JPH11106225A - 表面に凹凸を有する石英ガラスおよびその製造方法 - Google Patents

表面に凹凸を有する石英ガラスおよびその製造方法

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JPH11106225A JP28275797A JP28275797A JPH11106225A JP H11106225 A JPH11106225 A JP H11106225A JP 28275797 A JP28275797 A JP 28275797A JP 28275797 A JP28275797 A JP 28275797A JP H11106225 A JPH11106225 A JP H11106225A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】表面に球状または楕円球状を有し、マイクロク
ラックの発生がなく、該マイクロクラックに起因するパ
ーティクルや不純物元素による汚染がなく、しかも二酸
化珪素などの酸化膜との密着性に優れ、洗浄が容易な石
英ガラスおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】表面に凹凸を有する石英ガラスであって、
前記凹凸が直径10μm以下の球状または楕円球状であ
ることを特徴とする表面に凹凸を有する石英ガラスおよ
び石英ガラス表面に100μm以下の薄膜を形成したの
ち、HF溶液またはフッ素を含有する雰囲気などで処理
する前記石英ガラスの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に凹凸を有する石
英ガラスおよびその製造方法、さらに詳しくは表面に微
細な凹凸を有する半導体工業用石英ガラスおよびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造には高純度で、
比較的耐熱性が高く、しかも耐薬品性の高い石英ガラス
製治具が広く使われている。そして前記治具の表面には
意識的に凹凸を設けることが多く、例えば実公昭61−
88233号公報には内面が凹凸面にされたLPCVD
用炉心管が、また、特開平1−170019号公報には
ウエハー載置溝の表面がサンドブラストで凸部が形成さ
れたウエハー載置用ボートがそれぞれ記載されている。
こうした石英ガラス表面の凹凸は、いわゆるフロスト処
理で形成するのが一般的であるが、フロスト処理は結晶
質二酸化珪素粉を吹き付け、石英ガラス表面を削り取る
処理であるところから、凹凸の形成とともにマイクロク
ラックが発生し、石英ガラスの赤外線散乱反射率を変化
させるばかりでなく、その後のHF溶液によるエッチン
グ処理で、マイクロクラックが選択的にエッチングされ
て粗面化され、そこにエッチング処理液が付着したり、
或はパーティクルが発生し、半導体製品を汚染する等の
問題があった。また、フロスト処理で得た石英ガラス
は、その凹凸が大きく半導体素子製造におけるCVD工
程で形成する二酸化珪素膜などの酸化膜との密着性が悪
く剥離し易いなどの欠点もあった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、石英ガラス表面に
10μm以下の球状または楕円球状の凹凸を有し、マイ
クロクラックの発生がない石英ガラスを用いて作成した
半導体処理用部材は、半導体製品を不純物元素やパーテ
ィクルで汚染することのなく、しかも半導体製造のCV
D工程で形成する酸化膜との密着性に優れ熱サイクルに
おいても剥離しにくいことを見出した。そして前記表面
に凹凸を有する石英ガラスはその表面に100μm以下
の薄膜を形成し、それをHF溶液またはフッ素を含有す
る雰囲気などでエッチング処理することで容易に製造で
きることをも見出し、本発明を完成したものである。す
なわち
【0004】本発明は、表面に球状または楕円球状の凹
凸を有し、マイクロクラックのない石英ガラスを提供す
ることを目的とする。
【0005】また、本発明は、CVD工程で形成される
酸化膜との密着性に優れ、パーティクルや不純物元素に
よる半導体製品の汚染がなく、かつ洗浄が容易な半導体
処理用石英ガラス部材を提供することを目的とする。
【0006】さらに、本発明は、上記石英ガラスの製造
方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、表面に凹凸を有する石英ガラスであって、前記凹
凸が直径10μm以下の球状または楕円球状である表面
に凹凸を有する石英ガラスおよびその製造方法に係る。
【0008】本発明の石英ガラスは、例えば炉芯管、ウ
ェーハ載置用ボート等、半導体工業で使用される治具に
代表される部材の素材として有用で、その表面の一部又
は全部に直径10μm以下の球状または楕円球状の凹凸
を有し、マイクロクラックのない石英ガラスである。よ
り好ましくは前記凹凸が10000ケ/mm2以上存在
する石英ガラスがよい。このように直径10μm以下の
球状または楕円球状の凹凸が10000ケ/mm2以上
存在することで、二酸化珪素膜など熱膨張係数の異なる
酸化膜もCVD工程で密着性よく石英ガラス表面に形成
されても、熱サイクルの加熱、冷却によっても剥離する
ことが少ない。また、マイクロクラックの発生がないと
ころから、マイクロクラックに基づく赤外線散乱反射率
の変化が起ることがない上に、マイクロクラックに付着
した不純物元素や該マイクロクラックに起因するパーテ
ィクルによる汚染がなく、しかも洗浄が容易である。前
記石英ガラスの表面の凹凸が球状または楕円球状である
ところから、長時間のエッチング処理でも凹凸が殆ど変
化せず、仮令エッチング処理で球状同志の境界部分が鋭
くとがっても、全体として表面状態が殆ど変ることがな
い。前記直径10μm以下の球状または楕円球状の凹凸
とは、石英ガラス表面のすべての凹凸の内、50%以上
が直径10μm以下の球状または楕円球状であることを
いう。前記凹凸の直径が10μmを超える凹凸は石英ガ
ラス表面に形成する薄膜の分子サイズを大きくする必要
があり、使用できる薄膜が限定される上に、表面粗さが
粗くなり、二酸化珪素などの酸化膜の密着性に劣り熱サ
イクルで酸化膜の剥離が起る。また、直径が10μmを
超える球状または楕円球状の凹凸を10000ケ/mm
2以上形成することは困難である。
【0009】上記本発明の石英ガラスは、石英ガラス表
面に100μm以下の薄膜を形成したのちHF溶液また
はフッ素を含有する雰囲気などでエッチング処理するこ
とで製造できる。前記エッチング処理としては、フッ酸
溶液によるエッチング処理やプラズマエッチング処理な
どが挙げられる。また、薄膜を形成する物質としては石
英ガラス表面に100μm以下の薄膜を形成できる物質
であれば無機物質でもまた有機物質でもよく特に制限さ
れないが、好ましくは有機物質からなる薄膜がよい。有
機物質としては分子中に酸素、窒素、リン、珪素、フッ
素または金属の各原子を少なくとも1つ有する有機化合
物またはその混合物が好ましく使用でき、具体的には、
アルコール類、フェノール類、アルデヒド類、ケトン
類、カルボン酸類、アミン類、有機珪素化合物、有機ハ
ロゲン化合物、有機金属化合物またはそれらの誘導体お
よびそれらの混合物などが挙げられる。特にシリコー
ン、グリセリン、脂肪酸およびその誘導体、フッ素樹
脂、クロロフルオロカーボン、フッ素ゴムなどが好適に
使用される。
【0010】本発明の石英ガラスの製造方法の一例を以
下に示す。すなわち、石英ガラス表面に薄膜を形成する
物質をスピンナー、バーコーター、アップリケーター、
カーテンフローなどの塗布手段を用いて膜厚100μm
以下、好ましくは0.1〜10μmに塗布し、乾燥した
のちHF溶液またはフッ素を含有する雰囲気などでエッ
チング処理することからなる製造方法である。前記製造
方法で薄膜の膜厚が100μmを超えるとHF溶液また
はフッ素を含有する雰囲気などでエッチング処理で薄膜
が剥離せず、薄膜の形成された部分がエッチングされず
に残り、球状または楕円球状の凹凸を形成できない上
に、エッチングムラも発生して好ましくない。また、薄
膜が0.1μm未満ではHF溶液またはフッ素を含有す
る雰囲気などでエッチング処理で薄膜が短時間に剥離
し、石英ガラス表面に凹凸が生じない。好適なエッチン
グ条件としては、例えば5%HF溶液で30分、26%
HF溶液で10分程度の処理がよいが、薄膜が厚い場合
にはエッチング処理時間を長くする必要がある。また、
フッ素を含有する雰囲気としてはSF6、NF3などが挙
げられる。
【0011】上記HF溶液またはフッ素を含有する雰囲
気などでエッチング処理で石英ガラス表面に球状または
楕円球状の凹凸が形成されるのは、薄膜が形成されてい
る部分のエッチングが抑制されるが、薄膜が薄い場合に
は薄膜の分子形状に沿ってHF溶液またはフッ素を含有
する雰囲気が浸透しガラス表面を部分的にエッチングす
ることに起因するものと考えられる。したがって、薄膜
が厚い場合にはHF溶液またはフッ素を含有する雰囲気
が石英ガラス表面まで浸透することができないので球状
または楕円球状の凹凸の形成が困難となる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。
【0013】
【実施例】
実施例1 石鹸水のはいった槽に、石英ガラスチューブを沈め、回
転したのち引上げて乾燥した。石英ガラス表面には1μ
mの薄膜が形成されていた。前記石英ガラスチューブを
5%HF溶液で120分のエッチングしたところ、表面
に図1にみるように直径0.5〜3μmの球状もしくは
楕円球状の凹凸が約400000ケ/mm2形成されて
いた。この石英ガラスチューブ表面にSiH4を原料と
して、600℃のCVD工程でPolySi膜を20μ
mの厚さに形成した。この石英ガラスチューブについて
室温から600℃までの加熱・冷却サイクル処理を30
回行ったのち、目視による観察をしたところ、Poly
Si膜に剥離やマイクロクラックの発生が確認できなか
った。
【0014】実施例2 石英ガラスチューブにシリコーンオイルを刷毛で塗布し
たのち高速で回転して、余分のシリコーンオイルを吹き
飛ばし膜厚6μmのシリコーンオイル膜を形成した。前
記石英ガラスチューブを25%HF溶液で60分のエッ
チング処理したところ、その表面には図2にみるような
直径1〜8μmの球状もしくは楕円球状の凹凸が約80
000ケ/mm2形成されていた。この石英ガラス表面
にSiH4を原料として、600℃のCVD工程でPo
lySi膜を20μmの厚さに形成し、それに室温から
600℃までの加熱・冷却サイクル処理を30回施し
た。処理後の石英ガラスチューブについて目視による観
察を行ったが、PolySi膜の剥離やマイクロクラッ
クの発生が確認できなかった。
【0015】比較例1 グリセリンを石英ガラスチューブ表面に噴霧器で塗布し
て膜厚500μmのグリセリン膜を形成した。前記石英
ガラスチューブを5%HF溶液で120分のエッチング
処理をしたところ、石英ガラス表面には、まだらな白濁
が形成されただけで、凹凸の形成がなかった。また、前
記石英ガラスチューブ表面にSiH4を原料として、6
00℃のCVD工程でPolySi膜を20μmの厚さ
に形成し、室温から600℃までの加熱・冷却サイクル
処理を30回施したところ、PolySi膜にはマイク
ロクラックが発生し、さらにPolySi膜の一部に剥
離があった。
【0016】比較例2 石英ガラスチューブ表面にSiH4を原料として、60
0℃のCVD工程でPolySi膜を20μm厚さに形
成し、それを室温から600℃までの加熱・冷却サイク
ル処理を30回施したところ、PolySi膜にマイク
ロクラックが発生し、PolySi膜の一部に剥離があ
った。
【0017】
【発明の効果】本発明の石英ガラスは、表面に微細な球
状または楕円球状の凹凸が均一に形成され、マイクロク
ラックのない石英ガラスである。この石英ガラスで作成
した半導体処理用部材は例えば半導体製品製造における
CVD工程で形成した二酸化珪素などの酸化膜の密着性
がよく、しかも不純物元素やパーティクルによる半導体
製品の汚染を起すことがなく、しかも洗浄が容易であ
る。前記石英ガラスは石英ガラス表面に薄膜を形成し、
それをHF溶液またはフッ素を含有する雰囲気などでエ
ッチング処理することで容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
図1、2は、本発明の石英ガラス表面の走査電子顕微鏡
2次電子像写真である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に凹凸を有する石英ガラスであって、
    前記凹凸が直径10μm以下の球状または楕円球状であ
    ることを特徴とする表面に凹凸を有する石英ガラス。
  2. 【請求項2】球状または楕円球状の凹凸を少なくとも1
    0000ケ/mm2有することを特徴とする請求項1記
    載の表面に凹凸を有する石英ガラス。
  3. 【請求項3】石英ガラス表面にマイクロクラックが存在
    しないことを特徴とする請求項1又は2記載の表面に凹
    凸を有する石英ガラス。
  4. 【請求項4】石英ガラス表面に100μm以下の薄膜を
    形成したのち、エッチング処理することを特徴とする表
    面に凹凸を有する石英ガラスの製造方法。
  5. 【請求項5】薄膜が有機物質からなる薄膜であることを
    特徴とする請求項4記載の表面に凹凸を有する石英ガラ
    スの製造方法。
  6. 【請求項6】有機物質が分子中に酸素、リン、珪素、フ
    ッ素、窒素または金属の各原子の少なくとも1つを有す
    る有機化合物またはそれらの混合物であることを特徴と
    する請求項5記載の表面に凹凸を有する石英ガラスの製
    造方法。
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