JP2748079B2 - 静電容量式圧力センサ - Google Patents
静電容量式圧力センサInfo
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Description
電容量的に検出するダイアフラム構造の静電容量式圧力
センサに関するものである。
しては、図18に断面で示すように凹部内に固定電極3
1が形成されたパイレックスなどからなるカバーガラス
32と、表面側の凹部内に可動電極33が形成されたシ
リコンウエハ34とをその電極面を対向配置させてその
周辺部分を陽極接合による接合部35により接合させて
ダイアフラム部Dを構成したセンサ素子36が提案され
ている。なお、P1が測定圧力、P2が大気圧である。
サは、測定圧力P1が増加すると、ダイアフラム部Dが
変形し、固定電極31と可動電極33との間のギャップ
Gが変化し(この場合は狭くなり)、固定電極31と可
動電極33とで構成されるコンデンサの容量値が変化
し、この容量値を測定することにより、測定圧力P1を
検出することができる。
うに構成された静電容量式圧力センサは、大気圧の湿度
等の環境の変化が発生した場合、固定電極31と可動電
極33との間のギャップG内の空気の誘電率が湿度など
の変化に対応して変化し、これによって測定圧力以外の
要因によりコンデンサ容量値が変化するという誤差要因
が存在する。
湿度等の環境の変化により発生する誤差要因を取り除く
ためにレファレンスコンデンサを設けた静電容量式圧力
センサが提案されている(特開昭63−308529号
公報)。この静電容量式圧力センサは、測定圧力に応じ
て容量値が変化するセンシングコンデンサと、測定圧力
が変化しても容量値が変化しないレファレンスコンデン
サとを有して構成されており、センシングコンデンサと
レファレンスコンデンサとの両電極間ギャップは同一の
大気が導入されるため、湿度等の環境の変化により発生
する誤差要因を取り除くことができる。
容量式圧力センサは、コンデンサ電極表面の結露やコン
デンサ電極内への微小な塵の混入が発生した場合の誤差
要因を取り除くことができないという問題があった。ま
た、結露の発生は、圧力を測定する媒体の温度が大気温
度より低い場合等には避けられない現象であり、塵の混
入も大気圧用の圧力導入穴が存在する以上避けられない
問題であった。したがってこれらの問題は、圧力計測の
誤差発生の原因となり、高精度で信頼性の高い圧力計測
が不可能となるなどの問題があった。
を解決するためになされたものであり、その目的は、結
露および塵の問題を含めた大気環境の変化に影響される
ことなく、かつ大気圧の変動に起因する誤差がほとんど
発生されることなく、しかも異種材料接合界面の残留応
力の計時変化に起因する圧力計測誤差の少ない微圧から
高圧までの圧力レンジを静電容量的に計測可能とした静
電容量式圧力センサを提供することにある。
るために本発明は、ほぼ枠状に形成されたダイアフラム
支持部を少なくとも一方に有し、かつ外部とは隔離され
た空洞部を介して対向配置された第1のダイアフラム部
および第2のダイアフラム部と、この第1のダイアフラ
ム部と第2のダイアフラム部との対向面に連結され、か
つ空洞部を介して第1のダイアフラム部と第2のダイア
フラム部とを支持固定する複数の柱と、第1のダイアフ
ラム部および第2のダイアフラム部の対向面のいずれか
一方の面に形成された可動電極と、空洞部内に可動電極
と対向し、かつ複数の柱とは接触せずにほぼ平行に支持
固定された固定電極とを備え、第1のダイアフラム部と
第2のダイアフラム部との間の空洞部内において可動電
極と固定電極との間にコンデンサ構造を形成したもので
ある。
P1が第1のダイアフラム部に印加され、測定圧力P2
が第2のダイアフラム部に印加されるようにセットする
ことによって測定圧力P1と測定圧力P2とに圧力差が
発生すると、第1のダイアフラム部および第2のダイア
フラム部と複数の柱とが一体となって変位し、可動電極
と固定電極との間の空洞部の間隙寸法が変化し、可動電
極と固定電極とで構成されるコンデンサ構造の容量値が
変化し、この容量値を測定することで測定圧力を知るこ
とができる。
説明する。 (実施例1)図1は、本発明による静電容量式圧力セン
サの一実施例による構成を示す図であり、図1(a)は
平面図、図1(b)は図1(a)のB−B′線方向の断
面図であり、図1(c)はその動作を説明する断面図で
ある。図1(a)および図1(b)において、1はほぼ
枠体状に形成されたダイアフラム支持部、2,3はこの
ダイアフラム支持部1の両端開口端部にそれぞれ閉塞す
るように形成されたそれぞれ薄肉状の第1のダイアフラ
ム部および第2のダイアフラム部である。
する第1のダイアフラム部2と第2のダイアフラム部3
との対向面を多数個所にわたって連結して固定された複
数の柱であり、これらの複数の柱4およびダイアフラム
支持部1は、第2のダイアフラム部3と一体的に形成さ
れて第1のダイアフラム部2に対して接合材を用いずに
陽極接合により密着固定される構成となっている。な
お、これらのダイアフラム支持部1,第1のダイアフラ
ム部2および第2のダイアフラム部3は、例えばサファ
イア基板により形成されており、複数の柱4およびダイ
アフラム支持部1と第1のダイアフラム部2とは、サフ
ァイアの融点未満の温度においてサファイア基板同志を
直接張り合わせることによって接合されて密着固定され
る構造となっている。
壁面に第1のダイアフラム部2および第2のダイアフラ
ム部3にそれぞれ対向して支持固定された第1の固定電
極支持板および第2の固定電極支持板、7はこの第1の
固定電極支持板5と第2の固定電極支持板6との間に挟
持されて形成された導電性薄膜からなる固定電極であ
る。この固定電極7は薄膜で形成されており、第1の固
定電極支持板5と第2の固定電極支持板6との間に挟持
されて固定電極部を構成している。また、この固定電極
部のダイアフラム支持部1への固定構造は、ダイアフラ
ム支持部1の内壁に第1の固定電極支持板5および第2
の固定電極支持板6の成膜時の内壁への回り込み成膜な
どにより形成される。また、8は第2のダイアフラム部
3の底面に固定電極7と対向して形成された導電性薄膜
からなる可動電極である。
の固定電極支持板6も前述と同様に例えばサファイアな
どにより形成されている。また、第2の固定電極支持板
6と可動電極8との間のギャップGはサブμm程度であ
り、この可動電極8と固定電極7とが対向する電極間の
間隔は約1μm程度である。したがってこれらの可動電
極8および固定電極7は、約1μm程度の電極間間隔を
介して対向配置されてコンデンサ構造が形成され、容量
式のセンサ素子が構成されている。さらにこのコンデン
サ構造が形成されたダイアフラム支持部1内は、外部環
境と隔離されて完全に密封されたキャビティ9が形成さ
れており、このキャビティ9内には真空またはガスが封
入される構造となっている。
サは、環境1の測定圧力(例えば大気圧)P1が第1の
ダイアフラム部2に印加され、環境2の測定圧力P2が
第2のダイアフラム部2に印加されるようにセットす
る。ここで測定圧力P1>測定圧力P2の場合には、図
1(c)に示すように第1のダイアフラム部2に測定圧
力P1が印加され、測定圧力P1と測定圧力P2とに圧
力差が発生すると、柱4で連結されている第1のダイア
フラム部2と第2のダイアフラム部3との間のキャビテ
ィ9内の間隙部分が圧力差に応じて一体となって変位
し、これに伴って第2のダイアフラム部3に形成されて
いる可動電極8も一体となって変位する。これによって
可動電極8と固定電極7との間の電極間間隔が変化し、
可動電極8と固定電極7とで構成されるコンデンサ構造
の容量値が変化するので、この容量値を測定することで
測定圧力の計測が可能となる。
は真空またはガスが封入される構造となっているため、
湿度等の環境が変化しても、可動電極8と固定電極7と
の間の誘電率は変化しないことになる。また、使用雰囲
気の塵や埃があっても、圧力計測に影響がないことは自
明である。さらに結露雰囲気で使用しても圧力計測に影
響がないことも自明である。したがって湿度等の環境の
変化に起因する誤差が殆ど発生しない。
ていると、大気圧の変動により、測定容量値が変化す
る。特に1Kg/cm-2程度以下の低圧力レンジの測定
の場合には、大気圧変動は極めて大きな測定誤差になっ
てしまう。しかしながら、このような構成によれば、例
えば大気圧が上昇して第1のダイアフラム部2および第
2のダイアフラム部3を押しつぶそうという力が作用し
ても、多数本の柱4があるため、殆ど変形できず、大気
圧の変動に対する誤差の発生が殆どない。したがって大
気圧による影響が殆どない。
サチップの主構成材料がサファイアガラス等の同一材料
であり、かつチップ内の接合(第1のダイアフラム部2
とダイアフラム支持部1との接合)が異種材料である接
着材を使用していないため、チップ製作時に接合界面に
応力の残留がなく、よって異種材料の接合の場合に発生
する接合界面の残留応力の経時変化に起因する圧力計測
誤差が発生し難い。したがって圧力計測誤差の経時変化
が小さいなる。
ロセスと同様に基板内多数のチップ製作できるため、同
じ品質のチップの大量生産が可能となり、低コスト化が
可能となる。したがって信頼性の高いチップの量産化が
可能となる。
量式圧力センサの他の実施例による構成を示す図であ
り、図2(a)は平面図、図2(b)は図2(a)のB
−B′線方向の断面図であり、図2(c)はその動作を
説明する断面図である。前述の図1と同一部分には同一
符号を付してある。図2(a)および図2(b)におい
て、実施例1と異なる点は、薄肉状の第1のダイアフラ
ム部2の外面側には、第1のダイアフラム部2と対向す
る面に断面が凹状となる第1のギャップ11aおよびこ
の第1のギャップ11aに環境1と連通する溝状の圧力
導入穴11bがそれぞれ形成された過大保護機構として
のストッパ11がその第1のギャップ11a側を対向さ
せ、接着配置されて設けられている。
部3の外面側には、第2のダイアフラム部3と対向する
面に断面が凹状となる第2のギャップ12aおよびこの
第2のギャップ12aに環境2と連通する溝状の圧力導
入穴12bがそれぞれ形成された過大保護機構としての
ストッパ12がその第2のギャップ12a側を対向さ
せ、接着配置されて設けられている。
圧力(例えば大気圧)P1が第1の圧力導入穴11bか
ら第1のギャップ11a内に導入されて第1のダイアフ
ラム部2に印加され、環境2の測定圧力P2が第2の圧
力導入穴12bから第2のギャップ12a内に導入され
て第2のダイアフラム部2に印加されて前述した実施例
1と同様に測定圧力P1と測定圧力P2とに圧力差が発
生すると、図2(c)に示すように柱4で連結されてい
る第1のダイアフラム部2と第2のダイアフラム部3と
の間のキャビティ9内の間隙部分が圧力差に応じて一体
となって変位すし、これによって可動電極8と固定電極
7との間の電極間間隔が変化し、可動電極8と固定電極
7とで構成されるコンデンサ構造の容量値が変化するの
で、この容量値を測定することで測定圧力の計測が可能
となる。
ラム部2および第2のダイアフラム部3の外面側にそれ
ぞれストッパ11およびストッパ12を設けたことによ
り、両方向からの過大圧力の印加に対して第1のダイア
フラム部2および第2のダイアフラム部3が機械的に保
護されるので、信頼性を向上させることができる。特に
100mmH2 Oレンジ程度の微圧レンジでの測定にお
いては過大圧力保護機構が必要であることから、その効
果が極めて大である。
量式圧力センサのさらに他の実施例による構成を示す図
であり、図3(a)は平面図、図3(b)は図3(a)
のB−B′線方向の断面図であり、前述の図2と同一部
分には同一符号を付してある。同図において、実施例2
と異なる点は、固定電極7が第1の固定電極支持板5と
第2の固定電極支持板6とで挟持された固定電極部のダ
イアフラム支持部1への固定構造および第1のストッパ
11の第1のギャップ11a′,第2のストッパ12の
第2のギャップ12a′の相対的な大きさが異なってい
る。
板5と第2の固定電極支持板6とで挟持された固定電極
部の固定構造は、図示したように第2のダイアフラム部
3の底面周辺部に形成されている残留犠牲層13上に支
持固定されている。また、第1のギャップ11a′およ
び第2のギャップ12a′がキャビィティ9の全表面積
よりも小さくして形成され、断面で見て残留犠牲層13
の内側になる大きさで形成されている。したがって第1
のダイアフラム部2および第2のダイアフラム部3の可
動部は、断面で見て第1のギャップ11a′および第2
のギャップ12a′内の範囲となる。
2のダイアフラム部3の底面周辺部に形成されている残
留犠牲層13上に支持固定させたことにより、固定電極
部のダイアフラム支持部2への固定面積が大きくなるの
で、機械的な固定強度が大きくなり、固定電極部が強固
に支持固定されることになる。
量式圧力センサの他の実施例による構成を示す図であ
り、図4(a)は平面図、図4(b)は図4(a)のB
−B′線方向の断面図であり、前述の図2と同一部分に
は同一符号を付してある。同図において、実施例2と異
なる点は、固定電極7が第1の固定電極支持板5と第2
の固定電極支持板6とで挟持された固定電極部のダイア
フラム支持部2への固定構造および第1のストッパ11
の第1のギャップ11a′,第2のストッパ12の第2
のギャップ12a′の相対的な大きさが異なっている。
1への固定構造は、図示したようにダイアフラム支持部
1の底面周辺部に密着して形成されて支持固定されてい
る。また、第1のストッパ11の第1のギャップ11
a′および第2のストッパ12の第2のギャップ12
a′がキャビィティ9の全表面積よりも小さくして形成
され、断面で見て固定電極部の周辺がキャビィティ9の
底面周辺部に密着している部分の内側になる大きさで形
成されている。したがって第1のダイアフラム部2およ
び第2のダイアフラム部3の可動部は、断面で見て第1
のギャップ11a′および第2のギャップ12a′内の
範囲となる。
前述した実施例3とほぼ同等の補強構造が得られ、前述
と全く同様な効果が得られる。
量式圧力センサの他の実施例による構成を示す図であ
り、図5(a)は平面図、図5(b)は図5(a)のB
−B′線方向の断面図であり、前述の図2と同一部分に
は同一符号を付してある。同図において、実施例2と異
なる点は、固定電極7が第1の固定電極支持板5と第2
の固定電極支持板6とで挟持された固定電極部のダイア
フラム支持部2への固定構造および第1のストッパ11
の第1のギャップ11a′,第2のストッパ12の第2
のギャップ12a′の相対的な大きさが異なっている。
1への固定構造は、図示したように第2のダイアフラム
部3の底面周辺部に段差14を設け、この段差14上に
固定電極部の周辺部が密着して形成されて支持固定され
ている。また、第1のストッパ11の第1のギャップ1
1a′および第2のストッパ12の第2のギャップ12
a′の相対的な大きさは、第1のギャップ11a′およ
び第2のギャップ12a′がキャビィティ9よりも小さ
く、キャビィティ9の段差14の内側になる大きさで形
成されている。したがって第1のダイアフラム部2およ
び第2のダイアフラム部3の可動部は、断面で見て第1
のギャップ11a′および第2のギャップ12a′内の
範囲となる。
例3とほぼ同等の固定電極部の補強構造が得られ、前述
と全く同様な効果が得られる。
量式圧力センサの他の実施例による構成を示す図であ
り、図6(a)は平面図、図6(b)は図6(a)のB
−B′線方向の断面図であり、前述の図2と同一部分に
は同一符号を付してある。同図において、実施例2と異
なる点は、固定電極7が第1の固定電極支持板5と第2
の固定電極支持板6とで挟持された固定電極部のダイア
フラム支持部2への固定構造および第1のストッパ11
の第1のギャップ11a′,第2のストッパ12の第2
のギャップ12a′の相対的な大きさが異なっている。
1への固定構造は、図示したようにキャビィティ9の周
辺部に配置されている複数本の柱4の側面に固定電極部
が接合されて支持固定されている。また、第1のストッ
パ11の第1のギャップ11a′および第2のストッパ
12の第2のギャップ12a′の相対的な大きさは、第
1のギャップ11a′および第2のギャップ12a′が
キャビィティ9よりも小さく、固定電極部が接合してい
る複数本の柱4の内側になる大きさで形成されている。
したがって第1のダイアフラム部2および第2のダイア
フラム部3の可動部は、断面で見て第1のギャップ11
a′および第2のギャップ12a′内の範囲となる。
例3とほぼ同等の固定電極部の補強構造が得られ、前述
と全く同様な効果が得られる。
量式圧力センサの他の実施例による構成を示す図であ
り、図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)のB
−B′線方向の断面図であり、前述の図2と同一部分に
は同一符号を付してある。同図において、実施例2と異
なる点は、可動電極8の固定構造が異なっている。
たようにキャビィティ9中央部において、柱4の側面に
可動電極8が接合されて固定されている。
フラム部2および第2のダイアフラム部3にそれぞれ圧
力P1および圧力P2が印加された場合のダイアフラム
部可動部の変位は、中心部が最大であるため、図示した
ように第1のダイアフラム部2および第2のダイアフラ
ム部3の中心部の複数本の柱4の側面に可動電極8を接
合することで計測感度(圧力変化に対する容量値の変
化)をさらに大きくすることができる。
2の効果に加えて高感度の圧力計測が可能となる。
力センサの製造方法の一実施例を説明する各工程の断面
図である。まず、図8に示すように少なくとも一方の面
が鏡面仕上げされた板厚の比較的厚い第1のサファイア
基板21にウェットエッチング,ドライエッチングまた
は研削などの方法により穴加工を行い、鏡面仕上げされ
た一方の面に第2のギャップ12aとしての所定形状の
凹部21aおよび第2の圧力導入穴12bとしての溝2
1bをそれぞれ形成して第2のストッパ12を製作す
る。この場合、第1のサファイア基板21の鏡面(以
下、各工程で説明する全てのサファイア基板の鏡面も含
む)は、表面粗さRa<1nm程度のものである。
および溝21bが形成された第1のサファイア基板21
上に少なくとも一方の面が鏡面仕上げされた板厚の比較
的厚い第2のサファイア基板22をその鏡面側を対向さ
せて直接接合により張り合わせる。この場合、第1のサ
ファイア基板21の鏡面と第2のサファイア基板22の
鏡面との面同志をクラス10以下程度のクリーンな雰囲
気中で接着剤を使用せずに室温で張り合わせる。その
後、200〜1300℃程度の熱処理を行うことによ
り、強固に接合される。なお、この熱処理は大気中,真
空中または不活性ガス雰囲気中で行っても良い。
サファイア基板22との接合は、接合面に一方または両
方にガラス層を設けて室温で貼り合わせ、その後、10
0℃〜200℃程度に加熱して接合しても良い。また、
一方の接合面にシリコン薄膜を、他方の接合面にパイレ
ックス薄膜をそれぞれ形成し、陽極接合により接合して
も良い。
溝21bが形成されていない第2のサファイア基板22
の反対側の外面を所定の厚さに研磨する。この場合、第
2のサファイア基板22の研磨は、ウェットエッチン
グ,ドライエッチングまたは研削などの方法で行っても
良いが、この研磨面は鏡面であることが必要である。
イア基板22の表面にウェットエッチングまたはドライ
エッチング法により、複数の柱4およびキャビィテイ9
を同時に形成する。
基板22のキャビィテイ9の底面に導電性薄膜を成膜
し、パターニングを行って所用形状の可動電極8を形成
する。この導電性薄膜の成膜は、通常の半導体プロセス
で用いられているドライ成膜であるCVD,真空蒸着,
スパッタリング法などにより形成することができる。次
キャビィテイ9の底面に形成された可動電極8上にCV
D,真空蒸着またはスパッタリング法などにより前述し
た残留犠牲層13となる第1の犠牲層23を積層形成す
る
上に同一の方法により前述した第2の固定電極支持板6
としての第1の絶縁層24をCVD,真空蒸着,スパッ
タリング法などにより積層形成した後、この第1の絶縁
層24上にCVD,真空蒸着,スパッタリング法などに
より導電性薄膜を成膜し、パターンニングを行って固定
電極パターン25を形成する。この場合、この固定電極
パターン25は第2のサファイア基板22のキャビィテ
イ9の底面に形成されている可動電極8と対向する部分
に形成する。引き続き、この固定電極パターン25上に
前述した方法と同一の方法により第1の固定電極支持板
5としての第2の絶縁層26を積層形成する。
基板22のキャビィテイ9内に形成された第1の絶縁層
24,固定電極パターン25および第2の絶縁層26か
らなる積層構造を、各柱4の周辺部分をウェットエッチ
ングまたはドライエッチング法によって除去し、犠牲層
エッチング用穴としての開口部27を形成する。
ング用開口部27からウェットエッチング法により第2
のサファイア基板22の底面に形成されている第1の犠
牲層23を除去する。この場合、固定電極パターン25
は、第2のサファイア基板22のキャビィテイ9の周辺
部に第1の絶縁層24および第2の絶縁層26が成膜時
に接合されているため、第1の犠牲層23の除去後には
図示したように第1の絶縁層24と第2の絶縁層26と
の間に挟持されて浮いた構造となる。
10で説明した方法と同様な方法により少なくとも一方
の面が鏡面仕上げされた板厚の比較的厚い第3のサファ
イア基板28にウェットエッチング,ドライエッチング
または研削などの方法により穴加工を行い、鏡面仕上げ
された一方の面に第1のギャップ11aとしての所定形
状の凹部28aおよび第1の圧力導入穴11bとしての
溝部28bをそれぞれ形成して第1のストッパー11を
する。引き続き、この凹部28aおよび溝部28bが形
成された第3のサファイア基板28の表面に少なくとも
一方の面が鏡面仕上げされた板厚の比較的薄い第4のサ
ファイア基板29を前述した方法と同一の直接接合など
の方法により張り合わせて第1のダイアフラム支持部2
を形成する。
第2のサファイア基板22の表面側に図16で形成した
第4のサファイア基板29の表面側を対向させ、前述し
た直接接合などの方法により張り合わせることにより、
前述の図2に示したような容量式センサ構造が完成され
る。
アフラム部2と第2のダイアフラム部3とが同一部材で
形成することができるので、容量式センサ素子が簡単か
つ容易に製作できる。
フラム支持部1,第1のダイアフラム部2,第2のダイ
アフラム部3および柱4などからなるチップ構造をサフ
ァイアを用いて形成した場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えばシリコン,
パイレックス,石英ガラスなどの電気絶縁性を有する異
種材料を用いても同様に構成することができる。
のダイアフラム部3との接合は、シリコンとパイレック
スとの場合は陽極接合などにより、石英ガラス同志の場
合は前述したサファイア同志の接合と同様な直接貼り合
わせなどにより、また、材料を選ばない接合法として
は、低融点ガラスなどを接着層として用いる接合などが
ある。
構造をサファイアを用いて形成したが、異種材料で構成
した場合でも、構造が同一であれば、本発明に属する。
この場合、同一材料であることの利点である接合界面の
残留応力の経時変化に起因する圧力計測誤差が発生しな
いという効果以外は前述と同様の効果が得られる。
極7を支持する固定電極部を第1の固定電極支持板5と
第2の固定電極支持板6とにより構成したが、第1の固
定電極支持板5および第2の固定電極支持板6のいずれ
か一方で構成しても前述と同様の効果が得られる。
極部を薄膜プロセスで形成した場合について説明した
が、サファイア基板または石英ガラス基板を研磨などの
方法により薄く研磨して形成しても前述と同様な効果が
得られる。
構造をほぼ正方形状に形成した場合について説明した
が、長方形または丸形などの他の形状で構成しても前述
と同様な効果が得られる。
ティの形状をほぼ正方形状に形成した場合について説明
したが、長方形または丸形などの他の形状で構成しても
前述と同様な効果が得られる。
状をほぼ正方形の角柱体で形成した場合について説明し
たが、長方形または丸形などの柱体または筒体など他の
形状で構成しても前述と同様な効果が得られる。
および配置を1種類の場合について説明したが、柱の数
は本実施例より増減させても前述と同様な効果が得られ
る。
結露および塵を含む大気環境の変化に影響されることな
く、かつ大気圧力の変動に起因する誤差がほとんど発生
することなく、しかも異種材料接合界面の残留応力の経
時変化に起因する圧力形成測誤差の少ない、微圧から高
圧までの圧力レンジを計測可能となるとともに高精度で
信頼性の高い圧力計測が可能となるなどの極めて優れた
効果が得られる。
による構成を示す図である。
例による構成を示す図である。
の実施例による構成を示す図である。
例による構成を示す図である。
例による構成を示す図である。
例による構成を示す図である。
例による構成を示す図である。
一実施例を説明する工程の一断面図である。
る断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 ほぼ枠状に形成されたダイアフラム支持
部を少なくとも一方に有し、かつ外部とは隔離された空
洞部を介して対向配置された第1のダイアフラム部およ
び第2のダイアフラム部と、 前記第1のダイアフラム部と第2のダイアフラム部との
対向面に連結され、かつ前記空洞部を介して前記第1の
ダイアフラム部と第2のダイアフラム部とを支持固定す
る複数の柱と、 前記第1のダイアフラム部および第2のダイアフラム部
の対向面のいずれか一方の面に形成された可動電極と、 前記空洞部内に前記可動電極と対向し、かつ前記複数の
柱とは接触せずにほぼ平行に支持固定された固定電極
と、を備え、 前記第1のダイアフラム部と第2のダイアフラム部との
間の前記空洞部内において前記可動電極と固定電極との
間にコンデンサ構造を形成したことを特徴とする静電容
量式圧力センサ。 - 【請求項2】 請求項1において、前記第1のダイアフ
ラム部および第2のダイアフラム部はサファイア基板か
らなり、前記空洞部がサファイア基板同志を対向して密
着接合されることにより形成されたことを特徴とする静
電容量式圧力センサ。 - 【請求項3】 請求項1において、前記固定電極は薄膜
状に形成されることを特徴とする静電容量式圧力セン
サ。
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---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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JP10725493A JP2748079B2 (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | 静電容量式圧力センサ |
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JPH06300650A JPH06300650A (ja) | 1994-10-28 |
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ID=14454394
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9438979B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Ag | MEMS sensor structure for sensing pressure waves and a change in ambient pressure |
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CN109595701B (zh) * | 2018-11-15 | 2019-10-15 | 浙江欧伦电气有限公司 | 一种带净化的除湿机装置 |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP10725493A patent/JP2748079B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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