光線により文字等のパ
    ターン形成をすることを特徴とするシールド導電キーユ
    ニットの製造方法。
JP31147297A 1997-10-27 1997-10-27 シールド導電キーユニット及びその製造方法 Pending JPH11134961A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31147297A JPH11134961A (ja) 1997-10-27 1997-10-27 シールド導電キーユニット及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31147297A JPH11134961A (ja) 1997-10-27 1997-10-27 シールド導電キーユニット及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11134961A true JPH11134961A (ja) 1999-05-21

Family

ID=18017643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31147297A Pending JPH11134961A (ja) 1997-10-27 1997-10-27 シールド導電キーユニット及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11134961A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006082973A1 (ja) * 2005-02-07 2006-08-10 Sunarrow Limited 薄型キーシート

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006082973A1 (ja) * 2005-02-07 2006-08-10 Sunarrow Limited 薄型キーシート
JP2006216473A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Sunarrow Ltd 薄型キーシート
US7705256B2 (en) 2005-02-07 2010-04-27 Sunarrow Limited Thin key sheet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100500856B1 (ko) 전자실드구조
US7887911B2 (en) Electromagnetic noise suppressor, article with electromagnetic noise suppressing function and their manufacturing methods
EP0976311B1 (en) A shielding housing and a method of producing a shielding housing
US5313371A (en) Shielding apparatus for non-conductive electronic circuit packages
WO2001082672A1 (en) Emi and rfi shielding for printed circuit boards
US5557079A (en) Electronic device with shielded keypad interface
WO2005099331A1 (ja) モジュール部品およびその製造方法
JP2006261322A (ja) 電磁波シールドフィルムおよびその製造方法
US5236736A (en) Method for manufacturing an electromagnetic wave shield printed wiring board
US20040090170A1 (en) Filter for plasma display panel and method of manufacturing the same
US5112648A (en) Method of manufacturing a printed circuit board
JPH02241077A (ja) シールド層を備えるプリント配線板
JP3589582B2 (ja) 押釦スイッチ構造体及びその製造方法
JPH11134961A (ja) シールド導電キーユニット及びその製造方法
US4278707A (en) Method for coating the edge of a printed circuit board to improve its moisture resistance
US6248958B1 (en) Resistivity control of CIC material
US6545212B1 (en) Radiation noise suppressing component attachment structure
JPH1187977A (ja) ケーシング内に配列された電気回路構成
JP2006278568A (ja) 電磁波シールド筐体
JP3814994B2 (ja) 導電ガスケット及びその製造方法
JPH11135982A (ja) 導電性ゴムキャップ及びその製造方法
KR20060092750A (ko) 인쇄회로기판용 전자기 간섭 차폐 케이스 및 그 제조방법
JP2004087953A (ja) 電子機器用筐体
JPH08172303A (ja) マイクロ波装置
JPH03253062A (ja) 集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20061030

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061107

A02 Decision of refusal

Effective date: 20070306

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02