JPH1092599A - 表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents
表面処理装置及び表面処理方法Info
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- JPH1092599A JPH1092599A JP8245846A JP24584696A JPH1092599A JP H1092599 A JPH1092599 A JP H1092599A JP 8245846 A JP8245846 A JP 8245846A JP 24584696 A JP24584696 A JP 24584696A JP H1092599 A JPH1092599 A JP H1092599A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32155—Frequency modulation
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 処理対象物の表裏両面を一括して処理でき生
産性を向上できる表面処理装置及び表面処理方法を提供
する。 【解決手段】 減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガス
が供給される真空容器１と、真空容器の中段において処
理対象物の表裏両面が露呈するように処理対象物を支持
する支持手段１３とを備え、互いに対向する第１高周波
電極１５と第２高周波電極１７とを、支持手段上の処理
対象物を挟むように配置し、第１高周波電極と第２高周
波電極とに高周波電源１６，１８を電気的に接続し、処
理対象物の表裏両面近傍にプラズマを生成するように、
第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波の交流電力
を印可する。これにより処理対象物の表裏両面の処理を
一括して行う。
産性を向上できる表面処理装置及び表面処理方法を提供
する。 【解決手段】 減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガス
が供給される真空容器１と、真空容器の中段において処
理対象物の表裏両面が露呈するように処理対象物を支持
する支持手段１３とを備え、互いに対向する第１高周波
電極１５と第２高周波電極１７とを、支持手段上の処理
対象物を挟むように配置し、第１高周波電極と第２高周
波電極とに高周波電源１６，１８を電気的に接続し、処
理対象物の表裏両面近傍にプラズマを生成するように、
第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波の交流電力
を印可する。これにより処理対象物の表裏両面の処理を
一括して行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマにより基
板などの処理対象物の表面を、クリーニングあるいは加
工するために用いられる表面処理装置及び表面処理方法
に関するものである。
板などの処理対象物の表面を、クリーニングあるいは加
工するために用いられる表面処理装置及び表面処理方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】処理対象物の表面処理を行うために、エ
ッチング装置、スパッタリング装置などの表面処理装置
が用いられている。そして、この種の表面処理装置は、
円筒状の真空容器を有しこの真空容器の周囲を、相対向
するように挟む２つの高周波電極（円弧状）を備えた、
バレル型と呼ばれるタイプのものと、平坦な板状をなす
２つの高周波電極を備えた平行平板型と呼ばれるタイプ
のものがある。
ッチング装置、スパッタリング装置などの表面処理装置
が用いられている。そして、この種の表面処理装置は、
円筒状の真空容器を有しこの真空容器の周囲を、相対向
するように挟む２つの高周波電極（円弧状）を備えた、
バレル型と呼ばれるタイプのものと、平坦な板状をなす
２つの高周波電極を備えた平行平板型と呼ばれるタイプ
のものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
のタイプの表面処理装置でも、表面処理装置の片面のみ
を処理することを前提に構成されている。
のタイプの表面処理装置でも、表面処理装置の片面のみ
を処理することを前提に構成されている。
【０００４】ところが、基板などの処理対象物は、近年
高密度化してきている。このため、処理対象物は、片面
だけでなく両面とも使用され、両面とも表面処理を施し
たいとする要望が増えてきている。
高密度化してきている。このため、処理対象物は、片面
だけでなく両面とも使用され、両面とも表面処理を施し
たいとする要望が増えてきている。
【０００５】しかしながら、従来の表面処理装置による
と、片面のみしか表面処理できないので、一度片面のみ
表面処理した後、表面処理装置から処理対象物を取り出
し、処理対象物を反転させた上、再度表面処理装置に処
理対象物を入れ、もう片面について、表面処理を行わな
ければならず、生産性が低いという問題点があった。
と、片面のみしか表面処理できないので、一度片面のみ
表面処理した後、表面処理装置から処理対象物を取り出
し、処理対象物を反転させた上、再度表面処理装置に処
理対象物を入れ、もう片面について、表面処理を行わな
ければならず、生産性が低いという問題点があった。
【０００６】そこで本発明は、処理対象物の表裏両面を
一括して処理でき生産性を向上できる表面処理装置及び
表面処理方法を提供することを目的とする。
一括して処理でき生産性を向上できる表面処理装置及び
表面処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の表面処理装置
は、減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給され
る真空容器と、真空容器の中段において処理対象物の表
裏両面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段
とを備え、互いに対向する第１高周波電極と第２高周波
電極とを、支持手段上の処理対象物を挟むように配置
し、第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波電源を
電気的に接続し、第１高周波電極と第２高周波電極とに
高周波の交流電力を印可することにより処理対象物の表
裏両面近傍にプラズマを生成するようにしたものであ
る。
は、減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給され
る真空容器と、真空容器の中段において処理対象物の表
裏両面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段
とを備え、互いに対向する第１高周波電極と第２高周波
電極とを、支持手段上の処理対象物を挟むように配置
し、第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波電源を
電気的に接続し、第１高周波電極と第２高周波電極とに
高周波の交流電力を印可することにより処理対象物の表
裏両面近傍にプラズマを生成するようにしたものであ
る。
【０００８】また本発明の表面処理方法は、減圧され、
かつプラズマ発生用ガスが供給された雰囲気中に、処理
対象物をその表裏両面が露呈するように配置し、処理対
象物を挟むように配置された第１高周波電極と第２高周
波電極とに、高周波の交流電力を印可し、処理対象物の
表裏両面近傍にプラズマを生成してこの処理対象物の表
裏両面の処理を行うものである。
かつプラズマ発生用ガスが供給された雰囲気中に、処理
対象物をその表裏両面が露呈するように配置し、処理対
象物を挟むように配置された第１高周波電極と第２高周
波電極とに、高周波の交流電力を印可し、処理対象物の
表裏両面近傍にプラズマを生成してこの処理対象物の表
裏両面の処理を行うものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】請求項１記載の表面処理装置は、
減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給される真
空容器と、真空容器の中段において処理対象物の表裏両
面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段とを
備え、互いに対向する第１高周波電極と第２高周波電極
とを、支持手段上の処理対象物を挟むように配置し、第
１高周波電極と第２高周波電極とに高周波電源を電気的
に接続し、第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波
の交流電力を印可することにより処理対象物の表裏両面
近傍にプラズマを生成するようにしたものである。
減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給される真
空容器と、真空容器の中段において処理対象物の表裏両
面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段とを
備え、互いに対向する第１高周波電極と第２高周波電極
とを、支持手段上の処理対象物を挟むように配置し、第
１高周波電極と第２高周波電極とに高周波電源を電気的
に接続し、第１高周波電極と第２高周波電極とに高周波
の交流電力を印可することにより処理対象物の表裏両面
近傍にプラズマを生成するようにしたものである。
【００１０】請求項３記載の表面処理方法は、減圧さ
れ、かつプラズマ発生用ガスが供給された雰囲気中に、
処理対象物をその表裏両面が露呈するように配置し、処
理対象物を挟むように配置された第１高周波電極と第２
高周波電極とに、高周波の交流電力を印可し、処理対象
物の表裏両面近傍にプラズマを生成してこの処理対象物
の表裏両面の処理を行うものである。
れ、かつプラズマ発生用ガスが供給された雰囲気中に、
処理対象物をその表裏両面が露呈するように配置し、処
理対象物を挟むように配置された第１高周波電極と第２
高周波電極とに、高周波の交流電力を印可し、処理対象
物の表裏両面近傍にプラズマを生成してこの処理対象物
の表裏両面の処理を行うものである。
【００１１】したがって、処理対象物の、表裏両面近傍
に、それぞれプラズマが生成され、処理対象物の表裏両
面が一度に処理される。このため、処理対象物を表面処
理装置に出し入れしたり、処理対象物を反転させる必要
がなく、それだけ無駄な工程を削減して生産性を向上す
ることができる。
に、それぞれプラズマが生成され、処理対象物の表裏両
面が一度に処理される。このため、処理対象物を表面処
理装置に出し入れしたり、処理対象物を反転させる必要
がなく、それだけ無駄な工程を削減して生産性を向上す
ることができる。
【００１２】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１、図２は、本発明の第１の実
施の形態における表面処理装置の断面図である。
を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１、図２は、本発明の第１の実
施の形態における表面処理装置の断面図である。
【００１３】第１の実施の形態では、バレル型の例を示
している。即ち、図１において、１は減圧されプラズマ
発生用ガスが供給される、横長円筒状の真空容器であ
る。真空容器１は、通常厚いガラスの筒から構成され
る。
している。即ち、図１において、１は減圧されプラズマ
発生用ガスが供給される、横長円筒状の真空容器であ
る。真空容器１は、通常厚いガラスの筒から構成され
る。
【００１４】真空容器１の前後の端面は、前面フランジ
２、後面フランジ３により、Ｏリング４を介して封止さ
れている。前面フランジ２には、処理対象物を真空容器
１の内部に出し入れするために、出入口５が開設されて
おり、出入口５は使用中において開閉扉６により閉鎖さ
れる。
２、後面フランジ３により、Ｏリング４を介して封止さ
れている。前面フランジ２には、処理対象物を真空容器
１の内部に出し入れするために、出入口５が開設されて
おり、出入口５は使用中において開閉扉６により閉鎖さ
れる。
【００１５】開閉扉６の下部には、送りナット７が連結
され、送りナット７は、モータ９により駆動される送り
ねじ８に螺合している。したがって、モータ９を駆動す
ると、開閉扉６を矢印Ｎ１方向に移動させることがで
き、出入口５を開閉することができる。
され、送りナット７は、モータ９により駆動される送り
ねじ８に螺合している。したがって、モータ９を駆動す
ると、開閉扉６を矢印Ｎ１方向に移動させることがで
き、出入口５を開閉することができる。
【００１６】また、真空容器１内の中段には、矢印Ｎ１
と平行な、２本のレール１０が敷設され、レール１０に
は、ローラ１１が回転自在に周接している。このローラ
１１は、処理対象物１４の縁部が載置される支持枠１３
に軸支されている。そして、支持枠１３の端部は、開閉
扉６の側面に固着されている。
と平行な、２本のレール１０が敷設され、レール１０に
は、ローラ１１が回転自在に周接している。このローラ
１１は、処理対象物１４の縁部が載置される支持枠１３
に軸支されている。そして、支持枠１３の端部は、開閉
扉６の側面に固着されている。
【００１７】したがって、モータ９を駆動して、開閉扉
６で出入口５を開閉すると、支持枠１３が矢印Ｎ１方向
に移動し、支持枠１３上に支持された処理対象物１４を
真空容器１内に出し入れすることができる。
６で出入口５を開閉すると、支持枠１３が矢印Ｎ１方向
に移動し、支持枠１３上に支持された処理対象物１４を
真空容器１内に出し入れすることができる。
【００１８】図２に示すように、支持枠１３は、処理対
象物１４の縁部のみに当接しており、真空容器１内にお
いて、処理対象物１４は、その表裏両面が上下に露呈す
る状態で支持される。即ち、支持枠１３は、支持手段に
相当する。
象物１４の縁部のみに当接しており、真空容器１内にお
いて、処理対象物１４は、その表裏両面が上下に露呈す
る状態で支持される。即ち、支持枠１３は、支持手段に
相当する。
【００１９】図２に示すように、真空容器１の上下に
は、真空容器１を取り囲むように、第１高周波電極１５
と、第２高周波電極１７とが、配置されている。そし
て、真空容器１内に処理対象物１４が収納されると、こ
れら相対向する第１高周波電極１５と第２高周波電極１
７とにより、処理対象物１４が挟まれるという位置関係
になる。
は、真空容器１を取り囲むように、第１高周波電極１５
と、第２高周波電極１７とが、配置されている。そし
て、真空容器１内に処理対象物１４が収納されると、こ
れら相対向する第１高周波電極１５と第２高周波電極１
７とにより、処理対象物１４が挟まれるという位置関係
になる。
【００２０】また、第１高周波電極１５には第１高周波
電源１６が電気的に接続され、第２高周波電極１７には
第２高周波電源１８が電気的に接続される。第１高周波
電源１６と第２高周波電源１８により、第１高周波電源
１６と第２高周波電極１７に高周波の交流電力が供給さ
れるが、第１高周波電極１５と第２高周波電極１７に供
給される交流電力の位相は、位相制御器２２により、互
いに１８０度ずらされており、周波数が同じで逆位相の
関係にある。
電源１６が電気的に接続され、第２高周波電極１７には
第２高周波電源１８が電気的に接続される。第１高周波
電源１６と第２高周波電源１８により、第１高周波電源
１６と第２高周波電極１７に高周波の交流電力が供給さ
れるが、第１高周波電極１５と第２高周波電極１７に供
給される交流電力の位相は、位相制御器２２により、互
いに１８０度ずらされており、周波数が同じで逆位相の
関係にある。
【００２１】さらに図１に示すように、後面フランジ３
には、プラズマ発生用ガスとしての酸素ガスを真空容器
１内に導入するため開閉される給気バルブ１９と、真空
排気ポンプ２０に接続され、真空容器１内の空間を減圧
するために開閉される排気バルブ２１が、設けられてい
る。
には、プラズマ発生用ガスとしての酸素ガスを真空容器
１内に導入するため開閉される給気バルブ１９と、真空
排気ポンプ２０に接続され、真空容器１内の空間を減圧
するために開閉される排気バルブ２１が、設けられてい
る。
【００２２】次に、第１の実施の形態の表面処理装置の
動作を説明する。まず、開閉扉６を開いて、支持枠１３
上に処理対象物１４を載置し、開閉扉６を閉じて処理対
象物１４を、その表裏両面が露呈する状態で、真空容器
１の中段に支持する。
動作を説明する。まず、開閉扉６を開いて、支持枠１３
上に処理対象物１４を載置し、開閉扉６を閉じて処理対
象物１４を、その表裏両面が露呈する状態で、真空容器
１の中段に支持する。
【００２３】また、排気バルブ２１を開いて、真空容器
１内を減圧し、給気バルブ１９を開いて、プラズマ発生
用ガスを真空容器１内に供給する。
１内を減圧し、給気バルブ１９を開いて、プラズマ発生
用ガスを真空容器１内に供給する。
【００２４】そして、第１高周波電源１６、第２高周波
電源１８を作動させ、第１高周波電極１５と第２高周波
電極１７にそれぞれ逆位相の交流電力を供給する。その
結果、図２に示すように、処理対象物１４の表裏両面近
傍に、対称で同等のパワーを有する第１プラズマＡ１と
第２プラズマＡ２とが、生成される。
電源１８を作動させ、第１高周波電極１５と第２高周波
電極１７にそれぞれ逆位相の交流電力を供給する。その
結果、図２に示すように、処理対象物１４の表裏両面近
傍に、対称で同等のパワーを有する第１プラズマＡ１と
第２プラズマＡ２とが、生成される。
【００２５】すると、第１プラズマＡ１と第２プラズマ
Ａ２との荷電粒子やラジカルなどが処理対象物１４の表
裏両面に衝突し、処理対象物１４の表裏両面が、処理対
象物の出し入れや反転などの工程を経ずに、一度で処理
されるものである。
Ａ２との荷電粒子やラジカルなどが処理対象物１４の表
裏両面に衝突し、処理対象物１４の表裏両面が、処理対
象物の出し入れや反転などの工程を経ずに、一度で処理
されるものである。
【００２６】（第２の実施の形態）図３、図４は、本発
明の第２の実施の形態における表面処理装置の断面図で
ある。
明の第２の実施の形態における表面処理装置の断面図で
ある。
【００２７】第２の実施の形態では、平行平板型の例を
示している。即ち、図３において、３１は減圧されプラ
ズマ発生用ガスが供給される、箱状の真空容器である。
示している。即ち、図３において、３１は減圧されプラ
ズマ発生用ガスが供給される、箱状の真空容器である。
【００２８】真空容器３１の前面壁３２には、処理対象
物を真空容器３１の内部に出し入れするために、出入口
３４が開設されており、出入口３４は使用中において開
閉扉３５により閉鎖される。
物を真空容器３１の内部に出し入れするために、出入口
３４が開設されており、出入口３４は使用中において開
閉扉３５により閉鎖される。
【００２９】開閉扉３５の下部には、送りナット３６が
連結され、送りナット３６は、モータ３８により駆動さ
れる送りねじ３７に螺合している。したがって、モータ
３８を駆動すると、開閉扉３５を矢印Ｎ２方向に移動さ
せることができ、出入口３４を開閉することができる。
連結され、送りナット３６は、モータ３８により駆動さ
れる送りねじ３７に螺合している。したがって、モータ
３８を駆動すると、開閉扉３５を矢印Ｎ２方向に移動さ
せることができ、出入口３４を開閉することができる。
【００３０】また、真空容器３１内の中段には、矢印Ｎ
２と平行な、２本のレール３９が敷設され、レール３９
には、ローラ４１が回転自在に周接している。このロー
ラ４１は、処理対象物４２の縁部が載置される支持枠４
０に軸支されている。そして、支持枠４０の端部は、開
閉扉３５の側面に固着されている。
２と平行な、２本のレール３９が敷設され、レール３９
には、ローラ４１が回転自在に周接している。このロー
ラ４１は、処理対象物４２の縁部が載置される支持枠４
０に軸支されている。そして、支持枠４０の端部は、開
閉扉３５の側面に固着されている。
【００３１】したがって、モータ３８を駆動して、開閉
扉３５で出入口３４を開閉すると、支持枠４０が矢印Ｎ
２方向に移動し、支持枠４０上に支持された処理対象物
４２を真空容器３１内に出し入れすることができる。
扉３５で出入口３４を開閉すると、支持枠４０が矢印Ｎ
２方向に移動し、支持枠４０上に支持された処理対象物
４２を真空容器３１内に出し入れすることができる。
【００３２】図４に示すように、支持枠４１は、処理対
象物４２の縁部のみに当接しており、真空容器３１内に
おいて、処理対象物４２は、その表裏両面が上下に露呈
する状態で支持される。即ち、支持枠４２は、支持手段
に相当する。
象物４２の縁部のみに当接しており、真空容器３１内に
おいて、処理対象物４２は、その表裏両面が上下に露呈
する状態で支持される。即ち、支持枠４２は、支持手段
に相当する。
【００３３】図４に示すように、真空容器３１の上下に
は、真空容器３１を挟んで、それぞれ平板状をなす、第
１高周波電極４６と第２高周波電極４８とが、平行に配
置されている。
は、真空容器３１を挟んで、それぞれ平板状をなす、第
１高周波電極４６と第２高周波電極４８とが、平行に配
置されている。
【００３４】また、第１高周波電極４６には第１高周波
電源４７が電気的に接続され、第２高周波電極４８には
第２高周波電源４９が電気的に接続される。第１高周波
電源４７と第２高周波電源４９により、第１高周波電源
４６と第２高周波電極４８に高周波の交流電力が供給さ
れるが、第１高周波電極４６と第２高周波電極４８に供
給される交流電力の位相は、位相制御器５１により、互
いに１８０度ずらされており、周波数が同じで逆位相の
関係にある。
電源４７が電気的に接続され、第２高周波電極４８には
第２高周波電源４９が電気的に接続される。第１高周波
電源４７と第２高周波電源４９により、第１高周波電源
４６と第２高周波電極４８に高周波の交流電力が供給さ
れるが、第１高周波電極４６と第２高周波電極４８に供
給される交流電力の位相は、位相制御器５１により、互
いに１８０度ずらされており、周波数が同じで逆位相の
関係にある。
【００３５】さらに図３に示すように、真空容器３１の
後面壁３３には、プラズマ発生用ガスとしての酸素ガス
を真空容器３１内に導入するため開閉される給気バルブ
４３と、真空排気ポンプ４４に接続され、真空容器３１
内の空間を減圧するために開閉される排気バルブ４３
が、設けられている。
後面壁３３には、プラズマ発生用ガスとしての酸素ガス
を真空容器３１内に導入するため開閉される給気バルブ
４３と、真空排気ポンプ４４に接続され、真空容器３１
内の空間を減圧するために開閉される排気バルブ４３
が、設けられている。
【００３６】次に、第１の実施の形態の表面処理装置の
動作を説明する。まず、開閉扉３５を開いて、支持枠４
０上に処理対象物４２を載置し、開閉扉３５を閉じて処
理対象物４２を、その表裏両面が露呈する状態で、真空
容器３１の中段に支持する。
動作を説明する。まず、開閉扉３５を開いて、支持枠４
０上に処理対象物４２を載置し、開閉扉３５を閉じて処
理対象物４２を、その表裏両面が露呈する状態で、真空
容器３１の中段に支持する。
【００３７】また、排気バルブ４５を開いて、真空容器
３１内を減圧し、給気バルブ４３を開いて、プラズマ発
生用ガスを真空容器３１内に供給する。
３１内を減圧し、給気バルブ４３を開いて、プラズマ発
生用ガスを真空容器３１内に供給する。
【００３８】そして、第１高周波電源４７、第２高周波
電源４９を作動させ、第１高周波電極４６と第２高周波
電極４８にそれぞれ逆位相の交流電力を供給する。その
結果、図４に示すように、処理対象物４２の表裏両面近
傍に、対称で同等のパワーを有する第１プラズマＡ１と
第２プラズマＡ２とが、生成される。
電源４９を作動させ、第１高周波電極４６と第２高周波
電極４８にそれぞれ逆位相の交流電力を供給する。その
結果、図４に示すように、処理対象物４２の表裏両面近
傍に、対称で同等のパワーを有する第１プラズマＡ１と
第２プラズマＡ２とが、生成される。
【００３９】すると、第１プラズマＡ１と第２プラズマ
Ａ２との荷電粒子やラジカルなどが処理対象物４２の表
裏両面に衝突し、処理対象物４２の表裏両面が、処理対
象物の出し入れや反転などの工程を経ずに、一度で処理
されるものである。
Ａ２との荷電粒子やラジカルなどが処理対象物４２の表
裏両面に衝突し、処理対象物４２の表裏両面が、処理対
象物の出し入れや反転などの工程を経ずに、一度で処理
されるものである。
【００４０】なお以上２つの実施の形態において、プラ
ズマ発生用ガスとして酸素ガスを用いたが、アルゴンガ
スなども同様に使用することができる。また、２つの高
周波電極に印可する交流電力の位相を、完全な逆位相と
したが、必ずしもこのようにしなくとも良い。さらに、
処理内容如何では、第１プラズマＡ１と第２プラズマＡ
２とのパワーが相違するように構成しても差し支えな
い。
ズマ発生用ガスとして酸素ガスを用いたが、アルゴンガ
スなども同様に使用することができる。また、２つの高
周波電極に印可する交流電力の位相を、完全な逆位相と
したが、必ずしもこのようにしなくとも良い。さらに、
処理内容如何では、第１プラズマＡ１と第２プラズマＡ
２とのパワーが相違するように構成しても差し支えな
い。
【００４１】
【発明の効果】本発明では、以上のように構成したの
で、処理対象物の表裏両面を、真空容器から出し入れし
たり、反転させたりせずに、一度で処理することがで
き、生産性を向上することができる。
で、処理対象物の表裏両面を、真空容器から出し入れし
たり、反転させたりせずに、一度で処理することがで
き、生産性を向上することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における表面処理装
置の断面図
置の断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態における表面処理装
置の断面図
置の断面図
【図３】本発明の第２の実施の形態における表面処理装
置の断面図
置の断面図
【図４】本発明の第２の実施の形態における表面処理装
置の断面図
置の断面図
１ 真空容器 １３ 支持枠 １５ 第１高周波電極 １６ 第１高周波電源 １７ 第２高周波電極 １８ 第２高周波電源 ２２ 位相制御器
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｄ 21/304 ３４１ 21/302 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが
供給される真空容器と、前記真空容器の中段において処
理対象物の表裏両面が露呈するように処理対象物を支持
する支持手段とを備え、互いに対向する第１高周波電極
と第２高周波電極とを、前記支持手段上の処理対象物を
挟むように配置し、前記第１高周波電極と前記第２高周
波電極とに高周波電源を電気的に接続し、前記第１高周
波電極と前記第２高周波電極とに高周波の交流電力を印
可することにより処理対象物の表裏両面近傍にプラズマ
を生成するようにしたことを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２】前記第１高周波電極に印可される高周波の
交流電力と、前記第２高周波電極とに印可される高周波
の交流電力とには、位相のずれがあることを特徴とする
請求項１記載の表面処理装置。 - 【請求項３】減圧され、かつプラズマ発生用ガスが供給
された雰囲気中に、処理対象物をその表裏両面が露呈す
るように配置し、処理対象物を挟むように配置された第
１高周波電極と第２高周波電極とに、高周波の交流電力
を印可し、処理対象物の表裏両面近傍にプラズマを生成
してこの処理対象物の表裏両面の処理を行うことを特徴
とする表面処理装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP24584696A JP3196657B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
| US08/890,828 US6033586A (en) | 1996-09-18 | 1997-07-10 | Apparatus and method for surface treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24584696A JP3196657B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092599A true JPH1092599A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3196657B2 JP3196657B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=17139724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24584696A Expired - Fee Related JP3196657B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 表面処理装置及び表面処理方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6033586A (ja) |
| JP (1) | JP3196657B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102560636B (zh) * | 2010-12-14 | 2016-03-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备 |
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| US4724296A (en) * | 1986-02-28 | 1988-02-09 | Morley John R | Plasma generator |
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| KR0184675B1 (ko) * | 1991-07-24 | 1999-04-15 | 이노우에 쥰이치 | 챔버내의 전극에 있어서의 실제의 rf파워를 검출 및 제어 가능한 플라즈마 처리장치 |
| US5462898A (en) * | 1994-05-25 | 1995-10-31 | Georgia Tech Research Corporation | Methods for passivating silicon devices at low temperature to achieve low interface state density and low recombination velocity while preserving carrier lifetime |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24584696A patent/JP3196657B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1997
- 1997-07-10 US US08/890,828 patent/US6033586A/en not_active Expired - Fee Related
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| EP1002888A3 (de) * | 1998-11-18 | 2002-11-20 | VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GmbH | Verfahren und Einrichtung zur Behandlung eines Substrates in einem Hochfrequenzplasma |
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| KR100746698B1 (ko) | 2005-09-13 | 2007-08-07 | 주식회사 피에스엠 | 이중주파수를 이용한 플라즈마 처리장치 및 방법 |
| JP2010061860A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Chube Univ | プラズマ生成装置 |
| WO2010074250A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置及び磁気記憶媒体の製造方法 |
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| WO2015125193A1 (ja) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置 |
| JPWO2015125193A1 (ja) * | 2014-02-21 | 2017-03-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6033586A (en) | 2000-03-07 |
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|---|---|---|---|
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