JPH1097738A - 光情報記録媒体の製造方法および製造装置 - Google Patents
光情報記録媒体の製造方法および製造装置Info
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- JPH1097738A JPH1097738A JP24949396A JP24949396A JPH1097738A JP H1097738 A JPH1097738 A JP H1097738A JP 24949396 A JP24949396 A JP 24949396A JP 24949396 A JP24949396 A JP 24949396A JP H1097738 A JPH1097738 A JP H1097738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小さな信号ピットを形成するために紫外線レ
ーザーが必要だが、原盤製造の安定性が低下するという
欠点がある。 【解決手段】 基板上に形成されたカルコゲン化合物の
結晶状態の差によるエッチレート差を用いて、カルコゲ
ン化合物の特定の結晶状態の部分を選択的に除去する。
カルコゲン化合物はレーザー光の熱によって記録される
ので、同じ大きさの光スポットに対して、フォトレジス
トを用いるより小さな信号ピットを記録することがで
き、原盤記録に短い波長の光源を用いなくとも高密度な
情報媒体を供給することができる。
ーザーが必要だが、原盤製造の安定性が低下するという
欠点がある。 【解決手段】 基板上に形成されたカルコゲン化合物の
結晶状態の差によるエッチレート差を用いて、カルコゲ
ン化合物の特定の結晶状態の部分を選択的に除去する。
カルコゲン化合物はレーザー光の熱によって記録される
ので、同じ大きさの光スポットに対して、フォトレジス
トを用いるより小さな信号ピットを記録することがで
き、原盤記録に短い波長の光源を用いなくとも高密度な
情報媒体を供給することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を絞っ
て照射し情報を記録または再生する光情報記録媒体の製
造方法に関するものである。
て照射し情報を記録または再生する光情報記録媒体の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク等の光情報記録媒体は、一般
に原盤からマスタ、マザー、スタンパを作製し、射出成
形によって大量に複製して製造される。原盤から直接ス
タンパを作製する場合もある。
に原盤からマスタ、マザー、スタンパを作製し、射出成
形によって大量に複製して製造される。原盤から直接ス
タンパを作製する場合もある。
【０００３】光ディスク原盤は、一般に表面を研摩した
ガラス基板にフォトレジストを塗布し、これを記録すべ
き情報信号により強度変調したレーザー光を用いて感光
させ、現像してその感光度に対応した凹凸状の信号もし
くは溝または凹凸状の信号及び溝を形成して作製され
る。以下この凹凸状の信号もしくは溝または凹凸状の信
号及び溝を一括して信号ピットと呼ぶことにする。
ガラス基板にフォトレジストを塗布し、これを記録すべ
き情報信号により強度変調したレーザー光を用いて感光
させ、現像してその感光度に対応した凹凸状の信号もし
くは溝または凹凸状の信号及び溝を形成して作製され
る。以下この凹凸状の信号もしくは溝または凹凸状の信
号及び溝を一括して信号ピットと呼ぶことにする。
【０００４】図２に原盤の記録装置の一例のブロック図
を示す。焦点制御用のレーザー光学系や記録用レーザー
光学系のビーム拡大器等は省略してある。図２におい
て、１は記録用レーザー、２は光変調器、３はミラー、
４はレンズアクチュエーター、５はフォトレジストを塗
布したガラス板、６はスピンドルモーター、７は信号
源、８は記録イコライザである。
を示す。焦点制御用のレーザー光学系や記録用レーザー
光学系のビーム拡大器等は省略してある。図２におい
て、１は記録用レーザー、２は光変調器、３はミラー、
４はレンズアクチュエーター、５はフォトレジストを塗
布したガラス板、６はスピンドルモーター、７は信号
源、８は記録イコライザである。
【０００５】信号源７で発生された信号は記録イコライ
ザ８によってパルス幅を一定量変化させられ、光変調器
２に入力され、レーザー光を強度変調する。その強度変
調されたレーザー光はミラー３を通り、レンズアクチュ
エーター４のフォーカス制御されるレンズを通じてガラ
ス板５上のフォトレジストを露光する。
ザ８によってパルス幅を一定量変化させられ、光変調器
２に入力され、レーザー光を強度変調する。その強度変
調されたレーザー光はミラー３を通り、レンズアクチュ
エーター４のフォーカス制御されるレンズを通じてガラ
ス板５上のフォトレジストを露光する。
【０００６】露光されたフォトレジストは、現像液によ
って溶解され信号ピットが形成される。フォトレジスト
では露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解速度が
大きく異なる。ポジ型の場合は、ネガ型とは逆に未露光
部が溶解し露光部が残る。
って溶解され信号ピットが形成される。フォトレジスト
では露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解速度が
大きく異なる。ポジ型の場合は、ネガ型とは逆に未露光
部が溶解し露光部が残る。
【０００７】ネガ型フォトレジストの露光量と残膜率の
関係の一例を図３に示す。残膜率とは、現像前のフォト
レジスト厚さに対する現像後のフォトレジスト厚さ（残
膜量と云う）の比を云う。残膜率の曲線の傾きが急なほ
ど現像後のフォトレジストの露光部と未露光部の境界、
即ち、信号ピットの場合はピットのエッジが立ってく
る。露光量と残膜率の関係は、現像条件によって大きく
変化する。
関係の一例を図３に示す。残膜率とは、現像前のフォト
レジスト厚さに対する現像後のフォトレジスト厚さ（残
膜量と云う）の比を云う。残膜率の曲線の傾きが急なほ
ど現像後のフォトレジストの露光部と未露光部の境界、
即ち、信号ピットの場合はピットのエッジが立ってく
る。露光量と残膜率の関係は、現像条件によって大きく
変化する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】信号ピットの部分とそ
の周囲の部分で露光量は連続的に変化しているため、フ
ォトレジストを用いる場合は現像の際の残膜量もピット
周辺で連続的に変化する。
の周囲の部分で露光量は連続的に変化しているため、フ
ォトレジストを用いる場合は現像の際の残膜量もピット
周辺で連続的に変化する。
【０００９】高密度な光情報媒体を製造する場合、小さ
な信号ピットを形成する必要がある。
な信号ピットを形成する必要がある。
【００１０】記録用レーザー光の絞りスポットの大きさ
と比較して小さな信号ピットを記録しようとすると、図
４（ａ）に示したような正規の信号ピットにはならず、
図４（ｂ）に示したように、フォトレジストの底まで溶
解せず途中までで溶解が止まり、エッジの部分だけの信
号ピットになってしい、正規の信号ピットを形成するこ
とができない。図４において、９はフォトレジスト、１
０は基板、１１は正規の信号ピット、１２はエッジの部
分だけの信号ピットである。
と比較して小さな信号ピットを記録しようとすると、図
４（ａ）に示したような正規の信号ピットにはならず、
図４（ｂ）に示したように、フォトレジストの底まで溶
解せず途中までで溶解が止まり、エッジの部分だけの信
号ピットになってしい、正規の信号ピットを形成するこ
とができない。図４において、９はフォトレジスト、１
０は基板、１１は正規の信号ピット、１２はエッジの部
分だけの信号ピットである。
【００１１】小さな信号ピットを形成するためには、記
録用レーザー光を小さく絞り込む以外に方法は無かっ
た。
録用レーザー光を小さく絞り込む以外に方法は無かっ
た。
【００１２】記録用レーザー光の絞りスポットの大きさ
は、レーザー光の波長と絞り込むレンズの開口数で決ま
ってしまい、波長を開口数で割った値までしか原理的に
小さくできない。実際にはこの値より大きめのスポット
しか実現することはできない。開口数は限界に近い０．
９以上がすでに用いられており、絞りスポットを小さく
するためには波長を短くするしか手段はない。高密度光
ディスクの原盤記録には、従来用いられていた青色レー
ザーに代わって紫外線レーザーが用いられつつある。
は、レーザー光の波長と絞り込むレンズの開口数で決ま
ってしまい、波長を開口数で割った値までしか原理的に
小さくできない。実際にはこの値より大きめのスポット
しか実現することはできない。開口数は限界に近い０．
９以上がすでに用いられており、絞りスポットを小さく
するためには波長を短くするしか手段はない。高密度光
ディスクの原盤記録には、従来用いられていた青色レー
ザーに代わって紫外線レーザーが用いられつつある。
【００１３】紫外線レーザーはそれ自体従来の青色レー
ザーより高価で安定性にも劣るだけでなく、紫外線を用
いることにより光学部品特に絞り込むレンズが非常に高
価になり原盤のコストが高くなることと、原盤製造の安
定性が低下するという欠点がある。
ザーより高価で安定性にも劣るだけでなく、紫外線を用
いることにより光学部品特に絞り込むレンズが非常に高
価になり原盤のコストが高くなることと、原盤製造の安
定性が低下するという欠点がある。
【００１４】本発明は、上記の問題点を解決し、量産性
に優れた高密度な情報媒体の製造方法を提供することを
目的としたものである。
に優れた高密度な情報媒体の製造方法を提供することを
目的としたものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を、
フォトレジストの代わりにカルコゲン化合物を用いるこ
とにより達成する。
フォトレジストの代わりにカルコゲン化合物を用いるこ
とにより達成する。
【００１６】カルコゲン化合物の記録部分と未記録部分
の境界は、フォトレジストのように連続的に変化してい
るのではなく、不連続に記録部と未記録部が接してい
る。記録部分の大きさや形状は、記録条件のみによって
決まり、フォトレジストのように現像条件にはよらな
い。このため、エッチングによって記録部または未記録
部を除去すると、エッチング条件による大きさの変化の
ないエッジの立った信号ピットが形成できる。
の境界は、フォトレジストのように連続的に変化してい
るのではなく、不連続に記録部と未記録部が接してい
る。記録部分の大きさや形状は、記録条件のみによって
決まり、フォトレジストのように現像条件にはよらな
い。このため、エッチングによって記録部または未記録
部を除去すると、エッチング条件による大きさの変化の
ないエッジの立った信号ピットが形成できる。
【００１７】このため、カルコゲン化合物をフォトレジ
ストの代わりに使用すると、同じ大きさの記録光スポッ
トでも小さな信号ピットを記録できるので、高密度な情
報媒体を従来と同じ青色レーザーを用いて製造すること
ができる。
ストの代わりに使用すると、同じ大きさの記録光スポッ
トでも小さな信号ピットを記録できるので、高密度な情
報媒体を従来と同じ青色レーザーを用いて製造すること
ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１を用いて、本発明の光情報媒
体の製造方法の一例を説明する。
体の製造方法の一例を説明する。
【００１９】（ａ）ガラス等からなる基板１０の表面を
研磨・洗浄し、（ｂ）基板表面にカルコゲン薄膜１３を
形成する。（ｃ）カルコゲン薄膜にレーザー光等を絞り
込んで照射し、記録すべき信号に応じて部分的に結晶状
態を変化させ１４、（ｄ）結晶状態の差によるエッチレ
ート差を用いて結晶状態を変化させた部分を選択的にエ
ッチングして信号ピットを形成する。信号ピットを形成
した基板を原盤１５と呼ぶ。（ｅ）信号ピットを形成し
た上に導電膜１６を形成し、（ｆ）導電膜１６を電極に
して電鋳を行い数百μｍの厚さの金属層１７を形成す
る。（ｇ）導電膜と金属層からなる部分を基板から剥離
し、（ｈ）表面を洗浄してマスタースタンパー１８が作
られる。
研磨・洗浄し、（ｂ）基板表面にカルコゲン薄膜１３を
形成する。（ｃ）カルコゲン薄膜にレーザー光等を絞り
込んで照射し、記録すべき信号に応じて部分的に結晶状
態を変化させ１４、（ｄ）結晶状態の差によるエッチレ
ート差を用いて結晶状態を変化させた部分を選択的にエ
ッチングして信号ピットを形成する。信号ピットを形成
した基板を原盤１５と呼ぶ。（ｅ）信号ピットを形成し
た上に導電膜１６を形成し、（ｆ）導電膜１６を電極に
して電鋳を行い数百μｍの厚さの金属層１７を形成す
る。（ｇ）導電膜と金属層からなる部分を基板から剥離
し、（ｈ）表面を洗浄してマスタースタンパー１８が作
られる。
【００２０】このマスタースタンパー１８からマザーを
複製し、マザーからスタンパーを複製し、スタンパーか
ら射出成形によって複製することで光ディスク等の光情
報媒体を大量に製造することができる。
複製し、マザーからスタンパーを複製し、スタンパーか
ら射出成形によって複製することで光ディスク等の光情
報媒体を大量に製造することができる。
【００２１】基板としては、表面を研磨したガラス等を
用いる。この基板表面にカルコゲン化合物の薄膜を形成
する。カルコゲン薄膜は、通常真空中でスパッタリング
法や蒸着法で形成される。カルコゲンの微粉末を混合し
てペースト状にしたものを塗布して焼成する等の方法で
も形成できる。カルコゲン化合物としては、テルルやゲ
ルマニウムやアンチモンや錫などの化合物やそれらに酸
素や窒素などの入ったもの、または、カルコゲン元素の
酸化あるいは窒化あるいは酸化窒化物が用いられる。
用いる。この基板表面にカルコゲン化合物の薄膜を形成
する。カルコゲン薄膜は、通常真空中でスパッタリング
法や蒸着法で形成される。カルコゲンの微粉末を混合し
てペースト状にしたものを塗布して焼成する等の方法で
も形成できる。カルコゲン化合物としては、テルルやゲ
ルマニウムやアンチモンや錫などの化合物やそれらに酸
素や窒素などの入ったもの、または、カルコゲン元素の
酸化あるいは窒化あるいは酸化窒化物が用いられる。
【００２２】図５に原盤の記録装置の一例のブロック図
を示す。図２に示した原盤の記録装置と同一物には同一
の番号を付与してある。また、図２と同様に、焦点制御
用のレーザー光学系や記録用レーザー光学系のビーム拡
大器等は省略してある。
を示す。図２に示した原盤の記録装置と同一物には同一
の番号を付与してある。また、図２と同様に、焦点制御
用のレーザー光学系や記録用レーザー光学系のビーム拡
大器等は省略してある。
【００２３】信号源７で発生された記録すべき情報信号
は記録イコライザ１９によって信号パルス幅を変化され
るとともに、信号パルス内でパルス列に変調され、光変
調器２に入力され、レーザー光を強度変調する。その強
度変調されたレーザー光はミラー３を通り、レンズアク
チュエーター４のフォーカス制御されるレンズを通じて
ガラス板５上のカルコゲン化合物の薄膜に絞り込んで照
射され、カルコゲン化合物の結晶状態を部分的に変化さ
せる。２０はカルコゲン化合物の薄膜を形成したガラス
基板である。レーザー光の照射によって結晶状態が変化
した部分を記録部分、記録部分以外を未記録部分と呼ぶ
ことにする。
は記録イコライザ１９によって信号パルス幅を変化され
るとともに、信号パルス内でパルス列に変調され、光変
調器２に入力され、レーザー光を強度変調する。その強
度変調されたレーザー光はミラー３を通り、レンズアク
チュエーター４のフォーカス制御されるレンズを通じて
ガラス板５上のカルコゲン化合物の薄膜に絞り込んで照
射され、カルコゲン化合物の結晶状態を部分的に変化さ
せる。２０はカルコゲン化合物の薄膜を形成したガラス
基板である。レーザー光の照射によって結晶状態が変化
した部分を記録部分、記録部分以外を未記録部分と呼ぶ
ことにする。
【００２４】カルコゲン化合物の結晶状態は、照射され
たレーザー光のエネルギーによる熱によって変化させら
れる。一定以上の温度に達した部分の結晶状態は変化す
るが、レーザー光を照射されても一定温度に達っしなか
った部分の結晶状態は変化しない。一方、従来のフォト
レジストでは、照射されたレーザー光のエネルギー量に
よって現像液に対する溶解速度が変化する。
たレーザー光のエネルギーによる熱によって変化させら
れる。一定以上の温度に達した部分の結晶状態は変化す
るが、レーザー光を照射されても一定温度に達っしなか
った部分の結晶状態は変化しない。一方、従来のフォト
レジストでは、照射されたレーザー光のエネルギー量に
よって現像液に対する溶解速度が変化する。
【００２５】このため、カルコゲン化合物の記録部分と
未記録部分の境界は、フォトレジストのように連続的に
変化しているのではなく、不連続に記録部と未記録部が
接している。記録部分の大きさや形状は、記録条件のみ
によって決まり、フォトレジストのように現像条件には
よらない。
未記録部分の境界は、フォトレジストのように連続的に
変化しているのではなく、不連続に記録部と未記録部が
接している。記録部分の大きさや形状は、記録条件のみ
によって決まり、フォトレジストのように現像条件には
よらない。
【００２６】また、カルコゲン化合物はレーザー光の熱
によって記録されるので、同じ大きさの光スポットに対
して、フォトレジストを用いるより小さな信号ピットを
記録することができる。
によって記録されるので、同じ大きさの光スポットに対
して、フォトレジストを用いるより小さな信号ピットを
記録することができる。
【００２７】記録後、結晶状態の差によるエッチレート
差を用いて、エッチングによりカルコゲン化合物の特定
の結晶状態の部分、即ち記録部分または未記録部分を選
択的に除去することにより、エッチング条件による大き
さの変化のないエッジの立った信号ピットが形成でき
る。
差を用いて、エッチングによりカルコゲン化合物の特定
の結晶状態の部分、即ち記録部分または未記録部分を選
択的に除去することにより、エッチング条件による大き
さの変化のないエッジの立った信号ピットが形成でき
る。
【００２８】このように、カルコゲン化合物をフォトレ
ジストの代わりに使用すると、同じ大きさの記録光スポ
ットでも小さな信号ピットを記録できので、高密度な情
報媒体を高価で安定性に欠ける紫外線レーザーを用いる
ことなく、従来と同じ青色レーザーを用いて製造するこ
とができる。
ジストの代わりに使用すると、同じ大きさの記録光スポ
ットでも小さな信号ピットを記録できので、高密度な情
報媒体を高価で安定性に欠ける紫外線レーザーを用いる
ことなく、従来と同じ青色レーザーを用いて製造するこ
とができる。
【００２９】カルコゲン化合物の薄膜は、スパッタリン
グ法や真空蒸着法で形成した場合には一般にアモルファ
ス状態になる。この状態でレーザー光を照射して記録す
ると、記録部分は結晶化し、未記録部分はアモルファス
状態のまま残る。
グ法や真空蒸着法で形成した場合には一般にアモルファ
ス状態になる。この状態でレーザー光を照射して記録す
ると、記録部分は結晶化し、未記録部分はアモルファス
状態のまま残る。
【００３０】カルコゲン化合物の薄膜の全面に光を照射
したり、熱処理したりして結晶化させた状態でレーザー
光を照射して記録すると、記録部分はアモルファス化
し、未記録部分は結晶状態のまま残すことができる。
したり、熱処理したりして結晶化させた状態でレーザー
光を照射して記録すると、記録部分はアモルファス化
し、未記録部分は結晶状態のまま残すことができる。
【００３１】エッチングによりアモルファス状態の部分
を除去すると、記録部分がアモルファス状態の場合は記
録部分のみが除去されるのでネガ記録、未記録部分がア
モルファス状態の場合には記録部分のみが残るのでポジ
記録を行うことができる。
を除去すると、記録部分がアモルファス状態の場合は記
録部分のみが除去されるのでネガ記録、未記録部分がア
モルファス状態の場合には記録部分のみが残るのでポジ
記録を行うことができる。
【００３２】エッチングにより結晶状態の部分を除去す
ると、記録部分がアモルファス状態の場合は記録部分の
みが残るのでポジ記録、未記録部分がアモルファス状態
の場合には記録部分のみが除去されるのでネガ記録を行
うことができる。
ると、記録部分がアモルファス状態の場合は記録部分の
みが残るのでポジ記録、未記録部分がアモルファス状態
の場合には記録部分のみが除去されるのでネガ記録を行
うことができる。
【００３３】本発明の原盤記録装置では、記録イコライ
ザの部分が従来の原盤記録装置と大きく異なっている。
本発明の原盤記録装置では熱記録を行うため、パルス幅
をパルス間隔に応じて長さを変化させたり、パルス内で
パルス列に変調したりする。
ザの部分が従来の原盤記録装置と大きく異なっている。
本発明の原盤記録装置では熱記録を行うため、パルス幅
をパルス間隔に応じて長さを変化させたり、パルス内で
パルス列に変調したりする。
【００３４】高密度な熱記録を行うためには、記録信号
の長さや、前後の記録信号までの間隔や前後の記録信号
の長さに応じて記録信号パルスの長さや記録のタイミン
グを調整する必要がある。例えば、記録パルスの直前に
長い記録パルスがあれば記録パルスの先頭を遅らせた
り、直前が長い無信号区間であれば記録パルスの先頭を
早めたりする。また、一つの記録パルス内で信号ピット
の幅を一定に保つため、信号パルスの先頭と終端は長め
のパルスにし、信号パルスの中間は短いパルスの列にす
るといった複雑な操作を記録イコライザが行う。
の長さや、前後の記録信号までの間隔や前後の記録信号
の長さに応じて記録信号パルスの長さや記録のタイミン
グを調整する必要がある。例えば、記録パルスの直前に
長い記録パルスがあれば記録パルスの先頭を遅らせた
り、直前が長い無信号区間であれば記録パルスの先頭を
早めたりする。また、一つの記録パルス内で信号ピット
の幅を一定に保つため、信号パルスの先頭と終端は長め
のパルスにし、信号パルスの中間は短いパルスの列にす
るといった複雑な操作を記録イコライザが行う。
【００３５】レーザー光の照射によって結晶化させる場
合は、徐冷されるような照射方法が用いられ、アモルフ
ァス化させる場合は、急冷されるような照射方法が用い
られる。例えば、徐冷されるような照射方法としては、
結晶化させたい部分の前後に中程度のパワーの光を照射
しておいてカルコゲン化合物の膜の温度を少し上昇させ
ておくことで、強いパワーを照射した部分から熱が逃げ
難いようにする方法がある。また、急冷させるような照
射方法としては、強いパワーを照射した直後に照射パワ
ーを一旦ゼロにまで下げる方法がある。
合は、徐冷されるような照射方法が用いられ、アモルフ
ァス化させる場合は、急冷されるような照射方法が用い
られる。例えば、徐冷されるような照射方法としては、
結晶化させたい部分の前後に中程度のパワーの光を照射
しておいてカルコゲン化合物の膜の温度を少し上昇させ
ておくことで、強いパワーを照射した部分から熱が逃げ
難いようにする方法がある。また、急冷させるような照
射方法としては、強いパワーを照射した直後に照射パワ
ーを一旦ゼロにまで下げる方法がある。
【００３６】記録したカルコゲン化合物の薄膜のエッチ
ング方法としては、ドライエッチング法やウエットエッ
チング法を用いることができる。
ング方法としては、ドライエッチング法やウエットエッ
チング法を用いることができる。
【００３７】ドライエッチング法は、アルゴン等の不活
性ガスと塩素系またはフッ素系もしくは塩素系とフッ素
系の混合ガス等の反応性ガスの混合ガスを用い、真空中
でＤＣ放電またはＲＦ放電またはイオンビーム等の方法
で記録したカルコゲン化合物の薄膜のエッチングを行
う。
性ガスと塩素系またはフッ素系もしくは塩素系とフッ素
系の混合ガス等の反応性ガスの混合ガスを用い、真空中
でＤＣ放電またはＲＦ放電またはイオンビーム等の方法
で記録したカルコゲン化合物の薄膜のエッチングを行
う。
【００３８】カルコゲン薄膜の組成に応じてガスの組成
や放電条件等を変化させることで、アモルファス状態の
部分を選択的にエッチングすることができる。
や放電条件等を変化させることで、アモルファス状態の
部分を選択的にエッチングすることができる。
【００３９】ウエットエッチング法は、硝酸や硝酸と塩
酸の混合物等の強酸、もしくは、前記の強酸にリン酸や
蟻酸等の弱酸をバッファ剤として加えた液、もしくは、
前記の強酸に過酸化水素等の酸化剤を加えた液、もしく
は、前記の強酸に前記のバッファ剤と前記の酸化剤を加
えた液をエッチング液として用い、エッチング液中に記
録したカルコゲン化合物の薄膜を浸してエッチングを行
う。
酸の混合物等の強酸、もしくは、前記の強酸にリン酸や
蟻酸等の弱酸をバッファ剤として加えた液、もしくは、
前記の強酸に過酸化水素等の酸化剤を加えた液、もしく
は、前記の強酸に前記のバッファ剤と前記の酸化剤を加
えた液をエッチング液として用い、エッチング液中に記
録したカルコゲン化合物の薄膜を浸してエッチングを行
う。
【００４０】カルコゲン薄膜の組成に応じてエッチング
液の組成を変えたり、エッチング液の温度を上げたりす
ることで、アモルファス状態の部分、もしくは、結晶状
態の部分を選択的にエッチングすることができる。
液の組成を変えたり、エッチング液の温度を上げたりす
ることで、アモルファス状態の部分、もしくは、結晶状
態の部分を選択的にエッチングすることができる。
【００４１】本発明の光情報記録媒体の製造方法は、従
来のフォトレジストを用いた方法では紫外線レーザーを
用いても記録できないような超高密度な光情報媒体の製
造にも用いることができる。
来のフォトレジストを用いた方法では紫外線レーザーを
用いても記録できないような超高密度な光情報媒体の製
造にも用いることができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の光情報媒体の製造方法は、基板
上に形成されたカルコゲン化合物の結晶状態の差による
エッチレート差を用いて、カルコゲン化合物の特定の結
晶状態の部分を選択的に除去することを特徴とする。
上に形成されたカルコゲン化合物の結晶状態の差による
エッチレート差を用いて、カルコゲン化合物の特定の結
晶状態の部分を選択的に除去することを特徴とする。
【００４３】カルコゲン化合物はレーザー光の熱によっ
て記録されるので、同じ大きさの光スポットに対して、
フォトレジストを用いるより小さな信号ピットを記録す
ることができる。
て記録されるので、同じ大きさの光スポットに対して、
フォトレジストを用いるより小さな信号ピットを記録す
ることができる。
【００４４】このように、本発明の光情報媒体の製造方
法によれば、原盤記録に短い波長の光源を用いなくとも
高密度な情報媒体を供給することができる。
法によれば、原盤記録に短い波長の光源を用いなくとも
高密度な情報媒体を供給することができる。
【図１】本発明の光情報媒体の製造工程の一例を説明す
る図
る図
【図２】従来の原盤の記録装置の一例のブロック図
【図３】ネガ型レジストの露光量と残膜率の関係の一例
を示す図
を示す図
【図４】信号ピットの一例を示す断面図
【図５】本発明の原盤の記録装置の一例のブロック図
１ 記録用レーザー ２ 光変調器 ３ ミラー ４ レンズアクチュエーター ５ フォトレジストを塗布したガラス板 ６ スピンドルモーター ７ 信号源 ８ 記録イコライザ ９ フォトレジスト １０ 基板 １１ 正規の信号ピット １２ エッジの部分だけの信号ピット １３ カルコゲン薄膜 １４ 結晶状態の変化した部分 １５ 原盤 １６ 導電膜 １７ 金属層 １８ マスタースタンパー １９ 記録イコライザ ２０ カルコゲン化合物の薄膜を形成したガラス基板
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成されたカルコゲン化合物の
結晶状態の差によるエッチレート差を用いて、カルコゲ
ン化合物の特定の結晶状態の部分を選択的に除去してな
る光情報記録媒体原盤を用いることを特徴とする光情報
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に形成された全面アモルファス状
態のカルコゲン化合物に、光等の手段により局部的に昇
温徐冷して結晶状態の部分を形成し、結晶状態の差によ
るエッチレートの差を用いてアモルファス状態の部分、
もしくは、結晶状態の部分をエッチングにより選択的に
除去してなる光情報記録媒体原盤を用いることを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 基板上に形成された全面を結晶化させた
カルコゲン化合物に、光等の手段により局部的に昇温急
冷してアモルファス状態の部分を形成し、結晶状態の差
によるエッチレートの差を用いて結晶状態の部分、もし
くは、アモルファス状態の部分をエッチングにより選択
的に除去してなる光情報記録媒体原盤を用いることを特
徴とする光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 アルゴン等の不活性ガスと塩素系または
フッ素系もしくは塩素系とフッ素系の混合ガス等の反応
性ガスの混合ガスを用い、真空中でＤＣ放電またはＲＦ
放電またはイオンビーム等の方法で、カルコゲン化合物
をドライエッチングすることを特徴とする請求項１、２
または３記載の光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 硝酸や硝酸と塩酸の混合物等の強酸、も
しくは、前記の強酸にリン酸や蟻酸等の弱酸をバッファ
剤として加えた液、もしくは、前記の強酸に過酸化水素
等の酸化剤を加えた液、もしくは、前記の強酸に前記の
バッファ剤と前記の酸化剤を加えた液をエッチング液と
して用いて、カルコゲン化合物を湿式エッチングするこ
とを特徴とする請求項１、２または３記載の光情報記録
媒体の製造方法。 - 【請求項６】 光照射によって状態の変化する材料を表
面に形成した基板に、記録信号により強度変調したレー
ザー光を照射する工程を有する、記録信号を記録した光
情報記録媒体原盤の作製装置であって、記録信号を記録
信号パルスの長さや前後の記録信号パルスとの間隔に応
じて記録信号パルスの長さや記録タイミングを変化させ
たり、記録信号パルスをそのパルス内でパルス列に変調
したりする記録イコライザを有することを特徴とする光
情報記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24949396A JPH1097738A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 光情報記録媒体の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24949396A JPH1097738A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 光情報記録媒体の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097738A true JPH1097738A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17193798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24949396A Pending JPH1097738A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 光情報記録媒体の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097738A (ja) |
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