JPH11125836A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH11125836A JPH11125836A JP9344005A JP34400597A JPH11125836A JP H11125836 A JPH11125836 A JP H11125836A JP 9344005 A JP9344005 A JP 9344005A JP 34400597 A JP34400597 A JP 34400597A JP H11125836 A JPH11125836 A JP H11125836A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光の透過率と開口率及び応答速度を改善する
ことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 下部基板上に形成されマトリックス形態
に配列されて単位セルを限定するゲートバスライン及び
データバスラインと、ゲートバスライン及びデータバス
ラインの交差点周囲に形成されてゲートバスラインに加
えられる電圧によってスイッチング役割をする薄膜トラ
ンジスタと、単位セル内に透明な伝導物質から形成され
てゲートバスラインと平行なメーンブランチ及びメーン
ブランチから分岐して等間隔で平行に配置された多数個
のブランチとを含んで液晶を駆動するカウンター電極
と、カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、薄
膜トランジスタと接続され透明絶縁膜上に重ねられてカ
ウンター電極のブランチ等が露出され得るように多数個
のスロットを備えるとともに透明な伝導物質から形成さ
れ、カウンター電極と共に液晶を駆動させる画素電極を
備え、カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁され
る構成とする。
ことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 下部基板上に形成されマトリックス形態
に配列されて単位セルを限定するゲートバスライン及び
データバスラインと、ゲートバスライン及びデータバス
ラインの交差点周囲に形成されてゲートバスラインに加
えられる電圧によってスイッチング役割をする薄膜トラ
ンジスタと、単位セル内に透明な伝導物質から形成され
てゲートバスラインと平行なメーンブランチ及びメーン
ブランチから分岐して等間隔で平行に配置された多数個
のブランチとを含んで液晶を駆動するカウンター電極
と、カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、薄
膜トランジスタと接続され透明絶縁膜上に重ねられてカ
ウンター電極のブランチ等が露出され得るように多数個
のスロットを備えるとともに透明な伝導物質から形成さ
れ、カウンター電極と共に液晶を駆動させる画素電極を
備え、カウンター電極と画素電極とは電気的に絶縁され
る構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関し、特に、液晶を駆動するカウンター電
極と画素電極とを備える液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
の製造方法に関し、特に、液晶を駆動するカウンター電
極と画素電極とを備える液晶表示装置及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶表示装置（以下ＬＣＤと称す
る）は、ワープロ、パソコム、プロジェックションＴ
Ｖ、小型ＴＶ等、多くの用途に利用されている。このよ
うなＬＣＤは、液晶分子の配列方式により多様なモード
に区分される。その中で、１９９５年に開発されたスー
パーＴＦＴ−ＬＣＤのＩＰＳ(in-plane switching)モー
ドのＬＣＤは、ＴＮ(twisted nematic) −ＬＣＤの視野
角の問題と低いコントラスト比の問題とを改善するため
に提案されたモードである。
る）は、ワープロ、パソコム、プロジェックションＴ
Ｖ、小型ＴＶ等、多くの用途に利用されている。このよ
うなＬＣＤは、液晶分子の配列方式により多様なモード
に区分される。その中で、１９９５年に開発されたスー
パーＴＦＴ−ＬＣＤのＩＰＳ(in-plane switching)モー
ドのＬＣＤは、ＴＮ(twisted nematic) −ＬＣＤの視野
角の問題と低いコントラスト比の問題とを改善するため
に提案されたモードである。
【０００３】図７を参照して、ＩＰＳ−ＬＣＤを説明す
ると以下のとおりである。本図面ではＬＣＤの単位セル
を示している。
ると以下のとおりである。本図面ではＬＣＤの単位セル
を示している。
【０００４】先ず、下部基板１００上にゲートバスライ
ン１０１が、例えば図面のＸ方向に配列される。また、
多数のデータバスライン１０５は、前記ゲートバスライ
ン１０１と垂直に交差するようにＹ方向に配列される。
ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０５との
交点の周囲には、チャネル層１０４を含む薄膜トランジ
スタＴＦＴが備えられる。ここにおいて、チャネル層１
０４は、ゲートバスライン１０１上の所定部分に形成さ
れ、データバスライン１０５は、チャネル層１０４の一
側とオーバーラップする。ゲートバスライン１０１とデ
ータバスライン１０５とから囲まれた単位セルの空間に
は、四角枠形態のカウンター電極１０２が形成される。
ン１０１が、例えば図面のＸ方向に配列される。また、
多数のデータバスライン１０５は、前記ゲートバスライ
ン１０１と垂直に交差するようにＹ方向に配列される。
ゲートバスライン１０１とデータバスライン１０５との
交点の周囲には、チャネル層１０４を含む薄膜トランジ
スタＴＦＴが備えられる。ここにおいて、チャネル層１
０４は、ゲートバスライン１０１上の所定部分に形成さ
れ、データバスライン１０５は、チャネル層１０４の一
側とオーバーラップする。ゲートバスライン１０１とデ
ータバスライン１０５とから囲まれた単位セルの空間に
は、四角枠形態のカウンター電極１０２が形成される。
【０００５】画素電極１０６は、カウンター電極１０２
の中のゲートバスライン１０１と平行な部分、及びオー
バーラップする部分と、カウンター電極１０２から囲ま
れた空間を二分するようにデータバスライン１０５と平
行に配列される部分を含む。併せて、画素電極１０６は
チャネル層１０４の他側とオーバーラップする。下部基
板１００に対向する上部基板（図示せず）には、図示し
ないカラーフィルターと、このカラーフィルター間を分
割する図示しないブラックマトリクスが備えられる。下
部基板１００と図示しない上部基板間には液晶が充填さ
れる。この充填される液晶は、下部基板１００のカウン
ター電極１０２と画素電極１０６との間に形成される電
界により駆動される。この場合、ゲートバスライン１０
１，データバスライン１０５，カウンター電極１０２，
画素電極１０６のすべては金属物質から形成されてい
る。
の中のゲートバスライン１０１と平行な部分、及びオー
バーラップする部分と、カウンター電極１０２から囲ま
れた空間を二分するようにデータバスライン１０５と平
行に配列される部分を含む。併せて、画素電極１０６は
チャネル層１０４の他側とオーバーラップする。下部基
板１００に対向する上部基板（図示せず）には、図示し
ないカラーフィルターと、このカラーフィルター間を分
割する図示しないブラックマトリクスが備えられる。下
部基板１００と図示しない上部基板間には液晶が充填さ
れる。この充填される液晶は、下部基板１００のカウン
ター電極１０２と画素電極１０６との間に形成される電
界により駆動される。この場合、ゲートバスライン１０
１，データバスライン１０５，カウンター電極１０２，
画素電極１０６のすべては金属物質から形成されてい
る。
【０００６】このように構成されたＩＰＳ−ＬＣＤは、
液晶を駆動させるカウンター電極１０２と画素電極１０
６とのすべてが下部基板１００上に形成されている。し
たがって、カウンター電極１０２と画素電極１０６に所
定の電圧が印加されると、下部基板１００に水平な電界
が形成される。この形成された水平な電界により、液晶
内の分子は、誘電率異方性（dielectric anistroph) が
陽（positive; Δε＞０）の場合に電界と平行に駆動さ
れ、液晶内の分子も電界と平行に横になる。従って、い
ずれの面からも液晶が横になっている状態を見せている
ので、視野角が改善される。
液晶を駆動させるカウンター電極１０２と画素電極１０
６とのすべてが下部基板１００上に形成されている。し
たがって、カウンター電極１０２と画素電極１０６に所
定の電圧が印加されると、下部基板１００に水平な電界
が形成される。この形成された水平な電界により、液晶
内の分子は、誘電率異方性（dielectric anistroph) が
陽（positive; Δε＞０）の場合に電界と平行に駆動さ
れ、液晶内の分子も電界と平行に横になる。従って、い
ずれの面からも液晶が横になっている状態を見せている
ので、視野角が改善される。
【０００７】しかし、前記のようなＩＰＳ−ＬＣＤは次
のような問題点がある。まず、ＩＰＳ−ＬＣＤは、図７
に示すとおり、光が透過する面に不透明金属からなるカ
ウンター電極１０２と画素電極１０６とが並列に位置し
て、ＬＣＤの開口面積を遮ることから、ＬＣＤのの開口
率が低下する。また、カウンター電極１０２と画素電極
１０６のすべてが不透明な金属から形成されることか
ら、透過率が低くなり、このため、一定輝度を得るため
には強いバックライトが必要となり、消費電力が大きく
なる問題がある。以下、これを詳述する。
のような問題点がある。まず、ＩＰＳ−ＬＣＤは、図７
に示すとおり、光が透過する面に不透明金属からなるカ
ウンター電極１０２と画素電極１０６とが並列に位置し
て、ＬＣＤの開口面積を遮ることから、ＬＣＤのの開口
率が低下する。また、カウンター電極１０２と画素電極
１０６のすべてが不透明な金属から形成されることか
ら、透過率が低くなり、このため、一定輝度を得るため
には強いバックライトが必要となり、消費電力が大きく
なる問題がある。以下、これを詳述する。
【０００８】カウンター電極１０２と画素電極１０６
は、所定の幅、例えば、約５乃至１０μｍの幅を有す
る。この場合、カウンター電極１０２，画素電極１０６
の縁部分約１乃至２μｍ部分に存在する液晶は電界に影
響されるが、カウンター電極１０２，画素電極１０６の
上部中央に存在する液晶は、電界に影響されない。即
ち、カウンター電極１０２，画素電極１０６上部の中央
に等電位面（equipotentialsurface)が形成される。そ
れにより、電圧印加時に、カウンター電極１０２と画素
電極１０６の上部中央に存在する液晶は駆動しなくな
る。このように、駆動されない液晶分子を遮るために前
記不透明金属膜で形成される。また、画素電極１０６
は、カウンター電極１０２から囲まれた空間が二分され
るように形成されている。従って、画素電極１０６とカ
ウンター電極１０２は、Ｙ方向の側面で、所定間隔、例
えば約７乃至１０μｍ程度離隔されている。即ち、カウ
ンター電極１０２と画素電極１０６との間の距離が電界
の及ぶ空間になり、この距離が広いほど応答速度が低下
する。
は、所定の幅、例えば、約５乃至１０μｍの幅を有す
る。この場合、カウンター電極１０２，画素電極１０６
の縁部分約１乃至２μｍ部分に存在する液晶は電界に影
響されるが、カウンター電極１０２，画素電極１０６の
上部中央に存在する液晶は、電界に影響されない。即
ち、カウンター電極１０２，画素電極１０６上部の中央
に等電位面（equipotentialsurface)が形成される。そ
れにより、電圧印加時に、カウンター電極１０２と画素
電極１０６の上部中央に存在する液晶は駆動しなくな
る。このように、駆動されない液晶分子を遮るために前
記不透明金属膜で形成される。また、画素電極１０６
は、カウンター電極１０２から囲まれた空間が二分され
るように形成されている。従って、画素電極１０６とカ
ウンター電極１０２は、Ｙ方向の側面で、所定間隔、例
えば約７乃至１０μｍ程度離隔されている。即ち、カウ
ンター電極１０２と画素電極１０６との間の距離が電界
の及ぶ空間になり、この距離が広いほど応答速度が低下
する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、前記の従来の問題点を解決するためのもので、光の
透過率を改善させることができるＬＣＤを提供すること
である。また、本発明の他の目的は、開口率を改善させ
得るＬＣＤを提供することである。また、他の目的は、
応答速度を改善することができるＬＣＤを提供すること
である。さらに他の目的は、前記特性を有するＬＣＤの
製造方法を提供することである。
は、前記の従来の問題点を解決するためのもので、光の
透過率を改善させることができるＬＣＤを提供すること
である。また、本発明の他の目的は、開口率を改善させ
得るＬＣＤを提供することである。また、他の目的は、
応答速度を改善することができるＬＣＤを提供すること
である。さらに他の目的は、前記特性を有するＬＣＤの
製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明においては、対向する上下基板と、前記上下基板
間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部
基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列さ
れ、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバ
スラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスライ
ンの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加え
られる電圧によってスイッチングの役割をする薄膜トラ
ンジスタと、前記単位セル内に透明な伝導物質から形成
されてゲートバスラインと平行なメインライン及びこの
メインラインから分岐して等間隔で平行に配置された多
数のブランチとを備え、前記液晶を駆動するカウンター
電極と、前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記
透明絶縁膜上に重畳され、カウンター電極の前記ブラン
チ等が露出するように多数のスロットを備える透明な伝
導物質から形成されて、前記カウンター電極と協同して
液晶を駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極
と画素電極とは電気的に絶縁されている構成とするもの
である。
本発明においては、対向する上下基板と、前記上下基板
間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部
基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列さ
れ、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバ
スラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスライ
ンの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加え
られる電圧によってスイッチングの役割をする薄膜トラ
ンジスタと、前記単位セル内に透明な伝導物質から形成
されてゲートバスラインと平行なメインライン及びこの
メインラインから分岐して等間隔で平行に配置された多
数のブランチとを備え、前記液晶を駆動するカウンター
電極と、前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁
膜と、前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記
透明絶縁膜上に重畳され、カウンター電極の前記ブラン
チ等が露出するように多数のスロットを備える透明な伝
導物質から形成されて、前記カウンター電極と協同して
液晶を駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極
と画素電極とは電気的に絶縁されている構成とするもの
である。
【００１１】また、前記カウンター電極と画素電極とは
ＩＴＯ(indium Tin Oxide)電極物質からなり、前記カウ
ンター電極のブランチ幅は２乃至５μｍであり、前記画
素電極のスロット幅は前記カウンター電極のブランチ幅
と同一である構成とし、前記スロット間の画素電極幅は
画素電極のスロット幅と同一であり、前記画素電極はカ
ウンター電極の両側外郭に位置するブランチが前記スロ
ットを通して露出されずに直接露出され、また、前記カ
ウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ2 ，Ｓ
ｉx Ｎy 中のいずれかによって形成され、前記カウンタ
ー電極と画素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キ
ャパシタンスが形成される構成とするものである。
ＩＴＯ(indium Tin Oxide)電極物質からなり、前記カウ
ンター電極のブランチ幅は２乃至５μｍであり、前記画
素電極のスロット幅は前記カウンター電極のブランチ幅
と同一である構成とし、前記スロット間の画素電極幅は
画素電極のスロット幅と同一であり、前記画素電極はカ
ウンター電極の両側外郭に位置するブランチが前記スロ
ットを通して露出されずに直接露出され、また、前記カ
ウンター電極と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ2 ，Ｓ
ｉx Ｎy 中のいずれかによって形成され、前記カウンタ
ー電極と画素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キ
ャパシタンスが形成される構成とするものである。
【００１２】また、対向する上下基板と、前記上下基板
間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部
基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列さ
れ、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバ
スラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスライ
ンの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加え
られる電圧によってスイッチング役割をする薄膜トラン
ジスタと、前記単位セル内に透明な伝導物質から形成さ
れ、等間隔で平行な多数の第１スロットを有して前記液
晶を駆動させるカウンター電極と、前記カウンター電極
上に形成される透明絶縁膜と、前記薄膜トランジスタと
接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、前記
第１スロット間のカウンター電極が露出するように多数
の第２スロットを備える透明な伝導物質から形成され、
前記カウンター電極と協同して液晶を駆動させる画素電
極を備え、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に
絶縁されている構成とするものである。
間に介在された液晶を含む液晶表示装置であって、下部
基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配列さ
れ、単位セルを限定するゲートバスライン及びデータバ
スラインと、前記ゲートバスライン及びデータバスライ
ンの交点周囲に形成されて前記ゲートバスラインに加え
られる電圧によってスイッチング役割をする薄膜トラン
ジスタと、前記単位セル内に透明な伝導物質から形成さ
れ、等間隔で平行な多数の第１スロットを有して前記液
晶を駆動させるカウンター電極と、前記カウンター電極
上に形成される透明絶縁膜と、前記薄膜トランジスタと
接続されるとともに前記透明絶縁膜上に重畳され、前記
第１スロット間のカウンター電極が露出するように多数
の第２スロットを備える透明な伝導物質から形成され、
前記カウンター電極と協同して液晶を駆動させる画素電
極を備え、前記カウンター電極と画素電極とは電気的に
絶縁されている構成とするものである。
【００１３】また、前記カウンター電極と画素電極とは
ＩＴＯ電極物質からなり、前記第１スロット幅と第１ス
ロット間のカウンター電極幅は、それぞれ２乃至５μｍ
であり、前記画素電極の第２スロット幅は前記第１スロ
ット幅と同一であり、前記第２スロット間の画素電極の
幅とも同一であることを特徴とし、前記カウンター電極
と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy 中の
いずれかにより形成形成され、前記カウンター電極と画
素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタン
スが形成される構成とするものである。
ＩＴＯ電極物質からなり、前記第１スロット幅と第１ス
ロット間のカウンター電極幅は、それぞれ２乃至５μｍ
であり、前記画素電極の第２スロット幅は前記第１スロ
ット幅と同一であり、前記第２スロット間の画素電極の
幅とも同一であることを特徴とし、前記カウンター電極
と画素電極間の透明絶縁膜はＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy 中の
いずれかにより形成形成され、前記カウンター電極と画
素電極とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタン
スが形成される構成とするものである。
【００１４】さらに、下部絶縁基板上に透明な伝導物質
からカウンター電極を形成する段階と、前記下部絶縁基
板上に金属膜を蒸着し、所定部分にパターニングを行
い、カウンター電極とコンタクトする共通電極ラインと
ゲートバスラインとを同時に形成する段階と、前記絶縁
基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲートバ
スラインと所定部分においてオーバーラップするように
ゲート絶縁膜上にチャネル層を形成する段階と、前記チ
ャネル層と所定部分がそれぞれオーバーラップするよう
に、不透明金属膜によりデータバスライン及びソースを
同時に形成する段階と、前記透明伝導層にソースとコン
タクトしつつ、カウンター電極と重畳するように画素電
極を形成する段階とから成ることを特徴とするものであ
る。
からカウンター電極を形成する段階と、前記下部絶縁基
板上に金属膜を蒸着し、所定部分にパターニングを行
い、カウンター電極とコンタクトする共通電極ラインと
ゲートバスラインとを同時に形成する段階と、前記絶縁
基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲートバ
スラインと所定部分においてオーバーラップするように
ゲート絶縁膜上にチャネル層を形成する段階と、前記チ
ャネル層と所定部分がそれぞれオーバーラップするよう
に、不透明金属膜によりデータバスライン及びソースを
同時に形成する段階と、前記透明伝導層にソースとコン
タクトしつつ、カウンター電極と重畳するように画素電
極を形成する段階とから成ることを特徴とするものであ
る。
【００１５】以上のような構成及び方法により、固定さ
れた空間内にカウンター電極と画素電極とが、従来の幅
より狭く形成され、両電極の縁部分に形成される電界の
みでも、カウンター電極及び画素電極の上部に存在する
液晶のすべてを駆動させることができるようになる。従
って、ＬＣＤの駆動速度が改善される。また、カウンタ
ー電極と画素電極とが透明な物質から形成されることか
ら、透過率及び開口率が大きく改善される。
れた空間内にカウンター電極と画素電極とが、従来の幅
より狭く形成され、両電極の縁部分に形成される電界の
みでも、カウンター電極及び画素電極の上部に存在する
液晶のすべてを駆動させることができるようになる。従
って、ＬＣＤの駆動速度が改善される。また、カウンタ
ー電極と画素電極とが透明な物質から形成されることか
ら、透過率及び開口率が大きく改善される。
【００１６】
＜第一の実施の形態＞図１は本発明の第一の実施の形態
を示すＬＣＤの平面図であり、図２は図１に示すIII −
III 線で切断したＬＣＤの断面図である。
を示すＬＣＤの平面図であり、図２は図１に示すIII −
III 線で切断したＬＣＤの断面図である。
【００１７】まず、図１を参照して、下部ガラス基板１
０の上部に、多数のゲートバスライン１が例えば図面の
Ｘ方向に配列される。また、多数のデータバスライン４
は、ゲートバスライン１と直交するようにＹ方向に配列
される。この場合、ゲートバスライン１とデータバスラ
イン５は、不透明金属膜、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等
の部材で形成される。また、ゲートバスライン１とデー
タバスライン４間には絶縁膜を介在させて相互に絶縁す
る。ゲートバスライン１とデータバスライン４はマトリ
ックス形態に配置されて、単位セルの空間を限定する。
０の上部に、多数のゲートバスライン１が例えば図面の
Ｘ方向に配列される。また、多数のデータバスライン４
は、ゲートバスライン１と直交するようにＹ方向に配列
される。この場合、ゲートバスライン１とデータバスラ
イン５は、不透明金属膜、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等
の部材で形成される。また、ゲートバスライン１とデー
タバスライン４間には絶縁膜を介在させて相互に絶縁す
る。ゲートバスライン１とデータバスライン４はマトリ
ックス形態に配置されて、単位セルの空間を限定する。
【００１８】ゲートバスライン１とデータバスライン４
の交点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トランジス
タＴＦＴが形成される。チャネル層３はゲートバスライ
ン１上の所定部分に形成され、データバスライン４の下
部に、チャネル層３の一側がオーバーラップするように
形成される。チャネル層３の他側は薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース４ａとオーバーラップするように形成され
る。
の交点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トランジス
タＴＦＴが形成される。チャネル層３はゲートバスライ
ン１上の所定部分に形成され、データバスライン４の下
部に、チャネル層３の一側がオーバーラップするように
形成される。チャネル層３の他側は薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース４ａとオーバーラップするように形成され
る。
【００１９】ゲートバスライン１とデータバスライン５
とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２が
配置される。このカウンター電極２は、ゲートバスライ
ン１と平行なメインライン２ａを含み、またこのメイン
ライン２ａから分岐して等間隔でデータバスライン４と
平行に配置された複数の、枝部としての例えば五つのブ
ランチ２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、２ｆを含む。また、カ
ウンター電極２は、透明な伝導物質、例えばＩＴＯ(ind
ium tin oxide)物質から形成される。
とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２が
配置される。このカウンター電極２は、ゲートバスライ
ン１と平行なメインライン２ａを含み、またこのメイン
ライン２ａから分岐して等間隔でデータバスライン４と
平行に配置された複数の、枝部としての例えば五つのブ
ランチ２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ、２ｆを含む。また、カ
ウンター電極２は、透明な伝導物質、例えばＩＴＯ(ind
ium tin oxide)物質から形成される。
【００２０】この場合、前記ブランチ２ｂ〜２ｆの幅
は、限定された空間内に多数個のブランチを集積するこ
とから、従来のカウンター電極２の幅より狭くするのが
好ましく、具体的には２乃至５μｍ程度が適当である。
このブランチ２ｂ〜２ｆは、ゲートバスライン１に向け
て延長され、データバスライン４と平行に設置される。
また、ゲートバスライン１と平行なカウンター電極２部
分は、共通電極端子（図示せず）に接続される共通電極
ライン２−１とコンタクトされる。この場合、共通電極
ライン２−１は、伝導特性が優れた不透明金属、例え
ば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等から形成される。
は、限定された空間内に多数個のブランチを集積するこ
とから、従来のカウンター電極２の幅より狭くするのが
好ましく、具体的には２乃至５μｍ程度が適当である。
このブランチ２ｂ〜２ｆは、ゲートバスライン１に向け
て延長され、データバスライン４と平行に設置される。
また、ゲートバスライン１と平行なカウンター電極２部
分は、共通電極端子（図示せず）に接続される共通電極
ライン２−１とコンタクトされる。この場合、共通電極
ライン２−１は、伝導特性が優れた不透明金属、例え
ば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ等から形成される。
【００２１】画素電極５は、ＴＦＴのソース４ａと接触
し、カウンター電極２の上部に透明絶縁膜（図示せず）
を介して重畳される。この透明絶縁膜としては、ＳｉＯ
2 ，S ｉx Ｎy 膜が用いられる。この場合、画素電極５
には、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆが露出す
るように、複数の例えば三つのスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ
３が形成されている。このスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３の
幅は、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆの幅と同
一である。この際に、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間のカ
ウンター電極をバー５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとする。こ
の実施の形態においては、バーは四つである。また、ス
ロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間の画素電極５の幅、すなわち
バー５ａ〜５ｄの幅は、カウンター電極２のブランチ２
ｂ〜２ｆの幅と同一である。
し、カウンター電極２の上部に透明絶縁膜（図示せず）
を介して重畳される。この透明絶縁膜としては、ＳｉＯ
2 ，S ｉx Ｎy 膜が用いられる。この場合、画素電極５
には、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆが露出す
るように、複数の例えば三つのスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ
３が形成されている。このスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３の
幅は、カウンター電極２のブランチ２ｂ〜２ｆの幅と同
一である。この際に、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間のカ
ウンター電極をバー５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとする。こ
の実施の形態においては、バーは四つである。また、ス
ロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３間の画素電極５の幅、すなわち
バー５ａ〜５ｄの幅は、カウンター電極２のブランチ２
ｂ〜２ｆの幅と同一である。
【００２２】前記画素電極５において、図１に図示のと
おり、カウンター電極２の両側の外郭に位置するブラン
チ２ｂと２ｆは、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通しては
露出されず直接に露出され、ブランチ２ｃ，２ｄ，２ｅ
のみがスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通して露出される。
そして、画素電極５は、カウンター電極２より更に大き
い範囲に重ねられる。すなわち、カウンター電極２のブ
ランチ２ｂ〜２ｆのすべてを画素電極５のスロットを通
して露出させ得る。ここにおいて、カウンター電極２と
画素電極５とがオーバーラップするメインライン２ａ部
分に蓄積キャパシタンスＣが形成される。
おり、カウンター電極２の両側の外郭に位置するブラン
チ２ｂと２ｆは、スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通しては
露出されず直接に露出され、ブランチ２ｃ，２ｄ，２ｅ
のみがスロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通して露出される。
そして、画素電極５は、カウンター電極２より更に大き
い範囲に重ねられる。すなわち、カウンター電極２のブ
ランチ２ｂ〜２ｆのすべてを画素電極５のスロットを通
して露出させ得る。ここにおいて、カウンター電極２と
画素電極５とがオーバーラップするメインライン２ａ部
分に蓄積キャパシタンスＣが形成される。
【００２３】このような構成を有するＬＣＤは、図２に
示すとおり、液晶内の分子を駆動するカウンター電極２
ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが相互に間隔をおかず
に配列される。これにより、電界が及ぶ空間が狭くなる
ので、ＬＣＤの応答速度が改善される。また、カウンタ
ー電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが透明な物質
からなり、前記透過率及び開口率が大きく改善される。
この時、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５
ｄとが透明な物質からなることにより、電極２ｂ〜２
ｆ、５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶を駆動させるため
に、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄの
幅を、本実施の形態の構成のとおり狭く形成する。
示すとおり、液晶内の分子を駆動するカウンター電極２
ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが相互に間隔をおかず
に配列される。これにより、電界が及ぶ空間が狭くなる
ので、ＬＣＤの応答速度が改善される。また、カウンタ
ー電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとが透明な物質
からなり、前記透過率及び開口率が大きく改善される。
この時、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５
ｄとが透明な物質からなることにより、電極２ｂ〜２
ｆ、５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶を駆動させるため
に、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄの
幅を、本実施の形態の構成のとおり狭く形成する。
【００２４】これにより、固定された空間内にカウンタ
ー電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとは、従来の幅
より狭い幅（２乃至５μｍ）を有し交替に配列される。
従って、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５
ｄの縁に及ぶ電界のみでもカウンター電極２ｂ〜２ｆ及
び画素電極５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶分子のすべ
てが駆動されることから、ＬＣＤの透過率が更に改善さ
れる。
ー電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５ｄとは、従来の幅
より狭い幅（２乃至５μｍ）を有し交替に配列される。
従って、カウンター電極２ｂ〜２ｆと画素電極５ａ〜５
ｄの縁に及ぶ電界のみでもカウンター電極２ｂ〜２ｆ及
び画素電極５ａ〜５ｄの上部に存在する液晶分子のすべ
てが駆動されることから、ＬＣＤの透過率が更に改善さ
れる。
【００２５】＜第二の実施の形態＞図３は、本発明の第
二の実施の形態を説明するためのＬＣＤの平面図であ
る。図３を参照して、下部ガラス基板１０の上部に多数
のゲートバスライン１と多数のデータバスライン４が前
記第一の実施の形態と同一に配列され、単位セルの空間
を限定している。ゲートバスライン１とデータバスライ
ン４の交差点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トラ
ンジスタＴＦＴが備えられる。
二の実施の形態を説明するためのＬＣＤの平面図であ
る。図３を参照して、下部ガラス基板１０の上部に多数
のゲートバスライン１と多数のデータバスライン４が前
記第一の実施の形態と同一に配列され、単位セルの空間
を限定している。ゲートバスライン１とデータバスライ
ン４の交差点の周囲には、チャネル層３を含む薄膜トラ
ンジスタＴＦＴが備えられる。
【００２６】ゲートバスライン１とデータバスライン５
とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２２
が配置される。カウンター電極２２はゲートバスライン
１と平行な二つの第１メインライン２２ａ，２２ａと、
この二つの第１メインライン２２ａの間を連結する多数
の第１バー、例えば五つの第１バー２２ｂ〜２２ｆとを
含む。この第１バー２２ｂ〜２２ｆの間には、２乃至５
μｍの幅を有する多数の第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、
ＳＳ３、ＳＳ４…、例えば四つのスロットがそれぞれ等
間隔で形成される。第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ
３、ＳＳ４の幅は、カウンター電極２２のバーの幅と同
一に形成される。
とから囲まれた単位セルの空間にはカウンター電極２２
が配置される。カウンター電極２２はゲートバスライン
１と平行な二つの第１メインライン２２ａ，２２ａと、
この二つの第１メインライン２２ａの間を連結する多数
の第１バー、例えば五つの第１バー２２ｂ〜２２ｆとを
含む。この第１バー２２ｂ〜２２ｆの間には、２乃至５
μｍの幅を有する多数の第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、
ＳＳ３、ＳＳ４…、例えば四つのスロットがそれぞれ等
間隔で形成される。第１スロットＳＳ１、ＳＳ２、ＳＳ
３、ＳＳ４の幅は、カウンター電極２２のバーの幅と同
一に形成される。
【００２７】共通電極端子（図示せず）とコンタクトさ
れる共通電極ライン２−１は、ゲートバスライン１と平
行なカウンター電極２２部分の中のいずれか一部分とコ
ンタクトするように形成される。この場合、共通電極ラ
イン２−１は、不透明金属、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ
等から形成される。前記共通電極ライン２−１は、カウ
ンター電極２２の上部に配置してもよく、その位置関係
はいずれでもよい。
れる共通電極ライン２−１は、ゲートバスライン１と平
行なカウンター電極２２部分の中のいずれか一部分とコ
ンタクトするように形成される。この場合、共通電極ラ
イン２−１は、不透明金属、例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ
等から形成される。前記共通電極ライン２−１は、カウ
ンター電極２２の上部に配置してもよく、その位置関係
はいずれでもよい。
【００２８】画素電極５０はＴＦＴとコンタクトされ、
カウンター電極２２及び共通電極ライン２−１と重畳さ
れる。この場合、カウンター電極２２の上部には、絶縁
膜（図示せず）、例えばＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy のような
透明絶縁膜が形成されて、カウンター電極２２と画素電
極５０は絶縁される。画素電極５０は、ゲートバスライ
ン１と平行な二つの第２メインライン５０ａ，５０ａ間
を連結する多数の、例えば四つの第２バー５０ｂ〜５０
ｅを備え、この第２バー５０ｂ〜５０ｅ間には多数の、
例えば三つの第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３が形成され
ている。この第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通じて第
１バー２２ｂ〜２２ｆが露出される。
カウンター電極２２及び共通電極ライン２−１と重畳さ
れる。この場合、カウンター電極２２の上部には、絶縁
膜（図示せず）、例えばＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy のような
透明絶縁膜が形成されて、カウンター電極２２と画素電
極５０は絶縁される。画素電極５０は、ゲートバスライ
ン１と平行な二つの第２メインライン５０ａ，５０ａ間
を連結する多数の、例えば四つの第２バー５０ｂ〜５０
ｅを備え、この第２バー５０ｂ〜５０ｅ間には多数の、
例えば三つの第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３が形成され
ている。この第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通じて第
１バー２２ｂ〜２２ｆが露出される。
【００２９】第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３の幅は、カ
ウンター電極２２の第１バー２２ｂ〜２２ｆと画素電極
５０の第２バー５０ｂ〜５０ｅと同一に形成する。ま
た、カウンター電極２２の両側外郭に位置する第１バー
２２ｂ，２２ｆは、第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通
しては露出されず、直接に露出され、第１バー２２ｃ，
２２ｄ，２２ｅのみが第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を
通じて露出される。カウンター電極２２と画素電極５０
とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタＣが形成
される。また、カウンター電極２２の二つの第１メイン
ライン２２ａと、画素電極５０の二つの第２メインライ
ン５０ａとはオーバーラップして、この部分に蓄積キャ
パシタＣ１、Ｃ２が形成される。
ウンター電極２２の第１バー２２ｂ〜２２ｆと画素電極
５０の第２バー５０ｂ〜５０ｅと同一に形成する。ま
た、カウンター電極２２の両側外郭に位置する第１バー
２２ｂ，２２ｆは、第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を通
しては露出されず、直接に露出され、第１バー２２ｃ，
２２ｄ，２２ｅのみが第２スロットＳ１，Ｓ２，Ｓ３を
通じて露出される。カウンター電極２２と画素電極５０
とがオーバーラップする部分に蓄積キャパシタＣが形成
される。また、カウンター電極２２の二つの第１メイン
ライン２２ａと、画素電極５０の二つの第２メインライ
ン５０ａとはオーバーラップして、この部分に蓄積キャ
パシタＣ１、Ｃ２が形成される。
【００３０】このように構成されたＬＣＤは、カウンタ
ー電極２２と画素電極５０とがオーバーラップする部分
が顕著に増加し、また、蓄積キャパシタンスも増大す
る。
ー電極２２と画素電極５０とがオーバーラップする部分
が顕著に増加し、また、蓄積キャパシタンスも増大す
る。
【００３１】＜第三の実施の形態＞図４乃至図６は、本
発明の第三の実施の形態を説明するためのＬＣＤの下部
基板の平面図である。
発明の第三の実施の形態を説明するためのＬＣＤの下部
基板の平面図である。
【００３２】先ず、図４に示すとおり、下部基板２０上
に透明伝導層が所定の厚さで蒸着される。次いでカウン
ター電極を形成するために所定部分がパターニングさ
れ、これによりカウンター電極１１が形成される。この
場合、カウンター電極１１は前記第一の実施の形態のと
おり、一つのメインライン１１ａと、これから分岐され
た、例えば五つのブランチ１１ｂ〜１１ｆを有するよう
にパターニングすることもでき、または前記第二の実施
の形態のように、スロットを有するようにパターニング
することもできる。
に透明伝導層が所定の厚さで蒸着される。次いでカウン
ター電極を形成するために所定部分がパターニングさ
れ、これによりカウンター電極１１が形成される。この
場合、カウンター電極１１は前記第一の実施の形態のと
おり、一つのメインライン１１ａと、これから分岐され
た、例えば五つのブランチ１１ｂ〜１１ｆを有するよう
にパターニングすることもでき、または前記第二の実施
の形態のように、スロットを有するようにパターニング
することもできる。
【００３３】次いで、下部基板２０上に不透明金属膜、
例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉのような金属膜が蒸着され
る。この不透明金属膜は、所定部分がパターニングさ
れ、カウンター電極１１と所定部分が離れたゲートバス
ライン１２Ａと、カウンター電極１１とコンタクトされ
る共通電極ライン１２Ｂが形成される。この場合、ゲー
トバスライン１２Ａと共通電極ライン１２Ｂとを先に形
成した後、カウンター電極１１を後で形成してよい。
例えば、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉのような金属膜が蒸着され
る。この不透明金属膜は、所定部分がパターニングさ
れ、カウンター電極１１と所定部分が離れたゲートバス
ライン１２Ａと、カウンター電極１１とコンタクトされ
る共通電極ライン１２Ｂが形成される。この場合、ゲー
トバスライン１２Ａと共通電極ライン１２Ｂとを先に形
成した後、カウンター電極１１を後で形成してよい。
【００３４】次いで、図５を参照して、以上のように形
成された下部基板２０の上部に、ＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy
のような透明な物質でゲート絶縁膜（図示せず）が蒸着
される。アモルファスシリコンからなるチャネル層１３
は、ゲートバスライン１の所定部分上に、公知の方式に
より形成される。データバスライン用の不透明金属膜
は、ゲート絶縁膜（図示せず）上に蒸着され、ゲートバ
スライン１２Ａと直交するようにパターニングされてデ
ータバスライン１４が形成される。この場合、データバ
スライン１４は、チャネル層１３の一側とオーバーラッ
プするように形成される。データバスライン１４を形成
すると同時に、チャネル層１３の他側とオーバーラップ
されるようにソース１４ａが形成される。
成された下部基板２０の上部に、ＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy
のような透明な物質でゲート絶縁膜（図示せず）が蒸着
される。アモルファスシリコンからなるチャネル層１３
は、ゲートバスライン１の所定部分上に、公知の方式に
より形成される。データバスライン用の不透明金属膜
は、ゲート絶縁膜（図示せず）上に蒸着され、ゲートバ
スライン１２Ａと直交するようにパターニングされてデ
ータバスライン１４が形成される。この場合、データバ
スライン１４は、チャネル層１３の一側とオーバーラッ
プするように形成される。データバスライン１４を形成
すると同時に、チャネル層１３の他側とオーバーラップ
されるようにソース１４ａが形成される。
【００３５】そして、図６を参照して、下部基板２０上
に、画素電極用の透明伝導層が所定の厚さで蒸着され
る。次いで、透明伝導層はソース１４ａとコンタクトさ
れ、カウンター電極１１と重畳するように透明伝導層が
パターニングされ、画素電極１５が形成される。
に、画素電極用の透明伝導層が所定の厚さで蒸着され
る。次いで、透明伝導層はソース１４ａとコンタクトさ
れ、カウンター電極１１と重畳するように透明伝導層が
パターニングされ、画素電極１５が形成される。
【００３６】この第三の実施の形態では、データバスラ
イン１４を形成してから画素電極を形成したが、まず画
素電極を形成してからデータバスラインを形成するよう
にしてもよい。また、チャネル層１３を形成する工程後
にデータバスライン１４を形成したが、チャネル層１３
の形成後にエッチストッパ(etch-stopper)を形成するよ
うにしてもよい。
イン１４を形成してから画素電極を形成したが、まず画
素電極を形成してからデータバスラインを形成するよう
にしてもよい。また、チャネル層１３を形成する工程後
にデータバスライン１４を形成したが、チャネル層１３
の形成後にエッチストッパ(etch-stopper)を形成するよ
うにしてもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明のように本発明によれば、カ
ウンター電極と画素電極とが相互に間隔を空けずに配列
されるので、電界の及ぶ空間が狭くなり、従って、ＬＣ
Ｄの応答速度が改善される。また、カウンター電極と画
素電極とが透明な物質により形成されることから、透過
率及び開口率が大きく改善される。また、所定の空間内
にカウンター電極と画素電極とが従来の幅より狭く形成
され、両電極の縁に及び電界のみでも、カウンター電極
及び画素電極の上部に存在する液晶のすべてを駆動させ
ることができるようになる。従って、ＬＣＤの透過率を
更に改善することができるようになる。
ウンター電極と画素電極とが相互に間隔を空けずに配列
されるので、電界の及ぶ空間が狭くなり、従って、ＬＣ
Ｄの応答速度が改善される。また、カウンター電極と画
素電極とが透明な物質により形成されることから、透過
率及び開口率が大きく改善される。また、所定の空間内
にカウンター電極と画素電極とが従来の幅より狭く形成
され、両電極の縁に及び電界のみでも、カウンター電極
及び画素電極の上部に存在する液晶のすべてを駆動させ
ることができるようになる。従って、ＬＣＤの透過率を
更に改善することができるようになる。
【図１】本発明の第一の実施の形態によるＬＣＤの平面
図である。
図である。
【図２】図１のIII −III 線で切断したＬＣＤ基板の断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態を示すＬＣＤの平面
図である。
図である。
【図４】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説
明するためのＬＣＤの平面図である。
明するためのＬＣＤの平面図である。
【図５】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説
明するためのＬＣＤの平面図である。
明するためのＬＣＤの平面図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態による製造方法を説
明するためのＬＣＤの平面図である。
明するためのＬＣＤの平面図である。
【図７】従来におけるＩＰＳ−ＬＣＤの平面図である。
１・・ゲートバスライン ２・・カウンター電極 ２−１・共通電極ライン ３・・チャネル層 ４・・データバスライン ５・・画素電極 １０・下部ガラス基板 １１・カウンター電極 １１ａ・メインライン １１ｂ〜ｆ・ブランチ １２Ａ・ゲートバスライン １２Ｂ・共通電極ライン １３・チャネル層 １４・データバスライン １４ａ・ソース １５・画素電極 ２０・下部基板 ２２・カウンター電極 ２２ａ・第１メインライン ２２ｂ〜２２ｆ・第１バー ５０・画素電極 ５０ａ・第２メインライン ５０ｂ〜５０ｅ・第２バー Ｃ・・蓄積キャパシタ Ｓ１〜Ｓ３，ＳＳ１〜ＳＳ４・スロット
Claims (15)
- 【請求項１】 対向する上下基板と、前記上下基板間に
介在された液晶を含む液晶表示装置であって、 下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配
列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデー
タバスラインと、 前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲
に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧に
よってスイッチングの役割をする薄膜トランジスタと、 前記単位セル内に透明な伝導物質から形成されてゲート
バスラインと平行なメインライン及びこのメインライン
から分岐して等間隔で平行に配置された多数のブランチ
とを備え、前記液晶を駆動するカウンター電極と、 前記カウンター電極上部に形成される透明絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶
縁膜上に重畳され、カウンター電極の前記ブランチ等が
露出するように多数のスロットを備える透明な伝導物質
から形成されて、前記カウンター電極と協同して液晶を
駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極と画素
電極とは電気的に絶縁されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 前記カウンター電極と画素電極とはＩＴ
Ｏ(indium Tin Oxide)電極物質からなることを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記カウンター電極のブランチ幅は２乃
至５μｍであることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項４】 前記画素電極のスロット幅は、前記カウ
ンター電極のブランチ幅と同一であることを特徴とする
請求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記スロット間の画素電極幅は、画素電
極のスロット幅と同一であることを特徴とする請求項４
記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記画素電極は、カウンター電極の両側
外郭に位置するブランチが、前記スロットを通して露出
されずに直接露出されることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記カウンター電極と画素電極間の透明
絶縁膜はＳｉＯ2 ，Ｓｉx Ｎy 中のいずれかによって形
成される膜であることを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置。 - 【請求項８】 前記カウンター電極と画素電極とがオー
バーラップする部分に蓄積キャパシタンスが形成される
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 対向する上下基板と、前記上下基板間に
介在された液晶を含む液晶表示装置であって、 下部基板上に形成されるとともにマトリックス形態に配
列され、単位セルを限定するゲートバスライン及びデー
タバスラインと、 前記ゲートバスライン及びデータバスラインの交点周囲
に形成されて前記ゲートバスラインに加えられる電圧に
よってスイッチング役割をする薄膜トランジスタと、 前記単位セル内に透明な伝導物質から形成され、等間隔
で平行な多数の第１スロットを有して前記液晶を駆動さ
せるカウンター電極と、 前記カウンター電極上に形成される透明絶縁膜と、 前記薄膜トランジスタと接続されるとともに前記透明絶
縁膜上に重畳され、前記第１スロット間のカウンター電
極が露出するように多数の第２スロットを備える透明な
伝導物質から形成され、前記カウンター電極と協同して
液晶を駆動させる画素電極を備え、前記カウンター電極
と画素電極とは電気的に絶縁されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記カウンター電極と画素電極とはＩ
ＴＯ電極物質からなることを特徴とする請求項９記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記第１スロット幅と第１スロット間
のカウンター電極幅は、それぞれ２乃至５μｍであるこ
とを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記画素電極の第２スロット幅は、前
記第１スロット幅と同一であり、前記第２スロット間の
画素電極の幅とも同一であることを特徴とする請求項１
１記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 前記カウンター電極と画素電極間の透
明絶縁膜はＳｉＯ2，Ｓｉx Ｎy 中のいずれかにより形
成形成される膜であることを特徴とする請求項９記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記カウンター電極と画素電極とがオ
ーバーラップする部分に蓄積キャパシタンスが形成され
ることを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】 下部絶縁基板上に透明な伝導物質から
カウンター電極を形成する段階と、 前記下部絶縁基板上に金属膜を蒸着し、所定部分にパタ
ーニングを行い、カウンター電極とコンタクトする共通
電極ラインとゲートバスラインとを同時に形成する段階
と、 前記絶縁基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、 前記ゲートバスラインと所定部分においてオーバーラッ
プするようにゲート絶縁膜上にチャネル層を形成する段
階と、 前記チャネル層と所定部分がそれぞれオーバーラップす
るように、不透明金属膜によりデータバスライン及びソ
ースを同時に形成する段階と、 前記透明伝導層にソースとコンタクトしつつ、カウンタ
ー電極と重畳するように画素電極を形成する段階とから
成ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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