JPH11108955A - ウエハプローバー - Google Patents
ウエハプローバーInfo
- Publication number
- JPH11108955A JPH11108955A JP26536797A JP26536797A JPH11108955A JP H11108955 A JPH11108955 A JP H11108955A JP 26536797 A JP26536797 A JP 26536797A JP 26536797 A JP26536797 A JP 26536797A JP H11108955 A JPH11108955 A JP H11108955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- coaxial
- probe needle
- ground
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 同軸型プローブ針の外部導体部のシグナル・
グランドへの接続処理方法を工夫して、良好な高速デー
タ転送を可能とする。 【解決手段】 同軸型プローブ針の同軸部の外部導体部
1a,1bを互いにケーブル4又は編組線7で接続した
複数のグループを構成し、これら同軸型プローブ針の共
通グランド信号をグランド用プローブ針でパッド6に当
接させる。
グランドへの接続処理方法を工夫して、良好な高速デー
タ転送を可能とする。 【解決手段】 同軸型プローブ針の同軸部の外部導体部
1a,1bを互いにケーブル4又は編組線7で接続した
複数のグループを構成し、これら同軸型プローブ針の共
通グランド信号をグランド用プローブ針でパッド6に当
接させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ICのウ
エハテスト時に使用するウエハプローバーにおけるプロ
ーブカードの内、同軸型信号処理をするプローブ針を持
つ同軸型プローブカードの改良に関するものである。
エハテスト時に使用するウエハプローバーにおけるプロ
ーブカードの内、同軸型信号処理をするプローブ針を持
つ同軸型プローブカードの改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、IC,LSIなどを製造する工
程の中に、ウエハ上の個々のチップが良品か不良品かを
テストするウエハテスト工程がある。このウエハテスト
は、通常、プローバーと呼ばれる装置にプローブカード
を装着し、プローブカードのプローブ針をウエハのチッ
プ上の所定のパッドにコンタクト(接触)させて行なわ
れる。このプローブ針、そしてプローブカードの概要
は、実開昭57−146340号公報に開示されてい
る。
程の中に、ウエハ上の個々のチップが良品か不良品かを
テストするウエハテスト工程がある。このウエハテスト
は、通常、プローバーと呼ばれる装置にプローブカード
を装着し、プローブカードのプローブ針をウエハのチッ
プ上の所定のパッドにコンタクト(接触)させて行なわ
れる。このプローブ針、そしてプローブカードの概要
は、実開昭57−146340号公報に開示されてい
る。
【0003】一方、メモリICの信号の内、ある信号の
みが非常に高速な場合がある。従来型のDRAMは、信
号として、RAS,CAS,WE,OEを持ち、これら
の制御信号の入力レベル、入力タイミングの前後関係に
より種々の動作を規定していたが、例えば、同期(シン
クロナス)型SGRAM−μPD481850は、シス
テムクロック信号に同期してコマンドを入力することに
より、DRAMメモリの動作制御を行なっている。クロ
ック信号は、最大100MHz で、その周期は10ns
ecと高速である。即ち、このような高速のメモリIC
用のプローブカードでは、プローブ針の一部はその他の
ものに比べて高いデータ転送能力(500MHz 以上の
要求も出ている)が要求される。
みが非常に高速な場合がある。従来型のDRAMは、信
号として、RAS,CAS,WE,OEを持ち、これら
の制御信号の入力レベル、入力タイミングの前後関係に
より種々の動作を規定していたが、例えば、同期(シン
クロナス)型SGRAM−μPD481850は、シス
テムクロック信号に同期してコマンドを入力することに
より、DRAMメモリの動作制御を行なっている。クロ
ック信号は、最大100MHz で、その周期は10ns
ecと高速である。即ち、このような高速のメモリIC
用のプローブカードでは、プローブ針の一部はその他の
ものに比べて高いデータ転送能力(500MHz 以上の
要求も出ている)が要求される。
【0004】従来、高速な信号用のプローブカードとし
て、同軸型プローブ針を使用したプローブカードがあっ
た。その例として、図5、図6に示されるようなものが
挙げられる。図5は、従来の同軸型プローブカード並び
にプローブ針を示す側面図であり、図において、21は
基板、22は同軸型プローブ針の内、内部導体部の針の
先端部、23は同軸ケーブル部、24は固定部、25は
同軸ケーブル部23の外部導体部を基板21のシグナル
・グランドに接続するためのケーブルである。そして同
軸ケーブル部23が特性インピーダンス50Ω等を持
ち、内部導体部の針の先端部22がチップのパッドにコ
ンタクトしてウエハテストするものである。
て、同軸型プローブ針を使用したプローブカードがあっ
た。その例として、図5、図6に示されるようなものが
挙げられる。図5は、従来の同軸型プローブカード並び
にプローブ針を示す側面図であり、図において、21は
基板、22は同軸型プローブ針の内、内部導体部の針の
先端部、23は同軸ケーブル部、24は固定部、25は
同軸ケーブル部23の外部導体部を基板21のシグナル
・グランドに接続するためのケーブルである。そして同
軸ケーブル部23が特性インピーダンス50Ω等を持
ち、内部導体部の針の先端部22がチップのパッドにコ
ンタクトしてウエハテストするものである。
【0005】図6は基板21を除いた状態で同軸型プロ
ーブカード並びにプローブ針を示す平面図であり、プロ
ーブカードの中の同軸型プローブ針の1本の付近を抜粋
し拡大して表わしたもので、同軸型プローブ針の信号処
理方法と、そのコンタクトするパッドとの関係を説明す
るものである。図において、左端の一本が同軸型のプロ
ーブ針であり、その他は一般的なものである。26はプ
ローブ針の先端部22がコンタクトするパッドで、その
うち、26a,26b,26dが信号用のパッド、26
cがシグナル・グランド用のパッドである。この場合の
シグナル・グランド信号は、ICのVccに対応するも
ので、特に、高速信号用のプローブ針の同軸ケーブルの
外部導体部をグランド処理する為のものではない。
ーブカード並びにプローブ針を示す平面図であり、プロ
ーブカードの中の同軸型プローブ針の1本の付近を抜粋
し拡大して表わしたもので、同軸型プローブ針の信号処
理方法と、そのコンタクトするパッドとの関係を説明す
るものである。図において、左端の一本が同軸型のプロ
ーブ針であり、その他は一般的なものである。26はプ
ローブ針の先端部22がコンタクトするパッドで、その
うち、26a,26b,26dが信号用のパッド、26
cがシグナル・グランド用のパッドである。この場合の
シグナル・グランド信号は、ICのVccに対応するも
ので、特に、高速信号用のプローブ針の同軸ケーブルの
外部導体部をグランド処理する為のものではない。
【0006】この従来の場合、同軸ケーブル23の外部
導体部がチップ側のシグナル・グランドにコンタクトし
ていない為、同軸ケーブル23が正確にはチップ側で終
端されておらず、即ち、特性インピーダンスのマッチン
グが無く、反射波が発生する。同軸ケーブル23の外部
導体部のグランドはケーブル25で基板21のシグナル
・グランドに接続され、別のシグナル・グランドに対応
するプローブ針を経由して非常に遠回りしてパッド26
cにコンタクトして、チップのシグナル・グランドに接
続されている。
導体部がチップ側のシグナル・グランドにコンタクトし
ていない為、同軸ケーブル23が正確にはチップ側で終
端されておらず、即ち、特性インピーダンスのマッチン
グが無く、反射波が発生する。同軸ケーブル23の外部
導体部のグランドはケーブル25で基板21のシグナル
・グランドに接続され、別のシグナル・グランドに対応
するプローブ針を経由して非常に遠回りしてパッド26
cにコンタクトして、チップのシグナル・グランドに接
続されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来の同軸型プローブ
カードは以上のように構成されているので、同軸ケーブ
ルの外部導体部のシグナル・グランドの処理の配線の長
さが長い為、特性インピーダンスのマッチングが無く、
反射波を生じたり、その大きなループで他の信号のノイ
ズを拾ったりしてノイズマージンを低下させていた。即
ち、従来の同軸型プローブカードは、単に、従来のプロ
ーブカードのプローブ針の一部を同軸ケーブル化したも
ので、良好な高速データ転送が得られる性能のものでは
なかったという問題点があった。
カードは以上のように構成されているので、同軸ケーブ
ルの外部導体部のシグナル・グランドの処理の配線の長
さが長い為、特性インピーダンスのマッチングが無く、
反射波を生じたり、その大きなループで他の信号のノイ
ズを拾ったりしてノイズマージンを低下させていた。即
ち、従来の同軸型プローブカードは、単に、従来のプロ
ーブカードのプローブ針の一部を同軸ケーブル化したも
ので、良好な高速データ転送が得られる性能のものでは
なかったという問題点があった。
【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、同軸型プローブ針の外部導体部
のシグナル・グランドへの接続処理方法を工夫して、良
好な高速データ転送を可能とする同軸型プローブカード
を提供することを目的とする。
ためになされたもので、同軸型プローブ針の外部導体部
のシグナル・グランドへの接続処理方法を工夫して、良
好な高速データ転送を可能とする同軸型プローブカード
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るウエハプローバーは、プローブ針をウエハ上のパッド
表面に押し付けウエハテストを行なうものであって、同
軸型プローブ針の同軸部の外部導体部を互いにケーブル
又は編組線で接続した複数のグループを構成し、同軸型
プローブ針の共通グランド信号をグランド用プローブ針
でパッドに当接させたものである。
るウエハプローバーは、プローブ針をウエハ上のパッド
表面に押し付けウエハテストを行なうものであって、同
軸型プローブ針の同軸部の外部導体部を互いにケーブル
又は編組線で接続した複数のグループを構成し、同軸型
プローブ針の共通グランド信号をグランド用プローブ針
でパッドに当接させたものである。
【0010】この発明の請求項2に係るウエハプローバ
ーは、同軸型プローブ針を高速データ信号用プローブ針
とシグナル・グランド信号用プローブ針で構成したもの
である。
ーは、同軸型プローブ針を高速データ信号用プローブ針
とシグナル・グランド信号用プローブ針で構成したもの
である。
【0011】この発明の請求項3に係るウエハプローバ
ーは、高速データ信号用同軸型プローブ針の隣にシグナ
ル・グランド信号用同軸型プローブ針を配置したもので
ある。
ーは、高速データ信号用同軸型プローブ針の隣にシグナ
ル・グランド信号用同軸型プローブ針を配置したもので
ある。
【0012】
実施の形態1.以下、この発明の一実施形態を図につい
て説明する。図1はこの発明の一実施形態による同軸型
プローブカードを示す平面図であり、図において、1a
は高速にデータ転送したい信号線のプローブ針を同軸化
した同軸型プローブ針の外部導体部、1bはシグナル・
グランド信号用のプローブ針を同軸化した同軸型プロー
ブ針の外部導体部、2a,2bは同軸型プローブ針の
内、内部導体部の針の先端部、3は固定部、4は外部導
体部1a,1bの最先端部分を密に(短く太く)接続す
るケーブルであり、その描くループの大きさは従来のも
のに比べて小さくなる。
て説明する。図1はこの発明の一実施形態による同軸型
プローブカードを示す平面図であり、図において、1a
は高速にデータ転送したい信号線のプローブ針を同軸化
した同軸型プローブ針の外部導体部、1bはシグナル・
グランド信号用のプローブ針を同軸化した同軸型プロー
ブ針の外部導体部、2a,2bは同軸型プローブ針の
内、内部導体部の針の先端部、3は固定部、4は外部導
体部1a,1bの最先端部分を密に(短く太く)接続す
るケーブルであり、その描くループの大きさは従来のも
のに比べて小さくなる。
【0013】また場合によっては、このケーブル4と直
接シグナル・グランド信号用のプローブ針の先端部2b
とをケーブル5で接続すると更に有効となる。6はプロ
ーブ針の先端部2がコンタクトするパッドであり、その
うち6a,6b,6dが信号用のパッドであり、6cが
シグナル・グランド用のパッドである。
接シグナル・グランド信号用のプローブ針の先端部2b
とをケーブル5で接続すると更に有効となる。6はプロ
ーブ針の先端部2がコンタクトするパッドであり、その
うち6a,6b,6dが信号用のパッドであり、6cが
シグナル・グランド用のパッドである。
【0014】以上のように構成することにより、従来の
同軸型プローブカードに比べて、同軸ケーブルの外部導
体部のシグナル・グランドの処理のための配線の長さが
短くなり、特性インピーダンスのマッチングが従来より
近づき、反射波を減少させ、その小さいループで他の信
号のノイズを拾い難くなり、ノイズマージンを向上させ
ることができる。又、図1においては、ケーブル4によ
って同軸の外部導体部を接続する場合について説明した
が、図2に示すように、編組線7によって外部導体部を
幅広く接続すれば更に有効となる。
同軸型プローブカードに比べて、同軸ケーブルの外部導
体部のシグナル・グランドの処理のための配線の長さが
短くなり、特性インピーダンスのマッチングが従来より
近づき、反射波を減少させ、その小さいループで他の信
号のノイズを拾い難くなり、ノイズマージンを向上させ
ることができる。又、図1においては、ケーブル4によ
って同軸の外部導体部を接続する場合について説明した
が、図2に示すように、編組線7によって外部導体部を
幅広く接続すれば更に有効となる。
【0015】尚、上記説明においては、2本の外部導体
部1a,1bをケーブル4又は編組線7によって接続し
た場合を示したが、複数の同軸型プローブ針の同軸部の
外部導体部分を互いにケーブル又は編組線で接続したグ
ループを複数構成し、グループの中から共通するグラン
ド信号をグランド用のプローブ針でパッド(測定物)に
当接させてもよい。
部1a,1bをケーブル4又は編組線7によって接続し
た場合を示したが、複数の同軸型プローブ針の同軸部の
外部導体部分を互いにケーブル又は編組線で接続したグ
ループを複数構成し、グループの中から共通するグラン
ド信号をグランド用のプローブ針でパッド(測定物)に
当接させてもよい。
【0016】実施の形態2.図3はこの発明の実施の形
態2による同軸型プローブカードを示す平面図であり、
本実施形態においては、チップにおけるパッド配置を変
更し、高速にデータ転送する信号のパッド6aの隣にシ
グナル・グランド用のパッド6bを新たに設け、それに
付随して同軸型プローブ針を隣同士に対で配置したもの
である。図において、8は高速にデータ転送したい信号
線とシグナル・グランド信号用のプローブ針のみを同軸
化した同軸型プローブ針の外部導体部1a,1bの間を
密に(短く太く)接続するケーブルで、その描くループ
の大きさは従来のものに比べて極端に小さい。また、場
合によっては、このケーブル8と直接シグナル・グラン
ド信号用のプローブ針2bとをケーブル9で接続すると
更に有効となる。
態2による同軸型プローブカードを示す平面図であり、
本実施形態においては、チップにおけるパッド配置を変
更し、高速にデータ転送する信号のパッド6aの隣にシ
グナル・グランド用のパッド6bを新たに設け、それに
付随して同軸型プローブ針を隣同士に対で配置したもの
である。図において、8は高速にデータ転送したい信号
線とシグナル・グランド信号用のプローブ針のみを同軸
化した同軸型プローブ針の外部導体部1a,1bの間を
密に(短く太く)接続するケーブルで、その描くループ
の大きさは従来のものに比べて極端に小さい。また、場
合によっては、このケーブル8と直接シグナル・グラン
ド信号用のプローブ針2bとをケーブル9で接続すると
更に有効となる。
【0017】以上のように構成することにより、従来の
同軸型プローブカードに比べて、同軸ケーブルの外部導
体部のシグナル・グランドの処理のための配線の長さが
極端に短くなり、特性インピーダンスのマッチングが従
来より近づき、反射波を減少させ、その小さいループで
他の信号のノイズを拾い難くなり、ノイズマージンを向
上させることができる。即ち、信号用のパッド6aの隣
のパッドは、シグナル・グランド用のパッド6bが用意
されるのである。又、図3においては、ケーブル8によ
って同軸の外部接続部を接続する場合について説明した
が、図4に示すように、編組線10によって外部導体部
を幅広く接続すれば更に有効となる。
同軸型プローブカードに比べて、同軸ケーブルの外部導
体部のシグナル・グランドの処理のための配線の長さが
極端に短くなり、特性インピーダンスのマッチングが従
来より近づき、反射波を減少させ、その小さいループで
他の信号のノイズを拾い難くなり、ノイズマージンを向
上させることができる。即ち、信号用のパッド6aの隣
のパッドは、シグナル・グランド用のパッド6bが用意
されるのである。又、図3においては、ケーブル8によ
って同軸の外部接続部を接続する場合について説明した
が、図4に示すように、編組線10によって外部導体部
を幅広く接続すれば更に有効となる。
【0018】この実施の形態2においては、IC、即
ち、チップの開発当初より高速データ信号、例えば、ク
ロック信号等の隣には必ずシグナル・グランド用のパッ
ドを設けるように設計する必要があるが、その代わり、
高速なデータ転送をマージン高く行なうことができるメ
リットがある。このように、従来の同軸型プローブカー
ドの同軸ケーブル部の外部導体のグランド処理を最短
で、太く、低インピーダンスで接続すれば、擬似的に同
軸ケーブルの終端を実施出来たことになり、反射波を低
くおさえられ、良好な高速データ転送が得られる。
ち、チップの開発当初より高速データ信号、例えば、ク
ロック信号等の隣には必ずシグナル・グランド用のパッ
ドを設けるように設計する必要があるが、その代わり、
高速なデータ転送をマージン高く行なうことができるメ
リットがある。このように、従来の同軸型プローブカー
ドの同軸ケーブル部の外部導体のグランド処理を最短
で、太く、低インピーダンスで接続すれば、擬似的に同
軸ケーブルの終端を実施出来たことになり、反射波を低
くおさえられ、良好な高速データ転送が得られる。
【0019】以上の実施の形態1、2においては、Ca
ntilever型プローブ針について説明したが、垂
直針型のプローブ針でも同様の処理を行なえば同様の効
果が得られる。また、高速データ転送の信号を一本で説
明したが、複数本でも同様の効果が得られ、そして、対
象とするICがメモリでなく、マイコン、ASIC等の
ロジックICでも同様の効果が得られる。また、同軸型
プローブ針の内、同軸ケーブル部より飛び出したプロー
ブ針の先端長が短いほど、以上の効果が大きくなる。
ntilever型プローブ針について説明したが、垂
直針型のプローブ針でも同様の処理を行なえば同様の効
果が得られる。また、高速データ転送の信号を一本で説
明したが、複数本でも同様の効果が得られ、そして、対
象とするICがメモリでなく、マイコン、ASIC等の
ロジックICでも同様の効果が得られる。また、同軸型
プローブ針の内、同軸ケーブル部より飛び出したプロー
ブ針の先端長が短いほど、以上の効果が大きくなる。
【0020】
【発明の効果】この発明の請求項1に係るウエハプロー
バーによれば、プローブ針をウエハ上のパッド表面に押
し付けウエハテストを行なうものであって、同軸型プロ
ーブ針の同軸部の外部導体部を互いにケーブル又は編組
線で接続した複数のグループを構成し、同軸型プローブ
針の共通グランド信号をグランド用プローブ針でパッド
に当接させるようにしたので、グランド配線の描くルー
プを出来るだけ小さく、そしてグランド配線は最短で極
太にできると共に、他のグランドを含めた同軸の信号間
の干渉(クロストーク、グランドレベルの変動等)や外
部の電磁的な外乱ノイズとの遮蔽を行なうことができ、
信号の周波数特性を向上させることができる。
バーによれば、プローブ針をウエハ上のパッド表面に押
し付けウエハテストを行なうものであって、同軸型プロ
ーブ針の同軸部の外部導体部を互いにケーブル又は編組
線で接続した複数のグループを構成し、同軸型プローブ
針の共通グランド信号をグランド用プローブ針でパッド
に当接させるようにしたので、グランド配線の描くルー
プを出来るだけ小さく、そしてグランド配線は最短で極
太にできると共に、他のグランドを含めた同軸の信号間
の干渉(クロストーク、グランドレベルの変動等)や外
部の電磁的な外乱ノイズとの遮蔽を行なうことができ、
信号の周波数特性を向上させることができる。
【0021】この発明の請求項2に係るウエハプローバ
ーによれば、同軸型プローブ針を高速データ信号用プロ
ーブ針とシグナル・グランド信号用プローブ針で構成し
たので、良好な高速データ転送を可能とすることができ
る。
ーによれば、同軸型プローブ針を高速データ信号用プロ
ーブ針とシグナル・グランド信号用プローブ針で構成し
たので、良好な高速データ転送を可能とすることができ
る。
【0022】この発明の請求項3に係るウエハプローバ
ーによれば、高速データ信号用同軸型プローブ針の隣に
シグナル・グランド信号用同軸型プローブ針を配置した
ので、同軸ケーブルの外部導体部のシグナル・グランド
の処理のための配線の長さが極端に短くなり、特性イン
ピーダンスのマッチングが近づき、反射波を減少させ、
その小さいループで他の信号のノイズを拾い難くなり、
ノイズマージンを向上させることができる。
ーによれば、高速データ信号用同軸型プローブ針の隣に
シグナル・グランド信号用同軸型プローブ針を配置した
ので、同軸ケーブルの外部導体部のシグナル・グランド
の処理のための配線の長さが極端に短くなり、特性イン
ピーダンスのマッチングが近づき、反射波を減少させ、
その小さいループで他の信号のノイズを拾い難くなり、
ノイズマージンを向上させることができる。
【図1】 この発明の実施の形態1によるウエハプロー
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
【図2】 この発明の実施の形態1によるウエハプロー
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
【図3】 この発明の実施の形態2によるウエハプロー
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
【図4】 この発明の実施の形態2によるウエハプロー
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
バーの同軸型プローブカードを示す平面図である。
【図5】 従来のウエハプローバーにおける同軸型プロ
ーブカードを示す側面図である。
ーブカードを示す側面図である。
【図6】 従来のウエハプローバーにおける同軸型プロ
ーブカードを示す平面図である。
ーブカードを示す平面図である。
1a,1b 外部導体部、4 ケーブル、6 パッド、
7 編組線。
7 編組線。
Claims (3)
- 【請求項1】 プローブ針をウエハ上のパッド表面に押
し付けウエハテストを行なうウエハプローバーにおい
て、同軸型プローブ針の同軸部の外部導体部を互いにケ
ーブル又は編組線で接続した複数のグループを構成し、
上記同軸型プローブ針の共通グランド信号をグランド用
プローブ針でパッドに当接させることを特徴とするウエ
ハプローバー。 - 【請求項2】 同軸型プローブ針を高速データ信号用プ
ローブ針とシグナル・グランド信号用プローブ針で構成
したことを特徴とする請求項1記載のウエハプローバ
ー。 - 【請求項3】 高速データ信号用同軸型プローブ針の隣
にシグナル・グランド信号用同軸型プローブ針を配置し
たことを特徴とする請求項2記載のウエハプローバー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26536797A JPH11108955A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26536797A JPH11108955A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11108955A true JPH11108955A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17416202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26536797A Pending JPH11108955A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11108955A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003001223A2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Formfactor, Inc. | High density planar electrical interface |
JP2008170441A (ja) * | 2007-01-08 | 2008-07-24 | Mjc Probe Inc | 高周波プローブ及びプローブカード |
US7888956B2 (en) | 2007-09-18 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for testing a semiconductor device and a method of fabricating and using the same |
JP2012018116A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Hioki Ee Corp | 回路基板検査用プローブユニットおよび回路基板検査装置 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26536797A patent/JPH11108955A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003001223A2 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Formfactor, Inc. | High density planar electrical interface |
WO2003001223A3 (en) * | 2001-06-20 | 2003-05-30 | Formfactor Inc | High density planar electrical interface |
US7335057B2 (en) | 2001-06-20 | 2008-02-26 | Formfactor, Inc. | High density planar electrical interface |
US7699616B2 (en) | 2001-06-20 | 2010-04-20 | Formfactor, Inc. | High density planar electrical interface |
JP2008170441A (ja) * | 2007-01-08 | 2008-07-24 | Mjc Probe Inc | 高周波プローブ及びプローブカード |
US7888956B2 (en) | 2007-09-18 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for testing a semiconductor device and a method of fabricating and using the same |
JP2012018116A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Hioki Ee Corp | 回路基板検査用プローブユニットおよび回路基板検査装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5334962A (en) | High-speed data supply pathway systems | |
US6094056A (en) | Multi-chip module with accessible test pads and test fixture | |
US20020074162A1 (en) | Substrate layout method and structure for reducing cross talk of adjacent signals | |
US6583365B2 (en) | Conductive pads layout for BGA packaging structure | |
US20020118528A1 (en) | Substrate layout method and structure for reducing cross talk of adjacent signals | |
US5545920A (en) | Leadframe-over-chip having off-chip conducting leads for increased bond pad connectivity | |
KR20010070040A (ko) | 반도체 장치 | |
TW389008B (en) | Via pad geometry supporting uniform transmission line structures | |
US5053850A (en) | Bonding pad for semiconductor devices | |
JPH11108955A (ja) | ウエハプローバー | |
US5012213A (en) | Providing a PGA package with a low reflection line | |
US6781218B1 (en) | Method and apparatus for accessing internal nodes of an integrated circuit using IC package substrate | |
KR100380515B1 (ko) | 멀티 테스트 회로를 구비하는 반도체 웨이퍼 | |
US11683883B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
US20210274642A1 (en) | Semiconductor apparatus | |
JPS63152141A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
KR102636487B1 (ko) | 신호 전송기 및 이를 구비하는 반도체 소자 검사 장치 | |
US20030160294A1 (en) | Substrate for semiconductor package | |
JPS61133876A (ja) | 超高周波帯プロ−ブカ−ド | |
JP3435241B2 (ja) | テープ状半導体搭載装置の評価装置 | |
JPS5851482A (ja) | 半導体装置用ソケツト | |
US6911732B2 (en) | Integrated circuit | |
JPS594134A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
JP2568495B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20020074566A1 (en) | Bonding pad structure to avoid probing damage |