JPH11130942A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
封止用樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH11130942A JPH11130942A JP31140897A JP31140897A JPH11130942A JP H11130942 A JPH11130942 A JP H11130942A JP 31140897 A JP31140897 A JP 31140897A JP 31140897 A JP31140897 A JP 31140897A JP H11130942 A JPH11130942 A JP H11130942A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特にＰｄ・Ｐｄ−Ａｕ等のプレプレーティン
グフレームと、樹脂組成物との接着力を向上させ、半導
体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体封止装置を提供す
る。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型
フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成
物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾチアゾリルジスルフ
ィドを0.001〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充
填剤を25〜95重量％の割合で含有してなる封止用樹脂組
成物であり、また、該組成物によって封止された、Ｐｄ
やＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームを用いた
半導体封止装置である。
グフレームと、樹脂組成物との接着力を向上させ、半導
体封止装置の耐リフロー性を向上させ、リフロー後の耐
湿劣化を防止し、信頼性の高い半導体封止装置を提供す
る。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック型
フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組成
物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾチアゾリルジスルフ
ィドを0.001〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質充
填剤を25〜95重量％の割合で含有してなる封止用樹脂組
成物であり、また、該組成物によって封止された、Ｐｄ
やＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームを用いた
半導体封止装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。
等のプレプレーティングを施したフレームを用いた半導
体パッケージにおいて耐リフロークラック性等の信頼性
に優れたエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体装置では、半田メッキに換
えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングを施し
たフレームを採用した半導体パッケージが増加してい
る。
【０００３】従来のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノ
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、インサートと封止樹脂の
接着性が著しく悪いという欠点があった。特に吸湿した
その半導体装置を表面実装すると、封止樹脂とリードフ
レーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥が
れが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体
装置は、長期間の信頼性を保証することができないとい
う欠点があった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿
性の影響が少なく、耐湿劣化の少ない成形性のよい材料
の開発が強く要望されていた。
ール樹脂及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によって
封止したＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレ
ームを採用した半導体装置は、インサートと封止樹脂の
接着性が著しく悪いという欠点があった。特に吸湿した
その半導体装置を表面実装すると、封止樹脂とリードフ
レーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間の剥が
れが生じて著しい耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体
装置は、長期間の信頼性を保証することができないとい
う欠点があった。このため、耐リフロー性に優れ、耐湿
性の影響が少なく、耐湿劣化の少ない成形性のよい材料
の開発が強く要望されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、Ｐ
ｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
を解消し、上記要望に応えるためになされたもので、Ｐ
ｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレームとの接
着性が高く、特に耐リフロー性とリフロー後の信頼性に
優れた、成形性のよい、封止用樹脂組成物および半導体
封止装置を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に2-
ベンゾチアゾリルジスルフィドを配合することによっ
て、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレーム
との接着性を大幅に向上し、上記目的が達成されること
を見いだし、本発明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、樹脂組成物に2-
ベンゾチアゾリルジスルフィドを配合することによっ
て、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレーム
との接着性を大幅に向上し、上記目的が達成されること
を見いだし、本発明を完成したものである。
【０００６】即ち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチ
アゾリルジスルフィドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾ
チアゾリルジスルフィドを0.001 〜0.1 重量％、また前
記（Ｄ）の無機質充填剤を25〜95重量％の割合で含有し
てなることを特徴とする封止用樹脂組成物であり、また
この封止用樹脂組成物の硬化物によって、Ｐｄ若しくは
Ｐｄ−Ａｕのプレプレーティングを施したフレームに搭
載された半導体チップを封止してなることを特徴とする
半導体封止装置である。
（Ｂ）ノボラック型フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチ
アゾリルジスルフィドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾ
チアゾリルジスルフィドを0.001 〜0.1 重量％、また前
記（Ｄ）の無機質充填剤を25〜95重量％の割合で含有し
てなることを特徴とする封止用樹脂組成物であり、また
この封止用樹脂組成物の硬化物によって、Ｐｄ若しくは
Ｐｄ−Ａｕのプレプレーティングを施したフレームに搭
載された半導体チップを封止してなることを特徴とする
半導体封止装置である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2 個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビフェニル型、ビスフ
ェノール型の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族
系、また、次の一般式で示されるエポキシノボラック系
のエポキシ樹脂等が挙げられる。
【０００９】
【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を、ｎは1 以
上の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2 種以上混合し
て用いることができる。本発明に用いる（Ｂ）ノボラッ
ク型フェノール樹脂としては、フェノール、アルキルフ
ェノール、多官能フェノール等のフェノール類とホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類と
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばフェノールアラルキル樹
脂、エポキシ化もしくはブチル化したノボラック型フェ
ノール樹脂等が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしく
は2 種以上混合して用いる。ノボラック型フェノール樹
脂の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基
（ａ）とノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水
酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／（ｂ）］が0.1 〜10の
範囲内であることが望ましい。当量比が0.1 未満もしく
は10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬
化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくな
い。従って上記の範囲内に限定するのが良い。
キル基を、Ｒ2 は水素原子又はアルキル基を、ｎは1 以
上の整数をそれぞれ表す） これらのエポキシ樹脂は、単独もしくは2 種以上混合し
て用いることができる。本発明に用いる（Ｂ）ノボラッ
ク型フェノール樹脂としては、フェノール、アルキルフ
ェノール、多官能フェノール等のフェノール類とホルム
アルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類と
を反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂およ
びこれらの変性樹脂、例えばフェノールアラルキル樹
脂、エポキシ化もしくはブチル化したノボラック型フェ
ノール樹脂等が挙げられ、これらの樹脂は、単独もしく
は2 種以上混合して用いる。ノボラック型フェノール樹
脂の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基
（ａ）とノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水
酸基（ｂ）との当量比［（ａ）／（ｂ）］が0.1 〜10の
範囲内であることが望ましい。当量比が0.1 未満もしく
は10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性および硬
化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくな
い。従って上記の範囲内に限定するのが良い。
【００１０】本発明に用いる（Ｃ）2-ベンゾチアゾリル
ジスルフィドは、次の構造式に示されるものである。
ジスルフィドは、次の構造式に示されるものである。
【００１１】
【化２】
【００１２】2-ベンゾチアゾリルジスルフィドの配合割
合は、全体の樹脂組成物に対して0.001 〜0.1 重量％含
有することが望ましい。この割合が0.001 重量％未満で
は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレーム
との接着力の向上に効果なく、また、0.1 重量％を超え
ると、封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さず
好ましくない。
合は、全体の樹脂組成物に対して0.001 〜0.1 重量％含
有することが望ましい。この割合が0.001 重量％未満で
は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティングフレーム
との接着力の向上に効果なく、また、0.1 重量％を超え
ると、封止樹脂の硬化等に悪影響を与え、実用に適さず
好ましくない。
【００１３】本発明に用いる（Ｄ）無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化ケイ素粉末、三酸
化アンチモン、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイ
ト、クレー、マイカ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げら
れ、これらは単独又は2 種以上混合して使用することが
できる。これらの中でも特にシリカ粉末とアルミナ粉末
が好ましく、よく使用される。無機質充填剤の配合割合
は、全体の樹脂組成物に対して25〜95重量％の割合で含
有することが望ましい。その割合が25重量％未満では、
耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性
が悪くなり、また、95重量％を超えるとカサバリが大き
くなり、成形性に劣り実用に適さない。本発明の封止用
樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂、2-ベンゾチアゾリルジスルフィドおよび無機質充
填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度
において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エ
ステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化ケイ素粉末、三酸
化アンチモン、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイ
ト、クレー、マイカ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げら
れ、これらは単独又は2 種以上混合して使用することが
できる。これらの中でも特にシリカ粉末とアルミナ粉末
が好ましく、よく使用される。無機質充填剤の配合割合
は、全体の樹脂組成物に対して25〜95重量％の割合で含
有することが望ましい。その割合が25重量％未満では、
耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性
が悪くなり、また、95重量％を超えるとカサバリが大き
くなり、成形性に劣り実用に適さない。本発明の封止用
樹脂組成物は、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂、2-ベンゾチアゾリルジスルフィドおよび無機質充
填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度
において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エ
ステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤、種々の硬化促進剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。
【００１４】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2-ベンゾチアゾリル
ジスルフィド、無機質充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処
理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電
気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性
と信頼性を付与させることができる。
て調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、2-ベンゾチアゾリル
ジスルフィド、無機質充填剤およびその他の成分を配合
し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに
熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処
理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕し
て成形材料とすることができる。こうして得られた成形
材料は、半導体装置をはじめとする電子部品あるいは電
気部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性
と信頼性を付与させることができる。
【００１５】本発明の半導体封止装置は、上記のように
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
して得られた封止用樹脂を用いて、半導体チップを封止
することにより容易に製造することができる。封止の最
も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が
あるが、射出成形、圧縮成形、注型等による封止も可能
である。封止用樹脂組成物を封止の際に加熱して硬化さ
せ、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。封止を行う
半導体装置としては、例えば集積回路、大規模集積回
路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等で特に限
定されるものではない。
【００１６】
【作用】本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装
置は、樹脂成分として2-ベンゾチアゾリルジスルフィド
を用いたことによって、目的とする特性が得られるもの
である。即ち、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティン
グフレームとの接着力を向上させ、表面実装後のインサ
ートと封止樹脂との接着性の劣化を防止することがで
き、長期の信頼性を保証することができた。
置は、樹脂成分として2-ベンゾチアゾリルジスルフィド
を用いたことによって、目的とする特性が得られるもの
である。即ち、ＰｄやＰｄ−Ａｕ等のプレプレーティン
グフレームとの接着力を向上させ、表面実装後のインサ
ートと封止樹脂との接着性の劣化を防止することがで
き、長期の信頼性を保証することができた。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「％」と
は「重量％」を意味する。
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「％」と
は「重量％」を意味する。
【００１８】実施例１ クレゾールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量195
）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ）6.7 ％、次の化３に示した2-ベンゾチアゾ
リルジスルフィド0.01％、
）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ）6.7 ％、次の化３に示した2-ベンゾチアゾ
リルジスルフィド0.01％、
【００１９】
【化３】 溶融シリカ粉末80％、エステル系ワックス類 0.2％、硬
化促進剤0.19％およびシランカップリング剤0.4 ％を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
（封止品）をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表１に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
化促進剤0.19％およびシランカップリング剤0.4 ％を常
温で混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕
して成形材料を製造した。この成形材料を170 ℃に加熱
した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品
（封止品）をつくった。この成形品について耐湿性等の
特性を試験したので、その結果を表１に示した。特に耐
湿性において本発明の顕著な効果が認められた。
【００２０】実施例２ ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量213 ） 5.0％
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３の2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ド0.01％、シリカ粉末90％、エステル系ワックス類 0.2
％、硬化触媒0.14％およびシランカップリング剤0.5 ％
を実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製
造した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、
耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３の2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ド0.01％、シリカ粉末90％、エステル系ワックス類 0.2
％、硬化触媒0.14％およびシランカップリング剤0.5 ％
を実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製
造した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、
耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
【００２１】実施例３ ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量213 ） 5.0％
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３の2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ド0.005 ％、硬化触媒0.14％、シランカップリング剤0.
5 ％、シリカ粉末90％およびエステル系ワックス0.2 ％
を実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製
造した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、
耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
に、フェノールアラルキル樹脂（フェノール当量175 ）
4.15％、前記した化３の2-ベンゾチアゾリルジスルフィ
ド0.005 ％、硬化触媒0.14％、シランカップリング剤0.
5 ％、シリカ粉末90％およびエステル系ワックス0.2 ％
を実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製
造した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、
耐湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
【００２２】比較例 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量19
5 ）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ） 6.7％、シリカ粉末80％、硬化促進剤0.19
％、エステル系ワックス類 0.2％およびシラン系カップ
リング剤 0.4％を混合し、実施例１と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例１と同様にして試験を行い、
その結果を表１に示した。
5 ）12.5％に、ノボラック型フェノール樹脂（フェノー
ル当量104 ） 6.7％、シリカ粉末80％、硬化促進剤0.19
％、エステル系ワックス類 0.2％およびシラン系カップ
リング剤 0.4％を混合し、実施例１と同様にして成形材
料を製造した。この成形材料を用いて成形品とし、成形
品の諸特性について実施例１と同様にして試験を行い、
その結果を表１に示した。
【００２３】
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって接着面積4 ｍｍ2 の
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 ＊2 ：トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃，8 時間の後硬化を行い、熱機器分析装置を
用いて測定した。 ＊3 ：成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ（テスト用素子）をＰｄプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、ＱＦＰ−２０８Ｐ，2.8 ｍｍt の
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃，40％ＲＨ，168
時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ240 ℃のＩＲリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃，2.5 気圧の飽和水蒸気
中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行
い、剪断接着力を求めた。 ＊2 ：トランスファー成形によって成形品をつくり、こ
れを175 ℃，8 時間の後硬化を行い、熱機器分析装置を
用いて測定した。 ＊3 ：成形材料を用いて、2 本以上のアルミニウム配線
を有するシリコン製チップ（テスト用素子）をＰｄプレ
プレーティングフレームに接着し、175 ℃で2 分間トラ
ンスファー成形して、ＱＦＰ−２０８Ｐ，2.8 ｍｍt の
成形品をつくり、これを175 ℃，8 時間の後硬化を行っ
た。こうして得た成形品を予め、85℃，40％ＲＨ，168
時間の吸湿処理した後、Ｍａｘ240 ℃のＩＲリフロー炉
を4 回通した。その後、127 ℃，2.5 気圧の飽和水蒸気
中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不
良として評価した。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕメッキのインサートとの接着性に
優れ、ＩＲリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕメッキのインサートとの接着性に
優れ、ＩＲリフロー後においても剥離することなく、耐
湿性に優れ、その結果、電極の腐食による断線や水分に
よるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、
しかも長期間にわたって信頼性を保証することができ
る。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチアゾリルジスルフ
ィドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組
成物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾチアゾリルジスル
フィドを0.001 〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質
充填剤を25〜95重量％の割合で含有してなることを特徴
とする封止用樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ノボラック
型フェノール樹脂、（Ｃ）2-ベンゾチアゾリルジスルフ
ィドおよび（Ｄ）無機質充填剤を必須成分とし、樹脂組
成物に対して、前記（Ｃ）の2-ベンゾチアゾリルジスル
フィドを0.001 〜0.1 重量％、また前記（Ｄ）の無機質
充填剤を25〜95重量％の割合で含有した封止用樹脂組成
物の硬化物によって、Ｐｄ若しくはＰｄ−Ａｕのプレプ
レーティングを施したフレームに搭載された半導体チッ
プを封止してなることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31140897A JPH11130942A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31140897A JPH11130942A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130942A true JPH11130942A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=18016850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31140897A Pending JPH11130942A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130942A (ja) |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP31140897A patent/JPH11130942A/ja active Pending
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