JPH11119254A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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Abstract
向上を図れるようにする。 【解決手段】 TFT26の位置を、ゲートバスライン
20に対して従来とは反対側、つまりソースバスライン
30の屈曲部がある方に設定している。また、絵素電極
60とゲートバスライン20との重なり部分は、従来と
は反対側、つまり一つ前の走査信号を送るゲートバスラ
イン20に対して設けられている。そのため、ゲートバ
スライン20と重なっている絵素電極60部分が、ソー
スバスライン30の屈曲により変形させられることがな
く、絵素形状は矩形に近くなる。
Description
ター、携帯情報端末、電卓および電子手帳等の表示装置
として広く利用されている、反射型液晶表示装置に関す
る。
が低いことを活用して、携帯型の各種機器に幅広く用い
られている。さらに、近年においては、情報の高度化に
伴って、携帯型の機器においてもカラー表示を要求する
声が高まり、反射型カラー液晶表示装置の開発が活性化
している。
の反射型液晶表示装置の構成を模式的に示す平面図であ
り、図15はその詳細図(平面図)、図16はアクティ
ブ素子として用いている、a−Si(アモルファスシリ
コン)・TFT(薄膜トランジスタ)の構造を示す断面
図である。
序に基づいて説明する。
パッタリング法にて形成し、これをフォトリソグラフィ
とエッチングによりパターン化して、ゲートバスライン
(走査線)20及びTFT26のゲート電極21を形成
する。
およびコンタクト層42を連続成膜し、半導体層41と
コンタクト層42をアイランド上にパターン化する。
なる金属をスパッタリングにて薄膜形成し、これをパタ
ーン化して、ソースバスライン30、TFT26のソー
ス電極31とドレイン電極32を形成する。続いて、T
FT26のチャネル部上のコンタクト層42を除去す
る。
上面を平坦化するとともに、ドレイン電極32にコンタ
クトホール33を設ける。
し、パターン化する。絵素電極60とドレイン電極32
とは、コンタクトホール33を介して導通する。
基板が作製される。そして、そのアクティブマトリクス
基板と、基板のほぼ全面に対向電極が形成されている対
向基板とを貼り合わせ、両基板間に液晶を封入して反射
型液晶表示装置が完成する。
タ配列と呼ばれる絵素配列が採用されている。この絵素
配列の場合は、一般にビデオや静止画などの画像表示を
行う場合に利点があるからである。そして、この図示例
のように、絵素電極60を隣接するゲートバスライン2
0と重なるように形成した場合は、両者の重なっている
部分で蓄積容量(Cs)を形成でき、また、絵素電極6
0の面積を広くすることが可能となって反射光の光量を
上げるのに役立たせることができる。
されるため、絵素の形状が、Cs部分が無い場合の絵素
形状である図17に示すほぼ方形の部分60aから、図
18に示すように、Cs部分に相当する絵素部分60b
が大きくはみ出る形となる。そうすると、図18に示す
縦線(一点鎖線)で規定されるQ、P、Oの範囲におい
て、例えば赤色(R)を例に挙げて領域内にRの占める
その面積比率を比較すると、以下に説明するように、Q
>P>Oとなる。但し、図18は3列分のみ示すため、
図中の3つの領域Qのうち中央のものは赤色(R)は1
つとなっているが、4列分を考慮することにより、3つ
の領域Qの各々は同一面積比率である。また、他の色
(GやB)でも、その面積比率は同様になる。なお、T
FT26は、図14や図15に示すようにソースバスラ
イン30の左右に振り分けて配置し、同じソースバスラ
イン30に同じ色の絵素を配置している。
て示した図である。この図より理解されるように、領域
Qでは赤の存在面積は大きいが、領域Pだとゲートバス
ライン20と重なっている尾の部分が存在するだけであ
り赤の存在面積は小さくなり、領域Oでは飛び出してい
る尾部も無く赤色は存在しない。
型液晶表示装置の場合には、色の濃淡のピッチは絵素ピ
ッチの3倍になる。このため、1絵素のピッチが数十μ
m以上の場合には、この色毎の面積密度の違いは縦筋と
して視認され、縦縞模様が絵素ピッチの3倍にあたる
0.5mm程度のピッチで観察される結果となり、表示
品位が損なわれる。具体的には、対角3インチの画像表
示用で数万絵素を持つ画面で、図14や図15に示す絵
素配列を採用すれば、問題となる縦縞が見えることにな
る。
決すべくなされたものであり、縦縞模様が観察されるこ
とがなく表示品位の向上を図れる反射型液晶表示装置を
提供することを目的とする。
装置は、液晶層を挟持する一対の基板の一方の基板上
に、デルタ配列で反射機能を有する絵素電極が設けられ
ていると共に、各絵素電極の周縁部近傍を通って走査線
と屈曲した信号線とが交差するように形成され、該走査
線および該信号線の交差部近傍に設けられた薄膜トラン
ジスタにて該絵素電極の電位が制御される反射型液晶表
示装置であって、該走査線の奇数番目および偶数番目の
少なくとも一方に電気的に接続した該薄膜トランジスタ
が、隣合う信号線間の距離が該信号線の屈曲にて狭くな
っている位置に配置され、そのことにより上記目的が達
成される。
記薄膜トランジスタが、前記信号線の片方側のみに配置
されている構成とすることができる。
記絵素電極が、前記薄膜トランジスタ、前記信号線およ
び前記走査線を覆う層間絶縁膜に設けたコンタクトホー
ルを介して該薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的
に接続され、更に、該絵素電極が、間に該層間絶縁膜を
介した状態で該走査線および該信号線の少なくとも一方
と重畳して形成されている構成とすることができる。
記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極とが、
前記走査線とほぼ直交する方向に存在する構成とするこ
とができる。この場合、前記薄膜トランジスタの該ソー
ス電極が該薄膜トランジスタのゲート電極をその幅方向
に横切り、かつ、該ゲート電極よりもアライメントずれ
分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した状態で形成
されている構成とすることができる。
記信号線に沿って隣接する2種類の薄膜トランジスタの
大きさが等しく、かつ、それら2種類の薄膜トランジス
タの各々に接続されている絵素電極の大きさも等しい構
成とすることができる。
記絵素電極の下方に、絵素電極と同電位の電極が前記走
査線と重畳部を有して存在する構成とすることができ
る。
記絵素電極が、該絵素電極と薄膜トランジスタを介して
電気的に接続されている走査線よりも先に走査信号が与
えられる走査線と重畳して設けられている構成とするこ
とが好ましい。
図18のように絵素部分を縦方向で切ったときに、色毎
の面積密度が異なる配列となっていて、その周期が目で
判別できるためである。
その一例としての図1や図2に示すように、TFT26
の位置を変更している。この例の場合には、信号線とし
てのソースバスライン30の屈曲部に近い側に、より詳
細にはソースバスライン30の屈曲にて狭くなっている
位置に、TFT26を形成しているので、反射機能を有
する絵素電極60の絵素形状を正方形などの矩形に近付
けることが可能となる。
ン20に重畳する絵素電極60の左右への飛び出しが無
くなり、色毎の面積密度の周期は、図3や図19(b)
に示すように、絵素ピッチの1.5倍になる。よって、
従来の場合を示す図18の領域Pにあたる、中間濃度の
部分がなくなり、従来例より濃淡ピッチが半減すること
で、縦筋が見えにくくなり、表示品位が改善される。
以下に示す実施形態のように種々の例がある。
タを信号線の片方側のみに配置する構成とすることによ
り、薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極
が、信号線から離れたり近付いたりしても、信号線に沿
って隣合う薄膜トランジスタ同士の特性を揃えることが
できる。
在により、絵素電極を走査線および信号線の少なくとも
一方と重畳して形成でき、反射効率の向上を図れる。
タのソース電極とドレイン電極とを、走査線とほぼ直交
する方向に存在する構成とした場合には、薄膜トランジ
スタ形成時にアライメントずれが生じても、ゲート電極
とソース電極の重畳面積を一定にできると共にゲート電
極とドレイン電極の重畳面積も一定にできる。
隣接する2種類の薄膜トランジスタの大きさが等しく、
かつ、それら2種類の薄膜トランジスタの各々に接続さ
れている絵素電極の大きさも等しい構成とした場合に
は、両薄膜トランジスタの充電能力などの電気特性を同
一にし、それによって駆動される液晶部の大きさも同一
にすることができ、均一な表示が可能となる。ここで、
薄膜トランジスタの大きさとは、チャネル幅Wとチャネ
ル長Lで定義されるW/Lをいう。
下方に、絵素電極と同電位の電極が走査線と重畳部を有
して存在する構成とした場合には、走査線との重畳部で
発生する容量をより大きくした状態で確保することがで
きる。
素電極と薄膜トランジスタを介して電気的に接続されて
いる走査線よりも先に走査信号が与えられる走査線と重
畳して設けられている構成とした場合には、絵素電極の
形状をより広い矩形状にすることが可能となる。
タのソース電極とドレイン電極とが走査線に沿った方向
に存在し、ソース電極が薄膜トランジスタのゲート電極
をその幅方向に横切り、かつ、ゲート電極よりもアライ
メントずれ分またはそれ以上の寸法だけ余分に突出した
状態で形成した場合には、薄膜トランジスタ形成時にア
ライメントずれが生じても、ゲート電極とソース電極の
重畳面積を一定にできると共にゲート電極とドレイン電
極の重畳面積も一定にできる。
に説明する。
ースバスライン30に同じ色の絵素だけを配置させた例
を挙げて、絵素の尾部を無くするようにした場合であ
る。
装置を模式的に示す平面図、図2はその詳細図(平面
図)である。また、図2中のX−X線による断面図は、
図16とほぼ同様の構成となっている。なお、従来の図
15と同一部分については、同一の符号を付している。
位置を、ゲートバスライン20に対して従来とは反対
側、つまりソースバスライン30の屈曲部がある方に設
定している。より詳細には、TFT26の位置を、ソー
スバスライン30の屈曲にて狭くなっている位置に設定
している。また、絵素電極60とゲートバスライン20
との重なり部分は、従来とは反対側、つまり一つ前の走
査信号を送るゲートバスライン20に対して設けられて
いる。
ている絵素電極60部分が、ソースバスライン30の屈
曲により変形させられることがなく、絵素形状は、図3
に示すように矩形に近くなり、上述の尾部はなくなる。
また、色配列については、図3に示すようになり、尾部
で構成されている領域Pは無くなり、図19(b)に示
すように領域QとOの2種が交互に配置された状態にな
る。
表示装置においては、領域Pが無くなることで、横方向
の色の濃淡は従来例の半分になるため、ピッチが細かく
なり縞としては目立ちにくくなる。ここで、絵素電極6
0をゲートバスライン20と重ねるのは反射領域を広
げ、反射率を高めて明るい表示を得るためである。
置の製造工程を、図1、図2および図16を参照して説
明する。
る。本実施形態ではガラス基板10上にスパッタリング
法を用いてTaを形成した。膜厚は500nmとした。
これをフォトリソグラフィを用いてパターニングする。
このときTFT26のゲート電極21も同時に形成す
る。
ンタクト層42をプラズマCVD法を用いて薄膜形成す
る。それぞれSiNx、アモルファスSi、n+アモル
ファスSiであり、膜厚はそれぞれ300nm、100
nm、80nmとした。
を島状にパターニングし、絶縁膜40は端子部で除去し
てコンタクトをとれるようにする。
成し、パターニングしてソースバスライン30、ソース
電極31、ドレイン電極32を形成する。
クト層42を取り除くパターニングを行ってTFT26
を完成させ、続いて層間絶縁膜50を形成する。本実施
形態ではアクリル系の感光性樹脂を用いて、全面に均一
に塗布し、露光と現像によりパターニングしてドレイン
電極32に存在するコンタクトホール33及び端子部分
のコンタクトホールを設ける。その後、加熱して樹脂を
硬化させる。
し、パターニングして絵素電極60を形成する。これ
で、アクティブマトリクス基板側は完成する。
対し、色フィルターと対向電極を形成した対向電極を貼
り合わせ、両基板間に液晶を封入することで、反射型液
晶表示装置を得る。
に係る反射型液晶表示装置の蓄積容量(Cs容量)を増
加した場合である。
示装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置
は、TFT26のドレイン電極32から伸びる延伸部3
5を介して、ゲートバスライン20に重ねる重畳部36
を設けている。
を構成するゲートバスライン20と絵素電極60との間
に、ゲート絶縁膜40と層間絶縁膜50の2層が存在す
るのに対し、実施形態2では図5(図4のY−Y線によ
る断面図)に示すように、絵素電極60と同電位の重畳
部36とゲートバスライン20との間で蓄積容量を形成
するので、絶縁膜が1層減った分、実施形態1に比べて
容量の値が大きくなる。このとき、TFTの駆動能力が
許す限り、蓄積容量の値は大きい方が表示品位は向上す
るので、本実施形態による場合はより表示品位の向上を
図れる。
に対して、絵素の色配列が異なる場合の例である。図8
は、本実施形態に係る反射型液晶表示装置を模式的に示
す平面図であり、図9はその詳細図(平面図)である。
のソースバスライン30の片側に2種類の色の絵素を交
互に配したもので、TFT26の位置は常にソースバス
ライン30のどちらか一方側にのみ配設されている。
FT配置や図7に示す色の絵素配置となってしまい、従
来と同様の問題が生じる。
び図9に示すようにTFT26の位置を変更している。
これにより、図10に示すように、絵素を矩形に近付け
ることが可能となる。
1や2の反射型液晶表示装置においてTFTの位置ずれ
が生じても、表示不良の発生を防止することができるよ
うにする場合である。
態4に係る反射型液晶表示装置でもある。
示装置は、絵素形状を各絵素でほぼ同じ形に保つため
に、すなわち同じ形の絵素の繰り返しパターンで全体を
構成することを考えた場合、ソースバスラインの左右に
交互に絵素を振り分けて配置している。当然ながら、T
FT26は、図11(a)に示すようにソースバスライ
ン30の左右に交互に配される。すると、ソース金属を
露光する際に、図11(b)および(c)に示すよう
に、左右どちらか一方にアライメントがずれた場合、ゲ
ート電極に対するソース電極、ドレイン電極の重なり部
分の面積が変わってくる。
重なり部分の面積をSgs、ゲート電極に対するドレイ
ン電極の重なり部分の面積をSgdと表記すると、例え
ば、図11(b)のように左にアライメントがずれた場
合、TFT−AのSgsは減少し、Sgdは増加する。
逆に、TFT−BのSgsは増加し、Sgdは減少す
る。
間の静電容量(Cgd)の違いとして現れる。Cgdは
Sgdと比例関係にあるので、上記のケースでは図11
(a)に示すTFT−AのCgdが増加し、同様に図1
1(a)に示すTFT−BのCgdが減少するというこ
とになる。同一のソースバスラインに属している絵素
が、1絵素おきに異なるCgdを持つ事になり、絵素毎
に最適対向値がずれ、結果としてフリッカーの原因や絵
素の焼き付け残像となってしまう。これは表示画面の品
位を損なう問題となる。
状を提案するのが狙いである。
装置を示す平面図である。この反射型液晶表示装置にお
いては、Cgdのばらつきをなくするために、TFT2
6をソースバスライン30の一方の側にのみ配置してい
る。また、ソースバスライン30の屈曲部にTFTを配
置せねばならないので、これを解決するため、2種類の
TFT26a、26bを、ソースバスライン30に沿っ
て交互に配置するようにする。
列とする。具体的には、図9の上段に位置する絵素で
は、TFT26aはソースバスライン30の左側の屈曲
部の左側に配置されている。一方、下段の絵素では、T
FT26bはソースバスライン30の左側の屈曲部の左
側に設けられている。
絵素の2つ1組で繰り返しパターンの1要素になってお
り、1絵素が設計できれば絵素全体を作製できるが、本
実施形態ではソースバスライン30に沿って隣接する2
種1組の絵素設計が出来て、初めて全体の作製が可能と
なる。設計の際には、絵素電極の面積及びTFTの大き
さが2種1組でほぼ等しくなるように設定した。特に、
TFT26a、26bは、その寸法が同じになるように
した。そして、実際に試作して反射型液晶表示装置の表
示状態を評価したが、縦縞はもちろんのことフリッカー
や残像もなく、本実施形態の構成にすることにより発生
する表示不良は検出されなかった。
形態4に係る他の反射型液晶表示装置を示す平面図であ
る。これら両図は、TFT26のソース電極31とドレ
イン電極32とを配置する方向を、ゲートバスライン2
0とほぼ直交する方向にしてある。図12Bの場合は、
図9と同様にソースバスライン30の一方側のみにTF
T26a、26bを配置しているので、図9と全く同様
の効果が得られる。
イン30に対して左右交互となるようにTFT26a、
26bを配置しているので、上述したアライメントずれ
を考慮すると、ソースバスライン30から突出させてT
FT26a、26bの各ソース電極31とさせてある部
分を、そのTFTのゲート電極21をその幅方向に横切
り、かつ、ゲート電極21よりもアライメントずれ分、
またはそれ以上の寸法だけ余分に突出させる構成として
おく。この構成とすることにより、図9と同様な効果が
得られる。
る反射型液晶表示装置の構成例を示す平面図である。
な考え方は、実施形態4に同じであるが、TFTの配置
場所と構造が異なる。
T26bはソースバスライン30の左側屈曲部の左側に
配置しているが、実施形態5の図13では下段にあるT
FT26bも上段のTFT26aの配置場所とほぼ同じ
箇所、つまり絵素電極60の右下部に置いた。
26bのゲート電極21と交差するようにゲートバスラ
イン20の突出部20aを延長し、その先方にソース電
極31及びドレイン電極32を形成すれば、TFT26
bが形成できる。
施形態1〜5の変形例である。つまり、実施形態1〜5
はすべて、図16に示したように、層間絶縁膜50を有
し、そのため絵素電極60を大きく形成できるものであ
るが、この層間絶縁膜50を持たない構造とすることも
可能である。
極60とが電気的に接触しないように、ソースバスライ
ン30から基板表面と平行方向に離間して絵素電極60
を形成しなければならず、また、TFT26と絵素電極
60とを重ね合わせることもできなくなるので、絵素電
極60の面積は小さくなり、反射効率は悪くなる。ただ
し、蓄積容量は絵素電極60をゲートバスライン20に
重ねるだけで、実施形態2と同等の値を得ることができ
る。実施形態2より簡単な構造で蓄積容量を得ることが
できるのが、この実施形態の特徴である。
は、縦縞が観察されるのを解消することができ、表示品
位の向上を図ることができる反射型液晶表示装置を提供
することが可能となる。
に示す平面図である。
である。
状を示す平面図である。
示す平面図である。
装置を示す平面図である。
示す平面図である。
に示す平面図である。
を詳細に示す平面図である。
を示す平面図である。
交互に設けた構成の一部を示す平面図であり、(b)お
よび(c)はアライメントのずれによるCgdの変化の
説明図(平面図)である。
の詳細を示す平面図である。
装置の詳細を示す平面図である。
を示す平面図である。
平面図である。
面図である。
トランジスタ部分を示す断面図である。
分の無い場合の絵素形状を示す平面図である。
状を示す平面図である。
る色毎の濃淡分布を示す概念図であり、(b)は本発明
の反射型液晶表示装置における色毎の濃淡分布を示す概
念図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 液晶層を挟持する一対の基板の一方の基
板上に、デルタ配列で反射機能を有する絵素電極が設け
られていると共に、各絵素電極の周縁部近傍を通って走
査線と屈曲した信号線とが交差するように形成され、該
走査線および該信号線の交差部近傍に設けられた薄膜ト
ランジスタにて該絵素電極の電位が制御される反射型液
晶表示装置であって、 該走査線の奇数番目および偶数番目の少なくとも一方に
電気的に接続した該薄膜トランジスタが、隣合う信号線
間の距離が該信号線の屈曲にて狭くなっている位置に配
置されている反射型液晶表示装置。 - 【請求項2】 前記薄膜トランジスタが、前記信号線の
片方側のみに配置されている請求項1に記載の反射型液
晶表示装置。 - 【請求項3】 前記絵素電極が、前記薄膜トランジス
タ、前記信号線および前記走査線を覆う層間絶縁膜に設
けたコンタクトホールを介して該薄膜トランジスタのド
レイン電極と電気的に接続され、更に、該絵素電極が、
間に該層間絶縁膜を介した状態で該走査線および該信号
線の少なくとも一方と重畳して形成されている請求項1
または2に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記薄膜トランジスタのソース電極とド
レイン電極とが、前記走査線とほぼ直交する方向に存在
する請求項1に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記信号線に沿って隣接する2種類の薄
膜トランジスタの大きさが等しく、かつ、それら2種類
の薄膜トランジスタの各々に接続されている絵素電極の
大きさも等しい請求項2または4に記載の反射型液晶表
示装置。 - 【請求項6】 前記絵素電極の下方に、絵素電極と同電
位の電極が前記走査線と重畳部を有して存在する請求項
3に記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記絵素電極が、該絵素電極と薄膜トラ
ンジスタを介して電気的に接続されている走査線よりも
先に走査信号が与えられる走査線と重畳して設けられて
いる請求項1〜6のいずれかに記載の反射型液晶表示装
置。 - 【請求項8】 前記薄膜トランジスタの該ソース電極が
該薄膜トランジスタのゲート電極をその幅方向に横切
り、かつ、該ゲート電極よりもアライメントずれ分また
はそれ以上の寸法だけ余分に突出した状態で形成されて
いる請求項4に記載の反射型液晶表示装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006038382A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電極基板及びそれを備えた表示装置 |
JP2008123005A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-05-29 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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---|---|---|---|---|
KR100759978B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2007-09-18 | 삼성전자주식회사 | 수직 배향형 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 색 필터 기판 |
KR100862240B1 (ko) * | 2002-07-31 | 2008-10-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사형 액정표시장치와 그 제조방법 |
JP4520120B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-08-04 | シャープ株式会社 | 白黒液晶表示装置およびその製造方法 |
KR100460979B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2004-12-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
JP4376522B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2009-12-02 | シャープ株式会社 | 電磁波検出器 |
JP3958306B2 (ja) * | 2003-09-02 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US7439667B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device with specific four color arrangement |
TWI402539B (zh) * | 2003-12-17 | 2013-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置和其製造方法 |
KR101054337B1 (ko) * | 2003-12-19 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 |
KR101171176B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치 |
US20080001525A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Au Optronics Corporation | Arrangements of color pixels for full color OLED |
US9523900B2 (en) * | 2012-07-19 | 2016-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
CN103076704A (zh) * | 2013-01-16 | 2013-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0627985B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1994-04-13 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
US5151689A (en) * | 1988-04-25 | 1992-09-29 | Hitachi, Ltd. | Display device with matrix-arranged pixels having reduced number of vertical signal lines |
KR920008056B1 (ko) * | 1988-11-30 | 1992-09-22 | 주식회사 금성사 | 박막액정칼라티브이의 박막액티브매트릭스의 구조 |
JP2814161B2 (ja) * | 1992-04-28 | 1998-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法 |
JPH05328268A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-10 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH0695154A (ja) | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
US5822026A (en) * | 1994-02-17 | 1998-10-13 | Seiko Epson Corporation | Active matrix substrate and color liquid crystal display |
US6372534B1 (en) * | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
JP3464570B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2003-11-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | カラー液晶表示素子 |
-
1997
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1998
- 1998-10-08 US US09/168,319 patent/US6275274B1/en not_active Expired - Lifetime
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- 1998-10-19 CN CNB981215246A patent/CN1161650C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100973810B1 (ko) | 2003-08-11 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 4색 액정 표시 장치 |
US8009250B2 (en) | 2003-08-11 | 2011-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having particular pixel electrodes |
WO2006038382A1 (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | 電極基板及びそれを備えた表示装置 |
US7605885B2 (en) | 2004-10-05 | 2009-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode substrate and display device including the same |
WO2009087705A1 (ja) | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
EP2230657A1 (en) * | 2008-01-10 | 2010-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
EP2230657A4 (en) * | 2008-01-10 | 2011-07-20 | Sharp Kk | Active Matrix Substrate and Liquid Crystal Display Device |
US8274464B2 (en) | 2008-01-10 | 2012-09-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and liquid crystal display device |
JP2008123005A (ja) * | 2008-02-18 | 2008-05-29 | Sharp Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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