JPH11119254A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦縞模様が観察されることがなく表示品位の
向上を図れるようにする。 【解決手段】 ＴＦＴ２６の位置を、ゲートバスライン
２０に対して従来とは反対側、つまりソースバスライン
３０の屈曲部がある方に設定している。また、絵素電極
６０とゲートバスライン２０との重なり部分は、従来と
は反対側、つまり一つ前の走査信号を送るゲートバスラ
イン２０に対して設けられている。そのため、ゲートバ
スライン２０と重なっている絵素電極６０部分が、ソー
スバスライン３０の屈曲により変形させられることがな
く、絵素形状は矩形に近くなる。
向上を図れるようにする。 【解決手段】 ＴＦＴ２６の位置を、ゲートバスライン
２０に対して従来とは反対側、つまりソースバスライン
３０の屈曲部がある方に設定している。また、絵素電極
６０とゲートバスライン２０との重なり部分は、従来と
は反対側、つまり一つ前の走査信号を送るゲートバスラ
イン２０に対して設けられている。そのため、ゲートバ
スライン２０と重なっている絵素電極６０部分が、ソー
スバスライン３０の屈曲により変形させられることがな
く、絵素形状は矩形に近くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
ター、携帯情報端末、電卓および電子手帳等の表示装置
として広く利用されている、反射型液晶表示装置に関す
る。
ター、携帯情報端末、電卓および電子手帳等の表示装置
として広く利用されている、反射型液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上記反射型の液晶表示装置は、消費電力
が低いことを活用して、携帯型の各種機器に幅広く用い
られている。さらに、近年においては、情報の高度化に
伴って、携帯型の機器においてもカラー表示を要求する
声が高まり、反射型カラー液晶表示装置の開発が活性化
している。
が低いことを活用して、携帯型の各種機器に幅広く用い
られている。さらに、近年においては、情報の高度化に
伴って、携帯型の機器においてもカラー表示を要求する
声が高まり、反射型カラー液晶表示装置の開発が活性化
している。
【０００３】図１４は、従来のアクティブマトリクス型
の反射型液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図であ
り、図１５はその詳細図（平面図）、図１６はアクティ
ブ素子として用いている、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリ
コン）・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の構造を示す断面
図である。
の反射型液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図であ
り、図１５はその詳細図（平面図）、図１６はアクティ
ブ素子として用いている、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリ
コン）・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の構造を示す断面
図である。
【０００４】この反射型液晶表示装置の構成を、作製順
序に基づいて説明する。
序に基づいて説明する。
【０００５】まず、ガラス基板１０上にゲート金属をス
パッタリング法にて形成し、これをフォトリソグラフィ
とエッチングによりパターン化して、ゲートバスライン
（走査線）２０及びＴＦＴ２６のゲート電極２１を形成
する。
パッタリング法にて形成し、これをフォトリソグラフィ
とエッチングによりパターン化して、ゲートバスライン
（走査線）２０及びＴＦＴ２６のゲート電極２１を形成
する。
【０００６】続いて、ゲート絶縁膜４０、半導体層４１
およびコンタクト層４２を連続成膜し、半導体層４１と
コンタクト層４２をアイランド上にパターン化する。
およびコンタクト層４２を連続成膜し、半導体層４１と
コンタクト層４２をアイランド上にパターン化する。
【０００７】次に、ソースバスライン（信号線）３０と
なる金属をスパッタリングにて薄膜形成し、これをパタ
ーン化して、ソースバスライン３０、ＴＦＴ２６のソー
ス電極３１とドレイン電極３２を形成する。続いて、Ｔ
ＦＴ２６のチャネル部上のコンタクト層４２を除去す
る。
なる金属をスパッタリングにて薄膜形成し、これをパタ
ーン化して、ソースバスライン３０、ＴＦＴ２６のソー
ス電極３１とドレイン電極３２を形成する。続いて、Ｔ
ＦＴ２６のチャネル部上のコンタクト層４２を除去す
る。
【０００８】次に、この上に層間絶縁膜５０を塗布し、
上面を平坦化するとともに、ドレイン電極３２にコンタ
クトホール３３を設ける。
上面を平坦化するとともに、ドレイン電極３２にコンタ
クトホール３３を設ける。
【０００９】最後に、反射用の絵素電極６０を薄膜形成
し、パターン化する。絵素電極６０とドレイン電極３２
とは、コンタクトホール３３を介して導通する。
し、パターン化する。絵素電極６０とドレイン電極３２
とは、コンタクトホール３３を介して導通する。
【００１０】以上のようにして、アクティブマトリクス
基板が作製される。そして、そのアクティブマトリクス
基板と、基板のほぼ全面に対向電極が形成されている対
向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して反射
型液晶表示装置が完成する。
基板が作製される。そして、そのアクティブマトリクス
基板と、基板のほぼ全面に対向電極が形成されている対
向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して反射
型液晶表示装置が完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この図示例では、デル
タ配列と呼ばれる絵素配列が採用されている。この絵素
配列の場合は、一般にビデオや静止画などの画像表示を
行う場合に利点があるからである。そして、この図示例
のように、絵素電極６０を隣接するゲートバスライン２
０と重なるように形成した場合は、両者の重なっている
部分で蓄積容量（Ｃｓ）を形成でき、また、絵素電極６
０の面積を広くすることが可能となって反射光の光量を
上げるのに役立たせることができる。
タ配列と呼ばれる絵素配列が採用されている。この絵素
配列の場合は、一般にビデオや静止画などの画像表示を
行う場合に利点があるからである。そして、この図示例
のように、絵素電極６０を隣接するゲートバスライン２
０と重なるように形成した場合は、両者の重なっている
部分で蓄積容量（Ｃｓ）を形成でき、また、絵素電極６
０の面積を広くすることが可能となって反射光の光量を
上げるのに役立たせることができる。
【００１２】ところが、前記Ｃｓ部分も絵素として視認
されるため、絵素の形状が、Ｃｓ部分が無い場合の絵素
形状である図１７に示すほぼ方形の部分６０ａから、図
１８に示すように、Ｃｓ部分に相当する絵素部分６０ｂ
が大きくはみ出る形となる。そうすると、図１８に示す
縦線（一点鎖線）で規定されるＱ、Ｐ、Ｏの範囲におい
て、例えば赤色（Ｒ）を例に挙げて領域内にＲの占める
その面積比率を比較すると、以下に説明するように、Ｑ
＞Ｐ＞Ｏとなる。但し、図１８は３列分のみ示すため、
図中の３つの領域Ｑのうち中央のものは赤色（Ｒ）は１
つとなっているが、４列分を考慮することにより、３つ
の領域Ｑの各々は同一面積比率である。また、他の色
（ＧやＢ）でも、その面積比率は同様になる。なお、Ｔ
ＦＴ２６は、図１４や図１５に示すようにソースバスラ
イン３０の左右に振り分けて配置し、同じソースバスラ
イン３０に同じ色の絵素を配置している。
されるため、絵素の形状が、Ｃｓ部分が無い場合の絵素
形状である図１７に示すほぼ方形の部分６０ａから、図
１８に示すように、Ｃｓ部分に相当する絵素部分６０ｂ
が大きくはみ出る形となる。そうすると、図１８に示す
縦線（一点鎖線）で規定されるＱ、Ｐ、Ｏの範囲におい
て、例えば赤色（Ｒ）を例に挙げて領域内にＲの占める
その面積比率を比較すると、以下に説明するように、Ｑ
＞Ｐ＞Ｏとなる。但し、図１８は３列分のみ示すため、
図中の３つの領域Ｑのうち中央のものは赤色（Ｒ）は１
つとなっているが、４列分を考慮することにより、３つ
の領域Ｑの各々は同一面積比率である。また、他の色
（ＧやＢ）でも、その面積比率は同様になる。なお、Ｔ
ＦＴ２６は、図１４や図１５に示すようにソースバスラ
イン３０の左右に振り分けて配置し、同じソースバスラ
イン３０に同じ色の絵素を配置している。
【００１３】図１９（ａ）は、その面積比率を単純化し
て示した図である。この図より理解されるように、領域
Ｑでは赤の存在面積は大きいが、領域Ｐだとゲートバス
ライン２０と重なっている尾の部分が存在するだけであ
り赤の存在面積は小さくなり、領域Ｏでは飛び出してい
る尾部も無く赤色は存在しない。
て示した図である。この図より理解されるように、領域
Ｑでは赤の存在面積は大きいが、領域Ｐだとゲートバス
ライン２０と重なっている尾の部分が存在するだけであ
り赤の存在面積は小さくなり、領域Ｏでは飛び出してい
る尾部も無く赤色は存在しない。
【００１４】したがって、この場合、つまり従来の反射
型液晶表示装置の場合には、色の濃淡のピッチは絵素ピ
ッチの３倍になる。このため、１絵素のピッチが数十μ
ｍ以上の場合には、この色毎の面積密度の違いは縦筋と
して視認され、縦縞模様が絵素ピッチの３倍にあたる
０．５ｍｍ程度のピッチで観察される結果となり、表示
品位が損なわれる。具体的には、対角３インチの画像表
示用で数万絵素を持つ画面で、図１４や図１５に示す絵
素配列を採用すれば、問題となる縦縞が見えることにな
る。
型液晶表示装置の場合には、色の濃淡のピッチは絵素ピ
ッチの３倍になる。このため、１絵素のピッチが数十μ
ｍ以上の場合には、この色毎の面積密度の違いは縦筋と
して視認され、縦縞模様が絵素ピッチの３倍にあたる
０．５ｍｍ程度のピッチで観察される結果となり、表示
品位が損なわれる。具体的には、対角３インチの画像表
示用で数万絵素を持つ画面で、図１４や図１５に示す絵
素配列を採用すれば、問題となる縦縞が見えることにな
る。
【００１５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、縦縞模様が観察されるこ
とがなく表示品位の向上を図れる反射型液晶表示装置を
提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、縦縞模様が観察されるこ
とがなく表示品位の向上を図れる反射型液晶表示装置を
提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型液晶表示
装置は、液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に、デルタ配列で反射機能を有する絵素電極が設けられ
ていると共に、各絵素電極の周縁部近傍を通って走査線
と屈曲した信号線とが交差するように形成され、該走査
線および該信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トラン
ジスタにて該絵素電極の電位が制御される反射型液晶表
示装置であって、該走査線の奇数番目および偶数番目の
少なくとも一方に電気的に接続した該薄膜トランジスタ
が、隣合う信号線間の距離が該信号線の屈曲にて狭くな
っている位置に配置され、そのことにより上記目的が達
成される。
装置は、液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に、デルタ配列で反射機能を有する絵素電極が設けられ
ていると共に、各絵素電極の周縁部近傍を通って走査線
と屈曲した信号線とが交差するように形成され、該走査
線および該信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トラン
ジスタにて該絵素電極の電位が制御される反射型液晶表
示装置であって、該走査線の奇数番目および偶数番目の
少なくとも一方に電気的に接続した該薄膜トランジスタ
が、隣合う信号線間の距離が該信号線の屈曲にて狭くな
っている位置に配置され、そのことにより上記目的が達
成される。
【００１７】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記薄膜トランジスタが、前記信号線の片方側のみに配置
されている構成とすることができる。
記薄膜トランジスタが、前記信号線の片方側のみに配置
されている構成とすることができる。
【００１８】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記絵素電極が、前記薄膜トランジスタ、前記信号線およ
び前記走査線を覆う層間絶縁膜に設けたコンタクトホー
ルを介して該薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的
に接続され、更に、該絵素電極が、間に該層間絶縁膜を
介した状態で該走査線および該信号線の少なくとも一方
と重畳して形成されている構成とすることができる。
記絵素電極が、前記薄膜トランジスタ、前記信号線およ
び前記走査線を覆う層間絶縁膜に設けたコンタクトホー
ルを介して該薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的
に接続され、更に、該絵素電極が、間に該層間絶縁膜を
介した状態で該走査線および該信号線の少なくとも一方
と重畳して形成されている構成とすることができる。
【００１９】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極とが、
前記走査線とほぼ直交する方向に存在する構成とするこ
とができる。この場合、前記薄膜トランジスタの該ソー
ス電極が該薄膜トランジスタのゲート電極をその幅方向
に横切り、かつ、該ゲート電極よりもアライメントずれ
分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した状態で形成
されている構成とすることができる。
記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極とが、
前記走査線とほぼ直交する方向に存在する構成とするこ
とができる。この場合、前記薄膜トランジスタの該ソー
ス電極が該薄膜トランジスタのゲート電極をその幅方向
に横切り、かつ、該ゲート電極よりもアライメントずれ
分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した状態で形成
されている構成とすることができる。
【００２０】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記信号線に沿って隣接する２種類の薄膜トランジスタの
大きさが等しく、かつ、それら２種類の薄膜トランジス
タの各々に接続されている絵素電極の大きさも等しい構
成とすることができる。
記信号線に沿って隣接する２種類の薄膜トランジスタの
大きさが等しく、かつ、それら２種類の薄膜トランジス
タの各々に接続されている絵素電極の大きさも等しい構
成とすることができる。
【００２１】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記絵素電極の下方に、絵素電極と同電位の電極が前記走
査線と重畳部を有して存在する構成とすることができ
る。
記絵素電極の下方に、絵素電極と同電位の電極が前記走
査線と重畳部を有して存在する構成とすることができ
る。
【００２２】本発明の反射型液晶表示装置において、前
記絵素電極が、該絵素電極と薄膜トランジスタを介して
電気的に接続されている走査線よりも先に走査信号が与
えられる走査線と重畳して設けられている構成とするこ
とが好ましい。
記絵素電極が、該絵素電極と薄膜トランジスタを介して
電気的に接続されている走査線よりも先に走査信号が与
えられる走査線と重畳して設けられている構成とするこ
とが好ましい。
【００２３】以下、本発明の作用について説明する。
【００２４】縦縞が観察されるのは、上述したように、
図１８のように絵素部分を縦方向で切ったときに、色毎
の面積密度が異なる配列となっていて、その周期が目で
判別できるためである。
図１８のように絵素部分を縦方向で切ったときに、色毎
の面積密度が異なる配列となっていて、その周期が目で
判別できるためである。
【００２５】そこで、本発明はそれを解決するために、
その一例としての図１や図２に示すように、ＴＦＴ２６
の位置を変更している。この例の場合には、信号線とし
てのソースバスライン３０の屈曲部に近い側に、より詳
細にはソースバスライン３０の屈曲にて狭くなっている
位置に、ＴＦＴ２６を形成しているので、反射機能を有
する絵素電極６０の絵素形状を正方形などの矩形に近付
けることが可能となる。
その一例としての図１や図２に示すように、ＴＦＴ２６
の位置を変更している。この例の場合には、信号線とし
てのソースバスライン３０の屈曲部に近い側に、より詳
細にはソースバスライン３０の屈曲にて狭くなっている
位置に、ＴＦＴ２６を形成しているので、反射機能を有
する絵素電極６０の絵素形状を正方形などの矩形に近付
けることが可能となる。
【００２６】その結果、走査線としてのゲートバスライ
ン２０に重畳する絵素電極６０の左右への飛び出しが無
くなり、色毎の面積密度の周期は、図３や図１９（ｂ）
に示すように、絵素ピッチの１．５倍になる。よって、
従来の場合を示す図１８の領域Ｐにあたる、中間濃度の
部分がなくなり、従来例より濃淡ピッチが半減すること
で、縦筋が見えにくくなり、表示品位が改善される。
ン２０に重畳する絵素電極６０の左右への飛び出しが無
くなり、色毎の面積密度の周期は、図３や図１９（ｂ）
に示すように、絵素ピッチの１．５倍になる。よって、
従来の場合を示す図１８の領域Ｐにあたる、中間濃度の
部分がなくなり、従来例より濃淡ピッチが半減すること
で、縦筋が見えにくくなり、表示品位が改善される。
【００２７】なお、ＴＦＴ２６の配置位置については、
以下に示す実施形態のように種々の例がある。
以下に示す実施形態のように種々の例がある。
【００２８】また、本発明にあっては、薄膜トランジス
タを信号線の片方側のみに配置する構成とすることによ
り、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極
が、信号線から離れたり近付いたりしても、信号線に沿
って隣合う薄膜トランジスタ同士の特性を揃えることが
できる。
タを信号線の片方側のみに配置する構成とすることによ
り、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極
が、信号線から離れたり近付いたりしても、信号線に沿
って隣合う薄膜トランジスタ同士の特性を揃えることが
できる。
【００２９】また、本発明にあっては、層間絶縁膜の存
在により、絵素電極を走査線および信号線の少なくとも
一方と重畳して形成でき、反射効率の向上を図れる。
在により、絵素電極を走査線および信号線の少なくとも
一方と重畳して形成でき、反射効率の向上を図れる。
【００３０】また、本発明にあっては、薄膜トランジス
タのソース電極とドレイン電極とを、走査線とほぼ直交
する方向に存在する構成とした場合には、薄膜トランジ
スタ形成時にアライメントずれが生じても、ゲート電極
とソース電極の重畳面積を一定にできると共にゲート電
極とドレイン電極の重畳面積も一定にできる。
タのソース電極とドレイン電極とを、走査線とほぼ直交
する方向に存在する構成とした場合には、薄膜トランジ
スタ形成時にアライメントずれが生じても、ゲート電極
とソース電極の重畳面積を一定にできると共にゲート電
極とドレイン電極の重畳面積も一定にできる。
【００３１】また、本発明にあっては、信号線に沿って
隣接する２種類の薄膜トランジスタの大きさが等しく、
かつ、それら２種類の薄膜トランジスタの各々に接続さ
れている絵素電極の大きさも等しい構成とした場合に
は、両薄膜トランジスタの充電能力などの電気特性を同
一にし、それによって駆動される液晶部の大きさも同一
にすることができ、均一な表示が可能となる。ここで、
薄膜トランジスタの大きさとは、チャネル幅Ｗとチャネ
ル長Ｌで定義されるＷ／Ｌをいう。
隣接する２種類の薄膜トランジスタの大きさが等しく、
かつ、それら２種類の薄膜トランジスタの各々に接続さ
れている絵素電極の大きさも等しい構成とした場合に
は、両薄膜トランジスタの充電能力などの電気特性を同
一にし、それによって駆動される液晶部の大きさも同一
にすることができ、均一な表示が可能となる。ここで、
薄膜トランジスタの大きさとは、チャネル幅Ｗとチャネ
ル長Ｌで定義されるＷ／Ｌをいう。
【００３２】また、本発明にあっては、前記絵素電極の
下方に、絵素電極と同電位の電極が走査線と重畳部を有
して存在する構成とした場合には、走査線との重畳部で
発生する容量をより大きくした状態で確保することがで
きる。
下方に、絵素電極と同電位の電極が走査線と重畳部を有
して存在する構成とした場合には、走査線との重畳部で
発生する容量をより大きくした状態で確保することがで
きる。
【００３３】また、本発明にあっては、絵素電極が、絵
素電極と薄膜トランジスタを介して電気的に接続されて
いる走査線よりも先に走査信号が与えられる走査線と重
畳して設けられている構成とした場合には、絵素電極の
形状をより広い矩形状にすることが可能となる。
素電極と薄膜トランジスタを介して電気的に接続されて
いる走査線よりも先に走査信号が与えられる走査線と重
畳して設けられている構成とした場合には、絵素電極の
形状をより広い矩形状にすることが可能となる。
【００３４】また、本発明にあっては、薄膜トランジス
タのソース電極とドレイン電極とが走査線に沿った方向
に存在し、ソース電極が薄膜トランジスタのゲート電極
をその幅方向に横切り、かつ、ゲート電極よりもアライ
メントずれ分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した
状態で形成した場合には、薄膜トランジスタ形成時にア
ライメントずれが生じても、ゲート電極とソース電極の
重畳面積を一定にできると共にゲート電極とドレイン電
極の重畳面積も一定にできる。
タのソース電極とドレイン電極とが走査線に沿った方向
に存在し、ソース電極が薄膜トランジスタのゲート電極
をその幅方向に横切り、かつ、ゲート電極よりもアライ
メントずれ分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した
状態で形成した場合には、薄膜トランジスタ形成時にア
ライメントずれが生じても、ゲート電極とソース電極の
重畳面積を一定にできると共にゲート電極とドレイン電
極の重畳面積も一定にできる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を具体的
に説明する。
に説明する。
【００３６】（実施形態１）本実施形態では、同一のソ
ースバスライン３０に同じ色の絵素だけを配置させた例
を挙げて、絵素の尾部を無くするようにした場合であ
る。
ースバスライン３０に同じ色の絵素だけを配置させた例
を挙げて、絵素の尾部を無くするようにした場合であ
る。
【００３７】図１は、本実施形態に係る反射型液晶表示
装置を模式的に示す平面図、図２はその詳細図（平面
図）である。また、図２中のＸ−Ｘ線による断面図は、
図１６とほぼ同様の構成となっている。なお、従来の図
１５と同一部分については、同一の符号を付している。
装置を模式的に示す平面図、図２はその詳細図（平面
図）である。また、図２中のＸ−Ｘ線による断面図は、
図１６とほぼ同様の構成となっている。なお、従来の図
１５と同一部分については、同一の符号を付している。
【００３８】この反射型液晶表示装置は、ＴＦＴ２６の
位置を、ゲートバスライン２０に対して従来とは反対
側、つまりソースバスライン３０の屈曲部がある方に設
定している。より詳細には、ＴＦＴ２６の位置を、ソー
スバスライン３０の屈曲にて狭くなっている位置に設定
している。また、絵素電極６０とゲートバスライン２０
との重なり部分は、従来とは反対側、つまり一つ前の走
査信号を送るゲートバスライン２０に対して設けられて
いる。
位置を、ゲートバスライン２０に対して従来とは反対
側、つまりソースバスライン３０の屈曲部がある方に設
定している。より詳細には、ＴＦＴ２６の位置を、ソー
スバスライン３０の屈曲にて狭くなっている位置に設定
している。また、絵素電極６０とゲートバスライン２０
との重なり部分は、従来とは反対側、つまり一つ前の走
査信号を送るゲートバスライン２０に対して設けられて
いる。
【００３９】そのため、ゲートバスライン２０と重なっ
ている絵素電極６０部分が、ソースバスライン３０の屈
曲により変形させられることがなく、絵素形状は、図３
に示すように矩形に近くなり、上述の尾部はなくなる。
また、色配列については、図３に示すようになり、尾部
で構成されている領域Ｐは無くなり、図１９（ｂ）に示
すように領域ＱとＯの２種が交互に配置された状態にな
る。
ている絵素電極６０部分が、ソースバスライン３０の屈
曲により変形させられることがなく、絵素形状は、図３
に示すように矩形に近くなり、上述の尾部はなくなる。
また、色配列については、図３に示すようになり、尾部
で構成されている領域Ｐは無くなり、図１９（ｂ）に示
すように領域ＱとＯの２種が交互に配置された状態にな
る。
【００４０】したがって、本実施形態に係る反射型液晶
表示装置においては、領域Ｐが無くなることで、横方向
の色の濃淡は従来例の半分になるため、ピッチが細かく
なり縞としては目立ちにくくなる。ここで、絵素電極６
０をゲートバスライン２０と重ねるのは反射領域を広
げ、反射率を高めて明るい表示を得るためである。
表示装置においては、領域Ｐが無くなることで、横方向
の色の濃淡は従来例の半分になるため、ピッチが細かく
なり縞としては目立ちにくくなる。ここで、絵素電極６
０をゲートバスライン２０と重ねるのは反射領域を広
げ、反射率を高めて明るい表示を得るためである。
【００４１】次に、本実施形態に係る反射型液晶表示装
置の製造工程を、図１、図２および図１６を参照して説
明する。
置の製造工程を、図１、図２および図１６を参照して説
明する。
【００４２】まず、絶縁性基板上に金属薄膜を形成す
る。本実施形態ではガラス基板１０上にスパッタリング
法を用いてＴａを形成した。膜厚は５００ｎｍとした。
これをフォトリソグラフィを用いてパターニングする。
このときＴＦＴ２６のゲート電極２１も同時に形成す
る。
る。本実施形態ではガラス基板１０上にスパッタリング
法を用いてＴａを形成した。膜厚は５００ｎｍとした。
これをフォトリソグラフィを用いてパターニングする。
このときＴＦＴ２６のゲート電極２１も同時に形成す
る。
【００４３】次に、ゲート絶縁膜４０、半導体４１、コ
ンタクト層４２をプラズマＣＶＤ法を用いて薄膜形成す
る。それぞれＳｉＮｘ、アモルファスＳｉ、ｎ+アモル
ファスＳｉであり、膜厚はそれぞれ３００ｎｍ、１００
ｎｍ、８０ｎｍとした。
ンタクト層４２をプラズマＣＶＤ法を用いて薄膜形成す
る。それぞれＳｉＮｘ、アモルファスＳｉ、ｎ+アモル
ファスＳｉであり、膜厚はそれぞれ３００ｎｍ、１００
ｎｍ、８０ｎｍとした。
【００４４】次に、半導体層４１とコンタクト層４２と
を島状にパターニングし、絶縁膜４０は端子部で除去し
てコンタクトをとれるようにする。
を島状にパターニングし、絶縁膜４０は端子部で除去し
てコンタクトをとれるようにする。
【００４５】次に、スパッタリングによりＴａを薄膜形
成し、パターニングしてソースバスライン３０、ソース
電極３１、ドレイン電極３２を形成する。
成し、パターニングしてソースバスライン３０、ソース
電極３１、ドレイン電極３２を形成する。
【００４６】次に、ＴＦＴ２６のチャネル部分のコンタ
クト層４２を取り除くパターニングを行ってＴＦＴ２６
を完成させ、続いて層間絶縁膜５０を形成する。本実施
形態ではアクリル系の感光性樹脂を用いて、全面に均一
に塗布し、露光と現像によりパターニングしてドレイン
電極３２に存在するコンタクトホール３３及び端子部分
のコンタクトホールを設ける。その後、加熱して樹脂を
硬化させる。
クト層４２を取り除くパターニングを行ってＴＦＴ２６
を完成させ、続いて層間絶縁膜５０を形成する。本実施
形態ではアクリル系の感光性樹脂を用いて、全面に均一
に塗布し、露光と現像によりパターニングしてドレイン
電極３２に存在するコンタクトホール３３及び端子部分
のコンタクトホールを設ける。その後、加熱して樹脂を
硬化させる。
【００４７】次に、Ａｌをスパッタリングで薄膜形成
し、パターニングして絵素電極６０を形成する。これ
で、アクティブマトリクス基板側は完成する。
し、パターニングして絵素電極６０を形成する。これ
で、アクティブマトリクス基板側は完成する。
【００４８】その後、このアクティブマトリクス基板に
対し、色フィルターと対向電極を形成した対向電極を貼
り合わせ、両基板間に液晶を封入することで、反射型液
晶表示装置を得る。
対し、色フィルターと対向電極を形成した対向電極を貼
り合わせ、両基板間に液晶を封入することで、反射型液
晶表示装置を得る。
【００４９】（実施形態２）本実施形態は、実施形態１
に係る反射型液晶表示装置の蓄積容量（Ｃｓ容量）を増
加した場合である。
に係る反射型液晶表示装置の蓄積容量（Ｃｓ容量）を増
加した場合である。
【００５０】図４は、本実施形態２に係る反射型液晶表
示装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置
は、ＴＦＴ２６のドレイン電極３２から伸びる延伸部３
５を介して、ゲートバスライン２０に重ねる重畳部３６
を設けている。
示装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置
は、ＴＦＴ２６のドレイン電極３２から伸びる延伸部３
５を介して、ゲートバスライン２０に重ねる重畳部３６
を設けている。
【００５１】図１に示す実施形態１の場合は、蓄積容量
を構成するゲートバスライン２０と絵素電極６０との間
に、ゲート絶縁膜４０と層間絶縁膜５０の２層が存在す
るのに対し、実施形態２では図５（図４のＹ−Ｙ線によ
る断面図）に示すように、絵素電極６０と同電位の重畳
部３６とゲートバスライン２０との間で蓄積容量を形成
するので、絶縁膜が１層減った分、実施形態１に比べて
容量の値が大きくなる。このとき、ＴＦＴの駆動能力が
許す限り、蓄積容量の値は大きい方が表示品位は向上す
るので、本実施形態による場合はより表示品位の向上を
図れる。
を構成するゲートバスライン２０と絵素電極６０との間
に、ゲート絶縁膜４０と層間絶縁膜５０の２層が存在す
るのに対し、実施形態２では図５（図４のＹ−Ｙ線によ
る断面図）に示すように、絵素電極６０と同電位の重畳
部３６とゲートバスライン２０との間で蓄積容量を形成
するので、絶縁膜が１層減った分、実施形態１に比べて
容量の値が大きくなる。このとき、ＴＦＴの駆動能力が
許す限り、蓄積容量の値は大きい方が表示品位は向上す
るので、本実施形態による場合はより表示品位の向上を
図れる。
【００５２】（実施形態３）本実施形態は、実施形態１
に対して、絵素の色配列が異なる場合の例である。図８
は、本実施形態に係る反射型液晶表示装置を模式的に示
す平面図であり、図９はその詳細図（平面図）である。
に対して、絵素の色配列が異なる場合の例である。図８
は、本実施形態に係る反射型液晶表示装置を模式的に示
す平面図であり、図９はその詳細図（平面図）である。
【００５３】この反射型液晶表示装置においては、１本
のソースバスライン３０の片側に２種類の色の絵素を交
互に配したもので、ＴＦＴ２６の位置は常にソースバス
ライン３０のどちらか一方側にのみ配設されている。
のソースバスライン３０の片側に２種類の色の絵素を交
互に配したもので、ＴＦＴ２６の位置は常にソースバス
ライン３０のどちらか一方側にのみ配設されている。
【００５４】但し、この条件のままでは、図６に示すＴ
ＦＴ配置や図７に示す色の絵素配置となってしまい、従
来と同様の問題が生じる。
ＦＴ配置や図７に示す色の絵素配置となってしまい、従
来と同様の問題が生じる。
【００５５】そこで、本実施形態においても、図８およ
び図９に示すようにＴＦＴ２６の位置を変更している。
これにより、図１０に示すように、絵素を矩形に近付け
ることが可能となる。
び図９に示すようにＴＦＴ２６の位置を変更している。
これにより、図１０に示すように、絵素を矩形に近付け
ることが可能となる。
【００５６】（実施形態４）本実施形態４は、実施形態
１や２の反射型液晶表示装置においてＴＦＴの位置ずれ
が生じても、表示不良の発生を防止することができるよ
うにする場合である。
１や２の反射型液晶表示装置においてＴＦＴの位置ずれ
が生じても、表示不良の発生を防止することができるよ
うにする場合である。
【００５７】前述した図９は、後述するように本実施形
態４に係る反射型液晶表示装置でもある。
態４に係る反射型液晶表示装置でもある。
【００５８】ところで、実施形態１や２の反射型液晶表
示装置は、絵素形状を各絵素でほぼ同じ形に保つため
に、すなわち同じ形の絵素の繰り返しパターンで全体を
構成することを考えた場合、ソースバスラインの左右に
交互に絵素を振り分けて配置している。当然ながら、Ｔ
ＦＴ２６は、図１１（ａ）に示すようにソースバスライ
ン３０の左右に交互に配される。すると、ソース金属を
露光する際に、図１１（ｂ）および（ｃ）に示すよう
に、左右どちらか一方にアライメントがずれた場合、ゲ
ート電極に対するソース電極、ドレイン電極の重なり部
分の面積が変わってくる。
示装置は、絵素形状を各絵素でほぼ同じ形に保つため
に、すなわち同じ形の絵素の繰り返しパターンで全体を
構成することを考えた場合、ソースバスラインの左右に
交互に絵素を振り分けて配置している。当然ながら、Ｔ
ＦＴ２６は、図１１（ａ）に示すようにソースバスライ
ン３０の左右に交互に配される。すると、ソース金属を
露光する際に、図１１（ｂ）および（ｃ）に示すよう
に、左右どちらか一方にアライメントがずれた場合、ゲ
ート電極に対するソース電極、ドレイン電極の重なり部
分の面積が変わってくる。
【００５９】ここで、ゲート電極に対するソース電極の
重なり部分の面積をＳｇｓ、ゲート電極に対するドレイ
ン電極の重なり部分の面積をＳｇｄと表記すると、例え
ば、図１１（ｂ）のように左にアライメントがずれた場
合、ＴＦＴ−ＡのＳｇｓは減少し、Ｓｇｄは増加する。
逆に、ＴＦＴ−ＢのＳｇｓは増加し、Ｓｇｄは減少す
る。
重なり部分の面積をＳｇｓ、ゲート電極に対するドレイ
ン電極の重なり部分の面積をＳｇｄと表記すると、例え
ば、図１１（ｂ）のように左にアライメントがずれた場
合、ＴＦＴ−ＡのＳｇｓは減少し、Ｓｇｄは増加する。
逆に、ＴＦＴ−ＢのＳｇｓは増加し、Ｓｇｄは減少す
る。
【００６０】この重なり面積のずれはゲート−ドレイン
間の静電容量（Ｃｇｄ）の違いとして現れる。Ｃｇｄは
Ｓｇｄと比例関係にあるので、上記のケースでは図１１
（ａ）に示すＴＦＴ−ＡのＣｇｄが増加し、同様に図１
１（ａ）に示すＴＦＴ−ＢのＣｇｄが減少するというこ
とになる。同一のソースバスラインに属している絵素
が、１絵素おきに異なるＣｇｄを持つ事になり、絵素毎
に最適対向値がずれ、結果としてフリッカーの原因や絵
素の焼き付け残像となってしまう。これは表示画面の品
位を損なう問題となる。
間の静電容量（Ｃｇｄ）の違いとして現れる。Ｃｇｄは
Ｓｇｄと比例関係にあるので、上記のケースでは図１１
（ａ）に示すＴＦＴ−ＡのＣｇｄが増加し、同様に図１
１（ａ）に示すＴＦＴ−ＢのＣｇｄが減少するというこ
とになる。同一のソースバスラインに属している絵素
が、１絵素おきに異なるＣｇｄを持つ事になり、絵素毎
に最適対向値がずれ、結果としてフリッカーの原因や絵
素の焼き付け残像となってしまう。これは表示画面の品
位を損なう問題となる。
【００６１】本実施形態は、この問題を解決する絵素形
状を提案するのが狙いである。
状を提案するのが狙いである。
【００６２】図９は、本実施形態に係る反射型液晶表示
装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置にお
いては、Ｃｇｄのばらつきをなくするために、ＴＦＴ２
６をソースバスライン３０の一方の側にのみ配置してい
る。また、ソースバスライン３０の屈曲部にＴＦＴを配
置せねばならないので、これを解決するため、２種類の
ＴＦＴ２６ａ、２６ｂを、ソースバスライン３０に沿っ
て交互に配置するようにする。
装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置にお
いては、Ｃｇｄのばらつきをなくするために、ＴＦＴ２
６をソースバスライン３０の一方の側にのみ配置してい
る。また、ソースバスライン３０の屈曲部にＴＦＴを配
置せねばならないので、これを解決するため、２種類の
ＴＦＴ２６ａ、２６ｂを、ソースバスライン３０に沿っ
て交互に配置するようにする。
【００６３】すなわち、２絵素で１セットの繰り返し配
列とする。具体的には、図９の上段に位置する絵素で
は、ＴＦＴ２６ａはソースバスライン３０の左側の屈曲
部の左側に配置されている。一方、下段の絵素では、Ｔ
ＦＴ２６ｂはソースバスライン３０の左側の屈曲部の左
側に設けられている。
列とする。具体的には、図９の上段に位置する絵素で
は、ＴＦＴ２６ａはソースバスライン３０の左側の屈曲
部の左側に配置されている。一方、下段の絵素では、Ｔ
ＦＴ２６ｂはソースバスライン３０の左側の屈曲部の左
側に設けられている。
【００６４】図１や図４では１絵素とその左右反転状の
絵素の２つ１組で繰り返しパターンの１要素になってお
り、１絵素が設計できれば絵素全体を作製できるが、本
実施形態ではソースバスライン３０に沿って隣接する２
種１組の絵素設計が出来て、初めて全体の作製が可能と
なる。設計の際には、絵素電極の面積及びＴＦＴの大き
さが２種１組でほぼ等しくなるように設定した。特に、
ＴＦＴ２６ａ、２６ｂは、その寸法が同じになるように
した。そして、実際に試作して反射型液晶表示装置の表
示状態を評価したが、縦縞はもちろんのことフリッカー
や残像もなく、本実施形態の構成にすることにより発生
する表示不良は検出されなかった。
絵素の２つ１組で繰り返しパターンの１要素になってお
り、１絵素が設計できれば絵素全体を作製できるが、本
実施形態ではソースバスライン３０に沿って隣接する２
種１組の絵素設計が出来て、初めて全体の作製が可能と
なる。設計の際には、絵素電極の面積及びＴＦＴの大き
さが２種１組でほぼ等しくなるように設定した。特に、
ＴＦＴ２６ａ、２６ｂは、その寸法が同じになるように
した。そして、実際に試作して反射型液晶表示装置の表
示状態を評価したが、縦縞はもちろんのことフリッカー
や残像もなく、本実施形態の構成にすることにより発生
する表示不良は検出されなかった。
【００６５】図１２Ａおよび図１２Ｂは、共に、本実施
形態４に係る他の反射型液晶表示装置を示す平面図であ
る。これら両図は、ＴＦＴ２６のソース電極３１とドレ
イン電極３２とを配置する方向を、ゲートバスライン２
０とほぼ直交する方向にしてある。図１２Ｂの場合は、
図９と同様にソースバスライン３０の一方側のみにＴＦ
Ｔ２６ａ、２６ｂを配置しているので、図９と全く同様
の効果が得られる。
形態４に係る他の反射型液晶表示装置を示す平面図であ
る。これら両図は、ＴＦＴ２６のソース電極３１とドレ
イン電極３２とを配置する方向を、ゲートバスライン２
０とほぼ直交する方向にしてある。図１２Ｂの場合は、
図９と同様にソースバスライン３０の一方側のみにＴＦ
Ｔ２６ａ、２６ｂを配置しているので、図９と全く同様
の効果が得られる。
【００６６】一方、図１２Ａの場合には、ソースバスラ
イン３０に対して左右交互となるようにＴＦＴ２６ａ、
２６ｂを配置しているので、上述したアライメントずれ
を考慮すると、ソースバスライン３０から突出させてＴ
ＦＴ２６ａ、２６ｂの各ソース電極３１とさせてある部
分を、そのＴＦＴのゲート電極２１をその幅方向に横切
り、かつ、ゲート電極２１よりもアライメントずれ分、
またはそれ以上の寸法だけ余分に突出させる構成として
おく。この構成とすることにより、図９と同様な効果が
得られる。
イン３０に対して左右交互となるようにＴＦＴ２６ａ、
２６ｂを配置しているので、上述したアライメントずれ
を考慮すると、ソースバスライン３０から突出させてＴ
ＦＴ２６ａ、２６ｂの各ソース電極３１とさせてある部
分を、そのＴＦＴのゲート電極２１をその幅方向に横切
り、かつ、ゲート電極２１よりもアライメントずれ分、
またはそれ以上の寸法だけ余分に突出させる構成として
おく。この構成とすることにより、図９と同様な効果が
得られる。
【００６７】（実施形態５）図１３は、本実施形態に係
る反射型液晶表示装置の構成例を示す平面図である。
る反射型液晶表示装置の構成例を示す平面図である。
【００６８】この反射型液晶表示装置における、基本的
な考え方は、実施形態４に同じであるが、ＴＦＴの配置
場所と構造が異なる。
な考え方は、実施形態４に同じであるが、ＴＦＴの配置
場所と構造が異なる。
【００６９】実施形態４では、図１２の下段にあるＴＦ
Ｔ２６ｂはソースバスライン３０の左側屈曲部の左側に
配置しているが、実施形態５の図１３では下段にあるＴ
ＦＴ２６ｂも上段のＴＦＴ２６ａの配置場所とほぼ同じ
箇所、つまり絵素電極６０の右下部に置いた。
Ｔ２６ｂはソースバスライン３０の左側屈曲部の左側に
配置しているが、実施形態５の図１３では下段にあるＴ
ＦＴ２６ｂも上段のＴＦＴ２６ａの配置場所とほぼ同じ
箇所、つまり絵素電極６０の右下部に置いた。
【００７０】この場合、ソースバスライン３０がＴＦＴ
２６ｂのゲート電極２１と交差するようにゲートバスラ
イン２０の突出部２０ａを延長し、その先方にソース電
極３１及びドレイン電極３２を形成すれば、ＴＦＴ２６
ｂが形成できる。
２６ｂのゲート電極２１と交差するようにゲートバスラ
イン２０の突出部２０ａを延長し、その先方にソース電
極３１及びドレイン電極３２を形成すれば、ＴＦＴ２６
ｂが形成できる。
【００７１】（実施形態６）本実施形態は、上述した実
施形態１〜５の変形例である。つまり、実施形態１〜５
はすべて、図１６に示したように、層間絶縁膜５０を有
し、そのため絵素電極６０を大きく形成できるものであ
るが、この層間絶縁膜５０を持たない構造とすることも
可能である。
施形態１〜５の変形例である。つまり、実施形態１〜５
はすべて、図１６に示したように、層間絶縁膜５０を有
し、そのため絵素電極６０を大きく形成できるものであ
るが、この層間絶縁膜５０を持たない構造とすることも
可能である。
【００７２】この場合、ソースバスライン３０と絵素電
極６０とが電気的に接触しないように、ソースバスライ
ン３０から基板表面と平行方向に離間して絵素電極６０
を形成しなければならず、また、ＴＦＴ２６と絵素電極
６０とを重ね合わせることもできなくなるので、絵素電
極６０の面積は小さくなり、反射効率は悪くなる。ただ
し、蓄積容量は絵素電極６０をゲートバスライン２０に
重ねるだけで、実施形態２と同等の値を得ることができ
る。実施形態２より簡単な構造で蓄積容量を得ることが
できるのが、この実施形態の特徴である。
極６０とが電気的に接触しないように、ソースバスライ
ン３０から基板表面と平行方向に離間して絵素電極６０
を形成しなければならず、また、ＴＦＴ２６と絵素電極
６０とを重ね合わせることもできなくなるので、絵素電
極６０の面積は小さくなり、反射効率は悪くなる。ただ
し、蓄積容量は絵素電極６０をゲートバスライン２０に
重ねるだけで、実施形態２と同等の値を得ることができ
る。実施形態２より簡単な構造で蓄積容量を得ることが
できるのが、この実施形態の特徴である。
【００７３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明による場合に
は、縦縞が観察されるのを解消することができ、表示品
位の向上を図ることができる反射型液晶表示装置を提供
することが可能となる。
は、縦縞が観察されるのを解消することができ、表示品
位の向上を図ることができる反射型液晶表示装置を提供
することが可能となる。
【図１】実施形態１に係る反射型液晶表示装置を模式的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図２】図１の反射型液晶表示装置を詳細に示す平面図
である。
である。
【図３】実施形態１に係る反射型液晶表示装置の絵素形
状を示す平面図である。
状を示す平面図である。
【図４】実施形態２に係る反射型液晶表示装置を詳細に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】図４のＹ−Ｙ線による断面図である。
【図６】実施形態３に対応する比較例の反射型液晶表示
装置を示す平面図である。
装置を示す平面図である。
【図７】図６の反射型液晶表示装置における絵素形状を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】実施形態３に係る反射型液晶表示装置を模式的
に示す平面図である。
に示す平面図である。
【図９】実施形態３および４に係る反射型液晶表示装置
を詳細に示す平面図である。
を詳細に示す平面図である。
【図１０】実施形態３の反射型液晶表示装置の絵素形状
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１１】（ａ）は薄膜トランジスタを信号線の左右に
交互に設けた構成の一部を示す平面図であり、（ｂ）お
よび（ｃ）はアライメントのずれによるＣｇｄの変化の
説明図（平面図）である。
交互に設けた構成の一部を示す平面図であり、（ｂ）お
よび（ｃ）はアライメントのずれによるＣｇｄの変化の
説明図（平面図）である。
【図１２Ａ】実施形態４に係る他の反射型液晶表示装置
の詳細を示す平面図である。
の詳細を示す平面図である。
【図１２Ｂ】実施形態４に係る更に他の反射型液晶表示
装置の詳細を示す平面図である。
装置の詳細を示す平面図である。
【図１３】実施形態５に係る反射型液晶表示装置の詳細
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１４】従来例の反射型液晶表示装置を模式的に示す
平面図である。
平面図である。
【図１５】図１４の反射型液晶表示装置を詳細に示す平
面図である。
面図である。
【図１６】従来例および実施形態１〜５に備わった薄膜
トランジスタ部分を示す断面図である。
トランジスタ部分を示す断面図である。
【図１７】従来の反射型液晶表示装置において、Ｃｓ部
分の無い場合の絵素形状を示す平面図である。
分の無い場合の絵素形状を示す平面図である。
【図１８】従来例の反射型液晶表示装置の実際の絵素形
状を示す平面図である。
状を示す平面図である。
【図１９】（ａ）は従来例の反射型液晶表示装置におけ
る色毎の濃淡分布を示す概念図であり、（ｂ）は本発明
の反射型液晶表示装置における色毎の濃淡分布を示す概
念図である。
る色毎の濃淡分布を示す概念図であり、（ｂ）は本発明
の反射型液晶表示装置における色毎の濃淡分布を示す概
念図である。
１０ ガラス基板 ２０ ゲートバスライン（走査線） ２１ ゲート電極 ２６、２６ａ、２６ｂ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ３０ ソースバスライン ３１ ソース電極 ３２ ドレイン電極 ３３ コンタクトホール ４０ ゲート絶縁膜 ４１ 半導体層 ４２ コンタクト層 ５０ 層間絶縁膜 ６０ 絵素電極
Claims (8)
- 【請求項１】 液晶層を挟持する一対の基板の一方の基
板上に、デルタ配列で反射機能を有する絵素電極が設け
られていると共に、各絵素電極の周縁部近傍を通って走
査線と屈曲した信号線とが交差するように形成され、該
走査線および該信号線の交差部近傍に設けられた薄膜ト
ランジスタにて該絵素電極の電位が制御される反射型液
晶表示装置であって、 該走査線の奇数番目および偶数番目の少なくとも一方に
電気的に接続した該薄膜トランジスタが、隣合う信号線
間の距離が該信号線の屈曲にて狭くなっている位置に配
置されている反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記薄膜トランジスタが、前記信号線の
片方側のみに配置されている請求項１に記載の反射型液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記絵素電極が、前記薄膜トランジス
タ、前記信号線および前記走査線を覆う層間絶縁膜に設
けたコンタクトホールを介して該薄膜トランジスタのド
レイン電極と電気的に接続され、更に、該絵素電極が、
間に該層間絶縁膜を介した状態で該走査線および該信号
線の少なくとも一方と重畳して形成されている請求項１
または２に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記薄膜トランジスタのソース電極とド
レイン電極とが、前記走査線とほぼ直交する方向に存在
する請求項１に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記信号線に沿って隣接する２種類の薄
膜トランジスタの大きさが等しく、かつ、それら２種類
の薄膜トランジスタの各々に接続されている絵素電極の
大きさも等しい請求項２または４に記載の反射型液晶表
示装置。 - 【請求項６】 前記絵素電極の下方に、絵素電極と同電
位の電極が前記走査線と重畳部を有して存在する請求項
３に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記絵素電極が、該絵素電極と薄膜トラ
ンジスタを介して電気的に接続されている走査線よりも
先に走査信号が与えられる走査線と重畳して設けられて
いる請求項１〜６のいずれかに記載の反射型液晶表示装
置。 - 【請求項８】 前記薄膜トランジスタの該ソース電極が
該薄膜トランジスタのゲート電極をその幅方向に横切
り、かつ、該ゲート電極よりもアライメントずれ分また
はそれ以上の寸法だけ余分に突出した状態で形成されて
いる請求項４に記載の反射型液晶表示装置。
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