JPH1079550A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH1079550A JPH1079550A JP8233257A JP23325796A JPH1079550A JP H1079550 A JPH1079550 A JP H1079550A JP 8233257 A JP8233257 A JP 8233257A JP 23325796 A JP23325796 A JP 23325796A JP H1079550 A JPH1079550 A JP H1079550A
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- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ励起固体レーザ装置において、
品質が良く、高出力のレーザ光を供給する。 【解決手段】 半導体レーザ１とレーザ媒質２とレーザ
媒質２から放出されたレーザ光に対して高い反射率を持
つ第１のミラー５とを有する複数の端面励起方式のレー
ザ光発生部７と、レーザ媒質２から放出されたレーザ光
をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子３と、ジャ
イアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する非線形光学
結晶４と、逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過
率を持ち、レーザ媒質２から放出されたレーザ光の波長
に対して高い反射率を持ち、かつ複数のレーザ光発生部
７の光軸の交差部に反射光軸が相手側の光軸に一致する
ように配設された第２のミラー６とを備える。
品質が良く、高出力のレーザ光を供給する。 【解決手段】 半導体レーザ１とレーザ媒質２とレーザ
媒質２から放出されたレーザ光に対して高い反射率を持
つ第１のミラー５とを有する複数の端面励起方式のレー
ザ光発生部７と、レーザ媒質２から放出されたレーザ光
をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子３と、ジャ
イアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する非線形光学
結晶４と、逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過
率を持ち、レーザ媒質２から放出されたレーザ光の波長
に対して高い反射率を持ち、かつ複数のレーザ光発生部
７の光軸の交差部に反射光軸が相手側の光軸に一致する
ように配設された第２のミラー６とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを励
起光源に用いた固体レーザ装置に関するものである。
起光源に用いた固体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体レーザを励起光源に用い
たレーザ装置は、得られるレーザ光の光軸上に配置した
レーザ媒質に対し、その光軸上に配置した半導体レーザ
からレーザ媒質の端面に向けてレーザ光を照射する端面
励起方式と、得られるレーザ光の光軸上に配置したレー
ザ媒質に対し、その側方に配置した半導体レーザからレ
ーザ媒質の光軸に向けてレーザ光を照射する側面励起方
式とがある。
たレーザ装置は、得られるレーザ光の光軸上に配置した
レーザ媒質に対し、その光軸上に配置した半導体レーザ
からレーザ媒質の端面に向けてレーザ光を照射する端面
励起方式と、得られるレーザ光の光軸上に配置したレー
ザ媒質に対し、その側方に配置した半導体レーザからレ
ーザ媒質の光軸に向けてレーザ光を照射する側面励起方
式とがある。
【０００３】従来例の端面励起方式のレーザ装置の構成
を図２を参照して説明すると、１１は半導体レーザ、１
２はレーザ媒質、１３はレーザ媒質１２から放出される
レーザ光をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子、
１４はジャイアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する
非線形光学結晶である。１５は半導体レーザ１１とレー
ザ媒質１２との間に同軸上に配置された第１のミラー
で、レーザ媒質１２から放出されるレーザ光に対して高
い反射率を持つ。１６は非線形光学結晶１４の外側に同
軸上に配置された第２のミラーで、非線形光学結晶１４
にて逓倍されたレーザ光に対して高い透過率を持ち、レ
ーザ媒質１２から放出されたレーザ光に対して高い反射
率を持つ。
を図２を参照して説明すると、１１は半導体レーザ、１
２はレーザ媒質、１３はレーザ媒質１２から放出される
レーザ光をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子、
１４はジャイアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する
非線形光学結晶である。１５は半導体レーザ１１とレー
ザ媒質１２との間に同軸上に配置された第１のミラー
で、レーザ媒質１２から放出されるレーザ光に対して高
い反射率を持つ。１６は非線形光学結晶１４の外側に同
軸上に配置された第２のミラーで、非線形光学結晶１４
にて逓倍されたレーザ光に対して高い透過率を持ち、レ
ーザ媒質１２から放出されたレーザ光に対して高い反射
率を持つ。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
ような端面励起方式は得られるレーザ光の品質が良く、
得られるレーザ光の発振効率も良い。一方、側面励起方
式は、励起光源である半導体レーザの照射面積を大きく
できるので、高出力のレーザ光が得られる。しかし、端
面励起方式では励起光源である半導体レーザの照射面積
が小さく、高出力化が図れないという問題がある。一
方、側面励起方式では得られるレーザ光の発振効率が悪
く、得られるレーザ光の品質が悪いという問題があっ
た。
ような端面励起方式は得られるレーザ光の品質が良く、
得られるレーザ光の発振効率も良い。一方、側面励起方
式は、励起光源である半導体レーザの照射面積を大きく
できるので、高出力のレーザ光が得られる。しかし、端
面励起方式では励起光源である半導体レーザの照射面積
が小さく、高出力化が図れないという問題がある。一
方、側面励起方式では得られるレーザ光の発振効率が悪
く、得られるレーザ光の品質が悪いという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、品質
が良く、高出力のレーザ光を供給することができる半導
体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目的とし
ている。
が良く、高出力のレーザ光を供給することができる半導
体レーザ励起固体レーザ装置を提供することを目的とし
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ励
起固体レーザ装置は、レーザ媒質とその光軸上からレー
ザ媒質を励起する半導体レーザと半導体レーザとレーザ
媒質の間に配設されレーザ媒質から放出されたレーザ光
に対して高い反射率を持つ第１のミラーとから構成され
た複数のレーザ光発生部と、レーザ媒質から放出された
レーザ光をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子
と、ジャイアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する非
線形光学結晶と、逓倍されたレーザ光の波長に対して高
い透過率を持ち、レーザ媒質から放出されたレーザ光の
波長に対して高い反射率を持ち、かつ複数のレーザ光発
生部の光軸の交差部に反射光軸が相手側の光軸に一致す
るように配設された第２のミラーとを備えたものであ
り、端面励起方式のレーザ光発生部を複数設けることに
よってレーザ光の品質が良いままで高出力化を図るよう
にしている。
起固体レーザ装置は、レーザ媒質とその光軸上からレー
ザ媒質を励起する半導体レーザと半導体レーザとレーザ
媒質の間に配設されレーザ媒質から放出されたレーザ光
に対して高い反射率を持つ第１のミラーとから構成され
た複数のレーザ光発生部と、レーザ媒質から放出された
レーザ光をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子
と、ジャイアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する非
線形光学結晶と、逓倍されたレーザ光の波長に対して高
い透過率を持ち、レーザ媒質から放出されたレーザ光の
波長に対して高い反射率を持ち、かつ複数のレーザ光発
生部の光軸の交差部に反射光軸が相手側の光軸に一致す
るように配設された第２のミラーとを備えたものであ
り、端面励起方式のレーザ光発生部を複数設けることに
よってレーザ光の品質が良いままで高出力化を図るよう
にしている。
【０００７】好適には、第２のミラーは、レーザ媒質か
ら放出されたレーザ光を９０°方向に高い反射率で反射
し、かつ逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過率
を持ち、複数のレーザ発生部がＬ型に配設される。
ら放出されたレーザ光を９０°方向に高い反射率で反射
し、かつ逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過率
を持ち、複数のレーザ発生部がＬ型に配設される。
【０００８】また、第１のミラーをレーザ媒質の半導体
レーザからのレーザ光入射側に形成された蒸着膜にて構
成すると、第１のミラーを簡単かつ安価に構成できる。
また、非線形光学結晶を複数のレーザ光発生部の間の光
路を二等分する位置に配設すると、第１のミラーを凹面
ミラーにて構成してレーザ光を非線形光学結晶で収束さ
せることによって波長変換効率の向上を図る場合に、光
路両端の第１のミラーに同一曲率半径のミラーを用いて
波長変換効率の向上を図ることができる。
レーザからのレーザ光入射側に形成された蒸着膜にて構
成すると、第１のミラーを簡単かつ安価に構成できる。
また、非線形光学結晶を複数のレーザ光発生部の間の光
路を二等分する位置に配設すると、第１のミラーを凹面
ミラーにて構成してレーザ光を非線形光学結晶で収束さ
せることによって波長変換効率の向上を図る場合に、光
路両端の第１のミラーに同一曲率半径のミラーを用いて
波長変換効率の向上を図ることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザ励起
固体レーザ装置の一実施形態を図１を参照しながら説明
する。
固体レーザ装置の一実施形態を図１を参照しながら説明
する。
【００１０】図１において、１は半導体レーザ、２はレ
ーザ媒質であり、これら半導体レーザ１とレーザ媒質２
にてレーザ光発生部７が構成されている。また、このレ
ーザ光発生部７の半導体レーザ１とレーザ媒質２との間
には同軸上に、レーザ媒質２から放出されるレーザ光に
対して高い反射率を持つ第１のミラー５が配置されてい
る。そして、１対のレーザ光発生部７が、それらの光軸
を９０°の交差角で交差するようにＬ型に配置されてい
る。レーザ媒質２は、１対のレーザ光発生部７を設けて
いるので、それらの光軸調整が簡単にできるようにその
端面は光軸に対し直角にカットしてある。
ーザ媒質であり、これら半導体レーザ１とレーザ媒質２
にてレーザ光発生部７が構成されている。また、このレ
ーザ光発生部７の半導体レーザ１とレーザ媒質２との間
には同軸上に、レーザ媒質２から放出されるレーザ光に
対して高い反射率を持つ第１のミラー５が配置されてい
る。そして、１対のレーザ光発生部７が、それらの光軸
を９０°の交差角で交差するようにＬ型に配置されてい
る。レーザ媒質２は、１対のレーザ光発生部７を設けて
いるので、それらの光軸調整が簡単にできるようにその
端面は光軸に対し直角にカットしてある。
【００１１】３は一方のレーザ光発生部７の光軸と同軸
上に配置されたＱスイッチ素子で、レーザ媒質２から放
出されるレーザ光をジャイアントパルスにする。４は同
じく一方のレーザ光発生部７の光軸と同軸上に配置され
た非線形光学結晶で、ジャイアントパルスのレーザ光の
波長を逓倍する。この非線形光学結晶４は、両レーザ光
発生部７、７間の光路を二等分する位置に配設され、か
つ両レーザ光発生部７、７における第１のミラー５はレ
ーザ光をこの非線形光学結晶４で収束させるように凹面
ミラーにて構成されている。
上に配置されたＱスイッチ素子で、レーザ媒質２から放
出されるレーザ光をジャイアントパルスにする。４は同
じく一方のレーザ光発生部７の光軸と同軸上に配置され
た非線形光学結晶で、ジャイアントパルスのレーザ光の
波長を逓倍する。この非線形光学結晶４は、両レーザ光
発生部７、７間の光路を二等分する位置に配設され、か
つ両レーザ光発生部７、７における第１のミラー５はレ
ーザ光をこの非線形光学結晶４で収束させるように凹面
ミラーにて構成されている。
【００１２】６は、複数のレーザ光発生部７の光軸が交
差する位置に、それら両光軸に対して４５°傾斜して配
置された第２のミラーで、非線形光学結晶４にて逓倍さ
れたレーザ光に対して高い透過率を持ち、両レーザ光発
生部７のレーザ媒質２から放出されたレーザ光に対して
９０°の方向に高い反射率を持っている。
差する位置に、それら両光軸に対して４５°傾斜して配
置された第２のミラーで、非線形光学結晶４にて逓倍さ
れたレーザ光に対して高い透過率を持ち、両レーザ光発
生部７のレーザ媒質２から放出されたレーザ光に対して
９０°の方向に高い反射率を持っている。
【００１３】以上の構成において、端面励起方式の半導
体レーザ１とレーザ媒質２から成るレーザ光発生部７を
複数設け、非線形光学結晶４にて逓倍されたレーザ光の
波長に対して高い透過率を持ち、レーザ媒質２から放出
されたレーザ光の波長に対して高い反射率を持つ第２の
ミラー６を、両レーザ光発生部７の光軸の交差部に反射
光軸が相手側の光軸に一致するように配設しているの
で、端面励起方式の両レーザ光発生部７にて２段に励起
され、Ｑスイッチ素子３でジャイアントパルスにされ、
非線形光学結晶４にて波長が逓倍されたレーザ光が出力
され、端面励起方式のレーザ装置の特長であるレーザ光
の品質が良いままで高出力化を図ることができる。ま
た、レーザ媒質２をブリュースターカットしていないの
で、光軸の調整も簡単である。また、第１のミラー５を
凹面ミラーにて構成してレーザ光を非線形光学結晶４に
収束させるように構成すると、波長変換効率を高くする
ことができ、かつ非線形光学結晶４をレーザ光発生部
７、７間の光路を二等分する位置に配置しているので、
同一の曲率半径の第１のミラー５を用いてその効果を得
ることができる。
体レーザ１とレーザ媒質２から成るレーザ光発生部７を
複数設け、非線形光学結晶４にて逓倍されたレーザ光の
波長に対して高い透過率を持ち、レーザ媒質２から放出
されたレーザ光の波長に対して高い反射率を持つ第２の
ミラー６を、両レーザ光発生部７の光軸の交差部に反射
光軸が相手側の光軸に一致するように配設しているの
で、端面励起方式の両レーザ光発生部７にて２段に励起
され、Ｑスイッチ素子３でジャイアントパルスにされ、
非線形光学結晶４にて波長が逓倍されたレーザ光が出力
され、端面励起方式のレーザ装置の特長であるレーザ光
の品質が良いままで高出力化を図ることができる。ま
た、レーザ媒質２をブリュースターカットしていないの
で、光軸の調整も簡単である。また、第１のミラー５を
凹面ミラーにて構成してレーザ光を非線形光学結晶４に
収束させるように構成すると、波長変換効率を高くする
ことができ、かつ非線形光学結晶４をレーザ光発生部
７、７間の光路を二等分する位置に配置しているので、
同一の曲率半径の第１のミラー５を用いてその効果を得
ることができる。
【００１４】なお、上記実施形態では第１のミラー５を
独立したミラーにて構成した例を示したが、レーザ媒質
２の半導体レーザ１からのレーザ光入射側に形成した蒸
着膜にて構成しても良く、レーザ光発生部７をより簡単
な構成にできる。また、レーザ発生部７を一対配設した
例を示したが、３つ以上配設してもよい。
独立したミラーにて構成した例を示したが、レーザ媒質
２の半導体レーザ１からのレーザ光入射側に形成した蒸
着膜にて構成しても良く、レーザ光発生部７をより簡単
な構成にできる。また、レーザ発生部７を一対配設した
例を示したが、３つ以上配設してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装
置によれば、以上の説明から明らかなように、複数の端
面励起方式のレーザ光発生部を設けているので、レーザ
光の品質が良いまま、大きなレーザ光出力を得ることが
できる。
置によれば、以上の説明から明らかなように、複数の端
面励起方式のレーザ光発生部を設けているので、レーザ
光の品質が良いまま、大きなレーザ光出力を得ることが
できる。
【図１】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の一
実施形態の構成図である。
実施形態の構成図である。
【図２】従来例の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構
成図である。
成図である。
１ 半導体レーザ ２ レーザ媒質 ３ Ｑスイッチ素子 ４ 非線形光学結晶 ５ 第１のミラー ６ 第２のミラー ７ レーザ光発生部
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ媒質とその光軸上からレーザ媒質
を励起する半導体レーザと半導体レーザとレーザ媒質の
間に配設されレーザ媒質から放出されたレーザ光に対し
て高い反射率を持つ第１のミラーとから構成された複数
のレーザ光発生部と、レーザ媒質から放出されたレーザ
光をジャイアントパルスにするＱスイッチ素子と、ジャ
イアントパルスのレーザ光の波長を逓倍する非線形光学
結晶と、逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過率
を持ち、レーザ媒質から放出されたレーザ光の波長に対
して高い反射率を持ち、かつ複数のレーザ光発生部の光
軸の交差部に反射光軸が相手側の光軸に一致するように
配設された第２のミラーとを備えたことを特徴とする半
導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 第２のミラーは、レーザ媒質から放出さ
れたレーザ光を９０°方向に高い反射率で反射し、かつ
逓倍されたレーザ光の波長に対して高い透過率を持ち、
複数のレーザ発生部はＬ型に配設された請求項１記載の
半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 第１のミラーは、レーザ媒質の半導体レ
ーザからのレーザ光入射側に形成された蒸着膜にて構成
したことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項４】 非線形光学結晶を、複数のレーザ光発生
部の間の光路を二等分する位置に配設したことを特徴と
する請求項１または２記載の半導体レーザ励起固体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233257A JPH1079550A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8233257A JPH1079550A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079550A true JPH1079550A (ja) | 1998-03-24 |
Family
ID=16952249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8233257A Pending JPH1079550A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1079550A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018194301A1 (ko) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | (주)이오테크닉스 | 레이저 증폭 장치 |
| CN110249261A (zh) * | 2017-03-02 | 2019-09-17 | 极光先进雷射株式会社 | 固体激光***和波长转换*** |
| CN112051248A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-12-08 | 西北核技术研究所 | 基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及*** |
-
1996
- 1996-09-03 JP JP8233257A patent/JPH1079550A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110249261A (zh) * | 2017-03-02 | 2019-09-17 | 极光先进雷射株式会社 | 固体激光***和波长转换*** |
| CN110249261B (zh) * | 2017-03-02 | 2022-11-18 | 极光先进雷射株式会社 | 固体激光***和波长转换*** |
| WO2018194301A1 (ko) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | (주)이오테크닉스 | 레이저 증폭 장치 |
| CN112051248A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-12-08 | 西北核技术研究所 | 基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法及*** |
| CN112051248B (zh) * | 2020-08-26 | 2023-12-15 | 西北核技术研究所 | 基于激光激发的闪烁材料光产额非线性测量方法 |
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