JPH11112079A - 応力補償型半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所期の応力補償性能を有する活性層を、再現
性良く安定して構成できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 井戸層３６，３８と障壁層３５，３７，
３９との平均歪量ｆavと、井戸層３６，３８の膜厚と障
壁層３５，３７，３９の膜厚との合計寸法ｔtota l との
間に、次の関係が成立するようにした。 【数１】 【数２】 【数３】 ｎ ：井戸層の層数，ｆｗ：井戸層の歪量，ｔｗ：井戸
層の膜厚，ｍ ：障壁層の層数，ｆb ：障壁層の歪量，
ｔb ：障壁層の膜厚，ν ：ポアッソン比，ｂ0 ：完全
転移のバーガーズベクトルの大きさ ｂp ：部分転位のバーガーズベクトルの大きさ，ｒc ：
転位のハーフループの半径
性良く安定して構成できる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 井戸層３６，３８と障壁層３５，３７，
３９との平均歪量ｆavと、井戸層３６，３８の膜厚と障
壁層３５，３７，３９の膜厚との合計寸法ｔtota l との
間に、次の関係が成立するようにした。 【数１】 【数２】 【数３】 ｎ ：井戸層の層数，ｆｗ：井戸層の歪量，ｔｗ：井戸
層の膜厚，ｍ ：障壁層の層数，ｆb ：障壁層の歪量，
ｔb ：障壁層の膜厚，ν ：ポアッソン比，ｂ0 ：完全
転移のバーガーズベクトルの大きさ ｂp ：部分転位のバーガーズベクトルの大きさ，ｒc ：
転位のハーフループの半径
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザに
関するものである。詳しくは、活性層が応力補償型の多
重量子井戸構造を有する半導体レーザに関するものであ
る。
関するものである。詳しくは、活性層が応力補償型の多
重量子井戸構造を有する半導体レーザに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、活性層が応力補償型の多重量
子井戸構造を有する半導体レーザが提供されている。こ
のタイプの半導体レーザは、たとえば図３に示すような
構造である（Applied Physics Letter, volume 62, No.
14 (1993), p.1644 ）。
子井戸構造を有する半導体レーザが提供されている。こ
のタイプの半導体レーザは、たとえば図３に示すような
構造である（Applied Physics Letter, volume 62, No.
14 (1993), p.1644 ）。
【０００３】図３を参照して、この半導体レーザ１は、
０．９８μｍ〜１．０２μｍ帯のものであって、２層以
上の井戸層を有する活性層を備えている。各井戸層は、
障壁層と隣接して交互に積層されている。０．９８μｍ
〜１．０２μｍ帯の半導体レーザでは、井戸層の半導体
結晶の格子定数が基板の半導体結晶の格子定数よりも大
きくなければならないが、このように格子定数間に整合
性がない場合は、結晶間に生じる応力により欠陥が生じ
易くなる。このため、障壁層の半導体結晶の格子定数を
基板の半導体結晶の格子定数よりも小さくすることによ
り、結晶間に生じる応力を相殺している。
０．９８μｍ〜１．０２μｍ帯のものであって、２層以
上の井戸層を有する活性層を備えている。各井戸層は、
障壁層と隣接して交互に積層されている。０．９８μｍ
〜１．０２μｍ帯の半導体レーザでは、井戸層の半導体
結晶の格子定数が基板の半導体結晶の格子定数よりも大
きくなければならないが、このように格子定数間に整合
性がない場合は、結晶間に生じる応力により欠陥が生じ
易くなる。このため、障壁層の半導体結晶の格子定数を
基板の半導体結晶の格子定数よりも小さくすることによ
り、結晶間に生じる応力を相殺している。
【０００４】具体的に説明すると、図３に示す半導体レ
ーザ１は、ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−ＧａＩｎＰ下
クラッド層３，アンドープＧａＩｎＡｓＰ第１光閉込層
４，活性層１５，アンドープＧａＩｎＡｓＰ第２光閉込
層１２，ｐ−ＧａＩｎＰ上クラッド層１３，ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層１４を順次積層することにより構成され
ている。活性層１５は、アンドープＧａＡｓＰ第１障壁
層５，アンドープＩｎＧａＡｓ第１井戸層６，アンドー
プＧａＡｓＰ第２障壁層７，アンドープＩｎＧａＡｓ第
２井戸層８，アンドープＧａＡｓＰ第３障壁層９，アン
ドープＩｎＧａＡｓ第３井戸層１０，アンドープＧａＡ
ｓＰ第４障壁層１１を順次積層することにより構成され
ている。
ーザ１は、ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−ＧａＩｎＰ下
クラッド層３，アンドープＧａＩｎＡｓＰ第１光閉込層
４，活性層１５，アンドープＧａＩｎＡｓＰ第２光閉込
層１２，ｐ−ＧａＩｎＰ上クラッド層１３，ｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層１４を順次積層することにより構成され
ている。活性層１５は、アンドープＧａＡｓＰ第１障壁
層５，アンドープＩｎＧａＡｓ第１井戸層６，アンドー
プＧａＡｓＰ第２障壁層７，アンドープＩｎＧａＡｓ第
２井戸層８，アンドープＧａＡｓＰ第３障壁層９，アン
ドープＩｎＧａＡｓ第３井戸層１０，アンドープＧａＡ
ｓＰ第４障壁層１１を順次積層することにより構成され
ている。
【０００５】ここで、Ｉｎは、ＧａＡｓに対してその格
子定数を大きくする作用があり、Ｐは、ＧａＡｓに対し
てその格子定数を小さくする作用がある。そして、この
性質を利用して、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層の格子定
数をＧａＡｓからなる基板２の格子定数よりも大きく
し、また、ＧａＡｓＰからなる障壁層の格子定数をＧａ
Ａｓからなる基板２の格子定数よりも小さくしている。
このようにして、半導体結晶間に生じる応力を相殺し、
所要の応力補償性能を有する活性層１５を構成してい
る。
子定数を大きくする作用があり、Ｐは、ＧａＡｓに対し
てその格子定数を小さくする作用がある。そして、この
性質を利用して、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層の格子定
数をＧａＡｓからなる基板２の格子定数よりも大きく
し、また、ＧａＡｓＰからなる障壁層の格子定数をＧａ
Ａｓからなる基板２の格子定数よりも小さくしている。
このようにして、半導体結晶間に生じる応力を相殺し、
所要の応力補償性能を有する活性層１５を構成してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、基板２上に各半導体層を積層する際には、たとえば
ＭＯＣＶＤ法等が採用されるが、反応炉中に供給する結
晶成長用のガスの切換えを行う際に、次のような問題が
ある。
に、基板２上に各半導体層を積層する際には、たとえば
ＭＯＣＶＤ法等が採用されるが、反応炉中に供給する結
晶成長用のガスの切換えを行う際に、次のような問題が
ある。
【０００７】すなわち、ＩｎＧａＡｓからなる井戸層
６，８，１０とＧａＡｓＰからなる障壁層５，７，９，
１１とを交互に積層する際に、これら各層を構成するた
めの材料ガスの切換えが必要であるが、特に、Ａｓ用材
料ガス（ＡＨ3 ）とＰ用材料ガス（ＰＨ3 ）との急峻な
切換えが困難であるという問題がある。
６，８，１０とＧａＡｓＰからなる障壁層５，７，９，
１１とを交互に積層する際に、これら各層を構成するた
めの材料ガスの切換えが必要であるが、特に、Ａｓ用材
料ガス（ＡＨ3 ）とＰ用材料ガス（ＰＨ3 ）との急峻な
切換えが困難であるという問題がある。
【０００８】詳しく説明すると、井戸層６，８，１０は
ＩｎＧａＡｓからなり、障壁層５，７，９，１１はＧａ
ＡｓＰからなるが、これら半導体層のＡｓの組成割合が
異なっている。また、障壁層５，７，９，１１はＰを含
むが、井戸層はＰを含んでいない。このため、井戸層
６，８，１０と障壁層５，７，９，１１とを交互に積層
する際には、ＡｓＨ3 ガスの供給量の切換えおよびＰＨ
3 ガスの供給／停止の切換えが必要になる。
ＩｎＧａＡｓからなり、障壁層５，７，９，１１はＧａ
ＡｓＰからなるが、これら半導体層のＡｓの組成割合が
異なっている。また、障壁層５，７，９，１１はＰを含
むが、井戸層はＰを含んでいない。このため、井戸層
６，８，１０と障壁層５，７，９，１１とを交互に積層
する際には、ＡｓＨ3 ガスの供給量の切換えおよびＰＨ
3 ガスの供給／停止の切換えが必要になる。
【０００９】その一方、ＡｓＨ3 ガスやＰＨ3 ガスに代
表されるＶ族ガスは、反応炉の中に残留しやすく、ガス
の確実な切換えが容易でないという性質がある。しか
も、これらガスの切換えを確実に行えないと、井戸層
６，８，１０および障壁層５，７，９，１１の所要の格
子定数を実現することができなくなり、その結果、所期
の応力補償性能を有する活性層１５を構成することがで
きなくなる。つまり、従来では、上述した活性層１５を
安定して形成することが困難であるという問題があっ
た。
表されるＶ族ガスは、反応炉の中に残留しやすく、ガス
の確実な切換えが容易でないという性質がある。しか
も、これらガスの切換えを確実に行えないと、井戸層
６，８，１０および障壁層５，７，９，１１の所要の格
子定数を実現することができなくなり、その結果、所期
の応力補償性能を有する活性層１５を構成することがで
きなくなる。つまり、従来では、上述した活性層１５を
安定して形成することが困難であるという問題があっ
た。
【００１０】そこで、本発明は、所期の応力補償性能を
有する活性層を安定して構成することができる半導体レ
ーザを提供することを目的とするものである。
有する活性層を安定して構成することができる半導体レ
ーザを提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）に係
る応力補償型半導体レーザは、半導体基板と、半導体基
板上に形成されたクラッド層と、クラッド層上に形成さ
れ、複数の井戸層および障壁層を備えた多重量子井戸構
造の活性層を有する０．９８〜１．０２μｍ帯の応力補
償型半導体レーザにおいて、井戸層の層数，歪量，膜厚
を、それぞれ、ｎ，ｆｗ，ｔｗとし、障壁層の層数，歪
量，膜厚を、それぞれ、ｍ，ｆb ，ｔbとした場合に、
井戸層と障壁層との平均歪量ｆavと、井戸層の膜厚と障
壁層の膜厚との合計寸法ｔtotal との間に、次の関係が
成立することを特徴とするものである。
る応力補償型半導体レーザは、半導体基板と、半導体基
板上に形成されたクラッド層と、クラッド層上に形成さ
れ、複数の井戸層および障壁層を備えた多重量子井戸構
造の活性層を有する０．９８〜１．０２μｍ帯の応力補
償型半導体レーザにおいて、井戸層の層数，歪量，膜厚
を、それぞれ、ｎ，ｆｗ，ｔｗとし、障壁層の層数，歪
量，膜厚を、それぞれ、ｍ，ｆb ，ｔbとした場合に、
井戸層と障壁層との平均歪量ｆavと、井戸層の膜厚と障
壁層の膜厚との合計寸法ｔtotal との間に、次の関係が
成立することを特徴とするものである。
【００１２】
【数４】
【００１３】
【数５】
【００１４】
【数６】
【００１５】ν ：ポアッソン比 ｂ0 ：完全転位のバーガーズベクトルの大きさ ｂp ：部分転位のバーガーズベクトルの大きさ ｒc ：転位のハーフループの半径 この構成によれば、次の作用を奏する。
【００１６】
【数７】
【００１７】に示す関係を、縦軸に井戸層の膜厚と障壁
層の膜厚との合計寸法ｔtotal をとり、横軸に井戸層と
障壁層との平均歪量ｆavをとってグラフ化すると、図２
に示す直線Ｌとなる。そして、たとえば、ＩｎＧａＡｓ
により井戸層を構成すると共にＧａＡｓＰにより障壁層
を構成し、これら井戸層および障壁層の層数，歪量，膜
厚の条件を変えて種々のサンプルを製作し、フォトルミ
ネッセンス法によって欠陥（ダークライン）が生じてい
るかどうかを検査した。図２に示す白プロットおよび黒
プロットは、当該検査の結果を示している。ここで、白
プロットは、欠陥が発見されなかったものであり、黒プ
ロットは、欠陥が発見されたものである。図２に示すよ
うに、
層の膜厚との合計寸法ｔtotal をとり、横軸に井戸層と
障壁層との平均歪量ｆavをとってグラフ化すると、図２
に示す直線Ｌとなる。そして、たとえば、ＩｎＧａＡｓ
により井戸層を構成すると共にＧａＡｓＰにより障壁層
を構成し、これら井戸層および障壁層の層数，歪量，膜
厚の条件を変えて種々のサンプルを製作し、フォトルミ
ネッセンス法によって欠陥（ダークライン）が生じてい
るかどうかを検査した。図２に示す白プロットおよび黒
プロットは、当該検査の結果を示している。ここで、白
プロットは、欠陥が発見されなかったものであり、黒プ
ロットは、欠陥が発見されたものである。図２に示すよ
うに、
【００１８】
【数８】
【００１９】を満足する領域、すなわち直線Ｌの左側に
おいては、活性層に欠陥が生じていない。つまり、上記
３つの関係式を満足するように活性層を形成することに
よって、活性層に欠陥の生じない半導体レーザを製作す
ることができる。また、
おいては、活性層に欠陥が生じていない。つまり、上記
３つの関係式を満足するように活性層を形成することに
よって、活性層に欠陥の生じない半導体レーザを製作す
ることができる。また、
【００２０】
【数９】
【００２１】を満足するように活性層を形成すること
は、すなわち、井戸層と障壁層との平均歪量を正にとる
ことである。言い換えると、たとえばＧａＡｓからなる
基板に対してＩｎＧａＡｓ井戸層は圧縮歪みが生じ、Ｇ
ａＡｓＰ障壁層は引張歪みが生じるのであるが、全体と
しての平均歪量を正にとるということは、ＧａＡｓＰ障
壁層の歪み量を小さくすること、つまり、ＡｓＨ3 ガス
およびＰＨ3 ガスの切換え量の方を少なくすることを意
味する。従って、井戸層と障壁層とを交互に積層形成す
る際に、Ｖ族ガスの切換えが容易になり、井戸層および
障壁層の所要の格子定数を安定して実現することができ
る。その結果、所期の応力補償性能を有する活性層を安
定して構成することができる。
は、すなわち、井戸層と障壁層との平均歪量を正にとる
ことである。言い換えると、たとえばＧａＡｓからなる
基板に対してＩｎＧａＡｓ井戸層は圧縮歪みが生じ、Ｇ
ａＡｓＰ障壁層は引張歪みが生じるのであるが、全体と
しての平均歪量を正にとるということは、ＧａＡｓＰ障
壁層の歪み量を小さくすること、つまり、ＡｓＨ3 ガス
およびＰＨ3 ガスの切換え量の方を少なくすることを意
味する。従って、井戸層と障壁層とを交互に積層形成す
る際に、Ｖ族ガスの切換えが容易になり、井戸層および
障壁層の所要の格子定数を安定して実現することができ
る。その結果、所期の応力補償性能を有する活性層を安
定して構成することができる。
【００２２】また、本発明（請求項２）に係る応力補償
型半導体レーザは、請求項１記載の応力補償型半導体レ
ーザにおいて、井戸層をＩｎＧａＡｓにより構成し、障
壁層をＧａＡｓＰにより構成したことを特徴とするもの
である。
型半導体レーザは、請求項１記載の応力補償型半導体レ
ーザにおいて、井戸層をＩｎＧａＡｓにより構成し、障
壁層をＧａＡｓＰにより構成したことを特徴とするもの
である。
【００２３】この構成によれば、請求項１に係る発明と
同様の作用を奏する。特に、本請求項に係る発明では、
一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸層を構成
し、ＧａＡｓＰにより障壁層を構成したので、特別の結
晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結晶成長装
置を使用して活性層を形成することができる。
同様の作用を奏する。特に、本請求項に係る発明では、
一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸層を構成
し、ＧａＡｓＰにより障壁層を構成したので、特別の結
晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結晶成長装
置を使用して活性層を形成することができる。
【００２４】しかも、障壁層をＧａＡｓＰにより構成す
ることにより、一層安定して活性層を形成することがで
きるという利点がある。
ることにより、一層安定して活性層を形成することがで
きるという利点がある。
【００２５】詳しく説明すると、障壁層として、たとえ
ばＩｎＧａＡｓＰを採用することもできる。しかしなが
ら、障壁層を構成する要素にＩｎを含めた場合には、格
子定数を大きくするというＩｎの性質から、これを相殺
するために、障壁層を構成する要素にＰを多く含ませる
必要が生じる。このため、障壁層の構成要素であるＰガ
スの切換え量を多くせざるを得ず、結果としてＶ族ガス
の正確な切換えを実現しにくくなるという不都合が生じ
る。これに対して、本請求項に係る発明では、障壁層を
ＧａＡｓＰにより構成したので、上記不都合が生じず、
安定した活性層の形成を実現することができる。
ばＩｎＧａＡｓＰを採用することもできる。しかしなが
ら、障壁層を構成する要素にＩｎを含めた場合には、格
子定数を大きくするというＩｎの性質から、これを相殺
するために、障壁層を構成する要素にＰを多く含ませる
必要が生じる。このため、障壁層の構成要素であるＰガ
スの切換え量を多くせざるを得ず、結果としてＶ族ガス
の正確な切換えを実現しにくくなるという不都合が生じ
る。これに対して、本請求項に係る発明では、障壁層を
ＧａＡｓＰにより構成したので、上記不都合が生じず、
安定した活性層の形成を実現することができる。
【００２６】さらに、本発明（請求項３）に係る応力補
償型半導体レーザは、請求項１または２記載の応力補償
型半導体レーザにおいて、クラッド層をＡｌＧａＡｓに
より構成したことを特徴とするものである。
償型半導体レーザは、請求項１または２記載の応力補償
型半導体レーザにおいて、クラッド層をＡｌＧａＡｓに
より構成したことを特徴とするものである。
【００２７】この構成によれば、請求項１または２に係
る発明と同様の作用を奏する。加えて、本請求項に係る
発明では、クラッド層をＡｌＧａＡｓにより構成するこ
とにより、なお一層安定して活性層を形成することがで
きるという利点がある。
る発明と同様の作用を奏する。加えて、本請求項に係る
発明では、クラッド層をＡｌＧａＡｓにより構成するこ
とにより、なお一層安定して活性層を形成することがで
きるという利点がある。
【００２８】詳しく説明すると、クラッド層として、た
とえばＩｎＧａＰを採用することもできる。しかしなが
ら、クラッド層をＩｎＧａＰにより構成すると、井戸層
の形成の際にＰガスの切換え量を大きくしなければなら
なくなる。このため、結果としてＶ族ガスの正確な切換
えを実現しにくくなるという不都合が生じる。これに対
して、本請求項に係る発明では、クラッド層をＡｌＧａ
Ａｓにより構成したので、活性層の形成の際にＰガスの
少量の切換えのみを行えば良く、上記不都合が生じな
い。従って、安定した活性層の形成を実現することがで
きる。
とえばＩｎＧａＰを採用することもできる。しかしなが
ら、クラッド層をＩｎＧａＰにより構成すると、井戸層
の形成の際にＰガスの切換え量を大きくしなければなら
なくなる。このため、結果としてＶ族ガスの正確な切換
えを実現しにくくなるという不都合が生じる。これに対
して、本請求項に係る発明では、クラッド層をＡｌＧａ
Ａｓにより構成したので、活性層の形成の際にＰガスの
少量の切換えのみを行えば良く、上記不都合が生じな
い。従って、安定した活性層の形成を実現することがで
きる。
【００２９】また、本発明（請求項４）に係る応力補償
型半導体レーザは、請求項１ないし３のいずれかに記載
の応力補償型半導体レーザにおいて、歪の方向は、圧縮
歪みの方向が正の方向であるとした場合、井戸層の層数
を、２ないし４とし、井戸層の歪量を、０．００８ない
し０．０１５とし、井戸層の膜厚を、０．００５μｍな
いし０．０２μｍとし、かつ障壁層の層数を、３ないし
５とし、障壁層の歪量を、−０．０１ないし０とし、障
壁層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０３μｍとし
たことを特徴とするものである。
型半導体レーザは、請求項１ないし３のいずれかに記載
の応力補償型半導体レーザにおいて、歪の方向は、圧縮
歪みの方向が正の方向であるとした場合、井戸層の層数
を、２ないし４とし、井戸層の歪量を、０．００８ない
し０．０１５とし、井戸層の膜厚を、０．００５μｍな
いし０．０２μｍとし、かつ障壁層の層数を、３ないし
５とし、障壁層の歪量を、−０．０１ないし０とし、障
壁層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０３μｍとし
たことを特徴とするものである。
【００３０】この構成によれば、請求項１ないし３のい
ずれかに係る発明と同様の作用を奏する。加えて、各層
について上記条件を設定することにより、半導体レーザ
のしきい値電流特性や温度特性を良好に保つことができ
る。
ずれかに係る発明と同様の作用を奏する。加えて、各層
について上記条件を設定することにより、半導体レーザ
のしきい値電流特性や温度特性を良好に保つことができ
る。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体
レーザの主要部を模式的に示す断面図である。
て説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体
レーザの主要部を模式的に示す断面図である。
【００３２】この半導体レーザ３０は、０．９８〜１．
０２μｍ帯の応力補償型のものであって、二層の井戸層
３６，３８およびこれと交互に積層された３層の障壁層
３５，３７，３９を備えた多重量子井戸構造の活性層３
１を有している。
０２μｍ帯の応力補償型のものであって、二層の井戸層
３６，３８およびこれと交互に積層された３層の障壁層
３５，３７，３９を備えた多重量子井戸構造の活性層３
１を有している。
【００３３】半導体レーザ３０の構造について説明する
と、半導体レーザ３０は、ｎ−ＧａＡｓ基板３２上に、
ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ下クラッド層３３，アンドー
プＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ第１光閉込層３４，アンドープ
ＧａＡｓ0.9 Ｐ0.1 第１障壁層３５，アンドープＩｎ
0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１井戸層３６，アンドープＧａＡｓ
0.9 Ｐ0.1 第２障壁層３７，アンドープＩｎ0.18Ｇａ
0.82Ａｓ第２井戸層３８，アンドープＧａＡｓ0.9 Ｐ
0.1 第３障壁層３９，アンドープＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
第２光閉込層４０，ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ上クラッ
ド層４１，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４２を順次積層す
ることにより構成されている。
と、半導体レーザ３０は、ｎ−ＧａＡｓ基板３２上に、
ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ下クラッド層３３，アンドー
プＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ第１光閉込層３４，アンドープ
ＧａＡｓ0.9 Ｐ0.1 第１障壁層３５，アンドープＩｎ
0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１井戸層３６，アンドープＧａＡｓ
0.9 Ｐ0.1 第２障壁層３７，アンドープＩｎ0.18Ｇａ
0.82Ａｓ第２井戸層３８，アンドープＧａＡｓ0.9 Ｐ
0.1 第３障壁層３９，アンドープＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓ
第２光閉込層４０，ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ上クラッ
ド層４１，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４２を順次積層す
ることにより構成されている。
【００３４】各層の膜厚は、ｎ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ
下クラッド層３３が１．６μｍ、アンドープＡｌ0.2 Ｇ
ａ0.8 Ａｓ第１，第２光閉込層３４，４０が０．０２μ
ｍ、アンドープＧａＡｓ0.9 Ｐ0.1 第１，第２，第３障
壁層３５，３７，３９が０．０１μｍ、アンドープＩｎ
0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１，第２井戸層３６，３８が０．０
０８μｍ、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ上クラッド層４１
が１．６μｍ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４２が０．２
μｍである。
下クラッド層３３が１．６μｍ、アンドープＡｌ0.2 Ｇ
ａ0.8 Ａｓ第１，第２光閉込層３４，４０が０．０２μ
ｍ、アンドープＧａＡｓ0.9 Ｐ0.1 第１，第２，第３障
壁層３５，３７，３９が０．０１μｍ、アンドープＩｎ
0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１，第２井戸層３６，３８が０．０
０８μｍ、ｐ−Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ上クラッド層４１
が１．６μｍ、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４２が０．２
μｍである。
【００３５】また、アンドープＧａＡｓ0.9 Ｐ0.1 第
１，第２，第３障壁層３５，３７，３９およびアンドー
プＩｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１，第２井戸層３６，３８の
歪量は、それぞれ、−０．４％および＋１．３％に設定
されている。ここで、正の符号は、圧縮歪みであること
を意味し、負の符号は、引張歪みであることを意味して
いる。
１，第２，第３障壁層３５，３７，３９およびアンドー
プＩｎ0.18Ｇａ0.82Ａｓ第１，第２井戸層３６，３８の
歪量は、それぞれ、−０．４％および＋１．３％に設定
されている。ここで、正の符号は、圧縮歪みであること
を意味し、負の符号は、引張歪みであることを意味して
いる。
【００３６】また、井戸層３６，３８と障壁層３５，３
７，３９との膜厚の合計ｔtotal は、０．０４６μｍで
あることから、平均歪量ｆavは、
７，３９との膜厚の合計ｔtotal は、０．０４６μｍで
あることから、平均歪量ｆavは、
【００３７】
【数１０】
【００３８】により求めることができる。ここで、ｎは
井戸層３６，３８の層数であり、本実施の形態では２で
ある。また、ｆw は井戸層３６，３８の歪量であり、本
実施の形態では、＋１．３％である。さらに、ｔw は井
戸層３６，３８の膜厚であり、本実施の形態では、０．
００８である。一方、ｍは障壁層３５，３７，３９の層
数であり、本実施の形態では３である。また、ｆb は障
壁層３５，３７，３９の歪量であり、本実施の形態で
は、−０．４％である。さらに、ｔb は障壁層３５，３
７，３９の膜厚であり、本実施の形態では、０．０１で
ある。以上の数値を代入して上記式の演算を実行する
と、平均歪量ｆavは、＋０．２％となる。また、このこ
とは、
井戸層３６，３８の層数であり、本実施の形態では２で
ある。また、ｆw は井戸層３６，３８の歪量であり、本
実施の形態では、＋１．３％である。さらに、ｔw は井
戸層３６，３８の膜厚であり、本実施の形態では、０．
００８である。一方、ｍは障壁層３５，３７，３９の層
数であり、本実施の形態では３である。また、ｆb は障
壁層３５，３７，３９の歪量であり、本実施の形態で
は、−０．４％である。さらに、ｔb は障壁層３５，３
７，３９の膜厚であり、本実施の形態では、０．０１で
ある。以上の数値を代入して上記式の演算を実行する
と、平均歪量ｆavは、＋０．２％となる。また、このこ
とは、
【００３９】
【数１１】
【００４０】を満たしている。本実施の形態の特徴とす
るところは、単一の半導体薄膜層について、その膜厚と
歪量との間に成り立つMaree の式を、上記多層の半導体
層からなる活性層３１について適用することにより、活
性層３１を積層形成する際に、各井戸層３６，３８およ
び障壁層３５，３７，３９の所要の格子定数を実現し、
所期の応力補償性能を安定して発揮させることができる
ようになっている点である。本実施の形態に適用するMa
ree の式は、
るところは、単一の半導体薄膜層について、その膜厚と
歪量との間に成り立つMaree の式を、上記多層の半導体
層からなる活性層３１について適用することにより、活
性層３１を積層形成する際に、各井戸層３６，３８およ
び障壁層３５，３７，３９の所要の格子定数を実現し、
所期の応力補償性能を安定して発揮させることができる
ようになっている点である。本実施の形態に適用するMa
ree の式は、
【００４１】
【数１２】
【００４２】である。ここで、νは、活性層３１のポア
ッソン比，ｂ0 は完全転移のバーガーズベクトルの大き
さ，ｂp は部分転位のバーガーズベクトルの大きさ，ｒ
c は転位のハーフループの半径を示しており、これらの
数値は、活性層３１を構成する材料が決定すれば定まる
ものである。なお、本実施の形態では、これらの値は、
ポアッソン比νが０．３１，完全転移のバーガーズベク
トルの大きさｂ0 が４．０オングストローム，部分転位
のバーガーズベクトルの大きさｂp が２．３オングスト
ローム，転位のハーフループの半径ｒc が８４４オング
ストロームに設定されている。図２は、
ッソン比，ｂ0 は完全転移のバーガーズベクトルの大き
さ，ｂp は部分転位のバーガーズベクトルの大きさ，ｒ
c は転位のハーフループの半径を示しており、これらの
数値は、活性層３１を構成する材料が決定すれば定まる
ものである。なお、本実施の形態では、これらの値は、
ポアッソン比νが０．３１，完全転移のバーガーズベク
トルの大きさｂ0 が４．０オングストローム，部分転位
のバーガーズベクトルの大きさｂp が２．３オングスト
ローム，転位のハーフループの半径ｒc が８４４オング
ストロームに設定されている。図２は、
【００４３】
【数１３】
【００４４】に示す関係を、縦軸に井戸層３６，３８の
膜厚と障壁層３５，３７，３９の膜厚との合計寸法ｔ
total をとり、横軸に井戸層３６，３８と障壁層３５，
３７，３９との平均歪量ｆavをとってグラフ化したもの
である。図２に示す直線Ｌは、上記関係式を満たすこと
を示している。
膜厚と障壁層３５，３７，３９の膜厚との合計寸法ｔ
total をとり、横軸に井戸層３６，３８と障壁層３５，
３７，３９との平均歪量ｆavをとってグラフ化したもの
である。図２に示す直線Ｌは、上記関係式を満たすこと
を示している。
【００４５】そして、井戸層をＩｎＧａＡｓにより構成
すると共に、障壁層をＧａＡｓＰにより構成し、これら
井戸層および障壁層の層数，歪量，膜厚の条件を変えて
種々のサンプルを製作し、フォトルミネッセンス法によ
って活性層に欠陥（ダークライン）が生じているかどう
かを検査した。図２に示す白プロットおよび黒プロット
は、当該検査の結果を示している。ここで、白プロット
は、欠陥が発見されなかったものであり、黒プロット
は、欠陥が発見されたものである。
すると共に、障壁層をＧａＡｓＰにより構成し、これら
井戸層および障壁層の層数，歪量，膜厚の条件を変えて
種々のサンプルを製作し、フォトルミネッセンス法によ
って活性層に欠陥（ダークライン）が生じているかどう
かを検査した。図２に示す白プロットおよび黒プロット
は、当該検査の結果を示している。ここで、白プロット
は、欠陥が発見されなかったものであり、黒プロット
は、欠陥が発見されたものである。
【００４６】本実施の形態に係る半導体レーザ３０につ
いての検査結果は、参照符号Ｐ1 に示す白プロットで表
されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体レー
ザ３０では、活性層３１が上記構成を有することによ
り、活性層３１に欠陥が生じない。しかも、活性層３１
については、
いての検査結果は、参照符号Ｐ1 に示す白プロットで表
されている。すなわち、本実施の形態に係る半導体レー
ザ３０では、活性層３１が上記構成を有することによ
り、活性層３１に欠陥が生じない。しかも、活性層３１
については、
【００４７】
【数１４】
【００４８】を満足している。詳しく説明すると、井戸
層３６，３８と障壁層３５，３７，３９との平均歪量ｆ
avが正となっている。言い換えると、ＧａＡｓからなる
基板３２に対してＩｎＧａＡｓ井戸層３６，３８は圧縮
歪みが生じ、ＧａＡｓＰ障壁層３５，３７，３９は引張
歪みが生じるのであるが、全体としての平均歪量ｆavが
正となっているということは、活性層３１を形成する際
に、ＧａＡｓＰ障壁層３５，３７，３９の歪み量を小さ
くすること、つまり、ＡｓガスおよびＰガスの切換え量
の方を少なくすることを意味する。従って、井戸層３
６，３８と障壁層３５，３７，３９とを交互に積層形成
する際に、Ｖ族ガスの切換えが容易になり、井戸層３
６，３８および障壁層３５，３７，３９の所要の格子定
数を安定して実現することができる。その結果、所期の
応力補償性能を有する活性層を再現性良く安定して構成
することができる。
層３６，３８と障壁層３５，３７，３９との平均歪量ｆ
avが正となっている。言い換えると、ＧａＡｓからなる
基板３２に対してＩｎＧａＡｓ井戸層３６，３８は圧縮
歪みが生じ、ＧａＡｓＰ障壁層３５，３７，３９は引張
歪みが生じるのであるが、全体としての平均歪量ｆavが
正となっているということは、活性層３１を形成する際
に、ＧａＡｓＰ障壁層３５，３７，３９の歪み量を小さ
くすること、つまり、ＡｓガスおよびＰガスの切換え量
の方を少なくすることを意味する。従って、井戸層３
６，３８と障壁層３５，３７，３９とを交互に積層形成
する際に、Ｖ族ガスの切換えが容易になり、井戸層３
６，３８および障壁層３５，３７，３９の所要の格子定
数を安定して実現することができる。その結果、所期の
応力補償性能を有する活性層を再現性良く安定して構成
することができる。
【００４９】特に、本実施の形態では、半導体レーザの
製造に一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸層３
６，３８を構成し、ＧａＡｓＰにより障壁層３５，３
７，３９を構成したので、活性層３１を形成するために
特別の結晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結
晶成長装置を使用することができる。
製造に一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸層３
６，３８を構成し、ＧａＡｓＰにより障壁層３５，３
７，３９を構成したので、活性層３１を形成するために
特別の結晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結
晶成長装置を使用することができる。
【００５０】しかも、障壁層３５，３７，３９をＧａＡ
ｓＰにより構成することにより、一層安定して活性層３
１を形成することができるという利点もある。
ｓＰにより構成することにより、一層安定して活性層３
１を形成することができるという利点もある。
【００５１】詳しく説明すると、障壁層として、たとえ
ばＩｎＧａＡｓＰを採用することもできる。しかしなが
ら、障壁層を構成する要素にＩｎを含めた場合には、格
子定数を大きくするというＩｎの性質から、これを相殺
するために、障壁層を構成する要素にＰを多く含ませる
必要が生じる。このため、障壁層の構成要素であるＰガ
スの切換え量を多くせざるを得ず、結果としてＶ族ガス
の正確な切換えを実現しにくくなるという不都合が生じ
る。これに対して、本実施の形態では、障壁層３５，３
７，３９をＧａＡｓＰにより構成したので、上記不都合
が生じず、安定した活性層３１の形成を実現することが
できる。また、図２を参照して、本実施の形態に限らず
一般的に、
ばＩｎＧａＡｓＰを採用することもできる。しかしなが
ら、障壁層を構成する要素にＩｎを含めた場合には、格
子定数を大きくするというＩｎの性質から、これを相殺
するために、障壁層を構成する要素にＰを多く含ませる
必要が生じる。このため、障壁層の構成要素であるＰガ
スの切換え量を多くせざるを得ず、結果としてＶ族ガス
の正確な切換えを実現しにくくなるという不都合が生じ
る。これに対して、本実施の形態では、障壁層３５，３
７，３９をＧａＡｓＰにより構成したので、上記不都合
が生じず、安定した活性層３１の形成を実現することが
できる。また、図２を参照して、本実施の形態に限らず
一般的に、
【００５２】
【数１５】
【００５３】を満足する領域、すなわち直線Ｌの左側に
おいては、活性層に欠陥が生じていない。つまり、上述
の３つの関係式を満足するように活性層を形成すること
によって、活性層に欠陥の生じない半導体レーザを製作
することができ、上記作用効果を奏することができる。
おいては、活性層に欠陥が生じていない。つまり、上述
の３つの関係式を満足するように活性層を形成すること
によって、活性層に欠陥の生じない半導体レーザを製作
することができ、上記作用効果を奏することができる。
【００５４】さらに、本実施の形態によれば、下クラッ
ド層３３および上クラッド層４１をＡｌＧａＡｓにより
構成することにより、なお一層安定して活性層３１を形
成することができるという利点がある。
ド層３３および上クラッド層４１をＡｌＧａＡｓにより
構成することにより、なお一層安定して活性層３１を形
成することができるという利点がある。
【００５５】詳しく説明すると、クラッド層として、た
とえばＩｎＧａＰを採用することもできる。しかしなが
ら、クラッド層をＩｎＧａＰにより構成すると、井戸層
の形成の際にＰガスの切換え量を大きくしなければなら
なくなる。このため、結果としてＶ族ガスの正確な切換
えを実現しにくくなるという不都合が生じる。これに対
して、本実施の形態では、クラッド層３３，４１をＡｌ
ＧａＡｓにより構成したので、活性層３１の形成の際に
Ｐガスの少量の切換えのみを行えば良く、上記不都合が
生じない。従って、一層安定した活性層３１の形成を実
現することができる。
とえばＩｎＧａＰを採用することもできる。しかしなが
ら、クラッド層をＩｎＧａＰにより構成すると、井戸層
の形成の際にＰガスの切換え量を大きくしなければなら
なくなる。このため、結果としてＶ族ガスの正確な切換
えを実現しにくくなるという不都合が生じる。これに対
して、本実施の形態では、クラッド層３３，４１をＡｌ
ＧａＡｓにより構成したので、活性層３１の形成の際に
Ｐガスの少量の切換えのみを行えば良く、上記不都合が
生じない。従って、一層安定した活性層３１の形成を実
現することができる。
【００５６】加えて、本実施の形態に係る半導体レーザ
３０の活性層３１は、図１に示した構成に限らず、井戸
層の層数を、２ないし４とし、井戸層の歪量を、０．０
０８ないし０．０１５とし、井戸層の膜厚を、０．００
５μｍないし０．０２μｍとし、かつ障壁層の層数を、
３ないし５とし、障壁層の歪量を、−０．０１ないし０
とし、障壁層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０３
μｍとすることにより、本実施の形態に係る半導体レー
ザ３０と同様の作用効果を奏する旨の知見を得ている。
しかも、かかる条件の下で活性層を構成することによ
り、半導体レーザのしきい値電流特性や温度特性を良好
に保つことができる。
３０の活性層３１は、図１に示した構成に限らず、井戸
層の層数を、２ないし４とし、井戸層の歪量を、０．０
０８ないし０．０１５とし、井戸層の膜厚を、０．００
５μｍないし０．０２μｍとし、かつ障壁層の層数を、
３ないし５とし、障壁層の歪量を、−０．０１ないし０
とし、障壁層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０３
μｍとすることにより、本実施の形態に係る半導体レー
ザ３０と同様の作用効果を奏する旨の知見を得ている。
しかも、かかる条件の下で活性層を構成することによ
り、半導体レーザのしきい値電流特性や温度特性を良好
に保つことができる。
【００５７】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、井戸層と
障壁層とを交互に積層形成する際に、Ｖ族ガスの切換え
を容易に行うことができ、井戸層および障壁層の所要の
格子定数を安定して実現することができる。従って、所
期の応力補償性能を有する活性層を安定して構成するこ
とができ、結晶劣化が起こりにくく信頼性に優れた半導
体レーザを再現性よく得ることができるという効果があ
る。
障壁層とを交互に積層形成する際に、Ｖ族ガスの切換え
を容易に行うことができ、井戸層および障壁層の所要の
格子定数を安定して実現することができる。従って、所
期の応力補償性能を有する活性層を安定して構成するこ
とができ、結晶劣化が起こりにくく信頼性に優れた半導
体レーザを再現性よく得ることができるという効果があ
る。
【００５８】請求項２に係る発明によれば、請求項１に
係る発明と同様の効果を奏する。特に、本請求項に係る
発明では、一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸
層を構成し、ＧａＡｓＰにより障壁層を構成したので、
特別の結晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結
晶成長装置を使用して活性層を形成することができる。
従って、大幅なコストの上昇を伴わずに、結晶劣化が起
こりにくく信頼性に優れた半導体レーザを再現性よく得
ることができるという効果がある。しかも、障壁層をＧ
ａＡｓＰにより構成することにより、活性層を形成する
際のＰガスの切換え量を抑えて、一層安定した活性層を
形成することができるという利点がある。
係る発明と同様の効果を奏する。特に、本請求項に係る
発明では、一般的に使用されるＩｎＧａＡｓにより井戸
層を構成し、ＧａＡｓＰにより障壁層を構成したので、
特別の結晶成長用の装置を必要とせず、従来と同様の結
晶成長装置を使用して活性層を形成することができる。
従って、大幅なコストの上昇を伴わずに、結晶劣化が起
こりにくく信頼性に優れた半導体レーザを再現性よく得
ることができるという効果がある。しかも、障壁層をＧ
ａＡｓＰにより構成することにより、活性層を形成する
際のＰガスの切換え量を抑えて、一層安定した活性層を
形成することができるという利点がある。
【００５９】請求項３に係る発明によれば、請求項１ま
たは２に係る発明と同様の効果を奏する。加えて、本請
求項に係る発明では、クラッド層をＡｌＧａＡｓにより
構成することにより、活性層を形成する際のＰガスの切
換え量を抑えて、なお一層安定した活性層を形成するこ
とができるという効果を奏する。
たは２に係る発明と同様の効果を奏する。加えて、本請
求項に係る発明では、クラッド層をＡｌＧａＡｓにより
構成することにより、活性層を形成する際のＰガスの切
換え量を抑えて、なお一層安定した活性層を形成するこ
とができるという効果を奏する。
【００６０】請求項４に係る発明によれば、請求項１な
いし３のいずれかに係る発明と同様の効果を奏する。加
えて、各層について上記条件を設定することにより、半
導体レーザのしきい値電流特性や温度特性を良好に保つ
ことができ、より高性能な半導体レーザを提供すること
ができるという効果がある。
いし３のいずれかに係る発明と同様の効果を奏する。加
えて、各層について上記条件を設定することにより、半
導体レーザのしきい値電流特性や温度特性を良好に保つ
ことができ、より高性能な半導体レーザを提供すること
ができるという効果がある。
【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体レーザの構
造を模式的に示す断面図である。
造を模式的に示す断面図である。
【図２】 ＩｎＧａＡｓ井戸層とＧａＡｓＰ障壁層から
構成した種々の多重量子井戸構造の活性層について、フ
ォトルミネッセンス法による欠陥の有無を検査した結果
を示す図である。
構成した種々の多重量子井戸構造の活性層について、フ
ォトルミネッセンス法による欠陥の有無を検査した結果
を示す図である。
【図３】 従来の半導体レーザの構造を模式的に示す断
面図である。
面図である。
３０ 半導体レーザ、３１ 活性層、３２ 基板、３３
下クラッド層、３４ 第１光閉込層、３５ 第１障壁
層、３６ 第１井戸層、３７ 第２障壁層、３８ 第２
井戸層、３９ 第３障壁層、４０ 第２光閉込層。
下クラッド層、３４ 第１光閉込層、３５ 第１障壁
層、３６ 第１井戸層、３７ 第２障壁層、３８ 第２
井戸層、３９ 第３障壁層、４０ 第２光閉込層。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板と、 半導体基板上に形成されたクラッド層と、 クラッド層上に形成され、複数の井戸層および障壁層を
備えた多重量子井戸構造の活性層を有する０．９８〜
１．０２μｍ帯の応力補償型半導体レーザにおいて、 井戸層の層数，歪量，膜厚を、それぞれ、ｎ，ｆｗ，ｔ
ｗとし、 障壁層の層数，歪量，膜厚を、それぞれ、ｍ，ｆb ，ｔ
b とした場合に、 井戸層と障壁層との平均歪量ｆavと、井戸層の膜厚と障
壁層の膜厚との合計寸法ｔtotal との間に、次の関係が
成立することを特徴とする応力補償型半導体レーザ。 【数１】 【数２】 【数３】 ν ：ポアッソン比 ｂ0 ：完全転移のバーガーズベクトルの大きさ ｂp ：部分転位のバーガーズベクトルの大きさ ｒc ：転位のハーフループの半径 - 【請求項２】 請求項１記載の応力補償型半導体レーザ
において、 井戸層をＩｎＧａＡｓにより構成し、障壁層をＧａＡｓ
Ｐにより構成したことを特徴とする応力補償型半導体レ
ーザ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の応力補償型半導
体レーザにおいて、 クラッド層をＡｌＧａＡｓにより構成したことを特徴と
する応力補償型半導体レーザ。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の応
力補償型半導体レーザにおいて、 歪の方向は、圧縮歪みの方向が正の方向であるとした場
合、 井戸層の層数を、２ないし４とし、 井戸層の歪量を、０．００８ないし０．０１５とし、 井戸層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０２μｍと
し、かつ障壁層の層数を、３ないし５とし、 障壁層の歪量を、−０．０１ないし０とし、 障壁層の膜厚を、０．００５μｍないし０．０３μｍと
したことを特徴とする応力補償型半導体レーザ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266489A JPH11112079A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 応力補償型半導体レーザ |
| US09/037,019 US5903587A (en) | 1997-09-30 | 1998-03-09 | Stress compensation type semiconductor laser |
| KR1019980015347A KR100276623B1 (ko) | 1997-09-30 | 1998-04-29 | 응력보상형 반도체 레이저 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9266489A JPH11112079A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 応力補償型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112079A true JPH11112079A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17431648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9266489A Pending JPH11112079A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 応力補償型半導体レーザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5903587A (ja) |
| JP (1) | JPH11112079A (ja) |
| KR (1) | KR100276623B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610105B2 (en) | 2009-05-15 | 2013-12-17 | Oclaro Japan, Inc. | Semiconductor electroluminescent device with a multiple-quantum well layer formed therein |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2353899A (en) | 1999-09-01 | 2001-03-07 | Sharp Kk | A quantum well semiconductor device with strained barrier layer |
| JP5170954B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| KR100979562B1 (ko) * | 2009-03-09 | 2010-09-02 | 경희대학교 산학협력단 | 목표 발진파장에서 동작하는 양자계단레이저의 최적화 설계방법 및 그 장치 |
| EP3916817A1 (en) | 2016-02-09 | 2021-12-01 | Lumeova, Inc | Ultra-wideband, wireless optical high speed communication devices and systems |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2556270B2 (ja) * | 1993-09-02 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 歪量子井戸型半導体レーザ |
| JP3135202B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2001-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置，及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9266489A patent/JPH11112079A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-09 US US09/037,019 patent/US5903587A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-29 KR KR1019980015347A patent/KR100276623B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610105B2 (en) | 2009-05-15 | 2013-12-17 | Oclaro Japan, Inc. | Semiconductor electroluminescent device with a multiple-quantum well layer formed therein |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100276623B1 (ko) | 2001-02-01 |
| US5903587A (en) | 1999-05-11 |
| KR19990029172A (ko) | 1999-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051011 |