JPH1079631A - Charge pump circuit - Google Patents

Charge pump circuit

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JPH1079631A
JPH1079631A JP23159496A JP23159496A JPH1079631A JP H1079631 A JPH1079631 A JP H1079631A JP 23159496 A JP23159496 A JP 23159496A JP 23159496 A JP23159496 A JP 23159496A JP H1079631 A JPH1079631 A JP H1079631A
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JP
Japan
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voltage
current
pull
holding capacitor
time
Prior art date
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Withdrawn
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JP23159496A
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Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Ishikawa
明彦 石川
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To shorten the setting time of an automatic gain control(AGC) by providing a control means for controlling charge/discharge at a voltage holding capacitor. SOLUTION: In the charge pump circuit to be used for an AGC part, switches SW1, SW2 are controlled so as to be turned on/off by a control signal. One end of the switch SW1 is connected to a constant current source 13 and the other end is connected to a voltage holding capacitor CP. One end of the switch SW2 is connected to a constant current source 21 and the other end is connected to the capacitor CP. A current Icf allowed to flow from the source 13 is added to a charging current Ic allowed to flow into an FET Q1 as a charging current. A current Idf led from the source 21A is added to a discharging current Id allowed to flow into a constant current source 12 as a discharging current. The switching of currents from these current sources is executed by a control signal. Thus the setting time can be speeded up by increasing the charging current Ic and the discharging current Id.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はチャージポンプ回路
に関し、更に詳しくはAGC(自動ゲイン制御)部に用
いられるチャージポンプ回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charge pump circuit, and more particularly, to a charge pump circuit used in an AGC (automatic gain control) unit.

【0002】現在、コンピュータで使用されている磁気
記録装置は、ユーザのニーズに応え、より小型化され、
高速アクセスの可能なリード/ライト方式が盛んに用い
られている。中でも、リード系のAGC部では、高密度
化の要求により、より速い引き込み時間を実現するため
の回路が必要となってきている。
[0002] Currently, magnetic recording devices used in computers have been miniaturized to meet the needs of users.
A read / write method capable of high-speed access is widely used. In particular, in the read AGC section, a circuit for realizing a faster pull-in time is required due to a demand for higher density.

【0003】[0003]

【従来の技術】従来より磁気記録系に用いられているA
GCは、波形保持(ホールド動作)等を行なうために、
チャージポンプ回路を使用したAGC回路が盛んに用い
られている。図8はAGC回路の概念図である。図にお
いて、1はゲインコントロールアンプ(GCA)で、該
アンプ1は電圧制御信号VCNTによりそのゲインがコ
ントロールされる。GCAI端子とXGCAI端子から
入力される信号は、該アンプ1により、増幅された後、
GCAO端子とXGCAO端子から出力として取り出さ
れる。
2. Description of the Related Art Conventionally, A
The GC is used to hold a waveform (hold operation) and the like.
AGC circuits using a charge pump circuit are widely used. FIG. 8 is a conceptual diagram of the AGC circuit. In the figure, reference numeral 1 denotes a gain control amplifier (GCA), the gain of which is controlled by a voltage control signal VCNT. Signals input from the GCAI terminal and the XGCAI terminal are amplified by the amplifier 1,
It is taken out as an output from the GCAO terminal and the XGCAO terminal.

【0004】2は該ゲインコントロールアンプ1に制御
信号VCNTを与える制御電圧発生器である。該制御電
圧発生器2は、出力信号を受けてその出力が一定になる
ような制御信号VCNTをアンプ1に与える。CPは、
制御電圧発生器2の出力を保持する電圧ホールド用コン
デンサである。前記したチャージポンプ回路は、制御電
圧発生器2に用いられるものである。
A control voltage generator 2 supplies a control signal VCNT to the gain control amplifier 1. The control voltage generator 2 receives the output signal and supplies a control signal VCNT to the amplifier 1 so that the output becomes constant. CP is
This is a voltage holding capacitor that holds the output of the control voltage generator 2. The charge pump circuit described above is used for the control voltage generator 2.

【0005】図9は従来のチャージポンプ回路の構成例
を示す図である。図において、11はVin端子とXV
in端子から入力される交流信号を整流する全波整流回
路である。該全波整流回路10には直流基準値VPKが
与えられている。11は該全波整流回路10の出力をそ
の一方の入力に、フィードバック信号を他方の入力に受
けるアンプ、Q1は該アンプ11により駆動される電圧
制御素子としてのFETである。12はFETQ1の他
方と接続される第1の定電流源である。該FETQ1の
一端は、電源Vに接続され、他端は該定電流源12に接
続されている。FETQ1と定電流源12の接続点から
前記アンプ11のフィードバック信号が取り出されてい
る。定電流源12の他端はグランド(GND)に接続さ
れている。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration example of a conventional charge pump circuit. In the figure, 11 is a Vin terminal and XV
This is a full-wave rectifier circuit that rectifies an AC signal input from the in terminal. The full-wave rectifier circuit 10 is provided with a DC reference value VPK. An amplifier 11 receives the output of the full-wave rectifier circuit 10 at one input and a feedback signal at the other input, and Q1 is a FET as a voltage control element driven by the amplifier 11. Reference numeral 12 denotes a first constant current source connected to the other of the FET Q1. One end of the FET Q1 is connected to the power supply V, and the other end is connected to the constant current source 12. A feedback signal of the amplifier 11 is extracted from a connection point between the FET Q1 and the constant current source 12. The other end of the constant current source 12 is connected to ground (GND).

【0006】CPは、前述した電圧ホールド用コンデン
サであり、FETQ1と定電流源12との接続点に接続
されている。該コンデンサCPの他端はグランドに接地
されている。13は第2の定電流源、SW1は該定電流
源13と接続されるスイッチである。定電流源13の他
端は電圧Vと接続されている。前記スイッチSW1の他
端は、コンデンサCPと接続されている。該スイッチS
W1は制御信号によりオン/オフ制御される。そして、
電圧ホールド用コンデンサCPから出力電圧VPが取り
出されるようになっている。このように構成された回路
の動作を説明すると、以下の通りである。
The voltage holding capacitor CP is connected to a connection point between the FET Q 1 and the constant current source 12. The other end of the capacitor CP is grounded. 13 is a second constant current source, and SW1 is a switch connected to the constant current source 13. The other end of the constant current source 13 is connected to the voltage V. The other end of the switch SW1 is connected to a capacitor CP. The switch S
W1 is on / off controlled by a control signal. And
The output voltage VP is extracted from the voltage holding capacitor CP. The operation of the circuit thus configured will be described as follows.

【0007】図10はAGCの引き込み時間特性を示す
図、図11はAGCの引き込み動作の説明図である。図
11において、(a)は引き込み時、(b)は平衡時の
各部の波形を示している。これら図において、aはアン
プ11の入力信号、bはアンプ11の出力信号、cは電
圧ホールド用コンデンサCPのホールド電圧VPを示し
ている。図10において、横軸は時間(t)、縦軸は電
圧ホールド用コンデンサCPにかかる電圧VPである。
FIG. 10 is a diagram showing an AGC pull-in time characteristic, and FIG. 11 is an explanatory diagram of an AGC pull-in operation. In FIG. 11, (a) shows the waveform at the time of pulling in, and (b) shows the waveform of each part at the time of equilibrium. In these figures, a indicates the input signal of the amplifier 11, b indicates the output signal of the amplifier 11, and c indicates the hold voltage VP of the voltage holding capacitor CP. In FIG. 10, the horizontal axis represents time (t), and the vertical axis represents the voltage VP applied to the voltage holding capacitor CP.

【0008】今、全波整流回路10の入力Vin>VP
Kの時、FETQ1に流れる電流をIc、定電流源12
に流れる電流をIdとすると、Ic−Idの充電電流が
コンデンサCPに充電される。この結果、VPの電位は
上昇する(V+)。また、Vin<VPKの時は、FE
TQ1はカットオフし、放電電流Idのみが流れ、コン
デンサCPの電荷が放電される。従って、この時のVP
の電位は下降する(V−)。充電時の電圧VP+と放電
時のVP−は、それぞれ下の式に示すようなものとな
る。
Now, input Vin> VP of full-wave rectifier circuit 10
In the case of K, the current flowing through the FET Q1 is Ic, and the constant current source 12
Is a current flowing through the capacitor CP, a charging current of Ic-Id is charged in the capacitor CP. As a result, the potential of VP increases (V +). When Vin <VPK, FE
TQ1 is cut off, only the discharge current Id flows, and the charge of the capacitor CP is discharged. Therefore, the VP at this time
Is lowered (V−). The voltage VP + at the time of charging and VP- at the time of discharging are as shown in the following equations.

【0009】 VP+=(Ic−Id)・T1/CP (1) VP−=Id・T2/CP (2) ΔTP=T1+T2 (3) ここで、ΔTPは、図11の(a)に示すように充電期
間T1と放電期間T2を合わせたもので、1周期を示
す。
VP + = (Ic−Id) · T1 / CP (1) VP− = Id · T2 / CP (2) ΔTP = T1 + T2 (3) where ΔTP is as shown in FIG. The sum of the charging period T1 and the discharging period T2 indicates one cycle.

【0010】図11において、(a)の不平衡状態で
は、入力信号a(全波整流回路10の出力)が基準電圧
VPKより大きい期間があり、この期間T1ではアンプ
11の出力bは図に示すように前記領域に対応してパル
ス状となる。このアンプ11の出力bによりFETQ1
はオンとなり、Ic−Idの差分だけ電圧ホールド用コ
ンデンサCPを充電する。図11の(a)のVP+がこ
の期間T1に上昇した電圧となる。期間T1を過ぎると
期間T2となり、FETQ1はカットオフされ、今度は
放電モードとなる。つまり、電圧ホールド用コンデンサ
CPに蓄積されていた電荷が定電流源12から流れ出
し、電圧VPは、下降していく。図11の(a)のVP
−がこの期間T2で下降した電圧となる。
In FIG. 11, in the unbalanced state (a), there is a period during which the input signal a (the output of the full-wave rectifier circuit 10) is higher than the reference voltage VPK, and during this period T1, the output b of the amplifier 11 is shown in FIG. As shown, a pulse is formed corresponding to the region. The output b of the amplifier 11 causes the FET Q1
Turns on, and charges the voltage holding capacitor CP by the difference of Ic-Id. VP + in FIG. 11A is the voltage that has increased during this period T1. After the period T1, the period becomes the period T2, the FET Q1 is cut off, and the discharge mode is set. That is, the electric charge accumulated in the voltage holding capacitor CP flows out of the constant current source 12, and the voltage VP decreases. VP of FIG.
− Is the voltage dropped in this period T2.

【0011】期間T2が過ぎると、再び次の期間T1の
充電モードとなり、その間電圧ホールド用コンデンサC
Pの電荷はVP+だけ上昇する。その後の、期間T2の
放電モードでは、電圧がVP−だけ下降する。このよう
な動作を繰り返しながら、電圧ホールド用コンデンサC
Pのホールドする電圧VPは漸次上昇していく。
After the period T2 has passed, the charging mode is set again in the next period T1, during which the voltage holding capacitor C
The charge on P rises by VP +. In the subsequent discharge mode in the period T2, the voltage decreases by VP-. While repeating such operations, the voltage holding capacitor C
The voltage VP held by P gradually increases.

【0012】次に、電圧VPが上昇していくと、(b)
に示すように信号aが基準電圧VPKよりも大きい期間
が少なくなってくる。従って、アンプ11の出力パルス
も(b)に示すように極めて幅の狭いものとなり、この
期間T1の充電による電圧上昇値VP+も小さくなる。
一方、期間T2になると、電圧ホールド用コンデンサC
Pの電圧は下降していく。そして、期間T1に切り替わ
った時の電圧ホールド用コンデンサCPの電圧値は、1
周期前のホールド電圧とほぼ等しくなる。つまり、何周
期充放電を繰り返しても、電圧ホールド用コンデンサC
Pのホールド電圧VPは不変とななる。つまり、この
(b)の状態は平衡モードとなる。この平衡モードで
は、(a)に示す周期間の不平衡モードでの電圧の上昇
分ΔVPが0になる。図10のΔTが引き込み領域(引
き込み時間)であり、VPが一定の領域は平衡領域とな
る。
Next, as the voltage VP rises, (b)
As shown in the figure, the period during which the signal a is higher than the reference voltage VPK decreases. Therefore, the output pulse of the amplifier 11 is also extremely narrow as shown in FIG. 3B, and the voltage rise value VP + due to charging during this period T1 is also small.
On the other hand, in the period T2, the voltage holding capacitor C
The voltage of P decreases. When the voltage is switched to the period T1, the voltage value of the voltage holding capacitor CP is 1
It becomes almost equal to the hold voltage before the cycle. That is, no matter how many cycles of charging and discharging, the voltage holding capacitor C
The hold voltage VP of P becomes unchanged. That is, this state (b) is the equilibrium mode. In this balanced mode, the voltage increase ΔVP in the unbalanced mode during the period shown in FIG. ΔT in FIG. 10 is a pull-in region (pull-in time), and a region where VP is constant is an equilibrium region.

【0013】ここで、このチャージポンプ回路の非動作
時→動作時の引き込み時間について考えてみる。先ず、
図9に示す回路で、チャージポンプが非動作の時(Vi
nが未入力時)、電圧ホールド用コンデンサCPのホー
ルドする電圧VPは殆どグランド電位にある。次に、チ
ャージポンプが動作し始めると、VP+の増加分ΔVP
+と、VP−の減少分ΔVP−が等しくなる。つまり、
ΔVP+=ΔVP−となり、ループが平衡状態になる。
このように、VP=グランド電位が、ΔVP+=ΔVP
−になるまでの時間がAGCの引き込み時間となる。
Here, consider the pull-in time from non-operation to operation of the charge pump circuit. First,
In the circuit shown in FIG. 9, when the charge pump is not operating (Vi
When n is not input), the voltage VP held by the voltage holding capacitor CP is almost at the ground potential. Next, when the charge pump starts operating, the increase ΔVP of VP +
+ And the decrease ΔVP− of VP− become equal. That is,
ΔVP + = ΔVP−, and the loop is in an equilibrium state.
As described above, VP = ground potential becomes ΔVP + = ΔVP
The time until-becomes the AGC pull-in time.

【0014】図10は、このチャージポンプの引き込み
特性を表している。この時の引き込み時間ΔTを式で表
わすと以下のようになる。先ず、図10,図11より ΔVP=(VP+)−(VP−) (4) となる。この時のΔV,ΔTの変化に対しての電流をi
として、 ΔV=i・ΔT/CP (5) ΔV=(ΔT/ΔTP)・ΔVP (6) (6)式を(5)式に代入して(1)〜(3)式より電
流iを求めると、
FIG. 10 shows the pull-in characteristic of this charge pump. The pull-in time ΔT at this time is expressed by the following equation. First, from FIGS. 10 and 11, ΔVP = (VP +) − (VP−) (4). The current corresponding to the change in ΔV and ΔT at this time is represented by i
ΔV = i · ΔT / CP (5) ΔV = (ΔT / ΔTP) · ΔVP (6) Substituting the equation (6) into the equation (5) to obtain the current i from the equations (1) to (3) When,

【0015】[0015]

【数1】 (Equation 1)

【0016】となり、通常の引き込み時間ΔTは、The normal pull-in time ΔT is

【0017】[0017]

【数2】 (Equation 2)

【0018】となる。これにより、従来の引き込み時間
短縮の工夫を式で示すと、
## EQU1 ## By this, the formula for the conventional method of shortening the pull-in time can be expressed as

【0019】[0019]

【数3】 (Equation 3)

【0020】となる。(9)式のIcfは、スイッチS
W1を介して定電流源13から電圧ホールド用コンデン
サCPに注入される充電電流である。つまり、従来の回
路は、引き込み時に充電電流Icに引き込み時にだけ大
電流Icfを流し込むことにより、引き込み時間の短縮
を図っている。なお、この引き込み時間短縮のための大
電流は、外部のハードディスクコントローラ(図示せ
ず)からの制御信号により制御され、適度な時間を設定
可能なようになっている。
## EQU1 ## Icf in equation (9) is the switch S
This is a charging current injected from the constant current source 13 into the voltage holding capacitor CP via W1. That is, in the conventional circuit, a large current Icf is applied only to the charging current Ic at the time of pull-in, thereby shortening the pull-in time. The large current for shortening the pull-in time is controlled by a control signal from an external hard disk controller (not shown) so that an appropriate time can be set.

【0021】[0021]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように、大電流(Icf)の加算時間を一定とした
時、素子ばらつき等により過剰充電という現象が起こ
り、かえって引き込み時間が長くなるという現象が発生
する。図12は従来回路の引き込み時間特性例を示す図
である。横軸は時間(t)、縦軸は電圧ホールド用コン
デンサCPのホールド電圧VPである。f1は通常の引
き込み特性、f2は通常の高速引き込み、f3はばらつ
きによる過剰電流が流れた時の特性を示す。通常は、大
電流Icfを流すことにより、f2に示すような特性と
なるが、ばらつきによりf3に示すような特性を示すこ
とがある。このようなオーバシュートのために、引き込
み時間はかえって長くなってしまう。
However, as described above, when the addition time of the large current (Icf) is fixed, the phenomenon of overcharging occurs due to element variation and the like, and the phenomenon that the pull-in time becomes longer is rather increased. Occur. FIG. 12 is a diagram showing an example of a pull-in time characteristic of a conventional circuit. The horizontal axis represents time (t), and the vertical axis represents the hold voltage VP of the voltage holding capacitor CP. f1 indicates a normal pull-in characteristic, f2 indicates a normal high-speed pull-in, and f3 indicates a characteristic when an excessive current flows due to variation. Normally, when a large current Icf is applied, the characteristic shown in f2 is obtained, but the characteristic shown in f3 may be exhibited due to variation. Due to such overshoot, the pull-in time is rather long.

【0022】次に、その素子のばらつきによる過剰充電
について説明する。特にCMOS素子は、製造ばらつ
き,及び特に温度変動により30〜40%の電流ばらつ
きを持つ。そして、この場合、図9より制御信号をオン
して大電流Icfにより高速引き込みを行なうと、制御
信号のオン時間はリアルタイムには変化しないので、温
度変動,電源変動等で生じるCMOS素子の電流ばらつ
きを吸収することができない。この時のCMOS素子の
電流ばらつきを過剰電流としている。このばらつきによ
る過剰電流のために図12に示すようにオーバシュート
(リンギング)をもち、かえって引き込み時間が長くな
ってしまう。
Next, a description will be given of overcharging due to variations in the elements. In particular, CMOS devices have a current variation of 30 to 40% due to manufacturing variations and especially temperature variations. In this case, if the control signal is turned on as shown in FIG. 9 and the high-speed pull-in is performed by the large current Icf, the on-time of the control signal does not change in real time. Can not be absorbed. The current variation of the CMOS element at this time is defined as an excess current. Due to the excessive current due to this variation, overshoot (ringing) occurs as shown in FIG. 12, and the pull-in time becomes longer.

【0023】このように、図9に示す回路でチャージポ
ンプ回路を構成すると、引き込み時間は(8)式のよう
になりCPとT1・Ic/(T1+T2)−Idの関係
で、ΔTを操作することになる。例えば、充電電流Ic
を大電流にすることにより引き込み時間は速くなるが、
この方法は充電方向のみの大電流であるので、前述した
素子ばらつき等で生じる問題を伴い、かえって引き込み
時間に時間がかかってしまう。
When the charge pump circuit is constituted by the circuit shown in FIG. 9, the pull-in time becomes as shown in equation (8), and .DELTA.T is manipulated according to the relationship between CP and T1.Ic / (T1 + T2) -Id. Will be. For example, the charging current Ic
By making the current large, the pull-in time becomes faster,
Since this method uses a large current only in the charging direction, it involves a problem caused by the above-described device variation and the like, and rather takes a long time for the pull-in.

【0024】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであって、AGCの引き込み時間を確実に短くする
ことができるチャージポンプ回路を提供することを目的
としている。
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a charge pump circuit capable of reliably shortening the AGC pull-in time.

【0025】[0025]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

(1)図1は本発明の原理ブロック図である。図9と同
一のものは、同一の符合を付して示す。図において、1
1は入力を受けるアンプ、Q1は該アンプ11で駆動さ
れる電圧制御素子、12は該電圧制御素子Q1に接続さ
れる定電流源、CPは前記電圧制御素子Q1とグランド
間に接続される電圧ホールド用コンデンサCPで、これ
ら回路によりチャージポンプ回路を構成している。20
は前記電圧ホールド用コンデンサCPに、引き込み時間
を制御するための充放電の制御を行なう制御手段であ
る。該制御手段20には制御信号が与えられるようにな
っている。
(1) FIG. 1 is a principle block diagram of the present invention. The same components as those in FIG. 9 are denoted by the same reference numerals. In the figure, 1
1 is an amplifier receiving an input, Q1 is a voltage control element driven by the amplifier 11, 12 is a constant current source connected to the voltage control element Q1, and CP is a voltage connected between the voltage control element Q1 and ground. These circuits constitute a charge pump circuit with the hold capacitor CP. 20
Is control means for controlling charging / discharging for controlling the pull-in time of the voltage holding capacitor CP. The control means 20 is provided with a control signal.

【0026】この発明の構成によれば、前記制御手段2
0が電圧ホールド用コンデンサCPへの充放電の電流の
切り替えと、電圧ホールド用コンデンサCPへ印加する
電圧を制御することにより、電圧ホールド用コンデンサ
CPでホールドされる電圧を制御し、引き込み時間を確
実に短くすることができる。
According to the structure of the present invention, the control means 2
0 controls the voltage held by the voltage holding capacitor CP by switching the charging / discharging current to the voltage holding capacitor CP and controlling the voltage applied to the voltage holding capacitor CP, thereby ensuring the pull-in time. Can be shortened.

【0027】(2)この場合において、前記制御手段2
0は、予め予測される引き込み到達電圧を引き込みのタ
イミングで与えることを特徴としている。この発明の構
成によれば、前記制御手段20が、予め予測される引き
込み到達電圧を電圧ホールド用コンデンサCPに与える
ことにより、AGCの引き込み時間を確実に短くするこ
とができる。
(2) In this case, the control means 2
0 is characterized in that a predicted attainment attainment voltage is given at the timing of attraction. According to the configuration of the present invention, the control unit 20 applies the predicted attainment attainment voltage to the voltage holding capacitor CP, so that the AGC attraction time can be reliably reduced.

【0028】(3)また、前記制御手段20は、予め前
の引き込み到達電圧をディジタル信号に変換して記憶
し、該記憶されたデータをアナログ信号に変換して引き
込みのタイミングで前記電圧ホールド用コンデンサに与
えることを特徴としている。
(3) Further, the control means 20 converts the previously-obtained attained voltage into a digital signal and stores it in advance, converts the stored data into an analog signal, and converts the stored data into an analog signal at the timing of the pull-in. It is characterized by being given to a capacitor.

【0029】本発明の構成によれば、前の引き込み到達
電圧をディジタル信号として記憶しておき、引き込み時
にこのデータをアナログ電圧に変換して電圧ホールド用
コンデンサCPに与えることにより、AGCの引き込み
時間を確実に短くすることができる。
According to the structure of the present invention, the voltage attained by the previous attraction is stored as a digital signal, and at the time of attraction, this data is converted into an analog voltage and applied to the voltage holding capacitor CP, thereby obtaining the AGC attraction time. Can be reliably shortened.

【0030】(4)更に、前記制御手段20をアナログ
回路のサンプルホールド回路で実現することを特徴とし
ている。この発明の構成によれば、サンプルホールド回
路により、前の引き込み到達電圧をホールドしておき、
引き込み時にこの電圧を電圧ホールド用コンデンサCP
に与えることにより、AGCの引き込み時間を確実に短
くすることができる。
(4) The control means 20 is realized by a sample and hold circuit of an analog circuit. According to the configuration of the present invention, the previous pull-in reaching voltage is held by the sample and hold circuit,
This voltage is applied to the voltage holding capacitor CP
, It is possible to reliably shorten the AGC pull-in time.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態例を詳細に説明する。図2は本発明の第1の実
施の形態例を示す回路図である。図1,図9と同一のも
のは、同一の符合を付して示す。図において、13は充
電用電流Icfを流す定電流源、SW1は制御信号によ
りオン/オフ制御されるスイッチ、21は放電電流Id
fを流す定電流源、SW2は制御信号によりオン/オフ
制御されるスイッチである。スイッチSW1の一端は定
電流源13に接続され、他端は電圧ホールド用コンデン
サCPに接続されている。スイッチSW2の一端は定電
流源21に接続され多他端は電圧ホールド用コンデンサ
CPに接続されている。定電流源13の他端は電圧Vに
接続され、定電流源21の他端はグランド(GND)に
接続されている。そして、定電流源13,21,スイッ
チSW1,SW2とで本発明の制御手段20を構成して
いる。ここでは、電圧制御素子Q1としては、Pチャネ
ルのFETが用いられている。このように構成された回
路の動作を説明すれば、以下の通りである。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. 1 and 9 are denoted by the same reference numerals. In the figure, reference numeral 13 denotes a constant current source through which a charging current Icf flows, SW1 denotes a switch that is turned on / off by a control signal, and 21 denotes a discharge current Id.
A constant current source for flowing f, and a switch SW2 is turned on / off by a control signal. One end of the switch SW1 is connected to the constant current source 13, and the other end is connected to the voltage holding capacitor CP. One end of the switch SW2 is connected to the constant current source 21 and the other end is connected to the voltage holding capacitor CP. The other end of the constant current source 13 is connected to the voltage V, and the other end of the constant current source 21 is connected to ground (GND). The control means 20 of the present invention is constituted by the constant current sources 13 and 21 and the switches SW1 and SW2. Here, a P-channel FET is used as the voltage control element Q1. The operation of the circuit thus configured will be described as follows.

【0032】本発明は、引き込み時間を充電電流Icと
放電電流Idの増大により高速化するものである。つま
り、充電電流IcをFETQ1に流れるものに加えて、
定電流源13から流すIcfを充電電流とし、放電電流
Idを、定電流源12に流れるものに加えて、定電流源
21から引き込む電流Idfを放電電流としている。こ
れら電流源の電流の切り替えを、制御信号により行な
う。
According to the present invention, the pull-in time is increased by increasing the charging current Ic and the discharging current Id. That is, in addition to the charging current Ic flowing through the FET Q1,
The Icf flowing from the constant current source 13 is a charging current, the discharging current Id is a current flowing through the constant current source 12, and the current Idf drawn from the constant current source 21 is a discharging current. Switching of the currents of these current sources is performed by a control signal.

【0033】本発明による引き込み時間ΔTは、(9)
式を参照して以下のようになる。
The pull-in time ΔT according to the present invention is given by (9)
With reference to the formula:

【0034】[0034]

【数4】 (Equation 4)

【0035】この時、Ic>>Id Ic:Id=Icf:Idf (11) とする。(10)式より明らかなように、充電電流はI
cとIcfの加算となり、放電電流はIdとIdfの加
算となり、電流の変化を速めていることが分かる。本発
明では、期間T1の充電モードでは、スイッチSW1が
オン、スイッチSW2がオフ、期間T2の放電モードで
は、スイッチSW1がオフ、スイッチSW2がオンとな
る。これにより、充放電時間が速まり、高速動作が可能
となる。
At this time, it is assumed that Ic >> Id Ic: Id = Icf: Idf (11) As is apparent from equation (10), the charging current is I
It can be seen that the sum of c and Icf is added, and the discharge current is the sum of Id and Idf, thereby accelerating the change in current. In the present invention, in the charging mode in the period T1, the switch SW1 is turned on and the switch SW2 is turned off. In the discharging mode in the period T2, the switch SW1 is turned off and the switch SW2 is turned on. As a result, the charging / discharging time is shortened, and high-speed operation becomes possible.

【0036】例えば、制御信号によるスイッチ制御によ
り(8)式で示す従来モードと、(11)式に示す本発
明動作とについて比較する。(8)式で示す従来モード
時の場合と比較すると、(11)式で示すように、充放
電両方ともに従来モードの電流比と同じだけの比率で大
電流を流しているので、温度,電源変動等の素子のばら
つきの方向が同一方向となり、素子ばらつきにより過剰
電流が流れることは妨げられ、過剰電流によるオーバシ
ュートは妨げられる。このように、この実施の形態例に
よれば、前記制御手段20が電圧ホールド用コンデンサ
CPへの充放電の電流の切り替えを制御することによ
り、電圧ホールド用コンデンサCPでホールドされる電
圧を制御し、引き込み時間を確実に短くすることができ
る。
For example, a comparison will be made between the conventional mode shown by the equation (8) and the operation of the present invention shown by the equation (11) by the switch control by the control signal. Compared with the case of the conventional mode shown by the equation (8), as shown by the equation (11), both the charge and the discharge flow a large current at the same ratio as the current ratio in the conventional mode. The direction of the variation of the elements such as the variation is in the same direction, and the excess current is prevented from flowing due to the variation of the elements, and the overshoot due to the excess current is prevented. As described above, according to this embodiment, the control means 20 controls the switching of the current for charging / discharging the voltage holding capacitor CP, thereby controlling the voltage held by the voltage holding capacitor CP. In addition, the pull-in time can be reliably reduced.

【0037】図3は本発明の第2の実施の形態例を示す
回路図である。図2と同一のものは、同一の符合を付し
て示す。図において、22は予測される引き込み到達電
圧VPに近い電圧Vpfを発生する電圧源、SW3は該
電圧源22の発生電圧を電圧ホールド用コンデンサCP
に与えるスイッチで、このスイッチSW3のオン/オフ
は制御信号により制御される。電圧源22とスイッチS
W3とで制御手段20を構成している。このように構成
された回路の動作を説明すれば、以下の通りである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. In the figure, reference numeral 22 denotes a voltage source that generates a voltage Vpf close to the predicted attainment voltage VP, and SW3 denotes a voltage generated by the voltage source 22 by a voltage holding capacitor CP.
The on / off of the switch SW3 is controlled by a control signal. Voltage source 22 and switch S
The control means 20 is constituted by W3. The operation of the circuit thus configured will be described as follows.

【0038】引き込みのタイミングに同期して、スイッ
チSW3をオンにする。この結果、コンデンサCPへ電
圧Vpfが印加されることになり、回路はこのVpfを
初期値して引き込み動作を行なう。従って、引き込み到
達電圧VPに速やかに到達するので、引き込み時間が大
幅に短縮され、高速動作が可能になる。
The switch SW3 is turned on in synchronization with the pull-in timing. As a result, the voltage Vpf is applied to the capacitor CP, and the circuit performs the pull-in operation with this Vpf as an initial value. Therefore, since the voltage reaches the attainment attainment voltage VP quickly, the attraction time is greatly reduced, and high-speed operation becomes possible.

【0039】図4は第2の実施の形態例の引き込み時間
特性例を示す図である。横軸は時間(t)、縦軸は電圧
ホールド用コンデンサCPのホールド電圧VPである。
図のf1は従来の引き込み特性、f2は本発明による高
速引き込み特性である。即ち、引き込み領域に入った
ら、スイッチSW3をオンにして電圧ホールド用コンデ
ンサCPに与えることにより、ホールド電圧はVpfか
ら到達電圧VPに向かって変化し、速やかに到達電圧V
Pに到達するので、到達電圧VPに至るまでの時間が極
めて高速化されていることが分かる。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a pull-in time characteristic according to the second embodiment. The horizontal axis represents time (t), and the vertical axis represents the hold voltage VP of the voltage holding capacitor CP.
In the drawing, f1 is the conventional pull-in characteristic, and f2 is the high-speed pull-in characteristic according to the present invention. In other words, when entering the pull-in area, the switch SW3 is turned on and applied to the voltage holding capacitor CP, whereby the hold voltage changes from Vpf toward the attained voltage VP, and quickly reaches the attained voltage Vp.
Since it reaches P, it can be seen that the time required to reach the reached voltage VP has been significantly increased.

【0040】この実施の形態例によれば、前記制御手段
20が、予め予測される引き込み到達電圧を電圧ホール
ド用コンデンサCPに与えることにより、引き込み時間
を確実に短くすることができる。
According to this embodiment, the control means 20 applies the predicted attained attainment voltage to the voltage holding capacitor CP, so that the attraction time can be reliably reduced.

【0041】図5は本発明の第3の実施の形態例を示す
回路図である。図において、23は電圧ホールド用コン
デンサCPのホールド電圧をディジタルデータに変換す
るA/D変換器、24は該A/D変換器23により変換
されたディジタルデータを記憶するメモリ、24は該メ
モリ24の出力データをアナログ電圧信号に変換するD
/A変換器である。SW3は、該D/A変換器25の出
力を電圧ホールド用コンデンサに与えるスイッチであ
る。これらA/D変換器23,メモリ24,D/A変換
器25及びスイッチSW3とで制御手段20を構成して
いる。このように構成された回路の動作を説明すれば、
以下の通りである。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 23 denotes an A / D converter for converting the hold voltage of the voltage holding capacitor CP into digital data, reference numeral 24 denotes a memory for storing the digital data converted by the A / D converter 23, and reference numeral 24 denotes the memory 24. D that converts the output data of D into an analog voltage signal
/ A converter. SW3 is a switch for applying the output of the D / A converter 25 to the voltage holding capacitor. The A / D converter 23, the memory 24, the D / A converter 25, and the switch SW3 constitute the control means 20. To explain the operation of the circuit configured as described above,
It is as follows.

【0042】この回路は、A/D変換器23,メモリ2
4及びD/A変換器25とで、図3に示す予測される引
き込み到達電圧を発生する電圧源22と同じ働きをす
る。即ち、ホールド用コンデンサCPにホールドされて
いる1周期前の電圧VPをA/D変換器23でディジタ
ルデータに変換し、メモリ24に記憶させておく。そし
て、今回の周期の引き込みのタイミングでD/A変換器
25でメモリ24に記憶されているデータをアナログ電
圧に変換し、この電圧をSW3を介して電圧ホールド用
コンデンサCPに初期値Vpfとして与える。これによ
り、回路は予めコンデンサCPに与えた電圧から引き込
み動作を開始するから、図3に示す第2の実施の形態例
と同じく、引き込み到達電圧VPに速やかに到達するこ
とができる。そして、この回路の特性も、図4に示す特
性と同じである。
This circuit comprises an A / D converter 23, a memory 2
4 and the D / A converter 25 have the same function as the voltage source 22 for generating the predicted attained voltage shown in FIG. That is, the A / D converter 23 converts the voltage VP one cycle before held by the holding capacitor CP into digital data, and stores the digital data in the memory 24. Then, the data stored in the memory 24 is converted into an analog voltage by the D / A converter 25 at the pull-in timing of the current cycle, and this voltage is given to the voltage holding capacitor CP as the initial value Vpf via SW3. . Thus, since the circuit starts the pull-in operation from the voltage previously applied to the capacitor CP, it is possible to quickly reach the pull-in voltage VP as in the second embodiment shown in FIG. The characteristics of this circuit are the same as the characteristics shown in FIG.

【0043】この実施の形態例によれば、前の引き込み
到達電圧をディジタル信号として記憶しておき、引き込
み時にこのデータをアナログ電圧に変換して電圧ホール
ド用コンデンサCPに与えることにより、引き込み時間
を確実に短くすることができる。
According to this embodiment, the previous attainment voltage is stored as a digital signal, and at the time of attraction, this data is converted into an analog voltage and applied to the voltage holding capacitor CP, thereby reducing the attraction time. It can be reliably shortened.

【0044】図5の実施の形態例では、電圧源をA/D
変換器23,メモリ24及びD/A変換器25とで構成
した場合(破線で囲った部分)を示した。代わりに、こ
の破線で囲った部分をアナログのサンプルホールド回路
で実現することができる。サンプルホールド回路は、図
6に示すように、ホールド電圧VPを受けるバッファア
ンプ26と、該バッファアンプ26の出力を受けてサン
プリングするサンプリングスイッチSW4と、該サンプ
リングスイッチSW4でサンプルした電圧をホールドす
るホールドコンデンサC1より構成されている。引き込
みタイミングに合わせて、制御信号によりスイッチSW
4をオンにして引き込み到達電圧VPをサンプルする。
サンプルされた電圧は、ホールドコンデンサC1に保持
される。以上の動作は、図5の破線で囲った部分と同じ
働きである。
In the embodiment of FIG. 5, the voltage source is A / D
The case where it is composed of the converter 23, the memory 24 and the D / A converter 25 (portion surrounded by a broken line) is shown. Instead, the portion enclosed by the broken line can be realized by an analog sample-and-hold circuit. As shown in FIG. 6, the sample-and-hold circuit includes a buffer amplifier 26 that receives a hold voltage VP, a sampling switch SW4 that receives and samples an output of the buffer amplifier 26, and a hold that holds a voltage sampled by the sampling switch SW4. It is composed of a capacitor C1. In accordance with the pull-in timing, switch SW
4 is turned on to sample the attainment voltage VP.
The sampled voltage is held in the hold capacitor C1. The above operation has the same function as the portion surrounded by the broken line in FIG.

【0045】この実施の形態例によれば、サンプルホー
ルド回路により、前の引き込み到達電圧をホールドして
おき、引き込み時にこの電圧を電圧ホールド用コンデン
サCPに与えることにより、引き込み時間を確実に短く
することができる。
According to the present embodiment, the sampled-and-holded circuit holds the previous attained attainment voltage, and at the time of attraction, applies this voltage to the voltage holding capacitor CP, thereby reliably shortening the attraction time. be able to.

【0046】図7は本発明の具体的構成例を示す回路図
である。図の破線で囲った領域が本発明を特徴づける部
分である。図2と同一のものは、同一の符合を付して示
す。この実施の形態例は、図2の回路を具体的に示した
ものである。図の破線で囲った領域の回路は、例えばL
SIで実現することができる。図において、Q1はアン
プ11の出力を受けるPチャネルFET、Q2は該FE
TQ1と直列に接続されるNチャネルFET、Q3とQ
4及びQ6とQ7はアナログスイッチを構成するFET
である。FETQ1の一端は電圧Vに接続され、他端は
FETQ2に接続されている。FETQ2の他端はグラ
ンド(GND)に接地されている。FETQ2のゲート
には定電圧が印加され、該FETQ2をオンにしてい
る。この時のFETQ2のオン抵抗により、流れる電流
Idが決定され、該FETQ2は定電流源12(図2参
照)を構成している。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the present invention. The region surrounded by the broken line in the figure is a portion characterizing the present invention. The same components as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. This embodiment specifically shows the circuit of FIG. The circuit in the area surrounded by the broken line in the figure is, for example, L
It can be realized by SI. In the figure, Q1 is a P-channel FET receiving the output of the amplifier 11, and Q2 is the FE
N-channel FETs Q3 and Q connected in series with TQ1
4 and Q6 and Q7 are FETs that constitute an analog switch
It is. One end of the FET Q1 is connected to the voltage V, and the other end is connected to the FET Q2. The other end of the FET Q2 is grounded to the ground (GND). A constant voltage is applied to the gate of the FET Q2 to turn on the FET Q2. The flowing current Id is determined by the on-resistance of the FET Q2 at this time, and the FET Q2 constitutes the constant current source 12 (see FIG. 2).

【0047】Q5はその一端が電源Vに接続されたPチ
ャネルFET、Q8はその一端が該FETQ5に接続さ
れるNチャネルFETである。そして、これらFETQ
5とQ8の接続点が電圧ホールド用コンデンサCPに接
続されている。アンプ11の出力はFETQ5,Q8の
接続点に接続されており、電圧ホールド用コンデンサC
Pに充電電流Icを流すようになっている。アンプ11
の出力は、Q3とQ4で構成されるアナログスイッチ
と、FETQ5のゲートに接続され、FETQ2に与え
られる定電圧は、Q6とQ7とで構成されるアナログス
イッチと、FETQ8のゲートに接続されている。FE
TQ5の他端は電圧Vに接続され、FETQ8の他端は
グランドに接地されている。
Q5 is a P-channel FET whose one end is connected to the power supply V, and Q8 is an N-channel FET whose one end is connected to the FET Q5. And these FETQ
The connection point between 5 and Q8 is connected to the voltage holding capacitor CP. The output of the amplifier 11 is connected to the connection point between the FETs Q5 and Q8, and the voltage holding capacitor C
The charging current Ic flows through P. Amplifier 11
Is connected to an analog switch composed of Q3 and Q4 and the gate of FET Q5, and a constant voltage applied to FET Q2 is connected to an analog switch composed of Q6 and Q7 and the gate of FET Q8. . FE
The other end of TQ5 is connected to voltage V, and the other end of FET Q8 is grounded.

【0048】25は制御信号を反転するインバータであ
る。そのままの制御信号は、FETQ4とQ6のゲート
に印加され、インバータ25による反転信号は、FET
Q3とQ7のゲートに印加され、交互にこれらアナログ
スイッチがオン/オフするようになっている。FETQ
5はFETQ1の、FETQ8はFETQ2のそれぞれ
ミラー回路を構成しており、FETQ1に流れる電流の
K倍の電流がFETQ2に流れ、FETQ2に流れる電
流のK倍の電流がFETQ8に流れる。即ち、FETQ
5とQ8は定電流源として動作する。従って、この実施
の形態例によれば、充放電電流両方ともに、図8に示す
通常モードの電流比と同じだけの比率で大電流を流して
いるので、温度,電源変動等の素子のばらつきの方向が
同一方向になり、素子ばらつきにより過剰電流が流れる
ことを防止することができ、過剰電流によるオーバシュ
ートの発生を防ぐことができる。これにより、AGCの
引き込み時間の短縮を図ることができる。
An inverter 25 inverts the control signal. The control signal as it is is applied to the gates of the FETs Q4 and Q6.
The analog switches are applied to the gates of Q3 and Q7 and turned on / off alternately. FETQ
5, a mirror circuit of the FET Q1 and a FET Q8 constitute a mirror circuit of the FET Q2. A current K times the current flowing through the FET Q1 flows through the FET Q2, and a current K times the current flowing through the FET Q2 flows through the FET Q8. That is, FETQ
5 and Q8 operate as a constant current source. Therefore, according to this embodiment, a large current flows at the same ratio as the current ratio of the normal mode shown in FIG. 8 for both the charging and discharging currents. Since the directions are the same, it is possible to prevent excess current from flowing due to element variation, and to prevent occurrence of overshoot due to excessive current. As a result, the AGC pull-in time can be reduced.

【0049】上述の実施の形態例では、電圧制御素子と
してFETを用いた場合を例にとったが、本発明はこれ
に限るものではなく、同様の機能をもつその他の能動素
子を用いることができる。
In the above-described embodiment, the case where the FET is used as the voltage control element is taken as an example. However, the present invention is not limited to this, and other active elements having the same function may be used. it can.

【0050】[0050]

【発明の効果】【The invention's effect】

(1)以上、詳細に説明したように、本発明によれば、
前記制御手段が電圧ホールド用コンデンサへの充放電の
電流の切り替えと、電圧ホールド用コンデンサCPへ印
加する電圧を制御することにより、電圧ホールド用コン
デンサでホールドされる電圧を制御し、引き込み時間を
確実に短くすることができる。
(1) As described in detail above, according to the present invention,
The control means controls the voltage held by the voltage holding capacitor by switching the charging / discharging current to the voltage holding capacitor and controlling the voltage applied to the voltage holding capacitor CP, thereby ensuring the pull-in time. Can be shortened.

【0051】(2)この場合において、前記制御手段
は、予め予測される引き込み到達電圧を引き込みのタイ
ミングで与えることにより、前記制御手段が、予め予測
される引き込み到達電圧を電圧ホールド用コンデンサに
与えることにより、AGCの引き込み時間を確実に短く
することができる。
(2) In this case, the control means gives the predicted attainment voltage at the timing of the attraction, so that the control means gives the attained attainment voltage at the voltage holding capacitor. As a result, the AGC pull-in time can be reliably reduced.

【0052】(3)また、前記制御手段は、予め前の引
き込み到達電圧をディジタル信号に変換して記憶し、該
記憶されたデータをアナログ信号に変換して引き込みの
タイミングで前記電圧ホールド用コンデンサに与えるこ
とにより、前の引き込み到達電圧をディジタル信号とし
て記憶しておき、引き込み時にこのデータをアナログ電
圧に変換して電圧ホールド用コンデンサに与えることに
より、AGCの引き込み時間を確実に短くすることがで
きる。
(3) In addition, the control means converts the previous voltage attained beforehand into a digital signal and stores it, converts the stored data into an analog signal, and converts the stored data into an analog signal at the timing of the pull-in. By storing the previous attained voltage as a digital signal, converting this data into an analog voltage at the time of pull-in and applying the data to the voltage holding capacitor, the AGC pull-in time can be reliably shortened. it can.

【0053】(4)更に、前記制御手段20をアナログ
回路のサンプルホールド回路で実現することをにより、
サンプルホールド回路により、前の引き込み到達電圧を
ホールドしておき、引き込み時にこの電圧を電圧ホール
ド用コンデンサに与えることにより、AGCの引き込み
時間を確実に短くすることができる。
(4) Further, by realizing the control means 20 with a sample and hold circuit of an analog circuit,
The sample-and-hold circuit holds the previous voltage attained before, and applies this voltage to the voltage holding capacitor at the time of pull-in, so that the pull-in time of the AGC can be reliably reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の原理ブロック図である。FIG. 1 is a principle block diagram of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態例を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態例を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】第2の実施の形態例の引き込み時間特性例を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a pull-in time characteristic according to the second embodiment.

【図5】本発明の第3の実施の形態例を示す回路図であ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図6】サンプルホールド回路の構成例を示す図であ
る。
FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a sample and hold circuit.

【図7】本発明の具体的構成例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the present invention.

【図8】AGC回路の概念図である。FIG. 8 is a conceptual diagram of an AGC circuit.

【図9】従来回路の構成例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of a conventional circuit.

【図10】AGCの引き込み時間特性を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a pull-in time characteristic of AGC.

【図11】AGCの引き込み動作の説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of an AGC pull-in operation.

【図12】従来回路の引き込み時間特性例を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a pull-in time characteristic of a conventional circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 アンプ 12 定電流源 20 制御手段 Q1 FET CP 電圧ホールド用コンデンサ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Amplifier 12 Constant current source 20 Control means Q1 FET CP Voltage hold capacitor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力を受けるアンプと、該アンプで駆動
される電圧制御素子と、該電圧制御素子に接続される定
電流源と、前記電圧制御素子とグランド間に接続される
電圧ホールド用コンデンサとにより構成されるチャージ
ポンプ回路において、 前記電圧ホールド用コンデンサに、引き込み時間を制御
するための充放電の制御を行なう制御手段を具備するこ
とを特徴とするチャージポンプ回路。
1. An amplifier receiving an input, a voltage control element driven by the amplifier, a constant current source connected to the voltage control element, and a voltage holding capacitor connected between the voltage control element and ground. A charge pump circuit comprising: a control unit that controls charging and discharging for controlling a pull-in time in the voltage holding capacitor.
【請求項2】 前記制御手段は、予め予測される引き込
み到達電圧を引き込みのタイミングで与えることを特徴
とする請求項1記載のチャージポンプ回路。
2. The charge pump circuit according to claim 1, wherein said control means supplies a predicted attainment voltage at a timing of the attraction.
【請求項3】 前記制御手段は、予め前の引き込み到達
電圧をディジタル信号に変換して記憶し、該記憶された
データをアナログ信号に変換して引き込みのタイミング
で前記電圧ホールド用コンデンサに与えることを特徴と
する請求項2記載のチャージポンプ回路。
3. The control means according to claim 1, wherein said control circuit converts a previously reached voltage into a digital signal and stores it in advance, converts said stored data into an analog signal, and supplies the analog signal to said voltage holding capacitor at a pull-in timing. The charge pump circuit according to claim 2, wherein:
【請求項4】 前記制御手段をアナログ回路のサンプル
ホールド回路で実現することを特徴とする請求項3記載
のチャージポンプ回路。
4. The charge pump circuit according to claim 3, wherein said control means is realized by a sample and hold circuit of an analog circuit.
JP23159496A 1996-09-02 1996-09-02 Charge pump circuit Withdrawn JPH1079631A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100463619B1 (en) * 2001-07-09 2004-12-30 산요덴키가부시키가이샤 Method of controlling charge-pump circuit
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