JPH1065234A - 2端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 - Google Patents
2端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置Info
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- JPH1065234A JPH1065234A JP8222952A JP22295296A JPH1065234A JP H1065234 A JPH1065234 A JP H1065234A JP 8222952 A JP8222952 A JP 8222952A JP 22295296 A JP22295296 A JP 22295296A JP H1065234 A JPH1065234 A JP H1065234A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
-
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- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 MIM素子の微細化と絶縁破壊対策及び素子
特性の均一化を同時に全部満足させる2端子非線形素子
を得る。 【解決手段】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に比較的薄い絶縁膜を成し、上記境界
部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に
比較的厚い絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上
に上部電極を形成して2端子非線形素子を構成する。
特性の均一化を同時に全部満足させる2端子非線形素子
を得る。 【解決手段】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に比較的薄い絶縁膜を成し、上記境界
部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に
比較的厚い絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上
に上部電極を形成して2端子非線形素子を構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、2端子非線形素子
及びその製造方法並びに2端子非線形素子を駆動素子と
して使用する液晶表示装置に関する。
及びその製造方法並びに2端子非線形素子を駆動素子と
して使用する液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置はその低消費電力、
薄型、軽量等の特徴から、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、オフィスオートメーション用の端末表
示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用されてお
り、より大容量表示、高画質が要求されている。液晶表
示装置は、TN(Twisted Nematic)方式あるいはST
N(Super Twisted Nematic)方式の電圧平均化法によ
る単純マトリクス駆動を行っているが、この方式及び駆
動法は走査線数が増加するとコントラストが十分に得ら
れなくなり、大容量表示に適さない。そこで、表示画面
をマトリクス状の画素電極に分割し、個々の画素電極に
スイッチング素子を設けたアクティブ駆動が実用化され
ている。スイッチング素子として、非晶質シリコン半導
体を用いた薄膜トランジスタや、非線形抵抗特性を利用
した2端子非線形素子が使用されている。その中でも2
端子非線形素子を用いた液晶表示装置は構造が簡単で、
製造コストの面で有利であることから将来性が有望視さ
れ、特に金属−絶縁膜−金属(Metal-Insulator-Meta
l、以下、MIMという)構造を有する2端子非線形素
子が実用化されている。
薄型、軽量等の特徴から、パーソナルコンピュータ、ワ
ードプロセッサ、オフィスオートメーション用の端末表
示装置、テレビジョンなどの表示用途に使用されてお
り、より大容量表示、高画質が要求されている。液晶表
示装置は、TN(Twisted Nematic)方式あるいはST
N(Super Twisted Nematic)方式の電圧平均化法によ
る単純マトリクス駆動を行っているが、この方式及び駆
動法は走査線数が増加するとコントラストが十分に得ら
れなくなり、大容量表示に適さない。そこで、表示画面
をマトリクス状の画素電極に分割し、個々の画素電極に
スイッチング素子を設けたアクティブ駆動が実用化され
ている。スイッチング素子として、非晶質シリコン半導
体を用いた薄膜トランジスタや、非線形抵抗特性を利用
した2端子非線形素子が使用されている。その中でも2
端子非線形素子を用いた液晶表示装置は構造が簡単で、
製造コストの面で有利であることから将来性が有望視さ
れ、特に金属−絶縁膜−金属(Metal-Insulator-Meta
l、以下、MIMという)構造を有する2端子非線形素
子が実用化されている。
【0003】図6は、MIM素子を使用した液晶表示装
置の構造図を示し、ここでは対向基板を一部切り欠い
て、ほぼ一画素を示している。図7は、図6のA−A'
における素子側基板の断面図である。
置の構造図を示し、ここでは対向基板を一部切り欠い
て、ほぼ一画素を示している。図7は、図6のA−A'
における素子側基板の断面図である。
【0004】液晶表示装置は、信号配線、MIM素子、
画素電極等が形成された素子側のガラス基板1と、対向
電極等が形成された対向側のガラス基板2を10数μm
から数μm程度の間隔を一定の寸法を有するスペーサ
(図示しない)を基板間に介在させることにより、正確
に保持して貼り合わせ、両ガラス基板間に液晶を挿入し
て構成される。素子側のガラス基板1には、信号配線
3、MIM素子4、画素電極5が形成され、対向側のガ
ラス基板2には、信号配線3と直交する方向にストライ
プ状の対向側電極6が形成されている。したがって、画
素電極5と対向側電極6が相対向する領域が1画素とな
る。
画素電極等が形成された素子側のガラス基板1と、対向
電極等が形成された対向側のガラス基板2を10数μm
から数μm程度の間隔を一定の寸法を有するスペーサ
(図示しない)を基板間に介在させることにより、正確
に保持して貼り合わせ、両ガラス基板間に液晶を挿入し
て構成される。素子側のガラス基板1には、信号配線
3、MIM素子4、画素電極5が形成され、対向側のガ
ラス基板2には、信号配線3と直交する方向にストライ
プ状の対向側電極6が形成されている。したがって、画
素電極5と対向側電極6が相対向する領域が1画素とな
る。
【0005】MIM素子4は、信号配線3から張り出し
た下部電極3aと、この下部電極の上表面に形成された
絶縁膜7及びその上に形成された上部電極8から構成さ
れた2端子非線形素子である。MIM素子は、下部電極
3aにはタンタル(Ta)、絶縁膜7には酸化タンタル
(TaOx)、上部電極8にはクロム(Cr)、チタン
(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いられ、画
素電極5及び対向側電極6には透明導電膜、例えばIT
O(Indium Tin Oxide)が用いられる。上記酸化タンタ
ルよりなる絶縁膜7の成膜は、陽極酸化法が用いられる
ことが多い。陽極酸化法は素子特性に大きな影響を与え
る絶縁膜7の膜厚を化成電圧を変えることにより制御で
きるので好ましい。
た下部電極3aと、この下部電極の上表面に形成された
絶縁膜7及びその上に形成された上部電極8から構成さ
れた2端子非線形素子である。MIM素子は、下部電極
3aにはタンタル(Ta)、絶縁膜7には酸化タンタル
(TaOx)、上部電極8にはクロム(Cr)、チタン
(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いられ、画
素電極5及び対向側電極6には透明導電膜、例えばIT
O(Indium Tin Oxide)が用いられる。上記酸化タンタ
ルよりなる絶縁膜7の成膜は、陽極酸化法が用いられる
ことが多い。陽極酸化法は素子特性に大きな影響を与え
る絶縁膜7の膜厚を化成電圧を変えることにより制御で
きるので好ましい。
【0006】上記MIM素子4、画素電極5の表面上に
配向膜10を形成し、所定の方向に配向させる。また対
向側電極6の表面上にも配向膜が形成され、所定の方向
に配向される。この両方の配向膜によって液晶分子の配
向状態が決定される。そして、所定の光学モードになる
ように光学フィルムをガラス基板1、2に貼り付ける。
TN方式をノーマリホワイトモードで使用する場合は、
偏光軸が直交するように偏光板11及び12をガラス基
板1、2の外側表面に貼り付ける。
配向膜10を形成し、所定の方向に配向させる。また対
向側電極6の表面上にも配向膜が形成され、所定の方向
に配向される。この両方の配向膜によって液晶分子の配
向状態が決定される。そして、所定の光学モードになる
ように光学フィルムをガラス基板1、2に貼り付ける。
TN方式をノーマリホワイトモードで使用する場合は、
偏光軸が直交するように偏光板11及び12をガラス基
板1、2の外側表面に貼り付ける。
【0007】MIM素子4は、下部電極3aと上部電極
8間に印加された電圧が低い場合に素子抵抗が高抵抗と
なり、印加電圧が高い場合に低抵抗になる非線形抵抗特
性を示す。液晶表示装置はMIM素子のこの非線形抵抗
特性をスイッチング特性として利用して画素電極5及び
対向側電極6に電圧を印加し、液晶分子の配向状態を変
えることにより表示を行う。MIM素子を駆動する場
合、液晶層の容量(CLC)とMIM素子の容量
(CMIM)の比は大きい方が表示品位が高い液晶表示装
置が得られるので、通常この比の値は10程度以上にな
るよう設計される。
8間に印加された電圧が低い場合に素子抵抗が高抵抗と
なり、印加電圧が高い場合に低抵抗になる非線形抵抗特
性を示す。液晶表示装置はMIM素子のこの非線形抵抗
特性をスイッチング特性として利用して画素電極5及び
対向側電極6に電圧を印加し、液晶分子の配向状態を変
えることにより表示を行う。MIM素子を駆動する場
合、液晶層の容量(CLC)とMIM素子の容量
(CMIM)の比は大きい方が表示品位が高い液晶表示装
置が得られるので、通常この比の値は10程度以上にな
るよう設計される。
【0008】このように構成されるMIM素子を使用し
た液晶表示装置は、薄膜トランジスタの製造工程に比べ
て少ない工程数で作製できる利点があるが、MIM素子
の微細化が困難であること、MIM素子の絶縁破壊対策
の問題が存在していた。MIM素子の微細化は、大容量
表示のため画素ピッチが狭くなるに従い必要となる。す
なわち、液晶層の容量とMIM素子の容量比10程度以
上を確保するためには、MIM素子の面積を小さくしな
ければならないためである。MIM素子の容量は、絶縁
膜7の膜厚を厚くして容量(CMIM)を小さくすること
もできるが、MIM素子の電圧−電流特性における急峻
性が悪化するので好ましくない。したがってMIM素子
の面積を小さくする必要がある。
た液晶表示装置は、薄膜トランジスタの製造工程に比べ
て少ない工程数で作製できる利点があるが、MIM素子
の微細化が困難であること、MIM素子の絶縁破壊対策
の問題が存在していた。MIM素子の微細化は、大容量
表示のため画素ピッチが狭くなるに従い必要となる。す
なわち、液晶層の容量とMIM素子の容量比10程度以
上を確保するためには、MIM素子の面積を小さくしな
ければならないためである。MIM素子の容量は、絶縁
膜7の膜厚を厚くして容量(CMIM)を小さくすること
もできるが、MIM素子の電圧−電流特性における急峻
性が悪化するので好ましくない。したがってMIM素子
の面積を小さくする必要がある。
【0009】また、MIM素子の絶縁膜7は必要な素子
特性を得るため、絶縁膜は400〜700Å程度に形成
されているが、電気的耐圧が低いため、絶縁破壊を起こ
しやすい。絶縁破壊したMIM素子の画素は正常に動作
せず、点欠陥となる。
特性を得るため、絶縁膜は400〜700Å程度に形成
されているが、電気的耐圧が低いため、絶縁破壊を起こ
しやすい。絶縁破壊したMIM素子の画素は正常に動作
せず、点欠陥となる。
【0010】このような問題点を解決するため、次のよ
うな解決法が提案されている。例えば、微細化のために
下部電極の断面部分をMIM素子として利用する、いわ
ゆるラテラル構造が例えば特公平3−26367号公報
で提案されている。また、絶縁破壊を防止するためにス
ルーホールを利用したトップコンタクト構造が提案され
ている。
うな解決法が提案されている。例えば、微細化のために
下部電極の断面部分をMIM素子として利用する、いわ
ゆるラテラル構造が例えば特公平3−26367号公報
で提案されている。また、絶縁破壊を防止するためにス
ルーホールを利用したトップコンタクト構造が提案され
ている。
【0011】ラテラル構造を図8とともに説明する。ま
たトップコンタクト構造を図9とともに説明する。
たトップコンタクト構造を図9とともに説明する。
【0012】図8(a)は1画素の平面図であり、図8
(b)はB−B'における素子側基板の断面図である。
(b)はB−B'における素子側基板の断面図である。
【0013】図8の液晶表示装置も図6と同様に、ガラ
ス基板1の表面に信号配線3、画素電極5が形成される
が、MIM素子4が信号配線3の側面部に形成される点
に特徴がある。ラテラル構造のMIM素子は、信号配線
3の側面部に非線形性を示す比較的薄い絶縁膜7aと、
信号配線3の上面にMIM素子として機能しない比較的
厚い絶縁膜7bを作り、比較的薄い絶縁膜7aに上部電
極8を形成して構成する。非線形性を示す比較的薄い絶
縁膜7aは、信号配線3の側面部に形成され、この信号
配線の膜厚が数1000Åであるので、MIM素子の面
積は信号配線3の膜厚と上部電極8の幅の積で決まり、
フォトリソ工程における露光精度の限界(数μm程度)
と比較してはるかに小さいMIM素子を作ることがで
き、実質的なMIM素子の容量(CMIM)を小さくする
ことができ、上部電極のパターニング精度が同一でも液
晶層の容量(CLC)との比を大きくすることができる。
ス基板1の表面に信号配線3、画素電極5が形成される
が、MIM素子4が信号配線3の側面部に形成される点
に特徴がある。ラテラル構造のMIM素子は、信号配線
3の側面部に非線形性を示す比較的薄い絶縁膜7aと、
信号配線3の上面にMIM素子として機能しない比較的
厚い絶縁膜7bを作り、比較的薄い絶縁膜7aに上部電
極8を形成して構成する。非線形性を示す比較的薄い絶
縁膜7aは、信号配線3の側面部に形成され、この信号
配線の膜厚が数1000Åであるので、MIM素子の面
積は信号配線3の膜厚と上部電極8の幅の積で決まり、
フォトリソ工程における露光精度の限界(数μm程度)
と比較してはるかに小さいMIM素子を作ることがで
き、実質的なMIM素子の容量(CMIM)を小さくする
ことができ、上部電極のパターニング精度が同一でも液
晶層の容量(CLC)との比を大きくすることができる。
【0014】図9は、トップコンタクト構造を示し、図
9(a)は1画素の平面図であり、図9(b)はC−
C'における素子側基板の断面図である。MIM素子の
絶縁破壊は下部電極のエッチング端が非線形素子の一部
として機能し、下部電極のエッチング端に電界集中が起
こること、下部電極のエッチング端に形成される絶縁膜
の膜質が悪いことが原因とされている。さらに膜質が悪
くなりやすいエッチング端の絶縁膜もMIM素子として
機能しているので、素子特性がばらつきやすくなる。ト
ップコンタクト構造は下部電極のエッチング端をMIM
素子の一部として使用しない構造である。
9(a)は1画素の平面図であり、図9(b)はC−
C'における素子側基板の断面図である。MIM素子の
絶縁破壊は下部電極のエッチング端が非線形素子の一部
として機能し、下部電極のエッチング端に電界集中が起
こること、下部電極のエッチング端に形成される絶縁膜
の膜質が悪いことが原因とされている。さらに膜質が悪
くなりやすいエッチング端の絶縁膜もMIM素子として
機能しているので、素子特性がばらつきやすくなる。ト
ップコンタクト構造は下部電極のエッチング端をMIM
素子の一部として使用しない構造である。
【0015】図9は液晶表示装置の一画素を示し、図6
と同様に、ガラス基板1の表面に信号配線3より張り出
した下部電極3a、非線形性を示す比較的薄い絶縁膜7
a、上部電極8、画素電極5が形成されるが、トップコ
ンタクト構造の特徴は比較的薄い絶縁膜7aの周囲を厚
い比較的厚い絶縁膜13で被覆し、比較的薄い絶縁膜7
と上部電極5の接続は絶縁膜13に設けられたスルーホ
ールを通して行われる点にある。この構造により、下部
電極3aのエッチング端をMIM素子として使用するこ
とがなくなり、下部電極3aのエッチング端は比較的厚
い絶縁膜13で保護されているので、下部電極のエッチ
ング端に電界集中が起こることがなくなり、点欠陥が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
と同様に、ガラス基板1の表面に信号配線3より張り出
した下部電極3a、非線形性を示す比較的薄い絶縁膜7
a、上部電極8、画素電極5が形成されるが、トップコ
ンタクト構造の特徴は比較的薄い絶縁膜7aの周囲を厚
い比較的厚い絶縁膜13で被覆し、比較的薄い絶縁膜7
と上部電極5の接続は絶縁膜13に設けられたスルーホ
ールを通して行われる点にある。この構造により、下部
電極3aのエッチング端をMIM素子として使用するこ
とがなくなり、下部電極3aのエッチング端は比較的厚
い絶縁膜13で保護されているので、下部電極のエッチ
ング端に電界集中が起こることがなくなり、点欠陥が抑
制され、製造歩留まりが向上する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上記ラテラル構造によ
りMIM素子の微細化が図れ、またトップコンタクト構
造により絶縁破壊をなくし、素子特性のばらつきを少な
くすることができる。しかし、この2つの構造を融合化
して一体化し、MIM素子の微細化と絶縁破壊対策及び
素子特性の均一化を同時に全部満足させる構造は得られ
ていない。すなわち、ラテラル構造は、下部電極の側面
部を素子の構成部分として使用し、トップコンタクト構
造は、下部電極の側面部を使用しないで、上表面の一部
分を素子の構成部分とすることで問題の解決を図ってい
るからである。
りMIM素子の微細化が図れ、またトップコンタクト構
造により絶縁破壊をなくし、素子特性のばらつきを少な
くすることができる。しかし、この2つの構造を融合化
して一体化し、MIM素子の微細化と絶縁破壊対策及び
素子特性の均一化を同時に全部満足させる構造は得られ
ていない。すなわち、ラテラル構造は、下部電極の側面
部を素子の構成部分として使用し、トップコンタクト構
造は、下部電極の側面部を使用しないで、上表面の一部
分を素子の構成部分とすることで問題の解決を図ってい
るからである。
【0017】本発明は、このような問題を解決し、MI
M素子の微細化と、絶縁破壊及び素子特性の均一化を同
時に全部満足させることができる2端子非線形素子を提
供し、またその新規な製造方法を提供し、かつこの2端
子非線形素子を使用した液晶表示装置を提供することを
目的とする。
M素子の微細化と、絶縁破壊及び素子特性の均一化を同
時に全部満足させることができる2端子非線形素子を提
供し、またその新規な製造方法を提供し、かつこの2端
子非線形素子を使用した液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の2端子非線形素子は、下部電極の上部平坦部であって
傾斜した側面部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜
と、この境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面
テーパー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、この比較的
薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからなることを特
徴とし、上記課題を解決する。
の2端子非線形素子は、下部電極の上部平坦部であって
傾斜した側面部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜
と、この境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面
テーパー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、この比較的
薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからなることを特
徴とし、上記課題を解決する。
【0019】また、本発明の請求項2に記載の2端子非
線形素子は、上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の上
部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の下
方で積層されていることを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
線形素子は、上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の上
部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の下
方で積層されていることを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
【0020】また、本発明の請求項3に記載の2端子非
線形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第1の
導電体を成膜する工程と、この第1の導電体の上に第1
の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の絶縁膜の上に第
2の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の導電体、第1
の絶縁膜、第2の絶縁膜の3層積層体を側面部にテーパ
ー角をつけてエッチングする工程と、このエッチング工
程により形成された下部電極の側面テーパー部に比較的
厚い絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜の側面
テーパー部をエッチングして下部電極の上部平坦部であ
って側面テーパー部の境界部分を露出させる工程と、こ
の露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成す
る工程と、この比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
する工程とからなることを特徴とし、これにより、上記
課題を解決する。
線形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第1の
導電体を成膜する工程と、この第1の導電体の上に第1
の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の絶縁膜の上に第
2の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の導電体、第1
の絶縁膜、第2の絶縁膜の3層積層体を側面部にテーパ
ー角をつけてエッチングする工程と、このエッチング工
程により形成された下部電極の側面テーパー部に比較的
厚い絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜の側面
テーパー部をエッチングして下部電極の上部平坦部であ
って側面テーパー部の境界部分を露出させる工程と、こ
の露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成す
る工程と、この比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
する工程とからなることを特徴とし、これにより、上記
課題を解決する。
【0021】また、本発明の請求項4記載の2端子非線
形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第1の導
電体を成膜する工程と、この第1の導電体の上に比較的
薄い絶縁膜を形成する工程と、この比較的薄い絶縁膜の
上に第1の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の絶縁膜
の上に第2の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の導電
体、比較的薄い絶縁膜、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の
4層積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングす
る工程と、このエッチング工程により形成された下部電
極の側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程
と、この第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングし
て下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、この露出
した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とし、これにより上記課題を解決す
る。
形素子の製造方法は、基板上に下部電極となる第1の導
電体を成膜する工程と、この第1の導電体の上に比較的
薄い絶縁膜を形成する工程と、この比較的薄い絶縁膜の
上に第1の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の絶縁膜
の上に第2の絶縁膜を成膜する工程と、この第1の導電
体、比較的薄い絶縁膜、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の
4層積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングす
る工程と、このエッチング工程により形成された下部電
極の側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程
と、この第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングし
て下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、この露出
した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とし、これにより上記課題を解決す
る。
【0022】また、本発明の請求項5記載の2端子非線
形素子の製造方法は、前記請求項3、4において、第1
の絶縁膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチン
グレートより大きいことを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
形素子の製造方法は、前記請求項3、4において、第1
の絶縁膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチン
グレートより大きいことを特徴とし、これにより上記課
題を解決する。
【0023】また、本発明の請求項6記載の2端子非線
形素子の製造方法は、前記請求項3、4において、第1
の導電体の側面テーパー部に形成する比較的厚い絶縁膜
及び上記比較的薄い絶縁膜は、陽極酸化法によって形成
することを特徴とし、これにより上記課題を解決する。
形素子の製造方法は、前記請求項3、4において、第1
の導電体の側面テーパー部に形成する比較的厚い絶縁膜
及び上記比較的薄い絶縁膜は、陽極酸化法によって形成
することを特徴とし、これにより上記課題を解決する。
【0024】また、本発明の請求項7記載の液晶表示装
置は、一対の基板間に液晶が挟持され、少なくとも一方
の基板表面にマトリクス状に配置された画素電極と該画
素電極間に信号配線が形成されるとともに、上記画素電
極と信号配線が2端子非線形素子を介して接続される液
晶表示装置において、上記信号配線と接続される下部電
極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に比
較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く下部電極
の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を
形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
し、上記上部電極を画素電極に接続してなることを特徴
とし、これにより上記課題を解決する。
置は、一対の基板間に液晶が挟持され、少なくとも一方
の基板表面にマトリクス状に配置された画素電極と該画
素電極間に信号配線が形成されるとともに、上記画素電
極と信号配線が2端子非線形素子を介して接続される液
晶表示装置において、上記信号配線と接続される下部電
極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に比
較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く下部電極
の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い絶縁膜を
形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成
し、上記上部電極を画素電極に接続してなることを特徴
とし、これにより上記課題を解決する。
【0025】本発明の請求項1によれば、MIM素子と
して機能する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形
成され、MIM素子の微細化を達成することができる。
また下部電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によっ
て保護され、下部電極のエッチング端はMIM素子とし
て使用しないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一
化を図ることができる。
して機能する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形
成され、MIM素子の微細化を達成することができる。
また下部電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によっ
て保護され、下部電極のエッチング端はMIM素子とし
て使用しないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一
化を図ることができる。
【0026】また本発明の請求項2によれば、比較的薄
い絶縁膜を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているの
で、比較的薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とする
ことにより、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピ
ンホールがあっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保
つことができる。
い絶縁膜を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているの
で、比較的薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とする
ことにより、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピ
ンホールがあっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保
つことができる。
【0027】また本発明の請求項3によれば、第1の導
電体、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の3層積層体を側面
部にテーパー角をつけてエッチングし、第1の絶縁膜の
側面テーパー部をエッチングすることにより、第1導電
体の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分を露
出させる工程において、フォトマスクを必要とすること
なく、微細加工を行うことができ、かつトップコンタク
ト構造を得ることができる。
電体、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の3層積層体を側面
部にテーパー角をつけてエッチングし、第1の絶縁膜の
側面テーパー部をエッチングすることにより、第1導電
体の上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分を露
出させる工程において、フォトマスクを必要とすること
なく、微細加工を行うことができ、かつトップコンタク
ト構造を得ることができる。
【0028】また本発明の請求項4によれば、請求項3
の作用を得ることができるとともに、第1の導電体の上
に非線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を、第1の絶縁
膜、第2の絶縁膜を形成する前に形成しているので、非
線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件
で成膜することができ、MIM素子の特性を所望通りに
することができる。
の作用を得ることができるとともに、第1の導電体の上
に非線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を、第1の絶縁
膜、第2の絶縁膜を形成する前に形成しているので、非
線形特性を有する比較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件
で成膜することができ、MIM素子の特性を所望通りに
することができる。
【0029】また、本発明の請求項5によれば、第1の
絶縁膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチング
レートより大きいので、フォトマスクなしで、第1の絶
縁膜のみをエッチングすることができ、また側面テーパ
ー部を利用しているので、微細加工することができる。
絶縁膜のエッチングレートが第2の絶縁膜のエッチング
レートより大きいので、フォトマスクなしで、第1の絶
縁膜のみをエッチングすることができ、また側面テーパ
ー部を利用しているので、微細加工することができる。
【0030】また、本発明の請求項6によれば、陽極酸
化法によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりM
IM素子の特性を制御することができる。
化法によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりM
IM素子の特性を制御することができる。
【0031】また、本発明の請求項7によれば、MIM
素子の微細化を達成することができるとともに、トップ
コンタクト構造のMIM素子によって駆動することがで
きる液晶表示装置を得ることができる。
素子の微細化を達成することができるとともに、トップ
コンタクト構造のMIM素子によって駆動することがで
きる液晶表示装置を得ることができる。
【0032】
(実施の形態1)図1は本発明の実施の形態1にしたが
って製造した液晶表示装置の素子側のガラス基板1上の
1画素を示す平面図であり、ここでは対向電極等が形成
された対向側のガラス基板2を省略している。図2は図
1のD−D'の断面図である。尚、図2は偏光板及び配
向膜を省略している。
って製造した液晶表示装置の素子側のガラス基板1上の
1画素を示す平面図であり、ここでは対向電極等が形成
された対向側のガラス基板2を省略している。図2は図
1のD−D'の断面図である。尚、図2は偏光板及び配
向膜を省略している。
【0033】素子側のガラス基板1には、信号配線3、
MIM素子4、画素電極5が形成される。MIM素子4
は、下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜7aと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
7bと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極8とからなる。MIM素子は、
下部電極3aにタンタル(Ta)、絶縁膜7に酸化タン
タル(TaOx)、上部電極8にクロム(Cr)、チタ
ン(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いられ、
画素電極5に透明導電膜、例えばITO(Indium Tin O
xide)が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶縁膜
7の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法は素
子特性に大きな影響を与える絶縁膜7の膜厚を化成電圧
を変えることにより制御できるので好ましい。
MIM素子4、画素電極5が形成される。MIM素子4
は、下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜7aと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
7bと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極8とからなる。MIM素子は、
下部電極3aにタンタル(Ta)、絶縁膜7に酸化タン
タル(TaOx)、上部電極8にクロム(Cr)、チタ
ン(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いられ、
画素電極5に透明導電膜、例えばITO(Indium Tin O
xide)が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶縁膜
7の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法は素
子特性に大きな影響を与える絶縁膜7の膜厚を化成電圧
を変えることにより制御できるので好ましい。
【0034】本発明の実施の形態に示した2端子非線形
素子の製造方法を図3とともに工程順に説明する。
素子の製造方法を図3とともに工程順に説明する。
【0035】まず、素子側のガラス基板1の表面に5酸
化タンタル等の絶縁膜をベースコート9として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が2端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約4
000Å成膜した。
化タンタル等の絶縁膜をベースコート9として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が2端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約4
000Å成膜した。
【0036】このベースコート9の上に信号配線3及び
下部電極3aとなる第1の導電体、比較的厚い絶縁膜7
bとなる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をこの順に成膜
する。第1の導電体はスパッタリング法によりタンタル
(Ta)を3000Åの厚さに成膜した。第1の絶縁膜
及び第2の絶縁膜はプラズマCVD法を用いて、それぞ
れ第1の絶縁膜として2000ÅのSiO2と、第2の
絶縁膜として2000ÅのSiNxを成膜した。この第
1の絶縁膜と第2の絶縁膜は、後工程で第1の絶縁膜を
選択的に再エッチングできるように、エッチングレート
の関係を第1の絶縁膜のエッチングレートE1が第2の
絶縁膜のエッチングレートE2より大きくなるように
(E1>E2)選択される。ここでは、第1の絶縁膜の
エッチングレートが20〜40Å/s、第2の絶縁膜の
エッチングレートが2〜7Å/sになるよう選択した。
下部電極3aとなる第1の導電体、比較的厚い絶縁膜7
bとなる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をこの順に成膜
する。第1の導電体はスパッタリング法によりタンタル
(Ta)を3000Åの厚さに成膜した。第1の絶縁膜
及び第2の絶縁膜はプラズマCVD法を用いて、それぞ
れ第1の絶縁膜として2000ÅのSiO2と、第2の
絶縁膜として2000ÅのSiNxを成膜した。この第
1の絶縁膜と第2の絶縁膜は、後工程で第1の絶縁膜を
選択的に再エッチングできるように、エッチングレート
の関係を第1の絶縁膜のエッチングレートE1が第2の
絶縁膜のエッチングレートE2より大きくなるように
(E1>E2)選択される。ここでは、第1の絶縁膜の
エッチングレートが20〜40Å/s、第2の絶縁膜の
エッチングレートが2〜7Å/sになるよう選択した。
【0037】このようにして形成した第1の導電体/第
1の絶縁膜/第2の絶縁膜の3層の積層体をフォトリソ
グラフィー法を使用して信号配線3及び下部電極3aを
形成するよう所定の形状にエッチングし、下部電極3
a、第1の絶縁膜14a、第2の絶縁膜14bを形成す
る。本発明の実施の形態では、CF4とO2を用いたドラ
イエッチングにより、図3に示すように、側面部をテ
ーパー角が20〜30°になるようエッチングした。ド
ライエッチングは、エッチングの選択比がほとんどな
く、異方性のエッチングが可能であるので、テーパー角
をつけたエッチングが行える。
1の絶縁膜/第2の絶縁膜の3層の積層体をフォトリソ
グラフィー法を使用して信号配線3及び下部電極3aを
形成するよう所定の形状にエッチングし、下部電極3
a、第1の絶縁膜14a、第2の絶縁膜14bを形成す
る。本発明の実施の形態では、CF4とO2を用いたドラ
イエッチングにより、図3に示すように、側面部をテ
ーパー角が20〜30°になるようエッチングした。ド
ライエッチングは、エッチングの選択比がほとんどな
く、異方性のエッチングが可能であるので、テーパー角
をつけたエッチングが行える。
【0038】次に、信号電極3及び下部電極3aの側面
テーパー部に比較的厚い絶縁膜7bを形成する(図3
)。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてTa
2O5を約3000Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している下部電極3aの表面のみに選択的に陽極
酸化膜を形成することができ、第1の絶縁膜14a、第
2の絶縁膜14bが積層された下部電極3aの上部平坦
部には陽極酸化膜を形成することなく、信号電極3及び
下部電極3aの側面テーパー部のみに比較的厚い絶縁膜
7bが形成される。
テーパー部に比較的厚い絶縁膜7bを形成する(図3
)。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてTa
2O5を約3000Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している下部電極3aの表面のみに選択的に陽極
酸化膜を形成することができ、第1の絶縁膜14a、第
2の絶縁膜14bが積層された下部電極3aの上部平坦
部には陽極酸化膜を形成することなく、信号電極3及び
下部電極3aの側面テーパー部のみに比較的厚い絶縁膜
7bが形成される。
【0039】この後に、テーパー角をつけたエッチング
の結果、第2の絶縁膜14bより露出している第1の絶
縁膜14aの側面テーパー部を選択的にエッチングし、
信号電極3及び下部電極3aの一部を露出させる(図3
)。この工程では、第2の絶縁膜14bのエッチング
レートが第1の絶縁膜14aのエッチングレートより小
さく選定されているので、いわば第2の絶縁膜14bが
レジストの役目を果たし、したがって第1の絶縁膜14
aのエッチングのためにレジストの塗布、露光、現像の
処理は不要である。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸
を用いて、第1の絶縁膜14aをウェットエッチングし
た。ここで、第2の絶縁膜14bは第1の絶縁膜14a
に比べてエッチングレートが小さいので、ほとんどエッ
チングされず、第1の絶縁体14aのみがエッチングさ
れる。また、信号電極及び下部電極の側面テーパー部に
形成された比較的厚い絶縁膜7bは五酸化タンタル(T
a2O5)のような酸化タンタルであるから緩衝弗酸には
ほとんどエッチングされない。よって、信号電極3及び
下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に存在する第1の絶縁膜14aが優先的に除去さ
れ、スリット状に信号電極3及び下部電極3aの表面が
露出する。
の結果、第2の絶縁膜14bより露出している第1の絶
縁膜14aの側面テーパー部を選択的にエッチングし、
信号電極3及び下部電極3aの一部を露出させる(図3
)。この工程では、第2の絶縁膜14bのエッチング
レートが第1の絶縁膜14aのエッチングレートより小
さく選定されているので、いわば第2の絶縁膜14bが
レジストの役目を果たし、したがって第1の絶縁膜14
aのエッチングのためにレジストの塗布、露光、現像の
処理は不要である。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸
を用いて、第1の絶縁膜14aをウェットエッチングし
た。ここで、第2の絶縁膜14bは第1の絶縁膜14a
に比べてエッチングレートが小さいので、ほとんどエッ
チングされず、第1の絶縁体14aのみがエッチングさ
れる。また、信号電極及び下部電極の側面テーパー部に
形成された比較的厚い絶縁膜7bは五酸化タンタル(T
a2O5)のような酸化タンタルであるから緩衝弗酸には
ほとんどエッチングされない。よって、信号電極3及び
下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に存在する第1の絶縁膜14aが優先的に除去さ
れ、スリット状に信号電極3及び下部電極3aの表面が
露出する。
【0040】第1の絶縁膜14aの膜厚をd、テーパー
角をαとすると、このスリットの幅tは略t=d/ta
nαとなる。したがって、スリット幅tは膜厚dとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、d=0.2μm、α=30°に形成され、スリッ
ト幅は0.35μmであった。ただし、第1の絶縁膜1
4aのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第2の絶縁膜14bのエ
ッジ付近及びその直下の第1の絶縁膜14aもエッチン
グされるので、スリット幅は0.5μm程度で仕上が
る。
角をαとすると、このスリットの幅tは略t=d/ta
nαとなる。したがって、スリット幅tは膜厚dとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、d=0.2μm、α=30°に形成され、スリッ
ト幅は0.35μmであった。ただし、第1の絶縁膜1
4aのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第2の絶縁膜14bのエ
ッジ付近及びその直下の第1の絶縁膜14aもエッチン
グされるので、スリット幅は0.5μm程度で仕上が
る。
【0041】次に、非線形特性を有する比較的薄い絶縁
膜7aを形成する(図4)。本発明の実施の形態で
は、陽極酸化法を用いて五酸化タンタル(Ta2O5)を
約600Åの厚さに形成した。陽極酸化法では、緻密で
ピンホールのない膜厚のばらつきが小さい良好な酸化膜
を作ることができるので好ましい。陽極酸化法では、電
解液に接触している電極表面のみが選択的に酸化される
ので、比較的薄い絶縁膜7aは信号電極3及び下部電極
3aの上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に
スリット状に露出した信号電極3及び下部電極3aの表
面のみに成膜される。
膜7aを形成する(図4)。本発明の実施の形態で
は、陽極酸化法を用いて五酸化タンタル(Ta2O5)を
約600Åの厚さに形成した。陽極酸化法では、緻密で
ピンホールのない膜厚のばらつきが小さい良好な酸化膜
を作ることができるので好ましい。陽極酸化法では、電
解液に接触している電極表面のみが選択的に酸化される
ので、比較的薄い絶縁膜7aは信号電極3及び下部電極
3aの上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に
スリット状に露出した信号電極3及び下部電極3aの表
面のみに成膜される。
【0042】この後、信号電極3及び下部電極3aの上
に上部電極8となる第2の導電体及び画素電極5となる
透明導電膜を形成する(図3の)。本発明の実施の形
態では、第2の導電体としてチタン(Ti)を成膜、パ
ターニングして下部電極3aの上に上部電極8を形成
し、透明導電膜としてITOを成膜、パターニングして
画素電極5を形成した。本発明の実施の形態では、下部
電極の2箇所にMIM素子を形成し、上部電極はこの2
箇所に渡って共通に形成したが、勿論MIM素子一つづ
つに上部電極を分割して形成してもよい。要するに、比
較的薄い絶縁膜7aの上に上部電極を形成すればよい。
に上部電極8となる第2の導電体及び画素電極5となる
透明導電膜を形成する(図3の)。本発明の実施の形
態では、第2の導電体としてチタン(Ti)を成膜、パ
ターニングして下部電極3aの上に上部電極8を形成
し、透明導電膜としてITOを成膜、パターニングして
画素電極5を形成した。本発明の実施の形態では、下部
電極の2箇所にMIM素子を形成し、上部電極はこの2
箇所に渡って共通に形成したが、勿論MIM素子一つづ
つに上部電極を分割して形成してもよい。要するに、比
較的薄い絶縁膜7aの上に上部電極を形成すればよい。
【0043】以上のように、本発明の2端子非線形素子
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に2端子非線形素子を形成することができ、微細
な2端子非線形素子を構成することができるともに、下
部電極3aの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦部
の略全面を第1の絶縁膜14aと第2の絶縁膜14bを
パターニングして構成した比較的厚い絶縁膜7bで覆っ
た構造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで、2端子非線形素子を構成するこ
とができた。よって、従来問題とした2端子非線形素子
の微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することがで
き、また素子特性の均一化を図ることができる。本発明
の実施の形態では、素子側基板を作製するのに必要なマ
スクは、下部電極、上部電極、画素電極を形成するため
に使用する3枚で済む。
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に2端子非線形素子を形成することができ、微細
な2端子非線形素子を構成することができるともに、下
部電極3aの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦部
の略全面を第1の絶縁膜14aと第2の絶縁膜14bを
パターニングして構成した比較的厚い絶縁膜7bで覆っ
た構造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで、2端子非線形素子を構成するこ
とができた。よって、従来問題とした2端子非線形素子
の微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することがで
き、また素子特性の均一化を図ることができる。本発明
の実施の形態では、素子側基板を作製するのに必要なマ
スクは、下部電極、上部電極、画素電極を形成するため
に使用する3枚で済む。
【0044】また、本発明の実施の形成では第1の絶縁
膜14a及び第2の絶縁膜14bとしてSiNxを用い
たが、エッチングレートが第1の絶縁膜14aより第2
の絶縁膜14bの方が小さいの関係を満たす表1の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマCVD法、スパッタリング法で成
膜することができる。
膜14a及び第2の絶縁膜14bとしてSiNxを用い
たが、エッチングレートが第1の絶縁膜14aより第2
の絶縁膜14bの方が小さいの関係を満たす表1の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマCVD法、スパッタリング法で成
膜することができる。
【0045】
【表1】
【0046】尚、本発明の実施の形態では、下部電極3
aを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線3の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパー部と信号配線の上部平坦部の境界部分に2端子非
線形素子を形成してもよい。また下部電極3aの2カ所
に2端子非線形素子を形成したが、1カ所でもよい。
aを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線3の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパー部と信号配線の上部平坦部の境界部分に2端子非
線形素子を形成してもよい。また下部電極3aの2カ所
に2端子非線形素子を形成したが、1カ所でもよい。
【0047】(実施の形態2)本発明の実施の形態2に
おける素子構造と製造工程を図4と図5にしたがって説
明する。本発明の実施の形態における素子側のガラス基
板の1画素の平面図は図1と同じであり、液晶表示装置
の構造は図6と同じであるので省略する。図4は図1の
D−D'断面図である。
おける素子構造と製造工程を図4と図5にしたがって説
明する。本発明の実施の形態における素子側のガラス基
板の1画素の平面図は図1と同じであり、液晶表示装置
の構造は図6と同じであるので省略する。図4は図1の
D−D'断面図である。
【0048】素子側のガラス基板1には、信号配線3、
MIM素子4、画素電極5が形成される。MIM素子4
は、下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜7aと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
7bと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極8とからなる。本発明の実施の
形態では、比較的薄い絶縁膜が下部電極の上部平坦部の
全面に形成され、比較的厚い絶縁膜の部分ではこの比較
的薄い絶縁膜との積層構造となっている。MIM素子
は、下部電極3aにタンタル(Ta)、絶縁膜7に酸化
タンタル(TaOx)、上部電極8にクロム(Cr)、
チタン(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いら
れ、画素電極5に透明導電膜、例えばITO(Indium T
in Oxide)が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶
縁膜7の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法
は素子特性に大きな影響を与える絶縁膜7の膜厚を化成
電圧を変えることにより制御できるので好ましい。
MIM素子4、画素電極5が形成される。MIM素子4
は、下部電極3aの上部平坦部であって側面テーパー部
の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜7aと、上記境
界部分を除いて上部平坦部に形成した比較的厚い絶縁膜
7bと、上記比較的薄い絶縁膜及び比較的厚い絶縁膜に
渡って形成した上部電極8とからなる。本発明の実施の
形態では、比較的薄い絶縁膜が下部電極の上部平坦部の
全面に形成され、比較的厚い絶縁膜の部分ではこの比較
的薄い絶縁膜との積層構造となっている。MIM素子
は、下部電極3aにタンタル(Ta)、絶縁膜7に酸化
タンタル(TaOx)、上部電極8にクロム(Cr)、
チタン(Ti)あるいはアルミニウム(Al)が用いら
れ、画素電極5に透明導電膜、例えばITO(Indium T
in Oxide)が用いられる。上記酸化タンタルよりなる絶
縁膜7の成膜は、陽極酸化法が用いられる。陽極酸化法
は素子特性に大きな影響を与える絶縁膜7の膜厚を化成
電圧を変えることにより制御できるので好ましい。
【0049】本発明の実施の形態に示した2端子非線形
素子の製造方法を図5とともに工程順に説明する。
素子の製造方法を図5とともに工程順に説明する。
【0050】まず、素子側のガラス基板1の表面に5酸
化タンタル等の絶縁膜をベースコート9として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が2端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約4
000Å成膜した。
化タンタル等の絶縁膜をベースコート9として形成す
る。このベースコートはガラス基板からの不純物が2端
子非線形素子や液晶層に侵入するのを防止し、かつ信号
配線、下部電極、画素電極のガラス基板への密着性を向
上することができるので、好ましい。本発明の実施の形
態では、五酸化タンタルをスパッタリング法により約4
000Å成膜した。
【0051】このベースコート9の上に信号配線及び下
部電極となる第1の導電体、比較的薄い絶縁膜7aとな
る絶縁膜、比較的厚い絶縁膜7bとなる第1の絶縁膜及
び第2の絶縁膜をこの順に成膜する。第1の導電体はス
パッタリング法によりタンタル(Ta)を3000Åの
厚さに成膜した。比較的薄い絶縁膜は陽極酸化法を用い
て第1の導電体の酸化膜である五酸化タンタル(Ta2
O5)を600Åの膜厚に形成した。この絶縁膜は非線
形抵抗特性を示し、一部分を2端子非線形素子の絶縁膜
として使用する。陽極酸化法による絶縁膜はピンホール
の少ない緻密な絶縁膜を形成することが可能である。ま
た、陽極酸化を実施する際に配線抵抗による電圧降下が
ほとんど無いので、化成電圧のばらつきによる絶縁膜7
aの膜厚のばらつきがなくなり、非常に均一で良好な絶
縁膜7aを形成できる。第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜
はプラズマCVD法を用いて、それぞれ2000ÅのS
iO2および2000ÅのSiNxを成膜した。プラズマ
CVD法による絶縁膜は工程中の異物等によりピンホー
ルが生じやすいが、本発明の実施の形態では陽極酸化法
による比較的薄い絶縁膜が下地に形成されているので、
第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜にピンホールがあっても
下部電極と上部電極間をショートする恐れはない。この
第1の絶縁膜と第2の絶縁膜は、後工程で第1の絶縁膜
を選択的に再エッチングできるように、エッチングレー
トの関係を第1の絶縁膜のエッチングレートE1が第2
の絶縁膜のエッチングレートE2より大きくなるように
(E1>E2)選択される。ここでは、第1の絶縁膜の
エッチングレートが20〜40Å/s、第2の絶縁膜の
エッチングレートが2〜7Å/sになるよう選択した。
部電極となる第1の導電体、比較的薄い絶縁膜7aとな
る絶縁膜、比較的厚い絶縁膜7bとなる第1の絶縁膜及
び第2の絶縁膜をこの順に成膜する。第1の導電体はス
パッタリング法によりタンタル(Ta)を3000Åの
厚さに成膜した。比較的薄い絶縁膜は陽極酸化法を用い
て第1の導電体の酸化膜である五酸化タンタル(Ta2
O5)を600Åの膜厚に形成した。この絶縁膜は非線
形抵抗特性を示し、一部分を2端子非線形素子の絶縁膜
として使用する。陽極酸化法による絶縁膜はピンホール
の少ない緻密な絶縁膜を形成することが可能である。ま
た、陽極酸化を実施する際に配線抵抗による電圧降下が
ほとんど無いので、化成電圧のばらつきによる絶縁膜7
aの膜厚のばらつきがなくなり、非常に均一で良好な絶
縁膜7aを形成できる。第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜
はプラズマCVD法を用いて、それぞれ2000ÅのS
iO2および2000ÅのSiNxを成膜した。プラズマ
CVD法による絶縁膜は工程中の異物等によりピンホー
ルが生じやすいが、本発明の実施の形態では陽極酸化法
による比較的薄い絶縁膜が下地に形成されているので、
第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜にピンホールがあっても
下部電極と上部電極間をショートする恐れはない。この
第1の絶縁膜と第2の絶縁膜は、後工程で第1の絶縁膜
を選択的に再エッチングできるように、エッチングレー
トの関係を第1の絶縁膜のエッチングレートE1が第2
の絶縁膜のエッチングレートE2より大きくなるように
(E1>E2)選択される。ここでは、第1の絶縁膜の
エッチングレートが20〜40Å/s、第2の絶縁膜の
エッチングレートが2〜7Å/sになるよう選択した。
【0052】このようにして形成した第1の導電体/絶
縁膜/第1の絶縁膜/第2の絶縁膜の4層の積層体をフ
ォトリソグラフィー法を使用して、信号配線3及び下部
電極3aを形成するよう所定の形状にエッチングし、下
部電極3a、薄い絶縁膜7a、第1の絶縁膜14a、第
2の絶縁膜14bを形成する。本発明の実施の形態で
は、CF4とO2を用いたドライエッチングにより、図5
に示すように、側面部をテーパー角が20〜30°に
なるようエッチングした。ドライエッチングは、エッチ
ングの選択比がほとんどなく、異方性のエッチングが可
能であるので、テーパー角をつけたエッチングが行え
る。
縁膜/第1の絶縁膜/第2の絶縁膜の4層の積層体をフ
ォトリソグラフィー法を使用して、信号配線3及び下部
電極3aを形成するよう所定の形状にエッチングし、下
部電極3a、薄い絶縁膜7a、第1の絶縁膜14a、第
2の絶縁膜14bを形成する。本発明の実施の形態で
は、CF4とO2を用いたドライエッチングにより、図5
に示すように、側面部をテーパー角が20〜30°に
なるようエッチングした。ドライエッチングは、エッチ
ングの選択比がほとんどなく、異方性のエッチングが可
能であるので、テーパー角をつけたエッチングが行え
る。
【0053】次に、信号電極3及び下部電極3aの側面
テーパー部に比較的厚い絶縁膜7bを形成する(図5
)。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてTa
2O5を約3000Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している信号電極3及び下部電極3aの表面のみ
に選択的に陽極酸化膜を形成することができ、第1の絶
縁膜14a、第2の絶縁膜14bが積層された下部電極
3aの上部平坦部には陽極酸化膜を形成することなく、
信号電極3及び下部電極3aの側面テーパー部のみに比
較的厚い絶縁膜7bが形成される。
テーパー部に比較的厚い絶縁膜7bを形成する(図5
)。本発明の実施の形態では陽極酸化法を用いてTa
2O5を約3000Åに形成した。陽極酸化法では、電解
液に接している信号電極3及び下部電極3aの表面のみ
に選択的に陽極酸化膜を形成することができ、第1の絶
縁膜14a、第2の絶縁膜14bが積層された下部電極
3aの上部平坦部には陽極酸化膜を形成することなく、
信号電極3及び下部電極3aの側面テーパー部のみに比
較的厚い絶縁膜7bが形成される。
【0054】この後に、テーパー角をつけたエッチング
の結果、第2の絶縁膜より露出している第1の絶縁膜1
4aの側面テーパー部を選択的にエッチングし、比較的
薄い絶縁膜7aを露出させる(図5)。この工程で
は、第2の絶縁膜14bのエッチングレートが第1の絶
縁膜14aのエッチングレートより小さく選定されてい
るので、いわば第2の絶縁膜14bがレジストの役目を
果たし、したがって第1の絶縁膜14aのエッチングの
ためにレジストの塗布、露光、現像の処理は不要であ
る。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸を用いて、第1
の絶縁膜14aをウェットエッチングした。ここで、第
2の絶縁膜14bは第1の絶縁膜14aに比べてエッチ
ングレートが小さいので、ほとんどエッチングされず、
第1の絶縁膜14aのみがエッチングされる。また、信
号電極及び下部電極の側面テーパー部に形成された比較
的厚い絶縁膜7bは五酸化タンタル(Ta2O5)のよう
な酸化タンタルであるから緩衝弗酸にはほとんどエッチ
ングされない。よって、信号電極3及び下部電極3aの
上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に存在す
る第1の絶縁膜14aが優先的に除去され、スリット状
に比較的薄い絶縁膜7aの表面が露出する。
の結果、第2の絶縁膜より露出している第1の絶縁膜1
4aの側面テーパー部を選択的にエッチングし、比較的
薄い絶縁膜7aを露出させる(図5)。この工程で
は、第2の絶縁膜14bのエッチングレートが第1の絶
縁膜14aのエッチングレートより小さく選定されてい
るので、いわば第2の絶縁膜14bがレジストの役目を
果たし、したがって第1の絶縁膜14aのエッチングの
ためにレジストの塗布、露光、現像の処理は不要であ
る。本発明の実施の形態では、緩衝弗酸を用いて、第1
の絶縁膜14aをウェットエッチングした。ここで、第
2の絶縁膜14bは第1の絶縁膜14aに比べてエッチ
ングレートが小さいので、ほとんどエッチングされず、
第1の絶縁膜14aのみがエッチングされる。また、信
号電極及び下部電極の側面テーパー部に形成された比較
的厚い絶縁膜7bは五酸化タンタル(Ta2O5)のよう
な酸化タンタルであるから緩衝弗酸にはほとんどエッチ
ングされない。よって、信号電極3及び下部電極3aの
上部平坦部であって側面テーパー部の境界部分に存在す
る第1の絶縁膜14aが優先的に除去され、スリット状
に比較的薄い絶縁膜7aの表面が露出する。
【0055】第1の絶縁膜14aの膜厚をd、テーパー
角をαとすると、このスリットの幅tは略t=d/ta
nαとなる。したがって、スリット幅tは膜厚dとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、d=0.2μm、α=30°に形成され、スリッ
ト幅は0.35μmであった。ただし、第1の絶縁膜1
4aのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第2の絶縁膜14bのエ
ッジ付近その直下の第2の絶縁膜14aもエッチングさ
れるので、スリット幅は0.5μm程度で仕上がる。
角をαとすると、このスリットの幅tは略t=d/ta
nαとなる。したがって、スリット幅tは膜厚dとテー
パー角αで制御することができる。本発明の実施の形態
では、d=0.2μm、α=30°に形成され、スリッ
ト幅は0.35μmであった。ただし、第1の絶縁膜1
4aのエッチングはウェットエッチングであり、等方的
なエッチング特性であるので、第2の絶縁膜14bのエ
ッジ付近その直下の第2の絶縁膜14aもエッチングさ
れるので、スリット幅は0.5μm程度で仕上がる。
【0056】この後、上部電極8となる第2の導電体及
び画素電極5となる透明導電体を形成する(図3)。
本発明の実施の形態では、第2導電体としてチタン(T
i)を成膜、パターニングして下部電極3aの上に上部
電極8を形成し、透明導電体としてITOを成膜、パタ
ーニングして画素電極5を形成した。本発明の実施の形
態では、下部電極の2箇所にMIM素子を形成し、上部
電極はこの2箇所に渡って共通に形成したが、勿論MI
M素子一つづつに上部電極を分割して形成してもよい。
要するに、比較的薄い絶縁膜7aの上に上部電極を形成
すればよい。
び画素電極5となる透明導電体を形成する(図3)。
本発明の実施の形態では、第2導電体としてチタン(T
i)を成膜、パターニングして下部電極3aの上に上部
電極8を形成し、透明導電体としてITOを成膜、パタ
ーニングして画素電極5を形成した。本発明の実施の形
態では、下部電極の2箇所にMIM素子を形成し、上部
電極はこの2箇所に渡って共通に形成したが、勿論MI
M素子一つづつに上部電極を分割して形成してもよい。
要するに、比較的薄い絶縁膜7aの上に上部電極を形成
すればよい。
【0057】以上のように、本発明の2端子非線形素子
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に2端子非線形素子を形成することができ、微細
な2端子非線形素子を構成することができるとともに、
下部電極3aの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦
部の略全面を第1の絶縁膜14aと第2の絶縁膜14b
をパターニングして構成した厚い絶縁膜7bで覆った構
造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の側面
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで2端子非線形素子を構成すること
ができた。よって、従来問題とした2端子非線形素子の
微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することができ、
また素子特性の均一化を図ることができる。
は、下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境
界部分に2端子非線形素子を形成することができ、微細
な2端子非線形素子を構成することができるとともに、
下部電極3aの側面テーパー部及び下部電極の上部平坦
部の略全面を第1の絶縁膜14aと第2の絶縁膜14b
をパターニングして構成した厚い絶縁膜7bで覆った構
造となっているので、絶縁破壊しやすい下部電極の側面
テーパー部を使用することなく、かつ下部電極のエッチ
ング端を使用しないで2端子非線形素子を構成すること
ができた。よって、従来問題とした2端子非線形素子の
微細化と絶縁体破壊対策を同時に達成することができ、
また素子特性の均一化を図ることができる。
【0058】また、本発明の実施の形成では第1の絶縁
膜14a及び第2の絶縁膜14bとしてSiNxを用い
たが、エッチングレートが第1の絶縁膜14aより第2
の絶縁膜14bの方が小さいの関係を満たす表1の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマCVD法、スパッタリング法で成
膜することができる。
膜14a及び第2の絶縁膜14bとしてSiNxを用い
たが、エッチングレートが第1の絶縁膜14aより第2
の絶縁膜14bの方が小さいの関係を満たす表1の材料
の組み合わせを使用することができる。これらの酸化
膜、窒化膜はプラズマCVD法、スパッタリング法で成
膜することができる。
【0059】尚、本発明の実施の形態では、下部電極3
aを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線3の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパーと信号配線の上部平坦部の境界部分に2端子非線
形素子を形成してもよい。また下部電極3aの2カ所に
2端子非線形素子を形成したが、1カ所でもよい。
aを信号配線から分岐した形状としたが、分岐させずに
信号配線3の側面にテーパー部を形成して、この側面テ
ーパーと信号配線の上部平坦部の境界部分に2端子非線
形素子を形成してもよい。また下部電極3aの2カ所に
2端子非線形素子を形成したが、1カ所でもよい。
【0060】
【発明の効果】本発明によれば、MIM素子として機能
する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形成され、
MIM素子の微細化を達成することができる。また下部
電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によって保護
し、下部電極のエッチング端をMIM素子として使用し
ないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一化を図る
ことができる。また本発明によれば、比較的薄い絶縁膜
を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているので、比較的
薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とすることによ
り、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピンホール
があっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保つことが
できる。また本発明は、第1の導電体、第1の絶縁膜、
第2の絶縁膜の3層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングし、第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッ
チングするので、第1導電体の上部平坦部であって側面
テーパー部の境界部分を露出させる工程において、フォ
トマスクを必要とすることなく、微細加工を行うことが
でき、かつトップコンタクト構造を得ることができる。
さらに本発明は、第1の導電体の上に非線形特性を有す
る比較的薄い絶縁膜を、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜を
形成する前に形成しているので、非線形特性を有する比
較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件で成膜することがで
き、MIM素子の特性を所望通りにすることができる。
その上に本発明は、第1の絶縁膜のエッチングレートが
第2の絶縁膜のエッチングレートより大きいので、フォ
トマスクなしで、第1の絶縁膜のみをエッチングするこ
とができ、また側面テーパー部を利用しているので、微
細加工することができる。また、本発明は、陽極酸化法
によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりMIM
素子の特性を制御することができる。また、本発明によ
れば、MIM素子の微細化を達成することができるとと
もに、トップコンタクト構造のMIM素子によって駆動
することができる液晶表示装置を得ることができる。
する比較的薄い絶縁膜は非常に小さい面積に形成され、
MIM素子の微細化を達成することができる。また下部
電極のエッチング端は比較的厚い絶縁膜によって保護
し、下部電極のエッチング端をMIM素子として使用し
ないので、絶縁破壊をなくし、素子特性の均一化を図る
ことができる。また本発明によれば、比較的薄い絶縁膜
を比較的厚い絶縁膜の下方で積層しているので、比較的
薄い絶縁膜をピンホールのない絶縁膜とすることによ
り、その上に形成される比較的厚い絶縁膜はピンホール
があっても下部電極と上部電極の間の絶縁を保つことが
できる。また本発明は、第1の導電体、第1の絶縁膜、
第2の絶縁膜の3層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングし、第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッ
チングするので、第1導電体の上部平坦部であって側面
テーパー部の境界部分を露出させる工程において、フォ
トマスクを必要とすることなく、微細加工を行うことが
でき、かつトップコンタクト構造を得ることができる。
さらに本発明は、第1の導電体の上に非線形特性を有す
る比較的薄い絶縁膜を、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜を
形成する前に形成しているので、非線形特性を有する比
較的薄い絶縁膜を非常に良好な条件で成膜することがで
き、MIM素子の特性を所望通りにすることができる。
その上に本発明は、第1の絶縁膜のエッチングレートが
第2の絶縁膜のエッチングレートより大きいので、フォ
トマスクなしで、第1の絶縁膜のみをエッチングするこ
とができ、また側面テーパー部を利用しているので、微
細加工することができる。また、本発明は、陽極酸化法
によって絶縁膜を形成するので、化成電圧によりMIM
素子の特性を制御することができる。また、本発明によ
れば、MIM素子の微細化を達成することができるとと
もに、トップコンタクト構造のMIM素子によって駆動
することができる液晶表示装置を得ることができる。
【図1】本発明の実施の形態1における液晶表示装置の
素子側のガラス基板上の1画素を示す平面図である。
素子側のガラス基板上の1画素を示す平面図である。
【図2】図1のD−D'断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1における2端子非線形素
子の製造方法を説明する工程図である。
子の製造方法を説明する工程図である。
【図4】本発明の実施の形態2における1画素を示す図
1のD−D'断面図である。
1のD−D'断面図である。
【図5】本発明の実施の形態2における2端子非線形素
子の製造方法を説明する工程図である。
子の製造方法を説明する工程図である。
【図6】MIM素子を使用した液晶表示装置の構成図で
ある。
ある。
【図7】図6のA−A'断面図である。
【図8】ラテラル構造を説明する図で、(a)は1画素
の平面図、(b)はB−B'断面図である。
の平面図、(b)はB−B'断面図である。
【図9】トップコンタクト構造を説明する図で、(a)
は1画素の平面図、(b)はC−C'断面図である。
は1画素の平面図、(b)はC−C'断面図である。
1、2 ガラス基板 3 信号配線 4 MIM素子 5 画素電極 6 対向電極 7 絶縁膜 7a 比較的薄い絶縁膜 7b 比較的厚い絶縁膜 8 上部電極 9 ベースコート 10 配向膜 11、12 偏光板 13 絶縁膜 14a 第1の絶縁膜 14b 第2の絶縁膜
Claims (7)
- 【請求項1】 下部電極の上部平坦部であって側面テー
パー部の境界部分に形成した比較的薄い絶縁膜と、 上記境界部分を除く下部電極の上部平坦部及び側面テー
パー部に形成した比較的厚い絶縁膜と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に形成した上部電極とからな
ることを特徴とする2端子非線形素子。 - 【請求項2】 上記比較的薄い絶縁膜が上記下部電極の
上部平坦部の全面に形成され、上記比較的厚い絶縁膜の
下方で積層されていることを特徴とする2端子非線形素
子。 - 【請求項3】 基板上に下部電極となる第1の導電体を
成膜する工程と、 上記第1の導電体の上に第1の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第1の導電体、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の3層
積層体を側面部にテーパー角をつけてエッチングする工
程と、 上記エッチング工程により形成された下部電極の側面テ
ーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程と、 上記第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングして上
記下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分を露出させる工程と、 上記露出した下部電極の表面に比較的薄い絶縁膜を形成
する工程と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と
からなることを特徴とする2端子非線形素子の製造方
法。 - 【請求項4】 基板上に下部電極となる第1の導電体を
成膜する工程と、 上記第1の導電体の上に比較的薄い絶縁膜を形成する工
程と、 上記比較的薄い絶縁膜の上に第1の絶縁膜を成膜する工
程と、 上記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を成膜する工程
と、 上記第1の導電体、比較的薄い絶縁膜、第1の絶縁膜、
第2の絶縁膜の4層積層体を側面部にテーパー角をつけ
てエッチングする工程と、 上記エッチング工程により形成された下部電極の側面テ
ーパー部に比較的厚い絶縁膜を形成する工程と、 上記第1の絶縁膜の側面テーパー部をエッチングして上
記下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に上記比較的薄い絶縁膜を露出させる工程と、 上記露出した比較的薄い絶縁膜の上に上部電極を形成す
る工程とからなることを特徴とする2端子非線形素子の
製造方法。 - 【請求項5】 上記第1の絶縁膜のエッチングレートが
第2の絶縁膜のエッチングレートより大きいことを特徴
とする前記請求項3、4記載の2端子非線形素子の製造
方法。 - 【請求項6】 上記第1の導電体の側面テーパー部に形
成する比較的厚い絶縁膜及び上記比較的薄い絶縁膜は、
陽極酸化法によって形成することを特徴とする前記請求
項3、4記載の2端子非線形素子の製造方法。 - 【請求項7】 一対の基板間に液晶が挟持され、少なく
とも一方の基板表面にマトリクス状に配置された画素電
極と該画素電極間に信号配線が形成されるとともに、上
記画素電極と信号配線が2端子非線形素子を介して接続
される液晶表示装置において、上記信号配線と接続され
る下部電極の上部平坦部であって側面テーパー部の境界
部分に比較的薄い絶縁膜を形成し、上記境界部分を除く
下部電極の上部平坦部及び側面テーパー部に比較的厚い
絶縁膜を形成し、上記比較的薄い絶縁膜の上に上部電極
を形成し、上記上部電極を画素電極に接続してなること
を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8222952A JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 2端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
US08/907,479 US6157422A (en) | 1996-08-26 | 1997-08-11 | Two-terminal nonlinear element having insulating films of different thickness formed on the flat top surface of a lower electrode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8222952A JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 2端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1065234A true JPH1065234A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16790455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8222952A Pending JPH1065234A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 2端子非線形素子及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6157422A (ja) |
JP (1) | JPH1065234A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356328B1 (en) | 1997-12-03 | 2002-03-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003149674A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100790882B1 (ko) * | 2006-07-10 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 물질을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0381927A3 (en) * | 1989-01-13 | 1991-08-14 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional non-linear resistor, active matrix liquid-crystal panel using the same, and method for its production |
JP2740964B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1998-04-15 | スズキ株式会社 | ワイプ装置 |
JP2814024B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
JP2990815B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1999-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US5661579A (en) * | 1991-02-25 | 1997-08-26 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for liquid crystal display having matched liquid crystal and MIM element capacitances for enhancing contrast ratio |
JPH05273595A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
TW408243B (en) * | 1996-03-21 | 2000-10-11 | Sharp Kk | Switching element, liquid crystal display device and method for fabricating the same |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP8222952A patent/JPH1065234A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-11 US US08/907,479 patent/US6157422A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356328B1 (en) | 1997-12-03 | 2002-03-12 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Also Published As
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---|---|
US6157422A (en) | 2000-12-05 |
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