JPH11111461A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
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Abstract
り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供すること。 【解決手段】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層お
よび陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子にお
いて、電子注入層が金属酸化物または金属ハロゲン化物
と金属との混合膜であることを特徴とする有機エレクト
ロルミネセンス素子。
Description
ミネセンス素子に関する。
気信号に応じて発光しかつ発光物質として有機化合物を
用いて構成された素子である。有機エレクトロルミネセ
ンス素子は、基本的には有機発光層および該層をはさん
だ一対の対向電極より構成されている。発光は電極の一
方から電子が注入され、もう一方の電極から正孔が注入
されることにより、発光層中の発光体がより高いエネル
ギー準位に励起され、励起された発光体が元の基底状態
に戻る際に、その余分なエネルギーを光として放出する
現象である。
本的構成に加え、正孔を注入する電極にはさらに正孔注
入層を設けたり、電子を注入する電極には電子輸送層を
設けたりする構成が取られている。
ては、発光体として単結晶アントラセンなどが用いられ
たものが、合衆国特許第3539325号明細書に記載
されている。また、特開昭59−194393号公報に
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。特開昭63−295695号公報には有機
質正孔注入輸送層、有機質電子注入輸送層を組み合わせ
たものが提案されている。
光体と電荷輸送性の有機物(電荷輸送材)及び電極を積
層した構造となっており、それぞれの電極より注入され
た正孔と電子が電荷輸送材中を移動して、それらが再結
合することによって発光する。有機蛍光体としては、8
−キノリノールアルミニウム錯体やクマリン化合物など
蛍光を発する有機色素などが用いられている。また、電
荷輸送材としては、例えばN,N'−ジ(m−トリル)
N,N'−ジフェニルベンジジンや、1,1−ビス
[N,N−ジ(p−トリル)アミノフェニル]シクロヘ
キサンといったジアミノ化合物や、4−(N,N−ジフ
ェニル)アミノベンズアルデヒド−N,N−ジフェニル
ヒドラゾン化合物等があげられる。さらに、銅フタロシ
アニンのようなポルフィリン化合物も提案されている。
子は、高い発光特性を有しているが、発光時の安定性や
保存安定性の点で充分ではなく、実用化には至っていな
い。素子の発光時の安定性、保存安定性における問題点
の一つとして、電荷輸送材の安定性が指摘されている。
電界発光素子の有機物で形成される層は百〜数百ナノメ
ーターと非常に薄く、単位厚さ当りに加えられる電圧は
非常に高い。また、発光や通電による発熱もあり、従っ
て電荷輸送材には電気的、熱的あるいは化学的な安定性
が要求される。
始電圧の低減のため、従来用いられてきたアルミニウム
に代え、陰極にアルミニウム以外のものを使用したもの
が特開平2−15595号公報、特開平3−37994
号公報、特開平4−132191号公報、特開平5−1
21172号公報等に記載されている。
属を混合した膜を用いたものが特開平4−132189
号公報や特開平7−268317号公報に記載されてい
る。
使用したものは、成膜条件が難しく、酸化しやすい等の
問題があり、電子輸送材料と金属を混合する場合におい
ても同様の問題が発生した。
特性を有するものが得られていないのが現状である。
事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところ
は、発光強度が大きく、繰り返し使用しても安定した性
能を発揮する有機エレクトロルミネセンス素子を提供す
ることにある。
極、発光層、電子注入層および陰極を設けた有機エレク
トロルミネセンス素子において、電子注入層が金属酸化
物または金属ハロゲン化物と金属との混合膜であること
を特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子に関す
る。
は電極間に少なくとも発光層および電子注入層から構成
されている。本発明は、有機エレクトロルミネセンス素
子の電子注入層が金属酸化物または金属ハロゲン化物と
金属の混合膜であることを基本的な特徴にしている。以
下、さらに図1を参照しながら本発明を説明する。図1
は本発明が適用可能な有機エレクトロルミネセンス素子
の一構成例を示している。図中、(1)は陽極であり、
その上に、正孔注入輸送層(2)と有機発光層(3)、
電子注入層(4)および陰極(5)が順次積層されてい
る。
(1)として使用される導電性物質としては4eVより
も大きい仕事関数をもつものがよく、炭素、アルミニウ
ム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、
タングステン、銀、錫、金などおよびそれらの合金、酸
化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸
化ジルコニウムなどの導電性金属化合物が用いられる。
ニウム、銀や、4eVよりも小さい仕事関数を持つも
の、例えば、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウ
ム、ルテニウム、マンガンおよびそれらの合金が用いら
れる。
は、発光が見られるように、少なくとも陽極(1)ある
いは陰極(5)は透明電極にする必要がある。この際、
陰極に透明電極を使用すると、透明性が損なわれやすい
ので、陽極を透明電極にすることが好ましい。
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾルゲル法あるいは樹脂等に分散させて塗
布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保さ
れるように形成すればよい。
機エレクトロルミネセンス装置作製時、蒸着等による熱
に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されな
いが、係るものを例示すると、ガラス基板、透明な樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を使用する
ことも可能である。ガラス基板上に透明電極が形成され
たものとしてはITO、NESA等の市販品が知られて
いるがこれらを使用してもよい。
正孔注入輸送層(2)が形成された構成をしている。正
孔注入輸送層(2)は、化合物を蒸着して形成してもよ
いし、該化合物を溶解した溶液や適当な樹脂とともに溶
解した液をディップコートやスピンコートして形成して
もよい。
場合、その厚さは、通常1〜200nm、好ましくは5
〜100nmであり、塗布法で形成する場合は、5〜5
00nm程度に形成すればよい。形成する膜厚が厚いほ
ど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発光
効率が悪く有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を招
きやすい。また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるが
ブレイクダウンしやすくなり有機エレクトロルミネセン
ス素子の寿命が短くなる。
材としては、公知のものが使用可能で、例えばN,N'
−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)
−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミン、N,N'
−ジフェニル−N,N'−ビス(4−メチルフェニル)
−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミン、N,N'
−ジフェニル−N,N'−ビス(1−ナフチル)−1,
1'−ジフェニル−4,4'−ジアミン、N,N'−ジフ
ェニル−N,N'−ビス(2−ナフチル)−1,1'−ジ
フェニル−4,4'−ジアミン、N,N'−テトラ(4−
メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジ
アミン、N,N'−テトラ(4−メチルフェニル)−
1,1'−ビス(3−メチルフェニル)−4,4'−ジア
ミン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチ
ルフェニル)−1,1'−ビス(3−メチルフェニル)
−4,4'−ジアミン、N,N'−ビス(N−カルバゾリ
ル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミン、4,
4',4"−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルア
ミン、N,N',N"−トリフェニル−N,N',N"−ト
リス(3−メチルフェニル)−1,3,5−トリ(4−
アミノフェニル)ベンゼン、4,4',4"−トリス
[N,N',N"−トリフェニル−N,N',N"−トリス
(3−メチルフェニル)]トリフェニルアミンなどを挙
げることができる。こららのものは2種以上を混合して
使用してもよい。
(3)が形成されている。有機発光層(3)に用いられ
る有機発光体としては、公知のものを使用可能で、例え
ばエピドリジン、2,5−ビス[5,7−ジ−t−ペン
チル−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,2'
−(1,4−フェニレンジビニレン)ビスベンゾチアゾ
ール、2,2'−(4,4'−ビフェニレン)ビスベンゾ
チアゾール、5−メチル−2−{2−[4−(5−メチ
ル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベン
ゾオキサゾール、2,5−ビス(5−メチル−2−ベン
ゾオキサゾリル)チオフェン、アントラセン、ナフタレ
ン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペ
リノン、1,4−ジフェニルブタジエン、テトラフェニ
ルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、2
−(4−ビフェニル)−6−フェニルベンゾオキサゾー
ル、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオ
キシン、ビス(ベンゾ−8−キノリノール)亜鉛、ビス
(2−メチル−8−キノリノラールト)アルミニウムオ
キサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムト
リス(5−メチルオキシン)、リチウムオキシン、ガリ
ウムトリスオキシン、カルシウムビス(5−クロロオキ
シン)、ポリ亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリ
ノリル)メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビ
スオキシン、1,2−フタロペリノン、1,2−ナフタ
ロペリノンなどを挙げることができる。
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も、使用できる。このう
ち、特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノ
イド化合物が挙げられる。
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、2種以上の発光
物質を混合したり発光層に他の発光体をドープしてもよ
い。
1〜200nm、好ましくは1〜100nmであり、塗
布法で形成する場合は、5〜500nm程度に形成すれ
ばよい。形成する膜厚が厚いほど発光させるための印加
電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレクト
ロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄
くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすく
なり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短くな
る。
層(4)として金属酸化物または金属ハロゲン化物と金
属の混合膜を形成する。電子注入層に混合する金属酸化
物または金属ハロゲン化物としては4.2eVよりも小
さい仕事関数を持つものがよく、酸化マグネシウム、フ
ッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、酸化イットリウ
ム、フッ化イットリウム、フッ化リチウム、臭化リチウ
ム等が用いられる。特に、発光特性や成膜性の点からフ
ッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウ
ム、フッ化イットリウム、酸化マグネシウムが良好であ
る。電子注入層に混合する金属としては、アルミニウ
ム、インジウム、銀、マグネシウム、金等が使用され
る。この中でも仕事関数が4.2eVよりも大きいアル
ミニウム、インジウム、銀、金が好ましい。
の混合割合(金属酸化物および/または金属ハロゲン化
物:金属)は、1:100〜100:1、好ましくは
1:20〜20:1である。
れ、その厚さは、0.1〜20nmである。形成する膜
厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高くする必要
があり発光効率が悪く有機エレクトロルミネセンス素子
の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると均一に成膜
することがむつかしく欠陥を生じやすくなり、発光効率
も悪くなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短
くなる。
の混合膜は通常の抵抗過熱法やスパッタリング法、EB
蒸着法、イオンプレーティング法、イオン化蒸着法等公
知の色々な蒸着法で成膜することができる。
ミネセンス素子を示した。図2において、(1)は陽極
であり、その上に、正孔注入輸送層(2)、有機発光層
(3)、電子輸送層(6)および電子注入層(4)、陰
極(5)が順次積層された構成をとっており、該電子注
入層が金属と金属酸化物または金属ハロゲン化物の混合
膜である。
上に、正孔注入層(7)と正孔輸送層(8)、有機発光
層(3)、電子輸送層(6)、電子注入層(4)および
陰極(5)が順次積層された構成をとっており、該電子
注入層が金属と金属酸化物または金属ハロゲン化物の混
合膜である。
上に、正孔注入層(7)、正孔輸送層(8)と有機発光
層(3)、電子注入層(4)および陰極(5)、封止層
(9)が順次積層された構成をとっており、該電子注入
層が金属と金属酸化物または金属ハロゲン化物の混合膜
である。
(3)と電子注入層(4)との間に電子輸送層(6)を
形成する場合、その膜厚は1〜200nm、好ましくは
1〜100nm程度になるように形成する。電子輸送層
に使用される電子輸送材料としては、公知のものが使用
可能で、例えばオキサジアゾール誘導体、チアジアゾー
ル誘導体、キレート化オキシノイド化合物、ベンゾチア
ゾール錯体、ベンゾオキサゾール錯体等を挙げることが
できる。電子輸送層は、発光層と同様に、蒸着法や塗布
法等の従来公知の方法により形成することができる。
を有する場合は、該有機発光体物質を電子輸送層の電子
輸送材料として用いてもよい。その場合、発光層にも同
一の物質を使用し、ドープした構成の発光層とすること
もできる。例えば電子輸送層をアルミニウムトリスオキ
シンで形成することも可能で、この場合発光層はアルミ
ニウムトリスオキシンに発光体をドープした層で構成す
ることが好ましい。
ンス素子においては、図1の正孔注入輸送層を正孔注入
層(7)と正孔輸送層(8)との2層に機能分離した構成を
取っている。かかる正孔注入層(7)は公知の材料、例え
ば、フタロシアニン化合物、導電性高分子化合物、アリ
ールアミン化合物等を使用し、蒸着等の手段により厚さ
1〜30nm程度に形成される。また、正孔輸送層(8)
は公知の材料、例えば、ベンジジン化合物、アリールア
ミン化合物、スチリル化合物等を使用し、蒸着等の手段
により厚さ10〜200nm程度に形成される。
る場合、酸化珪素、酸化亜鉛、フッ化マグネシウム、酸
化マグネシウム等の化合物を用い、真空蒸着法によって
薄膜を形成することにより、厚さ5〜1000nm程度
に形成される。
は、各電極にニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当
なリード線(10)を接続し、有機エレクトロルミネセ
ンス素子は両電極に適当な電圧(Vs)を印加すること
により発光する。
または金属ハロゲン化物の混合膜を用いることで電子の
注入性が向上し、また膜厚を0.1〜20nmと薄くす
ることにより、電界強度を大きくすることで非常に電子
の流れがスムーズになり、本発明の有機エレクトロルミ
ネセンス素子を発光させるために必要な発光開始電圧は
低くてよく、そのために安定して長時間の発光を可能な
らしめていると考えられる。なお、電子注入層など上記
各層の膜厚は水晶発振式膜厚計を用いて測定することが
できる。
は、各種の表示装置、あるいはディスプレイ装置等に適
用可能である。
なお、本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は発光
効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するものであ
り、下記実施例は、使用される発光物質、発光補助材
料、電荷輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素
子作製方法に限定する意図のものではない。
送層としてN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−
メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジ
アミンを蒸着により、厚さ60nmの薄膜を形成した。
その上に有機発光層として、アルミニウムトリスオキシ
ンを蒸着し60nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。
とアルミニウムを抵抗加熱による共蒸着法にて1:1の
体積比で1nmの厚さになるように薄膜を形成した。次
に、陰極としてアルミニウムを蒸着により200nmの
厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、有
機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
送層としてN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−
メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジ
アミンを蒸着し、厚さ60nmの薄膜を形成した。その
上に有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンを
蒸着し60nmの厚さになるように薄膜を形成した。
とアルミニウムを抵抗加熱による共蒸着法にて1:2の
体積比で3nmの厚さになるように薄膜を形成した。次
に、陰極としてアルミニウムを蒸着により200nmの
厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、有
機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
送層としてN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−
メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジ
アミンを蒸着し、厚さ60nmの薄膜を形成した。その
上に有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンを
蒸着し60nmの厚さになるように薄膜を形成した。
とインジュームを抵抗加熱による共蒸着法にて1:5の
体積比で1nmの厚さになるように薄膜を形成した。次
に、陰極としてアルミニウムを蒸着し200nmの厚さ
になるように薄膜を形成した。このようにして、有機エ
レクトロルミネセンス素子を作製した。
送層としてN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−
メチルフェニル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジ
アミンを蒸着し、厚さ60nmの薄膜を形成した。その
上に有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンを
蒸着し60nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ウムとアルミニウムを抵抗加熱による共蒸着法にて1:
1の体積比で1nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。次に、陰極としてアルミニウムを蒸着し200nm
の厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、
有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
施例1と全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素
子を作製した。
抵抗加熱による共蒸着にて1nmの厚さになるように薄
膜を形成し、電子注入層を形成した。次に、陰極として
アルミニウムを蒸着し、200nmの厚さになるように
薄膜を形成した。このようにして、有機エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
リスオキシンとマグネシウムを抵抗加熱による共蒸着法
にて2:1の体積比で3nmの厚さになるように薄膜を
形成した。次に、陰極としてアルミニウムを蒸着により
200nmの厚さになるように薄膜を形成した。このよ
うにして、有機エレクトロルミネセンス素子を作製し
た。
送層として、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(1
−ナフチル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミ
ンを蒸着し、厚さ55nmの薄膜を形成した。その上に
有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブ
レンを5重量%ドープさせたものを共蒸着により10n
mの厚さになるように薄膜を形成した。
スオキシンを蒸着し45nmの厚さになるように薄膜を
形成した。その上に電子注入層としてフッ化マグネシウ
ムとインジュームを抵抗加熱による共蒸着法にて1:5
の体積比で2nmの厚さになるように薄膜を形成した。
最後に陰極としてインジュームを蒸着し200nmの厚
さになるように薄膜を形成した。このようにして、有機
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
施例5と全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素
子を作製した。
ウムを抵抗加熱による蒸着により2nmの厚さになるよ
うに薄膜を形成した。次に、陰極としてインジュームを
蒸着し、200nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。このようにして、有機エレクトロルミネセンス素子
を作製した。
送層として、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(1
−ナフチル)−1,1'−ジフェニル−4,4'−ジアミ
ンを蒸着し、厚さ55nmの薄膜を形成した。その上に
有機発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブ
レンを5重量%ドープさせたものを共蒸着により10n
mの厚さになるように薄膜を形成した。
スオキシンを蒸着し45nmの厚さになるように薄膜を
形成した。その上に電子注入層としてフッ化イットリウ
ムとアルミニウムを抵抗加熱による共蒸着法にて1:1
の体積比で1nmの厚さになるように薄膜を形成した。
最後に陰極としてアルミニウムを蒸着し200nmの厚
さになるように薄膜を形成した。このようにして、有機
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
として、4,4',4"−トリス[N,N',N"−トリフ
ェニル−N,N',N"−トリス(3−メチルフェニ
ル)]トリフェニルアミンを蒸着し厚さ15nmの薄膜
を形成した。次に、正孔注入層の上に、正孔輸送層とし
てN,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(4−メチルフ
ェニル)−1,1'−ビス(3−メチルフェニル)−
4,4'−ジアミンを蒸着し、厚さ45nmの薄膜を形
成した。
トリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたもの
を共蒸着し30nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。次に、電子輸送層として下記のオキサジアゾール化
合物(A):
ムとインジュームを抵抗加熱による共蒸着法にて1:3
の体積比で2nmの厚さになるように薄膜を形成した。
最後に、陰極としてアルミニウムを蒸着し200nmの
厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、有
機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
施例7と全く同様にして有機エレクトロルミネセンス素
子を作製した。
トロルミネセンス素子を、そのガラス電極を陽極とし
て、直流電圧を除々に電圧を印加した時に発光を開始す
る電圧(V)および、5Vの直流電圧をかけた時の発光
輝度(cd/m2)、10Vの直流電圧をかけた時の発
光輝度(cd/m2)を測定した。また、5mA/cm2
の電流密度で5時間作動させた時の初期出力の低下率
(%)[5時間後の出力(mW/cm2)/初期出力
(mW/cm2)×100]を求めた。測定結果を表1
にまとめて示す。
レクトロルミネセンス素子は低電位で発光を開始し、良
好な発光輝度を示した。また、本実施例の有機エレクト
ロルミネセンス素子は出力低下が少なく、寿命の長い安
定な発光を観測することができた。
ンス素子の電子注入層に特定の化合物を含有させること
により発光強度が大きく発光開始電圧が低い耐久性に優
れた有機エレクトロルミネセンス素子を得ることができ
る。
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
一構成例の概略断面図。
電子注入層、5:陰極、6:電子輸送層、7:正孔注入
層、8:正孔輸送層、9:封止膜、10:リード線
Claims (4)
- 【請求項1】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層お
よび陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子にお
いて、電子注入層が金属酸化物または金属ハロゲン化物
と金属との混合膜であることを特徴とする有機エレクト
ロルミネセンス素子。 - 【請求項2】 該電子注入層の膜厚が0.1nm〜20
nmであることを特徴とする請求項1記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項3】 該電子注入層に混合される金属酸化物ま
たは金属ハロゲン化物の仕事関数が4.2eV以下であ
ることを請求項1記載の有機エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項4】 電子注入層に混合される金属がアルミニ
ウムまたはインジュームである請求項1記載の有機エレ
クトロルミネセンス素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9267037A JPH11111461A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
US09/162,322 US6395409B2 (en) | 1997-09-29 | 1998-09-28 | Organic electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9267037A JPH11111461A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11111461A true JPH11111461A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17439178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9267037A Pending JPH11111461A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-30 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11111461A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2000076009A1 (en) | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Cambridge Display Technology Limited | Light-emitting devices |
EP1083612A2 (en) * | 1999-09-02 | 2001-03-14 | Eastman Kodak Company | Efficient electron-injection for organic electroluminescent devices |
JP2005209647A (ja) * | 1998-12-16 | 2005-08-04 | Cambridge Display Technol Ltd | 有機発光デバイス |
US7116461B2 (en) | 2003-02-17 | 2006-10-03 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2013182851A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造方法、有機el装置および電子機器 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9267037A patent/JPH11111461A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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