JPH11121851A - 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置 - Google Patents
発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置Info
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- JPH11121851A JPH11121851A JP9281929A JP28192997A JPH11121851A JP H11121851 A JPH11121851 A JP H11121851A JP 9281929 A JP9281929 A JP 9281929A JP 28192997 A JP28192997 A JP 28192997A JP H11121851 A JPH11121851 A JP H11121851A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は発光素子駆動回路及びこれを有する発
光装置に関し、電源電圧の変動及び温度変動に対して安
定な光出力を得ることを課題とする。 【解決手段】補償回路２０を設ける。補償回路２０は、
電源電圧変動検出回路２１、基準電圧源２２及び電流調
整回路２３とから構成される。電流調整回路２３の出力
は定電流源１５の電流の値を調整し、発光素子１１に印
加されるバイアス電流Ibを一定とする。電源電圧ＶＣＣ
が変動すると第一のバイアス電流Ibt に変動が生じる
が、これを相殺するように電流調整回路２３で第二のバ
イアス電流Ibc を調整し、発光素子１１に印加されるバ
イアス電流Ibを一定とする。また、温度が変化した場合
には、定電流源１５もしくは基準電圧源２２に温度特性
を持たせることにより、温度変化に対応してバイアス電
流を変え、発光素子の出力を一定に保つ。
光装置に関し、電源電圧の変動及び温度変動に対して安
定な光出力を得ることを課題とする。 【解決手段】補償回路２０を設ける。補償回路２０は、
電源電圧変動検出回路２１、基準電圧源２２及び電流調
整回路２３とから構成される。電流調整回路２３の出力
は定電流源１５の電流の値を調整し、発光素子１１に印
加されるバイアス電流Ibを一定とする。電源電圧ＶＣＣ
が変動すると第一のバイアス電流Ibt に変動が生じる
が、これを相殺するように電流調整回路２３で第二のバ
イアス電流Ibc を調整し、発光素子１１に印加されるバ
イアス電流Ibを一定とする。また、温度が変化した場合
には、定電流源１５もしくは基準電圧源２２に温度特性
を持たせることにより、温度変化に対応してバイアス電
流を変え、発光素子の出力を一定に保つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子駆動回路
及びこれを有する発光装置に関し、特に、高速動作が可
能でかつロジック回路から直接又は簡易な回路の付加の
みで発光素子を駆動できる発光素子駆動回路であって、
広電源変動範囲及び広温度範囲にわたって、安定した出
力を得ることが可能な発光素子駆動回路及びこれを有す
る発光装置に関する。
及びこれを有する発光装置に関し、特に、高速動作が可
能でかつロジック回路から直接又は簡易な回路の付加の
みで発光素子を駆動できる発光素子駆動回路であって、
広電源変動範囲及び広温度範囲にわたって、安定した出
力を得ることが可能な発光素子駆動回路及びこれを有す
る発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信やディスク装置等の発達に
伴い、半導体レーザ等の発光素子が多用されている。例
えば光中継器において、電気信号を光信号に変換するの
に半導体レーザ等の発光素子が使用されている。この発
明の発光素子駆動回路は、発光素子特に半導体レーザを
駆動するための回路で、信号となるパルス電流（発光素
子をオンオフする信号電流）と発光素子にしきい値を与
えるためのバイアス電流（発光素子の光出力を規定す
る）を供給している。
伴い、半導体レーザ等の発光素子が多用されている。例
えば光中継器において、電気信号を光信号に変換するの
に半導体レーザ等の発光素子が使用されている。この発
明の発光素子駆動回路は、発光素子特に半導体レーザを
駆動するための回路で、信号となるパルス電流（発光素
子をオンオフする信号電流）と発光素子にしきい値を与
えるためのバイアス電流（発光素子の光出力を規定す
る）を供給している。
【０００３】従来、装置の電源として負電源を用い、発
光素子の駆動回路として電流引き込み型を用いるのが一
般的であったが、近年の電源の正電源化に伴い、高速動
作が可能な電流流し込み型の回路構成が必要とされてい
た。そこで、本出願人は、特願平８−７７９４１号によ
り、図１に示す回路を提案した。図１中、発光素子１１
を駆動する発光素子駆動回路が示されている。この発光
素子駆動回路は、抵抗１２、定電流源１５、信号入力端
子１６及びロジック回路１３から構成されいてる。ロジ
ック回路１３は、駆動トランジスタ１３を含む。なお、
ロジック回路１４は例えば、モトローラ社製のＭＣ１０
０Ｅ４１６である。発光素子１１を制御するための入力
信号が、入力端子１６に印加される。駆動トランジスタ
１３は、入力信号電圧を電流に変換し、発光素子１１に
パルス電流Ip及び第一のバイアス電流Ibt を供給する。
抵抗１２は、該パルス電流Ip及び該第一のバイアス電流
Ibt を調整するための抵抗であり、定電流源１５は、発
光素子１１のアノード側に接続され第二のバイアス電流
Ibc を供給するための定電流源である。
光素子の駆動回路として電流引き込み型を用いるのが一
般的であったが、近年の電源の正電源化に伴い、高速動
作が可能な電流流し込み型の回路構成が必要とされてい
た。そこで、本出願人は、特願平８−７７９４１号によ
り、図１に示す回路を提案した。図１中、発光素子１１
を駆動する発光素子駆動回路が示されている。この発光
素子駆動回路は、抵抗１２、定電流源１５、信号入力端
子１６及びロジック回路１３から構成されいてる。ロジ
ック回路１３は、駆動トランジスタ１３を含む。なお、
ロジック回路１４は例えば、モトローラ社製のＭＣ１０
０Ｅ４１６である。発光素子１１を制御するための入力
信号が、入力端子１６に印加される。駆動トランジスタ
１３は、入力信号電圧を電流に変換し、発光素子１１に
パルス電流Ip及び第一のバイアス電流Ibt を供給する。
抵抗１２は、該パルス電流Ip及び該第一のバイアス電流
Ibt を調整するための抵抗であり、定電流源１５は、発
光素子１１のアノード側に接続され第二のバイアス電流
Ibc を供給するための定電流源である。
【０００４】発光素子１１の出力は、バイアス電流（Ib
= Ibc＋Ibt ）の大きさに依存し、発光素子１１のオン
・オフは、入力信号に基づくパルス電流（Ip）に依存す
る。図１の回路において、バイアス電流Ibは、主とし
て、定電流源１５より与えられるが、抵抗１２及びトラ
ンジスタ１３により構成されるパルス電流供給部からも
供給される。発光素子１１に供給されるバイアス電流Ib
は、以下の式で与えられる。
= Ibc＋Ibt ）の大きさに依存し、発光素子１１のオン
・オフは、入力信号に基づくパルス電流（Ip）に依存す
る。図１の回路において、バイアス電流Ibは、主とし
て、定電流源１５より与えられるが、抵抗１２及びトラ
ンジスタ１３により構成されるパルス電流供給部からも
供給される。発光素子１１に供給されるバイアス電流Ib
は、以下の式で与えられる。
【０００５】 Ib = Ibc+ Ibt ------- (１) = Ibc+ (Ｖout(L)- ΦLD)/ＲLD ------- (２) ここで、Ｖout(L)は、ロジック回路１４の出力のLOW レ
ベル、ΦLDは発光素子１１のビルトイン電圧、ＲLDは抵
抗１２の抵抗値である。また、発光素子１１の光出力Po
utは、一般に Pout = (Ip + Ib - Ith ) *η --------(３) と表される。ここで、Ith は、発光素子のしきいち電
流、ηは、微分量子効率である。
ベル、ΦLDは発光素子１１のビルトイン電圧、ＲLDは抵
抗１２の抵抗値である。また、発光素子１１の光出力Po
utは、一般に Pout = (Ip + Ib - Ith ) *η --------(３) と表される。ここで、Ith は、発光素子のしきいち電
流、ηは、微分量子効率である。
【０００６】電源変動が生じた場合、Ｖout(L)が変動す
ることによりIb変動し、光出力変動が生じる。このた
め、安定した光出力が得られる電源変動に限りがあり
（電源電圧の変動しても光出力にほとんど影響を与えな
い範囲）、安定した光出力が得られる電源変動が必然な
分野への適用が難しいという問題があった。また、
(２) 式においては温度に依存する項がなく、温度に対
しほぼ一定の特性を示す。一方、発光素子として、温度
によって、発光素子のしきい値電流Ithあるいは微分量
子効率ηの特性が変化する素子を使用した場合、温度変
動があると、バイアス電流Ibが一定であっても、 (３)
式より明らかなように光出力変動が生じ、安定した光出
力が得られる温度範囲が制限され、( 温度が変動しても
光出力にほとんど影響を与えない温度範囲又は光出力の
変動が許容される温度範囲に制限される) 温度変動が必
要とされる分野への適用が難しいという問題もあった。
ることによりIb変動し、光出力変動が生じる。このた
め、安定した光出力が得られる電源変動に限りがあり
（電源電圧の変動しても光出力にほとんど影響を与えな
い範囲）、安定した光出力が得られる電源変動が必然な
分野への適用が難しいという問題があった。また、
(２) 式においては温度に依存する項がなく、温度に対
しほぼ一定の特性を示す。一方、発光素子として、温度
によって、発光素子のしきい値電流Ithあるいは微分量
子効率ηの特性が変化する素子を使用した場合、温度変
動があると、バイアス電流Ibが一定であっても、 (３)
式より明らかなように光出力変動が生じ、安定した光出
力が得られる温度範囲が制限され、( 温度が変動しても
光出力にほとんど影響を与えない温度範囲又は光出力の
変動が許容される温度範囲に制限される) 温度変動が必
要とされる分野への適用が難しいという問題もあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような問題に対
して、本発明は、電源変動により生じる第一のバイアス
電流Ibt の変動を補償回路によって調整することで、電
源変動によらずほぼ一定のバイアス電流を供給し、安定
した光出力が得られることを目的とする。また、定電流
源あるいは補償回路に温度特性を持たせることで温度に
よってバイアス電流を変化させ、発光素子に温度依存性
を持つものを使用した場合でも、広温度範囲にわたり安
定した光出力が得られることを目的とする。
して、本発明は、電源変動により生じる第一のバイアス
電流Ibt の変動を補償回路によって調整することで、電
源変動によらずほぼ一定のバイアス電流を供給し、安定
した光出力が得られることを目的とする。また、定電流
源あるいは補償回路に温度特性を持たせることで温度に
よってバイアス電流を変化させ、発光素子に温度依存性
を持つものを使用した場合でも、広温度範囲にわたり安
定した光出力が得られることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明（図
２参照）は、発光素子（１１）のアノード側に接続さ
れ、入力電圧を電流変換し、該発光素子にパルス電流Ip
及び第一のバイアス電流Ibt を供給するための駆動トラ
ンジスタ（１３）と、該発光素子のアノード側に接続さ
れ第二のバイアス電流Ibc を供給するための定電流源
（１５）とを備えた発光素子駆動回路において、上記駆
動トランジスタ及び上記定電流源に電圧を供給する電源
電圧に変動が生じた場合に、該電源電圧の変動による上
記第一のバイアス電流の変動分に対応して、上記定電流
源の上記第二のバイアス電流を変化させ、該発光素子へ
のバイアス電流を一定とするよう補償する補償回路を備
えたことを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に
より生じる第一のバイアス電流Ibt の変動分を補償回路
によって補償することで、電源電圧の変動にも拘らず、
ほぼ一定のバイアス電流を発光素子に供給し、安定した
光出力が得られることができる。
２参照）は、発光素子（１１）のアノード側に接続さ
れ、入力電圧を電流変換し、該発光素子にパルス電流Ip
及び第一のバイアス電流Ibt を供給するための駆動トラ
ンジスタ（１３）と、該発光素子のアノード側に接続さ
れ第二のバイアス電流Ibc を供給するための定電流源
（１５）とを備えた発光素子駆動回路において、上記駆
動トランジスタ及び上記定電流源に電圧を供給する電源
電圧に変動が生じた場合に、該電源電圧の変動による上
記第一のバイアス電流の変動分に対応して、上記定電流
源の上記第二のバイアス電流を変化させ、該発光素子へ
のバイアス電流を一定とするよう補償する補償回路を備
えたことを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に
より生じる第一のバイアス電流Ibt の変動分を補償回路
によって補償することで、電源電圧の変動にも拘らず、
ほぼ一定のバイアス電流を発光素子に供給し、安定した
光出力が得られることができる。
【０００９】請求項２に記載の発明（図４参照）は、請
求項１記載の発光素子駆動回路において、前記定電流源
（１５）は、前記第二のバイアス電流Ibc の大きさを調
整するための回路要素（例えば可変抵抗器）を有するこ
とを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に対する
補償と共に発光素子のバラツキにも対処することができ
る。
求項１記載の発光素子駆動回路において、前記定電流源
（１５）は、前記第二のバイアス電流Ibc の大きさを調
整するための回路要素（例えば可変抵抗器）を有するこ
とを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に対する
補償と共に発光素子のバラツキにも対処することができ
る。
【００１０】請求項３に記載の発明（図４参照）は、請
求項２記載の発明の第二のバイアス電流の大きさを調整
するための回路要素として、可変抵抗器（例えば可変抵
抗器Ｒ8 ）を用いて構成したものである。請求項４に記
載の発明（図５、図６参照）は、請求項１ないし３いず
れか一項記載の発光素子駆動回路において、前記定電流
源（１５）は、温度の上昇又は下降に対して上記第二の
バイアス電流Ibc を減少又は増加させる特性を有するこ
とを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に対する
補償、発光素子のバラツキに対する対処の他に、発光素
子の温度変動による出力変動を補償することができる。
求項２記載の発明の第二のバイアス電流の大きさを調整
するための回路要素として、可変抵抗器（例えば可変抵
抗器Ｒ8 ）を用いて構成したものである。請求項４に記
載の発明（図５、図６参照）は、請求項１ないし３いず
れか一項記載の発光素子駆動回路において、前記定電流
源（１５）は、温度の上昇又は下降に対して上記第二の
バイアス電流Ibc を減少又は増加させる特性を有するこ
とを特徴とする。これにより、電源電圧の変動に対する
補償、発光素子のバラツキに対する対処の他に、発光素
子の温度変動による出力変動を補償することができる。
【００１１】請求項５に記載の発明（図５参照）は、請
求項４記載の発明の温度の上昇又は下降に対して前記第
二のバイアス電流Ibc を減少又は増加させる素子として
サーミスタ（例えばＲ9 ）を用いて構成したものであ
る。請求項６に記載の発明（図６参照）は、請求項４記
載の発明の温度の上昇又は下降に対して前記第二のバイ
アス電流Ibc を減少又は増加させる回路として温度に対
応した電圧を出力する回路（例えば電力出力型温度セン
サＩＣ）を用いて構成したものである。
求項４記載の発明の温度の上昇又は下降に対して前記第
二のバイアス電流Ibc を減少又は増加させる素子として
サーミスタ（例えばＲ9 ）を用いて構成したものであ
る。請求項６に記載の発明（図６参照）は、請求項４記
載の発明の温度の上昇又は下降に対して前記第二のバイ
アス電流Ibc を減少又は増加させる回路として温度に対
応した電圧を出力する回路（例えば電力出力型温度セン
サＩＣ）を用いて構成したものである。
【００１２】請求項７記載の発明（図４、図５、図６参
照）は、請求項１ないし６いずれか一項記載の発光素子
駆動回路において、前記補償回路（２０）は、電源電圧
変動検出回路（２１）、基準電圧源（２２）及び電流調
整回路（２３）を有し、該基準電圧源としてツェナダイ
オードを用いて構成することを特徴とする。これによ
り、補償回路の構成を明確にし、かつそれに用いる基準
電圧源としてツェナダイオードを用いるものである。
照）は、請求項１ないし６いずれか一項記載の発光素子
駆動回路において、前記補償回路（２０）は、電源電圧
変動検出回路（２１）、基準電圧源（２２）及び電流調
整回路（２３）を有し、該基準電圧源としてツェナダイ
オードを用いて構成することを特徴とする。これによ
り、補償回路の構成を明確にし、かつそれに用いる基準
電圧源としてツェナダイオードを用いるものである。
【００１３】請求項８記載の発明（図７、図８参照）
は、請求項１ないし６いずれか一項記載の発光素子駆動
回路において、前記補償回路（２０）は、基準電圧源
（３０）として、ツェナ電圧が変化する可変ツェナダイ
オード（３１）を用いて構成することを特徴とする。こ
れにより、ツェナダイオードのツェナ電圧の電圧を調整
することにより、発光素子のバラツキを調整することが
できる。
は、請求項１ないし６いずれか一項記載の発光素子駆動
回路において、前記補償回路（２０）は、基準電圧源
（３０）として、ツェナ電圧が変化する可変ツェナダイ
オード（３１）を用いて構成することを特徴とする。こ
れにより、ツェナダイオードのツェナ電圧の電圧を調整
することにより、発光素子のバラツキを調整することが
できる。
【００１４】請求項９記載の発明（図８、図９参照）
は、請求項１ないし８いずれか一項記載の発光素子駆動
回路において、前記補償回路（２０）は、温度の上昇又
は下降に対して第二のバイアス電流Ibc からの供給電流
を減少又は増加させることを特徴とする。これにより、
発光素子に温度依存性を持つものを使用した場合でも、
安定した光出力が得られることができる。
は、請求項１ないし８いずれか一項記載の発光素子駆動
回路において、前記補償回路（２０）は、温度の上昇又
は下降に対して第二のバイアス電流Ibc からの供給電流
を減少又は増加させることを特徴とする。これにより、
発光素子に温度依存性を持つものを使用した場合でも、
安定した光出力が得られることができる。
【００１５】請求項１０記載の発明（図８参照）は、請
求項９記載の発光素子駆動回路において、前記補償回路
（２０）は、可変ツェナダイオードのツェナ電圧を設定
する回路にサーミスタ（例えばＲ13）を用いて構成する
ことにより、温度の上昇又は下降に対して前記第二のバ
イアス電流を減少又は増加させる特性を有することを特
徴とする。これにより、請求項９の発明とは異なる回路
構成により、発光素子に温度依存性を持つものを使用し
た場合でも、安定した光出力を得ることができる。請求
項１１記載の発明（図９参照）は、請求項９記載の発光
素子駆動回路において、前記補償回路（２０）は、前記
基準電圧源として、温度に対応した電圧を出力する回路
（例えば電力出力型温度センサＩＣ３２）を用いて構成
することにより、温度の上昇又は下降に対して前記第二
のバイアス電流を減少又は増加させる特性を有すること
を特徴とする。これにより、請求項９又は１０の発明と
は異なる回路構成により、発光素子に温度依存性を持つ
ものを使用した場合でも、安定した光出力を得ることが
できる。
求項９記載の発光素子駆動回路において、前記補償回路
（２０）は、可変ツェナダイオードのツェナ電圧を設定
する回路にサーミスタ（例えばＲ13）を用いて構成する
ことにより、温度の上昇又は下降に対して前記第二のバ
イアス電流を減少又は増加させる特性を有することを特
徴とする。これにより、請求項９の発明とは異なる回路
構成により、発光素子に温度依存性を持つものを使用し
た場合でも、安定した光出力を得ることができる。請求
項１１記載の発明（図９参照）は、請求項９記載の発光
素子駆動回路において、前記補償回路（２０）は、前記
基準電圧源として、温度に対応した電圧を出力する回路
（例えば電力出力型温度センサＩＣ３２）を用いて構成
することにより、温度の上昇又は下降に対して前記第二
のバイアス電流を減少又は増加させる特性を有すること
を特徴とする。これにより、請求項９又は１０の発明と
は異なる回路構成により、発光素子に温度依存性を持つ
ものを使用した場合でも、安定した光出力を得ることが
できる。
【００１６】請求項１２に記載の発明は（図１０参
照）、請求項１ないし１１いずれか一項記載の発光素子
駆動回路において、前記駆動トランジスタ１３は、電界
効果トランジスタであることを特徴とする。これによ
り、発光素子駆動回路が超高速な動作に対応することが
できる。請求項１３記載の発明（図１１参照）は、入力
信号を受ける信号入力端子と、前記発光素子を駆動する
発光素子駆動回路と、前記発光素子が発光した光を外部
に出力するための出力部とを有し、前記発光素子駆動回
路は請求項１ないし１２のいずれか一項記載のものであ
ることを特徴とする発光装置である。これにより、請求
項１ないし１２に記載の発光素子駆動回路を具備する発
光装置が得られる。
照）、請求項１ないし１１いずれか一項記載の発光素子
駆動回路において、前記駆動トランジスタ１３は、電界
効果トランジスタであることを特徴とする。これによ
り、発光素子駆動回路が超高速な動作に対応することが
できる。請求項１３記載の発明（図１１参照）は、入力
信号を受ける信号入力端子と、前記発光素子を駆動する
発光素子駆動回路と、前記発光素子が発光した光を外部
に出力するための出力部とを有し、前記発光素子駆動回
路は請求項１ないし１２のいずれか一項記載のものであ
ることを特徴とする発光装置である。これにより、請求
項１ないし１２に記載の発光素子駆動回路を具備する発
光装置が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図２は、本発明の原理説明図で
ある。図中、図１で示したものと同一のものは同一の記
号で示した。発光素子駆動回路は、抵抗１２、定電流源
１５、信号入力端子１６及びロジック回路１４から構成
されている。ロジック回路１４は、駆動トランジスタ１
３を含む。補償回路２０は、電源電圧変動検出回路２
１、基準電圧源２２及び電流調整回路２３とより構成さ
れる。電流調整回路２３の出力は定電流源１５の電流の
大きさを調整する。なお、ロジック回路１４は例えば、
モトローラ社製のＭＣ１００Ｅ４１６である。
て図面と共に説明する。図２は、本発明の原理説明図で
ある。図中、図１で示したものと同一のものは同一の記
号で示した。発光素子駆動回路は、抵抗１２、定電流源
１５、信号入力端子１６及びロジック回路１４から構成
されている。ロジック回路１４は、駆動トランジスタ１
３を含む。補償回路２０は、電源電圧変動検出回路２
１、基準電圧源２２及び電流調整回路２３とより構成さ
れる。電流調整回路２３の出力は定電流源１５の電流の
大きさを調整する。なお、ロジック回路１４は例えば、
モトローラ社製のＭＣ１００Ｅ４１６である。
【００１８】ここで、上記駆動トランジスタ１３及び上
記定電流源１５に電圧を供給する電源電圧電源電圧ＶＣ
Ｃが変動すると、駆動トランジスタからの第一のバイア
ス電流Ibt が変動する。補償回路２０は、発光素子１１
に印加されるバイアス電流Ibが一定になるように定電流
源１５からの第二のバイアス電流Ibc を電流調整回路２
３で調整する。
記定電流源１５に電圧を供給する電源電圧電源電圧ＶＣ
Ｃが変動すると、駆動トランジスタからの第一のバイア
ス電流Ibt が変動する。補償回路２０は、発光素子１１
に印加されるバイアス電流Ibが一定になるように定電流
源１５からの第二のバイアス電流Ibc を電流調整回路２
３で調整する。
【００１９】例えば、電源電圧ＶＣＣが高くなると、電
源電圧変動検出回路２１より検出される電圧は高くな
る。電流調整回路２３において、この電圧と基準電圧源
２２の電圧値から、Ibc を小さくするように電流の調整
を行う。電源変動によるIbc の変動分をΔIbc 、Ibt の
変動分をΔIbt とすると、補償されたバイアス電流Ibは 、 Ib =Ibc+ΔIbc+Ibt+ΔIbt で表され ΔIbc= -ΔIbt となるように設定することで、電源変動時にも一定のバ
イアス電流Ibを得ることが可能となる。
源電圧変動検出回路２１より検出される電圧は高くな
る。電流調整回路２３において、この電圧と基準電圧源
２２の電圧値から、Ibc を小さくするように電流の調整
を行う。電源変動によるIbc の変動分をΔIbc 、Ibt の
変動分をΔIbt とすると、補償されたバイアス電流Ibは 、 Ib =Ibc+ΔIbc+Ibt+ΔIbt で表され ΔIbc= -ΔIbt となるように設定することで、電源変動時にも一定のバ
イアス電流Ibを得ることが可能となる。
【００２０】なお、高速の動作が必要になる場合、図１
０に示すように、駆動トランジスタとして電界効果トラ
ンジスタを用いる。
０に示すように、駆動トランジスタとして電界効果トラ
ンジスタを用いる。
【００２１】
【実施例】図３〜図１３は、本発明の実施の形態を説明
する図である。図中、図１で示したものと同一のものは
同一の記号で示した。図３は、本発明の説明において基
本となる具体例を示す。発光素子駆動回路は、駆動トラ
ンジスタ１３、抵抗１２、定電流源１５及び補償回路２
０を備えており、発光素子１１を駆動する。定電流源１
５は、トランジスタＴＲ２〜ＴＲ４及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７
により構成されている。補償回路２０は、電源電圧変動
検出回路２１、基準電圧源２２、電流調整回路２３から
構成され、電源電圧変動検出回路２１は、抵抗Ｒ１及び
Ｒ２から構成され、電流調整回路２３は、トランジスタ
ＴＲ１及び抵抗Ｒ３並びにＲ４から構成されている。
する図である。図中、図１で示したものと同一のものは
同一の記号で示した。図３は、本発明の説明において基
本となる具体例を示す。発光素子駆動回路は、駆動トラ
ンジスタ１３、抵抗１２、定電流源１５及び補償回路２
０を備えており、発光素子１１を駆動する。定電流源１
５は、トランジスタＴＲ２〜ＴＲ４及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７
により構成されている。補償回路２０は、電源電圧変動
検出回路２１、基準電圧源２２、電流調整回路２３から
構成され、電源電圧変動検出回路２１は、抵抗Ｒ１及び
Ｒ２から構成され、電流調整回路２３は、トランジスタ
ＴＲ１及び抵抗Ｒ３並びにＲ４から構成されている。
【００２２】ここで、動作を説明する。信号入力端子１
６に信号が印加されると、その信号に応じて、駆動トラ
ンジスタ１３からパルス電流Ip及び第一のバイアス電流
Ibt出力され、該パルス電流Ipにより発光素子１１がオ
ン・オフされ、出力部より光出力が得られる。発光素子
１１の出力は、発光素子１１に印加されるバイアス電流
Ib（=Ibt+Ibc) に依存している。
６に信号が印加されると、その信号に応じて、駆動トラ
ンジスタ１３からパルス電流Ip及び第一のバイアス電流
Ibt出力され、該パルス電流Ipにより発光素子１１がオ
ン・オフされ、出力部より光出力が得られる。発光素子
１１の出力は、発光素子１１に印加されるバイアス電流
Ib（=Ibt+Ibc) に依存している。
【００２３】ところで、電源電圧ＶＣＣが変動し高くな
ると、駆動トランジスタ１３からの第一のバイアス電流
Ibt がΔIbt だけ増加する。一方、電源電圧変動検出回
路２１のトランジスタＴＲ１のベース電位Ｖbb1 が上が
り、トランジスタＴＲ１のコレクタ電流Ｉ1 が増大し、
トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2(= ＶZ-Ｒ３*
Ｉ1)が下がる。その結果、トランジスタＴＲ２のベース
電位が下がり、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
の電位が上昇し、定電流源の第二のバイアス電流Ibc が
ΔIbc だけ減少する。ΔIbc=ΔIbt となるように設定す
れば、電源電圧ＶＣＣの電位が上がっても一定のバイア
ス電流Ibを得ることが可能となり、発光素子１１から一
定の出力を得ることができる。
ると、駆動トランジスタ１３からの第一のバイアス電流
Ibt がΔIbt だけ増加する。一方、電源電圧変動検出回
路２１のトランジスタＴＲ１のベース電位Ｖbb1 が上が
り、トランジスタＴＲ１のコレクタ電流Ｉ1 が増大し、
トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2(= ＶZ-Ｒ３*
Ｉ1)が下がる。その結果、トランジスタＴＲ２のベース
電位が下がり、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
の電位が上昇し、定電流源の第二のバイアス電流Ibc が
ΔIbc だけ減少する。ΔIbc=ΔIbt となるように設定す
れば、電源電圧ＶＣＣの電位が上がっても一定のバイア
ス電流Ibを得ることが可能となり、発光素子１１から一
定の出力を得ることができる。
【００２４】また、電源電圧ＶＣＣが、変動し低くなっ
た場合は、駆動トランジスタ１３からの第一のバイアス
電流Ibt がΔIbt'だけ減少する。一方電源電圧変動検出
回路２１のトランジスタＴＲ１のベース電位Ｖbb1 が下
がり、トランジスタＴＲ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少
し、トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2 が上が
る。その結果、トランジスタＴＲ２のベース電位が上が
り、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が下
がり、定電流源の第二のバイアス電流Ibc がΔIbc'だけ
ー増加する。ΔIbc'= ΔIbt'となるように設定すれば、
電源電圧ＶＣＣの電圧が下がっても一定のバイアス電流
Ibを得ることが可能となり、発光素子１１から一定の出
力を得ることができる。
た場合は、駆動トランジスタ１３からの第一のバイアス
電流Ibt がΔIbt'だけ減少する。一方電源電圧変動検出
回路２１のトランジスタＴＲ１のベース電位Ｖbb1 が下
がり、トランジスタＴＲ１のコレクタ電流Ｉ1 が減少
し、トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2 が上が
る。その結果、トランジスタＴＲ２のベース電位が上が
り、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が下
がり、定電流源の第二のバイアス電流Ibc がΔIbc'だけ
ー増加する。ΔIbc'= ΔIbt'となるように設定すれば、
電源電圧ＶＣＣの電圧が下がっても一定のバイアス電流
Ibを得ることが可能となり、発光素子１１から一定の出
力を得ることができる。
【００２５】ところで、発光素子１１として、半導体レ
ーザを用いた場合、半導体レーザの発振しきいち電流に
応じて直流バイアス電流を印加する必要があるが、発光
素子の初期特性が個々の素子毎にばらつく場合、個々の
素子に対してバイアス電流を変化・調整して設定する必
要がある。そこで、図３の抵抗Ｒ５として、図４に示す
通り、可変抵抗Ｒ８を用いれば、発光素子１１の特性に
合わせて、バイアス電流Ibを供給することが可能とな
る。つまり、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
は、電源電圧ＶＣＣを、抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ８で分割した
値であるから、抵抗Ｒ８を変化させれば、分割比が変わ
り、その結果、トランジスタＴＲ４のベース電位が変化
し、トランジスタＴＲ４の第二のバイアス電流Ibc も変
化する。例えば、第二のバイアス電流Ibc を発光素子１
１に合わせて、減らしたい場合は、可変抵抗Ｒ８の抵抗
値を大きくなるように調整する。つまり、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 が上がるので、トランジスタ
ＴＲ4 のバイアス電流Ibc が減少する。このように、可
変抵抗Ｒ８を調整することにより、発光素子１１に適合
して第二のバイアス電流Ibc を供給することができる。
また、図３の抵抗Ｒ６又は抵抗Ｒ７に可変抵抗器を用い
ても発光素子１１の特性に合わせて、バイアス電流Ibを
供給することが可能となる。
ーザを用いた場合、半導体レーザの発振しきいち電流に
応じて直流バイアス電流を印加する必要があるが、発光
素子の初期特性が個々の素子毎にばらつく場合、個々の
素子に対してバイアス電流を変化・調整して設定する必
要がある。そこで、図３の抵抗Ｒ５として、図４に示す
通り、可変抵抗Ｒ８を用いれば、発光素子１１の特性に
合わせて、バイアス電流Ibを供給することが可能とな
る。つまり、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
は、電源電圧ＶＣＣを、抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ８で分割した
値であるから、抵抗Ｒ８を変化させれば、分割比が変わ
り、その結果、トランジスタＴＲ４のベース電位が変化
し、トランジスタＴＲ４の第二のバイアス電流Ibc も変
化する。例えば、第二のバイアス電流Ibc を発光素子１
１に合わせて、減らしたい場合は、可変抵抗Ｒ８の抵抗
値を大きくなるように調整する。つまり、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 が上がるので、トランジスタ
ＴＲ4 のバイアス電流Ibc が減少する。このように、可
変抵抗Ｒ８を調整することにより、発光素子１１に適合
して第二のバイアス電流Ibc を供給することができる。
また、図３の抵抗Ｒ６又は抵抗Ｒ７に可変抵抗器を用い
ても発光素子１１の特性に合わせて、バイアス電流Ibを
供給することが可能となる。
【００２６】発光素子１１の特性に合わせて、バイアス
電流Ibを供給するには、図７に示す回路を用いてもよ
い。つまり、基準電圧源として、図３のツェナダイオー
ド２２の代わりに、可変ツェナダイオード３１を用い
る。例えば、第二のバイアス電流Ibc を発光素子１１に
合わせて、減らしたい場合は、可変ツェナダイオード３
１のツェナ電圧ＶZ を小さくなるように調整する。つま
り、ツェナ電圧ＶZ が下がるとトランジスタＴＲ１のコ
レクタ電位Ｖbb2 の電位が下がり、トランジスタＴＲ4
のベース電位Ｖbb3 上がり、トランジスタＴＲ4 の第二
のバイアス電流Ibcが減少する。
電流Ibを供給するには、図７に示す回路を用いてもよ
い。つまり、基準電圧源として、図３のツェナダイオー
ド２２の代わりに、可変ツェナダイオード３１を用い
る。例えば、第二のバイアス電流Ibc を発光素子１１に
合わせて、減らしたい場合は、可変ツェナダイオード３
１のツェナ電圧ＶZ を小さくなるように調整する。つま
り、ツェナ電圧ＶZ が下がるとトランジスタＴＲ１のコ
レクタ電位Ｖbb2 の電位が下がり、トランジスタＴＲ4
のベース電位Ｖbb3 上がり、トランジスタＴＲ4 の第二
のバイアス電流Ibcが減少する。
【００２７】図５に示すものは、図３の抵抗Ｒ５の代わ
りにサーミスタＲ９を用いて、温度の上昇又は下降に対
して前記第二のバイアス電流Ibc を減少又は増加させる
ことにより、発光素子１１の温度変動による影響を少な
くした例である。発光素子として、温度によって、発光
素子のしきい値電流Ith あるいは微分量子効率ηの特性
が変化する素子を使用した場合、温度変動があると、バ
イアス電流Ibが一定であっても、光出力変動が生じるこ
とは、すでに述べた。一般に、温度が上昇すると、発光
素子１１の光出力は増加する。
りにサーミスタＲ９を用いて、温度の上昇又は下降に対
して前記第二のバイアス電流Ibc を減少又は増加させる
ことにより、発光素子１１の温度変動による影響を少な
くした例である。発光素子として、温度によって、発光
素子のしきい値電流Ith あるいは微分量子効率ηの特性
が変化する素子を使用した場合、温度変動があると、バ
イアス電流Ibが一定であっても、光出力変動が生じるこ
とは、すでに述べた。一般に、温度が上昇すると、発光
素子１１の光出力は増加する。
【００２８】図５の動作を説明する。サーミスタＲ９を
温度上昇に対して抵抗の増加する正の温度係数のものを
用いる。従って、温度が上昇すると、サーミスタＲ９の
抵抗が上がり、次いで、トランジスタＴＲ４のベース電
位Ｖbb3 が上がる。その結果、トランジスタＴＲ4 の第
二のバイアス電流Ibc が減少し、発光素子１１の出力を
弱めるように作用し、温度上昇による光出力の増加を抑
える。
温度上昇に対して抵抗の増加する正の温度係数のものを
用いる。従って、温度が上昇すると、サーミスタＲ９の
抵抗が上がり、次いで、トランジスタＴＲ４のベース電
位Ｖbb3 が上がる。その結果、トランジスタＴＲ4 の第
二のバイアス電流Ibc が減少し、発光素子１１の出力を
弱めるように作用し、温度上昇による光出力の増加を抑
える。
【００２９】また、図３の回路において、抵抗Ｒ６に負
の温度係数のサーミスタ用いても、あるいは、抵抗Ｒ７
に正の温度係数のサーミスタを用いても、同じ動作をす
ることは、容易に理解できる。更に、各サーミスタに直
列に、抵抗を挿入し、その抵抗の値を調整すれば、発光
素子１１の温度特性により合致したものとすることがで
きる。
の温度係数のサーミスタ用いても、あるいは、抵抗Ｒ７
に正の温度係数のサーミスタを用いても、同じ動作をす
ることは、容易に理解できる。更に、各サーミスタに直
列に、抵抗を挿入し、その抵抗の値を調整すれば、発光
素子１１の温度特性により合致したものとすることがで
きる。
【００３０】サーミスタの代わりに、外部温度に対応し
た電圧を出力する回路（電力出力型温度センサＩＣ）を
用いてもよい。その例を、図６に示す。電力出力型温度
センサＩＣ３１は、温度の上昇に対しその出力電位が上
昇するものとする。なお、電力出力型温度センサＩＣ
は、（外部に電源を有し、）内部に温度を感知する部分
を持ち、感知した温度に対応した電気信号を出力回路で
ある。市販の小型回路を用いる。
た電圧を出力する回路（電力出力型温度センサＩＣ）を
用いてもよい。その例を、図６に示す。電力出力型温度
センサＩＣ３１は、温度の上昇に対しその出力電位が上
昇するものとする。なお、電力出力型温度センサＩＣ
は、（外部に電源を有し、）内部に温度を感知する部分
を持ち、感知した温度に対応した電気信号を出力回路で
ある。市販の小型回路を用いる。
【００３１】温度が上昇すると、電力出力型温度センサ
ＩＣ３１の出力電位も上昇する。すると、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が上がり、その結果、
トランジスタＴＲ4 の第二のバイアス電流Ibc が下が
り、発光素子１１の出力を弱めるように作用し、温度上
昇による光出力の増加を抑える。また、図８に示すよう
に、補償回路の可変ツェナダイオードのツェナ電圧を設
定する回路にサーミスタを用いて構成することにより、
温度の上昇又は下降に対して前記第二のバイアス電流を
減少又は増加させ発光素子に温度依存性を持つものを使
用した場合でも、広温度範囲にわたり安定した光出力が
得られる。
ＩＣ３１の出力電位も上昇する。すると、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が上がり、その結果、
トランジスタＴＲ4 の第二のバイアス電流Ibc が下が
り、発光素子１１の出力を弱めるように作用し、温度上
昇による光出力の増加を抑える。また、図８に示すよう
に、補償回路の可変ツェナダイオードのツェナ電圧を設
定する回路にサーミスタを用いて構成することにより、
温度の上昇又は下降に対して前記第二のバイアス電流を
減少又は増加させ発光素子に温度依存性を持つものを使
用した場合でも、広温度範囲にわたり安定した光出力が
得られる。
【００３２】可変ツェナダイオード３１のツェナ電圧Ｖ
Z を設定する回路にサーミスタＲ１３を用いる。温度が
上昇すると、サーミスタＲ１３の抵抗値が変化し、ツェ
ナ電圧ＶZ を下げるように制御する。ツェナ電圧ＶZ が
下がると、トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2 が
下がり、次いでトランジスタＴＲ２のコレクタ電位が上
がり、さらに、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
の電位が上がる。その結果、トランジスタＴＲ4 の第二
のバイアス電流Ibc が下がり、発光素子１１の出力を弱
めるように作用し、温度上昇による光出力の増加を抑え
る。また、サーミスタに直列に、抵抗を挿入し、その抵
抗の値を調整すれば、発光素子１１の温度特性により合
致したものとすることができる。
Z を設定する回路にサーミスタＲ１３を用いる。温度が
上昇すると、サーミスタＲ１３の抵抗値が変化し、ツェ
ナ電圧ＶZ を下げるように制御する。ツェナ電圧ＶZ が
下がると、トランジスタＴＲ１のコレクタ電位Ｖbb2 が
下がり、次いでトランジスタＴＲ２のコレクタ電位が上
がり、さらに、トランジスタＴＲ４のベース電位Ｖbb3
の電位が上がる。その結果、トランジスタＴＲ4 の第二
のバイアス電流Ibc が下がり、発光素子１１の出力を弱
めるように作用し、温度上昇による光出力の増加を抑え
る。また、サーミスタに直列に、抵抗を挿入し、その抵
抗の値を調整すれば、発光素子１１の温度特性により合
致したものとすることができる。
【００３３】更に、図９に示すように、図３の補償回路
の定電流源１５の基準電圧源として、温度に対応した電
圧を出力する回路（電力出力型温度センサＩＣ３２）を
用いて構成することにより、温度の上昇又は下降に対し
て前記第二のバイアス電流を減少又は増加させ発光素子
に温度依存性を持つものを使用した場合でも、広温度範
囲にわたり安定した光出力が得られる。電力出力型温度
センサＩＣ３２が、温度の上昇に対して、その出力電位
を下げるものを使用する。動作は、図８と略同様であ
る。
の定電流源１５の基準電圧源として、温度に対応した電
圧を出力する回路（電力出力型温度センサＩＣ３２）を
用いて構成することにより、温度の上昇又は下降に対し
て前記第二のバイアス電流を減少又は増加させ発光素子
に温度依存性を持つものを使用した場合でも、広温度範
囲にわたり安定した光出力が得られる。電力出力型温度
センサＩＣ３２が、温度の上昇に対して、その出力電位
を下げるものを使用する。動作は、図８と略同様であ
る。
【００３４】つまり、温度が上昇し、電力出力型温度セ
ンサＩＣ３２の出力電位が下がると、トランジスタＴＲ
１のコレクタ電位Ｖbb2 が下がり、次いでトランジスタ
ＴＲ２のコレクタ電位が上がり、さらに、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が上がる。その結果、
トランジスタＴＲ4 の第二のバイアス電流Ibc が下が
り、発光素子１１の出力を弱めるように作用し、温度上
昇による光出力の増加を抑える。
ンサＩＣ３２の出力電位が下がると、トランジスタＴＲ
１のコレクタ電位Ｖbb2 が下がり、次いでトランジスタ
ＴＲ２のコレクタ電位が上がり、さらに、トランジスタ
ＴＲ４のベース電位Ｖbb3 の電位が上がる。その結果、
トランジスタＴＲ4 の第二のバイアス電流Ibc が下が
り、発光素子１１の出力を弱めるように作用し、温度上
昇による光出力の増加を抑える。
【００３５】図１１は、本発明の発光素子駆動回路を用
いた発光装置である。発光装置は、前記した、発光素子
駆動回路の他、信号入力端子１６、信号出力部３５及び
ケース３３を有する。信号出力部３５からの光信号は通
常、光ファイバ３４に入力される。
いた発光装置である。発光装置は、前記した、発光素子
駆動回路の他、信号入力端子１６、信号出力部３５及び
ケース３３を有する。信号出力部３５からの光信号は通
常、光ファイバ３４に入力される。
【００３６】
【発明の効果】本回路は、ロジック回路から直接発光素
子が駆動できるために、極めて簡単な回路により構成さ
れることから、低コスト化が実現でき、加入者系・装置
内光接続等の分野に適用可能となる。また、電源変動時
にも安定した出力が得られ、更に、発光素子に温度によ
り特性が変化するものを使用した場合でも温度によらず
一定の光出力が得られるため、外部条件の変動によらず
安定動作が可能な発光素子駆動回路及び装置が実現で
き、より広範囲な分野への適用が可能となる。
子が駆動できるために、極めて簡単な回路により構成さ
れることから、低コスト化が実現でき、加入者系・装置
内光接続等の分野に適用可能となる。また、電源変動時
にも安定した出力が得られ、更に、発光素子に温度によ
り特性が変化するものを使用した場合でも温度によらず
一定の光出力が得られるため、外部条件の変動によらず
安定動作が可能な発光素子駆動回路及び装置が実現で
き、より広範囲な分野への適用が可能となる。
【００３７】具体的には、請求項１記載の発明は、電源
電圧の変動により生じる第一のバイアス電流Ibt の変動
分を補償回路によって補償することで、電源電圧の変動
にも拘らず、ほぼ一定のバイアス電流を発光素子に供給
し、安定した光出力が得られることができる。請求項２
又は３又は８に記載の発明は、電源電圧の変動に対する
補償と共に発光素子のバラツキにも対処することができ
る。
電圧の変動により生じる第一のバイアス電流Ibt の変動
分を補償回路によって補償することで、電源電圧の変動
にも拘らず、ほぼ一定のバイアス電流を発光素子に供給
し、安定した光出力が得られることができる。請求項２
又は３又は８に記載の発明は、電源電圧の変動に対する
補償と共に発光素子のバラツキにも対処することができ
る。
【００３８】請求項４〜６、９、１０又は１１に記載の
発明は、これにより、電源電圧の変動に対する補償、発
光素子のバラツキに対する対処の他に、発光素子の温度
変動による出力変動を補償することができる。請求項１
２に記載の発明は、、発光素子駆動回路が超高速な動作
に対応することができる。
発明は、これにより、電源電圧の変動に対する補償、発
光素子のバラツキに対する対処の他に、発光素子の温度
変動による出力変動を補償することができる。請求項１
２に記載の発明は、、発光素子駆動回路が超高速な動作
に対応することができる。
【００３９】請求項１３記載の発明は、請求項１ないし
１２に記載の発光素子駆動回路を具備する発光装置が得
られる。
１２に記載の発光素子駆動回路を具備する発光装置が得
られる。
【図１】本出願人が、既に提案した発光素子駆動回路を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】本発明の説明における、基本的となる具体例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】定電流源に可変抵抗を用いた例を説明するため
の図である。
の図である。
【図５】定電流源にサーミスタを用いた例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図６】定電流源に電力出力型温度センサＩＣを用いた
例を説明するための図である。
例を説明するための図である。
【図７】補償回路に可変ツェナダイオードを用いた例を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図８】補償回路に可変ツェナダイオード及びサーミス
タを用いた例を説明するための図である。
タを用いた例を説明するための図である。
【図９】補償回路に電力出力型温度センサＩＣを用いた
例を説明するための図である。
例を説明するための図である。
【図１０】駆動トランジスタとして、電界効果トランジ
スタを用いた例を説明するための図である。
スタを用いた例を説明するための図である。
【図１１】本発明の発光素子駆動回路を組み込んだ発光
装置を説明するための図である。
装置を説明するための図である。
１１ 発光素子 １２ 抵抗 １３ 駆動トランジスタ １４ ロジック回路 １５ 定電流源 １６ 信号入力端子 ２０ 補償回路 ２１ 電源電圧変動検出回路 ２２ 基準電圧源 ２３ 電流調整回路 ３５ 出力部
Claims (13)
- 【請求項１】 発光素子のアノード側に接続され、入力
電圧を電流変換し、該発光素子にパルス電流及び第一の
バイアス電流を供給するための駆動トランジスタと、該
発光素子のアノード側に接続され第二のバイアス電流を
供給するための定電流源とを備えた発光素子駆動回路に
おいて、 上記駆動トランジスタ及び上記定電流源に電圧を供給す
る電源電圧に変動が生じた場合に、該電源電圧の変動に
よる上記第一のバイアス電流の変動分に対応して、上記
定電流源の上記第二のバイアス電流を変化させ、該発光
素子へのバイアス電流を一定とするよう補償する補償回
路を備えたことを特徴とする発光素子駆動回路。 - 【請求項２】 前記定電流源は、前記第二のバイアス電
流の大きさを調整するための回路要素を有することを特
徴とする請求項１記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項３】 前記定電流源は、前記第二のバイアス電
流の大きさを調整する可変抵抗器を用いて構成すること
を特徴とする請求項１又は２記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項４】 前記定電流源は、温度の上昇又は下降に
対して上記第二のバイアス電流を減少又は増加させる特
性を有することを特徴とする請求項１ないし３いずれか
一項記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項５】 前記定電流源は、サーミスタを用いて構
成し、温度の上昇又は下降に対して前記第二のバイアス
電流を減少又は増加させることを特徴とする請求項４記
載の発光素子駆動回路。 - 【請求項６】 前記定電流源は、温度に対応した電圧を
出力する回路を用いて構成し、温度の上昇又は下降に対
して前記第二のバイアス電流を減少又は増加させること
を特徴とする請求項４記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項７】 前記補償回路は、電源電圧変動検出回
路、基準電圧源及び電流調整回路を有し、該基準電圧源
としてツェナダイオードを用いて構成することを特徴と
する請求項１ないし６いずれか一項記載の発光素子駆動
回路。 - 【請求項８】 前記補償回路は、電源電圧変動検出回
路、基準電圧源及び電流調整回路を有し、該基準電圧源
として、ツェナ電圧が変化する可変ツェナダイオードを
用いて構成することを特徴とする請求項１ないし６いず
れか一項記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項９】 前記補償回路は、温度の上昇又は下降に
対して第二のバイアス電流からの供給電流を減少又は増
加させることを特徴とする請求項１ないし８いずれか一
項記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項１０】 前記補償回路は、可変ツェナダイオー
ドのツェナ電圧を設定する回路にサーミスタを用いて構
成することにより、温度の上昇又は下降に対して前記第
二のバイアス電流を減少又は増加させる特性を有するこ
とを特徴とする請求項９記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項１１】 前記補償回路は、前記基準電圧源とし
て、温度に対応した電圧を出力する回路を用いて構成す
ることにより、温度の上昇又は下降に対して前記第二の
バイアス電流を減少又は増加させる特性を有することを
特徴とする請求項９記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項１２】 前記駆動トランジスタは、電界効果ト
ランジスタであることを特徴とする請求項１ないし１１
いずれか一項記載の発光素子駆動回路。 - 【請求項１３】 発光素子と、入力信号を受ける信号入
力端子と、前記発光素子を駆動する発光素子駆動回路
と、前記発光素子が発光した光を外部に出力するための
出力部とを有し、前記発光素子駆動回路は請求項１ない
し１２のいずれか一項記載のものであることを特徴とす
る発光装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP9281929A JPH11121851A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置 |
| US09/035,859 US6078150A (en) | 1997-10-15 | 1998-03-06 | Light-emitting element driving circuit and device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9281929A JPH11121851A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121851A true JPH11121851A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17645916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9281929A Withdrawn JPH11121851A (ja) | 1997-10-15 | 1997-10-15 | 発光素子駆動回路及びこれを有する発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078150A (ja) |
| JP (1) | JPH11121851A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1997
- 1997-10-15 JP JP9281929A patent/JPH11121851A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-03-06 US US09/035,859 patent/US6078150A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6439026B2 (en) * | 2000-07-03 | 2002-08-27 | Shimadzu Corporation | Odor measuring apparatus |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6078150A (en) | 2000-06-20 |
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