JPH1065234A - ２端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 - Google Patents
２端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置Info
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- JPH1065234A JPH1065234A JP8222952A JP22295296A JPH1065234A JP H1065234 A JPH1065234 A JP H1065234A JP 8222952 A JP8222952 A JP 8222952A JP 22295296 A JP22295296 A JP 22295296A JP H1065234 A JPH1065234 A JP H1065234A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＩＭ素子の微細化と絶縁破壊対策及び素子
特性の均一化を同時に全部満足させる２端子非線形素子
を得る。 【解決手段】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に比較的薄い絶縁膜を成し、上記境界
部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に
比較的厚い絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上
に上部電極を形成して２端子非線形素子を構成する。
特性の均一化を同時に全部満足させる２端子非線形素子
を得る。 【解決手段】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に比較的薄い絶縁膜を成し、上記境界
部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に
比較的厚い絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上
に上部電極を形成して２端子非線形素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２端子非線形素子
及びその製造方法並びに２端子非線形素子を駆動素子と
して使用する液晶表示装置に関する。
及びその製造方法並びに２端子非線形素子を駆動素子と
して使用する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置はその低消費電力、
薄型、軽量等の特徴から、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、オフィスオートメーション用の端末表
示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用されてお
り、より大容量表示、高画質が要求されている。液晶表
示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）方式あるいはＳＴ
Ｎ（Super Twisted Nematic）方式の電圧平均化法によ
る単純マトリクス駆動を行っているが、この方式及び駆
動法は走査線数が増加するとコントラストが十分に得ら
れなくなり、大容量表示に適さない。そこで、表示画面
をマトリクス状の画素電極に分割し、個々の画素電極に
スイッチング素子を設けたアクティブ駆動が実用化され
ている。スイッチング素子として、非晶質シリコン半導
体を用いた薄膜トランジスタや、非線形抵抗特性を利用
した２端子非線形素子が使用されている。その中でも２
端子非線形素子を用いた液晶表示装置は構造が簡単で、
製造コストの面で有利であることから将来性が有望視さ
れ、特に金属−絶縁膜−金属（Metal-Insulator-Meta
l、以下、ＭＩＭという）構造を有する２端子非線形素
子が実用化されている。
薄型、軽量等の特徴から、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、オフィスオートメーション用の端末表
示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用されてお
り、より大容量表示、高画質が要求されている。液晶表
示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）方式あるいはＳＴ
Ｎ（Super Twisted Nematic）方式の電圧平均化法によ
る単純マトリクス駆動を行っているが、この方式及び駆
動法は走査線数が増加するとコントラストが十分に得ら
れなくなり、大容量表示に適さない。そこで、表示画面
をマトリクス状の画素電極に分割し、個々の画素電極に
スイッチング素子を設けたアクティブ駆動が実用化され
ている。スイッチング素子として、非晶質シリコン半導
体を用いた薄膜トランジスタや、非線形抵抗特性を利用
した２端子非線形素子が使用されている。その中でも２
端子非線形素子を用いた液晶表示装置は構造が簡単で、
製造コストの面で有利であることから将来性が有望視さ
れ、特に金属−絶縁膜−金属（Metal-Insulator-Meta
l、以下、ＭＩＭという）構造を有する２端子非線形素
子が実用化されている。
【０００３】図６は、ＭＩＭ素子を使用した液晶表示装
置の構造図を示し、ここでは対向基板を一部切り欠い
て、ほぼ一画素を示している。図７は、図６のＡ−Ａ'
における素子側基板の断面図である。
置の構造図を示し、ここでは対向基板を一部切り欠い
て、ほぼ一画素を示している。図７は、図６のＡ−Ａ'
における素子側基板の断面図である。
【０００４】液晶表示装置は、信号配線、ＭＩＭ素子、
画素電極等が形成された素子側のガラス基板１と、対向
電極等が形成された対向側のガラス基板２を１０数μｍ
から数μｍ程度の間隔を一定の寸法を有するスペーサ
（図示しない）を基板間に介在させることにより、正確
に保持して貼り合わせ、両ガラス基板間に液晶を挿入し
て構成される。素子側のガラス基板１には、信号配線
３、ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成され、対向側のガ
ラス基板２には、信号配線３と直交する方向にストライ
プ状の対向側電極６が形成されている。したがって、画
素電極５と対向側電極６が相対向する領域が１画素とな
る。
画素電極等が形成された素子側のガラス基板１と、対向
電極等が形成された対向側のガラス基板２を１０数μｍ
から数μｍ程度の間隔を一定の寸法を有するスペーサ
（図示しない）を基板間に介在させることにより、正確
に保持して貼り合わせ、両ガラス基板間に液晶を挿入し
て構成される。素子側のガラス基板１には、信号配線
３、ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成され、対向側のガ
ラス基板２には、信号配線３と直交する方向にストライ
プ状の対向側電極６が形成されている。したがって、画
素電極５と対向側電極６が相対向する領域が１画素とな
る。
【０００５】ＭＩＭ素子４は、信号配線３から張り出し
た下部電極３ａと、この下部電極の上表面に形成された
絶縁膜７及びその上に形成された上部電極８から構成さ
れた２端子非線形素子である。ＭＩＭ素子は、下部電極
３ａにはタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７には酸化タンタル
（ＴａＯx）、上部電極８にはクロム（Ｃｒ）、チタン
（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、画
素電極５及び対向側電極６には透明導電膜、例えばＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）が用いられる。上記酸化タンタ
ルよりなる絶縁膜７の成膜は、陽極酸化法が用いられる
ことが多い。陽極酸化法は素子特性に大きな影響を与え
る絶縁膜７の膜厚を化成電圧を変えることにより制御で
きるので好ましい。
た下部電極３ａと、この下部電極の上表面に形成された
絶縁膜７及びその上に形成された上部電極８から構成さ
れた２端子非線形素子である。ＭＩＭ素子は、下部電極
３ａにはタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７には酸化タンタル
（ＴａＯx）、上部電極８にはクロム（Ｃｒ）、チタン
（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、画
素電極５及び対向側電極６には透明導電膜、例えばＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）が用いられる。上記酸化タンタ
ルよりなる絶縁膜７の成膜は、陽極酸化法が用いられる
ことが多い。陽極酸化法は素子特性に大きな影響を与え
る絶縁膜７の膜厚を化成電圧を変えることにより制御で
きるので好ましい。
【０００６】上記ＭＩＭ素子４、画素電極５の表面上に
配向膜１０を形成し、所定の方向に配向させる。また対
向側電極６の表面上にも配向膜が形成され、所定の方向
に配向される。この両方の配向膜によって液晶分子の配
向状態が決定される。そして、所定の光学モードになる
ように光学フィルムをガラス基板１、２に貼り付ける。
ＴＮ方式をノーマリホワイトモードで使用する場合は、
偏光軸が直交するように偏光板１１及び１２をガラス基
板１、２の外側表面に貼り付ける。
配向膜１０を形成し、所定の方向に配向させる。また対
向側電極６の表面上にも配向膜が形成され、所定の方向
に配向される。この両方の配向膜によって液晶分子の配
向状態が決定される。そして、所定の光学モードになる
ように光学フィルムをガラス基板１、２に貼り付ける。
ＴＮ方式をノーマリホワイトモードで使用する場合は、
偏光軸が直交するように偏光板１１及び１２をガラス基
板１、２の外側表面に貼り付ける。
【０００７】ＭＩＭ素子４は、下部電極３ａと上部電極
８間に印加された電圧が低い場合に素子抵抗が高抵抗と
なり、印加電圧が高い場合に低抵抗になる非線形抵抗特
性を示す。液晶表示装置はＭＩＭ素子のこの非線形抵抗
特性をスイッチング特性として利用して画素電極５及び
対向側電極６に電圧を印加し、液晶分子の配向状態を変
えることにより表示を行う。ＭＩＭ素子を駆動する場
合、液晶層の容量（ＣLC）とＭＩＭ素子の容量
（ＣMIM）の比は大きい方が表示品位が高い液晶表示装
置が得られるので、通常この比の値は１０程度以上にな
るよう設計される。
８間に印加された電圧が低い場合に素子抵抗が高抵抗と
なり、印加電圧が高い場合に低抵抗になる非線形抵抗特
性を示す。液晶表示装置はＭＩＭ素子のこの非線形抵抗
特性をスイッチング特性として利用して画素電極５及び
対向側電極６に電圧を印加し、液晶分子の配向状態を変
えることにより表示を行う。ＭＩＭ素子を駆動する場
合、液晶層の容量（ＣLC）とＭＩＭ素子の容量
（ＣMIM）の比は大きい方が表示品位が高い液晶表示装
置が得られるので、通常この比の値は１０程度以上にな
るよう設計される。
【０００８】このように構成されるＭＩＭ素子を使用し
た液晶表示装置は、薄膜トランジスタの製造工程に比べ
て少ない工程数で作製できる利点があるが、ＭＩＭ素子
の微細化が困難であること、ＭＩＭ素子の絶縁破壊対策
の問題が存在していた。ＭＩＭ素子の微細化は、大容量
表示のため画素ピッチが狭くなるに従い必要となる。す
なわち、液晶層の容量とＭＩＭ素子の容量比１０程度以
上を確保するためには、ＭＩＭ素子の面積を小さくしな
ければならないためである。ＭＩＭ素子の容量は、絶縁
膜７の膜厚を厚くして容量（ＣMIM）を小さくすること
もできるが、ＭＩＭ素子の電圧−電流特性における急峻
性が悪化するので好ましくない。したがってＭＩＭ素子
の面積を小さくする必要がある。
た液晶表示装置は、薄膜トランジスタの製造工程に比べ
て少ない工程数で作製できる利点があるが、ＭＩＭ素子
の微細化が困難であること、ＭＩＭ素子の絶縁破壊対策
の問題が存在していた。ＭＩＭ素子の微細化は、大容量
表示のため画素ピッチが狭くなるに従い必要となる。す
なわち、液晶層の容量とＭＩＭ素子の容量比１０程度以
上を確保するためには、ＭＩＭ素子の面積を小さくしな
ければならないためである。ＭＩＭ素子の容量は、絶縁
膜７の膜厚を厚くして容量（ＣMIM）を小さくすること
もできるが、ＭＩＭ素子の電圧−電流特性における急峻
性が悪化するので好ましくない。したがってＭＩＭ素子
の面積を小さくする必要がある。
【０００９】また、ＭＩＭ素子の絶縁膜７は必要な素子
特性を得るため、絶縁膜は４００〜７００Å程度に形成
されているが、電気的耐圧が低いため、絶縁破壊を起こ
しやすい。絶縁破壊したＭＩＭ素子の画素は正常に動作
せず、点欠陥となる。
特性を得るため、絶縁膜は４００〜７００Å程度に形成
されているが、電気的耐圧が低いため、絶縁破壊を起こ
しやすい。絶縁破壊したＭＩＭ素子の画素は正常に動作
せず、点欠陥となる。
【００１０】このような問題点を解決するため、次のよ
うな解決法が提案されている。例えば、微細化のために
下部電極の断面部分をＭＩＭ素子として利用する、いわ
ゆるラテラル構造が例えば特公平３−２６３６７号公報
で提案されている。また、絶縁破壊を防止するためにス
ルーホールを利用したトップコンタクト構造が提案され
ている。
うな解決法が提案されている。例えば、微細化のために
下部電極の断面部分をＭＩＭ素子として利用する、いわ
ゆるラテラル構造が例えば特公平３−２６３６７号公報
で提案されている。また、絶縁破壊を防止するためにス
ルーホールを利用したトップコンタクト構造が提案され
ている。
【００１１】ラテラル構造を図８とともに説明する。ま
たトップコンタクト構造を図９とともに説明する。
たトップコンタクト構造を図９とともに説明する。
【００１２】図８（ａ）は１画素の平面図であり、図８
（ｂ）はＢ−Ｂ'における素子側基板の断面図である。
（ｂ）はＢ−Ｂ'における素子側基板の断面図である。
【００１３】図８の液晶表示装置も図６と同様に、ガラ
ス基板１の表面に信号配線３、画素電極５が形成される
が、ＭＩＭ素子４が信号配線３の側面部に形成される点
に特徴がある。ラテラル構造のＭＩＭ素子は、信号配線
３の側面部に非線形性を示す比較的薄い絶縁膜７ａと、
信号配線３の上面にＭＩＭ素子として機能しない比較的
厚い絶縁膜７ｂを作り、比較的薄い絶縁膜７ａに上部電
極８を形成して構成する。非線形性を示す比較的薄い絶
縁膜７ａは、信号配線３の側面部に形成され、この信号
配線の膜厚が数１０００Åであるので、ＭＩＭ素子の面
積は信号配線３の膜厚と上部電極８の幅の積で決まり、
フォトリソ工程における露光精度の限界（数μｍ程度）
と比較してはるかに小さいＭＩＭ素子を作ることがで
き、実質的なＭＩＭ素子の容量（ＣMIM）を小さくする
ことができ、上部電極のパターニング精度が同一でも液
晶層の容量（ＣLC）との比を大きくすることができる。
ス基板１の表面に信号配線３、画素電極５が形成される
が、ＭＩＭ素子４が信号配線３の側面部に形成される点
に特徴がある。ラテラル構造のＭＩＭ素子は、信号配線
３の側面部に非線形性を示す比較的薄い絶縁膜７ａと、
信号配線３の上面にＭＩＭ素子として機能しない比較的
厚い絶縁膜７ｂを作り、比較的薄い絶縁膜７ａに上部電
極８を形成して構成する。非線形性を示す比較的薄い絶
縁膜７ａは、信号配線３の側面部に形成され、この信号
配線の膜厚が数１０００Åであるので、ＭＩＭ素子の面
積は信号配線３の膜厚と上部電極８の幅の積で決まり、
フォトリソ工程における露光精度の限界（数μｍ程度）
と比較してはるかに小さいＭＩＭ素子を作ることがで
き、実質的なＭＩＭ素子の容量（ＣMIM）を小さくする
ことができ、上部電極のパターニング精度が同一でも液
晶層の容量（ＣLC）との比を大きくすることができる。
【００１４】図９は、トップコンタクト構造を示し、図
９（ａ）は１画素の平面図であり、図９（ｂ）はＣ−
Ｃ'における素子側基板の断面図である。ＭＩＭ素子の
絶縁破壊は下部電極のエッチング端が非線形素子の一部
として機能し、下部電極のエッチング端に電界集中が起
こること、下部電極のエッチング端に形成される絶縁膜
の膜質が悪いことが原因とされている。さらに膜質が悪
くなりやすいエッチング端の絶縁膜もＭＩＭ素子として
機能しているので、素子特性がばらつきやすくなる。ト
ップコンタクト構造は下部電極のエッチング端をＭＩＭ
素子の一部として使用しない構造である。
９（ａ）は１画素の平面図であり、図９（ｂ）はＣ−
Ｃ'における素子側基板の断面図である。ＭＩＭ素子の
絶縁破壊は下部電極のエッチング端が非線形素子の一部
として機能し、下部電極のエッチング端に電界集中が起
こること、下部電極のエッチング端に形成される絶縁膜
の膜質が悪いことが原因とされている。さらに膜質が悪
くなりやすいエッチング端の絶縁膜もＭＩＭ素子として
機能しているので、素子特性がばらつきやすくなる。ト
ップコンタクト構造は下部電極のエッチング端をＭＩＭ
素子の一部として使用しない構造である。
【００１５】図９は液晶表示装置の一画素を示し、図６
と同様に、ガラス基板１の表面に信号配線３より張り出
した下部電極３ａ、非線形性を示す比較的薄い絶縁膜７
ａ、上部電極８、画素電極５が形成されるが、トップコ
ンタクト構造の特徴は比較的薄い絶縁膜７ａの周囲を厚
い比較的厚い絶縁膜１３で被覆し、比較的薄い絶縁膜７
と上部電極５の接続は絶縁膜１３に設けられたスルーホ
ールを通して行われる点にある。この構造により、下部
電極３ａのエッチング端をＭＩＭ素子として使用するこ
とがなくなり、下部電極３ａのエッチング端は比較的厚
い絶縁膜１３で保護されているので、下部電極のエッチ
ング端に電界集中が起こることがなくなり、点欠陥が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
と同様に、ガラス基板１の表面に信号配線３より張り出
した下部電極３ａ、非線形性を示す比較的薄い絶縁膜７
ａ、上部電極８、画素電極５が形成されるが、トップコ
ンタクト構造の特徴は比較的薄い絶縁膜７ａの周囲を厚
い比較的厚い絶縁膜１３で被覆し、比較的薄い絶縁膜７
と上部電極５の接続は絶縁膜１３に設けられたスルーホ
ールを通して行われる点にある。この構造により、下部
電極３ａのエッチング端をＭＩＭ素子として使用するこ
とがなくなり、下部電極３ａのエッチング端は比較的厚
い絶縁膜１３で保護されているので、下部電極のエッチ
ング端に電界集中が起こることがなくなり、点欠陥が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上記ラテラル構造によ
りＭＩＭ素子の微細化が図れ、またトップコンタクト構
造により絶縁破壊をなくし、素子特性のばらつきを少な
くすることができる。しかし、この２つの構造を融合化
して一体化し、ＭＩＭ素子の微細化と絶縁破壊対策及び
素子特性の均一化を同時に全部満足させる構造は得られ
ていない。すなわち、ラテラル構造は、下部電極の側面
部を素子の構成部分として使用し、トップコンタクト構
造は、下部電極の側面部を使用しないで、上表面の一部
分を素子の構成部分とすることで問題の解決を図ってい
るからである。
りＭＩＭ素子の微細化が図れ、またトップコンタクト構
造により絶縁破壊をなくし、素子特性のばらつきを少な
くすることができる。しかし、この２つの構造を融合化
して一体化し、ＭＩＭ素子の微細化と絶縁破壊対策及び
素子特性の均一化を同時に全部満足させる構造は得られ
ていない。すなわち、ラテラル構造は、下部電極の側面
部を素子の構成部分として使用し、トップコンタクト構
造は、下部電極の側面部を使用しないで、上表面の一部
分を素子の構成部分とすることで問題の解決を図ってい
るからである。
【００１７】本発明は、このような問題を解決し、ＭＩ
Ｍ素子の微細化と、絶縁破壊及び素子特性の均一化を同
時に全部満足させることができる２端子非線形素子を提
供し、またその新規な製造方法を提供し、かつこの２端
子非線形素子を使用した液晶表示装置を提供することを
目的とする。
Ｍ素子の微細化と、絶縁破壊及び素子特性の均一化を同
時に全部満足させることができる２端子非線形素子を提
供し、またその新規な製造方法を提供し、かつこの２端
子非線形素子を使用した液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の２端子非線形素子は、下部電極の上部平坦部であって
傾斜した側面部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜
と、この境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面
テーパー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、この比較的
薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからなることを特
徴とし、上記課題を解決する。
の２端子非線形素子は、下部電極の上部平坦部であって
傾斜した側面部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜
と、この境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面
テーパー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、この比較的
薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからなることを特
徴とし、上記課題を解決する。
【００１９】また、本発明の請求項２に記載の２端子非
線形素子は、上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の上
部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の下
方で積層されていることを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
線形素子は、上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の上
部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の下
方で積層されていることを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
【００２０】また、本発明の請求項３に記載の２端子非
線形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第１の
導電体を成膜する工程と、この第１の導電体の上に第１
の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の絶縁膜の上に第
２の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の導電体、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜の３層積層体を側面部にテーパ
ー角をつけてエッチングする工程と、このエッチング工
程により形成された下部電極の側面テーパー部に比較的
厚い絶縁膜を形成する工程と、この第１の絶縁膜の側面
テーパー部をエッチングして下部電極の上部平坦部であ
って側面テーパー部の境界部分を露出させる工程と、こ
の露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成す
る工程と、この比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
する工程とからなることを特徴とし、これにより、上記
課題を解決する。
線形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第１の
導電体を成膜する工程と、この第１の導電体の上に第１
の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の絶縁膜の上に第
２の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の導電体、第１
の絶縁膜、第２の絶縁膜の３層積層体を側面部にテーパ
ー角をつけてエッチングする工程と、このエッチング工
程により形成された下部電極の側面テーパー部に比較的
厚い絶縁膜を形成する工程と、この第１の絶縁膜の側面
テーパー部をエッチングして下部電極の上部平坦部であ
って側面テーパー部の境界部分を露出させる工程と、こ
の露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成す
る工程と、この比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
する工程とからなることを特徴とし、これにより、上記
課題を解決する。
【００２１】また、本発明の請求項４記載の２端子非線
形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第１の導
電体を成膜する工程と、この第１の導電体の上に比較的
薄い絶縁膜を形成する工程と、この比較的薄い絶縁膜の
上に第１の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の絶縁膜
の上に第２の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の導電
体、比較的薄い絶縁膜、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の
４層積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングす
る工程と、このエッチング工程により形成された下部電
極の側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程
と、この第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングし
て下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、この露出
した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とし、これにより上記課題を解決す
る。
形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第１の導
電体を成膜する工程と、この第１の導電体の上に比較的
薄い絶縁膜を形成する工程と、この比較的薄い絶縁膜の
上に第１の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の絶縁膜
の上に第２の絶縁膜を成膜する工程と、この第１の導電
体、比較的薄い絶縁膜、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の
４層積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングす
る工程と、このエッチング工程により形成された下部電
極の側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程
と、この第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングし
て下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、この露出
した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とし、これにより上記課題を解決す
る。
【００２２】また、本発明の請求項５記載の２端子非線
形素子の製造方法は、前記請求項３、４において、第１
の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜のエッチン
グレートより大きいことを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
形素子の製造方法は、前記請求項３、４において、第１
の絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜のエッチン
グレートより大きいことを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
【００２３】また、本発明の請求項６記載の２端子非線
形素子の製造方法は、前記請求項３、４において、第１
の導電体の側面テーパー部に形成する比較的厚い絶縁膜
及び上記比較的薄い絶縁膜は、陽極酸化法によって形成
することを特徴とし、これにより上記課題を解決する。
形素子の製造方法は、前記請求項３、４において、第１
の導電体の側面テーパー部に形成する比較的厚い絶縁膜
及び上記比較的薄い絶縁膜は、陽極酸化法によって形成
することを特徴とし、これにより上記課題を解決する。
【００２４】また、本発明の請求項７記載の液晶表示装
置は、一対の基板間に液晶が挟持され、少なくとも一方
の基板表面にマトリクス状に配置された画素電極と該画
素電極間に信号配線が形成されるとともに、上記画素電
極と信号配線が２端子非線形素子を介して接続される液
晶表示装置において、上記信号配線と接続される下部電
極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に比
較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く下部電極
の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を
形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
し、上記上部電極を画素電極に接続してなることを特徴
とし、これにより上記課題を解決する。
置は、一対の基板間に液晶が挟持され、少なくとも一方
の基板表面にマトリクス状に配置された画素電極と該画
素電極間に信号配線が形成されるとともに、上記画素電
極と信号配線が２端子非線形素子を介して接続される液
晶表示装置において、上記信号配線と接続される下部電
極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に比
較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く下部電極
の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を
形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
し、上記上部電極を画素電極に接続してなることを特徴
とし、これにより上記課題を解決する。
【００２５】本発明の請求項１によれば、ＭＩＭ素子と
して機能する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形
成され、ＭＩＭ素子の微細化を達成することができる。
また下部電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によっ
て保護され、下部電極のエッチング端はＭＩＭ素子とし
て使用しないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一
化を図ることができる。
して機能する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形
成され、ＭＩＭ素子の微細化を達成することができる。
また下部電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によっ
て保護され、下部電極のエッチング端はＭＩＭ素子とし
て使用しないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一
化を図ることができる。
【００２６】また本発明の請求項２によれば、比較的薄
い絶縁膜を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているの
で、比較的薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とする
ことにより、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピ
ンホールがあっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保
つことができる。
い絶縁膜を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているの
で、比較的薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とする
ことにより、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピ
ンホールがあっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保
つことができる。
【００２７】また本発明の請求項３によれば、第１の導
電体、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の３層積層体を側面
部にテーパー角をつけてエッチングし、第１の絶縁膜の
側面テーパー部をエッチングすることにより、第１導電
体の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分を露
出させる工程において、フォトマスクを必要とすること
なく、微細加工を行うことができ、かつトップコンタク
ト構造を得ることができる。
電体、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の３層積層体を側面
部にテーパー角をつけてエッチングし、第１の絶縁膜の
側面テーパー部をエッチングすることにより、第１導電
体の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分を露
出させる工程において、フォトマスクを必要とすること
なく、微細加工を行うことができ、かつトップコンタク
ト構造を得ることができる。
【００２８】また本発明の請求項４によれば、請求項３
の作用を得ることができるとともに、第１の導電体の上
に非線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を、第１の絶縁
膜、第２の絶縁膜を形成する前に形成しているので、非
線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件
で成膜することができ、ＭＩＭ素子の特性を所望通りに
することができる。
の作用を得ることができるとともに、第１の導電体の上
に非線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を、第１の絶縁
膜、第２の絶縁膜を形成する前に形成しているので、非
線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件
で成膜することができ、ＭＩＭ素子の特性を所望通りに
することができる。
【００２９】また、本発明の請求項５によれば、第１の
絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜のエッチング
レートより大きいので、フォトマスクなしで、第１の絶
縁膜のみをエッチングすることができ、また側面テーパ
ー部を利用しているので、微細加工することができる。
絶縁膜のエッチングレートが第２の絶縁膜のエッチング
レートより大きいので、フォトマスクなしで、第１の絶
縁膜のみをエッチングすることができ、また側面テーパ
ー部を利用しているので、微細加工することができる。
【００３０】また、本発明の請求項６によれば、陽極酸
化法によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりＭ
ＩＭ素子の特性を制御することができる。
化法によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりＭ
ＩＭ素子の特性を制御することができる。
【００３１】また、本発明の請求項７によれば、ＭＩＭ
素子の微細化を達成することができるとともに、トップ
コンタクト構造のＭＩＭ素子によって駆動することがで
きる液晶表示装置を得ることができる。
素子の微細化を達成することができるとともに、トップ
コンタクト構造のＭＩＭ素子によって駆動することがで
きる液晶表示装置を得ることができる。
【００３２】
（実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１にしたが
って製造した液晶表示装置の素子側のガラス基板１上の
１画素を示す平面図であり、ここでは対向電極等が形成
された対向側のガラス基板２を省略している。図２は図
１のＤ−Ｄ'の断面図である。尚、図２は偏光板及び配
向膜を省略している。
って製造した液晶表示装置の素子側のガラス基板１上の
１画素を示す平面図であり、ここでは対向電極等が形成
された対向側のガラス基板２を省略している。図２は図
１のＤ−Ｄ'の断面図である。尚、図２は偏光板及び配
向膜を省略している。
【００３３】素子側のガラス基板１には、信号配線３、
ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成される。ＭＩＭ素子４
は、下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜７ａと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
７ｂと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極８とからなる。ＭＩＭ素子は、
下部電極３ａにタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７に酸化タン
タル（ＴａＯx）、上部電極８にクロム（Ｃｒ）、チタ
ン（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、
画素電極５に透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin O
xide）が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶縁膜
７の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法は素
子特性に大きな影響を与える絶縁膜７の膜厚を化成電圧
を変えることにより制御できるので好ましい。
ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成される。ＭＩＭ素子４
は、下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜７ａと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
７ｂと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極８とからなる。ＭＩＭ素子は、
下部電極３ａにタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７に酸化タン
タル（ＴａＯx）、上部電極８にクロム（Ｃｒ）、チタ
ン（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いられ、
画素電極５に透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium Tin O
xide）が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶縁膜
７の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法は素
子特性に大きな影響を与える絶縁膜７の膜厚を化成電圧
を変えることにより制御できるので好ましい。
【００３４】本発明の実施の形態に示した２端子非線形
素子の製造方法を図３とともに工程順に説明する。
素子の製造方法を図３とともに工程順に説明する。
【００３５】まず、素子側のガラス基板１の表面に５酸
化タンタル等の絶縁膜をベースコート９として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が２端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約４
０００Å成膜した。
化タンタル等の絶縁膜をベースコート９として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が２端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約４
０００Å成膜した。
【００３６】このベースコート９の上に信号配線３及び
下部電極３ａとなる第１の導電体、比較的厚い絶縁膜７
ｂとなる第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に成膜
する。第１の導電体はスパッタリング法によりタンタル
（Ｔａ）を３０００Åの厚さに成膜した。第１の絶縁膜
及び第２の絶縁膜はプラズマＣＶＤ法を用いて、それぞ
れ第１の絶縁膜として２０００ÅのＳｉＯ2と、第２の
絶縁膜として２０００ÅのＳｉＮxを成膜した。この第
１の絶縁膜と第２の絶縁膜は、後工程で第１の絶縁膜を
選択的に再エッチングできるように、エッチングレート
の関係を第１の絶縁膜のエッチングレートＥ１が第２の
絶縁膜のエッチングレートＥ２より大きくなるように
（Ｅ１＞Ｅ２）選択される。ここでは、第１の絶縁膜の
エッチングレートが２０〜４０Å／ｓ、第２の絶縁膜の
エッチングレートが２〜７Å／ｓになるよう選択した。
下部電極３ａとなる第１の導電体、比較的厚い絶縁膜７
ｂとなる第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をこの順に成膜
する。第１の導電体はスパッタリング法によりタンタル
（Ｔａ）を３０００Åの厚さに成膜した。第１の絶縁膜
及び第２の絶縁膜はプラズマＣＶＤ法を用いて、それぞ
れ第１の絶縁膜として２０００ÅのＳｉＯ2と、第２の
絶縁膜として２０００ÅのＳｉＮxを成膜した。この第
１の絶縁膜と第２の絶縁膜は、後工程で第１の絶縁膜を
選択的に再エッチングできるように、エッチングレート
の関係を第１の絶縁膜のエッチングレートＥ１が第２の
絶縁膜のエッチングレートＥ２より大きくなるように
（Ｅ１＞Ｅ２）選択される。ここでは、第１の絶縁膜の
エッチングレートが２０〜４０Å／ｓ、第２の絶縁膜の
エッチングレートが２〜７Å／ｓになるよう選択した。
【００３７】このようにして形成した第１の導電体／第
１の絶縁膜／第２の絶縁膜の３層の積層体をフォトリソ
グラフィー法を使用して信号配線３及び下部電極３ａを
形成するよう所定の形状にエッチングし、下部電極３
ａ、第１の絶縁膜１４ａ、第２の絶縁膜１４ｂを形成す
る。本発明の実施の形態では、ＣＦ4とＯ2を用いたドラ
イエッチングにより、図３に示すように、側面部をテ
ーパー角が２０〜３０°になるようエッチングした。ド
ライエッチングは、エッチングの選択比がほとんどな
く、異方性のエッチングが可能であるので、テーパー角
をつけたエッチングが行える。
１の絶縁膜／第２の絶縁膜の３層の積層体をフォトリソ
グラフィー法を使用して信号配線３及び下部電極３ａを
形成するよう所定の形状にエッチングし、下部電極３
ａ、第１の絶縁膜１４ａ、第２の絶縁膜１４ｂを形成す
る。本発明の実施の形態では、ＣＦ4とＯ2を用いたドラ
イエッチングにより、図３に示すように、側面部をテ
ーパー角が２０〜３０°になるようエッチングした。ド
ライエッチングは、エッチングの選択比がほとんどな
く、異方性のエッチングが可能であるので、テーパー角
をつけたエッチングが行える。
【００３８】次に、信号電極３及び下部電極３ａの側面
テーパー部に比較的厚い絶縁膜７ｂを形成する（図３
）。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてＴａ
2Ｏ5を約３０００Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している下部電極３ａの表面のみに選択的に陽極
酸化膜を形成することができ、第１の絶縁膜１４ａ、第
２の絶縁膜１４ｂが積層された下部電極３ａの上部平坦
部には陽極酸化膜を形成することなく、信号電極３及び
下部電極３ａの側面テーパー部のみに比較的厚い絶縁膜
７ｂが形成される。
テーパー部に比較的厚い絶縁膜７ｂを形成する（図３
）。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてＴａ
2Ｏ5を約３０００Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している下部電極３ａの表面のみに選択的に陽極
酸化膜を形成することができ、第１の絶縁膜１４ａ、第
２の絶縁膜１４ｂが積層された下部電極３ａの上部平坦
部には陽極酸化膜を形成することなく、信号電極３及び
下部電極３ａの側面テーパー部のみに比較的厚い絶縁膜
７ｂが形成される。
【００３９】この後に、テーパー角をつけたエッチング
の結果、第２の絶縁膜１４ｂより露出している第１の絶
縁膜１４ａの側面テーパー部を選択的にエッチングし、
信号電極３及び下部電極３ａの一部を露出させる（図３
）。この工程では、第２の絶縁膜１４ｂのエッチング
レートが第１の絶縁膜１４ａのエッチングレートより小
さく選定されているので、いわば第２の絶縁膜１４ｂが
レジストの役目を果たし、したがって第１の絶縁膜１４
ａのエッチングのためにレジストの塗布、露光、現像の
処理は不要である。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸
を用いて、第１の絶縁膜１４ａをウェットエッチングし
た。ここで、第２の絶縁膜１４ｂは第１の絶縁膜１４ａ
に比べてエッチングレートが小さいので、ほとんどエッ
チングされず、第１の絶縁体１４ａのみがエッチングさ
れる。また、信号電極及び下部電極の側面テーパー部に
形成された比較的厚い絶縁膜７ｂは五酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）のような酸化タンタルであるから緩衝弗酸には
ほとんどエッチングされない。よって、信号電極３及び
下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に存在する第１の絶縁膜１４ａが優先的に除去さ
れ、スリット状に信号電極３及び下部電極３ａの表面が
露出する。
の結果、第２の絶縁膜１４ｂより露出している第１の絶
縁膜１４ａの側面テーパー部を選択的にエッチングし、
信号電極３及び下部電極３ａの一部を露出させる（図３
）。この工程では、第２の絶縁膜１４ｂのエッチング
レートが第１の絶縁膜１４ａのエッチングレートより小
さく選定されているので、いわば第２の絶縁膜１４ｂが
レジストの役目を果たし、したがって第１の絶縁膜１４
ａのエッチングのためにレジストの塗布、露光、現像の
処理は不要である。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸
を用いて、第１の絶縁膜１４ａをウェットエッチングし
た。ここで、第２の絶縁膜１４ｂは第１の絶縁膜１４ａ
に比べてエッチングレートが小さいので、ほとんどエッ
チングされず、第１の絶縁体１４ａのみがエッチングさ
れる。また、信号電極及び下部電極の側面テーパー部に
形成された比較的厚い絶縁膜７ｂは五酸化タンタル（Ｔ
ａ2Ｏ5）のような酸化タンタルであるから緩衝弗酸には
ほとんどエッチングされない。よって、信号電極３及び
下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に存在する第１の絶縁膜１４ａが優先的に除去さ
れ、スリット状に信号電極３及び下部電極３ａの表面が
露出する。
【００４０】第１の絶縁膜１４ａの膜厚をｄ、テーパー
角をαとすると、このスリットの幅ｔは略ｔ＝ｄ／ｔａ
ｎαとなる。したがって、スリット幅ｔは膜厚ｄとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、ｄ＝０．２μｍ、α＝３０°に形成され、スリッ
ト幅は０．３５μｍであった。ただし、第１の絶縁膜１
４ａのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第２の絶縁膜１４ｂのエ
ッジ付近及びその直下の第１の絶縁膜１４ａもエッチン
グされるので、スリット幅は０．５μｍ程度で仕上が
る。
角をαとすると、このスリットの幅ｔは略ｔ＝ｄ／ｔａ
ｎαとなる。したがって、スリット幅ｔは膜厚ｄとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、ｄ＝０．２μｍ、α＝３０°に形成され、スリッ
ト幅は０．３５μｍであった。ただし、第１の絶縁膜１
４ａのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第２の絶縁膜１４ｂのエ
ッジ付近及びその直下の第１の絶縁膜１４ａもエッチン
グされるので、スリット幅は０．５μｍ程度で仕上が
る。
【００４１】次に、非線形特性を有する比較的薄い絶縁
膜７ａを形成する（図４）。本発明の実施の形態で
は、陽極酸化法を用いて五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を
約６００Åの厚さに形成した。陽極酸化法では、緻密で
ピンホールのない膜厚のばらつきが小さい良好な酸化膜
を作ることができるので好ましい。陽極酸化法では、電
解液に接触している電極表面のみが選択的に酸化される
ので、比較的薄い絶縁膜７ａは信号電極３及び下部電極
３ａの上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に
スリット状に露出した信号電極３及び下部電極３ａの表
面のみに成膜される。
膜７ａを形成する（図４）。本発明の実施の形態で
は、陽極酸化法を用いて五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を
約６００Åの厚さに形成した。陽極酸化法では、緻密で
ピンホールのない膜厚のばらつきが小さい良好な酸化膜
を作ることができるので好ましい。陽極酸化法では、電
解液に接触している電極表面のみが選択的に酸化される
ので、比較的薄い絶縁膜７ａは信号電極３及び下部電極
３ａの上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に
スリット状に露出した信号電極３及び下部電極３ａの表
面のみに成膜される。
【００４２】この後、信号電極３及び下部電極３ａの上
に上部電極８となる第２の導電体及び画素電極５となる
透明導電膜を形成する（図３の）。本発明の実施の形
態では、第２の導電体としてチタン（Ｔｉ）を成膜、パ
ターニングして下部電極３ａの上に上部電極８を形成
し、透明導電膜としてＩＴＯを成膜、パターニングして
画素電極５を形成した。本発明の実施の形態では、下部
電極の２箇所にＭＩＭ素子を形成し、上部電極はこの２
箇所に渡って共通に形成したが、勿論ＭＩＭ素子一つづ
つに上部電極を分割して形成してもよい。要するに、比
較的薄い絶縁膜７ａの上に上部電極を形成すればよい。
に上部電極８となる第２の導電体及び画素電極５となる
透明導電膜を形成する（図３の）。本発明の実施の形
態では、第２の導電体としてチタン（Ｔｉ）を成膜、パ
ターニングして下部電極３ａの上に上部電極８を形成
し、透明導電膜としてＩＴＯを成膜、パターニングして
画素電極５を形成した。本発明の実施の形態では、下部
電極の２箇所にＭＩＭ素子を形成し、上部電極はこの２
箇所に渡って共通に形成したが、勿論ＭＩＭ素子一つづ
つに上部電極を分割して形成してもよい。要するに、比
較的薄い絶縁膜７ａの上に上部電極を形成すればよい。
【００４３】以上のように、本発明の２端子非線形素子
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に２端子非線形素子を形成することができ、微細
な２端子非線形素子を構成することができるともに、下
部電極３ａの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦部
の略全面を第１の絶縁膜１４ａと第２の絶縁膜１４ｂを
パターニングして構成した比較的厚い絶縁膜７ｂで覆っ
た構造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで、２端子非線形素子を構成するこ
とができた。よって、従来問題とした２端子非線形素子
の微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することがで
き、また素子特性の均一化を図ることができる。本発明
の実施の形態では、素子側基板を作製するのに必要なマ
スクは、下部電極、上部電極、画素電極を形成するため
に使用する３枚で済む。
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に２端子非線形素子を形成することができ、微細
な２端子非線形素子を構成することができるともに、下
部電極３ａの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦部
の略全面を第１の絶縁膜１４ａと第２の絶縁膜１４ｂを
パターニングして構成した比較的厚い絶縁膜７ｂで覆っ
た構造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで、２端子非線形素子を構成するこ
とができた。よって、従来問題とした２端子非線形素子
の微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することがで
き、また素子特性の均一化を図ることができる。本発明
の実施の形態では、素子側基板を作製するのに必要なマ
スクは、下部電極、上部電極、画素電極を形成するため
に使用する３枚で済む。
【００４４】また、本発明の実施の形成では第１の絶縁
膜１４ａ及び第２の絶縁膜１４ｂとしてＳｉＮxを用い
たが、エッチングレートが第１の絶縁膜１４ａより第２
の絶縁膜１４ｂの方が小さいの関係を満たす表１の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法で成
膜することができる。
膜１４ａ及び第２の絶縁膜１４ｂとしてＳｉＮxを用い
たが、エッチングレートが第１の絶縁膜１４ａより第２
の絶縁膜１４ｂの方が小さいの関係を満たす表１の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法で成
膜することができる。
【００４５】
【表１】
【００４６】尚、本発明の実施の形態では、下部電極３
ａを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線３の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパー部と信号配線の上部平坦部の境界部分に２端子非
線形素子を形成してもよい。また下部電極３ａの２カ所
に２端子非線形素子を形成したが、１カ所でもよい。
ａを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線３の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパー部と信号配線の上部平坦部の境界部分に２端子非
線形素子を形成してもよい。また下部電極３ａの２カ所
に２端子非線形素子を形成したが、１カ所でもよい。
【００４７】（実施の形態２）本発明の実施の形態２に
おける素子構造と製造工程を図４と図５にしたがって説
明する。本発明の実施の形態における素子側のガラス基
板の１画素の平面図は図１と同じであり、液晶表示装置
の構造は図６と同じであるので省略する。図４は図１の
Ｄ−Ｄ'断面図である。
おける素子構造と製造工程を図４と図５にしたがって説
明する。本発明の実施の形態における素子側のガラス基
板の１画素の平面図は図１と同じであり、液晶表示装置
の構造は図６と同じであるので省略する。図４は図１の
Ｄ−Ｄ'断面図である。
【００４８】素子側のガラス基板１には、信号配線３、
ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成される。ＭＩＭ素子４
は、下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜７ａと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
７ｂと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極８とからなる。本発明の実施の
形態では、比較的薄い絶縁膜が下部電極の上部平坦部の
全面に形成され、比較的厚い絶縁膜の部分ではこの比較
的薄い絶縁膜との積層構造となっている。ＭＩＭ素子
は、下部電極３ａにタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７に酸化
タンタル（ＴａＯx）、上部電極８にクロム（Ｃｒ）、
チタン（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いら
れ、画素電極５に透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium T
in Oxide）が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶
縁膜７の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法
は素子特性に大きな影響を与える絶縁膜７の膜厚を化成
電圧を変えることにより制御できるので好ましい。
ＭＩＭ素子４、画素電極５が形成される。ＭＩＭ素子４
は、下部電極３ａの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜７ａと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
７ｂと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極８とからなる。本発明の実施の
形態では、比較的薄い絶縁膜が下部電極の上部平坦部の
全面に形成され、比較的厚い絶縁膜の部分ではこの比較
的薄い絶縁膜との積層構造となっている。ＭＩＭ素子
は、下部電極３ａにタンタル（Ｔａ）、絶縁膜７に酸化
タンタル（ＴａＯx）、上部電極８にクロム（Ｃｒ）、
チタン（Ｔｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が用いら
れ、画素電極５に透明導電膜、例えばＩＴＯ（Indium T
in Oxide）が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶
縁膜７の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法
は素子特性に大きな影響を与える絶縁膜７の膜厚を化成
電圧を変えることにより制御できるので好ましい。
【００４９】本発明の実施の形態に示した２端子非線形
素子の製造方法を図５とともに工程順に説明する。
素子の製造方法を図５とともに工程順に説明する。
【００５０】まず、素子側のガラス基板１の表面に５酸
化タンタル等の絶縁膜をベースコート９として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が２端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約４
０００Å成膜した。
化タンタル等の絶縁膜をベースコート９として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が２端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約４
０００Å成膜した。
【００５１】このベースコート９の上に信号配線及び下
部電極となる第１の導電体、比較的薄い絶縁膜７ａとな
る絶縁膜、比較的厚い絶縁膜７ｂとなる第１の絶縁膜及
び第２の絶縁膜をこの順に成膜する。第１の導電体はス
パッタリング法によりタンタル（Ｔａ）を３０００Åの
厚さに成膜した。比較的薄い絶縁膜は陽極酸化法を用い
て第１の導電体の酸化膜である五酸化タンタル（Ｔａ2
Ｏ5）を６００Åの膜厚に形成した。この絶縁膜は非線
形抵抗特性を示し、一部分を２端子非線形素子の絶縁膜
として使用する。陽極酸化法による絶縁膜はピンホール
の少ない緻密な絶縁膜を形成することが可能である。ま
た、陽極酸化を実施する際に配線抵抗による電圧降下が
ほとんど無いので、化成電圧のばらつきによる絶縁膜７
ａの膜厚のばらつきがなくなり、非常に均一で良好な絶
縁膜７ａを形成できる。第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜
はプラズマＣＶＤ法を用いて、それぞれ２０００ÅのＳ
ｉＯ2および２０００ÅのＳｉＮxを成膜した。プラズマ
ＣＶＤ法による絶縁膜は工程中の異物等によりピンホー
ルが生じやすいが、本発明の実施の形態では陽極酸化法
による比較的薄い絶縁膜が下地に形成されているので、
第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜にピンホールがあっても
下部電極と上部電極間をショートする恐れはない。この
第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は、後工程で第１の絶縁膜
を選択的に再エッチングできるように、エッチングレー
トの関係を第１の絶縁膜のエッチングレートＥ１が第２
の絶縁膜のエッチングレートＥ２より大きくなるように
（Ｅ１＞Ｅ２）選択される。ここでは、第１の絶縁膜の
エッチングレートが２０〜４０Å／ｓ、第２の絶縁膜の
エッチングレートが２〜７Å／ｓになるよう選択した。
部電極となる第１の導電体、比較的薄い絶縁膜７ａとな
る絶縁膜、比較的厚い絶縁膜７ｂとなる第１の絶縁膜及
び第２の絶縁膜をこの順に成膜する。第１の導電体はス
パッタリング法によりタンタル（Ｔａ）を３０００Åの
厚さに成膜した。比較的薄い絶縁膜は陽極酸化法を用い
て第１の導電体の酸化膜である五酸化タンタル（Ｔａ2
Ｏ5）を６００Åの膜厚に形成した。この絶縁膜は非線
形抵抗特性を示し、一部分を２端子非線形素子の絶縁膜
として使用する。陽極酸化法による絶縁膜はピンホール
の少ない緻密な絶縁膜を形成することが可能である。ま
た、陽極酸化を実施する際に配線抵抗による電圧降下が
ほとんど無いので、化成電圧のばらつきによる絶縁膜７
ａの膜厚のばらつきがなくなり、非常に均一で良好な絶
縁膜７ａを形成できる。第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜
はプラズマＣＶＤ法を用いて、それぞれ２０００ÅのＳ
ｉＯ2および２０００ÅのＳｉＮxを成膜した。プラズマ
ＣＶＤ法による絶縁膜は工程中の異物等によりピンホー
ルが生じやすいが、本発明の実施の形態では陽極酸化法
による比較的薄い絶縁膜が下地に形成されているので、
第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜にピンホールがあっても
下部電極と上部電極間をショートする恐れはない。この
第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は、後工程で第１の絶縁膜
を選択的に再エッチングできるように、エッチングレー
トの関係を第１の絶縁膜のエッチングレートＥ１が第２
の絶縁膜のエッチングレートＥ２より大きくなるように
（Ｅ１＞Ｅ２）選択される。ここでは、第１の絶縁膜の
エッチングレートが２０〜４０Å／ｓ、第２の絶縁膜の
エッチングレートが２〜７Å／ｓになるよう選択した。
【００５２】このようにして形成した第１の導電体／絶
縁膜／第１の絶縁膜／第２の絶縁膜の４層の積層体をフ
ォトリソグラフィー法を使用して、信号配線３及び下部
電極３ａを形成するよう所定の形状にエッチングし、下
部電極３ａ、薄い絶縁膜７ａ、第１の絶縁膜１４ａ、第
２の絶縁膜１４ｂを形成する。本発明の実施の形態で
は、ＣＦ4とＯ2を用いたドライエッチングにより、図５
に示すように、側面部をテーパー角が２０〜３０°に
なるようエッチングした。ドライエッチングは、エッチ
ングの選択比がほとんどなく、異方性のエッチングが可
能であるので、テーパー角をつけたエッチングが行え
る。
縁膜／第１の絶縁膜／第２の絶縁膜の４層の積層体をフ
ォトリソグラフィー法を使用して、信号配線３及び下部
電極３ａを形成するよう所定の形状にエッチングし、下
部電極３ａ、薄い絶縁膜７ａ、第１の絶縁膜１４ａ、第
２の絶縁膜１４ｂを形成する。本発明の実施の形態で
は、ＣＦ4とＯ2を用いたドライエッチングにより、図５
に示すように、側面部をテーパー角が２０〜３０°に
なるようエッチングした。ドライエッチングは、エッチ
ングの選択比がほとんどなく、異方性のエッチングが可
能であるので、テーパー角をつけたエッチングが行え
る。
【００５３】次に、信号電極３及び下部電極３ａの側面
テーパー部に比較的厚い絶縁膜７ｂを形成する（図５
）。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてＴａ
2Ｏ5を約３０００Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している信号電極３及び下部電極３ａの表面のみ
に選択的に陽極酸化膜を形成することができ、第１の絶
縁膜１４ａ、第２の絶縁膜１４ｂが積層された下部電極
３ａの上部平坦部には陽極酸化膜を形成することなく、
信号電極３及び下部電極３ａの側面テーパー部のみに比
較的厚い絶縁膜７ｂが形成される。
テーパー部に比較的厚い絶縁膜７ｂを形成する（図５
）。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてＴａ
2Ｏ5を約３０００Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している信号電極３及び下部電極３ａの表面のみ
に選択的に陽極酸化膜を形成することができ、第１の絶
縁膜１４ａ、第２の絶縁膜１４ｂが積層された下部電極
３ａの上部平坦部には陽極酸化膜を形成することなく、
信号電極３及び下部電極３ａの側面テーパー部のみに比
較的厚い絶縁膜７ｂが形成される。
【００５４】この後に、テーパー角をつけたエッチング
の結果、第２の絶縁膜より露出している第１の絶縁膜１
４ａの側面テーパー部を選択的にエッチングし、比較的
薄い絶縁膜７ａを露出させる（図５）。この工程で
は、第２の絶縁膜１４ｂのエッチングレートが第１の絶
縁膜１４ａのエッチングレートより小さく選定されてい
るので、いわば第２の絶縁膜１４ｂがレジストの役目を
果たし、したがって第１の絶縁膜１４ａのエッチングの
ためにレジストの塗布、露光、現像の処理は不要であ
る。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸を用いて、第１
の絶縁膜１４ａをウェットエッチングした。ここで、第
２の絶縁膜１４ｂは第１の絶縁膜１４ａに比べてエッチ
ングレートが小さいので、ほとんどエッチングされず、
第１の絶縁膜１４ａのみがエッチングされる。また、信
号電極及び下部電極の側面テーパー部に形成された比較
的厚い絶縁膜７ｂは五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のよう
な酸化タンタルであるから緩衝弗酸にはほとんどエッチ
ングされない。よって、信号電極３及び下部電極３ａの
上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に存在す
る第１の絶縁膜１４ａが優先的に除去され、スリット状
に比較的薄い絶縁膜７ａの表面が露出する。
の結果、第２の絶縁膜より露出している第１の絶縁膜１
４ａの側面テーパー部を選択的にエッチングし、比較的
薄い絶縁膜７ａを露出させる（図５）。この工程で
は、第２の絶縁膜１４ｂのエッチングレートが第１の絶
縁膜１４ａのエッチングレートより小さく選定されてい
るので、いわば第２の絶縁膜１４ｂがレジストの役目を
果たし、したがって第１の絶縁膜１４ａのエッチングの
ためにレジストの塗布、露光、現像の処理は不要であ
る。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸を用いて、第１
の絶縁膜１４ａをウェットエッチングした。ここで、第
２の絶縁膜１４ｂは第１の絶縁膜１４ａに比べてエッチ
ングレートが小さいので、ほとんどエッチングされず、
第１の絶縁膜１４ａのみがエッチングされる。また、信
号電極及び下部電極の側面テーパー部に形成された比較
的厚い絶縁膜７ｂは五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）のよう
な酸化タンタルであるから緩衝弗酸にはほとんどエッチ
ングされない。よって、信号電極３及び下部電極３ａの
上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に存在す
る第１の絶縁膜１４ａが優先的に除去され、スリット状
に比較的薄い絶縁膜７ａの表面が露出する。
【００５５】第１の絶縁膜１４ａの膜厚をｄ、テーパー
角をαとすると、このスリットの幅ｔは略ｔ＝ｄ／ｔａ
ｎαとなる。したがって、スリット幅ｔは膜厚ｄとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、ｄ＝０．２μｍ、α＝３０°に形成され、スリッ
ト幅は０．３５μｍであった。ただし、第１の絶縁膜１
４ａのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第２の絶縁膜１４ｂのエ
ッジ付近その直下の第２の絶縁膜１４ａもエッチングさ
れるので、スリット幅は０．５μｍ程度で仕上がる。
角をαとすると、このスリットの幅ｔは略ｔ＝ｄ／ｔａ
ｎαとなる。したがって、スリット幅ｔは膜厚ｄとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、ｄ＝０．２μｍ、α＝３０°に形成され、スリッ
ト幅は０．３５μｍであった。ただし、第１の絶縁膜１
４ａのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第２の絶縁膜１４ｂのエ
ッジ付近その直下の第２の絶縁膜１４ａもエッチングさ
れるので、スリット幅は０．５μｍ程度で仕上がる。
【００５６】この後、上部電極８となる第２の導電体及
び画素電極５となる透明導電体を形成する（図３）。
本発明の実施の形態では、第２導電体としてチタン（Ｔ
ｉ）を成膜、パターニングして下部電極３ａの上に上部
電極８を形成し、透明導電体としてＩＴＯを成膜、パタ
ーニングして画素電極５を形成した。本発明の実施の形
態では、下部電極の２箇所にＭＩＭ素子を形成し、上部
電極はこの２箇所に渡って共通に形成したが、勿論ＭＩ
Ｍ素子一つづつに上部電極を分割して形成してもよい。
要するに、比較的薄い絶縁膜７ａの上に上部電極を形成
すればよい。
び画素電極５となる透明導電体を形成する（図３）。
本発明の実施の形態では、第２導電体としてチタン（Ｔ
ｉ）を成膜、パターニングして下部電極３ａの上に上部
電極８を形成し、透明導電体としてＩＴＯを成膜、パタ
ーニングして画素電極５を形成した。本発明の実施の形
態では、下部電極の２箇所にＭＩＭ素子を形成し、上部
電極はこの２箇所に渡って共通に形成したが、勿論ＭＩ
Ｍ素子一つづつに上部電極を分割して形成してもよい。
要するに、比較的薄い絶縁膜７ａの上に上部電極を形成
すればよい。
【００５７】以上のように、本発明の２端子非線形素子
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に２端子非線形素子を形成することができ、微細
な２端子非線形素子を構成することができるとともに、
下部電極３ａの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦
部の略全面を第１の絶縁膜１４ａと第２の絶縁膜１４ｂ
をパターニングして構成した厚い絶縁膜７ｂで覆った構
造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の側面
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで２端子非線形素子を構成すること
ができた。よって、従来問題とした２端子非線形素子の
微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することができ、
また素子特性の均一化を図ることができる。
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に２端子非線形素子を形成することができ、微細
な２端子非線形素子を構成することができるとともに、
下部電極３ａの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦
部の略全面を第１の絶縁膜１４ａと第２の絶縁膜１４ｂ
をパターニングして構成した厚い絶縁膜７ｂで覆った構
造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の側面
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで２端子非線形素子を構成すること
ができた。よって、従来問題とした２端子非線形素子の
微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することができ、
また素子特性の均一化を図ることができる。
【００５８】また、本発明の実施の形成では第１の絶縁
膜１４ａ及び第２の絶縁膜１４ｂとしてＳｉＮxを用い
たが、エッチングレートが第１の絶縁膜１４ａより第２
の絶縁膜１４ｂの方が小さいの関係を満たす表１の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法で成
膜することができる。
膜１４ａ及び第２の絶縁膜１４ｂとしてＳｉＮxを用い
たが、エッチングレートが第１の絶縁膜１４ａより第２
の絶縁膜１４ｂの方が小さいの関係を満たす表１の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法で成
膜することができる。
【００５９】尚、本発明の実施の形態では、下部電極３
ａを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線３の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパーと信号配線の上部平坦部の境界部分に２端子非線
形素子を形成してもよい。また下部電極３ａの２カ所に
２端子非線形素子を形成したが、１カ所でもよい。
ａを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線３の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパーと信号配線の上部平坦部の境界部分に２端子非線
形素子を形成してもよい。また下部電極３ａの２カ所に
２端子非線形素子を形成したが、１カ所でもよい。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＩＭ素子として機能
する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形成され、
ＭＩＭ素子の微細化を達成することができる。また下部
電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によって保護
し、下部電極のエッチング端をＭＩＭ素子として使用し
ないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一化を図る
ことができる。また本発明によれば、比較的薄い絶縁膜
を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているので、比較的
薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とすることによ
り、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピンホール
があっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保つことが
できる。また本発明は、第１の導電体、第１の絶縁膜、
第２の絶縁膜の３層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングし、第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッ
チングするので、第１導電体の上部平坦部であって側面
テーパー部の境界部分を露出させる工程において、フォ
トマスクを必要とすることなく、微細加工を行うことが
でき、かつトップコンタクト構造を得ることができる。
さらに本発明は、第１の導電体の上に非線形特性を有す
る比較的薄い絶縁膜を、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜を
形成する前に形成しているので、非線形特性を有する比
較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件で成膜することがで
き、ＭＩＭ素子の特性を所望通りにすることができる。
その上に本発明は、第１の絶縁膜のエッチングレートが
第２の絶縁膜のエッチングレートより大きいので、フォ
トマスクなしで、第１の絶縁膜のみをエッチングするこ
とができ、また側面テーパー部を利用しているので、微
細加工することができる。また、本発明は、陽極酸化法
によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりＭＩＭ
素子の特性を制御することができる。また、本発明によ
れば、ＭＩＭ素子の微細化を達成することができるとと
もに、トップコンタクト構造のＭＩＭ素子によって駆動
することができる液晶表示装置を得ることができる。
する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形成され、
ＭＩＭ素子の微細化を達成することができる。また下部
電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によって保護
し、下部電極のエッチング端をＭＩＭ素子として使用し
ないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一化を図る
ことができる。また本発明によれば、比較的薄い絶縁膜
を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているので、比較的
薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とすることによ
り、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピンホール
があっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保つことが
できる。また本発明は、第１の導電体、第１の絶縁膜、
第２の絶縁膜の３層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングし、第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッ
チングするので、第１導電体の上部平坦部であって側面
テーパー部の境界部分を露出させる工程において、フォ
トマスクを必要とすることなく、微細加工を行うことが
でき、かつトップコンタクト構造を得ることができる。
さらに本発明は、第１の導電体の上に非線形特性を有す
る比較的薄い絶縁膜を、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜を
形成する前に形成しているので、非線形特性を有する比
較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件で成膜することがで
き、ＭＩＭ素子の特性を所望通りにすることができる。
その上に本発明は、第１の絶縁膜のエッチングレートが
第２の絶縁膜のエッチングレートより大きいので、フォ
トマスクなしで、第１の絶縁膜のみをエッチングするこ
とができ、また側面テーパー部を利用しているので、微
細加工することができる。また、本発明は、陽極酸化法
によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりＭＩＭ
素子の特性を制御することができる。また、本発明によ
れば、ＭＩＭ素子の微細化を達成することができるとと
もに、トップコンタクト構造のＭＩＭ素子によって駆動
することができる液晶表示装置を得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の
素子側のガラス基板上の１画素を示す平面図である。
素子側のガラス基板上の１画素を示す平面図である。
【図２】図１のＤ−Ｄ'断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における２端子非線形素
子の製造方法を説明する工程図である。
子の製造方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の実施の形態２における１画素を示す図
１のＤ−Ｄ'断面図である。
１のＤ−Ｄ'断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２における２端子非線形素
子の製造方法を説明する工程図である。
子の製造方法を説明する工程図である。
【図６】ＭＩＭ素子を使用した液晶表示装置の構成図で
ある。
ある。
【図７】図６のＡ−Ａ'断面図である。
【図８】ラテラル構造を説明する図で、（ａ）は１画素
の平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ'断面図である。
の平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ'断面図である。
【図９】トップコンタクト構造を説明する図で、（ａ）
は１画素の平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図である。
は１画素の平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ'断面図である。
１、２ ガラス基板 ３ 信号配線 ４ ＭＩＭ素子 ５ 画素電極 ６ 対向電極 ７ 絶縁膜 ７ａ 比較的薄い絶縁膜 ７ｂ 比較的厚い絶縁膜 ８ 上部電極 ９ ベースコート １０ 配向膜 １１、１２ 偏光板 １３ 絶縁膜 １４ａ 第１の絶縁膜 １４ｂ 第２の絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項１】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜と、 上記境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テー
パー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからな
ることを特徴とする２端子非線形素子。 - 【請求項２】 上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の
上部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の
下方で積層されていることを特徴とする２端子非線形素
子。 - 【請求項３】 基板上に下部電極となる第１の導電体を
成膜する工程と、 上記第１の導電体の上に第１の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第１の導電体、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の３層
積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングする工
程と、 上記エッチング工程により形成された下部電極の側面テ
ーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングして上
記下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分を露出させる工程と、 上記露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成
する工程と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とする２端子非線形素子の製造方
法。 - 【請求項４】 基板上に下部電極となる第１の導電体を
成膜する工程と、 上記第１の導電体の上に比較的薄い絶縁膜を形成する工
程と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に第１の絶縁膜を成膜する工
程と、 上記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第１の導電体、比較的薄い絶縁膜、第１の絶縁膜、
第２の絶縁膜の４層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングする工程と、 上記エッチング工程により形成された下部電極の側面テ
ーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程と、 上記第１の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングして上
記下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に上記比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、 上記露出した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成す
る工程とからなることを特徴とする２端子非線形素子の
製造方法。 - 【請求項５】 上記第１の絶縁膜のエッチングレートが
第２の絶縁膜のエッチングレートより大きいことを特徴
とする前記請求項３、４記載の２端子非線形素子の製造
方法。 - 【請求項６】 上記第１の導電体の側面テーパー部に形
成する比較的厚い絶縁膜及び上記比較的薄い絶縁膜は、
陽極酸化法によって形成することを特徴とする前記請求
項３、４記載の２端子非線形素子の製造方法。 - 【請求項７】 一対の基板間に液晶が挟持され、少なく
とも一方の基板表面にマトリクス状に配置された画素電
極と該画素電極間に信号配線が形成されるとともに、上
記画素電極と信号配線が２端子非線形素子を介して接続
される液晶表示装置において、上記信号配線と接続され
る下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く
下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い
絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極
を形成し、上記上部電極を画素電極に接続してなること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222952A JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | ２端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| US08/907,479 US6157422A (en) | 1996-08-26 | 1997-08-11 | Two-terminal nonlinear element having insulating films of different thickness formed on the flat top surface of a lower electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222952A JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | ２端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065234A true JPH1065234A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16790455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8222952A Pending JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | ２端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6157422A (ja) |
| JP (1) | JPH1065234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356328B1 (en) | 1997-12-03 | 2002-03-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003149674A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100790882B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0381927A3 (en) * | 1989-01-13 | 1991-08-14 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional non-linear resistor, active matrix liquid-crystal panel using the same, and method for its production |
| JP2740964B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-04-15 | スズキ株式会社 | ワイプ装置 |
| JP2814024B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JP2990815B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1999-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US5661579A (en) * | 1991-02-25 | 1997-08-26 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for liquid crystal display having matched liquid crystal and MIM element capacitances for enhancing contrast ratio |
| JPH05273595A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| TW408243B (en) * | 1996-03-21 | 2000-10-11 | Sharp Kk | Switching element, liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP8222952A patent/JPH1065234A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-11 US US08/907,479 patent/US6157422A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356328B1 (en) | 1997-12-03 | 2002-03-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6157422A (en) | 2000-12-05 |
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