JPH1073632A - Method for extracting source/drain contact resistance measuring parameter - Google Patents
Method for extracting source/drain contact resistance measuring parameterInfo
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- JPH1073632A JPH1073632A JP22984896A JP22984896A JPH1073632A JP H1073632 A JPH1073632 A JP H1073632A JP 22984896 A JP22984896 A JP 22984896A JP 22984896 A JP22984896 A JP 22984896A JP H1073632 A JPH1073632 A JP H1073632A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電界効果トランジ
スタのソース／ドレイン領域に設けられたコンタクト間
の抵抗測定用パラメータの抽出方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for extracting a parameter for measuring resistance between contacts provided in source / drain regions of a field effect transistor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体基板に設けられたチャネル領域４
およびソース／ドレイン領域２、３と、上記チャネル領
域４上に設けられたゲート電極１と、上記ソース／ドレ
イン領域２、３上に夫々設けられた１対のコンタクト
５、６とを含む電界効果トランジスタ領域７のコンタク
ト５、６間の抵抗を求めるために、従来は、電磁界方程
式を用いた電磁界解析により抵抗を計算する方法が用い
られてきた。2. Description of the Related Art Channel region 4 provided on a semiconductor substrate
And a source / drain region 2, 3, a gate electrode 1 provided on the channel region 4, and a pair of contacts 5, 6 provided on the source / drain regions 2, 3, respectively. In order to determine the resistance between the contacts 5 and 6 of the transistor region 7, a method of calculating the resistance by electromagnetic field analysis using an electromagnetic field equation has been conventionally used.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記電磁界解析による
方法では、電界効果トランジスタ領域７のソース領域２
またはドレイン領域３のいずれか一方についてのみ方程
式を解き、その結果を基にコンタクト５、６間の抵抗を
計算するため、例えば、図３（ａ）および（ｂ）に示す
ようなコンタクト５、６のレイアウトパターン上での位
置の違い、または、図３（ａ）および（ｃ）に示すよう
なコンタクト５、６間の相対的な位置関係の違いが考慮
されず、コンタクト５、６間の、正確な抵抗測定が困難
であった。また、電磁界方程式を解くためには、計算の
ために長時間が必要であるという欠点もあった。そこ
で、本発明は、ソース／ドレイン領域２、３上のコンタ
クト５、６の位置の違いを考慮したコンタクト５、６間
の抵抗測定用パラメータの抽出方法を提供することを目
的とする。According to the method based on the electromagnetic field analysis, the source region 2 of the field effect transistor region 7 is used.
Alternatively, to solve the equation for only one of the drain regions 3 and calculate the resistance between the contacts 5 and 6 based on the result, for example, the contacts 5 and 6 shown in FIGS. 3A or the relative positional relationship between the contacts 5 and 6 as shown in FIGS. 3A and 3C is not considered. It was difficult to measure the resistance accurately. In addition, there is a disadvantage that it takes a long time for calculation to solve the electromagnetic field equation. Therefore, an object of the present invention is to provide a method for extracting a resistance measurement parameter between the contacts 5 and 6 in consideration of the difference in the positions of the contacts 5 and 6 on the source / drain regions 2 and 3.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は、ソースコンタ
クトおよびドレインコンタクトの幅方向へのずれ量、お
よびソースコンタクトとドレインコンタクトの中点の基
準線から幅方向へのずれ量に基づいて抽出した補正係数
（ＫRON）を用いて、基準線上に形成した１対のソース/
ドレインコンタクト間の抵抗値を補正することにより、
コンタクト５、６間の抵抗を正確に測定できることを利
用する。According to the present invention, the source and drain contacts are extracted based on the amount of displacement in the width direction and the midpoint of the middle point of the source and drain contacts from the reference line in the width direction. Using a correction coefficient (K RON ), a pair of sources /
By correcting the resistance value between the drain contacts,
The fact that the resistance between the contacts 5 and 6 can be accurately measured is used.
【０００５】即ち、本発明は、矩形のチャネル領域の両
側に互いに対向するソース領域とドレイン領域とが形成
された半導体基板上に、上記チャネル領域に沿って設け
られたゲート電極と、上記チャネル領域から互いに等距
離に設けられた少なくとも１個のソースコンタクトと少
なくとも１個のドレインコンタクトとを備えた電界効果
トランジスタのソース／ドレインコンタクト間抵抗測定
用パラメータ抽出方法において、該パラメータ抽出方法
が、上記電界効果トランジスタを幅方向に２等分する基
準線上に形成した１対のソースコンタクトとドレインコ
ンタクトとの間の抵抗値を基準抵抗値とし、上記ソース
コンタクトおよびドレインコンタクトの幅方向へのずれ
量、および上記ソースコンタクトとドレインコンタクト
の中点の上記基準線から幅方向へのずれ量に基づいて、
上記基準線上に形成した１対のソースコンタクトとドレ
インコンタクトとの間の抵抗値を補正するための補正係
数（ＫRON）の抽出工程を含むことを特徴とするソース
／ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出方
法である。補正係数（ＫRON）を抽出することにより、
かかる補正係数（ＫRON）を用いて、直接ソース／ドレ
インコンタクト間抵抗を求めることができる一方、補正
係数（ＫRON）を回路シミュレーションの入力パラメー
タとして用いることにより、ソース／ドレインコンタク
トの位置を考慮した回路シミュレーション結果を得るこ
とが可能となる。That is, according to the present invention, a gate electrode provided along a channel region on a semiconductor substrate in which a source region and a drain region opposed to each other on both sides of a rectangular channel region are formed; A parameter extraction method for measuring the resistance between a source / drain contact of a field effect transistor having at least one source contact and at least one drain contact equidistant from each other. A resistance value between a pair of source contact and drain contact formed on a reference line that bisects the effect transistor in the width direction is defined as a reference resistance value, the amount of displacement of the source contact and the drain contact in the width direction, and The above criteria for the midpoint of the above source and drain contacts Based on the displacement amount in the width direction from,
A step of extracting a correction coefficient (K RON ) for correcting a resistance value between the pair of source and drain contacts formed on the reference line, wherein the parameter for measuring resistance between source / drain contacts is included. Is an extraction method. By extracting the correction coefficient (K RON ),
Using the correction coefficient (K RON ), the resistance between the source and drain contacts can be directly obtained. On the other hand, by using the correction coefficient (K RON ) as an input parameter of the circuit simulation, the position of the source / drain contact is considered. It is possible to obtain the result of the circuit simulation.
【０００６】上記補正係数（ＫRON）は、 ＫRON＝１＋（ＡＤ・（ＹS−ＹD）／ＨDIF NH）ND＋（Ａ
Ｃ・（ＹS＋ＹD）／Ｗ）NC 但し、ＹS、ＹD：ソースコンタクト位置、ドレインコン
タクト位置の基準線から垂直方向へのベクトル量 ＨDIF：ゲート電極とコンタクト間の間隔 Ｗ：電界効果トランジスタの幅 ＡＤ、ＡＣ、ＮＨ、ＮＤ、ＮＣ：フィッティング パラメータ で表されることが好ましい。The correction coefficient (K RON ) is given by K RON = 1 + (AD · (Y S −Y D ) / H DIF NH ) ND + (A
C · (Y S + Y D ) / W) NC where Y S , Y D : Vector amount from the reference line of the source contact position and the drain contact position in the vertical direction H DIF : Distance between gate electrode and contact W: Electric field The width of the effect transistor AD, AC, NH, ND, NC: preferably represented by fitting parameters
【０００７】また、本発明は、上記補正係数（ＫRON）
を用いることにより、計算式： ＲONｅｆｆ＝（ＲCH＋ＲＳLDD＋ＲＳDIF＋ＲＤLDD＋Ｒ
ＤDIF）・ＫRON＋（ＲＣＯＮ／ＮＣＯＮＳ）＋（ＲＣＯ
Ｎ／ＮＣＯＮＤ） 但し、ＫRON：補正係数 ＲCH：チャネル抵抗 ＲＳLDD：ソースＬＤＤ抵抗 ＲＤLDD：ドレインＬＤＤ抵抗 ＲＳDIF：ソース拡散抵抗 ＲＤDIF：ドレイン拡散抵抗 ＲＣＯＮ：ソースコンタクト抵抗またはドレインコンタ
クト抵抗 ＮＣＯＮＳ：ソースコンタクト数 ＮＣＯＮＤ：ドレインコンタクト数 に基づいてソースコンタクトとドレインコンタクトとの
間の抵抗値（ＲONｅｆｆ）を求めることを特徴とするソ
ース／ドレインコンタクト間抵抗の測定方法でもある。
かかる計算式を用いることにより、抽出した補正係数
（ＫRON）を基に、容易に、ソース／ドレインコンタク
トの位置を考慮したソース／ドレインコンタクト間抵抗
を求めることができるからである。Further, the present invention relates to the above-mentioned correction coefficient (K RON )
By using the following equation, R ON eff = (R CH + RS LDD + RS DIF + RD LDD + R
D DIF ) ・ K RON + (RCON / NCONS) + (RCO
N / NCOND) where K RON : correction coefficient R CH : channel resistance RS LDD : source LDD resistance RD LDD : drain LDD resistance RS DIF : source diffusion resistance RD DIF : drain diffusion resistance RCON: source contact resistance or drain contact resistance NCONS : Number of source contacts NCOND: Number of drain contacts The resistance between source and drain contacts (R ON eff) is obtained based on the following formula.
By using such a calculation formula, the resistance between the source / drain contacts in consideration of the position of the source / drain contacts can be easily obtained based on the extracted correction coefficient (K RON ).
【０００８】また、本発明は、上記補正係数（ＫRON）
の抽出工程が、１以上のコンタクトを含むソース領域ま
たは１以上のコンタクトを含むドレイン領域から、コン
タクト数の少なくない、いずれかの領域を選択する工程
と、上記選択された領域のいずれかのコンタクトと、該
コンタクトから上記幅方向の距離が最も短い他の領域の
コンタクトを選択する工程であって、該当する他の領域
のコンタクトが複数存在する場合には、上記基準線に近
い方のコンタクトを選択する工程と、上記選択されたソ
ースコンタクトおよびドレインコンタクトの幅方向への
ずれ量、および上記ソースコンタクトとドレインコンタ
クトの中点の上記基準線から幅方向へのずれ量に基づい
て上記選択されたコンタクトについての補正係数（Ｋ
RONｋ）を求める工程と、上記選択された領域のすべて
のコンタクトについて、順次、補正係数（ＫRONｋ）を
求める工程と、上記各補正係数（ＫRONｋ）より補正係
数（ＫRON）を求める工程とからなることを特徴とする
ソース／ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの
抽出方法でもある。１以上のコンタクトを含むソース領
域または１以上のコンタクトを含むドレイン領域を有す
る電界効果トランジスタにおいても、かかる方法を用い
ることにより、コンタクトの数を考慮した補正係数（Ｋ
RON）の抽出が可能となるからである。Further, the present invention provides the correction coefficient (K RON )
Selecting a region having a small number of contacts from a source region including one or more contacts or a drain region including one or more contacts; and contacting any one of the selected regions. And selecting a contact in the other region having the shortest distance in the width direction from the contact. If there are a plurality of contacts in the other region, a contact closer to the reference line is selected. The step of selecting, the shift amount in the width direction of the selected source contact and the drain contact, and the shift amount in the width direction from the reference line of the midpoint of the source contact and the drain contact. Correction coefficient for contact (K
A step of obtaining the RON k), for all of the contacts of said selected area, successively, a step of determining a correction factor (K RON k), each of the correction coefficients (K RON k) from the correction coefficient (K RON) And a method for extracting a parameter for measuring resistance between source / drain contacts. Even in a field-effect transistor having a source region including one or more contacts or a drain region including one or more contacts, by using such a method, the correction coefficient (K
RON ) can be extracted.
【０００９】また、本発明は、上記補正係数（ＫRON）
が、ソース抵抗（Ｒｓ）が、計算式： Ｒｓ＝（（ＬD＋ＬDIF）／Ｗｅｆｆ）・ＲＳ＋ＮＲＳ・
ＲＳＨ 但し、ＬD：横方向拡散長 ＬDIF：ｎ-領域の長さ Ｗｅｆｆ：実効チャネル幅 ＲＳ：ＬＤＤ部のシート抵抗 ＮＲＳ：拡散シート数 ＲＳＨ：拡散シート抵抗 で与えられる回路シミュレータにおいて、上記拡散のシ
ート数（ＮＲＳ）を補正するために用いられることを特
徴とするソース／ドレインコンタクト間抵抗測定用パラ
メータの抽出方法でもある。上述のように、入力セット
リストの一部として補正係数（ＫRON）を与える方法を
採る代わりに、個別変更可能係数である拡散のシート数
（ＮＲＳ）に代えて、上記補正係数（ＫRON）を用いて
補正した拡散のシート数（ＮＲＳ’）を用いることによ
り、ソース／ドレインのコンタクト位置を考慮した回路
シミュレーション結果を得ることができるからである。The present invention also provides the correction coefficient (K RON )
But source resistance (Rs) is, equation: Rs = ((L D + L DIF) / Weff) · RS + NRS ·
RSH where L D : lateral diffusion length L DIF : length of n − region Weff: effective channel width RS: sheet resistance of LDD section NRS: number of diffusion sheets RSH: diffusion sheet resistance In the circuit simulator given by: And a method for extracting a parameter for measuring resistance between source / drain contacts, wherein the parameter is used to correct the number of sheets (NRS). As mentioned above, instead of taking the method for providing a correction factor (K RON) as part of the input set list, instead of the number of sheets of the diffusion is individually changeable coefficient (NRS), the correction factor (K RON) This is because, by using the number of diffusion sheets (NRS ′) corrected using the above, a circuit simulation result in which the source / drain contact positions are considered can be obtained.
【００１０】上記補正係数（ＫRON）を用いて補正した
拡散のシート数（ＮＲＳ’）は、計算式： ＮＲＳ’＝｛（（ＲCH＋ＲLDD）／ＲDIF）・（ＫRON−
１）＋ＫRON｝・ＮＲＳ 但し、ＲCH：チャネル抵抗 ＲLDD：ＬＤＤ抵抗 ＲDIF：拡散抵抗 ＫRON：補正係数 ＮＲＳ：拡散のシート数 で表されることが好ましい。The number of diffusion sheets (NRS ') corrected using the correction coefficient (K RON ) is calculated by the following equation: NRS' = ｛((R CH + R LDD ) / R DIF ) · (K RON −
1) + K RON ｝ · NRS where R CH : channel resistance R LDD : LDD resistance R DIF : diffusion resistance K RON : correction coefficient NRS: number of diffusion sheets is preferable.
【００１１】更に、本発明は、抽出された上記補正係数
（ＫRON）が、ＭＯＳドレイン電流の係数（ＭＩＤ）、
ゲート容量の係数（ＭＣＧ）、ゲートオーバーラップ容
量の係数（ＭＣＧＯ）、接合容量の係数（ＭＣＪ）、接
合ダイオード基板電流の係数（ＭＩＢ）、衝突電離基板
電流の係数（ＭＩＩ）を含む回路シミュレータ用入力ネ
ットリスト中のＭＯＳドレイン電流の係数（ＭＩＤ）を
補正するために用いられることを特徴とする回路シミュ
レーション方法でもある。回路シミュレータの入力ネッ
トリスト中のＭＯＳドレイン電流の係数（ＭＩＤ）を、
抽出した補正係数（ＫRON）を用いて補正することによ
り、ソース／ドレインのコンタクト位置を考慮した回路
シミュレーションが可能となり、高精度な回路シミュレ
ーション結果を得ることができるからである。Further, according to the present invention, the extracted correction coefficient (K RON ) is a coefficient (MID) of a MOS drain current,
For circuit simulator including gate capacitance coefficient (MCG), gate overlap capacitance coefficient (MCGO), junction capacitance coefficient (MCJ), junction diode substrate current coefficient (MIB), impact ionization substrate current coefficient (MII) A circuit simulation method is used for correcting a coefficient (MID) of a MOS drain current in an input netlist. The MOS drain current coefficient (MID) in the input netlist of the circuit simulator is
This is because, by performing correction using the extracted correction coefficient (K RON ), circuit simulation can be performed in consideration of the source / drain contact position, and a highly accurate circuit simulation result can be obtained.
【００１２】[0012]
実施の形態１．図１（ａ）に、本発明の一の実施の形態
を用いてソース／ドレインコンタクト間の抵抗を測定す
るＭＯＳ型電界効果トランジスタの断面図を、図１
（ｂ）に上面図を示す。図中、１はゲート電極、２はソ
ース領域、３はドレイン領域、４はチャネル領域、５は
ソース領域に設けられたコンタクト、６はドレイン領域
に設けられたコンタクト、７は電界効果トランジスタ領
域、８は電界効果トランジスタを幅方向に２等分する基
準線である。Embodiment 1 FIG. FIG. 1A is a cross-sectional view of a MOS field-effect transistor for measuring resistance between source / drain contacts using one embodiment of the present invention.
(B) shows a top view. In the figure, 1 is a gate electrode, 2 is a source region, 3 is a drain region, 4 is a channel region, 5 is a contact provided in the source region, 6 is a contact provided in the drain region, 7 is a field effect transistor region, Reference numeral 8 denotes a reference line that bisects the field effect transistor in the width direction.
【００１３】まず、図１に示すように、ソース領域およ
びドレイン領域に、コンタクト５が夫々１つずつ設けら
れている場合について考える。かかる場合、ソース領域
のコンタクト５とドレイン領域のコンタクト６間の抵抗
は、一般に、 （ＲCH＋ＲＳLDD＋ＲＳDIF＋ＲＤLDD＋ＲＤDIF）＋ＲＣ
ＯＮ／ＮＣＯＮＳ＋ＲＣＯＮ／ＮＣＯＮＤ 但し、 ＲCH：チャネル抵抗、 ＲＳLDD／ＲＤLDD：ソース／ドレインＬＤＤ抵抗 ＲＳDIF／ＲＤDIF：ソース／ドレイン拡散抵抗 ＲＣＯＮ：コンタクト抵抗 ＮＣＯＮＳ／ＮＣＯＮＤ：ソース／ドレインコンタクト
数（ここでは、それぞれ１） で表される。しかし、上の式では、図３の（ａ）と
（ｂ）、（ａ）と（ｃ）におけるソース／ドレインコン
タクトの位置の違いは反映されず、いずれも同じ抵抗値
となって実状に合わない。そこで、本実施の形態では、
上記電界効果トランジスタを幅方向に２等分する基準線
上に形成した１対のソースコンタクトとドレインコンタ
クトとの間の抵抗値を基準抵抗値とし、かかる基準抵抗
値をソースコンタクト、ドレインコンタクトの位置に基
づく補正係数（ＫRON）を用いて補正し、正確なソース
／ドレインコンタクト間の抵抗値を求める。First, as shown in FIG. 1, a case where one contact 5 is provided in each of a source region and a drain region will be considered. In such a case, the resistance between the contact 5 in the source region and the contact 6 in the drain region is generally (R CH + RS LDD + RS DIF + RD LDD + RD DIF ) + RC
ON / NCONS + RCON / NCOND, where R CH : channel resistance, RS LDD / RD LDD : source / drain LDD resistance RS DIF / RD DIF : source / drain diffusion resistance RCON: contact resistance NCONS / NCOND: number of source / drain contacts (here Then, each is represented by 1). However, the above equation does not reflect the difference between the positions of the source / drain contacts in FIGS. 3A and 3B and FIGS. 3A and 3C, and all of them have the same resistance value and match the actual conditions. Absent. Therefore, in the present embodiment,
A resistance value between a pair of source contact and drain contact formed on a reference line that bisects the field effect transistor in the width direction is defined as a reference resistance value, and the reference resistance value is set at the position of the source contact and the drain contact. Correction is performed using a correction coefficient (K RON ) based on the correction value, and an accurate resistance value between the source and drain contacts is obtained.
【００１４】まず、図１（ｂ）に示すように、電界効果
トランジスタ領域７を幅方向に２等分する基準線８を想
定し、ソース領域およびドレイン領域のコンタクト５、
６を、上記基準線８に垂直方向のベクトル量で表す。原
点の取り方は任意である。ここでは、基準線８を基準と
して、垂直に上方向が正、下方向が負とし、数値の絶対
値はとらないこととする。First, as shown in FIG. 1B, assuming a reference line 8 that bisects the field effect transistor region 7 in the width direction, the contact 5 of the source region and the drain region,
6 is represented by a vector amount perpendicular to the reference line 8. The method of setting the origin is arbitrary. Here, it is assumed that the upward direction is positive and the downward direction is negative with respect to the reference line 8, and the absolute value of the numerical value is not taken.
【００１５】このようにして得られたソース領域および
ドレイン領域のコンタクトに対応するベクトル量をそれ
ぞれ、ＹS、ＹDとした場合、直列抵抗の補正係数（Ｋ
RON）は以下の式で与えられる。 ＫRON＝１＋（ＡＤ・｜ＹS−ＹD｜／ＨDIF NH）ND＋（Ａ
Ｃ・｜ＹS＋ＹD｜／Ｗ）NC 但し、ＹS、ＹD：ソースコンタクト位置、ドレインコン
タクト位置の基準線から垂直方向へのベクトル量 ＨDIF：ゲート電極とコンタクト間の間隔 Ｗ：電界効果トランジスタの幅 また、ＡＤ、ＡＣ、ＮＨ、ＮＤ、ＮＣはフィッティング
パラメータであり、デバイスシミュレーション結果や、
ＴＥＧ測定結果より、一般的な最適化手法を用いて容易
に求めることができる。When the vector amounts corresponding to the contacts of the source region and the drain region obtained in this manner are Y S and Y D , respectively, the correction coefficient (K
RON ) is given by the following equation. K RON = 1 + (AD · | Y S −Y D | / H DIF NH ) ND + (A
C · | Y S + Y D | / W) NC where Y S , Y D : Vector amount of the source contact position and drain contact position in the vertical direction from the reference line H DIF : Distance between gate electrode and contact W: Electric field AD, AC, NH, ND, and NC are fitting parameters.
From the TEG measurement result, it can be easily obtained by using a general optimization technique.
【００１６】従って、本実施の形態により求めた補正係
数（ＫRON）を用いることにより、ソース／ドレインコ
ンタクトの位置を考慮した直列抵抗値（ＲONｅｆｆ）
は、 ＲONｅｆｆ＝（ＲCH＋ＲＳLDD＋ＲＳDIFF＋ＲＤLDD＋Ｒ
ＤDIFF）・ＫRON＋（ＲＣＯＮ／ＮＣＯＮＳ）＋（ＲＣ
ＯＮ／ＮＣＯＮＤ） で表すことができる。Therefore, by using the correction coefficient (K RON ) obtained according to the present embodiment, the series resistance value (R ON eff) taking the position of the source / drain contact into consideration.
Is R ON eff = (R CH + RS LDD + RS DIFF + RD LDD + R
D DIFF ) ・ K RON + (RCON / NCONS) + (RC
ON / NCOND).
【００１７】このように、本実施の形態で抽出した補正
係数（ＫRON）を用いることにより、図３の（ａ）およ
び（ｂ）、（ａ）および（ｃ）に表されるようなコンタ
クト位置の違いによる抵抗値の違いを考慮したソースド
レインコンタクト間の抵抗を得ることが可能となる。As described above, by using the correction coefficient (K RON ) extracted in the present embodiment, the contact as shown in FIGS. 3 (a) and (b), (a) and (c) can be obtained. It is possible to obtain the resistance between the source and drain contacts in consideration of the difference in resistance value due to the difference in position.
【００１８】実施の形態２．本実施の形態は、図２に示
すように、ソース領域およびドレイン領域のコンタクト
が複数存在する場合の補正係数（ＫRON）の抽出方法の
概念図を示す。Embodiment 2 FIG. This embodiment shows a conceptual diagram of a method of extracting a correction coefficient (K RON ) when a plurality of contacts of a source region and a drain region exist as shown in FIG.
【００１９】本補正係数（ＫRON）の抽出方法では、ま
ず、ソース領域、ドレイン領域からコンタクト数の少な
くない方の領域、図２ではソース領域２を選択する。In the method of extracting the correction coefficient (K RON ), first, a region having a smaller number of contacts from the source region and the drain region, that is, a source region 2 in FIG. 2 is selected.
【００２０】次に、上記選択された領域のコンタクト
と、電界効果トランジスタ領域７の幅方向の距離が最も
短い他の領域のコンタクトを選択する。例えば、ソース
領域２において、コンタクト５ａを選択した場合は、ド
レイン領域３のコンタクト６ａが選択される。同様に、
５ｂに対しては６ａが、５ｃに対しては６ｂが、５ｄに
対しては６ｂが夫々選択される。ここで、上記選択され
たソース領域のコンタクトと、電界効果トランジスタ領
域７の幅方向の距離が最も短い他の領域のコンタクトが
２つ存在する場合は、上記基準線８に近い方のコンタク
トを選択する。Next, a contact in the selected region and a contact in another region having the shortest distance in the width direction of the field effect transistor region 7 are selected. For example, when the contact 5a is selected in the source region 2, the contact 6a in the drain region 3 is selected. Similarly,
6a is selected for 5b, 6b is selected for 5c, and 6b is selected for 5d. Here, when there are two contacts in the selected source region and two contacts in another region having the shortest distance in the width direction of the field-effect transistor region 7, the contact closer to the reference line 8 is selected. I do.
【００２１】次に、実施の形態１と同様の計算式を用い
て、上記基準線８から上記選択されたコンタクトまでの
ベクトル量を求めた後、上記５ａ−６ａ、５ｂ−６ａ、
５ｃ−６ｂ、５ｄ−６ｂ間についてそれぞれ補正係数Ｋ
RON１、ＫRON２、ＫRON３、ＫRON４を求める。Next, the vector amount from the reference line 8 to the selected contact is obtained by using the same calculation formula as in the first embodiment, and then the vector amount is calculated from 5a-6a, 5b-6a,
The correction coefficient K for each of 5c-6b and 5d-6b
Find RON 1, K RON 2, K RON 3, and K RON 4.
【００２２】次に、 を用いて、上記補正係数（ＫRON１〜４）より全体の補
正係数（ＫRON）が求められる。従って、かかる補正係
数（ＫRON）を用いることにより、実施の形態１と同様
に、複数のソース／ドレインコンタクトを有する電界効
果トランジスタにおいても、正確なソース／ドレインコ
ンタクト間抵抗を求めることが可能となる。Next, Is used to determine the entire correction coefficient (K RON ) from the correction coefficients (K RON 1 to 4). Therefore, by using such a correction coefficient (K RON ), it is possible to obtain an accurate resistance between source / drain contacts even in a field-effect transistor having a plurality of source / drain contacts as in the first embodiment. Become.
【００２３】実施の形態３．上記実施の形態１、２で抽
出した補正係数（ＫRON）を、回路シミュレーションに
用いることにより、かかる回路シミュレーションにおい
てもソース／ドレイン領域のコンタクトの位置や数の違
いによるソース／ドレインコンタクト間抵抗の違いを考
慮した回路シミュレーションが可能となる。Embodiment 3 FIG. By using the correction coefficient (K RON ) extracted in the first and second embodiments in a circuit simulation, the resistance between the source / drain contacts due to the difference in the position and the number of the contacts in the source / drain regions is also used in the circuit simulation. Circuit simulation can be performed in consideration of the difference.
【００２４】即ち、本実施の形態では、ＭＯＳドレイン
電流の係数（ＭＩＤ）、ゲート容量の係数（ＭＣＧ）、
ゲートオーバーラップ容量の係数（ＭＣＧＯ）、接合容
量の係数（ＭＣＪ）、接合ダイオード基板電流の係数
（ＭＩＢ）、衝突電離基板電流の係数（ＭＩＩ）を含む
回路シミュレータ用入力ネットリスト中のＭＯＳドレイ
ン電流の係数（ＭＩＤ）を補正するために、上記抽出さ
れた補正係数（ＫRON）が用いられる。例えば、回路シ
ミュレータの入力ネットリストとして、ＭＯＳドレイン
電流の係数（ＭＩＤ）を設け、かかるＭＯＳドレイン電
流の係数（ＭＩＤ）に対してＭ１ ２ １ ３ ４ Ｌ
＝０．５ Ｗ＝１０ ＭＩＤ＝０．８０のように補正係
数（ＫRON）を用いて補正したデータを与えて回路シミ
ュレーションを行う。これにより、上記回路シミュレー
ションにおいても、上記ソース／ドレイン領域のコンタ
クトの位置や数の違いによるソース／ドレインコンタク
ト間抵抗の違いを考慮することができ、より精度が高
く、正確な回路シミュレーション結果を得ることが可能
となる。That is, in this embodiment, the coefficient of the MOS drain current (MID), the coefficient of the gate capacitance (MCG),
MOS drain current in a circuit simulator input netlist including gate overlap capacitance coefficient (MCGO), junction capacitance coefficient (MCJ), junction diode substrate current coefficient (MIB), impact ionization substrate current coefficient (MII) In order to correct the coefficient (MID), the extracted correction coefficient (K RON ) is used. For example, a MOS drain current coefficient (MID) is provided as an input netlist of a circuit simulator, and M1 2 1 3 4 L is set for the MOS drain current coefficient (MID).
= 0.5 W = 10 MID = 0.80, and a circuit simulation is performed by giving data corrected using a correction coefficient (K RON ). Thereby, also in the circuit simulation, the difference in resistance between the source / drain contacts due to the difference in the position and number of contacts in the source / drain regions can be considered, and a more accurate and accurate circuit simulation result can be obtained. It becomes possible.
【００２５】実施の形態４．本実施の形態は、実施の形
態３のように、入力ネットリストに対して補正したデー
タを与えるのではなく、回路シミュレータ中の個別変更
可能係数である拡散のシート数（ＮＲＳ）の代わりに、
補正係数（ＫRON）を用いて補正した拡散のシート数
（ＮＲＳ’）を用いることにより、ソース／ドレインコ
ンタクトの数や位置を考慮した回路シミュレーション結
果を得るものである。Embodiment 4 In the present embodiment, unlike Embodiment 3, corrected data is not given to an input netlist, but instead of the number of diffusion sheets (NRS) which is an individually changeable coefficient in a circuit simulator,
By using the number of diffusion sheets (NRS ′) corrected using the correction coefficient (K RON ), a circuit simulation result is obtained in which the number and position of source / drain contacts are taken into account.
【００２６】即ち、本実施の形態は、ソース抵抗（Ｒ
ｓ）が、計算式： Ｒｓ＝（（ＬD＋ＬDIF）／Ｗｅｆｆ）・ＲＳ＋ＮＲＳ・
ＲＳＨ 但し、ＬD：横方向拡散長 ＬDIF：ｎ-領域の長さ Ｗｅｆｆ：実効チャネル幅 ＲＳ：ＬＤＤ部のシート抵抗 ＮＲＳ：拡散シート数 ＲＳＨ：拡散シート抵抗 で与えられる回路シミュレータにおいて、上記計算式中
の拡散のシート数（ＮＲＳ）に代えて、抽出した補正係
数（ＫRON）を用いて補正した拡散のシート数（ＮＲ
Ｓ’）を用いるものである。このように、個別変更可能
係数である拡散のシート数（ＮＲＳ）の代わりに、補正
係数（ＫRON）を用いて補正した拡散のシート数（ＮＲ
Ｓ’）を用いることにより、実施の形態３のように、補
正係数（ＫRON）を用いて補正するための入力ネットリ
ストを新たに設けることなく、ソース、ドレイン抵抗を
上記計算式で与える既存の回路シミュレータを用いた場
合であっても、ソース／ドレインのコンタクトの数や位
置を考慮した回路シミュレーション結果を得ることが可
能となる。That is, in this embodiment, the source resistance (R
s) is, the calculation formula: Rs = ((L D + L DIF) / Weff) · RS + NRS ·
RSH where L D : lateral diffusion length L DIF : length of n − region Weff: effective channel width RS: sheet resistance of LDD part NRS: number of diffusion sheets RSH: diffusion sheet resistance In place of the diffusion sheet number (NRS) in the equation, the diffusion sheet number (NR) corrected using the extracted correction coefficient (K RON )
S ′). As described above, the number of diffusion sheets (NR) corrected using the correction coefficient (K RON ) instead of the number of diffusion sheets (NRS), which is an individual changeable coefficient.
By using S ′), the source and drain resistances can be calculated using the above-described formula without providing a new input netlist for correction using the correction coefficient (K RON ) as in the third embodiment. It is possible to obtain a circuit simulation result in consideration of the number and positions of the source / drain contacts even when the circuit simulator of (1) is used.
【００２７】ここで、上記補正係数（ＫRON）を用いて
補正した拡散のシート数（ＮＲＳ’）は、計算式： ＮＲＳ’＝｛（（ＲCH＋ＲLDD）／ＲDIF）・（ＫRON−
１）＋ＫRON｝・ＮＲＳ 但し、ＲCH：チャネル抵抗 ＲLDD：ＬＤＤ抵抗 ＲDIF：拡散抵抗 ＫRON：補正係数 ＮＲＳ：拡散のシート数 により与えられる。尚、本実施の形態では、ソース抵抗
（Ｒｓ）に関するモデルについて説明したが、ドレイン
抵抗（Ｒｄ）に関するモデルについても、同様の方法が
適用可能である。Here, the diffusion sheet number (NRS ') corrected using the correction coefficient (K RON ) is calculated by the following formula: NRS' = ｛((R CH + R LDD ) / R DIF ) · (K RON ) −
1) + K RON ｝ · NRS where R CH : channel resistance R LDD : LDD resistance R DIF : diffusion resistance K RON : correction coefficient NRS: number of diffusion sheets In the present embodiment, the model related to the source resistance (Rs) has been described, but the same method can be applied to the model related to the drain resistance (Rd).
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ソースコンタクトおよびドレインコンタクト
のずれ量、および上記ソースコンタクトとドレインコン
タクトの中点の基準線からのずれ量に基づいて、ソース
／ドレインコンタクト間抵抗に対する補正係数
（ＫRON）が抽出されるため、かかる補正係数（ＫRON）
を用いることにより、ソース／ドレインコンタクトの位
置および数を考慮して、ソース／ドレインコンタクト間
の正確な抵抗を求めることが可能となる。As is apparent from the above description, according to the present invention, based on the amount of deviation between the source contact and the drain contact and the amount of deviation of the midpoint of the source contact and the drain contact from the reference line, Since the correction coefficient (K RON ) for the resistance between the source / drain contacts is extracted, the correction coefficient (K RON )
By using the above, it is possible to obtain an accurate resistance between the source / drain contacts in consideration of the position and the number of the source / drain contacts.
【００２９】また、上記補正係数（ＫRON）を回路シミ
ュレーションの入力パラメータとして用いることによ
り、ソース／ドレインコンタクトの位置および数を考慮
した回路シミュレーションが可能となり、高精度な回路
シミュレーション結果を得ることができる。Further, by using the correction coefficient (K RON ) as an input parameter for circuit simulation, a circuit simulation can be performed in consideration of the positions and numbers of source / drain contacts, and a highly accurate circuit simulation result can be obtained. it can.
【図１】 （ａ）は、本発明の一の実施の形態にかかる
方法を用いてコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出
を行なう電界効果トランジスタの断面図であり、（ｂ）
はその上面図である。FIG. 1A is a cross-sectional view of a field-effect transistor for extracting a parameter for measuring resistance between contacts by using a method according to an embodiment of the present invention, and FIG.
Is a top view thereof.
【図２】 本発明の他の実施の形態にかかる電界効果ト
ランジスタのコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出
方法の概念図である。FIG. 2 is a conceptual diagram of a method for extracting a parameter for measuring resistance between contacts of a field-effect transistor according to another embodiment of the present invention.
【図３】 ソース／ドレインコンタクトの位置および数
の異なる電界効果トランジスタの例である。FIG. 3 is an example of a field effect transistor having different positions and numbers of source / drain contacts.
１ ゲート電極、２ ソース領域、３ ドレイン領域、
４ チャネル領域、５ソース領域に設けられたコンタク
ト、６ ドレイン領域に設けられたコンタクト、７ 電
界効果トランジスタ領域、８ 基準線。1 gate electrode, 2 source region, 3 drain region,
4 channel region, 5 contact provided in source region, 6 contact provided in drain region, 7 field effect transistor region, 8 reference line.
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成８年１１月５日[Submission date] November 5, 1996
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項２[Correction target item name] Claim 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００３[Correction target item name] 0003
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記電磁界解析による
方法では、電界効果トランジスタ領域７のソース領域２
またはドレイン領域３のいずれか一方についてのみ方程
式を解き、その結果を基にコンタクト５、６間の抵抗を
計算するため、例えば、図３（ｂ）および（ｃ）に示す
ようなコンタクト５、６間の相対的な位置関係の違いが
考慮されず、コンタクト５、６間の、正確な抵抗測定が
困難であった。また、電磁界方程式を解くためには、計
算のために長時間が必要であるという欠点もあった。そ
こで、本発明は、ソース／ドレイン領域２、３上のコン
タクト５、６の位置の違いを考慮したコンタクト５、６
間の抵抗測定用パラメータの抽出方法を提供することを
目的とする。According to the method based on the electromagnetic field analysis, the source region 2 of the field effect transistor region 7 is used.
Alternatively, since the equation is solved for only one of the drain regions 3 and the resistance between the contacts 5 and 6 is calculated based on the result, for example, the contacts 5 and 6 shown in FIGS. The difference in the relative positional relationship between the contacts 5 and 6 was not taken into account, and it was difficult to accurately measure the resistance between the contacts 5 and 6. In addition, there is a disadvantage that it takes a long time for calculation to solve the electromagnetic field equation. Therefore, the present invention provides contacts 5 and 6 in consideration of the difference in the positions of contacts 5 and 6 on source / drain regions 2 and 3.
It is an object of the present invention to provide a method of extracting a resistance measurement parameter during the measurement.
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【０００６】上記補正係数（ＫRON）は、 ＫRON＝１＋（ＡＤ・｜ＹS−ＹD｜／ＨDIF NH）ND＋（Ａ
Ｃ・｜ＹS＋ＹD｜／Ｗ）NC 但し、ＹS、ＹD：ソースコンタクト位置、ドレインコン
タクト位置の基準線から垂直方向へのベクトル量 ＨDIF：ゲート電極とコンタクト間の間隔 Ｗ：電界効果トランジスタの幅 ＡＤ、ＡＣ、ＮＨ、ＮＤ、ＮＣ：フィッティング パラメータ で表されることが好ましい。The above-mentioned correction coefficient (K RON ) is given by K RON = 1 + (AD · | Y S −Y D | / HDIF NH ) ND + (A
C · | Y S + Y D | / W) NC where Y S , Y D : Vector amount of the source contact position and drain contact position in the vertical direction from the reference line H DIF : Distance between gate electrode and contact W: Electric field The width of the effect transistor AD, AC, NH, ND, NC: preferably represented by fitting parameters
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２４[Correction target item name] 0024
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２４】即ち、本実施の形態では、ＭＯＳドレイン
電流の係数（ＭＩＤ）、ゲート容量の係数（ＭＣＧ）、
ゲートオーバーラップ容量の係数（ＭＣＧＯ）、接合容
量の係数（ＭＣＪ）、接合ダイオード基板電流の係数
（ＭＩＢ）、衝突電離基板電流の係数（ＭＩＩ）を含む
回路シミュレータ用入力ネットリスト中のＭＯＳドレイ
ン電流の係数（ＭＩＤ）を補正するために、上記抽出さ
れた補正係数（ＫRON）が用いられる。例えば、回路シ
ミュレータの入力ネットリストとして、ＭＯＳドレイン
電流の係数（ＭＩＤ）を設け、かかるＭＯＳドレイン電
流の係数（ＭＩＤ）に対して Ｍ１ ２ １ ３ ４ Ｌ＝０．５Ｕ Ｗ＝１０Ｕ Ｍ
ＩＤ＝０．８０ のように補正係数（ＫRON）を用いて補正したデータを
与えて回路シミュレーションを行う。これにより、上記
回路シミュレーションにおいても、上記ソース／ドレイ
ン領域のコンタクトの位置や数の違いによるソース／ド
レインコンタクト間抵抗の違いを考慮することができ、
より精度が高く、正確な回路シミュレーション結果を得
ることが可能となる。That is, in this embodiment, the coefficient of the MOS drain current (MID), the coefficient of the gate capacitance (MCG),
MOS drain current in a circuit simulator input netlist including gate overlap capacitance coefficient (MCGO), junction capacitance coefficient (MCJ), junction diode substrate current coefficient (MIB), impact ionization substrate current coefficient (MII) In order to correct the coefficient (MID), the extracted correction coefficient (K RON ) is used. For example, a coefficient (MID) of a MOS drain current is provided as an input netlist of a circuit simulator, and M1 13 4 L = 0.5U W = 10U M for the coefficient (MID) of the MOS drain current.
A circuit simulation is performed by giving data corrected using a correction coefficient (K RON ) such as ID = 0.80. Thereby, also in the circuit simulation, the difference in resistance between the source / drain contacts due to the difference in the position and number of contacts in the source / drain regions can be considered,
A more accurate and accurate circuit simulation result can be obtained.
Claims (7)
するソース領域とドレイン領域とが形成された半導体基
板上に、上記チャネル領域に沿って設けられたゲート電
極と、上記チャネル領域から互いに等距離に設けられた
少なくとも１個のソースコンタクトと少なくとも１個の
ドレインコンタクトとを備えた電界効果トランジスタの
ソース／ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの
抽出方法において、該パラメータ抽出方法が、 上記電界効果トランジスタを幅方向に２等分する基準線
上に形成した１対のソースコンタクトとドレインコンタ
クトとの間の抵抗値を基準抵抗値とし、上記ソースコン
タクトおよびドレインコンタクトの幅方向へのずれ量、
および上記ソースコンタクトとドレインコンタクトの中
点の上記基準線から幅方向へのずれ量に基づいて、上記
基準線上に形成した１対のソースコンタクトとドレイン
コンタクトとの間の抵抗値を補正するための補正係数
（ＫRON）の抽出工程を含むことを特徴とするソース／
ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出方
法。A gate electrode provided along the channel region on a semiconductor substrate having a source region and a drain region opposed to each other on both sides of a rectangular channel region; and a gate electrode provided at an equal distance from the channel region. A method for extracting a parameter for measuring resistance between source / drain contacts of a field effect transistor provided with at least one source contact and at least one drain contact provided in the field effect transistor; A resistance value between a pair of source and drain contacts formed on a reference line bisected in the width direction is defined as a reference resistance value.
And correcting a resistance value between a pair of the source contact and the drain contact formed on the reference line based on a shift amount of a midpoint of the source contact and the drain contact from the reference line in the width direction. Source / characteristics including a step of extracting a correction coefficient (K RON ) /
A method for extracting parameters for measuring the resistance between drain contacts.
Ｃ・（ＹS＋ＹD）／Ｗ）NC で表されることを特徴とする請求項１に記載のソース／
ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出方法
（式中、ＹS、ＹDはソースコンタクト位置、ドレインコ
ンタクト位置の基準線から垂直方向へのベクトル量、Ｈ
DIFはゲート電極とコンタクト間の間隔、Ｗは電界効果
トランジスタの幅、ＡＤ、ＡＣ、ＮＨ、ＮＤ、ＮＣはフ
ィッティングパラメータを示す）。2. The correction coefficient (K RON ) is: K RON = 1 + (AD · (Y S −Y D ) / H DIF NH ) ND + (A
C / (Y S + Y D ) / W) NC.
A method for extracting parameters for measuring the resistance between drain contacts (where Y s and Y D are the source contact position, the vector amount in the vertical direction from the reference line of the drain contact position, H
DIF indicates the distance between the gate electrode and the contact, W indicates the width of the field effect transistor, and AD, AC, NH, ND, and NC indicate fitting parameters).
より、計算式： ＲONｅｆｆ＝（ＲCH＋ＲＳLDD＋ＲＳDIF＋ＲＤLDD＋Ｒ
ＤDIF）・ＫRON＋（ＲＣＯＮ／ＮＣＯＮＳ）＋（ＲＣＯ
Ｎ／ＮＣＯＮＤ） に基づいてソースコンタクトとドレインコンタクトとの
間の抵抗値（ＲONｅｆｆ）を求められることを特徴とす
るソース／ドレインコンタクト間抵抗の測定方法（式
中、ＫRONは補正係数、ＲCHはチャネル抵抗、ＲＳLDDは
ソースＬＤＤ抵抗、ＲＤLDDはドレインＬＤＤ抵抗、Ｒ
ＳDIFはソース拡散抵抗、ＲＤDIFはドレイン拡散抵抗、
ＲＣＯＮはソースコンタクト抵抗またはドレインコンタ
クト抵抗、ＮＣＯＮＳはソースコンタクト数、ＮＣＯＮ
Ｄはドレインコンタクト数を示す）。3. A calculation formula using the correction coefficient (K RON ): R ON eff = (R CH + RS LDD + RS DIF + RD LDD + R
D DIF ) ・ K RON + (RCON / NCONS) + (RCO
N / NCOND), wherein a resistance value (R ON eff) between the source contact and the drain contact is obtained (where K RON is a correction coefficient, R CH is a channel resistance, RS LDD is a source LDD resistance, RD LDD is a drain LDD resistance, R
S DIF is a source diffusion resistance, RD DIF is a drain diffusion resistance,
RCON is the source contact resistance or drain contact resistance, NCONS is the number of source contacts, NCON
D indicates the number of drain contacts).
ンタクトを含むドレイン領域から、コンタクト数の少な
くない、いずれかの領域を選択する工程と、 上記選択された領域のいずれかのコンタクトと、該コン
タクトから上記幅方向の距離が最も短い他の領域のコン
タクトを選択する工程であって、該当する他の領域のコ
ンタクトが複数存在する場合には、上記基準線に近い方
のコンタクトを選択する工程と、 上記選択されたソースコンタクトおよびドレインコンタ
クトの幅方向へのずれ量、および上記ソースコンタクト
とドレインコンタクトの中点の上記基準線から幅方向へ
のずれ量に基づいて上記選択されたコンタクトについて
の補正係数（ＫRONｋ）を求める工程と、 上記選択された領域のすべてのコンタクトについて、順
次、補正係数（ＫRONｋ）を求める工程と、 上記各補正係数（ＫRONｋ）より補正係数（ＫRON）を求
める工程とからなることを特徴とする請求項１に記載の
ソース／ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの
抽出方法。4. The step of extracting the correction coefficient (K RON ) comprises the step of selecting any one of a source region including one or more contacts or a drain region including one or more contacts, the region having a small number of contacts. Selecting a contact in one of the selected regions and a contact in another region having the shortest distance in the width direction from the contact, wherein there are a plurality of contacts in the corresponding other region. A step of selecting a contact closer to the reference line, a shift amount in the width direction of the selected source contact and the drain contact, and a width of the midpoint of the source contact and the drain contact from the reference line. a step of determining a correction factor (K RON k) for the contacts that the chosen based on the amount of deviation of the direction, the selective For all contact regions, sequentially, characterized in that it consists of a step of obtaining a correction coefficient (K RON k), and obtaining a more correction coefficient (K RON) each correction coefficient (K RON k) The method for extracting a parameter for measuring resistance between source / drain contacts according to claim 1.
ＬDIF）／Ｗｅｆｆ）・ＲＳ＋ＮＲＳ・ＲＳＨ（式中、
ＬDは横方向拡散長、ＬDIFはｎ-領域の長さ、Ｗｅｆｆ
は実効チャネル幅、ＲＳはＬＤＤ部のシート抵抗、ＮＲ
Ｓは拡散シート数、ＲＳＨは拡散シート抵抗を示す）で
与えられる回路シミュレータにおいて、 上記拡散のシート数（ＮＲＳ）を補正するために用いら
れることを特徴とする請求項１に記載のソース／ドレイ
ンコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出方法。5. The correction coefficient (K RON ) and the source resistance (Rs) are calculated by the following formula: Rs = ((L D +
L DIF ) / Weff) · RS + NRS · RSH (where:
L D is the lateral diffusion length, L DIF is the length of the n − region, Weff
Is the effective channel width, RS is the sheet resistance of the LDD part, NR
2. The source / drain according to claim 1, wherein the circuit simulator is used to correct the number of diffusion sheets (NRS) in a circuit simulator given by: S denotes the number of diffusion sheets, and RSH denotes a diffusion sheet resistance. How to extract parameters for measuring resistance between contacts.
が、計算式： ＮＲＳ’＝｛（（ＲCH＋ＲLDD）／ＲDIF）・（ＫRON−
１）＋ＫRON｝・ＮＲＳ で表されることを特徴とする請求項５に記載のソース／
ドレインコンタクト間抵抗測定用パラメータの抽出方法
（式中、ＲCHはチャネル抵抗、ＲLDDはＬＤＤ抵抗、Ｒ
DIFは拡散抵抗、ＫRONは補正係数、ＮＲＳは拡散のシー
ト数、ＮＲＳ’は補正後の拡散のシート数を示す）。6. The correction of the number of sheets for diffusion (NRS) is performed by the following formula: NRS ′ = ｛((R CH + R LDD ) / R DIF ) · (K RON −
1) The source according to claim 5, wherein the source is represented by + K RON ｝ · NRS.
Extraction method of parameters for measuring resistance between drain contacts (where R CH is channel resistance, R LDD is LDD resistance, R
DIF is the diffusion resistance, K RON is the correction coefficient, NRS is the number of diffused sheets, and NRS 'is the number of diffused sheets after correction.
RON）が、 ＭＯＳドレイン電流の係数（ＭＩＤ）、ゲート容量の係
数（ＭＣＧ）、ゲートオーバーラップ容量の係数（ＭＣ
ＧＯ）、接合容量の係数（ＭＣＪ）、接合ダイオード基
板電流の係数（ＭＩＢ）、衝突電離基板電流の係数（Ｍ
ＩＩ）を含む回路シミュレータ用入力ネットリスト中の
ＭＯＳドレイン電流の係数（ＭＩＤ）を補正するために
用いられることを特徴とする回路シミュレーション方
法。7. The correction coefficient (K) extracted in claim 1.
RON ) is the coefficient of the MOS drain current (MID), the coefficient of the gate capacitance (MCG), the coefficient of the gate overlap capacitance (MC
GO), coefficient of junction capacitance (MCJ), coefficient of junction diode substrate current (MIB), coefficient of impact ionization substrate current (M
A circuit simulation method used for correcting a coefficient (MID) of a MOS drain current in an input netlist for a circuit simulator including II).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22984896A JPH1073632A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Method for extracting source/drain contact resistance measuring parameter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22984896A JPH1073632A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Method for extracting source/drain contact resistance measuring parameter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1073632A true JPH1073632A (en) | 1998-03-17 |
Family
ID=16898641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22984896A Pending JPH1073632A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Method for extracting source/drain contact resistance measuring parameter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1073632A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269889A (en) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | Library data generation method of lsi cell |
| CN109856456A (en) * | 2018-12-07 | 2019-06-07 | 维沃移动通信有限公司 | A kind of method, electronic equipment, power supply adaptor and system measuring impedance |
| US11024738B2 (en) | 2019-03-13 | 2021-06-01 | International Business Machines Corporation | Measurement of top contact resistance in vertical field-effect transistor devices |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22984896A patent/JPH1073632A/en active Pending
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| CN109856456A (en) * | 2018-12-07 | 2019-06-07 | 维沃移动通信有限公司 | A kind of method, electronic equipment, power supply adaptor and system measuring impedance |
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