JPH11103069A - Connecting structure and manufacture thereof - Google Patents
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- JPH11103069A JPH11103069A JP708698A JP708698A JPH11103069A JP H11103069 A JPH11103069 A JP H11103069A JP 708698 A JP708698 A JP 708698A JP 708698 A JP708698 A JP 708698A JP H11103069 A JPH11103069 A JP H11103069A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置等の表示装置に用いられる接続構造およびその製造方
法に関する。The present invention relates to a connection structure used for a display device such as a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】上述の表示装置においては、液晶層等の
表示媒体を間に挟んで一対の基板が対向配置されてい
る。そのうち、アクティブマトリクス型の表示装置にお
いては、一方の基板に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の
３端子素子や、バリスタ、ダイオード等の二端子非線形
抵抗素子を各画素毎に設けて、画素を選択駆動するよう
になっている。2. Description of the Related Art In the above-mentioned display device, a pair of substrates are opposed to each other with a display medium such as a liquid crystal layer interposed therebetween. Among them, in an active matrix type display device, a three-terminal element such as a thin film transistor (TFT) or a two-terminal non-linear resistance element such as a varistor or a diode is provided for each pixel on one substrate to selectively drive the pixel. It has become.
【０００３】このＴＦＴとしては、例えば、プレーナ型
やスタガー型、逆スタガー型等のものが知られており、
ＴＦＴの半導体層としては、アモルファスシリコンやポ
リシリコン、単結晶シリコン等が用いられている。これ
らのＴＦＴは、表示装置の画素部に設けられるのみでな
く、駆動回路用のＴＦＴとしても用いられている。As this TFT, for example, a planar type, a stagger type, an inverted stagger type and the like are known.
As a semiconductor layer of the TFT, amorphous silicon, polysilicon, single crystal silicon, or the like is used. These TFTs are used not only in the pixel portion of the display device but also as TFTs for a driving circuit.
【０００４】図５に、画素部にＴＦＴを設けた従来の表
示装置の一例として、特開平６−２４２４３３号に開示
されている構造を示す。FIG. 5 shows a structure disclosed in JP-A-6-242433 as an example of a conventional display device in which a TFT is provided in a pixel portion.
【０００５】この表示装置においては、ＴＦＴの半導体
層１１２と上部電極（画素電極）１０４との間に、二酸
化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁膜１０２が設け
られていると共に、電極基板の表面を平坦化させるため
の平坦化膜として、スピンコーター等で塗布した有機絶
縁膜１０３が設けられている。そして、ＴＦＴの半導体
層１１２と画素電極１０４とは、無機絶縁膜１０２と有
機絶縁膜１０３とを貫通する貫通孔（コンタクトホー
ル）１１０を介して直接接続されている。なお、この図
５において、１０５はゲートとソース・ドレインとの間
の層間絶縁膜であり、１０６はゲート絶縁膜である。In this display device, an inorganic insulating film 102 such as silicon dioxide or silicon nitride is provided between a semiconductor layer 112 of a TFT and an upper electrode (pixel electrode) 104, and a surface of an electrode substrate is formed. As a flattening film for flattening, an organic insulating film 103 applied by a spin coater or the like is provided. The semiconductor layer 112 of the TFT and the pixel electrode 104 are directly connected through a through-hole (contact hole) 110 penetrating the inorganic insulating film 102 and the organic insulating film 103. In FIG. 5, reference numeral 105 denotes an interlayer insulating film between the gate and the source / drain, and reference numeral 106 denotes a gate insulating film.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の表示装置においては、無機絶縁膜と有機絶縁膜と
を貫通するコンタクトホールを介して画素電極とＴＦＴ
の半導体層とを直接接続させているため、コンタクトホ
ールの下部にＴＦＴの半導体層が存在する。この場合、
コンタクトホールを形成するためのエッチングを行う際
に、無機絶縁膜や有機絶縁膜と半導体層との選択エッチ
ングを行う必要が生じ、これを制御するのが困難であっ
た。However, in the above-mentioned conventional display device, the pixel electrode and the TFT are connected through a contact hole penetrating the inorganic insulating film and the organic insulating film.
The semiconductor layer of the TFT is directly below the contact hole. in this case,
When performing etching for forming a contact hole, it is necessary to perform selective etching between an inorganic insulating film or an organic insulating film and a semiconductor layer, and it has been difficult to control this.
【０００７】また、上述の従来の表示装置において、コ
ンタクトホールの下部に金属膜からなる電極を設ける
と、有機絶縁膜と金属膜とが直接接触することになる。
この場合、有機絶縁膜と金属膜との密着性が悪いので、
有機絶縁膜の膜剥がれが生じ易くなると共に、その上の
画素電極の膜剥がれも生じ易くなる。このため、上部電
極と金属膜からなる電極との電気的接続性が悪くなっ
て、導通不良となるという問題があった。In the above-mentioned conventional display device, when an electrode made of a metal film is provided below the contact hole, the organic insulating film and the metal film come into direct contact.
In this case, since the adhesion between the organic insulating film and the metal film is poor,
The organic insulating film is easily peeled off, and the pixel electrode on the organic insulating film is also easily peeled off. For this reason, there has been a problem that electrical connectivity between the upper electrode and the electrode made of the metal film is deteriorated, resulting in poor conduction.
【０００８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、貫通孔を形成する際のエ
ッチングの制御を容易にすると共に、有機絶縁膜の膜剥
がれやその上の導電膜の膜剥がれを防ぐことができる接
続構造およびその製造方法を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems of the prior art, and facilitates the control of etching when forming a through-hole, peels off an organic insulating film, and removes the organic insulating film. An object of the present invention is to provide a connection structure capable of preventing peeling of a conductive film and a method for manufacturing the connection structure.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の接続構造は、電
気的に接続される金属膜と導電膜との間に、無機絶縁膜
と有機絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該金属膜側に配し、
かつ、該有機絶縁膜を該金属膜と直接接触しないように
して設けられ、該金属膜と該導電膜とが、該無機絶縁膜
および該有機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して電
気的に接続されており、そのことにより上記目的が達成
される。According to the connection structure of the present invention, an inorganic insulating film and an organic insulating film are provided between an electrically connected metal film and a conductive film. To the side,
In addition, the organic insulating film is provided so as not to directly contact the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. The above purpose is achieved.
【００１０】前記無機絶縁膜の貫通孔における該金属膜
とは反対側の開口端が、前記有機絶縁膜の貫通孔におけ
る該金属膜側の開口端よりも小さく、かつ、内側に設け
られていてもよい。[0010] An opening end of the through hole of the inorganic insulating film opposite to the metal film is smaller than an opening end of the through hole of the organic insulating film on the side of the metal film and is provided inside. Is also good.
【００１１】前記有機絶縁膜が、イミド基、アミド基お
よびアクリル基のうちの少なくとも１つの基を構造中に
有する高分子化合物からなっていてもよい。[0011] The organic insulating film may be made of a polymer compound having at least one of an imide group, an amide group and an acryl group in its structure.
【００１２】前記金属膜が、薄膜トランジスタのドレイ
ン電極であってもよい。[0012] The metal film may be a drain electrode of a thin film transistor.
【００１３】前記導電膜が、画素電極であってもよい。[0013] The conductive film may be a pixel electrode.
【００１４】本発明の接続構造の製造方法は、電気的に
接続される金属膜と導電膜との間に、無機絶縁膜と有機
絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該金属膜側に配し、かつ、
該有機絶縁膜を該金属膜と直接接触しないようにして設
けられ、該金属膜と該導電膜とが、該無機絶縁膜および
該有機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して電気的に
接続されている接続構造を製造する方法であって、金属
膜を設ける工程と、該金属膜上に無機絶縁膜を設けると
共に該無機絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、該無機絶
縁膜上に有機絶縁膜を設けると共に、該無機絶縁膜の貫
通孔における該金属膜とは反対側の開口端よりも、該有
機絶縁膜の貫通孔における該金属膜側の開口端が大き
く、かつ、外側に設けられているように、該有機絶縁膜
に貫通孔を形成する工程と、該有機絶縁膜上に導電膜を
設けて、該有機絶縁膜および該無機絶縁膜の各々を貫通
する貫通孔を介して該金属膜パターンと該導電膜パター
ンとを電気的に接続させる工程とを含み、そのことによ
り上記目的が達成される。In the method of manufacturing a connection structure according to the present invention, an inorganic insulating film and an organic insulating film are disposed between a metal film and a conductive film to be electrically connected, and the inorganic insulating film is disposed on the metal film side. And
The organic insulating film is provided so as not to be in direct contact with the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. A method of manufacturing a connected structure, wherein a step of providing a metal film, a step of providing an inorganic insulating film on the metal film and forming a through hole in the inorganic insulating film, And an opening end on the metal film side in the through hole of the organic insulating film is larger than an opening end on the side opposite to the metal film in the through hole of the inorganic insulating film, and Forming a through hole in the organic insulating film, providing a conductive film on the organic insulating film, and forming a through hole penetrating each of the organic insulating film and the inorganic insulating film. Electrical connection between the metal film pattern and the conductive film pattern And a step of, the objects can be achieved.
【００１５】本発明の接続構造の製造方法は、電気的に
接続される金属膜と導電膜との間に、無機絶縁膜と有機
絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該金属膜側に配し、かつ、
該有機絶縁膜を該金属膜と直接接触しないようにして設
けられ、該金属膜と該導電膜とが、該無機絶縁膜および
該有機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して電気的に
接続されている接続構造を製造する方法であって、金属
膜を設ける工程と、該金属膜上に無機絶縁膜を設けると
共に該有機絶縁膜を設ける工程と、該無機絶縁膜および
該有機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を形成する工程
と、該有機絶縁膜上に導電膜を設けて、該有機絶縁膜お
よび該無機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して該金
属膜パターンと該導電膜パターンとを電気的に接続させ
る工程とを含み、そのことにより上記目的が達成され
る。In the method for manufacturing a connection structure according to the present invention, an inorganic insulating film and an organic insulating film are provided between a metal film and a conductive film to be electrically connected, and the inorganic insulating film is disposed on the metal film side. And
The organic insulating film is provided so as not to be in direct contact with the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. A method of manufacturing a connected structure, wherein a step of providing a metal film, a step of providing an inorganic insulating film on the metal film and providing the organic insulating film, and a step of providing the inorganic insulating film and the organic insulating film Forming a through-hole penetrating each of the organic insulating film, providing a conductive film on the organic insulating film, the metal film pattern and the through-hole through each of the organic insulating film and the inorganic insulating film Electrically connecting the conductive film pattern to the conductive film pattern, thereby achieving the above object.
【００１６】以下に、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.
【００１７】本発明にあっては、無機絶縁膜および有機
絶縁膜の各々を貫通する貫通孔（コンタクトホール）の
下部に金属膜が存在するので、コンタクトホールを形成
するために無機絶縁膜および有機絶縁膜のエッチングを
行う際に、エッチングの制御が容易である。また、有機
絶縁膜は、金属膜と直接接触しないように設けられてい
るので、有機絶縁膜の膜剥がれが生じず、その上に設け
られた導電膜の膜剥がれも生じないため、導通不良が起
こらない。In the present invention, since the metal film exists under the through hole (contact hole) penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film, the inorganic insulating film and the organic film are formed to form the contact hole. When etching the insulating film, the control of the etching is easy. In addition, since the organic insulating film is provided so as not to come into direct contact with the metal film, the organic insulating film does not peel off, and the conductive film provided thereon does not peel off. Does not happen.
【００１８】例えば、無機絶縁膜の貫通孔における金属
膜とは反対側の開口端を、有機絶縁膜の貫通孔における
金属膜側の開口端よりも小さく、かつ、内側に設けれ
ば、有機絶縁膜と金属膜とが直接接触しないようにする
ことが可能である。また、無機絶縁膜の貫通孔における
金属膜とは反対側の開口端を、有機絶縁膜の貫通孔にお
ける金属膜側の開口端と同じ大きさになるように設けて
も、有機絶縁膜と金属膜とが直接接触しないようにする
ことが可能である。For example, if the opening end of the through hole of the inorganic insulating film on the side opposite to the metal film is smaller than the opening end of the through hole of the organic insulating film on the side of the metal film and provided inside, the organic insulating film has It is possible to prevent direct contact between the film and the metal film. Further, even if the opening end on the side opposite to the metal film in the through hole of the inorganic insulating film is provided to be the same size as the opening end on the metal film side in the through hole of the organic insulating film, the organic insulating film and the metal It is possible to prevent direct contact with the membrane.
【００１９】この有機絶縁膜として、イミド基、アミド
基およびアクリル基のうちの少なくとも１つの基を構造
中に有する高分子化合物からなるものを用いれば、厚膜
化することができるので、金属膜と導電膜との間の負荷
容量を減少させることができる。If this organic insulating film is made of a polymer compound having at least one of imide group, amide group and acryl group in its structure, the film can be made thicker. The load capacitance between the conductive film and the conductive film can be reduced.
【００２０】上記金属膜はＴＦＴのドレイン電極であっ
てもよく、上記導電膜は画素電極であってもよい。この
場合、画素電極とドレイン電極とを電気的に接続させる
ために無機絶縁膜および有機絶縁膜を貫通する貫通孔
（コンタクトホール）を形成する際に、エッチングの制
御性を高めることができると共に、有機絶縁膜の膜剥が
れや画素電極の膜剥がれを防いで、画素電極とドレイン
電極との導通不良を生じないようにすることが可能であ
る。The metal film may be a drain electrode of a TFT, and the conductive film may be a pixel electrode. In this case, when forming a through-hole (contact hole) penetrating the inorganic insulating film and the organic insulating film to electrically connect the pixel electrode and the drain electrode, controllability of etching can be improved, and It is possible to prevent film peeling of the organic insulating film and film peeling of the pixel electrode, thereby preventing poor conduction between the pixel electrode and the drain electrode.
【００２１】本発明にあっては、金属膜上に無機絶縁膜
を設けて貫通孔を形成した後で、無機絶縁膜上に有機絶
縁膜を設けて貫通孔を形成することにより、有機絶縁膜
が金属膜と直接接触しないようにすることが可能であ
る。この場合、例えば、無機絶縁膜の貫通孔における金
属膜とは反対側の開口端よりも、有機絶縁膜の貫通孔に
おける金属膜側の開口端が大きく、かつ、外側に設けら
れているように、有機絶縁膜に貫通孔を形成すれば、確
実に、有機絶縁膜が金属膜と直接接触しないようにする
ことが可能である。In the present invention, an organic insulating film is formed by forming an inorganic insulating film on a metal film to form a through hole, and then forming an organic insulating film on the inorganic insulating film to form a through hole. Can be prevented from directly contacting the metal film. In this case, for example, the opening end of the through hole of the organic insulating film on the metal film side is larger than the opening end of the through hole of the inorganic insulating film opposite to the metal film, and is provided outside. By forming a through hole in the organic insulating film, it is possible to reliably prevent the organic insulating film from directly contacting the metal film.
【００２２】本発明にあっては、無機絶縁膜および有機
絶縁膜を設けた後で、無機絶縁膜と有機絶縁膜を同時に
エッチングして貫通孔を形成することにより、有機絶縁
膜が金属膜と直接接触しないようにすることも可能であ
る。この場合には、製造工程を簡略化することができ
る。According to the present invention, after the inorganic insulating film and the organic insulating film are provided, the inorganic insulating film and the organic insulating film are simultaneously etched to form through holes, so that the organic insulating film and the metal film are formed. It is also possible to avoid direct contact. In this case, the manufacturing process can be simplified.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。以下の実施形態では、液晶表示装置の画素
部において、ポリシリコン半導体層を用いたプレーナ型
ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とを電気的に接続させ
た接続構造について説明する。Embodiments of the present invention will be described below. In the following embodiments, a connection structure in which a drain electrode of a planar TFT using a polysilicon semiconductor layer and a pixel electrode are electrically connected in a pixel portion of a liquid crystal display device will be described.
【００２４】（実施形態１）図１は実施形態１の接続構
造を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ｂ線部分の断
面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing a connection structure of Embodiment 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line AB in FIG.
【００２５】このＴＦＴにおいて、半導体層１２はチャ
ネル部１１とその両側に設けられたソース部８およびド
レイン部１３とを有しており、その上を覆うようにゲー
ト絶縁膜６が設けられている。ゲート絶縁膜６の上に
は、チャネル部１１と対向するようにゲート電極７が設
けられており、その表面を覆って陽極酸化膜（図示せ
ず）が設けられている。その上を覆うように、無機絶縁
膜からなるゲートとソース・ドレインとの間の層間絶縁
膜５が設けられている。この層間絶縁膜５には、ソース
部８およびドレイン部１３に達するように第１のコンタ
クトホール９ａ、９ｂが形成されている。この層間絶縁
膜５上には金属膜からなるソース電極（図示せず）およ
びドレイン電極１が設けられ、第１のコンタクトホール
９ａを介してソース部８とソース電極とが電気的に接続
されると共に、第１のコンタクトホール９ｂを介してド
レイン部１３とドレイン電極１とが電気的に接続されて
いる。In this TFT, the semiconductor layer 12 has a channel portion 11 and a source portion 8 and a drain portion 13 provided on both sides thereof, and a gate insulating film 6 is provided so as to cover the same. . On the gate insulating film 6, a gate electrode 7 is provided so as to face the channel portion 11, and an anodic oxide film (not shown) is provided so as to cover the surface thereof. An interlayer insulating film 5 between the gate and the source / drain made of an inorganic insulating film is provided so as to cover it. In the interlayer insulating film 5, first contact holes 9a and 9b are formed so as to reach the source portion 8 and the drain portion 13. A source electrode (not shown) and a drain electrode 1 made of a metal film are provided on interlayer insulating film 5, and source part 8 and the source electrode are electrically connected via first contact hole 9a. In addition, the drain portion 13 and the drain electrode 1 are electrically connected via the first contact hole 9b.
【００２６】このＴＦＴ上を覆うように、無機絶縁膜２
と有機絶縁膜３とがこの順に設けられている。この無機
絶縁膜２および有機絶縁膜３には、有機絶縁膜３がドレ
イン電極１に直接接触しないように、かつ、ドレイン電
極１に達するように第２のコンタクトホール１０が形成
されている。この第２のコンタクトホール１０において
は、図３に示すように、無機絶縁膜２の貫通孔における
ドレイン電極１とは反対側の開口端と、有機絶縁膜３の
貫通孔におけるドレイン電極１側の開口端とは同じ大き
さとなっている。The inorganic insulating film 2 is formed so as to cover the TFT.
And the organic insulating film 3 are provided in this order. A second contact hole 10 is formed in the inorganic insulating film 2 and the organic insulating film 3 so that the organic insulating film 3 does not directly contact the drain electrode 1 and reaches the drain electrode 1. In the second contact hole 10, as shown in FIG. 3, an opening end of the through hole of the inorganic insulating film 2 opposite to the drain electrode 1 and a portion of the through hole of the organic insulating film 3 on the drain electrode 1 side. It has the same size as the open end.
【００２７】その有機絶縁膜３の上には画素電極４が設
けられ、第２のコンタクトホール１０を介して画素電極
４とドレイン電極１とが電気的に接続されている。A pixel electrode 4 is provided on the organic insulating film 3, and the pixel electrode 4 and the drain electrode 1 are electrically connected via a second contact hole 10.
【００２８】この接続構造は、以下のようにして製造す
ることができる。This connection structure can be manufactured as follows.
【００２９】まず、コーニング社株式会社製の１７３７
ガラス基板上に、アモルファスシリコン半導体層を３０
ｎｍの厚みに形成し、所定の形状にパターニングを行っ
た。この半導体層に不純物イオンをドーピングすること
により、ソース部８およびドレイン部１３を形成した
後、レーザー照射を行うことにより多結晶化してポリシ
リコン半導体層１２とした。このとき、不純物イオンが
ドーピングされない部分は、チャネル部１１となる。First, 1737 manufactured by Corning Co., Ltd.
On a glass substrate, 30 amorphous silicon semiconductor layers
It was formed to a thickness of nm and patterned into a predetermined shape. After doping the semiconductor layer with impurity ions to form a source portion 8 and a drain portion 13, the semiconductor layer was polycrystallized by laser irradiation to form a polysilicon semiconductor layer 12. At this time, the portion where the impurity ions are not doped becomes the channel portion 11.
【００３０】次に、その上に化学気相成長法により二酸
化シリコンを１００ｎｍの厚みに形成してゲート絶縁膜
６とした。Next, silicon dioxide was formed thereon to a thickness of 100 nm by chemical vapor deposition to form a gate insulating film 6.
【００３１】続いて、ゲート絶縁膜６の上にスパッタリ
ング法によりアルミニウムを３５０ｎｍの厚みに形成
し、フォトリソグラフィー法により所定の形状にパター
ニングしてゲート電極７を形成した。Subsequently, aluminum was formed to a thickness of 350 nm on the gate insulating film 6 by a sputtering method, and was patterned into a predetermined shape by a photolithography method to form a gate electrode 7.
【００３２】その後、ゲート電極７の表面を陽極酸化法
により酸化させることにより陽極酸化膜を形成した。Thereafter, the surface of the gate electrode 7 was oxidized by an anodic oxidation method to form an anodic oxide film.
【００３３】次に、その上に化学気相成長法により二酸
化シリコンを堆積して無機絶縁膜からなるゲートとソー
ス・ドレインとの間の層間絶縁膜５を形成し、フォトリ
ソグラフィー法により第１のコンタクトホール９ａ、９
ｂを形成した。Next, silicon dioxide is deposited thereon by chemical vapor deposition to form an interlayer insulating film 5 between the gate and source / drain made of an inorganic insulating film, and the first insulating film 5 is formed by photolithography. Contact holes 9a, 9
b was formed.
【００３４】続いて、その上にスパッタリング法により
アルミニウムとチタンとの合金を８００ｎｍの厚みに形
成して、所定の形状にパターニングすることにより、ソ
ース電極およびドレイン電極１を形成した。これによ
り、第１のコンタクトホール９ａを介してソース部８と
ソース電極とが電気的に接続されると共に、第１のコン
タクトホール９ｂを介してドレイン部１３とドレイン電
極１とが電気的に接続された。このように、金属膜から
なるドレイン電極１を形成することにより、第２のコン
タクトホール１０の形成工程におけるエッチングの制御
性を高くすることができる。Subsequently, an alloy of aluminum and titanium was formed thereon to a thickness of 800 nm by a sputtering method, and was patterned into a predetermined shape to form a source electrode and a drain electrode 1. As a result, the source section 8 and the source electrode are electrically connected via the first contact hole 9a, and the drain section 13 and the drain electrode 1 are electrically connected via the first contact hole 9b. Was done. As described above, by forming the drain electrode 1 made of a metal film, the controllability of etching in the step of forming the second contact hole 10 can be improved.
【００３５】その後、その上に化学気相成長法により窒
化シリコン膜を３００ｎｍの厚みに堆積して無機絶縁膜
２を形成した。Thereafter, a silicon nitride film was deposited thereon by a chemical vapor deposition method to a thickness of 300 nm to form an inorganic insulating film 2.
【００３６】次に、その上にスピンコーティング法によ
りポリイミド樹脂を２μｍの厚みに塗布して有機絶縁膜
３を形成した。Next, a 2 μm thick polyimide resin was applied thereon by spin coating to form an organic insulating film 3.
【００３７】続いて、フォトリソグラフィー法により、
第２のコンタクトホール１０の形成部に約４μｍ四方の
大きさの開口部を有するレジストマスクを形成し、４フ
ッ化炭素および酸素等のガスを用いたドライエッチング
により、無機絶縁膜２および有機絶縁膜３を連続的にエ
ッチングして、第２のコンタクトホール１０を設けた。
このとき、図３に示すように、無機絶縁膜２の貫通孔に
おけるドレイン電極１とは反対側の開口端と、有機絶縁
膜３の貫通孔におけるドレイン電極１側の開口端とが同
じ大きさとなり、有機絶縁膜３がドレイン電極１に直接
接触することはなかった。Subsequently, by photolithography,
A resist mask having an opening having a size of about 4 μm square is formed in a portion where the second contact hole 10 is formed, and the inorganic insulating film 2 and the organic insulating film 2 are formed by dry etching using a gas such as carbon tetrafluoride and oxygen. The film 3 was continuously etched to provide a second contact hole 10.
At this time, as shown in FIG. 3, the opening end of the through hole of the inorganic insulating film 2 opposite to the drain electrode 1 has the same size as the opening end of the through hole of the organic insulating film 3 on the drain electrode 1 side. Thus, the organic insulating film 3 did not directly contact the drain electrode 1.
【００３８】その後、スパッタリング法によりインジウ
ム酸化錫を１００ｎｍの厚みに形成して、所定の形状に
パターニングすることにより、画素電極４を形成した。
これにより、第２のコンタクトホール１０を介して画素
電極４とドレイン電極１とが電気的に接続され、本実施
形態１の接続構造が得られた。Thereafter, indium tin oxide was formed to a thickness of 100 nm by a sputtering method, and was patterned into a predetermined shape to form a pixel electrode 4.
As a result, the pixel electrode 4 and the drain electrode 1 are electrically connected via the second contact hole 10, and the connection structure of the first embodiment is obtained.
【００３９】本実施形態の接続構造において、有機絶縁
膜３と金属膜からなるドレイン電極１とを直接接触しな
いようにしてあるのは、以下の理由からである。In the connection structure of the present embodiment, the organic insulating film 3 and the drain electrode 1 made of a metal film are not directly in contact with each other for the following reason.
【００４０】一般に、ＴＦＴのソース電極およびドレイ
ン電極には、ＡｌまたはＡｌにＴｉを含有させたものが
用いられている。しかし、このようなＡｌ電極では、耐
熱性に問題があり、また、電極表面に表面酸化膜等が形
成されるため、ＩＴＯ等からなる画素電極との接続が良
好に行えない場合がある。これを防ぐためには、Ａｌ電
極の上にＴｉを積層したものが知られている。Generally, a source electrode and a drain electrode of a TFT are made of Al or Al containing Ti. However, such an Al electrode has a problem in heat resistance, and a surface oxide film or the like is formed on the surface of the electrode, so that good connection with a pixel electrode made of ITO or the like may not be achieved. In order to prevent this, a structure in which Ti is laminated on an Al electrode is known.
【００４１】ところが、本発明者らが後述する実験を行
ったところ、このような金属膜からなる電極の上に有機
絶縁膜を設けると密着性が悪く、特に、Ｔｉ表面上では
Ａｌ表面上よりも有機絶縁膜との密着性が悪いことが判
明した。また、有機絶縁膜と金属膜との密着性は、無機
絶縁膜と金属膜との密着性よりも悪かった。よって、本
実施形態においては、有機絶縁膜３とドレイン電極１と
を直接接触しないようにしたのである。However, when the present inventors conducted an experiment described later, the adhesion was poor when an organic insulating film was provided on such an electrode made of a metal film. It was also found that the adhesiveness to the organic insulating film was poor. The adhesion between the organic insulating film and the metal film was worse than the adhesion between the inorganic insulating film and the metal film. Therefore, in the present embodiment, the organic insulating film 3 and the drain electrode 1 are not directly contacted.
【００４２】以下に、本発明者らが行った実験に関して
説明する。本発明者らが行った実験は、ガラス基板上に
樹脂層と金属層とを積層した資料に対するピーリングテ
ストである。ピーリングテストとは、粘着性のテープを
用いて、予め表面に格子状の傷を付けた試料の密着性を
評価するテストのことである。Hereinafter, experiments performed by the present inventors will be described. The experiment performed by the present inventors is a peeling test for a material in which a resin layer and a metal layer are stacked on a glass substrate. The peeling test is a test for evaluating the adhesiveness of a sample having a lattice-like scratch on the surface in advance using an adhesive tape.
【００４３】このピーリングテストの詳細は次の通りで
ある。まず、ガラス基板上に下層樹脂層、金属層及び上
層樹脂層を順に積層した試料及びを用意した。下層
樹脂層及び上層樹脂層としてはアクリル樹脂層を用い、
試料の金属層は膜厚１５０ｎｍのＴｉ層、試料の金
属層は膜厚２００ｎｍのＡｌ層とした。また、比較のた
めに、ガラス基板上にアクリル樹脂層を２層積層した試
料を用意した。さらに、これらの試料〜は、エー
ジングを行っていないもの、４２℃、２００万ｌｘ〜３
００万ｌｘで１００時間の光エージングを行ったもの、
−３５℃で１時間及び＋７０℃で１時間を５０サイクル
繰り返す熱衝撃エージングを行ったものの３通りを用意
した。The details of the peeling test are as follows. First, a sample was prepared in which a lower resin layer, a metal layer, and an upper resin layer were sequentially laminated on a glass substrate. An acrylic resin layer is used as the lower resin layer and the upper resin layer,
The metal layer of the sample was a Ti layer having a thickness of 150 nm, and the metal layer of the sample was an Al layer having a thickness of 200 nm. For comparison, a sample in which two acrylic resin layers were laminated on a glass substrate was prepared. Furthermore, these samples were not aged, 42 ° C., 2 million lx to 3
100 hours of light aging at 100,000 lx,
Three types of those subjected to thermal shock aging in which 50 cycles of 1 hour at -35 ° C and 1 hour at + 70 ° C were repeated were prepared.
【００４４】ここで、ピーリングテストの判定は、ＡＳ
ＴＭ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｔ
ｅｓｔｉｎｇ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）のクラス
分類に従った。ＡＳＴＭのクラス分類の概要は、下記表
１に示すように、ＡＳＴＭクラス５は剥がれ無し（０
％）、ＡＳＴＭクラス０は剥がれ６５％以上のものを示
す。クラス５からクラス０までの間のものは、剥がれの
程度に合わせてクラス４からクラス１に分類される。Here, the peeling test is determined by AS
TM (American Society for T)
esting and Materials). As shown in Table 1 below, the outline of the ASTM class classification is as follows.
%) And ASTM class 0 indicates those with peeling of 65% or more. Items between class 5 and class 0 are classified into class 4 to class 1 according to the degree of peeling.
【００４５】[0045]
【表１】 [Table 1]
【００４６】上記試料〜に対するピーリングテスト
の結果を下記表２に示す。Table 2 below shows the results of the peeling test for the above samples.
【００４７】[0047]
【表２】 [Table 2]
【００４８】金属層がＴｉである試料は、光エージン
グ及び熱衝撃エージングの有無に拘らず、上層樹脂層と
の間で９５％以上、下層樹脂層との間で７０％〜９０％
程度の剥がれが生じ、総じて金属層と樹脂層との密着性
が悪いことが分かる。また、金属層がＡｌである試料
は、若干の剥がれが生じるものの、Ｔｉに比べると良好
な密着性を示した。さらに、樹脂層を２層積層した試料
は、剥がれが発生せず、最も良い密着性を示した。The sample in which the metal layer is made of Ti is 95% or more with the upper resin layer and 70% to 90% with the lower resin layer regardless of the presence or absence of light aging and thermal shock aging.
It can be seen that a degree of peeling occurred, and that the adhesion between the metal layer and the resin layer was generally poor. In addition, the sample in which the metal layer was Al showed good adhesion as compared with Ti although the sample slightly peeled off. Further, the sample in which two resin layers were laminated showed no peeling and showed the best adhesion.
【００４９】このように、金属層と樹脂層との密着性は
必ずしも良好なものではなく、さらに、金属層の材質に
よっても密着性に大きな差が生じる。As described above, the adhesion between the metal layer and the resin layer is not always good, and furthermore, there is a large difference in the adhesion depending on the material of the metal layer.
【００５０】また、ここでは、アクリル樹脂層について
実験を行ったが、他の有機絶縁膜、例えばイミド基やア
ミド基を有する樹脂層についても同様の傾向がある。Although an experiment was conducted here with an acrylic resin layer, the same tendency also applies to other organic insulating films, for example, a resin layer having an imide group or an amide group.
【００５１】これを考慮して、本実施形態１において
は、金属膜からなるドレイン電極１と有機絶縁膜３とが
直接接触しないようにしているため、有機絶縁膜３の膜
剥がれが生じず、また、画素電極４の膜剥がれも生じな
かった。よって、画素電極４とドレイン電極１との導通
不良が起こらず、良品率を高くすることができた。In consideration of this, in the first embodiment, since the drain electrode 1 made of a metal film is not in direct contact with the organic insulating film 3, the organic insulating film 3 does not peel off. Also, no film peeling of the pixel electrode 4 occurred. Therefore, the conduction failure between the pixel electrode 4 and the drain electrode 1 did not occur, and the non-defective rate could be increased.
【００５２】また、本実施形態１においては、ドレイン
電極１が金属膜からなるため、無機絶縁膜２および有機
絶縁膜３を貫通する第２のコンタクトホール１０を形成
する際に、エッチングの下地選択比を高く取ることがで
きた。よって、制御性良くエッチングを行うことがで
き、コンタクトホールの加工が容易であった。In the first embodiment, since the drain electrode 1 is made of a metal film, when forming the second contact hole 10 that penetrates the inorganic insulating film 2 and the organic insulating film 3, it is necessary to select a base for etching. A high ratio could be taken. Therefore, etching could be performed with good controllability, and processing of the contact hole was easy.
【００５３】（実施形態２）図４は実施形態２の接続構
造における、コンタクトホール部近傍を示す断面図であ
る。(Embodiment 2) FIG. 4 is a sectional view showing the vicinity of a contact hole in a connection structure of Embodiment 2.
【００５４】ここでは、第２のコンタクトホール１０に
おいて、無機絶縁膜２の貫通孔におけるドレイン電極１
とは反対側の開口端が、有機絶縁膜３の貫通孔における
ドレイン電極１側の開口端よりも小さく、かつ、内側に
設けられている。Here, in the second contact hole 10, the drain electrode 1 in the through hole of the inorganic insulating film 2 is formed.
The opening end on the opposite side is smaller than the opening end on the drain electrode 1 side in the through hole of the organic insulating film 3 and is provided inside.
【００５５】この接続構造は、以下のようにして製造す
ることができる。This connection structure can be manufactured as follows.
【００５６】まず、ドレイン電極１の形成工程までは、
実施形態１と同様にして行い、その上に化学気相成長法
により窒化シリコン膜を３００ｎｍの厚みに堆積して無
機絶縁膜２を形成した。First, up to the step of forming the drain electrode 1,
The process was performed in the same manner as in the first embodiment, and a silicon nitride film was deposited thereon to a thickness of 300 nm by a chemical vapor deposition method to form an inorganic insulating film 2.
【００５７】次に、フォトリソグラフィー法により、第
２のコンタクトホール１０の形成部に約４μｍ四方の大
きさの開口部を有するレジストマスクを形成し、４フッ
化炭素および酸素等のガスを用いたドライエッチングに
より、無機絶縁膜２をエッチングして貫通孔を設けた。Next, a resist mask having an opening having a size of about 4 μm square was formed in the formation portion of the second contact hole 10 by photolithography, and a gas such as carbon tetrafluoride and oxygen was used. The through holes were formed by etching the inorganic insulating film 2 by dry etching.
【００５８】その後、その上にスピンコーティング法に
よりポリイミド樹脂を２μｍの厚みに塗布して有機絶縁
膜３を形成した。Thereafter, a polyimide resin was applied thereon to a thickness of 2 μm by spin coating to form an organic insulating film 3.
【００５９】次に、フォトリソグラフィー法により、第
２のコンタクトホール１０の形成部に約６μｍ四方の大
きさの開口部を、無機絶縁膜２の貫通孔よりも外側に有
するレジストマスクを形成し、４フッ化炭素および酸素
等のガスを用いたドライエッチングにより、有機絶縁膜
３をエッチングして貫通孔を設けた。このとき、図４に
示すように、無機絶縁膜２の貫通孔におけるドレイン電
極１とは反対側の開口端は、有機絶縁膜３の貫通孔にお
けるドレイン電極１側の開口端よりも小さく、かつ、内
側に形成され、有機絶縁膜３がドレイン電極１に直接接
触することはなかった。Next, a resist mask having an opening having a size of about 6 μm square outside the through hole of the inorganic insulating film 2 is formed by a photolithography method in a portion where the second contact hole 10 is formed. The organic insulating film 3 was etched by dry etching using a gas such as carbon tetrafluoride and oxygen to form through holes. At this time, as shown in FIG. 4, the opening end of the through hole of the inorganic insulating film 2 opposite to the drain electrode 1 is smaller than the opening end of the through hole of the organic insulating film 3 on the drain electrode 1 side, and , And the organic insulating film 3 did not directly contact the drain electrode 1.
【００６０】その後、実施形態１と同様に、画素電極４
を形成することにより、第２のコンタクトホール１０を
介して画素電極４とドレイン電極１とが電気的に接続さ
れ、本実施形態２の接続構造が得られた。Then, as in the first embodiment, the pixel electrode 4
Is formed, the pixel electrode 4 and the drain electrode 1 are electrically connected through the second contact hole 10, and the connection structure of the second embodiment is obtained.
【００６１】本実施形態２においても、実施形態１と同
様に、ドレイン電極１が金属膜からなるため、無機絶縁
膜２および有機絶縁膜３を貫通する第２のコンタクトホ
ール１０を形成する際に、エッチングの下地選択比を高
く取ることができた。よって、制御性良くエッチングを
行うことができ、コンタクトホールの加工が容易であっ
た。In the second embodiment, as in the first embodiment, since the drain electrode 1 is formed of a metal film, the second contact hole 10 penetrating the inorganic insulating film 2 and the organic insulating film 3 is formed. As a result, a high etching base selectivity could be obtained. Therefore, etching could be performed with good controllability, and processing of the contact hole was easy.
【００６２】また、本実施形態２においても、実施形態
１と同様に、金属膜からなるドレイン電極１と有機絶縁
膜３とが直接接触していないため、有機絶縁膜３の膜剥
がれが生じず、また、画素電極４の膜剥がれも生じなか
った。よって、画素電極４とドレイン電極１との導通不
良が起こらず、良品率を高くすることができた。Also, in the second embodiment, as in the first embodiment, since the drain electrode 1 made of a metal film and the organic insulating film 3 are not in direct contact, the organic insulating film 3 does not peel off. Also, no film peeling of the pixel electrode 4 occurred. Therefore, the conduction failure between the pixel electrode 4 and the drain electrode 1 did not occur, and the non-defective rate could be increased.
【００６３】なお、上記実施形態１および２において、
基板としてはガラス、石英、セラミックおよびシリコン
等を用いることができる。また、ゲート電極７、ソース
電極およびドレイン電極１としては、タンタル、チタ
ン、モリブデン、アルミニウム、銅、インジウム酸化錫
および不純物がドーピングされたポリシリコン等の導電
性物質を用いることができる。また、ゲート絶縁膜６、
ゲートとソース・ドレインとの間の層間絶縁膜５として
は、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび五酸化タンタ
ル等を用いることができる。さらに、画素電極４として
は、インジウム酸化錫およびアルミニウム等を用いるこ
とができる。In the first and second embodiments,
As the substrate, glass, quartz, ceramic, silicon, or the like can be used. For the gate electrode 7, the source electrode, and the drain electrode 1, a conductive material such as tantalum, titanium, molybdenum, aluminum, copper, indium tin oxide, and polysilicon doped with impurities can be used. Also, the gate insulating film 6,
As the interlayer insulating film 5 between the gate and the source / drain, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum pentoxide, or the like can be used. Further, as the pixel electrode 4, indium tin oxide, aluminum, or the like can be used.
【００６４】また、上記画素電極４の下に設けられる有
機絶縁膜３としては、負荷容量を減少させるために厚膜
を形成するのが好ましいため、その構造中にイミド基、
アミド基およびアクリル基のうちの少なくとも１つの基
を有する高分子化合物からなるものを用いるのが好まし
い。また、ドレイン電極１の上に設けられる無機絶縁膜
２としては、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび五酸
化タンタル等を用いることができる。It is preferable that a thick film is formed as the organic insulating film 3 provided under the pixel electrode 4 in order to reduce a load capacity.
It is preferable to use a high molecular compound having at least one of an amide group and an acryl group. In addition, as the inorganic insulating film 2 provided on the drain electrode 1, silicon dioxide, silicon nitride, tantalum pentoxide, or the like can be used.
【００６５】なお、上記実施形態１および２において
は、液晶表示装置の画素部に設けられた、ポリシリコン
半導体層を用いたプレーナ型ＴＦＴのドレイン電極と画
素電極とを電気的に接続させた構造について説明した
が、本発明はこれに限られず、例えば、アモルファスシ
リコン半導体層や単結晶シリコン半導体層を用いたＴＦ
Ｔ、スタガー型や逆スタガー型のＴＦＴ等の電極と画素
電極や配線等の導電膜とを電気的に接続させるために本
発明を適用することも可能である。また、バリスタやダ
イオード等の二端子非線形抵抗素子の一方の電極と画素
電極や配線等の導電膜とを電気的に接続させるために本
発明を適用することも可能である。さらに、駆動回路用
に用いられるＴＦＴの各電極と配線等の導電膜とを電気
的に接続させるために本発明を適用することも可能であ
る。In the first and second embodiments, the structure in which the drain electrode of the planar type TFT using the polysilicon semiconductor layer provided in the pixel portion of the liquid crystal display device is electrically connected to the pixel electrode is used. However, the present invention is not limited to this. For example, a TF using an amorphous silicon semiconductor layer or a single crystal silicon semiconductor layer may be used.
The present invention can be applied to electrically connect an electrode such as a T, staggered or inverted staggered TFT to a conductive film such as a pixel electrode or a wiring. In addition, the present invention can be applied to electrically connect one electrode of a two-terminal nonlinear resistance element such as a varistor or a diode to a conductive film such as a pixel electrode or a wiring. Further, the present invention can be applied to electrically connect each electrode of a TFT used for a driver circuit to a conductive film such as a wiring.
【００６６】また、上記実施形態１および２において、
製造工程については一般的なものを例示しているが、本
発明はこれらの製造工程に限られるものではない。In the first and second embodiments,
Although general manufacturing steps are illustrated, the present invention is not limited to these manufacturing steps.
【００６７】[0067]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
無機絶縁膜および有機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔の
下部に金属膜が存在するので、貫通孔を形成する際にエ
ッチングの制御性を高めることができる。As described in detail above, according to the present invention,
Since the metal film exists below the through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film, the controllability of etching when forming the through hole can be improved.
【００６８】また、本発明によれば、金属膜と有機絶縁
膜とが直接接触しないようにしてあるので、有機絶縁膜
およびその上に設けられた導電膜の膜剥がれの発生を防
ぐことができ、金属膜と導電膜との導通不良の発生を防
止することができる。Further, according to the present invention, the metal film and the organic insulating film are prevented from directly contacting each other, so that the organic insulating film and the conductive film provided thereon can be prevented from peeling off. In addition, it is possible to prevent the occurrence of poor conduction between the metal film and the conductive film.
【００６９】従って、本発明によれば、金属膜からなる
ＴＦＴのドレイン電極等と、導電膜からなる画素電極等
とを電気的に接続させて、高品位の表示装置を良品率を
高くして製造することが可能となり、製品のコストダウ
ンを達成することができる。Therefore, according to the present invention, a high-quality display device with a high non-defective rate can be obtained by electrically connecting the drain electrode and the like of a TFT made of a metal film and the pixel electrode and the like made of a conductive film. It can be manufactured, and the cost of the product can be reduced.
【図１】実施形態１の接続構造を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a connection structure according to a first embodiment.
【図２】図１のＡ−Ｂ線部分の断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along a line AB in FIG. 1;
【図３】実施形態１の接続構造における、コンタクトホ
ール部近傍を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the vicinity of a contact hole in the connection structure of the first embodiment.
【図４】実施形態２の接続構造における、コンタクトホ
ール部近傍を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the vicinity of a contact hole in a connection structure according to a second embodiment.
【図５】従来の表示装置の構造を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a structure of a conventional display device.
１ ドレイン電極 ２ 無機絶縁膜 ３ 有機絶縁膜 ４ 画素電極 ５ 層間絶縁膜 ６ ゲート絶縁膜 ７ ゲート電極 ８ ソース部 ９ａ、９ｂ 第１のコンタクトホール １０ 第２のコンタクトホール １１ チャネル部 １２ 半導体層 １３ ドレイン部 Reference Signs List 1 drain electrode 2 inorganic insulating film 3 organic insulating film 4 pixel electrode 5 interlayer insulating film 6 gate insulating film 7 gate electrode 8 source part 9a, 9b first contact hole 10 second contact hole 11 channel part 12 semiconductor layer 13 drain Department
Claims (7)
間に、無機絶縁膜と有機絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該
金属膜側に配し、かつ、該有機絶縁膜を該金属膜と直接
接触しないようにして設けられ、該金属膜と該導電膜と
が、該無機絶縁膜および該有機絶縁膜の各々を貫通する
貫通孔を介して電気的に接続されている接続構造。An inorganic insulating film and an organic insulating film are provided between a metal film and a conductive film that are electrically connected, the inorganic insulating film is disposed on the metal film side, and the organic insulating film is Are provided so as not to be in direct contact with the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. Connection structure.
膜とは反対側の開口端が、前記有機絶縁膜の貫通孔にお
ける該金属膜側の開口端よりも小さく、かつ、内側に設
けられている請求項１に記載の接続構造。2. An opening end of the through hole of the inorganic insulating film opposite to the metal film is smaller than an opening end of the through hole of the organic insulating film on the side of the metal film, and is provided inside. The connection structure according to claim 1, wherein
およびアクリル基のうちの少なくとも１つの基を構造中
に有する高分子化合物からなる請求項１または２に記載
の接続構造。3. The connection structure according to claim 1, wherein the organic insulating film is made of a polymer compound having at least one of an imide group, an amide group, and an acryl group in the structure.
イン電極である請求項１乃至３のいずれか一つに記載の
接続構造。4. The connection structure according to claim 1, wherein the metal film is a drain electrode of a thin film transistor.
乃至４のいずれか一つに記載の接続構造。5. The method according to claim 1, wherein the conductive film is a pixel electrode.
5. The connection structure according to any one of claims 4 to 4.
間に、無機絶縁膜と有機絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該
金属膜側に配し、かつ、該有機絶縁膜を該金属膜と直接
接触しないようにして設けられ、該金属膜と該導電膜と
が、該無機絶縁膜および該有機絶縁膜の各々を貫通する
貫通孔を介して電気的に接続されている接続構造を製造
する方法であって、 金属膜を設ける工程と、 該金属膜上に無機絶縁膜を設けると共に該無機絶縁膜に
貫通孔を形成する工程と、 該無機絶縁膜上に有機絶縁膜を設けると共に、該無機絶
縁膜の貫通孔における該金属膜とは反対側の開口端より
も、該有機絶縁膜の貫通孔における該金属膜側の開口端
が大きく、かつ、外側に設けられているように、該有機
絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、 該有機絶縁膜上に導電膜を設けて、該有機絶縁膜および
該無機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して該金属膜
パターンと該導電膜パターンとを電気的に接続させる工
程とを含む接続構造の製造方法。6. An inorganic insulating film and an organic insulating film between an electrically connected metal film and a conductive film, wherein the inorganic insulating film is disposed on the metal film side, and the organic insulating film is Are provided so as not to be in direct contact with the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. A method of manufacturing a connection structure, comprising: providing a metal film; providing an inorganic insulating film on the metal film and forming a through hole in the inorganic insulating film; and an organic insulating film on the inorganic insulating film. And the opening end of the through-hole of the organic insulating film on the side of the metal film is larger than the opening end of the through-hole of the inorganic insulating film opposite to the metal film, and is provided outside. Forming a through hole in the organic insulating film; Provided membrane, method for producing a connection structure via a through hole passing through each of the organic insulating film and the inorganic insulating film and a step of electrically connecting the said metal layer pattern and the conductive film pattern.
間に、無機絶縁膜と有機絶縁膜とが、該無機絶縁膜を該
金属膜側に配し、かつ、該有機絶縁膜を該金属膜と直接
接触しないようにして設けられ、該金属膜と該導電膜と
が、該無機絶縁膜および該有機絶縁膜の各々を貫通する
貫通孔を介して電気的に接続されている接続構造を製造
する方法であって、 金属膜を設ける工程と、 該金属膜上に無機絶縁膜を設けると共に該有機絶縁膜を
設ける工程と、 該無機絶縁膜および該有機絶縁膜の各々を貫通する貫通
孔を形成する工程と、 該有機絶縁膜上に導電膜を設けて、該有機絶縁膜および
該無機絶縁膜の各々を貫通する貫通孔を介して該金属膜
パターンと該導電膜パターンとを電気的に接続させる工
程とを含む接続構造の製造方法。7. An inorganic insulating film and an organic insulating film disposed between an electrically connected metal film and a conductive film, wherein the inorganic insulating film is disposed on the metal film side, and the organic insulating film is Are provided so as not to be in direct contact with the metal film, and the metal film and the conductive film are electrically connected to each other through a through hole penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. A method of manufacturing a connection structure, comprising: providing a metal film; providing an inorganic insulating film on the metal film and providing the organic insulating film; and penetrating each of the inorganic insulating film and the organic insulating film. Forming a through-hole, and providing a conductive film on the organic insulating film, the metal film pattern and the conductive film pattern through a through-hole passing through each of the organic insulating film and the inorganic insulating film. Electrically connecting the components to each other.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP708698A JPH11103069A (en) | 1997-07-29 | 1998-01-16 | Connecting structure and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-203620 | 1997-07-29 | ||
| JP20362097 | 1997-07-29 | ||
| JP708698A JPH11103069A (en) | 1997-07-29 | 1998-01-16 | Connecting structure and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103069A true JPH11103069A (en) | 1999-04-13 |
Family
ID=26341342
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP708698A Withdrawn JPH11103069A (en) | 1997-07-29 | 1998-01-16 | Connecting structure and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
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