JPH11111693A - コンタクトホール形成方法 - Google Patents
コンタクトホール形成方法Info
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- JPH11111693A JPH11111693A JP27272797A JP27272797A JPH11111693A JP H11111693 A JPH11111693 A JP H11111693A JP 27272797 A JP27272797 A JP 27272797A JP 27272797 A JP27272797 A JP 27272797A JP H11111693 A JPH11111693 A JP H11111693A
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- Japan
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- contact hole
- etching
- film
- insulating film
- sion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング不足によりコンタクトホール底部
の下地上に絶縁膜が残り、レジスト除去後にこれを検出
した場合に、このコンタクトホール内の絶縁膜を容易に
除去できるコンタクトホール形成方法を提供する。 【解決手段】 下地１０上に形成した絶縁膜１１に有機
レジスト材１３をマスクとしてエッチングにより開口部
１５，１５’を形成するコンタクトホール形成方法にお
いて、前記絶縁膜１１上にこの絶縁膜１１に対し所定の
エッチング選択比を有する別の無機絶縁膜１２を積層し
た状態でエッチングを行う。
の下地上に絶縁膜が残り、レジスト除去後にこれを検出
した場合に、このコンタクトホール内の絶縁膜を容易に
除去できるコンタクトホール形成方法を提供する。 【解決手段】 下地１０上に形成した絶縁膜１１に有機
レジスト材１３をマスクとしてエッチングにより開口部
１５，１５’を形成するコンタクトホール形成方法にお
いて、前記絶縁膜１１上にこの絶縁膜１１に対し所定の
エッチング選択比を有する別の無機絶縁膜１２を積層し
た状態でエッチングを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造プロ
セスにおけるコンタクトホール形成方法に関する。より
詳しくは、エッチングによる開口不良が生じた場合に容
易に対処できるコンタクトホール形成方法に関するもの
である。
セスにおけるコンタクトホール形成方法に関する。より
詳しくは、エッチングによる開口不良が生じた場合に容
易に対処できるコンタクトホール形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造プロセスにおいて、近年
の配線パターンの高密度化に伴い、基板や下層配線等の
下地層と上層配線とを接続するためのコンタクトホール
は、ますます高アスペクト比化している。このコンタク
トホールは、下地上の層間絶縁膜にレジストパターンを
マスクとしてエッチングにより開口するものである。こ
のようなコンタクトホールは、エッチング終了後ＳＥＭ
（Scanning Electron Microscopy）の電子ビーム照射に
より非破壊検査される。
の配線パターンの高密度化に伴い、基板や下層配線等の
下地層と上層配線とを接続するためのコンタクトホール
は、ますます高アスペクト比化している。このコンタク
トホールは、下地上の層間絶縁膜にレジストパターンを
マスクとしてエッチングにより開口するものである。こ
のようなコンタクトホールは、エッチング終了後ＳＥＭ
（Scanning Electron Microscopy）の電子ビーム照射に
より非破壊検査される。
【０００３】このＳＥＭによる非破壊検査では、図３に
示すように、コンタクトホール１が形成された基板２上
の絶縁膜３の表面を電子ビームで走査し、電子ビームの
電荷をチャージさせる。コンタクトホール１の部分で
は、図３（Ａ）のように、電荷が下地の基板２側に抜け
るため周辺部分との電位差が大きくなって、ＳＥＭの画
像でのコントラストの差が大きくなり周辺部の白い画像
に対しコンタクトホール部分が黒い画像となって表われ
る。
示すように、コンタクトホール１が形成された基板２上
の絶縁膜３の表面を電子ビームで走査し、電子ビームの
電荷をチャージさせる。コンタクトホール１の部分で
は、図３（Ａ）のように、電荷が下地の基板２側に抜け
るため周辺部分との電位差が大きくなって、ＳＥＭの画
像でのコントラストの差が大きくなり周辺部の白い画像
に対しコンタクトホール部分が黒い画像となって表われ
る。
【０００４】一方、図３（Ｂ）に示すように、コンタク
トホール１’の底にエッチングされなかった層間絶縁膜
の残膜４があると、この残膜４部分に電荷がチャージさ
れる。このため、周辺部との間の電位差が（Ａ）の場合
より小さくなって、画面上では、灰色に表示される。こ
れにより、コンタクトホール１’が完全には開口してい
ないことが観察され、エッチング不足による欠陥コンタ
クトホールであることが検出される。
トホール１’の底にエッチングされなかった層間絶縁膜
の残膜４があると、この残膜４部分に電荷がチャージさ
れる。このため、周辺部との間の電位差が（Ａ）の場合
より小さくなって、画面上では、灰色に表示される。こ
れにより、コンタクトホール１’が完全には開口してい
ないことが観察され、エッチング不足による欠陥コンタ
クトホールであることが検出される。
【０００５】このような電子ビームによる検査を、エッ
チングプロセス終了後絶縁膜上にレジストを残した状態
で行うと、図４（Ａ）に示すように、基板２上の絶縁膜
３に正常なコンタクトホール１が形成された場合、およ
び（Ｂ）に示すように、残膜４が残る欠陥コンタクトホ
ール１’が形成された場合ともに、絶縁膜３上の有機材
料のレジスト５に電子ビームによる電荷が多量にチャー
ジされる。このため、欠陥コンタクトホール１’の残膜
４にチャージされた電荷による周囲との電位差が、
（Ａ）の正常な場合、および（Ｂ）の欠陥の場合の間で
差がほとんどなくなり、残膜４の有無の識別ができなく
なる。そこで、前述の図３に示したように、レジスト５
を除去した状態で電子ビーム照射によるコンタクトホー
ルの検査を行っている。
チングプロセス終了後絶縁膜上にレジストを残した状態
で行うと、図４（Ａ）に示すように、基板２上の絶縁膜
３に正常なコンタクトホール１が形成された場合、およ
び（Ｂ）に示すように、残膜４が残る欠陥コンタクトホ
ール１’が形成された場合ともに、絶縁膜３上の有機材
料のレジスト５に電子ビームによる電荷が多量にチャー
ジされる。このため、欠陥コンタクトホール１’の残膜
４にチャージされた電荷による周囲との電位差が、
（Ａ）の正常な場合、および（Ｂ）の欠陥の場合の間で
差がほとんどなくなり、残膜４の有無の識別ができなく
なる。そこで、前述の図３に示したように、レジスト５
を除去した状態で電子ビーム照射によるコンタクトホー
ルの検査を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにレジストを除去した状態で検査を行い、エッチング
不足の欠陥コンタクトホール１’を検出した場合、さら
にエッチング処理を施してその底部の残膜４を除去しよ
うとしても、既にレジストが除去されているため、追加
エッチングすることができず修復不可能である。
うにレジストを除去した状態で検査を行い、エッチング
不足の欠陥コンタクトホール１’を検出した場合、さら
にエッチング処理を施してその底部の残膜４を除去しよ
うとしても、既にレジストが除去されているため、追加
エッチングすることができず修復不可能である。
【０００７】一方、コンタクトホール形成方法として、
絶縁膜上に導電体であるポリシリコンを積層してこれを
パターニングし、レジストを除去した後、このポリシリ
コンをマスクとして絶縁膜に開口を形成する方法が開示
されている（特開平６−２７５５７４号公報）。しかし
ながら、この公報記載の方法は、導電体マスクによりオ
ーバーエッチによる下地材のクラウンの防止を図るもの
であって、前述のようなコンタクトホール底部のエッチ
ング不足に対処するものではない。
絶縁膜上に導電体であるポリシリコンを積層してこれを
パターニングし、レジストを除去した後、このポリシリ
コンをマスクとして絶縁膜に開口を形成する方法が開示
されている（特開平６−２７５５７４号公報）。しかし
ながら、この公報記載の方法は、導電体マスクによりオ
ーバーエッチによる下地材のクラウンの防止を図るもの
であって、前述のようなコンタクトホール底部のエッチ
ング不足に対処するものではない。
【０００８】また、従来半導体装置において、ハレーシ
ョン防止等を図るため、ＳｉＯＮ等の反射防止膜を電極
上に設けている（同上公報参照）。
ョン防止等を図るため、ＳｉＯＮ等の反射防止膜を電極
上に設けている（同上公報参照）。
【０００９】本発明はこれらの従来技術を考慮してなさ
れたものであって、エッチング不足によりコンタクトホ
ール底部の下地上に絶縁膜が残り、レジスト除去後にこ
れを検出した場合に、このコンタクトホール内の絶縁膜
を容易に除去できるコンタクトホール形成方法の提供を
目的とする。
れたものであって、エッチング不足によりコンタクトホ
ール底部の下地上に絶縁膜が残り、レジスト除去後にこ
れを検出した場合に、このコンタクトホール内の絶縁膜
を容易に除去できるコンタクトホール形成方法の提供を
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、下地上に形成した絶縁膜に有機レジス
ト材をマスクとしてエッチングにより開口部を形成する
コンタクトホール形成方法において、前記絶縁膜上にこ
の絶縁膜に対し所定のエッチング選択比を有する別の無
機絶縁膜を積層した状態でエッチングを行うことを特徴
とするコンタクトホール形成方法を提供する。
め、本発明では、下地上に形成した絶縁膜に有機レジス
ト材をマスクとしてエッチングにより開口部を形成する
コンタクトホール形成方法において、前記絶縁膜上にこ
の絶縁膜に対し所定のエッチング選択比を有する別の無
機絶縁膜を積層した状態でエッチングを行うことを特徴
とするコンタクトホール形成方法を提供する。
【００１１】この構成によれば、開口すべき絶縁膜の上
にさらに無機絶縁膜を積層してからエッチングを行って
コンタクトホールを開口し、この無機絶縁膜を残してレ
ジストを除去する。このレジストを除去した状態で電子
ビーム照射によりコンタクトホールの検査を行い、コン
タクトホール底部に残膜が検出された場合、前記無機絶
縁膜をマスクとする追加エッチング処理によりこの残膜
を除去することができる。この場合、無機絶縁膜は電荷
をチャージしないため電子ビーム照射による検査に支障
を来すことはない。また、この無機絶縁材は、残膜の絶
縁膜材料との間で所定の必要な選択比を有する材料を選
んでおくことにより、残膜除去のためのエッチング処理
が円滑に行われる。
にさらに無機絶縁膜を積層してからエッチングを行って
コンタクトホールを開口し、この無機絶縁膜を残してレ
ジストを除去する。このレジストを除去した状態で電子
ビーム照射によりコンタクトホールの検査を行い、コン
タクトホール底部に残膜が検出された場合、前記無機絶
縁膜をマスクとする追加エッチング処理によりこの残膜
を除去することができる。この場合、無機絶縁膜は電荷
をチャージしないため電子ビーム照射による検査に支障
を来すことはない。また、この無機絶縁材は、残膜の絶
縁膜材料との間で所定の必要な選択比を有する材料を選
んでおくことにより、残膜除去のためのエッチング処理
が円滑に行われる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本発
明の実施の形態に係るコンタクトホール形成方法の各プ
ロセスを順番に示す断面図である。
明の実施の形態に係るコンタクトホール形成方法の各プ
ロセスを順番に示す断面図である。
【００１３】まず（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０上
にＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜１１を形成し、その上に
ＳｉＯＮからなる無機絶縁膜１２を積層する。この無機
絶縁膜１２上にコンタクトホールに対応したパターン１
４を有する有機材料のレジスト１３が印刷塗布される。
上記無機絶縁膜１２を構成するＳｉＯＮ中のＳｉ組成
は、後述の残膜除去のための追加エッチングを可能とす
るためにＳｉＯ2 に対するＳｉＯＮの選択比がほぼ３以
上となるようなＳｉ含有率としておく。
にＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜１１を形成し、その上に
ＳｉＯＮからなる無機絶縁膜１２を積層する。この無機
絶縁膜１２上にコンタクトホールに対応したパターン１
４を有する有機材料のレジスト１３が印刷塗布される。
上記無機絶縁膜１２を構成するＳｉＯＮ中のＳｉ組成
は、後述の残膜除去のための追加エッチングを可能とす
るためにＳｉＯ2 に対するＳｉＯＮの選択比がほぼ３以
上となるようなＳｉ含有率としておく。
【００１４】次に、（Ｂ）に示すように、上記レジスト
１３をマスクとして、パターン１４にしたがってエッチ
ングによりコンタクトホール１５を形成する。この場
合、同じレジスト１３をマスクとしてＳｉＯＮおよびＳ
ｉＯ2 を連続して１度のプロセスでエッチング処理して
もよいし、または別々の装置であるいはエッチングガス
等の条件を変えて別のプロセスでＳｉＯＮおよびＳｉＯ
2 をそれぞれ別個にエッチング処理してもよい。あるい
は、最初にＳｉＯＮをエッチングした後、レジストを除
去し、このＳｉＯＮだけをマスクとしてＳｉＯ2 をエッ
チング処理してもよい。
１３をマスクとして、パターン１４にしたがってエッチ
ングによりコンタクトホール１５を形成する。この場
合、同じレジスト１３をマスクとしてＳｉＯＮおよびＳ
ｉＯ2 を連続して１度のプロセスでエッチング処理して
もよいし、または別々の装置であるいはエッチングガス
等の条件を変えて別のプロセスでＳｉＯＮおよびＳｉＯ
2 をそれぞれ別個にエッチング処理してもよい。あるい
は、最初にＳｉＯＮをエッチングした後、レジストを除
去し、このＳｉＯＮだけをマスクとしてＳｉＯ2 をエッ
チング処理してもよい。
【００１５】次に、（Ｃ）に示すように、アッシングに
よりレジストを除去し、ＳＥＭによる開口検査を行う。
この場合、ＳｉＯ2 の層間絶縁膜１１上のＳｉＯＮの無
機絶縁膜１２には、前述の図４のレジストの場合のよう
に多量の電荷がチャージされないため、電子ビーム照射
によるコンタクトホール１５の開口確認が支障なくでき
る。
よりレジストを除去し、ＳＥＭによる開口検査を行う。
この場合、ＳｉＯ2 の層間絶縁膜１１上のＳｉＯＮの無
機絶縁膜１２には、前述の図４のレジストの場合のよう
に多量の電荷がチャージされないため、電子ビーム照射
によるコンタクトホール１５の開口確認が支障なくでき
る。
【００１６】図２（Ａ）〜（Ｄ）は、コンタクトホール
に欠陥が生じた場合の本発明方法の各プロセスを順番に
示す断面図である。まず、図１の（Ａ）と同様に、図２
（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ2 からな
る層間絶縁膜１１が形成され、その上にＳｉＯＮからな
る無機絶縁膜１２が積層される。この無機絶縁膜１２上
にコンタクトホールに対応したパターン１４を有する有
機材料のレジスト１３が印刷塗布される。
に欠陥が生じた場合の本発明方法の各プロセスを順番に
示す断面図である。まず、図１の（Ａ）と同様に、図２
（Ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ2 からな
る層間絶縁膜１１が形成され、その上にＳｉＯＮからな
る無機絶縁膜１２が積層される。この無機絶縁膜１２上
にコンタクトホールに対応したパターン１４を有する有
機材料のレジスト１３が印刷塗布される。
【００１７】次に、図１の（Ｂ）と同様に、図２（Ｂ）
に示すように、上記レジスト１３をマスクとして、パタ
ーン１４にしたがってエッチングによりコンタクトホー
ルを開口するが、この場合、エッチング不足により底部
にＳｉＯ2 の残膜１６が残された欠陥コンタクトホール
１５’が形成されている。このような欠陥コンタクトホ
ール１５’の残膜１６は、（Ｃ）に示すように、レジス
ト１３を除去した後の電子ビーム照射による開口検査に
より検出される。
に示すように、上記レジスト１３をマスクとして、パタ
ーン１４にしたがってエッチングによりコンタクトホー
ルを開口するが、この場合、エッチング不足により底部
にＳｉＯ2 の残膜１６が残された欠陥コンタクトホール
１５’が形成されている。このような欠陥コンタクトホ
ール１５’の残膜１６は、（Ｃ）に示すように、レジス
ト１３を除去した後の電子ビーム照射による開口検査に
より検出される。
【００１８】このような開口不良のコンタクトホール１
５’が検出された場合、（Ｄ）に示すように、ＳｉＯＮ
の無機絶縁膜１２をマスクとしてＳｉＯ2 の残膜１６を
追加エッチングにより除去する。このとき、ＳｉＯＮと
して予めＳｉＯ2 との間でエッチングの選択比を例えば
３以上となるように組成を調整しておくことにより、Ｓ
ｉＯＮはエッチングされないでマスクとして機能し、Ｓ
ｉＯ2 のみを有効にエッチングして残膜１６を除去する
ことができる。これにより、正常に開口したコンタクト
ホール１７が形成される。
５’が検出された場合、（Ｄ）に示すように、ＳｉＯＮ
の無機絶縁膜１２をマスクとしてＳｉＯ2 の残膜１６を
追加エッチングにより除去する。このとき、ＳｉＯＮと
して予めＳｉＯ2 との間でエッチングの選択比を例えば
３以上となるように組成を調整しておくことにより、Ｓ
ｉＯＮはエッチングされないでマスクとして機能し、Ｓ
ｉＯ2 のみを有効にエッチングして残膜１６を除去する
ことができる。これにより、正常に開口したコンタクト
ホール１７が形成される。
【００１９】このようなＳｉＯＮ膜は、エッチングに対
するマスクとして機能するばかりでなく、そのＳｉ含有
率を適当に選択することにより、誘電率や反射率を変え
ることができるため、多層配線の層間膜として用いた場
合には、下地配線に対するハレーションを抑制し、かつ
デバイス中に残して支障のない誘電率のＳｉＯＮ膜を形
成することができる。
するマスクとして機能するばかりでなく、そのＳｉ含有
率を適当に選択することにより、誘電率や反射率を変え
ることができるため、多層配線の層間膜として用いた場
合には、下地配線に対するハレーションを抑制し、かつ
デバイス中に残して支障のない誘電率のＳｉＯＮ膜を形
成することができる。
【００２０】
【実施例】上記ＳｉＯＮからなる無機絶縁膜１２形成の
実施例を以下に示す。
実施例を以下に示す。
【００２１】 成膜装置： プラズマＣＶＤ装置 形成条件： プラズマガス：SiH4/N2O/He＝200/400/800 sccm 温度： ４００℃ 成膜圧力： ２．５Ｔｏｒｒ ＲＦ Ｐｏｗｅｒ：２００Ｗ 堆積速度： ３６０ｎｍ／ｍｉｎ 以上の条件により、 均一性： ほぼ±５％以内 屈折率： 約２．１（波長６３３ｎｍ） 誘電率： 約３ のＳｉＯＮ膜を形成することができた。
【００２２】また、コンタクトホール底部の残膜１６を
除去するための追加エッチングの実施例を以下に示す。
除去するための追加エッチングの実施例を以下に示す。
【００２３】エッチング装置：高密度プラズマＳｉＯ2
ドライエッチング装置 エッチング条件： エッチングガス： C4F8/CO/Ar/CHF3＝10/300/500/20 s
ccm 圧力： ５Ｐａ 電力： １５００Ｗ ＳｉＯＮエッチレート：２００ｎｍ／ｍｉｎ ＳｉＯ2 エッチレート：６００ｎｍ／ｍｉｎ 選択比： ３ 以上の条件でＳｉＯ2 の残膜１６を確実に除去すること
ができた。
ドライエッチング装置 エッチング条件： エッチングガス： C4F8/CO/Ar/CHF3＝10/300/500/20 s
ccm 圧力： ５Ｐａ 電力： １５００Ｗ ＳｉＯＮエッチレート：２００ｎｍ／ｍｉｎ ＳｉＯ2 エッチレート：６００ｎｍ／ｍｉｎ 選択比： ３ 以上の条件でＳｉＯ2 の残膜１６を確実に除去すること
ができた。
【００２４】なお、上記実施例において、層間絶縁膜や
基板の材質あるいはエッチング条件等によっては、無機
絶縁膜として上記実施例のＳｉＯＮに代えてＳｉＮを用
いることもできる。
基板の材質あるいはエッチング条件等によっては、無機
絶縁膜として上記実施例のＳｉＯＮに代えてＳｉＮを用
いることもできる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、開口すべき絶縁膜の上にさらに無機絶縁膜を積層し
てからエッチングを行ってコンタクトホールを開口し、
この無機絶縁膜を残してレジストを除去した状態で電子
ビーム照射によりコンタクトホールの検査を行い、コン
タクトホール底部に残膜が検出された場合、前記無機絶
縁膜をマスクとするエッチング処理によりこの残膜を除
去することができる。この場合、無機絶縁膜は電荷をチ
ャージしないため電子ビーム照射による検査に支障を来
すことはない。またこれにより、半導体製造プロセスの
ラインにおいて、コンタクト開口をその位置でモニター
し欠陥のある場合にはこれを修復することができるた
め、信頼性の高い高アスペクト比のコンタクトホールを
効率よく形成することができ歩留りを向上させ生産性を
高めることができる。
は、開口すべき絶縁膜の上にさらに無機絶縁膜を積層し
てからエッチングを行ってコンタクトホールを開口し、
この無機絶縁膜を残してレジストを除去した状態で電子
ビーム照射によりコンタクトホールの検査を行い、コン
タクトホール底部に残膜が検出された場合、前記無機絶
縁膜をマスクとするエッチング処理によりこの残膜を除
去することができる。この場合、無機絶縁膜は電荷をチ
ャージしないため電子ビーム照射による検査に支障を来
すことはない。またこれにより、半導体製造プロセスの
ラインにおいて、コンタクト開口をその位置でモニター
し欠陥のある場合にはこれを修復することができるた
め、信頼性の高い高アスペクト比のコンタクトホールを
効率よく形成することができ歩留りを向上させ生産性を
高めることができる。
【図１】 コンタクトホールが正常に開口した場合の本
発明方法のプロセスを順番に示す基板の要部断面図。
発明方法のプロセスを順番に示す基板の要部断面図。
【図２】 欠陥コンタクトホールが検出された場合の本
発明方法のプロセスを順番に示す基板の要部断面図。
発明方法のプロセスを順番に示す基板の要部断面図。
【図３】 従来のコンタクトホール検査方法の説明図。
【図４】 従来のレジストを残したコンタクトホール検
査方法の説明図。
査方法の説明図。
１０：Ｓｉ基板、１１：層間絶縁膜（ＳｉＯ2 膜）、１
２：無機絶縁膜（ＳｉＯＮ膜）、１３：レジスト、１
４：パターン、１５，１７：正常なコンタクトホール、
１５’：欠陥コンタクトホール、１６：残膜。
２：無機絶縁膜（ＳｉＯＮ膜）、１３：レジスト、１
４：パターン、１５，１７：正常なコンタクトホール、
１５’：欠陥コンタクトホール、１６：残膜。
Claims (2)
- 【請求項１】下地上に形成した絶縁膜に有機レジスト材
をマスクとしてエッチングにより開口部を形成するコン
タクトホール形成方法において、 前記絶縁膜上にこの絶縁膜に対し所定のエッチング選択
比を有する別の無機絶縁膜を積層した状態でエッチング
を行うことを特徴とするコンタクトホール形成方法。 - 【請求項２】前記下地上に形成した絶縁膜はＳｉＯ2 か
らなり、前記別の無機絶縁膜はＳｉＯＮからなることを
特徴とする請求項１に記載のコンタクトホール形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27272797A JPH11111693A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | コンタクトホール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27272797A JPH11111693A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | コンタクトホール形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111693A true JPH11111693A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17517947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27272797A Pending JPH11111693A (ja) | 1997-10-06 | 1997-10-06 | コンタクトホール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111693A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020046693A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 박종섭 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
| US7144819B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2007005756A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクト孔の形成方法 |
| CN102651336A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 |
| CN108987337A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27272797A patent/JPH11111693A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020046693A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 박종섭 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
| US7144819B2 (en) | 2003-10-03 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| US7579270B2 (en) | 2003-10-03 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2007005756A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクト孔の形成方法 |
| CN102651336A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-08-29 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法 |
| CN108987337A (zh) * | 2018-09-04 | 2018-12-11 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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