JPH1112094A - 希土− バリウム− キュプレート系超伝導体の製造方法 - Google Patents
希土− バリウム− キュプレート系超伝導体の製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属基体上で超伝導性材料を溶融組織化する
ことによって希土- バリウム- キュプレート超伝導体を
製造する方法を提供すること。 【解決手段】 高い融点を有する希土- バリウム- キュ
プレートの種結晶と、これより低い融点を有する希土-
バリウム- キュプレート粉末との混合物を金属基体に支
持させ;この基体上に支持された材料を、上記高融点希
土- バリウム- キュプレート種結晶及び金属基体の融点
よりも低く、かつ上記低融点粉末の融点よりも高い温度
での熱処理に付し; そしてこの熱処理された、支持され
た材料を、これの溶融温度より低い温度に冷却し;金属
テープ、金属ワイヤー上の厚手のフィルムの形、あるい
はチューブ中の粉末としての希土- バリウム- キュプレ
ート超伝導体を得る。
ことによって希土- バリウム- キュプレート超伝導体を
製造する方法を提供すること。 【解決手段】 高い融点を有する希土- バリウム- キュ
プレートの種結晶と、これより低い融点を有する希土-
バリウム- キュプレート粉末との混合物を金属基体に支
持させ;この基体上に支持された材料を、上記高融点希
土- バリウム- キュプレート種結晶及び金属基体の融点
よりも低く、かつ上記低融点粉末の融点よりも高い温度
での熱処理に付し; そしてこの熱処理された、支持され
た材料を、これの溶融温度より低い温度に冷却し;金属
テープ、金属ワイヤー上の厚手のフィルムの形、あるい
はチューブ中の粉末としての希土- バリウム- キュプレ
ート超伝導体を得る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、金属基体上で超伝
導性材料を溶融組織化(melt texturing)することによっ
て希土- バリウム- キュプレート(cuprate) 系超伝導体
を製造する方法に関する。
導性材料を溶融組織化(melt texturing)することによっ
て希土- バリウム- キュプレート(cuprate) 系超伝導体
を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】銀基体
上でのイットリウム希土- バリウム- キュプレート系超
伝導性材料の空気中での溶融組織化は、空気中での銀の
融点を超える、この材料の空気中での高い融点が原因で
既に比較的早い時期に阻止されている。
上でのイットリウム希土- バリウム- キュプレート系超
伝導性材料の空気中での溶融組織化は、空気中での銀の
融点を超える、この材料の空気中での高い融点が原因で
既に比較的早い時期に阻止されている。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、希土-
バリウム- キュプレート系超伝導体 (RE123, RE = Y,L
a, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)並びに非
超伝導性Pr123 相の融点（包晶分解温度）及び銀の融点
が酸素分圧(p(O2)) に依存して変化することに基づく。
慣用の設計のRE123 であるRE1+y Ba2-y Cu3O7-x (O≦ｙ
≦0.9, 0≦ｘ≦1)の融点はp(O2) の低下とともに低くな
ることが従来示されている。更に、銀の融点がp(O2) の
低下とともに高くなることもよく知られている。それゆ
え、低いp(O2) において銀の融点以下の温度で幾つかの
RE123 相を溶融することが可能である。
バリウム- キュプレート系超伝導体 (RE123, RE = Y,L
a, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)並びに非
超伝導性Pr123 相の融点（包晶分解温度）及び銀の融点
が酸素分圧(p(O2)) に依存して変化することに基づく。
慣用の設計のRE123 であるRE1+y Ba2-y Cu3O7-x (O≦ｙ
≦0.9, 0≦ｘ≦1)の融点はp(O2) の低下とともに低くな
ることが従来示されている。更に、銀の融点がp(O2) の
低下とともに高くなることもよく知られている。それゆ
え、低いp(O2) において銀の融点以下の温度で幾つかの
RE123 相を溶融することが可能である。
【０００４】本発明によると、RE123 材料の高度に組織
化された微細構造が、高い溶融温度を有する配列した(a
ligned) 高融点RE123 (RE= Nd, La, Sm, Eu, Gd, Tb, D
y, Ho)プレートレット (platelet) と、低い溶融温度を
有するRE123 粉末 (RE=Y, Er, Tm, Yb, Lu) との混合物
を調製する第一段階を含む一連の段階によって得られ
る。次いで第二段階において、低融点RE123 の融点より
高い温度と銀の融点より低い温度との間の温度にまで加
熱し、そして第三段階において、冷却しながら上記プレ
ートレット上で低融点RE123 相の核形成及びエピタクシ
ー成長を行う。低p(O2) 雰囲気中での本発明による熱処
理を用いると、高度に配列したRE123 材料を有するRE12
3/銀- ワイヤ及びテープが、慣用の“パウダー・イン・
チューブ (powder in tube) ”及び“厚膜 (thick fil
m) ”技術を用いて製造される。
化された微細構造が、高い溶融温度を有する配列した(a
ligned) 高融点RE123 (RE= Nd, La, Sm, Eu, Gd, Tb, D
y, Ho)プレートレット (platelet) と、低い溶融温度を
有するRE123 粉末 (RE=Y, Er, Tm, Yb, Lu) との混合物
を調製する第一段階を含む一連の段階によって得られ
る。次いで第二段階において、低融点RE123 の融点より
高い温度と銀の融点より低い温度との間の温度にまで加
熱し、そして第三段階において、冷却しながら上記プレ
ートレット上で低融点RE123 相の核形成及びエピタクシ
ー成長を行う。低p(O2) 雰囲気中での本発明による熱処
理を用いると、高度に配列したRE123 材料を有するRE12
3/銀- ワイヤ及びテープが、慣用の“パウダー・イン・
チューブ (powder in tube) ”及び“厚膜 (thick fil
m) ”技術を用いて製造される。
【０００５】テープは、当業界で公知の不活性バッファ
ー層、例えば銀、ジルコニウム酸バリウム、酸化マグネ
シウム及びRE2BaCuO5 でコーティングしたニッケルテー
プ等の他の金属基体を用いても製造できる。
ー層、例えば銀、ジルコニウム酸バリウム、酸化マグネ
シウム及びRE2BaCuO5 でコーティングしたニッケルテー
プ等の他の金属基体を用いても製造できる。
【０００６】
【実施例】Y123粉末をNd123 プレートレットと乾式混合
し（両相とも、各々の相中に低い化学結合酸素含量を有
する、例えばREBa2Cu3O6+Y (Y =0〜0.5)) 、そして銀製
のチューブ中にいれる。このチューブを排気及び封止し
た後、これを数回、延伸及び/ または圧延し、そして最
後にプレスして薄いテープを得る。このテープを、p
(O2)=10-5〜10-2bar において 870〜970 ℃に加熱し、
次いで 0.1〜10 K/hでY123の融点より低い温度に冷却す
る。最後にこのテープを、純粋な酸素中、400 〜800 ℃
の温度でアニーリングする。
し（両相とも、各々の相中に低い化学結合酸素含量を有
する、例えばREBa2Cu3O6+Y (Y =0〜0.5)) 、そして銀製
のチューブ中にいれる。このチューブを排気及び封止し
た後、これを数回、延伸及び/ または圧延し、そして最
後にプレスして薄いテープを得る。このテープを、p
(O2)=10-5〜10-2bar において 870〜970 ℃に加熱し、
次いで 0.1〜10 K/hでY123の融点より低い温度に冷却す
る。最後にこのテープを、純粋な酸素中、400 〜800 ℃
の温度でアニーリングする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５Ｄ 13/00 ５６５ Ｈ０１Ｌ 39/24 Ｂ Ｈ０１Ｌ 39/24 Ｃ０４Ｂ 35/00 ＺＡＡＺ
Claims (4)
- 【請求項１】 金属テープ、金属ワイヤー上の厚手のフ
ィルム、あるいはチューブ中の粉末としての希土- バリ
ウム- キュプレート系超伝導体の製造方法であって、高
い融点を有する希土- バリウム- キュプレートの種結晶
と、これより低い融点を有する希土- バリウム- キュプ
レート粉末との混合物を金属基体に支持させ;この基体
上に支持された材料を、上記高融点希土- バリウム- キ
ュプレート種結晶及び金属基体の融点よりも低く、かつ
上記低融点粉末の融点よりも高い温度での熱処理に付
し; そしてこの熱処理された、支持された材料を、これ
の溶融温度より低い温度に冷却することを特徴とする上
記方法。 - 【請求項２】 希土- バリウム- キュプレート材料が、
Y 、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Pr
及びこれらの混合体の酸化物からなる請求項１の方法。 - 【請求項３】 金属基体が銀である請求項１の方法。
- 【請求項４】 金属基体が、不活性バッファー層が付与
されたニッケル及び/ またはステンレススチールである
請求項１の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US4233297P | 1997-03-21 | 1997-03-21 | |
| US60/042332 | 1997-03-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112094A true JPH1112094A (ja) | 1999-01-19 |
Family
ID=21921296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10070624A Withdrawn JPH1112094A (ja) | 1997-03-21 | 1998-03-19 | 希土− バリウム− キュプレート系超伝導体の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6243598B1 (ja) |
| EP (1) | EP0866508B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1112094A (ja) |
| CN (1) | CN1202705A (ja) |
| AT (1) | ATE242917T1 (ja) |
| DE (1) | DE69815422T2 (ja) |
| DK (1) | DK0866508T3 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE10128320C1 (de) * | 2001-06-12 | 2002-07-25 | Trithor Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Hochtemperatur-Supraleitern |
| DE10249550A1 (de) | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Nexans Superconductors Gmbh | Supraleitender Kabelleiter mit SEBCO-beschichteten Leiterelementen |
| US7286032B2 (en) | 2003-07-10 | 2007-10-23 | Superpower, Inc. | Rare-earth-Ba-Cu-O superconductors and methods of making same |
| US20100210468A1 (en) * | 2008-08-04 | 2010-08-19 | Haigun Lee | Method for joining second-generation high-temperature superconducting wires by melting diffusion |
| CN116535248A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-08-04 | 广东天弼陶瓷有限公司 | 一种具有金属光泽且立体感强的抛釉洞石砖及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0282286B2 (en) | 1987-03-13 | 2013-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Superconducting wire and method of manufacturing the same |
| JP2707499B2 (ja) | 1987-11-26 | 1998-01-28 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導体の製造方法 |
| US4990493A (en) * | 1988-09-06 | 1991-02-05 | General Electric Company | Process of making an oriented polycrystal superconductor |
| JP2871258B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-03-17 | 日本碍子株式会社 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| DE69314077T2 (de) * | 1992-03-27 | 1998-03-26 | Int Superconductivity Tech | Herstellung von Oxid-Supraleitern mit grosser magnetischer Schwebekraft |
| US5340797A (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-23 | Illinois Superconductor Corporation | Superconducting 123YBaCu-oxide produced at low temperatures |
| JPH06321695A (ja) * | 1993-05-10 | 1994-11-22 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | Ｙ１２３型結晶構造を有する酸化物結晶膜及び膜積層体 |
| US5434129A (en) | 1993-09-23 | 1995-07-18 | Advanced Superconductors, Inc. | Method for manufacturing high tc superconductor coils |
| US5591698A (en) * | 1994-12-29 | 1997-01-07 | University Of Hawaii | Low temperature (T lower than 950° C.) preparation of melt texture YBCO superconductors |
| WO1996021934A1 (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-18 | The University Of Chicago | Large single domain 123 material produced by seeding with single crystal rare earth barium copper oxide single crystals |
| US5872081A (en) * | 1995-04-07 | 1999-02-16 | General Atomics | Compositions for melt processing high temperature superconductor |
| US5866515A (en) * | 1995-07-19 | 1999-02-02 | Basf Corporation | Superconductor composite |
| EP0756336A1 (en) | 1995-07-28 | 1997-01-29 | American Superconductor Corporation | Cryogenic deformation of high temperature superconductive composite structures |
| US5856277A (en) * | 1996-06-03 | 1999-01-05 | Illinois Superconductor Corporation | Surface texturing of superconductors by controlled oxygen pressure |
-
1998
- 1998-03-06 DK DK98103987T patent/DK0866508T3/da active
- 1998-03-06 AT AT98103987T patent/ATE242917T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-03-06 DE DE69815422T patent/DE69815422T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-06 EP EP98103987A patent/EP0866508B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-12 US US09/038,989 patent/US6243598B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-19 JP JP10070624A patent/JPH1112094A/ja not_active Withdrawn
- 1998-03-20 CN CN98115117.5A patent/CN1202705A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1202705A (zh) | 1998-12-23 |
| DE69815422T2 (de) | 2003-12-24 |
| EP0866508A1 (en) | 1998-09-23 |
| US6243598B1 (en) | 2001-06-05 |
| DK0866508T3 (da) | 2003-10-06 |
| ATE242917T1 (de) | 2003-06-15 |
| DE69815422D1 (de) | 2003-07-17 |
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