JPH1097834A - フラットディスプレイスクリーンアノード - Google Patents

フラットディスプレイスクリーンアノード

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JPH1097834A
JPH1097834A JP9127816A JP12781697A JPH1097834A JP H1097834 A JPH1097834 A JP H1097834A JP 9127816 A JP9127816 A JP 9127816A JP 12781697 A JP12781697 A JP 12781697A JP H1097834 A JPH1097834 A JP H1097834A
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layer
anode
band
insulating
bands
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Withdrawn
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JP9127816A
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English (en)
Inventor
Stephane Mougin
ムウジャン ステファン
Guy Reynaud
レノー ギュイ
Chaton Catherine Oules
ウレ−シャトン カトリン
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Pixtech SA
Original Assignee
Pixtech SA
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
    • H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays

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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フラットディスプレイスクリーンアノードの
スクリーンの寿命及び色の変化を改善する。 【解決手段】 一次電子により励起される発光体素子で
覆われたアノード導体の少なくとも二つの組の交番平行
バンドを含むタイプのフラットディスプレイスクリーン
アノードであって、これらのバンドは少なくとも表面
で、少なくとも一次電子のエネルギー範囲内で二次放射
係数が１以下である材料を含む絶縁性バンドで互いに分
離されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフラットディスプレ
イスクリーン、より詳細には所謂陰極線ルミネセンスス
クリーンに関しており、該スクリーンのアノードは絶縁
性の領域により互いに分離されたルミネセンス素子を支
え、電子ボンバンディングにより励起される様になる。
この電子ボンバンディングにはルミネセンス素子をバイ
アスすることが必要であり、マイクロチップから、又は
抽出電位の低い層から、又は熱電子源から生ずる。
【０００２】
【従来の技術】本発明の記載を簡単にするため、以下で
はカラーマイクロチップスクリーンのみを検討するが、
本発明は一般に前述の種々のタイプのスクリーンにも関
している。
【０００３】図１はフラットカラーマイクロチップディ
スプレイスクリーンの構造を示している。
【０００４】この種のマイクロチップスクリーンは基本
的にマイクロチップ２を有した陰極１と、マイクロチッ
プ２の位置に対応したホール４を有したグリッド３を有
している。陰極１は陰極線ルミネセンスアノード５に面
して置かれており、そのガラス構造６はスクリーン表面
を構成している。
【０００５】マイクロチップスクリーンの動作原理及び
特別な実施態様は、特に原子エネルギー委員会の米国特
許番号第４９４０９１６号に記載されている。
【０００６】陰極１は列にまとめられ、ガラス基板１０
の上で導電性の層から網の目状にまとめられた陰極導体
を含んでいる。マイクロチップ２は陰極導体の上に堆積
された抵抗性の層１１の上に実現され、陰極導体により
定められる網目の中に配置されている。図１は網目の中
を部分的に示しており、陰極導体は図示していない。陰
極１は線状にまとめられたグリッド３と関係を有してい
る。グリッド３の線と陰極１の列の交点により画素が定
められる。
【０００７】この装置では陰極１とグリッド３の間に作
られた電界を使用してマイクロチップ２から電子を取り
出している。これらの電子はアノード５の発光体素子が
適当にバイアスされるならばアノード５の発光体素子７
により引き寄せられる。カラースクリーンの場合、アノ
ード５にはそれぞれの色（赤、緑、青）に対応した発光
体素子の交番バンドがある。該バンドは陰極の列に平行
であり、一般には酸化ケイ素である絶縁体８により互い
に分離している。発光体素子７はインジウム及び酸化ス
ズ（ＩＴＯ）の様な透明導電性層に相当するバンドを含
んでいる。赤、緑、青の組みであるバンドは陰極１に対
し交番的にバイアスされ、陰極／グリッドの画素のマイ
クロチップ２から取り出される電子は各色に面した発光
体素子７に向かい交番的に進む。
【０００８】陰極１のマイクロチップから電子によりボ
ンバードされる発光体７（図１では発光体７ｇ）を選択
する制御により色毎に陰極５の発光体素子７のバイアス
が選択的に制御される。
【０００９】一般的に、グリッド３の行は約８０ボルト
の電位で連続的にバイアスされるが、励起される発光体
素子のバンド（例えば図１では７ｇ）は、発光体素子が
堆積されているＩＴＯバンドを経由して約４００ボルト
の電圧以下にバイアスされている。発光体素子（例えば
図１では７ｒ，及び７ｂ）の他のバンドを支えるＩＴＯ
バンドの電位は低いかゼロである。陰極１の列は最大放
射電位と無放射電位（例えば、それぞれ０及び３０ボル
ト）の間のそれぞれの電位が加えられている。ライン内
の各画素のカラー成分の明るさはこのように決定され
る。
【００１０】バイアス用電位の値の選択は発光体素子７
及びマイクロチップ２の特徴に関連している。従来、陰
極とグリッドの間の電位差は５０ボルト以下であり、電
子放射はなく、使用された最大放射は８０ボルトの電位
差に対応している。
【００１１】従来のスクリーンの欠点は寿命が短いこ
と、即ち、比較的短い動作時間（約１００時間）の後、
スクリーンの明るさが非常に減少し、スクリーン陰極と
アノードの間にスパークを発生することによる破壊現象
が時々観察されることである。
【００１２】更に、ある動作時間の後、色に変化が現
れ、もはやスクリーン制御設定に対応しないことであ
る。この現象は以下では“カラーシフト”と呼ぶ。実際
には、この現象はバイアスされたバンドに隣接した発光
体材料のバンドの少なくとも１つがルミネセンスの作用
を現し始めることを意味している。
【００１３】この現象の原因は今まで良く理解されてい
なかった。この現象は電子が発光体材料のバンドの間の
絶縁性の領域８の上に蓄積し、隣接したバンドに導通を
生ずることによると考えられていた。この現象を避ける
ため、幾つかの技術が従来与えられ、その１つは二つの
連続したサブカラーのフレームの間のアノードのバンド
のバイアスを短い時間間隔に分離し、更に励起される次
のアノードのバンドを正にバイアスする前に、まさにバ
イアスされたバンドに負の電圧パルスを加えることから
なる。
【００１４】しかし、この方法は高電圧である（数１０
０ボルト）アノード供給電圧を分配することが複雑であ
るので実現が比較的複雑である欠点があり、スクリーン
の明るさを損なう。
【００１５】本発明の目的は前述のスクリーンの寿命及
びカラーシフトの問題に対し新しい解決法を与えること
である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は一次電子により励起される発光体素子で覆
われたアノード導体の少なくとも二つの組の交番平行バ
ンドを含むタイプのフラットディスプレイスクリーンア
ノードであって、これらのバンドが少なくとも表面で、
少なくとも一次電子のエネルギー範囲内で二次放射係数
が１以下である材料を含む絶縁性バンドで互いに分離さ
れていることを特徴とするフラットディスプレイスクリ
ーンアノードを与えている。
【００１７】本発明の実施態様によれば、材料は１未満
である最大二次放射係数を有している。
【００１８】本発明の実施態様によれば、絶縁性バンド
は１未満の二次放射係数を有し、発光体素子の二つの隣
接したバンドの間の限定された電圧差に耐える十分な抵
抗率を有する材料内に単独の層を含んでいる。
【００１９】本発明の実施態様によれば、絶縁性バンド
は１未満である二次放射係数を有する材料内の二番目の
非常に薄い層で覆われた絶縁性材料内に一番目の薄い層
を含んでいる。
【００２０】本発明の実施態様によれば、二番目の層は
二番目の層の両側に絶縁性空間を置くため一番目の層の
幅より小さい幅を有している。
【００２１】本発明の実施態様によれば、二番目の層の
材料の構成は発光体素子の二つの隣接したバンドの間の
限定された電圧差に耐える十分な抵抗率を有する様に選
択されている。
【００２２】本発明の実施態様によれば、二番目の層は
導電性材料の中にあり、該二番目の層の厚さは発光体素
子の二つの隣接したバンドの間の限定された電圧差に耐
える十分な抵抗を有する様に選択されている。
【００２３】本発明の実施態様によれば、１未満の二次
放射係数を有する材料は酸化クロム及び酸化鉄の中から
選択されている。
【００２４】本発明の実施態様によれば、二番目の層の
材料の構成が黒鉛炭素（Ｃ）である。
【００２５】本発明の実施態様によれば、絶縁性バンド
が酸化ケイ素の中にあり、その表面がシリコンの非常に
薄い層の成長を定めている。
【００２６】本発明の実施態様によれば、絶縁性バンド
の二番目の層が負又はゼロ電位にバイアスされている。
【００２７】本発明は更に、マイクロチップを有した陰
極と、発光体素子の少なくとも２つの組の交番バンドを
含んだアノードとを含んだタイプであり、該アノードが
前述の実施態様の１つに基づく絶縁性バンドを含んでい
るフラットディスプレイスクリーンに関している。
【００２８】本発明について、従来のスクリーン内の前
述の問題を発生する現象の説明から始める。
【００２９】発明者はこれらの問題は特に、アノードの
表面で発生する２次放射現象によると考えている。
【００３０】図２は絶縁体により分離されたアノードの
発光体素子の３つのバンドを概略的に断面的に示してい
る。
【００３１】明確にするため、図２に示す種々の構成部
品は図１と同じ参照番号で示している。異なる色の発光
体素子の３つのバンド７ｂ，７ｇ及び７ｒはそれぞれ対
応するＩＴＯバンド９ｂ，９ｇ及び９ｒの上に堆積さ
れ、これらのＩＴＯバンドのそれぞれはスクリーンの表
面を構成するガラス基板６の上に堆積されている。
【００３２】バンド９ｇが４００ボルトでバイアスされ
ている時、バンド９ｂ及び９ｒはバイアスされておら
ず、陰極のマイクロチップ（図示していない）により放
射される所謂“一次”電子ｅi は発光体素子７ｇの上に
到着する。所謂“二次”電子ｅs は発光体素子７ｇによ
り放出される。更に、多数の一次電子はバンド９ｇをバ
ンド９ｂ及び９ｒから分離する絶縁性バンド８の端に到
着する。再び、二次電子は放射される。
【００３３】全ての材料はδと呼ばれる二次放射係数を
有しており、この係数はその材料の上に到着する入射電
子が放出される二次電子の平均数を表している。二次電
子の統計的な分布の一般的なエネルギーは入射電子のエ
ネルギーが幾らであっても、約３０ｅＶから５０ｅＶで
ある。
【００３４】材料の二次放射係数は材料の表面に接触す
る電子のエネルギーに基づき変化する。マイクロチップ
スクリーンの場合、一次電子のエネルギーはアノードの
バイアス電位に関連しており、例えば約４００ｅＶであ
る。
【００３５】二番目の放射係数δが１より大きい時、こ
れは材料の表面が受けた電子より多い電子を放出し、正
に充電される。逆に、二次放射係数δが１より小さい
時、電子は蓄積される。
【００３６】マイクロチップスクリーンが集積回路を作
るため使用される技術から得られる技術を使用して実現
されることにより絶縁バンド８を実現するため酸化ケイ
素を使用することができる。実際、酸化ケイ素は便利な
材料であり、その使用は良く制御されている。残念なこ
とに、酸化ケイ素は特に二次放射係数が高い。
【００３７】図３はｅＶの入射電子のエネルギーに基づ
く酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）の二次放射係数の変化の特性
を図示している。
【００３８】材料が何であろうと、この特性はベル型を
しており、即ち係数δはエネルギーの総量Ｕmax に対す
るレベルδmax に到達するまで増加を開始し、その後漸
近線の値まで減少する。
【００３９】発光体素子は一般に約５００ｅＶのエネル
ギーＵmax に対して約２から２．５の係数δmax を有し
ている。
【００４０】酸化ケイ素の場合、δmax は約４００ｅＶ
のエネルギーＵmax に対し約３である。従来のスクリー
ンはこのように最大二次放射領域で動作しており、バン
ド８の酸化ケイ素に到着する一次電子により多くの二次
電子が放射される。
【００４１】マイクロチップスクリーンアノード上での
二次放射現象により次の結果が生ずる。
【００４２】最初に、酸化ケイ素内の絶縁材料のトラッ
ク８はゼロ電位である。バイアスされたバンド（例えば
９ｇ）の隣にある絶縁トラックの端に到達する一次電子
は、二次電子の放射により酸化ケイ素の正の表面電荷を
生ずる。スクリーンが動作すると、この正の電荷領域が
広がるが、これは一次電子が正の電荷が増加するにつれ
て表面により益々集められ、これによりバイアスされた
バンド７ｇの明るさが減少するからである。正の電荷領
域はバイアスされない隣のトラック９ｂ，及び９ｒに向
かって伝わり、その電位はアノードのバンドのバイアス
用電位を越える。発光体素子７ｇにより放出された二次
電子は該現象を強める正の電荷領域により集められる。
【００４３】更に、絶縁バンド８の表面電位はアノード
と陰極との間に破壊的なスパークを生ずるようになる。
【００４４】このほか、酸化ケイ素と発光体素子は殆ど
の二次電子のエネルギーに対応した約３０ｅＶから５０
ｅＶのエネルギーに対し二次放射係数が１より小さい
が、電子の放射はアバランシェ効果を生ずる二次電子の
新しい放射を順次生ずる。
【００４５】実際には幾つかの二次電子はエネルギーが
十分であり、その値は統計的な分布の最大量に対応した
３０ｅＶから５０ｅＶである。
【００４６】更に、バイアス及び非バイアスの二つの発
光体素子のバンドの間の横電界により最初のエネルギー
（約２５０ｅＶ）よりかなり高いエネルギーを有する二
次電子が加速される。
【００４７】発光体はかなり絶縁性の材料であるので
（一般には約１０8 Ω．ｃｍの直線抵抗を有してい
る）、発光体を支えるＩＴＯバンドがもはやバイアスさ
れず、一般には約５０ボルトに充電されたままの時完全
には放電されない。このように、非バイアスのバンドの
端の発光体は絶縁性のトラック８により放出された二次
電子により励起される。
【００４８】二次電子の放射の現象はマイクロチップス
クリーンに２番目の欠点を有している。実際には、電子
が層８の材料に接触した時、該電子は正のイオンを発生
するか、中性の種類（トラック８の表面に突き通るあら
ゆる分子）を取り除くか、又は中性の種類を打ち込み正
のイオンを発生させるかのいずれかである。この現象に
より、トラック８の表面でマイクロプラズマの形成が行
われる。次に陰極のマイクロチップは該プラズマの正イ
オンを引き寄せ、これらの正イオンにより汚染される。
【００４９】更に、これらのプラズマは一般的に放射す
る。この放射はスクリーン表面を通して見ることができ
る青みのかすかな光として現れる。その他、正のイオン
はホトルミネセンスにより（バイアスされない）隣のバ
ンドの発光体素子を励起するようになる。
【００５０】二番目の電子放射のこの現象は特にスクリ
ーン表面が電子ガンにより衝撃を与えられた発光体を支
えている陰極線管に於て既知の現象である。
【００５１】陰極線管の場合、二番目の放射現象による
問題は一般に高い正電圧でバイアスされた薄いアルミニ
ウム層であるメタリゼーションで発光体を覆うことによ
り解決される。このメタリゼーションの機能は、一方で
は発光体をバイアスすることであり、他方では収集され
た二次電荷と同様に消費されない一次電荷を排出するこ
とである。
【００５２】この解決法は、幾つかの理由からマイクロ
チップスクリーンに適用できない。
【００５３】一番目に、一次電子が比較的低いエネルギ
ーのため、マイクロチップスクリーンの発光体を金属製
の層で覆うことは好ましくない。実際には、陰極線管で
は、電子ガンで放射される電子は約２０ｋｅＶから３０
ｋｅＶのエネルギーを持っており、薄いメタリゼーショ
ン層を横切るが、低いエネルギー（３０ｅＶ）の二次電
子はメタリゼーションにより集められる。マイクロチッ
プスクリーンでは、一次電子のエネルギー（約４００ｅ
Ｖ）は十分でない。
【００５４】二番目に、カラーの陰極線管の場合、色が
何であれ、全ての発光体は単独のアルミニウム層により
同じ電位にバイアスされている。逆に、マイクロチップ
カラースクリーンの場合、アノードは同じ色のバンドの
組によりバイアスされた交番平行バンドの組を含んでい
る。発光体素子のバンドはこのようにスクリーン動作を
可能にするため互いに絶縁される必要がある。
【００５５】この分析に基づき、本発明はフラットディ
スプレイスクリーンのアノード上で二次放射の現象を抑
えることを行っている。
【００５６】
【発明の実施の形態】本発明の特徴は発光体素子の交番
バンドの組を有したアノードの発光体素子の二つのバン
ドを分離する絶縁性のトラックを選択することであり、
材料の中で表面材料は低い二次放射係数δを有している
ことである。
【００５７】該材料は、本発明に基づき、少なくともマ
イクロチップにより放射される一次電子の少なくとも範
囲内で、二次放射係数が１未満である様に選択されてい
る。
【００５８】選択された材料はこの種のフラットディス
プレイスクリーンの動作に固有なある条件を満たす必要
がある。特に、この材料はアノードの発光体素子のバン
ドの間の絶縁の要件を満たす必要があり、即ち、導電性
のない（即ち漏れ電流が少ない）約５００ボルトの電位
差に耐える必要がある。
【００５９】必要があれば、非常に薄い層内に堆積され
た金属材料は発光体素子のバンドの間に十分な抵抗を有
する様に選ばれる。更に、表面で金属性を示すことが少
なくされる誘電体（酸化金属）とすることもできる。
【００６０】一番目の実施態様によれば（図示していな
い）、一般には酸化ケイ素である絶縁層は少なくとも陰
極（図示していない）により放射される入射電子のエネ
ルギーの範囲内で、二次放射係数が１未満である材料の
層と置き換えられている。しかし、材料が例え約１μｍ
の厚さで堆積されても十分な抵抗率を有する材料が選択
される。
【００６１】図４は本発明の二番目の実施態様を示して
いる。本発明によれば、アノード５’のＩＴＯバンド９
は、（厚さが数ミクロン又はそれ以下の）例えば酸化ケ
イ素である一番目の絶縁層８’を含んだ絶縁性のバンド
２０で分離されており、該一番目の絶縁層は二次放射係
数が１未満である材料の二番目の非常に薄い層（厚さが
１μｍより小さい）で覆われている。
【００６２】この二番目の実施態様の利点は材料の抵抗
率がこのように非常に薄い層の上で制御が非常に容易で
あることである。
【００６３】発光体素子のバンドの間の絶縁を改善する
ため、層２１の両側に（厚さが約５から１０μｍの）絶
縁性の空間を置くため二番目の層２１の幅を一番目の層
８’の幅より小さくすることを行う場合がある。
【００６４】バンド２０の表面材料２１は１未満の二次
放射係数を有しているので、該表面材料は表面２１の端
が（図示していない）マイクロチップから一次電子を受
ける時スクリーンが動作するように負に電荷される。こ
の負の電荷により電子が存在することになり、逆に従来
のスクリーンでは絶縁性のバンド２０によるはねつけを
益々生ずることになる。
【００６５】この負の電荷は発光体素子の隣のバンドを
負にバイアスすることにより電荷平衡点まで増加する。
【００６６】二番目の材料のトラックの隣にある発光体
素子の他のバンドは非常に低い電位（約５０ボルト）に
あるので、この電荷平衡はバイアスされたバンドにより
行われることに注意する必要がある。
【００６７】しかし、このような平衡はバンド２０の表
面で材料２１の抵抗率により左右され、制御が難しい。
【００６８】別の方法として、酸化ケイ素の上に堆積さ
れる二番目のバンド２１はゼロ又は低い電位にバイアス
されている。二番目のバンドの抵抗はこの種のバイアス
に関して乱されない。実際、流れる電流は非常に小さ
く、殆ど抵抗損失がない。バイアスに基づきバンドの抵
抗により発生する電圧低下は小さい。
【００６９】この種の他の方法の利点はこれらのバンド
２１の負の電荷レベルを制御することができ、更にこれ
により非バイアスのバンドから流れる電流により生ずる
スクリーン破壊効果がなくなることである。
【００７０】本発明の利点はあらゆるカラーシフト現象
を無くすことができることである。
【００７１】本発明の他の利点は発光体素子７のバンド
の間に形成されるマイクロプラズマを無くし、これによ
り（図示していない）陰極マイクロチップの汚染を避け
ることである。
【００７２】本発明の他の利点は発光体素子のバンドの
間の負の電荷の蓄積によりバイアスされたバンドの方向
に向けられている障壁が構成されることである。
【００７３】バンド２０の一番目の層を構成する表面を
覆うため選ばれた材料の４つの例を以下に示す。
【００７４】一番目の例によれば、酸化ケイ素（ＳｉＯ
2 ）の一番目の層８’の表面は、該表面で約１００オン
グストロームのシリコン（Ｓｉ）の非常に薄い層２１を
発展させることを規定する。シリコンは約１．１の係数
δmax を有しているが（図３）、このδmax は約２５０
ｅＶのエネルギーＵmax に対応しており、シリコンは一
次電子の４００ｅＶのエネルギーに対し１未満の係数δ
を有している。
【００７５】層２１に対し、１よりほんの僅か高い係数
δmax を有し、二次放射係数δがマイクロチップからの
一次電子のエネルギー範囲で１未満であることを与える
材料を選ぶことが可能である。しかし、１未満の係数δ
max を有する材料を選ぶことが好ましいが、これは一次
電子のエネルギーから無関係に、即ちアノードと陰極の
バイアスの値から無関係に二次放射を無くすことを保証
するからである。
【００７６】二番目の例によれば、酸化クロム（Ｃｒ2
Ｏ3 ）は一番目の酸化シリコンの層８’の上でスパッタ
リングを行う陰極により堆積されている。この堆積は約
５００ボルトのアノード／陰極電圧で、スクリーンに対
し約１０００オングストロームから２０００オングスト
ロームの厚さで行うことが好ましい。これにより約５０
０ＭΩのインタートラック抵抗が得られる。最大の二次
放射係数δmax は約３００ｅＶのエネルギーＵmax に対
し約０．９５である（図３）。
【００７７】三番目の例によれば、約３５０ｅＶのエネ
ルギーＵmax に対し約０．９の最大二次放射係数δmax
を有する酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ）は酸化シリコン層８’の
上でスパッタリングを行う陰極により堆積されている。
この堆積は約１０００オングストロームの厚さで行わ
れ、得られるインタートラック絶縁抵抗は約５００ＭΩ
である。
【００７８】四番目の例によれば、約３００ｅＶのエネ
ルギーＵmax に対し最大二次放射係数δmax が１の黒鉛
炭素（Ｃ）は酸化シリコンの上でスパッタリングを行う
陰極により堆積される。
【００７９】本発明の実現はアノードを構成する層の薄
い厚さ（数ミクロン、又はそれ以下）に対応しており、
更に従来のアノードを製造するため一般に使用される従
来の薄膜堆積法（特に絶縁バンドの）に適合しているこ
とに注目する必要がある。
【００８０】本発明は当業者が容易に行うことができる
種々の変更、修正、更に改善を有していることは勿論で
ある。特に、１未満の二次放射係数を有した材料の厚さ
は前述に示した機能的な指摘に基づき選ぶことができ
る。同様に、前述の様な他の材料は二次放射を阻止する
機能を実現するため使用することができ、これらの材料
の堆積工程は当業者の能力内である。
【００８１】更に、本発明はカラースクリーンに適用で
きるだけでなく、白黒のスクリーンにも適用できるが、
該白黒スクリーンのアノードは交互にバイアスされ同じ
色の発光体素子の交番平行バンドの二つの組を含んでい
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術の状態と解決すべき問題を表わす図
である。
【図２】従来の技術の状態と解決すべき問題を表わす図
である。
【図３】種々の材料に対する入射電子のエネルギーの関
数に対する二次放射係数の特性図である。
【図４】本発明に基づく陰極線ルミネセンスフラットデ
ィスプレイスクリーンアノードの実施態様を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 陰極 ２ マイクロチップ ３ グリッド ４ ホール ５ 陰極線ルミネセンス ６ ガラス基板 ７ 発光体 ８ 絶縁体 ９ 電極 １０ ガラス基板 １１ 抵抗層 ２０ 絶縁性バンド ２１ 二番目の非常に薄い層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ギュイ レノー フランス国， 34470 ペロル， ロティ スマン ピオク， リュ デ スィガル, ３番地 (72)発明者 カトリン ウレ−シャトン フランス国， 38570 テイ， ルートル （番地なし)

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一次電子（ｅi ）により励起される発光
    体素子（７）で覆われたアノード導体の少なくとも二つ
    の組の交番平行バンド（９）を含むタイプのフラットデ
    ィスプレイスクリーンアノード（５’）であって、これ
    らのバンド（９）が少なくとも表面（２１）で、少なく
    とも一次電子（ｅi ）のエネルギー範囲内で二次放射係
    数（δ）が１以下である材料を含む絶縁性バンド（２
    ０）で互いに分離されていることを特徴とするフラット
    ディスプレイスクリーンアノード（５’）。
  2. 【請求項２】 材料が１未満である最大二次放射係数
    （δmax ）を有することを特徴とする請求項１に記載の
    アノード。
  3. 【請求項３】 絶縁性バンド（２０）が１未満の二次放
    射係数（δ）を有し、発光体素子の二つの隣接したバン
    ド（７ｇ，７ｒ）の間の限定された電圧差に耐える十分
    な抵抗率を有する材料内に単独の層を含むことを特徴と
    する請求項１又は２に記載のアノード。
  4. 【請求項４】 絶縁性バンド（２０）が１未満である二
    次放射係数（δ）を有する材料内の二番目の非常に薄い
    層（２１）で覆われた絶縁性材料内に一番目の薄い層
    （８’）を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載
    のアノード。
  5. 【請求項５】 二番目の層（２１）が二番目の層の両側
    に絶縁性空間を置くため一番目の層（８’）の幅より小
    さい幅を有していることを特徴とする請求項４に記載の
    アノード。
  6. 【請求項６】 二番目の層（２１）の材料の構成が発光
    体素子の二つの隣接したバンド（７ｇ，７ｒ）の間の限
    定された電圧差に耐える十分な抵抗率を有する様に選択
    されていることを特徴とする請求項４に記載のアノー
    ド。
  7. 【請求項７】 二番目の層（２１）が導電性材料の中に
    あり、該二番目の層（２１）の厚さが発光体素子の二つ
    の隣接したバンド（７ｇ，７ｒ）の間の限定された電圧
    差に耐える十分な抵抗を有する様に選択されていること
    を特徴とする請求項４に記載のアノード。
  8. 【請求項８】 １未満の二次放射係数（δ）を有する材
    料が酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ3 ）及び酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ
    3 ）の中から選択されていることを特徴とする請求項３
    から６のいずれか１つに記載のアノード。
  9. 【請求項９】 二番目の層（２１）材料の構成が黒鉛炭
    素（Ｃ）であることを特徴とする請求項４に記載のアノ
    ード。
  10. 【請求項１０】 絶縁性バンド（２０）が酸化ケイ素
    （ＳｉＯ2 ）の中にあり、その表面がシリコン（Ｓｉ）
    の非常に薄い層（２１）の成長を定めることを特徴とす
    る請求項１及び４に記載のアノード。
  11. 【請求項１１】 絶縁性バンド（２０）の二番目の層
    （２１）が負又はゼロ電位にバイアスされていることを
    特徴とする請求項４から１０のいずれか１つに記載のア
    ノード。
  12. 【請求項１２】 マイクロチップ（２）を有した陰極
    （１）と、発光体素子（７）の少なくとも２つの組の交
    番バンドを含んだアノード（５’）とを含んだタイプで
    あり、該アノード（５’）が請求項１から１１のいずれ
    か１つに記載の絶縁性バンド（２０）を含むことを特徴
    とするフラットディスプレイスクリーン。
JP9127816A 1996-05-06 1997-05-02 フラットディスプレイスクリーンアノード Withdrawn JPH1097834A (ja)

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