JPH1070069A - 半導体露光装置におけるごみ検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体露光装置等において、基板保持手段や
基板上のごみの有無およびごみの存在位置を検出し、か
つその検出結果に基づいて集中的にクリーニングを行な
うことができる簡易なごみ検出装置を提供する。 【解決手段】 基板保持手段２上にオプティカルフラッ
ト１等の所定の平面度を有し光を透過する材料からなる
平板を接触させ、レーザー光源４から発振するレーザー
光を基板保持手段２に対して照射する。ごみ３が付着し
ている場合、このごみ３によってオプティカルフラット
１と基板保持手段２との間に隙間が生じ、干渉縞が観察
される。そしてこの干渉縞は光電変換素子６によって検
出されて、モニター７に映し出され、さらに画像処理装
置８により処理することによってごみの存在位置が判定
される。この検出結果に基づいて、ごみ除去手段をごみ
存在位置に移動させて、その位置を集中的にそして確実
にクリーニングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特に半導体露光装置において、ウエハ等の基板を保持す
る基板保持手段等に付着したごみや異物を検出するごみ
検出装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造のための半導体の露光装置に
おいては、光源の光によって露光用のマスクに照射し、
その照射されたマスクのパターンの像をウエハ等の基板
上のフォトレジストに投影して露光するようにしてい
る。

【０００３】そして、半導体素子の微細化、高集積化が
進むにつれて、高精度の半導体露光装置が要請され、ウ
エハ等の基板を保持する基板保持装置においても、基板
に接触する基板保持面の表面は高い平面度をもって形成
され、これに吸着される基板の平坦度を矯正するように
している。そして、ＬＳＩを製造する際には、何種類も
のマスクのパターンを基板上に露光することを要し、同
じ基板の同じ位置に別の種類のマスクのパターンを露光
することになるので、基板上のアライメントマークとマ
スクのアライメントマークを位置決めした後に露光が行
われている。

【０００４】ところで、ごみや異物が基板保持手段上に
付着している場合、このごみ等のために、基板（ウエ
ハ）は凸状になって局部的に平坦度が悪くなる。またこ
の場合にごみ等の付着によって凸状となった部分ではウ
エハの面内方向に位置ずれが発生することになる。これ
に関して、K.Simon ，H.-U.Scheunemann，H.-L.Huber／
F.Gabeli著「ＳＰＩＥ Vol.１９２４」（１９９３）
ｐｐ．２８２〜２８９によれば、３μｍのスペーサーが
ウエハ（４インチ）と基板保持手段の間に存在した場合
に、二重露光によって、１００ナノメーターの位置ずれ
が生じることが分かっている。したがって、露光時ある
いはアライメント時にこのような位置ずれが生じること
によって、オーバーレイ（重ね合わせ）精度に悪影響を
及ぼすという問題があった。

【０００５】このような問題点を解決する手段として
は、特開平５−７５２８６号公報に記載されているよう
に、ウエハおよび基板保持手段の異物の検出を露光前に
行なうようにした半導体基板の露光装置が知られてい
る。この従来の露光装置における異物検出手段は、図７
に示すように、異物を検出するためのレーザー光を発生
するレーザー光源１０１と、ビームスプリッター１０２
と、回転軸により回転自在な反射ミラー１０４と、異物
により反射した散乱光を検出する光電変換素子１０３と
から構成されており、レーザー光源１０１から発振され
たレーザー光を、ビームスプリッター１０２および反射
ミラー１０４を経て、検査位置にあるウエハ１０６の裏
面あるいはウエハチャック１０７の表面に対して水平に
照射させ、この照射において、反射ミラー１０４を回転
軸により回転させるか、またはウエハハンドリング機構
によりウエハ１０６およびウエハチャック１０７を水平
に移動させることによって、レーザー光を検査面全体に
走査させ、これにより、異物が付着している場合には、
この異物によってレーザー光が散乱することとなり、こ
の散乱光を反射ミラー１０４およびビームスプリッター
１０２を経て光電変換素子１０３で検出することによっ
て異物を検出している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術によれば、次に述べるような未解決な課題があ
った。

【０００７】ごみの大きさとしては、０．１μｍ〜数μ
ｍ程度の大きさまで種々のものが装置上に存在する。と
ころが、ウエハを保持する基板保持手段の平面度は、例
えば６インチの保持手段において０．５μｍ程度となっ
ているため、基板保持手段のバキューム溝等のエッジに
レーザー光が反射して誤検知をしてしまう可能性があ
る。さらに、ウエハにおいては１０μｍオーダーのそり
が存在するためウエハ面と垂直な方向のどこにレーザー
光を照射するかが難しい。

【０００８】また、検査面のどの位置にごみが付着して
いるかを判別するには、異なる直交方向よりレーザー光
を走査させる必要があった。

【０００９】そこで、本発明は、上記従来技術の有する
未解決な課題に鑑みてなされたものであって、半導体製
造装置、特に半導体露光装置において、ごみや異物の検
出を簡易な装置によって実現し、しかも基板保持手段等
の被検査面のいずれの位置にごみが存在するかを検出
し、集中的にクリーニングが可能なごみ検出装置を提供
することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体露光装置におけるごみ検出装置は、
基板保持手段に平板を接触させて、基板保持手段と平板
との間に生じる干渉縞を検出し、この干渉縞により基板
保持手段に付着したごみの存在位置を判定するごみ検出
手段を備えたことを特徴とする。

【００１１】また、本発明の半導体露光装置におけるご
み検出装置は、基板保持手段に変形媒体を介在させて平
板を重ね合わせ、変形媒体と平板との間に生じる干渉縞
を検出し、この干渉縞により基板保持手段に付着したご
みの存在位置を判定するごみ検出装置を備えたことを特
徴とする。

【００１２】さらに、本発明の半導体露光装置における
ごみ検出装置は、基板保持手段に平板を接触させて、こ
の平板の変形状態を干渉縞により検出し、基板保持手段
に付着したごみの存在位置を判定するごみ検出手段を備
えたことを特徴とする。

【００１３】さらに、本発明の半導体露光装置における
ごみ検出装置は、平板に基板を吸着する手段を設け、こ
の平板に基板を吸着させて基板と平板との間に生じる干
渉縞を検出し、この干渉縞により基板に付着したごみの
存在位置を判定するごみ検出手段を備えたことを特徴と
する。

【００１４】そして、本発明の半導体露光装置における
ごみ検出装置において、平板が、所定の平面度を有し、
光を透過する材料、あるいはウエハ等の基板とほぼ同じ
剛性をもち、光を透過し、所定の平面度を有する材料、
あるいはオプティカルフラットであることが好ましい。

【００１５】さらに、本発明の半導体露光装置における
ごみ検出装置は、ごみの存在位置を集中的にクリーニン
グ可能なごみ除去手段を備えていることが好ましい。

【００１６】また、本発明の半導体露光装置におけるご
み検出装置は、高圧ガス吹き付け手段を設けて、この高
圧ガス吹き付け手段によりごみの存在位置に高圧ガスを
吹き付けてごみを除去するようになし、そして、高圧ガ
ス吹き付け手段において、高圧ガス吹き付け口の回りに
吸引口を設けることが好ましい。

【００１７】そして、本発明の半導体露光装置は、前記
したようなごみ検出装置と基板保持手段に保持された基
板を露光する露光手段を有することを特徴とする。

【００１８】

【作用】本発明の半導体露光装置におけるごみ検出装置
によれば、基板保持手段に平面度が良く光を透過するオ
プティカルフラット等の平板を重ねて、レーザー光を照
射することにより、ごみの存在によって生じる干渉縞を
検出して、ごみの存在および存在位置を判定することが
でき、また基板との接触面積を少なくしたピンチャック
等の基板保持手段に対しては、ウエハ等の基板とほぼ同
等の剛性を有する変形媒体を介在させて、変形媒体の変
形状態を干渉縞により解析することによって、ごみの存
在および存在位置を判定することができる。

【００１９】また、判定されたごみの存在位置を集中的
にクリーニング可能なごみ除去手段を備えることによっ
て、ごみの除去を確実にかつ迅速に行うことができる。

【００２０】さらに、オプティカルフラット等の平板に
基板を吸着する手段を設けて、この吸着手段により平板
に基板を吸着させて、その反対側からレーザー光を照射
することによって、基板の裏面に付着したごみの検出お
よびその存在位置を検出することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。

【００２２】本発明にかかるごみや異物を検出するごみ
検出装置について、図１に基づいて説明する。ごみ検出
装置は、ごみを検出するために被検査面に対して照射す
るレーザー光を発生するレーザー光源４と、ビームスプ
リッター５と、オプティカルフラット１を通して干渉縞
を検出する光電変換素子６と、モニター７と、検出され
た干渉縞を画像処理するための画像処理装置８とによっ
て構成されている。基板保持手段２の表面上のごみの存
在を検査する際に、先ず基板保持手段２上にオプティカ
ルフラット１をローディングして、レーザー光源４から
発振されたレーザー光をビームスプリッター５を経て検
査位置にあるオプティカルフラット１を通して基板保持
手段２の表面に照射する。いま、図１に示すように、基
板保持手段２にごみ３が付着している場合には、このご
み３の存在によって、基板保持手段２とオプティカルフ
ラット１との間に隙間が発生し、干渉縞が観察される。
ここで、この基板保持手段２とオプティカルフラット１
との間に隙間をｄ、レーザー光源４の波長をλとする
と、このときに発生する干渉縞の本数Ｎは、Ｎ＝ｄ／
（λ／２）となる。この干渉縞は、ビームスプリッター
５とレンズ９を通して光電変換素子６に結像し、モニタ
ー７には図１に図示するような干渉縞が映し出される。
ここで、ごみ３の付着位置は、モニター７において干渉
縞の最も小さい円の中央にあることになり、基板保持手
段２上のごみの付着位置も確定することができる。さら
に、この画像を画像処理装置８によって処理し、自動的
に基板保持手段２上の位置を判定することもできる。ま
た、干渉縞の解析を容易にするために、図示しない機構
によって、基板保持手段をオプティカルフラットと一体
的にチルトさせることにより、干渉縞の本数を最小とな
るようにして干渉縞を解析することも可能である。

【００２３】オプティカルフラット１は、半導体露光装
置内に設置されたオプティカルフラットのストック部
（図示しない）に格納するようになし、ごみ検出を行な
う際に、図示しないローディング手段を用いて、そのス
トック部から基板保持手段２上にローディングできるよ
うにする。また、オプティカルフラットのローディング
手段は、オプティカルフラット専用のローディング手段
を半導体露光装置に付設してもよく、あるいは基板の搬
送用保持手段を兼用することもできる。

【００２４】また、オプティカルフラットの基板保持手
段へのローディングにおいて、基板保持手段が、図１に
示すように、水平方向に配置されている場合には、オプ
ティカルフラットは単に基板保持手段に載置するだけで
良いが、基板保持手段が垂直に配置されている場合に
は、オプティカルフラットを単純に載置することはでき
ないため、オプティカルフラットを基板保持手段に吸着
させるか、またはオプティカルフラットを基板保持手段
に接触させて、その状態を保持するようにして、検査を
行なう必要がある。

【００２５】なお、ここでごみ検出に用いたオプティカ
ルフラット１は、干渉縞を検出する際の一例であって、
このオプティカルフラットに代えて、平面度が良く光を
透過する平板を用いることもできる。そしてオプティカ
ルフラット等の平板の平面度は２λ以下とすることが好
ましい。

【００２６】また、干渉を起こすために必要な可干渉性
（コヒーレンス）がある光を使用する。例えば、コヒー
レント光であるレーザー光を使用し、本実施例では、Ｈ
ｅ−Ｎｅレーザー光（波長６３２．８ｎｍ）を用いてい
る。この他、太陽光や電灯光等のいろいろな波長の混ざ
り合った光を使用する場合には干渉フィルターを用いて
単色光にして使用する。

【００２７】そして、レーザー光は、ビームスプリッタ
ー５の手前で、ビームエクスパンダーを用いて拡大し、
基板保持手段２全面を一度に照射できるようにしても良
く、あるいはレーザー光を拡大することなく、基板保持
手段２を走査することによってその全面にレーザー光が
行き届くようにすることもできる。

【００２８】また、バキューム溝等が存在する基板保持
手段においては、そのバキューム溝等の存在によっても
干渉縞が発生することとなり、ごみの検出および判定は
直ちには困難であるけれども、基板保持手段の溝情報を
事前にコンピューターに入力しておき、溝情報を画像処
理することにより、干渉縞をつなぎ合わせる等の処理を
行なうことによって、基板保持面の状態を判断すること
ができる。さらに、基板保持手段は完全な平面ではな
く、僅かな平面の反りがあるため、事前に基板保持手段
にオプティカルフラットを接触させ、その基板保持手段
の反りを検出して、検出された基板保持手段の反り情報
をコンピューターに入力しておき、ごみが付着している
場合のごみの検出時の情報から基板保持手段の反り情報
を差し引いて解析することができるようにしておくこと
もできる。

【００２９】以上の説明においては、露光時に基板を保
持する基板保持手段（ウエハチャック）上のごみの検出
について説明してきたが、基板保持手段（ウエハチャッ
ク）に限らず、基板を搬送するための保持手段、例え
ば、ロード／アンロード用の保持手段であるハンド上の
ごみ等の検出に本発明を採用することもできる。すなわ
ち、オプティカルフラットをハンドに吸着させて、上記
したようなごみ検出の位置まで移動させて、以後同様な
手法により、ハンドにごみが付着しているか否かの検出
を行なうことができる。

【００３０】以上に述べたようなごみ検出によって、基
板保持手段２のどの位置にごみが付着しているのか特定
することができるので、基板保持手段２のごみの付着位
置を集中的にクリーニングを行なうことによって、ごみ
を確実に除去することが可能となる。なお、このごみの
除去は、オプティカルフラット１を基板保持手段２から
取り除き、オプティカルフラットのストック部に納めた
後に行なうものである。

【００３１】次に、検出されたごみを除去する方式につ
いて、図２および図３に基づいて説明する。図２はごみ
除去ユニットの概略図であり、図３はごみ除去ユニット
を用いてごみを除去する態様を示す概略図である。ごみ
除去ユニット１８は、配管中央部に設けた高圧ガス吹き
付け口１０とその回りに設けた吸引口１１とからなり、
吸引口１１は図示しないごみ収容部に連通されている。
このごみ除去ユニット１８を組み付けたごみ除去部材１
９を、図３に示すように、基板保持手段２上の検出され
たごみ付着位置へ移動させて、ごみ除去ユニット１８を
ごみ付着位置に近付ける。そして、高圧ガス吹き付け口
１０から高圧ガスをごみ付着位置に向けて吹き付け、こ
の高圧ガスの吹き付けによって、ごみ３を基板保持手段
２から除去する。同時に吸引口１１から真空引きするこ
とにより、除去されたごみ３は吸引口１１に吸引され、
ごみ収容部に収容される。かくして、ごみの除去は集中
的に行なうことができる。そして、ごみを除去した後
に、再度オプティカルフラット１を基板保持手段２にロ
ーディングして、ごみが確実に除去されたか否かを確認
することもできる。

【００３２】なお、このごみ除去ユニット１８におい
て、吸引口１１の真空引きに関して、そのポンプをチャ
ンバーの真空引き用のポンプや基板保持手段用のポンプ
で兼用すれば、低コストで装置を構成することができ
る。また、吹き付ける高圧ガスは、露光装置の雰囲気と
同じ気体を使用することが好ましく、大気中で露光する
ような場合ではＡｉｒを使用し、またＨｅ雰囲気中で露
光する場合には、Ｈｅを用いるのが良い。こうすること
により、露光装置のチャンバー内部の雰囲気を変えない
で済む。さらに、気体の純度に関しても同じ純度の気体
を用いることによって、純度管理したチャンバー内で
は、ごみ除去をしても、チャンバーを新たに真空引きす
る必要がない。

【００３３】このようなごみ除去ユニットによりごみを
除去するようにしたことによって、基板保持手段２の保
持面を傷付けてその平面度を悪くするようなことがな
く、また摩擦によって新たなごみが発生するようなこと
もなくなる。したがって、基板保持手段の保持面を傷付
けることなく、検出されたごみの付着位置を集中的にク
リーニングすることによって迅速なごみの除去が可能で
あり、さらに除去したごみが周囲に浮遊して別の場所に
再び付着することもなく、新たにごみの発生を気にする
ことなくクリーニングを行なうことができる。

【００３４】また、ごみの除去については、上記の例に
限らず、 （１）微粒子吸着部材を基板保持面に接触させ、ごみを
微粒子吸着部材に付着させる。 （２）洗浄液のかかった回転ブラシを通過させる。 （３）イオン化した粒子を含む空気を噴射させ、異物と
イオン分子を結合させる。 等の方法によって、ごみを取り除くこともできる。

【００３５】次に、基板保持手段としてピンチャックを
用いた場合のごみの検出について、図４に基づいて説明
する。基板保持手段において、ごみの影響を少なくする
ためにピンチャックが案出されており、このピンチャッ
クは、ごみの影響を少なくするために、基板保持手段と
基板との接触面積を小さくして、基板保持手段にごみの
付着する確率を小さくするようにしており、基板保持面
に非常に多くの凹凸を有し、この凸部と凹部の面積比
は、例えば１対９の割合となっている。そして凸部とな
っている部分が基板との接触部であり、凹部が非接触部
となる。この非接触部に付着したごみは、ウエハ等の基
板の平坦度を悪くしたり、面内方向の位置ずれ等の問題
を発生させたりしない。

【００３６】このようなピンチャックのように基板との
接触面積が極端に少ない基板保持手段においては、図１
に関連して説明したような画像処理により干渉縞をつな
ぎ合わせることが困難であるため、次のような手法でご
みの検出を行なう。

【００３７】図４において、基板保持手段はピンチャッ
ク２であり、ごみ３がピンに付着した状態を示す。この
ようにごみ３が付着した状態で、先の実施例のようにオ
プティカルフラット１を直接ピンチャック２に接触させ
ても、干渉縞を解析することは困難である。そこで、こ
の実施例においては、両面ポリシングしたウエハで厚さ
むらが少ないスーパーフラットウエハ２０を変形媒体と
して用い、このスーパーフラットウエハ２０をピンチャ
ック２に吸着させる。これによって、このスーパーフラ
ットウエハ２０はごみ３の影響を受け図４に示すように
変形する。そしてこのスーパーフラットウエハ２０の表
面上に、図示しないローディング手段によりオプティカ
ルフラット１を接触させる。その後、先の実施例のごみ
検出装置と同様にレーザー光をオプティカルフラット１
側からスーパーフラットウエハ２０に照射し、オプティ
カルフラット１とスーパーフラットウエハ２０との間に
生じる干渉縞を読み取る。かくすることにより、このス
ーパーフラットウエハのごみの影響による変形状態を干
渉縞により解析し、ごみの存在並びにごみの付着位置を
検出することができる。

【００３８】ここで、変形媒体として用いたスーパーフ
ラットウエハに代えて、ウエハ等の基板と同等の剛性を
有し、厚さむらが小さく、光を透過しない材料で、表面
の反射率が大きい材料を用いることもできる。また、オ
プティカルフラットは干渉縞を検出する際の一例にすぎ
ず、平面度が良く光を透過する平板であれば、オプティ
カルフラットに代えて使用することが可能である。

【００３９】以上のように、本実施例は、基板保持手段
の表面に溝や凹部が多数存在する場合において特に有用
であり、変形媒体を介してその媒体の変形状態をモニタ
リングすることにより、ごみの付着位置を検出すること
が可能となる。

【００４０】また、上述した第１および第２の実施例に
おいて、基板保持手段に基板を吸着保持させた後に、そ
の基板にオプティカルフラット等の平板を介在させてレ
ーザー光を照射することによって、ごみの検出だけでな
く、ごみを挟んだ状態の基板の平坦度を確認することが
できるので、ごみの存在や大小だけでなく、吸着時のご
みの変形を含めて基板の平坦度にどの程度影響を与える
かが確認できる。したがって、基板の平坦度に悪影響を
及ぼす場合のみにごみの除去を行なうようにすることも
可能である。

【００４１】さらに、ごみ検出装置において、オプティ
カルフラットに代えて、平面度が良く光を透過し、かつ
ウエハ等の基板とほぼ同じ剛性を有する平板を用いるこ
とによって、この種の平板を基板保持手段に重合あるい
は吸着させると、基板保持手段上のごみの影響により、
平板自体が変形する。この状態で上述の実施例と同様に
レーザー光を照射することによってその変形状態に応じ
た干渉縞を観察することができ、この干渉縞によりごみ
の存在並びにごみの付着位置を検出することもできる。

【００４２】ところで、上述した実施例においては、基
板の裏面のごみの検出はできなかったけれども、図５お
よび図６に示す実施例は基板の裏面のごみの検出を可能
とするものである。図５には、基板の裏面に対するごみ
検出装置におけるオプティカルフラットに形成する基板
吸着用の真空系を示す。オプティカルフラット２１の一
面にバキューム口２２（図５においては４個）を設け
て、この面を基板２７を吸着する面とし、これらのバキ
ューム口２２をバキューム配管２３に連結して、図にお
いては４個のバキューム配管２３のそれぞれをディスト
リビューター２４に接続し、さらにバルブ２５を介して
真空ポンプ２６に接続する。なお、このオプティカルフ
ラット２１は、バキューム口２２やバキューム配管２３
のための接続ポート等の加工を施した後の最終工程でラ
ップすることによって基板吸着面の充分な平面度を確保
しておく。

【００４３】かくして、オプティカルフラット２１の基
板吸着面に基板２７を載せ、ポンプ２６を作動させてバ
ルブ２５を開くことによって、基板２７はオプティカル
フラット２１の基板吸着面に吸着される。ここで、基板
２７は、オプティカルフラット２１の高精度に加工され
た基板吸着面の平面度に倣い、基板の表面もオプティカ
ルフラットに近い平面度となる。そして、図６に示すよ
うに、オプティカルフラット２１の裏面からレーザー光
を照射し、基板２７の裏面のごみの検出を行なう。レー
ザー光源４、ビームスプリッター５、レンズ９、光電変
換素子６、モニター７、画像処理装置８は、第１の実施
例に関連して説明したと同様の構成である。したがっ
て、レーザー光をオプティカルフラット２１の裏面から
照射することで、基板２７の裏面にごみが付着している
と、基板２７がごみによってオプティカルフラット２１
からごみの分だけ離れて吸着されることとなり、この距
離に相当する干渉縞が検出できる。このように、この実
施例においては、基板２７の裏面におけるごみの有無お
よびごみの付着位置を判別することができる。

【００４４】さらに、この実施例では、基板２７の裏面
でオプティカルフラット２１のバキューム口２２の位置
に対応する位置にごみが付着している場合には、ごみの
検出ができないこととなるので、例えば、基板２７とオ
プティカルフラット２１との相対位置が変わるように相
対的に移動させて再吸着することにより、基板の必要領
域の全てに対してごみの検出を行なうことができる。

【００４５】この実施例において、オプティカルフラッ
ト２１は、その基板吸着面にごみが残らないように、定
期的にクリーニングすることが好ましい。

【００４６】また、この実施例においても、オプティカ
ルフラットは干渉縞を検出する際の一例にすぎず、平面
度が良く光を透過する平板であれば、オプティカルフラ
ットに代えて使用することが可能である。

【００４７】さらに、この実施例のごみ検出装置を用い
て、露光前に全ての基板を検査し、基板の裏面にごみが
付着している基板を回収するようにすることもできる。

【００４８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、基板保持手段にオプティカルフラット等の
平面度が良く光を透過する平板を重ねて、レーザー光の
照射により観察される干渉縞により基板保持手段に付着
したごみの存在およびごみの存在位置を判定することが
できるために、ごみの付着位置を集中的にクリーニング
することができ、ごみの除去を確実にかつ迅速に行なう
ことができる。さらにごみの検出および除去を簡易な装
置で実現することができる。

【００４９】また、基板保持手段だけでなく、ウエハ等
の基板の裏面のごみも検出することができる。

【００５０】さらに、ごみの付着だけでなく、基板と基
板保持手段との間にごみを挟んだ場合に、ごみを挟んだ
状態の平坦度が確認できるために、吸着時のごみの変形
を含めて基板の平坦度にどの程度影響を与えているかが
確認でき、平坦度に悪影響を及ぼす場合のみにごみの除
去を行なうようにすることも可能である。

【００５１】以上のように、本発明によれば、ごみが基
板保持手段等に付着している場合、あるいは基板の平坦
度に悪影響を及ぼす場合に、検出されたごみの付着位置
を集中的にクリーニングすることができるため、簡易な
手段で、ごみの検出および除去を確実にかつ迅速に行な
うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のごみ検出装置の概略図である。

【図２】本発明のごみ除去ユニットの概略図である。

【図３】本発明のごみを除去する態様を示す概略図であ
る。

【図４】本発明のごみ検出装置の第２の実施例を示す概
略図である。

【図５】本発明のごみ検出装置の第３の実施例における
オプティカルフラットの基板吸着用の真空系を示す概略
図である。

【図６】本発明のごみ検出装置の第３の実施例を示す概
略図である。

【図７】従来の異物検出装置を示す概略図である。

【符号の説明】

１ オプティカルフラット ２ 基板保持手段 ３ ごみ ４ レーザー光源 ６ 光電変換素子 ７ モニター ８ 画像処理装置 １０ 高圧ガス吹き付け口 １１ 吸引口 １８ ごみ除去ユニット １９ ごみ除去部材 ２０ スーパーフラットウエハ（変形媒体） ２１ オプティカルフラット（基板保持手段） ２２ バキューム口 ２７ 基板

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板保持手段に平板を接触させて、基板
   保持手段と平板との間に生じる干渉縞を検出し、この干
   渉縞により基板保持手段に付着したごみの存在位置を判
   定するごみ検出手段を備えたことを特徴とする半導体露
   光装置におけるごみ検出装置。
2. 【請求項２】 基板保持手段に変形媒体を介在させて平
   板を重ね合わせ、変形媒体と平板との間に生じる干渉縞
   を検出し、この干渉縞により基板保持手段に付着したご
   みの存在位置を判定するごみ検出装置を備えたことを特
   徴とする半導体露光装置におけるごみ検出装置。
3. 【請求項３】 基板保持手段に平板を接触させて、この
   平板の変形状態を干渉縞により検出し、基板保持手段に
   付着したごみの存在位置を判定するごみ検出手段を備え
   たことを特徴とする半導体露光装置におけるごみ検出装
   置。
4. 【請求項４】 平板が、所定の平面度を有し、光を透過
   する材料であることを特徴とする請求項１ないし３のい
   ずれか１項記載の半導体露光装置におけるごみ検出装
   置。
5. 【請求項５】 平板が、ウエハ等の基板とほぼ同じ剛性
   をもち、光を透過し、所定の平面度を有する材料である
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載
   の半導体露光装置におけるごみ検出装置。
6. 【請求項６】 平板が、オプティカルフラットであるこ
   とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載の
   半導体露光装置におけるごみ検出装置。
7. 【請求項７】 変形媒体が、ウエハ等の基板とほぼ同じ
   剛性をもち、光を透過しない材料であって、反射率が大
   きく、所定の厚さむらの材料であり、平板が、光を透過
   し、所定の平面度を有する材料であることを特徴とする
   請求項２記載の半導体露光装置におけるごみ検出装置。
8. 【請求項８】 平板に基板を吸着する手段を設け、この
   平板に基板を吸着させて基板と平板との間に生じる干渉
   縞を検出し、この干渉縞により基板に付着したごみの存
   在位置を判定するごみ検出手段を備えたことを特徴とす
   る半導体露光装置におけるごみ検出装置。
9. 【請求項９】 平板の基板吸着面の反対側からごみ検出
   用の光を照射することを特徴とする請求項８記載の半導
   体露光装置におけるごみ検出装置。
10. 【請求項１０】 平板が、所定の平面度を有し、光を透
    過する材料であることを特徴とする請求項８ないし９の
    いずれか１項記載の半導体露光装置におけるごみ検出装
    置。
11. 【請求項１１】 平板が、オプティカルフラットである
    ことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項記
    載の半導体露光装置におけるごみ検出装置。
12. 【請求項１２】 ごみの存在位置を集中的にクリーニン
    グ可能なごみ除去手段を備えたことを特徴とする請求項
    １ないし１１のいずれか１項記載の半導体露光装置にお
    けるごみ検出装置。
13. 【請求項１３】 高圧ガス吹き付け手段を設けて、この
    高圧ガス吹き付け手段によりごみの存在位置に高圧ガス
    を吹き付けてごみを除去するようになしたことを特徴と
    する請求項１ないし１１のいずれか１項記載の半導体露
    光装置におけるごみ検出装置。
14. 【請求項１４】 高圧ガスとして露光雰囲気と同じ気体
    を使用し、それらの純度が同じであることを特徴とする
    請求項１３記載の半導体露光装置におけるごみ検出装
    置。
15. 【請求項１５】 高圧ガス吹き付け手段において、高圧
    ガス吹き付け口の回りに吸引口を設けたことを特徴とす
    る請求項１３または１４記載の半導体露光装置における
    ごみ検出装置。
16. 【請求項１６】 平板のストック部を設けたことを特徴
    とする請求項１ないし７、１２ないし１５のいずれか１
    項記載の半導体露光装置におけるごみ検出装置。
17. 【請求項１７】 平板のローディング手段を設けたこと
    を特徴とする請求項１６記載の半導体露光装置における
    ごみ検出装置。
18. 【請求項１８】 平板のローディングを基板搬送用のロ
    ーディング手段で行なうことを特徴とする請求項１６記
    載の半導体露光装置におけるごみ検出装置。
19. 【請求項１９】 請求項１ないし１８のいずれか１項記
    載のごみ検出装置と、基板保持手段に保持された基板を
    露光する露光手段を有することを特徴とする半導体露光
    装置。