JPH1065134A - 光半導体集積回路 - Google Patents
光半導体集積回路Info
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- JPH1065134A JPH1065134A JP8217427A JP21742796A JPH1065134A JP H1065134 A JPH1065134 A JP H1065134A JP 8217427 A JP8217427 A JP 8217427A JP 21742796 A JP21742796 A JP 21742796A JP H1065134 A JPH1065134 A JP H1065134A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオード本体に隣接してダミーアイ
ランドを配置しその上にポリイミド樹脂のガス抜き孔を
配置することにより、ポリイミド樹脂の使用を可能とし
且つガス抜き孔からの光の侵入による誤動作を防止す
る。 【解決手段】フォトダイオード２３，２４，２５に隣接
して、ダミーアイランド２７を配置する。また半導体チ
ップ上部をアルミ配線層による遮光膜２２で被覆する。
フォトダイオード２３，２４，２５上部にの遮光膜２２
に光信号入射用の開口部を、ダミーアイランド２７上に
はポリイミド樹脂のガス抜き孔２８を配置する。ダミー
アイランド２７を逆バイアスしてダミーのフォトダイオ
ードとし、ガス抜き孔２８から侵入する光により発生す
る光電流は、コンタクト２９の近傍にガス抜き孔を配置
することにより吸収して内部回路に到達しない構造とす
る。
ランドを配置しその上にポリイミド樹脂のガス抜き孔を
配置することにより、ポリイミド樹脂の使用を可能とし
且つガス抜き孔からの光の侵入による誤動作を防止す
る。 【解決手段】フォトダイオード２３，２４，２５に隣接
して、ダミーアイランド２７を配置する。また半導体チ
ップ上部をアルミ配線層による遮光膜２２で被覆する。
フォトダイオード２３，２４，２５上部にの遮光膜２２
に光信号入射用の開口部を、ダミーアイランド２７上に
はポリイミド樹脂のガス抜き孔２８を配置する。ダミー
アイランド２７を逆バイアスしてダミーのフォトダイオ
ードとし、ガス抜き孔２８から侵入する光により発生す
る光電流は、コンタクト２９の近傍にガス抜き孔を配置
することにより吸収して内部回路に到達しない構造とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光信号受光用のフ
ォトダイオードと信号処理用の回路素子とを具備し層間
絶縁膜としてポリイミド系の樹脂を用いたフォトダイオ
ード内蔵型の光集積回路に関するものである。
ォトダイオードと信号処理用の回路素子とを具備し層間
絶縁膜としてポリイミド系の樹脂を用いたフォトダイオ
ード内蔵型の光集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】赤外線などによる光信号伝達手段の受信
側、又は光ピックアップ装置の光信号読み取り装置など
では、受光用のフォトダイオードをその周辺回路と共に
集積化した半導体装置が用いられるようになってきた。
ＩＣ化した装置は、個別部品でハイブリッド化したもの
に比べてコストダウンが期待でき、また外部電磁界によ
る雑音に対して強いというメリットを有する。
側、又は光ピックアップ装置の光信号読み取り装置など
では、受光用のフォトダイオードをその周辺回路と共に
集積化した半導体装置が用いられるようになってきた。
ＩＣ化した装置は、個別部品でハイブリッド化したもの
に比べてコストダウンが期待でき、また外部電磁界によ
る雑音に対して強いというメリットを有する。
【０００３】上記フォトダイオード内蔵半導体装置は、
フォトダイオードとＮＰＮトランジスタ等とが共存する
ため、周辺回路への光入射による余分な光電流が生じな
いよう、フォトダイオード部分以外の領域を入射光から
遮断する必要がある。このような遮光手段としては、半
導体集積回路の多層配線技術を利用して、最上層のアル
ミ配線で前記周辺回路部分を被覆する方法が最も簡便で
ある（例えば特願平４ー２８７５８２号）。
フォトダイオードとＮＰＮトランジスタ等とが共存する
ため、周辺回路への光入射による余分な光電流が生じな
いよう、フォトダイオード部分以外の領域を入射光から
遮断する必要がある。このような遮光手段としては、半
導体集積回路の多層配線技術を利用して、最上層のアル
ミ配線で前記周辺回路部分を被覆する方法が最も簡便で
ある（例えば特願平４ー２８７５８２号）。
【０００４】図３にその集積回路の一例を示す。図３に
おいて、１は半導体チップ、２は遮光膜、３は電極パッ
ド、４はフォトダイオード、５は回路素子である。回路
素子５の上部は遮光膜２により覆われ、フォトダイオー
ド４は光入射のために開口されている。電極パッド３内
には遮光膜３と短絡しないように互い違いに重なり合う
ようにして外部接続用の電極パッドが配置されている。
おいて、１は半導体チップ、２は遮光膜、３は電極パッ
ド、４はフォトダイオード、５は回路素子である。回路
素子５の上部は遮光膜２により覆われ、フォトダイオー
ド４は光入射のために開口されている。電極パッド３内
には遮光膜３と短絡しないように互い違いに重なり合う
ようにして外部接続用の電極パッドが配置されている。
【０００５】図４に部分断面図を示す。図４において、
６はＰ型の半導体基板、７はエピタキシャル層をＰ＋分
離領域８で分離して形成したＮ型の島領域、９は回路素
子として島領域７の一つに形成したＮＰＮトランジス
タ、１０は絶縁膜である。フォトダイオード４は島領域
７をカソード、基板６と分離領域８をアノードとし、島
領域７表面にはＮ＋型のカソードコンタクト領域１１を
設けている。この集積回路は全体として２層の多層配線
構造を採用しており、遮光膜２は２層目のアルミ配線層
からなり、遮光膜２の下部で、１層目の配線層によりカ
ソード電極１２や、回路素子５の各素子の電気的接続用
の配線が形成されている。ＮＰＮトランジスタ９は、コ
レクタとなる島領域７の表面にＰ型のベース領域１３と
Ｎ＋型のエミッタ領域１４を形成したものである。１５
はＮ＋型のコレクタコンタクト領域、１６はＮ＋埋め込
み層である。
６はＰ型の半導体基板、７はエピタキシャル層をＰ＋分
離領域８で分離して形成したＮ型の島領域、９は回路素
子として島領域７の一つに形成したＮＰＮトランジス
タ、１０は絶縁膜である。フォトダイオード４は島領域
７をカソード、基板６と分離領域８をアノードとし、島
領域７表面にはＮ＋型のカソードコンタクト領域１１を
設けている。この集積回路は全体として２層の多層配線
構造を採用しており、遮光膜２は２層目のアルミ配線層
からなり、遮光膜２の下部で、１層目の配線層によりカ
ソード電極１２や、回路素子５の各素子の電気的接続用
の配線が形成されている。ＮＰＮトランジスタ９は、コ
レクタとなる島領域７の表面にＰ型のベース領域１３と
Ｎ＋型のエミッタ領域１４を形成したものである。１５
はＮ＋型のコレクタコンタクト領域、１６はＮ＋埋め込
み層である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、外部か
ら入射する光は、基板に対して垂直に入射するばかりで
なく、斜め方向からも入射する。また、光はシリコン表
面を通過するばかりでなく、反射率の異なる部分（シリ
コンとシリコン酸化膜との界面など）で反射を生じる。
そのため図５に示すように、斜めに入射した光１７が遮
光膜２の裏面側とシリコン表面で反射され、これが複数
回繰り返されて（多重反射と称する）、フォトダイオー
ド以外の領域に侵入する事がある。侵入した光がシリコ
ン内部に達すれば望まない光電流が発生し、これが回路
素子５の誤動作を招く欠点があった。
ら入射する光は、基板に対して垂直に入射するばかりで
なく、斜め方向からも入射する。また、光はシリコン表
面を通過するばかりでなく、反射率の異なる部分（シリ
コンとシリコン酸化膜との界面など）で反射を生じる。
そのため図５に示すように、斜めに入射した光１７が遮
光膜２の裏面側とシリコン表面で反射され、これが複数
回繰り返されて（多重反射と称する）、フォトダイオー
ド以外の領域に侵入する事がある。侵入した光がシリコ
ン内部に達すれば望まない光電流が発生し、これが回路
素子５の誤動作を招く欠点があった。
【０００７】また、多層配線の層間絶縁膜として安価な
ポリイミド系樹脂を用いたい要望がある。しかしポリイ
ミド系樹脂は表面を一定面積以上のアルミで被覆する
と、加熱時に樹脂から発生するガスによりアルミが膨れ
る現象がある。そのためアルミ電極が大面積で覆う場合
は一定面積毎にガス抜き用の孔を配置する必要があり、
この孔から光が漏れるので層間絶縁膜として利用できな
い欠点があった。
ポリイミド系樹脂を用いたい要望がある。しかしポリイ
ミド系樹脂は表面を一定面積以上のアルミで被覆する
と、加熱時に樹脂から発生するガスによりアルミが膨れ
る現象がある。そのためアルミ電極が大面積で覆う場合
は一定面積毎にガス抜き用の孔を配置する必要があり、
この孔から光が漏れるので層間絶縁膜として利用できな
い欠点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の課題
に鑑みなされたもので、ＮまたはＩ型のダミーアイラン
ドを逆バイアスとするコンタクト孔が必要であり、この
コンタクト部分を積極的に活用するもので、平面的に見
てこのコンタクト孔のそばにガス抜き孔を設ければ、ガ
ス抜き孔からから漏れる光により発生するキャリアは、
このコンタクト部分の近傍で発生するため、瞬時にコン
タクト部分から吸収され、外部への影響を抑制すること
ができる。
に鑑みなされたもので、ＮまたはＩ型のダミーアイラン
ドを逆バイアスとするコンタクト孔が必要であり、この
コンタクト部分を積極的に活用するもので、平面的に見
てこのコンタクト孔のそばにガス抜き孔を設ければ、ガ
ス抜き孔からから漏れる光により発生するキャリアは、
このコンタクト部分の近傍で発生するため、瞬時にコン
タクト部分から吸収され、外部への影響を抑制すること
ができる。
【０００９】また、ポリイミド絶縁膜のガス抜き孔を前
記ダミーアイランド上に配置することにより、占有面積
を増大することなく層間絶縁膜としてポリイミド系樹脂
を用いることができる構造を提案するものである。
記ダミーアイランド上に配置することにより、占有面積
を増大することなく層間絶縁膜としてポリイミド系樹脂
を用いることができる構造を提案するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を図面を
参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の光集積回
路を示す断面図である。図１を参照して、２１は半導体
チップ、２２は半導体チップ２１のほぼ全表面を被覆す
る遮光膜で、図面上に全面に覆われていては図面では現
れて来ないため、ガス抜き孔の部分のみ示して有る。２
３，２４，２５はフォトダイオード、２６はフォトダイ
オード２２，２４，２５の周囲を取り囲む分離領域、２
７はフォトダイオード２２，２４，２５の周囲を取り囲
む分離領域を更に囲むダミーアイランド、２８はダミー
アイランド２７上部の遮光膜２２に形成したガス抜き
孔、２９はダミーアイランド２７と隣接分離領域を逆バ
イアスとするためのコンタクト孔である。また３０はフ
ォトダイオード２３，２５のカソード領域とコンタクト
する１層目のカソード電極で、３１は、フォトダイオー
ド２４のカソード電極である。回路素子は図示していな
いが、ダミーアイランド２７の周囲の分離領域３２の外
側に配置している。
参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の光集積回
路を示す断面図である。図１を参照して、２１は半導体
チップ、２２は半導体チップ２１のほぼ全表面を被覆す
る遮光膜で、図面上に全面に覆われていては図面では現
れて来ないため、ガス抜き孔の部分のみ示して有る。２
３，２４，２５はフォトダイオード、２６はフォトダイ
オード２２，２４，２５の周囲を取り囲む分離領域、２
７はフォトダイオード２２，２４，２５の周囲を取り囲
む分離領域を更に囲むダミーアイランド、２８はダミー
アイランド２７上部の遮光膜２２に形成したガス抜き
孔、２９はダミーアイランド２７と隣接分離領域を逆バ
イアスとするためのコンタクト孔である。また３０はフ
ォトダイオード２３，２５のカソード領域とコンタクト
する１層目のカソード電極で、３１は、フォトダイオー
ド２４のカソード電極である。回路素子は図示していな
いが、ダミーアイランド２７の周囲の分離領域３２の外
側に配置している。
【００１１】中央のフォトダイオード２４は、ビームス
ポットが照射され位置ズレを検知し、両側のフォトダイ
オード２３，２５はトラッキング用に用いられるもので
ある。ここでは図示しなかったが、フォトダイオード２
３，２４，２５の受光部に対応する遮光膜２２の部分は
開口されている。
ポットが照射され位置ズレを検知し、両側のフォトダイ
オード２３，２５はトラッキング用に用いられるもので
ある。ここでは図示しなかったが、フォトダイオード２
３，２４，２５の受光部に対応する遮光膜２２の部分は
開口されている。
【００１２】図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。４１
はＰ型の半導体基板、４２は基板の上にエピタキシャル
成長法で形成したＮ型のエピタキシャル層を分離して複
数の島領域４３乃至４８に形成するＰ＋型の分離領域で
ある。フォトダイオード２３，２５は、島領域４４，４
７をカソード、基板４１および分離領域４２をアノード
として構成している。島領域表面にはＮ＋型のカソード
コンタクト領域（図１では×印で示した部分）を形成
し、カソードコンタクト領域表面にカソード電極３０を
配置し、カソード電極３０は内部回路の信号入力端子に
接続されている。
はＰ型の半導体基板、４２は基板の上にエピタキシャル
成長法で形成したＮ型のエピタキシャル層を分離して複
数の島領域４３乃至４８に形成するＰ＋型の分離領域で
ある。フォトダイオード２３，２５は、島領域４４，４
７をカソード、基板４１および分離領域４２をアノード
として構成している。島領域表面にはＮ＋型のカソード
コンタクト領域（図１では×印で示した部分）を形成
し、カソードコンタクト領域表面にカソード電極３０を
配置し、カソード電極３０は内部回路の信号入力端子に
接続されている。
【００１３】島領域を区画する分離領域４２の表面には
アノード電極４９を配置してアノードに接地電位（ＧＮ
Ｄ）を印加している。またフォトダイオード２４も同様
に、×で示した部分にＮ＋型のカソードコンタクト領域
が形成され、ここからカソード電極３１が延在されてい
る。フォトダイオードと別の島領域には回路素子として
受動素子、能動素子が形成されている。一例としてはＮ
ＰＮトランジスタ等が形成されている。ＮＰＮトランジ
スタ等の回路素子と、フォトダイオード２３，２５との
間にはダミーアイランド２７を配置する。ダミーアイラ
ンド２７は素子形成用の島領域と同じくエピタキシャル
層を分離領域４２により分離した領域である。そしてダ
ミーアイランド２７の表面にカソード領域５０を形成
し、該カソード領域５０のカソード電極５１に＋５Ｖの
如き逆バイアスとなる電源電位（ＶＣＣ）を印加して、
ダミーアイランド２７をカソード、基板４１と分離領域
４２をアノードとするダミーのフォトダイオードを構成
する。
アノード電極４９を配置してアノードに接地電位（ＧＮ
Ｄ）を印加している。またフォトダイオード２４も同様
に、×で示した部分にＮ＋型のカソードコンタクト領域
が形成され、ここからカソード電極３１が延在されてい
る。フォトダイオードと別の島領域には回路素子として
受動素子、能動素子が形成されている。一例としてはＮ
ＰＮトランジスタ等が形成されている。ＮＰＮトランジ
スタ等の回路素子と、フォトダイオード２３，２５との
間にはダミーアイランド２７を配置する。ダミーアイラ
ンド２７は素子形成用の島領域と同じくエピタキシャル
層を分離領域４２により分離した領域である。そしてダ
ミーアイランド２７の表面にカソード領域５０を形成
し、該カソード領域５０のカソード電極５１に＋５Ｖの
如き逆バイアスとなる電源電位（ＶＣＣ）を印加して、
ダミーアイランド２７をカソード、基板４１と分離領域
４２をアノードとするダミーのフォトダイオードを構成
する。
【００１４】エピタキシャル層表面はシリコン酸化膜５
２で被覆されており、その表面をアルミニウム電極が延
在して各回路素子を電気的に接続し、集積回路網を構成
している。この例では２層配線構造を採用している。２
層配線構造の内、上層（２層目）の電極層は酸化膜上の
ほぼ全面を被覆して遮光膜５２を形成する。第１層目の
電極配線と第２層目の電極配線（遮光膜２２）とはポリ
イミド系の樹脂からなる層間絶縁膜５３で層間絶縁す
る。遮光膜２２のうち、フォトダイオードの上部は光信
号入射のためにフォトダイオードを構成する島領域の大
きさと同程度の大きさで開口している。更に、遮光膜２
２のうちダミーアイランド２７の上部には、４μ×４μ
程度の大きさの、層間絶縁膜として用いたポリイミド系
樹脂のガス抜き用の孔２８を形成している。
２で被覆されており、その表面をアルミニウム電極が延
在して各回路素子を電気的に接続し、集積回路網を構成
している。この例では２層配線構造を採用している。２
層配線構造の内、上層（２層目）の電極層は酸化膜上の
ほぼ全面を被覆して遮光膜５２を形成する。第１層目の
電極配線と第２層目の電極配線（遮光膜２２）とはポリ
イミド系の樹脂からなる層間絶縁膜５３で層間絶縁す
る。遮光膜２２のうち、フォトダイオードの上部は光信
号入射のためにフォトダイオードを構成する島領域の大
きさと同程度の大きさで開口している。更に、遮光膜２
２のうちダミーアイランド２７の上部には、４μ×４μ
程度の大きさの、層間絶縁膜として用いたポリイミド系
樹脂のガス抜き用の孔２８を形成している。
【００１５】図２於いて、遮光膜２２の配置されている
ことが判るように、ここの部分だけ斜視図形式で図示し
た。つまりフォトダイオードの部分に対応する部分が開
口され、ガス抜き孔の部分も開口されていることが判
る。本発明の特徴は、遮光膜に設けるガス抜き孔２８を
コンタクト２９の近傍に設けることにある。
ことが判るように、ここの部分だけ斜視図形式で図示し
た。つまりフォトダイオードの部分に対応する部分が開
口され、ガス抜き孔の部分も開口されていることが判
る。本発明の特徴は、遮光膜に設けるガス抜き孔２８を
コンタクト２９の近傍に設けることにある。
【００１６】例えば、仮に、ダミーアイランド２７内に
光が入射されれば、ダミーアイランドが形成するダミー
のフォトダイオードの光電流として捕獲され、アノード
電極４９とカソード電極５１間の光電流となるので内部
回路へ流出することはない。このことはガス抜き孔を介
してダミーアイランドへ侵入する光も同様のことが言え
るが、ガス抜き孔の位置により問題が発生する。例えば
図１の点Ｂで示した位置にガス抜き孔を設けた場合と符
号２８に設けた場合では、発生する光電流にどの様な差
が生じるか、考えてみる。当然ガス抜き孔のサイズは同
じとする。
光が入射されれば、ダミーアイランドが形成するダミー
のフォトダイオードの光電流として捕獲され、アノード
電極４９とカソード電極５１間の光電流となるので内部
回路へ流出することはない。このことはガス抜き孔を介
してダミーアイランドへ侵入する光も同様のことが言え
るが、ガス抜き孔の位置により問題が発生する。例えば
図１の点Ｂで示した位置にガス抜き孔を設けた場合と符
号２８に設けた場合では、発生する光電流にどの様な差
が生じるか、考えてみる。当然ガス抜き孔のサイズは同
じとする。
【００１７】ここのダミーアイランド２７は、一例とし
てＮ型が採用されている。仮にＢから発生する光電流の
一部、つまり電子は、マイナスであるのでＧＮＤに固定
されたＰ＋型の分離領域やＧＮＤに固定されたＰ＋型の
半導体基板に反発し、またコンタクトの部分はＶＣＣに
固定されているので、右のコンタクト２９や紙面に対し
て下の方向にあるコンタクトに向かって移動してゆく。
しかしこの間のパスが長いために一部のものは、フォト
ダイオードや外側の演算回路を構成する素子へ影響を与
える。
てＮ型が採用されている。仮にＢから発生する光電流の
一部、つまり電子は、マイナスであるのでＧＮＤに固定
されたＰ＋型の分離領域やＧＮＤに固定されたＰ＋型の
半導体基板に反発し、またコンタクトの部分はＶＣＣに
固定されているので、右のコンタクト２９や紙面に対し
て下の方向にあるコンタクトに向かって移動してゆく。
しかしこの間のパスが長いために一部のものは、フォト
ダイオードや外側の演算回路を構成する素子へ影響を与
える。
【００１８】従って、コンタクト２９の近傍であれば、
いわゆる抵抗分が減り、ガス抜き孔２８に対応するアイ
ランドおよびその近傍で電子が発生しても、電子がフラ
フラすることなく瞬時で吸収される。また電子と一緒に
発生するホールは、再結合したり、また隣接の分離領域
や基板に吸収される。図２では、カソード電極５１が設
けられ、このカソード電極が遮光膜５２（２２）とコン
タクトしているが、遮光膜が直接ダミーアイランドにコ
ンタクトしても良い。従って、図１で示したコンタクト
２９は、カソード電極のコンタクトでもあるし、或いは
遮光膜のコンタクトでもある。
いわゆる抵抗分が減り、ガス抜き孔２８に対応するアイ
ランドおよびその近傍で電子が発生しても、電子がフラ
フラすることなく瞬時で吸収される。また電子と一緒に
発生するホールは、再結合したり、また隣接の分離領域
や基板に吸収される。図２では、カソード電極５１が設
けられ、このカソード電極が遮光膜５２（２２）とコン
タクトしているが、遮光膜が直接ダミーアイランドにコ
ンタクトしても良い。従って、図１で示したコンタクト
２９は、カソード電極のコンタクトでもあるし、或いは
遮光膜のコンタクトでもある。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明した通り、ポリイミド絶縁膜
のガス抜き孔を前記ダミーアイランド上に配置すること
により、占有面積を増大することなく層間絶縁膜として
ポリイミド系樹脂を用いることができる。またダミーア
イランドを逆バイアスとするためコンタクト孔が必要で
あり、平面的に見てこのコンタクト孔のそばにガス抜き
孔を設ければ、ガス抜き孔からから漏れる光により発生
する光電流（ここでは電子）は、このコンタクト部分の
近傍で発生するため、瞬時にコンタクト部分から吸収さ
れ、外部への影響を抑制することができる。
のガス抜き孔を前記ダミーアイランド上に配置すること
により、占有面積を増大することなく層間絶縁膜として
ポリイミド系樹脂を用いることができる。またダミーア
イランドを逆バイアスとするためコンタクト孔が必要で
あり、平面的に見てこのコンタクト孔のそばにガス抜き
孔を設ければ、ガス抜き孔からから漏れる光により発生
する光電流（ここでは電子）は、このコンタクト部分の
近傍で発生するため、瞬時にコンタクト部分から吸収さ
れ、外部への影響を抑制することができる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ線部分の概略断面図である。
【図３】従来の光素子を説明する光半導体集積回路の平
面図である。
面図である。
【図４】図３の断面図である。
【図５】従来例を説明するための拡大断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城間 修 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの一部に形成したフォトダ
イオードと、前記半導体チップの他の部分に形成した回
路素子と、前記フォトダイオードに隣接して、前記回路
素子との間に形成したダミーアイランドと、前記回路素
子の素子間接続を行う電極配線層と、前記電極配線層の
上を被覆するポリイミド系の層間絶縁膜と、表面で前記
回路素子上部および前記ダミーアイランド上部の前記層
間絶縁膜表面を被覆する遮光膜と、前記フォトダイオー
ド上部に形成した光入射用の前記遮光膜の開口部と、前
記ダミーアイランド上部に形成した前記遮光膜のガス抜
き孔とを有する光半導体集積回路に於いて、 前記ダミーアイランドと隣接する分離領域とが逆バイア
スされるように、前記ダミーアイランドに所定の電圧を
与えるコンタクト孔が設けられ、前記遮光膜のガス抜き
孔は、平面的に見て前記コンタクト孔と近接して設けら
れることを特徴とした光半導体集積回路。 - 【請求項２】 半導体チップの一部に形成したフォトダ
イオードと、前記半導体チップの他の部分に形成した回
路素子と、前記フォトダイオードに隣接して、前記回路
素子との間に形成したダミーアイランドと、前記回路素
子の素子間接続を行う電極配線層と、前記電極配線層の
上を被覆するポリイミド系の層間絶縁膜と、表面で前記
回路素子上部および前記ダミーアイランド上部の前記層
間絶縁膜表面を被覆する遮光膜と、前記フォトダイオー
ド上部に形成した光入射用の前記遮光膜の開口部と、前
記ダミーアイランド上部に形成した前記遮光膜のガス抜
き孔とを有する光半導体集積回路に於いて、 前記ダミーアイランドとコンタクトし、前記電極配線層
と同層で形成されたコンタクト電極は、前記層間絶縁膜
を介して前記遮光膜とコンタクトし、前記ダミーアイラ
ンドと隣接する分離領域は逆バイアスされ、前記遮光膜
のガス抜き孔は、平面的に見て前記コンタクト電極のコ
ンタクト孔と近接して設けることを特徴とした光半導体
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217427A JPH1065134A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8217427A JPH1065134A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065134A true JPH1065134A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16704051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8217427A Pending JPH1065134A (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 光半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393175C (zh) * | 1999-10-04 | 2008-06-04 | 三洋电机株式会社 | 半导体装置 |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP8217427A patent/JPH1065134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100393175C (zh) * | 1999-10-04 | 2008-06-04 | 三洋电机株式会社 | 半导体装置 |
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