JPH1098017A - Thin plate material supplying device - Google Patents
Thin plate material supplying deviceInfo
- Publication number
- JPH1098017A JPH1098017A JP8248204A JP24820496A JPH1098017A JP H1098017 A JPH1098017 A JP H1098017A JP 8248204 A JP8248204 A JP 8248204A JP 24820496 A JP24820496 A JP 24820496A JP H1098017 A JPH1098017 A JP H1098017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- water
- thin plate
- tank
- plate material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板のような薄板材の供給装置に
関し、さらに詳しくは、たとえば、半導体ウエハを処理
するための半導体処理装置において用いられ、特に、ポ
リッシング処理後の半導体ウエハの洗浄処理を施すため
の装置において半導体ウエハの供給のために好適に用い
られる薄板材供給装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for supplying a thin plate material such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device, and more particularly, to a semiconductor processing apparatus for processing a semiconductor wafer. In particular, the present invention relates to a thin plate material supply device suitably used for supplying a semiconductor wafer in an apparatus for performing a cleaning process on a semiconductor wafer after a polishing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置による半導体素子の製造
工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」とい
う。）の表面を研磨剤で研磨するためのポリッシング工
程が含まれる場合がある。ポリッシング後のウエハの表
面には、研磨剤がスラリーとなって存在している。その
ため、このスラリーを除去するために、ポリッシング処
理後には、ウエハの洗浄が必須である。2. Description of the Related Art In some cases, a semiconductor device manufacturing process by a semiconductor manufacturing apparatus includes a polishing process for polishing the surface of a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") with an abrasive. An abrasive is present as a slurry on the surface of the wafer after polishing. Therefore, in order to remove the slurry, it is essential to wash the wafer after the polishing process.
【０００３】ところが、ポリッシング後のウエハが洗浄
されるまでに、その表面のスラリーが乾燥してしまう
と、ウエハ表面の研磨剤の洗浄除去が困難になる。そこ
で、ポリッシング後のウエハを洗浄するための処理装置
においては、ウエハを１枚ずつ供給するためのローダに
は、複数枚のウエハを収容した状態のカセットを水中に
浸漬しておくための水槽を備えた水中ローダが適用され
る。これにより、ウエハと空気との接触が防がれるか
ら、ウエハの乾燥が防止される。However, if the slurry on the surface of the wafer after polishing is dried before the wafer is cleaned, it becomes difficult to remove and remove the abrasive on the wafer surface. Therefore, in a processing apparatus for cleaning wafers after polishing, a loader for supplying wafers one by one includes a water tank for immersing a cassette containing a plurality of wafers in water. A submersible loader equipped with the method is applied. This prevents the contact between the wafer and the air, thereby preventing the wafer from drying.
【０００４】図１７は、水中ローダの水槽に関連する部
分の構成を簡略化して示す斜視図である。水槽６７０
は、上面が開口した有底四角筒状のものであって、上面
の４つの辺のうちの一辺６７１が低く形成されている。
水槽６７０の底面６７２には、純水を供給するための給
水管６７５が結合されている。この給水管６７５から、
常時純水が供給され、上面の一辺６７１から、水槽６７
０内の水をオーバーフローさせるようになっている。FIG. 17 is a simplified perspective view showing a configuration of a portion related to a water tank of an underwater loader. Aquarium 670
Is a rectangular tube with a bottom and an open upper surface, and one side 671 of four sides of the upper surface is formed lower.
A water supply pipe 675 for supplying pure water is connected to the bottom surface 672 of the water tank 670. From this water pipe 675,
Pure water is always supplied, and the water tank 67 is supplied from one side 671 of the upper surface.
The water inside 0 overflows.
【０００５】水槽６７０内には、複数枚のウエハＷを収
容したカセットＣが浸漬される。これにより、ポリッシ
ング処理後のウエハＷの表面の乾燥が防止される。ウエ
ハＷの表面に付着しているスラリーは、水槽６７０内の
水中に流れ出し、水面に浮遊してくるスラリーは、水槽
６７０からオーバーフローする水とともに、水槽６７０
外に流出する。[0005] A cassette C containing a plurality of wafers W is immersed in the water tank 670. This prevents the surface of the wafer W from being dried after the polishing process. The slurry adhering to the surface of the wafer W flows out into the water in the water tank 670, and the slurry floating on the water surface together with the water overflowing from the water tank 670 together with the water tank 670.
Spill out.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図１８は、水槽６７０
内のスラリーの様子を概念的に示す模式図である。カセ
ットＣ内のウエハＷから流出したスラリー６８０は、水
面６８１に浮かんだり、水中に漂ったり、水槽６７０の
底面６７２に沈殿したりして、様々な挙動を示す。これ
らのスラリーのうち、水面６８１に浮かんでくるスラリ
ーは、オーバーフローによって水槽６７０外に除去され
るが、水中に漂ったり、底面６７２に沈殿したりしてい
るスラリーは、除去されない。したがって、ウエハＷが
スラリーにより再汚染されるおそれがある。FIG. 18 shows a water tank 670.
FIG. 2 is a schematic view conceptually showing a state of a slurry in the inside. The slurry 680 flowing out of the wafer W in the cassette C floats on the water surface 681, floats in water, or precipitates on the bottom surface 672 of the water tank 670, and exhibits various behaviors. Among these slurries, the slurry floating on the water surface 681 is removed outside the water tank 670 by overflow, but the slurry floating in water or settling on the bottom surface 672 is not removed. Therefore, the wafer W may be re-contaminated by the slurry.
【０００７】また、水槽６７０には、カセットＣ内の全
てのウエハＷが洗浄処理のために取り出された後には、
次のロットのウエハを収容したカセットが浸漬されるか
ら、水槽６７０内には、オーバーフローによって除去さ
れなかったスラリーの量が増加していき、次第にその濃
度が高くなる。このようなスラリーの濃度の高い水中に
ウエハを浸漬すれば、ウエハを却って汚染させることに
もなりかねない。After all the wafers W in the cassette C have been taken out for cleaning,
Since the cassette accommodating the wafers of the next lot is immersed, the amount of the slurry not removed by the overflow in the water tank 670 increases, and the concentration gradually increases. If the wafer is immersed in such a high concentration of slurry, the wafer may be contaminated.
【０００８】また、図１９に模式的に示すように、４つ
の上辺のうちの一辺６７１のみからオーバーフローさせ
るようにした上記の構成では、この辺６７１に対向する
辺６７３の近傍の水面に、スラリーがたまり、これを除
去することができない。水面にたまったスラリーによる
ウエハの汚染の可能性もある。この問題を解決するため
に、水槽の４つの上辺の全てからオーバーフローさせる
ことが考えられる。しかし、４つの上辺を同一水平面内
に位置するように調整することは必ずしも容易ではな
い。たとえば、水槽が処理装置の他の構成部分とともに
一体的に構成される場合には、水槽の姿勢を調整するた
めには装置全体の姿勢を調節する必要が生じる。そのた
め、装置の設置精度を高める必要が生じるうえ、そのよ
うにして装置を設置しても、必ずしも４方向へのオーバ
ーフローを満足に行えるとは限らない。Further, as schematically shown in FIG. 19, in the above-described configuration in which only one of the four upper sides 671 overflows, the slurry is placed on the water surface near the side 673 facing the side 671. It collects and cannot be removed. There is also the possibility of wafer contamination by slurry that has accumulated on the water surface. To solve this problem, it is conceivable to overflow from all four upper sides of the aquarium. However, it is not always easy to adjust the four upper sides so as to be located in the same horizontal plane. For example, when the water tank is integrally formed with other components of the processing apparatus, it is necessary to adjust the attitude of the entire apparatus in order to adjust the attitude of the water tank. Therefore, it is necessary to increase the installation accuracy of the apparatus, and even if the apparatus is installed in such a manner, the overflow in four directions cannot always be satisfactorily performed.
【０００９】そこで、本発明の目的は、上述の技術的課
題を解決し、薄板材が汚染されることのない薄板材供給
装置を提供することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problems and to provide a thin sheet supply apparatus which does not contaminate the thin sheet.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、薄板材を
収容するための液槽と、この液槽内の液を異なる方向に
向けてオーバーフローさせるためのオーバーフロー手段
と、上記液槽内へ液を供給するための液供給手段とを備
え、上記オーバーフロー手段は、上記液槽内の液をオー
バーフローさせて液槽の外部に導くためのオーバーフロ
ー用通路が形成されているとともに、上記オーバーフロ
ー用通路の上下方向位置が調整可能な状態で上記液槽に
取り付けられた可動堰部材を含むものであることを特徴
とする薄板材供給装置である。Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to the first aspect of the present invention, there is provided a liquid tank for accommodating a thin plate and a liquid in the liquid tank in different directions. An overflow means for causing the liquid to overflow toward the liquid tank, and a liquid supply means for supplying the liquid into the liquid tank, wherein the overflow means overflows the liquid in the liquid tank and guides the liquid to the outside of the liquid tank. And a movable dam member attached to the liquid tank such that the vertical position of the overflow passage is adjustable.
【００１１】上記の構成によれば、液槽内の液は、異な
る方向に向けてオーバーフローさせられるから、液面に
不純物が滞留するおそれはない。したがって、薄板材が
汚染されるおそれはない。しかも、オーバーフロー用通
路が形成された可動堰部材が、オーバーフロー用通路の
上下方向位置が調整可能な状態で液槽に取り付けられて
いるから、オーバーフロー用通路の上下位置を調整する
ことによって、異なる方向へのオーバーフローを良好に
行わせることができる。しかも、液槽自体の姿勢を厳密
に調整する必要がない。According to the above configuration, since the liquid in the liquid tank overflows in different directions, there is no possibility that impurities stay on the liquid surface. Therefore, there is no possibility that the thin plate material is contaminated. In addition, since the movable weir member having the overflow passage formed therein is attached to the liquid tank such that the vertical position of the overflow passage can be adjusted, the vertical position of the overflow passage can be adjusted in different directions. Satisfactorily can be performed. Moreover, there is no need to strictly adjust the attitude of the liquid tank itself.
【００１２】なお、請求項２記載に記載されているよう
に、上記液槽は、開口した上面に少なくとも３つの上辺
を有する多角筒状のものであってもよく、この場合に、
上記可動堰部材は、一直線状に整列した複数のオーバー
フロー用通路を有し、水平方向に沿う両端の上下方向位
置が調整可能な状態で、上記少なくとも３つの上辺のう
ちの少なくとも１つの上辺に沿って取り付けられた板状
部材であってもよい。The liquid tank may be a polygonal cylinder having at least three upper sides on an open upper surface.
The movable weir member has a plurality of overflow passages aligned in a straight line, and is arranged along at least one of the at least three upper sides in a state where the vertical position of both ends along the horizontal direction is adjustable. It may be a plate-like member attached by attachment.
【００１３】また、この場合には、請求項３に記載され
ているように、上記オーバーフロー用通路は、上記可動
堰部材の上辺に形成されたノッチであってもよい。可動
堰部材の上辺にノッチを形成しておくことにより、ノッ
チ部における液面の表面張力を強め、液のオーバーフロ
ーが一部分に過度に集中するのを抑制し、各辺あるいは
各部において偏りのないオーバーフローを実現できる。In this case, the overflow passage may be a notch formed on an upper side of the movable weir member. By forming a notch on the upper side of the movable weir member, the surface tension of the liquid surface at the notch part is increased, the overflow of the liquid is prevented from being excessively concentrated on a part, and the overflow without bias on each side or each part. Can be realized.
【００１４】さらに、請求項４に記載されているよう
に、液槽からオーバーフローした液を受ける液受け部材
がさらに備えられていてもよい。請求項５記載の発明
は、薄板材を収容するための液槽と、上記液槽に液を供
給するための液供給手段と、上記液槽内の液を排出する
ための液排出手段と、上記液槽内面を洗浄液を吹き付け
て洗浄するための液槽洗浄手段とを含むことを特徴とす
る薄板材供給装置である。Further, as described in claim 4, a liquid receiving member for receiving the liquid overflowing from the liquid tank may be further provided. According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid tank for accommodating a thin plate material, a liquid supply means for supplying a liquid to the liquid tank, a liquid discharge means for discharging the liquid in the liquid tank, A thin plate material supply device comprising: a liquid tank cleaning means for cleaning the inner surface of the liquid tank by spraying a cleaning liquid.
【００１５】この構成によれば、液槽への液の供給によ
り、液槽内の液をオーバーフローさせることにより、液
面の不純物を除去できる。また、液槽内の液を排出する
ことによって、液中に漂う不純物を除去できる。さら
に、液槽内面に洗浄液を吹き付けることによって液槽内
面を洗浄することにより、液槽内面に付着した不純物を
洗い落とすことができる。これにより、液槽内の不純物
はことごとく除去できるから、その後に液槽内に液を供
給し、この液中に薄板材を浸漬した場合に、この薄板材
が不純物で汚染されることがない。According to this configuration, by supplying the liquid to the liquid tank and causing the liquid in the liquid tank to overflow, impurities on the liquid surface can be removed. By discharging the liquid in the liquid tank, impurities floating in the liquid can be removed. Further, by cleaning the inner surface of the liquid tank by spraying a cleaning liquid on the inner surface of the liquid tank, impurities attached to the inner surface of the liquid tank can be washed away. Thereby, since all the impurities in the liquid tank can be removed, when the liquid is subsequently supplied into the liquid tank and the thin plate is immersed in the liquid, the thin plate is not contaminated with impurities.
【００１６】なお、請求項６に記載されているように、
上記液排出手段による液の排出タイミングに関連したタ
イミングで液槽内が洗浄されるように液洗浄手段を制御
する手段をさらに含むことが好ましい。液の排出タイミ
ングに関連したタイミングは、具体的には、液槽内の液
の排出が完了する直前（請求項７）であってもよく、液
槽内の液の排出が完了した後（請求項８）であってもよ
く、また、液の排出開始と同時（請求項９）であっても
よい。[0016] As described in claim 6,
It is preferable that the apparatus further includes means for controlling the liquid washing means so that the inside of the liquid tank is washed at a timing related to the timing of discharging the liquid by the liquid discharging means. Specifically, the timing related to the liquid discharge timing may be immediately before the discharge of the liquid in the liquid tank is completed (claim 7), or after the discharge of the liquid in the liquid tank is completed (claim 7). Item 8) may be used, or it may be simultaneous with the start of liquid discharge (claim 9).
【００１７】また、請求項１０に記載されているよう
に、上記液槽内の液の排出が完了し、かつ、上記液槽内
面の洗浄が完了した後に、上記液槽内へ新たな液が供給
されるように上記液供給手段を制御する手段をさらに含
むことが好ましい。このようにすれば、洗浄が完了した
後に液が供給されるので、貯留された液が汚染されてい
るおそれがなくなる。According to a tenth aspect of the present invention, after the discharge of the liquid in the liquid tank is completed and the cleaning of the inner surface of the liquid tank is completed, a new liquid is introduced into the liquid tank. It is preferable to further include means for controlling the liquid supply means so that the liquid is supplied. With this configuration, the liquid is supplied after the cleaning is completed, so that there is no possibility that the stored liquid is contaminated.
【００１８】さらに、請求項１１に記載されているよう
に、上記液槽は、上記液供給手段による液の供給に伴っ
て、異なる方向に液をオーバーフローさせるためのオー
バーフロー手段を備えていることが好ましい。これによ
り、水面に不純物が滞留することを確実に防止できる。
請求項１２の発明は、薄板材を保持したカセットを支持
するカセット支持手段と、カセット支持手段によって支
持されたカセットに向けて液体を飛散させる液体供給手
段とを含むことを特徴とする薄板材供給装置である。Further, as set forth in claim 11, the liquid tank is provided with overflow means for causing the liquid to overflow in a different direction as the liquid is supplied by the liquid supply means. preferable. Thereby, it is possible to reliably prevent impurities from staying on the water surface.
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a thin sheet supply comprising: a cassette supporting means for supporting a cassette holding a thin sheet; and a liquid supply means for scattering liquid toward the cassette supported by the cassette supporting means. Device.
【００１９】この構成によれば、液中に薄板材を浸漬さ
せなくとも、液体供給手段から液体を飛散させることに
よって、薄板材の乾燥を防止できる。したがって、液中
に薄板材を浸漬する場合とは異なり、薄板材が不純物に
より汚染されるおそれがない。なお、請求項１３に記載
されているように、カセット支持手段を昇降させる手段
をさらに含むことが好ましい。これにより、たとえば、
液体供給手段をノズルで構成する場合に、ノズルの数が
少なくとも、カセット内に保持された薄板材に良好に液
体を供給できる。その結果、液体の使用量を少なくする
ことができる。また、薄板材に対する液体の当たり方が
変化するから、薄板材の表面に均等に液体を供給でき
る。さらに、薄板材がカセットとともに昇降されること
により、薄板材の表面の液体が振り落とされるから、そ
れに伴って薄板材の表面の不純物が洗い落とされる。こ
れにより、薄板材を或る程度洗浄することができる。According to this configuration, even if the thin plate is not immersed in the liquid, it is possible to prevent the thin plate from being dried by scattering the liquid from the liquid supply means. Therefore, unlike the case where the sheet material is immersed in the liquid, there is no possibility that the sheet material is contaminated by impurities. In addition, as described in claim 13, it is preferable to further include a means for elevating the cassette support means. This allows, for example,
When the liquid supply means is constituted by nozzles, the number of nozzles can at least supply the liquid to the thin plate material held in the cassette satisfactorily. As a result, the amount of liquid used can be reduced. In addition, since the manner in which the liquid hits the sheet material changes, the liquid can be uniformly supplied to the surface of the sheet material. Furthermore, since the liquid on the surface of the thin plate is shaken off by moving the thin plate up and down together with the cassette, the impurities on the surface of the thin plate are washed off accordingly. Thereby, the thin plate material can be cleaned to some extent.
【００２０】また、請求項１４に記載されているよう
に、液体の供給が間欠的に行われるように上記液体供給
手段を制御するようにしてもよい。これにより、使用液
量を節約できる。また、液体の供給を間欠的に行うこと
によって、薄板材の表面において液体の流れを生成させ
ることができるから、薄板材の表面の洗浄効果を期待で
きる。Further, the liquid supply means may be controlled so that the liquid is supplied intermittently. As a result, the amount of liquid used can be saved. Further, by intermittently supplying the liquid, a flow of the liquid can be generated on the surface of the thin plate material, and therefore, an effect of cleaning the surface of the thin plate material can be expected.
【００２１】さらに、請求項１５に記載されているよう
に、液体供給手段は、液体が飛散する方向を変更するた
めの方向変更手段を含むものであってもよい。このよう
にすれば、たとえば、液体供給手段をノズルで構成する
場合に、ノズルの数が少なくとも、カセットに支持され
た薄板材に良好に液体を供給できるから、使用水量を節
約できる。また、薄板材に対する液体の当たり方が変化
することにより、薄板材の表面に均等に液体を供給でき
る。また、薄板材の表面において液体の流れを生成でき
るから、薄板材の表面を或る程度洗浄できる。Further, as described in claim 15, the liquid supply means may include a direction changing means for changing a direction in which the liquid scatters. In this way, for example, when the liquid supply means is constituted by nozzles, the number of nozzles can be at least sufficient to supply the liquid to the thin plate supported by the cassette, so that the amount of water used can be reduced. Further, the liquid can be supplied uniformly to the surface of the thin plate material by changing the way the liquid hits the thin plate material. In addition, since a liquid flow can be generated on the surface of the sheet material, the surface of the sheet material can be cleaned to some extent.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明の一実施形態の薄板材供給装置である水中ローダ１を
適用した基板処理装置の全体の構成を示す斜視図であ
り、図２は、その内部構成を示す簡略化した断面図であ
る。この基板処理装置は、たとえばポリッシング処理後
のウエハに対する洗浄および乾燥処理を行うためのもの
である。この基板処理装置は、カセットＣに収容された
複数枚のウエハを純水中に浸漬しておくための構成を備
えた水中ローダ１と、カセットＣから取り出されたウエ
ハＷの裏面（下面）をブラシ洗浄する裏面洗浄装置２
と、ウエハＷの表面（上面）をブラシ洗浄する表面洗浄
装置３と、ウエハＷの水洗および乾燥処理を行う水洗乾
燥装置４と、洗浄処理されたウエハＷをカセットＣに収
容して排出するためのアンローダ５とがこの順に直線状
に配列されて構成されている。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an overall configuration of a substrate processing apparatus to which an underwater loader 1 which is a thin sheet supply apparatus according to an embodiment of the present invention is applied, and FIG. 2 is a simplified cross-section showing an internal configuration thereof. FIG. This substrate processing apparatus is for performing, for example, cleaning and drying processing on a wafer after polishing processing. This substrate processing apparatus includes an underwater loader 1 having a configuration for immersing a plurality of wafers contained in a cassette C in pure water and a back surface (lower surface) of a wafer W taken out of the cassette C. Back surface cleaning device 2 for brush cleaning
A surface cleaning device 3 for brush cleaning the front surface (upper surface) of the wafer W, a rinsing and drying device 4 for rinsing and drying the wafer W, and a cassette C for storing and discharging the cleaned wafer W. Are linearly arranged in this order.
【００２３】各装置１〜５の間には、多関節ロボット７
を有する搬送装置６が配置されている。各装置１〜５
は、それぞれ処理チャンバＣＨを有しており、この処理
チャンバＣＨにウエハＷを導入するための入口および処
理チャンバＣＨからウエハＷを取り出すための出口には
それぞれシャッタＳＨが設けられている。なお、４つの
搬送装置６のうち、ウエハＷの搬送方向に対して上流側
に位置する３つの搬送装置６には、多関節ロボット７の
上方に、ウエハＷの乾燥を防止するための純水噴射ノズ
ル３４が設けられている。また、各装置１〜６には、純
水供給装置８から制御弁９を介して、純水が供給される
ようになっている。各装置１〜６からの排水は、廃液回
収装置１０により回収される。An articulated robot 7 is provided between each of the devices 1 to 5.
Is disposed. Each device 1-5
Have a processing chamber CH, and a shutter SH is provided at an inlet for introducing the wafer W into the processing chamber CH and at an outlet for removing the wafer W from the processing chamber CH. Of the four transfer devices 6, three transfer devices 6 located on the upstream side in the transfer direction of the wafer W are provided with pure water for preventing the drying of the wafer W above the articulated robot 7. An injection nozzle 34 is provided. Further, pure water is supplied to each of the devices 1 to 6 from the pure water supply device 8 via the control valve 9. The wastewater from each of the devices 1 to 6 is collected by the waste liquid collecting device 10.
【００２４】水中ローダ１は、図３に示すように、内部
に純水を貯留し、カセットＣを純水中に浸漬させるため
の水槽１１と、カセットＣを水槽１１内で上下動させる
ためのカセット昇降装置１２とを有している。このカセ
ット昇降装置１２は、少なくとも、カセットＣを、カセ
ットＣ内に収納された最上段のウエハＷが完全に純水中
に浸漬する位置と、カセットＣ内に収納された最下段の
ウエハＷが純水中より浮上する位置との間の範囲で上下
動させ、この位置範囲内の任意の位置でカセットＣを支
持することができるものである。カセットＣは、中空状
であり、前方部（図３の右手前側）には、収納されたウ
エハを出し入れするための開口１３Ｆが形成されてい
る。また、カセットＣの後方部（図３の左手奥側）に
は、開口１３Ｒが形成れている。As shown in FIG. 3, the underwater loader 1 has a water tank 11 for storing pure water therein and immersing the cassette C in the pure water, and a water tank 11 for vertically moving the cassette C in the water tank 11. And a cassette elevating device 12. The cassette elevating device 12 is configured such that at least the position of the cassette C where the uppermost wafer W stored in the cassette C is completely immersed in pure water and the lowermost wafer W stored in the cassette C are The cassette C can be moved up and down in a range between a position floating from pure water and an arbitrary position within this position range. The cassette C has a hollow shape, and has an opening 13F in a front portion (right front side in FIG. 3) through which a stored wafer is taken in and out. An opening 13R is formed in the rear part of the cassette C (on the left side in FIG. 3).
【００２５】水槽１１は、合成樹脂製であり、図４に示
すように、上面が開口した有底四角筒状のものである。
上面の開口を形成する４辺１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１
４Ｄは、面一となるように形成されている。この４辺１
４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄにそれぞれ対応した側壁
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ（以下、総称するとき
には、「側壁１６」という。）の上辺付近には、オーバ
ーフロー手段を構成する可動堰部材１７Ａ，１７Ｂ，１
７Ｃ，１７Ｄ（以下、総称するときには「可動堰部材１
７」という。）が取り付けられている。The water tank 11 is made of a synthetic resin, and has the shape of a square tube with a bottom and an open top as shown in FIG.
Four sides 14A, 14B, 14C, 1 forming openings on the upper surface
4D is formed to be flush. These four sides 1
In the vicinity of the upper side of the side walls 16A, 16B, 16C, 16D (hereinafter, collectively referred to as "side walls 16") corresponding to 4A, 14B, 14C, 14D, movable dam members 17A, 17B constituting overflow means. , 1
7C, 17D (hereinafter collectively referred to as “movable weir member 1
7 ". ) Is attached.
【００２６】可動堰部材１７は、長尺な板状部材であ
り、使用状態において水平方向に延びる１つの長辺（上
辺）には、所定の間隔（たとえば３０ミリメートル）
で、所定の深さ（たとえば５ミリメートル）のＶ字形の
ノッチＮが複数個形成されており、一直線状に配列され
たオーバーフロー用通路を形成している。可動堰部材１
７の両端付近には、使用状態において鉛直方向に延びる
短辺に沿って、長穴ＬＨ１，ＬＨ２が形成されている。The movable weir member 17 is a long plate-like member, and has a predetermined interval (for example, 30 mm) on one long side (upper side) extending in a horizontal direction in a use state.
A plurality of V-shaped notches N having a predetermined depth (for example, 5 mm) are formed to form overflow passages arranged in a straight line. Movable weir member 1
In the vicinity of both ends of 7, long holes LH1 and LH2 are formed along the short side extending in the vertical direction in the use state.
【００２７】水槽１１の各側壁１６の上辺付近であっ
て、可動堰部材１７の長穴ＬＨ１，ＬＨ２に対応する位
置には、それぞれ、ねじ穴ＴＨ１，ＴＨ２が形成されて
いる。そして、ボルトＢ１，Ｂ２を可動堰部材１７の長
穴ＬＨ１，ＬＨ２を挿通させ、ねじ穴ＴＨ１，ＴＨ２に
螺着することにより、可動堰部材１７の側壁１６に対す
る取付けが達成されている。可動堰部材１７の両端部
は、長穴ＬＨ１，ＬＨ２の長さによって定まる所定長だ
け上下方向位置が調整可能である。その結果、可動堰部
材１７は、全体を上下させたり、側壁１６の上辺に対し
て或る程度傾斜させたりすることができる。これによ
り、結果として、各ノッチＮの上下方向位置の調整が可
能である。Screw holes TH1 and TH2 are formed near the upper side of each side wall 16 of the water tank 11 at positions corresponding to the long holes LH1 and LH2 of the movable weir member 17, respectively. Then, the bolts B1 and B2 are inserted through the elongated holes LH1 and LH2 of the movable weir member 17 and screwed into the screw holes TH1 and TH2, whereby the movable weir member 17 is attached to the side wall 16. Both ends of the movable weir member 17 can be adjusted in vertical position by a predetermined length determined by the lengths of the long holes LH1 and LH2. As a result, the movable weir member 17 can be moved up and down as a whole, or can be inclined to some extent with respect to the upper side of the side wall 16. Thereby, as a result, the vertical position of each notch N can be adjusted.
【００２８】水槽１１の底面においてカセットＣの開口
１３に近い位置には、給排水口１５が形成されており、
この給排水口１５から純水が水槽１１内に供給され、ま
た、この給排水口１５を介して水槽１１内の水が排出さ
れる。供給された水は、水槽１１の上面の４辺に設けら
れた可動堰部材１７のノッチＮを通って、４方向に溢れ
出す。すなわち、可動堰部材１７の取り付け位置を予め
調整しておくことによって、オーバーフローする水が４
方から流れ出すようにしている。このとき、ノッチＮ
は、このノッチＮを通っての４方向へのスムーズなオー
バーフローを促進するとともに、その部分での水槽１１
内の水の表面張力を強め、液のオーバーフローが一部分
に過度に集中するのを抑制し、各辺、各部における偏り
のないオーバーフローを実現する。A water supply / drain port 15 is formed at a position near the opening 13 of the cassette C on the bottom surface of the water tank 11.
Pure water is supplied into the water tank 11 from the water supply / drain port 15, and water in the water tank 11 is discharged through the water supply / drain port 15. The supplied water overflows in four directions through the notches N of the movable weir member 17 provided on the four sides of the upper surface of the water tank 11. That is, by adjusting the mounting position of the movable weir member 17 in advance, the overflow
So that it flows from the side. At this time, notch N
Promotes a smooth overflow in four directions through the notch N, and the water tank 11
The surface tension of the water in the inside is strengthened, and the overflow of the liquid is suppressed from being excessively concentrated on a part, thereby achieving an unbiased overflow in each side and each part.
【００２９】水槽１１の周囲には、外槽１８との間に液
受け部Ｇが形成されている。これにより、水槽１１から
オーバーフローした水は、液受け部Ｇを通って、排水管
ＤＰに導かれる。たとえば、水槽１１が処理装置１〜５
の各処理チャンバＣＨとともに一体的に構成される場
合、水槽１１の４つの上辺を厳密に同一水平面内に位置
させるには、この基板処理装置全体の位置決めを厳密に
行う必要がある。しかし、この実施形態の構成では、可
動堰部材１７の取り付け位置を調整することによって、
各可動堰部材１７に形成されたノッチをほぼ同一水平面
内に位置させることができるから、水槽１１の４つの上
辺が必ずしも同一水平面内に位置している必要はない。
そのため、基板処理装置の位置決めを厳密に行うことな
く、４方向への良好なオーバーフローを達成できる。A liquid receiving portion G is formed around the water tank 11 between the water tank 11 and the outer tank 18. Thereby, the water overflowing from the water tank 11 is guided to the drain pipe DP through the liquid receiving portion G. For example, the water tank 11 has the processing apparatuses 1 to 5.
When integrally configured with each of the processing chambers CH, it is necessary to precisely position the entire substrate processing apparatus in order to position the four upper sides of the water tank 11 exactly on the same horizontal plane. However, in the configuration of this embodiment, by adjusting the mounting position of the movable weir member 17,
Since the notches formed in each movable weir member 17 can be located substantially in the same horizontal plane, the four upper sides of the water tank 11 need not necessarily be located in the same horizontal plane.
Therefore, good overflow in four directions can be achieved without strictly positioning the substrate processing apparatus.
【００３０】水槽１１の４つの側壁のうち、相対向して
いる一対の側壁１６Ａ，１６Ｃには、水槽１１の内部を
洗浄するための洗浄水を噴射するノズル９１Ａ，９１Ｂ
が設けられている。これらのノズル９１Ａ，９１Ｂは、
水槽１１の全内面を洗浄することができるように洗浄水
を噴射できるように構成されている。また、側壁１６Ａ
には、その上辺付近および下辺付近に、液面センサ９
３，９４がそれぞれ配設されている。上辺付近の液面セ
ンサ９３は、水槽１１内に純水を貯留する際に、水面が
水槽１１の上面の近くに達したことを検出する。この液
面センサ９３の出力に基づいて、水槽１１の上面付近に
水面が達するまでは高速に給水し、その後は、オーバー
フローさせる流量に対応した速度で給水を行うような制
御が可能である。一方、下辺付近の液面センサ９４は、
排水時において、水槽１１の底面付近にまで水面が下が
ったことを検出する。この液面センサ９４の出力に基づ
いて、排水完了のタイミングを検知することができる。Of the four side walls of the water tank 11, nozzles 91A and 91B for spraying cleaning water for cleaning the inside of the water tank 11 are provided on a pair of opposed side walls 16A and 16C.
Is provided. These nozzles 91A and 91B are
It is configured so that cleaning water can be sprayed so that the entire inner surface of the water tank 11 can be cleaned. Also, the side wall 16A
Has a liquid level sensor 9 near its upper and lower sides.
3, 94 are provided respectively. The liquid level sensor 93 near the upper side detects that the water surface has reached near the upper surface of the water tank 11 when storing pure water in the water tank 11. Based on the output of the liquid level sensor 93, it is possible to perform control such that water is supplied at a high speed until the water surface reaches near the upper surface of the water tank 11, and thereafter water is supplied at a speed corresponding to the flow rate to be overflowed. On the other hand, the liquid level sensor 94 near the lower side
At the time of drainage, it is detected that the water surface has dropped to near the bottom surface of the water tank 11. Based on the output of the liquid level sensor 94, the timing of completion of drainage can be detected.
【００３１】カセット昇降装置１２は、図３、図５およ
び図６に示す昇降フレーム１９を備えている。昇降フレ
ーム１９は、上下方向に沿って配置された２本のガイド
軸２０により上下移動自在に支持されている。昇降フレ
ーム１９の中央には、ボールナット２１が配置されてい
る。ボールナット２１は、上下に延びるボールスクリュ
ウ２２に螺合している。ボールスクリュウ２２は、ガイ
ド軸２０を支持するガイドフレーム２３により回転自在
に支持されている。ボールスクリュウ２２は、下端に配
置された歯付きプーリー２４および歯付きベルト２５を
介してモータ２６により回転駆動される。これにより、
昇降フレーム１９が昇降駆動される。The cassette elevating device 12 includes an elevating frame 19 shown in FIGS. 3, 5 and 6. The lifting frame 19 is vertically movably supported by two guide shafts 20 arranged along the vertical direction. A ball nut 21 is arranged at the center of the lifting frame 19. The ball nut 21 is screwed into a vertically extending ball screw 22. The ball screw 22 is rotatably supported by a guide frame 23 that supports the guide shaft 20. The ball screw 22 is driven to rotate by a motor 26 via a toothed pulley 24 and a toothed belt 25 arranged at the lower end. This allows
The lifting frame 19 is driven up and down.
【００３２】昇降フレーム１９の両端側には、ステンレ
ス製薄板部材からなる一対の昇降部材２７と、これに連
結する垂直部材３１とが配設されている。各垂直部材３
１の下端には、合成樹脂性平板部材からなるカセット台
３２が取り付けられている。カセット台３２上には、カ
セットＣの四隅を位置決めするための位置決め部材３３
が取り付けられている。At both ends of the lifting frame 19, a pair of lifting members 27 made of a stainless steel thin plate member and a vertical member 31 connected thereto are provided. Each vertical member 3
At the lower end of 1, a cassette table 32 made of a synthetic resin flat plate member is attached. Positioning members 33 for positioning the four corners of the cassette C are provided on the cassette table 32.
Is attached.
【００３３】また、各昇降部材２７の上端は、繋ぎ部材
３０により連結されており、この繋ぎ部材３０の中央部
には、カセットＣを水槽１１に浸漬する際に、カセット
Ｃの浮き上がりを防止するための浮き上がり防止部材４
４が配設されている。この浮き上がり防止部材４４は、
繋ぎ部材３０に固定された軸受け部４５と、軸４６を介
して軸受け部４５に回動自在に連結されたストッパー４
７とにより構成されている。The upper end of each elevating member 27 is connected by a connecting member 30. The center of the connecting member 30 prevents the cassette C from rising when the cassette C is immersed in the water tank 11. Lift prevention member 4 for
4 are provided. This lifting prevention member 44 is
A bearing portion 45 fixed to the connecting member 30 and a stopper 4 rotatably connected to the bearing portion 45 via a shaft 46;
7.
【００３４】図３に示すように、多関節ロボット７は、
図示しない装置フレームに固定された垂直コラム４１
と、垂直コラム４１の先端で水平に揺動するベース４２
と、ベース４２の先端で水平に揺動する搬送アーム４３
と有している。多関節ロボット７は、水中ローダ１のカ
セットＣ内のウエハＷを搬送アーム４３で１枚ずつ吸着
搬送することができる位置に配置されている。この多関
節ロボット７は、耐水性を有しており、純水により濡れ
た状態のカセットＣを吸着しても搬送機能を果たせる構
成となっている。As shown in FIG. 3, the articulated robot 7
Vertical column 41 fixed to a device frame (not shown)
And a base 42 that swings horizontally at the tip of a vertical column 41.
And a transfer arm 43 that swings horizontally at the tip of the base 42.
And have. The articulated robot 7 is arranged at a position where the wafers W in the cassette C of the underwater loader 1 can be suctioned and transferred one by one by the transfer arm 43. The articulated robot 7 has water resistance, and is configured to be able to perform a transfer function even when the cassette C wet with pure water is sucked.
【００３５】次に、基板処理装置の全体の動作について
概説する。多数のウエハＷを上下方向に沿って多段に収
納したカセットＣが位置決め部材３３により水中ローダ
１のカセット台３２に位置決めされて載置されると、昇
降フレーム１９が下降して、水槽１１内にカセットＣが
浸漬される。このとき、給排水口１５から純水が供給さ
れている。Next, the overall operation of the substrate processing apparatus will be outlined. When the cassette C containing a large number of wafers W in multiple stages along the vertical direction is positioned and placed on the cassette table 32 of the underwater loader 1 by the positioning member 33, the elevating frame 19 descends and is placed in the water tank 11. Cassette C is immersed. At this time, pure water is supplied from the water supply / drain port 15.
【００３６】裏面洗浄装置２側にウエハＷを供給する際
には、浸漬されていたカセットＣがカセット昇降装置１
２によって上昇させられる。そして、搬出すべきウエハ
Ｗを取出し位置よりもやや上方に位置させた状態でカセ
ット昇降装置１２が停止する。続いて、多関節ロボット
７の搬送アーム４３が、図６に二点鎖線で示すように延
び、取り出すべきウエハＷの裏面下に位置する。そし
て、僅かにカセット昇降装置１２が下降することによ
り、多関節ロボット７の搬送アーム４３上にウエハＷを
預ける。すると多関節ロボット７は、搬送アーム４３上
でウエハＷを吸着保持する。ウエハＷを吸着保持した搬
送アーム４３は、図６に実線で示す位置まで縮み、ウエ
ハＷをカセットＣから取り出す。そして、次工程である
裏面洗浄装置２からの搬送要求により、裏面洗浄装置２
へウエハＷを送る。When the wafer W is supplied to the back surface cleaning device 2, the immersed cassette C is moved to the cassette lifting device 1.
2 raised. Then, the cassette elevating device 12 stops in a state where the wafer W to be carried out is positioned slightly above the take-out position. Subsequently, the transfer arm 43 of the articulated robot 7 extends as shown by a two-dot chain line in FIG. 6, and is located below the back surface of the wafer W to be taken out. Then, the wafer W is deposited on the transfer arm 43 of the articulated robot 7 by slightly lowering the cassette lifting device 12. Then, the articulated robot 7 sucks and holds the wafer W on the transfer arm 43. The transfer arm 43 holding the wafer W by suction is contracted to the position shown by the solid line in FIG. Then, in response to a transport request from the back surface cleaning device 2 in the next step, the back surface cleaning device 2
To the wafer W.
【００３７】裏面洗浄装置２で裏面が洗浄されると、ウ
エハＷはさらに表面洗浄装置２、水洗乾燥装置４へと順
次多関節ロボット７によって搬送される。そして、それ
らでの処理が順次行われた後に、ウエハＷは最後にアン
ローダ５に送られる。ここで、ウエハＷは別のカセット
Ｃ内に収納される。なお、ウエハＷは、カセットＣの上
側に収容されたものから順に取り出される。また、水洗
乾燥装置４までの搬送工程においては、多関節ロボット
７上のウエハＷは、純水噴出用のノズル３４から供給さ
れる純水により常に濡れた状態となっている。When the back surface is cleaned by the back surface cleaning device 2, the wafer W is further transferred to the front surface cleaning device 2 and the washing / drying device 4 by the articulated robot 7 in this order. After these processes are sequentially performed, the wafer W is finally sent to the unloader 5. Here, the wafer W is stored in another cassette C. Incidentally, the wafers W are taken out in order from the one stored in the upper side of the cassette C. In the transfer process to the washing / drying device 4, the wafer W on the articulated robot 7 is always wet with pure water supplied from the nozzle 34 for jetting pure water.
【００３８】図７は、水槽１１への給排水等の制御に関
連する構成を示すブロック図である。給排水口１５に接
続された管１００は、２本の枝管１０１および１０２に
枝分かれしている。一方の枝管１０１は、純水供給管で
あり、その途中部に給水バルブ１０３が介装されてい
る。他方の枝管１０２は、排水管であって、その途中部
に排水バルブ１０４が介装されている。したがって、給
水バルブ１０３を開き、排水バルブ１０４を閉じておく
ことにより、水槽１１内に純水を供給できる。また、給
水バルブ１０３を閉じた状態で、排水バルブ１０４を開
けば水槽１１内の水を給排水口１５から排出することが
できる。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration related to control of water supply and drainage to the water tank 11 and the like. The pipe 100 connected to the water supply / drain port 15 branches into two branch pipes 101 and 102. One branch pipe 101 is a pure water supply pipe, and a water supply valve 103 is interposed in the middle thereof. The other branch pipe 102 is a drain pipe, and a drain valve 104 is interposed in the middle thereof. Therefore, pure water can be supplied into the water tank 11 by opening the water supply valve 103 and closing the drain valve 104. If the drain valve 104 is opened with the water supply valve 103 closed, the water in the water tank 11 can be discharged from the water supply / drain port 15.
【００３９】また、水槽１１の側壁１６Ａ，１６Ｃに配
置された一対のノズル９１Ａ，９１Ｂには、純水供給管
１０５を介して純水が供給されるようになっている。こ
の純水供給管１０５にも、給水バルブ１０６が介装され
ており、ノズル９１Ａ，９１Ｂからの純水の噴射を選択
的に行えるようになっている。上記の３つのバルブ１０
３，１０４および１０６は、マイクロコンピュータを備
えたコントローラ１１０によって開閉制御される。ただ
し、給排水口１５に純水を供給するための枝管１０１に
介装された給水バルブ１０３は、開度の調整が可能なも
のであり、コントローラ１１０はその開度を調整するこ
とによって、水槽１１に供給される純水の流量を制御す
る。Further, pure water is supplied to a pair of nozzles 91A and 91B arranged on the side walls 16A and 16C of the water tank 11 through a pure water supply pipe 105. The pure water supply pipe 105 is also provided with a water supply valve 106 so that pure water can be selectively injected from the nozzles 91A and 91B. The above three valves 10
3, 104 and 106 are opened and closed by a controller 110 having a microcomputer. However, the water supply valve 103 interposed in the branch pipe 101 for supplying pure water to the water supply / drain opening 15 is capable of adjusting the opening degree, and the controller 110 adjusts the opening degree so that the water tank is adjusted. The flow rate of pure water supplied to 11 is controlled.
【００４０】コントローラ１１０は、さらに、モータ２
６を制御し、これにより、カセット昇降装置１２による
カセット台３２の昇降を制御する。また、コントローラ
１１０には、水槽１１の側壁１６Ａに設けられた液面セ
ンサ９３，９４の各出力信号が入力されるようになって
いる。さらに、コントローラ１１０には操作部１１１が
接続されており、この操作部１１１には、水槽１１の洗
浄を指令するための洗浄ボタンが設けられている。The controller 110 further includes a motor 2
6 to thereby control the elevation of the cassette table 32 by the cassette elevation device 12. The controller 110 receives the output signals of the liquid level sensors 93 and 94 provided on the side wall 16 </ b> A of the water tank 11. Further, an operation unit 111 is connected to the controller 110, and the operation unit 111 is provided with a cleaning button for instructing cleaning of the water tank 11.
【００４１】図８は、コントローラ１１０による制御動
作を説明するためのフローチャートであり、図９(a) な
いし図９(d) は、水槽１１内の様子を簡略化して示す図
解図である。処理の開始に際し、コントローラ１１０
は、排水バルブ１０４を閉じ、給水バルブ１０３を開く
（ステップＳ１）。ノズル９１Ａ，９１Ｂに純水を供給
するための給水バルブ１０６は閉じたままである。この
とき、コントローラ１１０は、水槽１１内に高速に純水
が供給されるように、給水バルブ１０３をその開度が大
きくなるように制御する。FIG. 8 is a flow chart for explaining the control operation by the controller 110, and FIGS. 9A to 9D are schematic illustrations showing the state inside the water tank 11 in a simplified manner. At the start of the process, the controller 110
Closes the drain valve 104 and opens the water supply valve 103 (step S1). The water supply valve 106 for supplying pure water to the nozzles 91A and 91B remains closed. At this time, the controller 110 controls the water supply valve 103 to increase its opening so that pure water is supplied into the water tank 11 at high speed.
【００４２】給水が進み、水槽１１の上面付近に設けら
れた液面センサ９３によって水面が検出されると（また
は液面センサ９３が水面を検出してから所定時間が経過
すると）、水槽１１を満たすための給水が完了したもの
と判断される（ステップＳ２）。そして、その後は、給
水バルブ１０３の開度を小さくして、純水の供給流量を
少なくする。この流量で、水槽１１内の水がオーバーフ
ローすることになる。このとき、水槽１１の上面を形成
する可動堰部材１７は、上面が同じ高さになるように調
整されており、かつ、可動堰部材１７の上面には、ノッ
チＮが形成されているため、図１０に模式的に示すよう
に、水槽１１内の水は、４方向からオーバーフローする
ことになる。When the water supply proceeds and the water level is detected by the liquid level sensor 93 provided near the upper surface of the water tank 11 (or when a predetermined time has elapsed after the liquid level sensor 93 detects the water level), the water tank 11 is opened. It is determined that the water supply for filling has been completed (step S2). Then, thereafter, the opening degree of the water supply valve 103 is reduced to reduce the supply flow rate of pure water. At this flow rate, the water in the water tank 11 overflows. At this time, the movable weir member 17 forming the upper surface of the water tank 11 is adjusted so that the upper surface is at the same height, and the notch N is formed on the upper surface of the movable weir member 17. As schematically shown in FIG. 10, the water in the water tank 11 overflows from four directions.
【００４３】その結果、図９(a) に示すように、水面上
を漂うスラリーが取り除かれる。このとき、水槽１１の
上面のいたるところからオーバーフローするので、スラ
リーが水面上のいずれかの位置に滞留したりすることは
ない。そして、この状態で、カセットＣ内のウエハＷを
順次上側のものから取り出して処理がなされる。そし
て、たとえば、１つのカセットＣ内のウエハＷの処理を
終了し、カセットＣを取り去った時などに、操作部１１
に備えられた洗浄ボタンが操作されると（図８のステッ
プＳ４）、コントローラ１１０は、排水バルブ１０４を
開き、給水バルブ１０３を閉じる（ステップＳ５）。さ
らに、カセット台３２はカセットＣの最下部のウエハＷ
を取り出したために上昇した位置にあるので、コントロ
ーラ１１０は、モータ２６を駆動制御してカセット台３
２を下降させ、最下位置まで移動させる（ステップＳ
６）。このときの様子が図９(b) に示されている。すな
わち、水中に漂うスラリーは、給排水口１５から、排水
用の枝管１０２を通って、水槽１１外に排出される。た
だし、このとき、一部のスラリーは水槽１１の内壁面や
カセット台３２に付着し、また、水槽１１の底に沈殿し
ているスラリーは、完全には除去することができない。As a result, as shown in FIG. 9A, the slurry floating on the water surface is removed. At this time, since the slurry overflows from all over the upper surface of the water tank 11, the slurry does not stay at any position on the water surface. Then, in this state, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out from the upper one to be processed. Then, for example, when the processing of the wafer W in one cassette C is completed and the cassette C is removed, the operation unit 11
When the cleaning button provided in the controller is operated (Step S4 in FIG. 8), the controller 110 opens the drain valve 104 and closes the water supply valve 103 (Step S5). Further, the cassette table 32 holds the lowermost wafer W of the cassette C.
The controller 110 controls the motor 26 to drive the cassette table 3
2 is moved down to the lowest position (step S
6). The situation at this time is shown in FIG. That is, the slurry floating in the water is discharged from the water supply / drain port 15 to the outside of the water tank 11 through the branch pipe 102 for drainage. However, at this time, a part of the slurry adheres to the inner wall surface of the water tank 11 and the cassette table 32, and the slurry settled at the bottom of the water tank 11 cannot be completely removed.
【００４４】排水に伴って水槽１１内の水面の高さが液
面センサ９４の位置まで下がると（または、液面センサ
９４が水面を検出してから所定時間が経過すると）（ス
テップＳ７）、コントローラ１１０は、排水完了直前で
あると判断して、給水バルブ１０６を開く。これによ
り、水槽１１の側壁１６Ａ、１６Ｃに設けられたノズル
９１Ａ，９１Ｂから純水が噴射され、水槽１１の全内壁
面およびカセット台３２がシャワー洗浄される（ステッ
プＳ８）。このシャワー洗浄中に一定時間（たとえば５
秒）経過後（ステップＳ９）、コントローラ１１０は、
モータ２６を駆動制御して、カセット台３２を上昇させ
る（ステップＳ１０）。このとき、給水バルブ１０６は
開のままである。シャワー洗浄は、一定時間（たとえば
３０秒）だけ継続される（ステップＳ１１）。これによ
り、図９(c) に示すように、水槽１１の内壁面に付着し
ていたスラリーや、水槽１１の底面に沈殿していたスラ
リーが流し落とされて、給排水口１５から排出される。
このとき、カセット台３２は上昇しており、水槽１１の
底面の洗浄を妨げることはない。その後、給水バルブ１
０６は閉じられる（ステップＳ１２）。When the height of the water surface in the water tank 11 drops to the position of the liquid level sensor 94 with the drainage (or when a predetermined time has elapsed after the liquid level sensor 94 detects the water surface) (step S7). The controller 110 determines that it is immediately before the completion of drainage, and opens the water supply valve 106. Thereby, pure water is jetted from the nozzles 91A and 91B provided on the side walls 16A and 16C of the water tank 11, and the entire inner wall surface of the water tank 11 and the cassette table 32 are shower-washed (Step S8). During this shower cleaning, a certain time (for example, 5
Seconds) (step S9), the controller 110
The drive control of the motor 26 raises the cassette table 32 (step S10). At this time, the water supply valve 106 remains open. The shower cleaning is continued for a fixed time (for example, 30 seconds) (Step S11). As a result, as shown in FIG. 9C, the slurry adhering to the inner wall surface of the water tank 11 and the slurry settling on the bottom surface of the water tank 11 are drained and discharged from the water supply / drain port 15.
At this time, the cassette table 32 is raised and does not hinder the cleaning of the bottom surface of the water tank 11. Then, water supply valve 1
06 is closed (step S12).
【００４５】こうして、水面のスラリーはオーバーフロ
ーにより除去され、水中のスラリーは排水により除去さ
れ、内壁面に付着したり底面に沈殿したりしたスラリー
は、シャワー洗浄により除去される。これにより、水槽
１１内のあらゆるスラリーをほぼ完全に除去することが
できる。一定時間のシャワー洗浄の後には、ステップＳ
１に戻り、水槽１１内に純水が供給される。このとき、
図９(d) に示すように、貯留された純水の水中や水面に
スラリーが浮遊したり、水槽１１の底面にスラリーが沈
殿していたりすることはない。そのため、次に処理され
るべきウエハＷが水槽１１内に浸漬されたときに、この
ウエハＷがスラリーで汚染されるおそれはない。Thus, the slurry on the water surface is removed by overflow, the slurry in the water is removed by drainage, and the slurry attached to the inner wall surface or settled on the bottom surface is removed by shower washing. Thereby, any slurry in the water tank 11 can be almost completely removed. After shower cleaning for a certain period of time, step S
Returning to step 1, pure water is supplied into the water tank 11. At this time,
As shown in FIG. 9D, the slurry does not float on the water or the surface of the stored pure water, and the slurry does not settle on the bottom surface of the water tank 11. Therefore, when the wafer W to be processed next is immersed in the water tank 11, there is no possibility that the wafer W is contaminated with the slurry.
【００４６】図１１は、水槽１１の上辺に取り付けられ
る可動堰部材の変形例を示す図である。上記の実施形態
の可動堰部材１７は、水槽１１の４つの上辺にそれぞれ
対応した各１つの部材で構成されているが、図１１に示
す可動堰部材１７１Ａ，１７１Ｂ、１７１Ｃ，１７１Ｄ
は、それぞれ複数の分割部分からなっている。すなわ
ち、可動堰部材１７１Ａは、３つの分割部分７１Ａ，７
２Ａおよび７３Ａで構成されており、可動堰部材１７１
Ｂは、２つの分割部分７１Ｂおよび７２Ｂで構成されて
いる。また、可動堰部材１７１Ｃは、３つの分割部分７
１Ｃ，７２Ｃおよび７３Ｃで構成されており、可動堰部
材１７１Ｄは、２つの分割部分７１Ｄおよび７２Ｄで構
成されている。各分割部分７１Ａ，７２Ａ，７３Ａ，７
１Ｂ，７２Ｂの上面には、ノッチＮが等間隔で複数個構
成されており、また、各両端には、上下方向に延びる長
穴ＬＨがそれぞれ形成されていいる。したがっって、各
分割部分は、各長穴ＬＨを通るボルトＢによって、水槽
１１に対して、ノッチＮの上下方向位置が調整可能な状
態で取り付けることができる。これにより、水槽１１の
上面の各辺においても、ノッチＮの上下方向位置を調整
することができる。FIG. 11 is a view showing a modification of the movable weir member attached to the upper side of the water tank 11. The movable weir member 17 of the above embodiment is constituted by one member corresponding to each of the four upper sides of the water tank 11, but the movable weir members 171A, 171B, 171C, 171D shown in FIG.
Is composed of a plurality of divided parts. That is, the movable weir member 171A has three divided portions 71A and 71A.
2A and 73A, and the movable weir member 171
B is composed of two divided portions 71B and 72B. Further, the movable weir member 171C has three divided portions 7.
1C, 72C and 73C, and the movable weir member 171D is composed of two divided portions 71D and 72D. Each divided part 71A, 72A, 73A, 7
A plurality of notches N are formed at equal intervals on the upper surfaces of 1B and 72B, and elongated holes LH extending vertically are formed at both ends. Therefore, each divided part can be attached to the water tank 11 by the bolt B passing through each elongated hole LH in a state where the vertical position of the notch N can be adjusted. Thereby, the vertical position of the notch N can be adjusted also on each side of the upper surface of the water tank 11.
【００４７】図１２は、可動堰部材のさらに他の変形例
を説明するための斜視図である。上述の実施形態の可動
堰部材は、上辺にノッチＮが形成されたものであった
が、この可動堰部材２７１は、直線上に配列された複数
の穴２７２を有しており、この複数の穴２７２が、水槽
１１内の水を外部に溢れさせるためのオーバーフロー通
路を形成している。このような可動堰部材２７１を用い
ても、上述の実施形態の場合と同様な作用および効果を
達成できる。FIG. 12 is a perspective view for explaining still another modification of the movable weir member. Although the movable weir member of the above-described embodiment has the notch N formed on the upper side, the movable weir member 271 has a plurality of holes 272 arranged on a straight line, and The hole 272 forms an overflow passage for overflowing the water in the water tank 11 to the outside. Even if such a movable weir member 271 is used, the same operation and effect as in the above-described embodiment can be achieved.
【００４８】図１３は、水槽および可動堰部材のさらな
る変形例を示す斜視図である。この実施形態において
は、水槽１１Ａは、４つの上辺のうちの一辺１４１Ａ
が、他の３辺１４１Ｂ，１４１Ｃ，１４１Ｄよりも、高
く形成されている。この高く形成された上辺１４１Ａに
は、オーバーフロー通路をなすノッチＮ１が、等間隔で
複数個形成されている。残る３つの上辺には、上述の実
施形態の場合と同じく、ノッチＮを有する可動堰部材１
７が上下方向の取り付け位置および水槽１１Ａの各側壁
の上辺に対する傾斜角が調整可能な状態で取り付けられ
ている。そして、取り付けられた状態の可動堰部材１７
と、比較的高く形成された上記の上辺１４１Ａとがほぼ
面一になるようになっている。FIG. 13 is a perspective view showing a further modification of the water tank and the movable weir member. In this embodiment, the water tank 11A has one side 141A of the four upper sides.
Are formed higher than the other three sides 141B, 141C, 141D. A plurality of notches N1 forming an overflow passage are formed at equal intervals on the high side 141A. On the remaining three upper sides, as in the case of the above-described embodiment, the movable weir member 1 having the notch N
7 is attached so that the attachment position in the vertical direction and the inclination angle with respect to the upper side of each side wall of the water tank 11A can be adjusted. Then, the movable weir member 17 in the attached state
And the upper side 141A formed relatively high is substantially flush.
【００４９】この構成では、高く形成された上辺１４１
Ａが水平面に沿うように基板処理装置の姿勢を調整した
うえで、他の３つの上辺１４１Ｂ，１４１Ｃ，１４１Ｄ
の可動堰部材１７の取り付け位置および姿勢を調整する
ことによって、全方向に向けて水槽１１Ａ内の水をオー
バーフローさせることができる。水槽および可動堰部材
の構成については、さらに種々の変形例が考えられる。
たとえば、上述の例では、いずれも有底四角筒状の水槽
１１の４つの上辺の全てからオーバーフローさせるよう
にしているが、２つ以上の上辺からオーバーフローさせ
るようにすれば、水面に浮遊するスラリーが水槽１１内
に滞留することを防止することができる。２つの上辺か
らオーバーフローさせる場合に、この２辺は、対向する
一対の上辺であってもよいし、隣り合う一対の上辺であ
ってもよい。In this configuration, the upper side 141 formed high
After adjusting the posture of the substrate processing apparatus so that A is along the horizontal plane, the other three upper sides 141B, 141C, 141D
By adjusting the mounting position and posture of the movable weir member 17, the water in the water tank 11A can overflow in all directions. With respect to the configurations of the water tank and the movable weir member, various other modifications are possible.
For example, in the above-described example, all four upper sides of the bottomed square cylindrical water tank 11 are caused to overflow, but if the overflow is made from two or more upper sides, the slurry floating on the water surface can be obtained. Can be prevented from staying in the water tank 11. When overflowing from two upper sides, the two sides may be a pair of upper sides facing each other or may be a pair of adjacent upper sides.
【００５０】また、水槽の上面からオーバーフローさせ
る必要はなく、たとえば、水槽の側壁に水平方向に延び
るスロットを形成し、このスロットからオーバーフロー
させるようにしてもよい。この場合には、スロットに関
連して上下方向の取り付け位置が調整可能であるように
可動堰部材を取り付ければよい。さらに、水槽の形状
は、四角筒状のものである必要もなく、任意の形状のも
のが適用可能である。いずれの場合であっても、異なる
方向に向けて水槽内の水をオーバーフローさせることが
できるようにしておけば、水面に浮遊するスラリーの滞
留を防止できる。It is not necessary to overflow from the upper surface of the water tank. For example, a slot extending in the horizontal direction may be formed on the side wall of the water tank, and the overflow may be performed from this slot. In this case, the movable dam member may be attached so that the attachment position in the vertical direction in relation to the slot can be adjusted. Furthermore, the shape of the water tank does not need to be a rectangular tube, and any shape can be applied. In any case, if the water in the water tank is allowed to overflow in different directions, the stagnation of the slurry floating on the water surface can be prevented.
【００５１】また、上記の説明では、排水が完了する直
前のタイミングでノズル９１Ａ，９１Ｂによるシャワー
洗浄を開始するようにしているが、排水が完了した後の
タイミングでシャワー洗浄を開始してもよいし、排水の
開始と同時にシャワー洗浄を開始するようにしてもよ
い。さらに、上記の説明では、洗浄ボタンが押された場
合に、排水およびシャワー洗浄が行われるようにしてい
るが、たとえば所定数のカセットの処理が終了する度
に、自動的に排水およびシャワー洗浄を行うようにして
もよい。また、排水（ステップＳ５）と、テーブルの下
降（ステップＳ６）の順番についても、逆の順序あるい
は同時であってもよい。In the above description, the shower cleaning by the nozzles 91A and 91B is started at a timing immediately before the drainage is completed. However, the shower cleaning may be started at a timing after the drainage is completed. Then, the shower cleaning may be started simultaneously with the start of drainage. Furthermore, in the above description, when the cleaning button is pressed, the drainage and shower cleaning are performed. For example, every time the processing of a predetermined number of cassettes is completed, the drainage and shower cleaning is automatically performed. It may be performed. Also, the order of drainage (step S5) and lowering of the table (step S6) may be reversed or simultaneous.
【００５２】また、上記の説明では、水槽の底面に設け
られた給排水口１５から純水の供給を行っているが、オ
ーバーフローのための純水の供給は、ノズル９１Ａ，９
１Ｂから行うようにしてもよい。水槽に純水を貯留する
際の給水もノズル９１Ａ，９１Ｂによって行うようにし
てもよいが、この場合、ノズル９１Ａ，９１Ｂは十分に
高速に貯水することができるものであることが好まし
い。In the above description, pure water is supplied from the water supply / drain port 15 provided on the bottom of the water tank. However, pure water for overflow is supplied to the nozzles 91A and 91A.
1B. Water supply when storing pure water in the water tank may be performed by the nozzles 91A and 91B, but in this case, it is preferable that the nozzles 91A and 91B can store water at a sufficiently high speed.
【００５３】図１４は、この発明の第２の実施形態に係
るウエハ供給装置３００の構成を示す断面図である。こ
の図１４において上述の図５に示された各部に相当する
部分には同一の参照符号を付して示す。この実施形態の
ウエハ供給装置３００は、水中にカセットＣを浸漬する
のではなく、純水をカセットＣ内のウエハＷに向けて飛
散させることにより、ウエハＷの乾燥を防止するように
している。FIG. 14 is a sectional view showing a configuration of a wafer supply apparatus 300 according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 14, portions corresponding to the respective portions shown in FIG. 5 described above are denoted by the same reference numerals. The wafer supply apparatus 300 of this embodiment prevents the drying of the wafer W by scattering pure water toward the wafer W in the cassette C instead of immersing the cassette C in water.
【００５４】より具体的に説明すると、ウエハ供給装置
３００は、水槽の代わりに容器状のウエハ待機室３１１
を備えており、カセット昇降装置１２は、カセットＣを
ウエハ待機室３１１内で昇降移動させる。ウエハ待機室
３１１には、カセットＣの前方の開口１３Ｆおよび後方
の開口１３Ｒ（図３参照）に対向する位置に、それぞ
れ、２個ずつノズル３０１，３０２，３０３，３０４が
上下方向に沿って配列されて設けられている。この構成
により、カセット昇降装置１２によってカセットＣを昇
降させつつ、ノズル３０１，３０２，３０３，３０４か
ら、純水をたとえば霧状に吹き出させることによって、
カセットＣ内のウエハＷの表面に純水が供給される。こ
れにより、ポリッシング後のウエハＷの表面に残留する
研磨材の乾燥が防止されるから、その後の洗浄工程によ
って研磨材を確実に除去することができる。More specifically, the wafer supply apparatus 300 includes a container-like wafer standby chamber 311 instead of a water tank.
The cassette elevating device 12 moves the cassette C up and down in the wafer standby chamber 311. In the wafer standby chamber 311, two nozzles 301, 302, 303, and 304 are respectively arranged in the vertical direction at positions facing the front opening 13 </ b> F and the rear opening 13 </ b> R (see FIG. 3) of the cassette C. It is provided. With this configuration, while the cassette C is raised and lowered by the cassette lifting device 12, pure water is blown out from the nozzles 301, 302, 303, and 304, for example, in the form of mist.
Pure water is supplied to the surface of the wafer W in the cassette C. This prevents drying of the abrasive remaining on the surface of the wafer W after polishing, so that the abrasive can be reliably removed by a subsequent cleaning step.
【００５５】しかも、水中に浸漬するのではなく純水を
飛散させてウエハＷの表面に供給して洗い流す構成であ
るので、スラリーの再付着の問題が生じるおそれがな
く、常に清浄な純水をウエハＷの表面に供給することが
できる。また、カセットＣを昇降させつつノズル３０
１，３０２，３０３，３０４から純水を飛散させている
から、ノズルの数が少なくとも全てのウエハＷの表面の
乾燥を防止できる。そのため、純水の使用量を節約でき
るから、基板処理装置のランニングコストを低く抑える
ことができる。しかも、カセットＣを昇降させることに
より、ウエハＷに対する水の当たり方が変化するから、
ウエハＷの表面に均一に純水を供給でき、しかも、ウエ
ハＷの表面で水の流れを生成させることができるから、
ウエハＷをある程度洗浄することができる。また、カセ
ットＣを昇降させることによって、ウエハＷの表面の水
が振り落とされるから、これによる洗浄効果も期待でき
る。In addition, since the structure is such that pure water is scattered instead of being immersed in water and supplied to the surface of the wafer W for washing, there is no possibility that a problem of reattachment of the slurry occurs, and pure pure water is always used. It can be supplied to the surface of the wafer W. Further, while moving the cassette C up and down, the nozzle 30
Since pure water is scattered from 1, 302, 303 and 304, it is possible to prevent at least the number of nozzles from drying the surface of all wafers W. Therefore, the amount of pure water used can be saved, and the running cost of the substrate processing apparatus can be reduced. In addition, since the manner in which the cassette C is moved up and down changes the manner in which the wafer W contacts water,
Since pure water can be supplied uniformly to the surface of the wafer W and a flow of water can be generated on the surface of the wafer W,
The wafer W can be cleaned to some extent. In addition, since the water on the surface of the wafer W is shaken off by moving the cassette C up and down, a cleaning effect can be expected.
【００５６】なお、純水の使用量を少なくするために他
の手段を採用することもできる。すなわち、ノズルから
全ウエハＷに純水を供給できるように純水を噴出させる
とともに、ノズルからの純水の噴出を一定時間間隔で間
欠的に行うようにしてもよい。この場合に、ノズルから
は、霧吹き状に純水が飛散させられることが好ましい。
たとえば、図１５に示すように、４個のノズル４０１，
４０２，４０３，４０４を設け、一対ずつ交互に純水を
飛散させるようにしてもよい。すなわち、一対のノズル
４０１，４０４には、給水バルブ４０５を介して純水が
供給されるようにしておき、他の一対のノズル４０２，
４０３には給水バルブ４０６を介して純水が供給される
ようにしておく。そして、給水バルブ４０５と給水バル
ブ４０６の開閉が正反対になるように、これらのバルブ
をコントローラ４１０により制御すればよい。このよう
にすれば、使用水量を節約できるうえ、ウエハＷの表面
において純水の流れを生成することができるから、ウエ
ハＷの表面を或る程度洗浄できる。Note that other means can be adopted to reduce the amount of pure water used. That is, pure water may be ejected from the nozzles so that pure water can be supplied to all wafers W, and the pure water may be ejected from the nozzles intermittently at regular time intervals. In this case, it is preferable that the pure water is scattered from the nozzle in a mist spray.
For example, as shown in FIG.
402, 403, and 404 may be provided so that pure water may be scattered alternately in pairs. That is, pure water is supplied to the pair of nozzles 401 and 404 through the water supply valve 405, and the other pair of nozzles 402 and
Pure water is supplied to 403 via a water supply valve 406. Then, these valves may be controlled by the controller 410 such that the opening and closing of the water supply valve 405 and the water supply valve 406 are opposite to each other. By doing so, the amount of water used can be saved, and a flow of pure water can be generated on the surface of the wafer W, so that the surface of the wafer W can be cleaned to some extent.
【００５７】また、図１６に示すように、カセットＣに
向けて配置されたノズル５０１，５０２を首振り駆動す
るようにしてもよい。すなわち、ノズル５０１，５０２
は、駆動機構５０３，５０４によってそれぞれ首振り駆
動される。そして、駆動機構５０３，５０４の駆動は、
コントローラ５１０により制御されるようになってい
る。これによっても、カセットＣを昇降させる場合と同
様、ノズルの数を少なくできるので、使用水量を少なく
することができる。また、ウエハＷに対する水の当たり
方が変化するから、ウエハＷの表面に均等に純水を供給
することができるうえ、ウエハＷの表面に流れを生成で
きるので、ウエハＷの表面の洗浄効果をも期待できる。Further, as shown in FIG. 16, the nozzles 501 and 502 arranged toward the cassette C may be swung. That is, the nozzles 501 and 502
Are driven by the drive mechanisms 503 and 504, respectively. The driving of the driving mechanisms 503 and 504 is
It is controlled by the controller 510. Also in this case, similarly to the case where the cassette C is raised and lowered, the number of nozzles can be reduced, so that the amount of water used can be reduced. In addition, since the manner in which the water contacts the wafer W changes, pure water can be evenly supplied to the surface of the wafer W, and a flow can be generated on the surface of the wafer W. Can also be expected.
【００５８】さらに、カセットＣの昇降、ノズルからの
簡潔的な給水、およびノズルの首振りのうちの２つまた
は全部を組み合わせてもよく、これにより、使用水量の
節約効果やウエハの洗浄効果などをさらに高めることが
できる。この発明のいくつかの実施の形態について説明
したが、この発明が上述した以外の実施の形態を採りう
ることは言うまでもない。たとえば、上述の第１の実施
形態においては、水槽１１に純水を供給し、この純水中
にウエハＷを浸漬しているが、純水の代わりにイソプロ
ピルアルコール等の他の液体を貯留するようにしてもよ
い。この点は、第２の実施の形態の場合も同様であり、
ノズルから飛散させる液体を純水の代わりにイソプロピ
ルアルコール等の他の液体としてもよい。その他、特許
請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計
変更を施すことが可能である。Further, two or all of the elevation of the cassette C, the simple supply of water from the nozzle, and the swing of the nozzle may be combined, whereby the effect of saving the amount of water used and the effect of cleaning the wafer can be obtained. Can be further enhanced. Although some embodiments of the present invention have been described, it is needless to say that the present invention can take embodiments other than those described above. For example, in the above-described first embodiment, pure water is supplied to the water tank 11 and the wafer W is immersed in the pure water, but another liquid such as isopropyl alcohol is stored instead of the pure water. You may do so. This is the same in the case of the second embodiment.
The liquid scattered from the nozzle may be another liquid such as isopropyl alcohol instead of pure water. In addition, it is possible to make various design changes within the technical scope described in the claims.
【図１】本発明の第１の実施形態の薄板材供給装置であ
る水中ローダを適用した基板処理装置の全体の構成を示
す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus to which an underwater loader, which is a thin sheet supply apparatus according to a first embodiment of the present invention, is applied.
【図２】上記基板処理装置の内部構成を示す簡略化した
断面図である。FIG. 2 is a simplified cross-sectional view showing an internal configuration of the substrate processing apparatus.
【図３】水中ローダの近傍の構成を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a configuration near a submerged loader.
【図４】水槽に関連する構成を一部分解して示す斜視図
である。FIG. 4 is a partially exploded perspective view showing a configuration related to a water tank.
【図５】水中ローダの近傍の構成を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration near a submerged loader.
【図６】水中ローダの近傍の構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a configuration near a submerged loader.
【図７】水槽の洗浄に係わる制御のための構成を説明す
るためのブロック図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration for control relating to cleaning of the water tank.
【図８】水槽の洗浄に係わる制御を説明するためのフロ
ーチャートである。FIG. 8 is a flowchart illustrating control related to cleaning of the water tank.
【図９】水槽内の様子を説明するための図解図である。FIG. 9 is an illustrative view for explaining a state inside a water tank;
【図１０】４方向へのオーバーフローの様子を模式的に
示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view schematically showing a state of overflow in four directions.
【図１１】上記実施形態の変形例を説明するための斜視
図である。FIG. 11 is a perspective view for explaining a modification of the embodiment.
【図１２】他の変形例に係る可動堰部材の構成を示す斜
視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a configuration of a movable weir member according to another modification.
【図１３】さらに他の変形例を説明するための斜視図で
ある。FIG. 13 is a perspective view for explaining still another modified example.
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る水中ローダの
構成を示す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing a configuration of an underwater loader according to a second embodiment of the present invention.
【図１５】上記第２の実施形態の変形例の構成を簡略化
して示す図解図である。FIG. 15 is an illustrative view showing a simplified configuration of a modification of the second embodiment.
【図１６】上記第２の実施形態の他の変形例の構成を簡
略化して示す図解図である。FIG. 16 is an illustrative view showing a simplified configuration of another modification of the second embodiment.
【図１７】従来の水中ローダの構成を説明するための斜
視図である。FIG. 17 is a perspective view illustrating a configuration of a conventional underwater loader.
【図１８】水槽内の様子を説明するための図解図であ
る。FIG. 18 is an illustrative view for explaining a state inside a water tank;
【図１９】水面にスラリーが滞留する様子を示す図であ
る。FIG. 19 is a diagram showing a state where slurry stays on the water surface.
１ 水中ローダ １１ 水槽 １２ カセット昇降装置 １５ 給排水口 １７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ 可動堰部材 Ｎ ノッチ ＬＨ１，ＬＨ２ 長穴 ９１Ａ，９１Ｂ ノズル １０３ 給水バルブ １０４ 排水バルブ １０６ 給水バルブ １１０ コントローラ １７１Ａ，１７１Ｂ，１７１Ｃ，１７１Ｄ 可動堰部材 ＬＨ 長穴 ２７１ 可動堰部材 １４１Ａ ノッチが形成された上辺 Ｎ１ ノッチ ３００ ウエハ供給装置 ３０１，３０２，３０３，３０４ ノズル ３１１ ウエハ待機室 ４０１，４０２，４０３，４０４ ノズル ４０５，４０６ 給水バルブ ４１０ コントローラ ５０１，５０２ ノズル ５０３，５０４ 駆動機構 ５１０ コントローラ Reference Signs List 1 underwater loader 11 water tank 12 cassette elevating device 15 water supply / drain port 17A, 17B, 17C, 17D movable weir member N notch LH1, LH2 long hole 91A, 91B nozzle 103 water supply valve 104 drainage valve 106 water supply valve 110 controller 171A, 171B, 171C, 171D Movable weir member LH Slot 271 Movable weir member 141A Upper side with notch formed N1 notch 300 Wafer supply device 301, 302, 303, 304 Nozzle 311 Wafer standby chamber 401, 402, 403, 404 Nozzle 405, 406 Water supply valve 410 Controllers 501, 502 Nozzles 503, 504 Driving mechanism 510 Controller
Claims (15)
せるためのオーバーフロー手段と、 上記液槽内へ液を供給するための液供給手段とを備え、 上記オーバーフロー手段は、 上記液槽内の液をオーバーフローさせて液槽の外部に導
くためのオーバーフロー用通路が形成されているととも
に、上記オーバーフロー用通路の上下方向位置が調整可
能な状態で上記液槽に取り付けられた可動堰部材を含む
ものであることを特徴とする薄板材供給装置。1. A liquid tank for accommodating a thin plate material, overflow means for causing liquid in the liquid tank to overflow in different directions, and liquid supply means for supplying a liquid into the liquid tank. A state in which an overflow passage for overflowing the liquid in the liquid tank and leading the liquid to the outside of the liquid tank is formed, and a vertical position of the overflow path is adjustable. And a movable plate member attached to the liquid tank.
つの上辺を有する多角筒状のものであり、 上記可動堰部材は、一直線状に整列した複数のオーバー
フロー用通路を有し、水平方向に沿う両端の上下方向位
置が調整可能な状態で、上記少なくとも３つの上辺のう
ちの少なくとも１つの上辺に沿って取り付けられた板状
部材であることを特徴とする請求項１記載の薄板材供給
装置。2. The liquid tank according to claim 1, wherein said liquid tank has at least three
The movable weir member has a plurality of overflow passages aligned in a straight line, and the upper and lower positions of both ends along the horizontal direction are adjustable, and The thin plate material supply device according to claim 1, wherein the thin plate material supply device is a plate-shaped member attached along at least one of the three upper sides.
部材の上辺に形成されたノッチであることを特徴とする
請求項２記載の薄板材供給装置。3. The thin plate material supply device according to claim 2, wherein the overflow passage is a notch formed on an upper side of the movable weir member.
受け部材をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の薄板材供給装置。4. The thin plate material supply apparatus according to claim 1, further comprising a liquid receiving member for receiving a liquid overflowing from the liquid tank.
洗浄手段とを含むことを特徴とする薄板材供給装置。5. A liquid tank for accommodating a thin plate material, liquid supply means for supplying liquid to the liquid tank, liquid discharge means for discharging liquid in the liquid tank, and the liquid tank A thin plate material supply device, comprising: a liquid tank cleaning means for cleaning the inner surface by spraying a cleaning liquid.
に関連したタイミングで液槽内が洗浄されるように液洗
浄手段を制御する手段をさらに含むことを特徴とする請
求項５記載の薄板材供給装置。6. The thin plate material according to claim 5, further comprising means for controlling the liquid washing means so that the inside of the liquid tank is washed at a timing related to the timing of discharging the liquid by the liquid discharging means. Feeding device.
ングは、液槽内の液の排出が完了する直前であることを
特徴とする請求項６記載の薄板材供給装置。7. The thin plate material supply apparatus according to claim 6, wherein the timing related to the liquid discharge timing is immediately before the discharge of the liquid in the liquid tank is completed.
ングは、液槽内の液の排出が完了した後であることを特
徴とする請求項６記載の薄板材供給装置。8. The apparatus according to claim 6, wherein the timing related to the liquid discharge timing is after the discharge of the liquid in the liquid tank is completed.
ングは、液の排出開始と同時であることを特徴とする請
求項６記載の薄板材供給装置。9. The thin plate material supply apparatus according to claim 6, wherein the timing related to the liquid discharge timing is simultaneous with the start of the liquid discharge.
上記液槽内面の洗浄が完了した後に、上記液槽内へ新た
な液が供給されるように上記液供給手段を制御する手段
をさらに含むことを特徴とする請求項６ないし９のいず
れかに記載の薄板材供給装置。10. The liquid in the liquid tank is completely drained, and
10. The apparatus according to claim 6, further comprising: means for controlling the liquid supply means such that a new liquid is supplied into the liquid tank after the cleaning of the inner surface of the liquid tank is completed. 2. The thin plate material supply device according to 1.
供給に伴って、異なる方向に液をオーバーフローさせる
ためのオーバーフロー手段を備えていることを特徴とす
る請求項６ないし１０のいずれかに記載の薄板材供給装
置。11. The liquid tank according to claim 6, further comprising overflow means for causing the liquid to overflow in different directions as the liquid is supplied by the liquid supply means. 2. The thin plate material supply device according to 1.
セット支持手段と、 カセット支持手段によって支持されたカセットに向けて
液体を飛散させる液体供給手段とを含むことを特徴とす
る薄板材供給装置。12. A thin sheet supply apparatus comprising: cassette support means for supporting a cassette holding a thin sheet material; and liquid supply means for scattering liquid toward the cassette supported by the cassette support means.
らに含むことを特徴とする請求項１２記載の薄板材供給
装置。13. The apparatus according to claim 12, further comprising means for raising and lowering the cassette supporting means.
記液体供給手段を制御する手段をさらに含むことを特徴
とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄板材
供給装置。14. An apparatus according to claim 12, further comprising means for controlling said liquid supply means so as to supply the liquid intermittently.
変更するための方向変更手段を含むものであることを特
徴とする請求項１２または１３記載の薄板材供給装置。15. The thin plate material supply apparatus according to claim 12, wherein the liquid supply means includes a direction changing means for changing a direction in which the liquid scatters.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24820496A JP3464353B2 (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Sheet material supply device |
| KR1019970047813A KR19980024785A (en) | 1996-09-19 | 1997-09-19 | Sheet Feeder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24820496A JP3464353B2 (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Sheet material supply device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098017A true JPH1098017A (en) | 1998-04-14 |
| JP3464353B2 JP3464353B2 (en) | 2003-11-10 |
Family
ID=17174748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24820496A Expired - Fee Related JP3464353B2 (en) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | Sheet material supply device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464353B2 (en) |
| KR (1) | KR19980024785A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068569A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer |
| US20130315627A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Minoru Sugiyama | Development processing device |
| JP2014212288A (en) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社荏原製作所 | Liquid supply device, and substrate processing apparatus |
| CN109560028A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 天津环鑫科技发展有限公司 | Round silicon chip loading device |
| CN112599441A (en) * | 2020-11-30 | 2021-04-02 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | Cleaning system, wafer cleaning equipment and wafer soaking and washing method |
| US11742226B2 (en) * | 2018-12-27 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6856383B2 (en) * | 2017-01-10 | 2021-04-07 | 株式会社ディスコ | Polishing equipment |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP24820496A patent/JP3464353B2/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-19 KR KR1019970047813A patent/KR19980024785A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068569A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor wafer |
| US20130315627A1 (en) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Minoru Sugiyama | Development processing device |
| US9927760B2 (en) * | 2012-05-22 | 2018-03-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Development processing device |
| US10960426B2 (en) | 2012-05-22 | 2021-03-30 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Development processing device |
| JP2014212288A (en) * | 2013-04-22 | 2014-11-13 | 株式会社荏原製作所 | Liquid supply device, and substrate processing apparatus |
| CN109560028A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 天津环鑫科技发展有限公司 | Round silicon chip loading device |
| US11742226B2 (en) * | 2018-12-27 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus |
| CN112599441A (en) * | 2020-11-30 | 2021-04-02 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | Cleaning system, wafer cleaning equipment and wafer soaking and washing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980024785A (en) | 1998-07-06 |
| JP3464353B2 (en) | 2003-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112620279B (en) | Wet process device | |
| KR102192767B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR0147043B1 (en) | Cleaning device | |
| JPH11195601A (en) | Developer for manufacturing semiconductor device and method for controlling the same | |
| JP2002060995A (en) | Plating device and plating liquid removing method | |
| JP3464353B2 (en) | Sheet material supply device | |
| TW201308500A (en) | Substrate surface treating system having compact structure and substrate surface treating method | |
| JP4095478B2 (en) | Substrate etching apparatus and etching method | |
| KR20070033129A (en) | Apparatus for washing chuck for wafer | |
| JP4215869B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP3038449B2 (en) | Cleaning method and cleaning device | |
| US6732749B2 (en) | Particle barrier drain | |
| JPH088228B2 (en) | Lift dry equipment | |
| JP3766193B2 (en) | Etching device | |
| JP3712552B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| CN111014169B (en) | Cleaning device | |
| JP3794860B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP3450200B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP5009718B2 (en) | Slit nozzle standby unit | |
| US20150090299A1 (en) | Processes and apparatus for cleaning, rinsing, and drying substrates | |
| JP3600746B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP4002470B2 (en) | Substrate drying method and apparatus | |
| JPH11154656A (en) | Substrate processor and method therefor | |
| JP2000133629A (en) | Substrate processor and its method | |
| JPH06271068A (en) | Thin plate material soaking device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080822 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090822 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100822 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |