JPH1064809A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH1064809A
JPH1064809A JP8239716A JP23971696A JPH1064809A JP H1064809 A JPH1064809 A JP H1064809A JP 8239716 A JP8239716 A JP 8239716A JP 23971696 A JP23971696 A JP 23971696A JP H1064809 A JPH1064809 A JP H1064809A
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JP
Japan
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exposure
stage
photosensitive substrate
substrate
abnormality
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Application number
JP8239716A
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English (en)
Inventor
Masamitsu Yanagihara
政光 柳原
Masanobu Ito
真信 伊藤
Kazuyuki Hirachi
和幸 平地
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Publication of JPH1064809A publication Critical patent/JPH1064809A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光不良の発生した感光基板が次の処理工程
へ進むのを事前に回避する。 【解決手段】 露光中に、ステージコントローラ76-1
では、干渉計56を介して基板ステージ64の位置座標
を逐次モニタするとともに、このモニタ結果に基づいて
露光時における目標座標と現在位置座標との偏差が許容
範囲内にあるか否かを判断し、許容範囲外である場合に
異常信号を発する。従って、この異常信号に基づいて装
置を緊急停止し、その基板ステージ64の位置誤差によ
り露光不良が発生した感光基板52を速やかに取り除く
ことが可能になる。また、この露光不良の感光基板の取
り除くとともに装置を修理・調整してもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び露光
方法に係り、更に詳しくは半導体メモリあるいは液晶表
示基板(LCDパネル)等の製造におけるフォトリソグ
ラフィ工程で使用される露光装置及び露光方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子や液晶表示素子等
の製造過程中のフォトリソグラフィ工程においては、マ
スク上に形成された回路パターンを投影光学系を介して
ウエハやプレート等の感光基板上に投影露光する投影露
光装置が用いられている。この投影露光装置の一つとし
て、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光
装置、即ちいわゆるステッパーが比較的多く用いられて
いる。
【0003】このステッパーは、1つのマスク(レチク
ル)のパターン全体を内包し得る露光フィールドを持っ
た投影光学系を介して感光基板をステップ・アンド・リ
ピート方式で露光するものである。このステッパーは、
スキャン露光方式を採用したアライナー等に比べて解像
力、重ね合せ精度等が高いという利点がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のステッ
パーでは、感光基板上のショット領域を順次露光するた
め、直交二軸方向に移動可能な基板ステージが設けられ
ているが、このステージの位置決めサーボ時には、目標
位置とステージの位置を計測する干渉計の出力値である
現在位置との誤差が所定時間以上所定値以内に収まった
ときに位置決め完了と判断し、その直後に露光が行なわ
れていた。しかしながら、上述した従来のステッパーで
は、基板ステージの位置決めが完了した後、露光中のス
テージの振動量を監視していなかったことから、ステー
ジ制御系の異常、あるいは露光中の装置内の他部の動作
若しくは外部からの振動等の外乱により露光中にステー
ジの位置ずれ等が発生し、このため露光不良となった感
光基板(デバイス)をそのまま次工程に進ませるという
不都合があった。
【0005】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、請求項1ないし4に記載の発
明の目的は、露光不良の発生した感光基板が次の処理工
程へ進むのを事前に回避することができる露光装置を提
供することにある。
【0006】また、請求項5に記載の発明の目的は、露
光不良の発生した感光基板が次の処理工程へ進むのを事
前に回避することができる露光方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、感光基板を所定の露光位置に位置決めした状態でマ
スク(R)に形成されたパターンの像を投影光学系(P
L)を介して前記感光基板(52)上に投影露光する露
光装置であって、前記マスク(R)を照明する照明系
(40)と;前記マスクを保持する保持手段(11)
と;前記マスクのパターンを結像面に投影する投影光学
系(PL)と;前記感光基板を前記結像面に保持すると
ともに前記投影光学系の光軸に直交する面内で移動する
基板ステージ(64)と;前記基板ステージの位置を計
測する位置計測手段(56)と;目標位置と前記位置計
測手段の出力とに基づいて前記基板ステージを露光位置
に位置決めするステージ制御手段(76-1)と;前記基
板ステージの位置決め完了後、前記照明系から前記マス
クに対する照明光の照射を開始し所定時間後に終了する
照明系制御手段(76-1)と;前記照明系制御手段によ
る前記マスクに対する照明光の照射開始から終了までの
間の露光中に、前記位置計測手段(56)を介して前記
基板ステージの位置座標を逐次モニタするとともに、こ
のモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現在
位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断し、
許容範囲外である場合に異常信号を発する異常判別手段
(76-1)とを有する。
【0008】これによれば、露光開始に際して、ステー
ジ制御手段に目標位置の指令が与えられると、ステージ
制御手段では、この目標位置と位置計測手段の出力とに
基づいて基板ステージを露光位置に位置決めする。この
位置決めの完了後、照明系制御手段により、照明系から
マスクに対する照明光の照射が開始され、これにより、
マスクのパターンが投影光学系を介して感光基板上に投
影露光される。そして、所定時間後に露光が終了する。
この露光中に、異常判別手段では、位置計測手段を介し
て基板ステージの位置座標を逐次モニタするとともに、
このモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現
在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断
し、許容範囲外である場合に異常信号を発する。このた
め、ステージ制御手段の異常又は何らかの外乱により露
光中の基板ステージの目標位置に対する位置偏差が許容
範囲を超えた場合には、異常判別手段により異常判別が
なされ、異常信号が発せられる。従って、この異常信号
に基づいて装置を緊急停止し、その基板ステージの位置
誤差により露光不良が発生した感光基板を速やかに取り
除くことが可能になる。また、この露光不良の感光基板
の取り除きとともに装置を修理・調整してもよい。
【0009】この場合において、異常判別手段(76-
1)では、例えば所定のサンプリング時間間隔毎に取り
込んだ位置データのそれぞれについての位置偏差の単純
平均(相加平均)値、最大位置偏差と最小位置偏差の
差、あるいは偏差の自乗の相加平均の平方根等に基づい
て位置偏差が許容範囲を超えたか否かの判断をするよう
にしてもよい。
【0010】この場合において、異常判別手段による異
常の判別は、露光の終了後に行ってよく、この場合も異
常信号に基づく装置の緊急停止、感光基板の交換等は勿
論可能であるが、請求項2に記載の発明の如く、照明系
制御手段(76-1)によるマスク(R)に対する照明光
の照射開始・停止の制御は照明系(40)内に設けられ
たシャッタ(16)の開閉により行い、異常判別手段
(76-1)が、シャッタの閉開始から閉終了までの間に
前記異常判別を終了するようにすることもできる。この
ようにすれば、異常判別手段によりシャッタの閉開始か
ら閉終了までの間に異常判別がなされるので、露光が終
了した時点では異常判別が完了しており、シャッタ閉終
了後に異常判別を行う場合に比べてスループットの向上
を図ることが可能になる。
【0011】ここで、シャッタとは閉開始から閉終了ま
でに一定時間を要する光路開閉手段の代表例であって、
同等の機能を有するものであれば、可動ブラインド等も
含む概念である。
【0012】この場合、照明系制御手段からのシャッタ
閉開始の信号に基づいて、異常判別手段では異常判別動
作を開始するようにしても特に問題はないが、請求項3
に記載の発明の如く、シャッタ(16)の開状態におけ
る照明光の光量を検出する光センサ(38)を更に設
け、異常判別手段が、光センサの出力に基づいて基板ス
テージの位置座標のモニタを終了して前記異常判別を実
行するようにすることもできる。このようにすれば、露
光が開始されシャッタが「開」状態になると、そのとき
の照明光の光量が光センサによって検出され、異常判別
手段では、この光センサの出力に基づいて基板ステージ
の位置座標のモニタを終了して異常判別を実行する。例
えば、異常判別手段では、光センサの検出光量が、ある
値を超えてから再び下がるまでの間ステージの位置座標
のモニタを実施し、ある値以下に下がった後、このモニ
タ結果に基づいて異常の判断を実施するようにしてもよ
い。この場合も照明系制御手段によってシャッタが完全
に閉じられる前に、判別手段ではモニタ結果に基づいて
異常の判断を実施するため、処理能力(スループット)
の低下を抑えることができる。
【0013】上記いずれの場合にも、前述した如く、判
別手段によって異常信号が発せられたときに、装置を直
ちに停止するようにすることは可能であるが、使用条件
により、あるいは使用者によっては装置を停止すること
なく、感光基板のみを取り替えて露光を続行したい場合
もある。
【0014】かかる場合に、請求項4に記載の発明の如
く、前記感光基板(52)を搬送する搬送手段(54、
76-2)と、前記異常信号に基づいて搬送手段を介して
基板を交換する搬送制御手段(74)とを更に設けるこ
とが望ましい。このようにすれば、判別手段により異常
が判別され、異常信号が発せられた場合に、搬送制御手
段ではこの異常信号に基づいて搬送手段を介して基板を
交換する。このため、装置を停止することなく、次の基
板に対し露光が続行される。ここで、交換され装置外に
排出(リジェクト)された基板については何らかの履歴
を残し、後にオペレータが確認(認識)できるようにし
ても良い。
【0015】請求項5に記載の発明は、感光基板を所定
の露光位置に位置決めした状態でマスクに形成されたパ
ターンの像を投影光学系を介して前記感光基板上に投影
露光する露光方法であって、前記感光基板の決め完了
後、露光開始から露光終了までの間に、前記感光基板の
位置座標を逐次モニタする第1工程と;前記第1工程に
おけるモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と
現在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断
し、許容範囲外である場合に異常と判別して警告を発
し、あるいは現露光中の感光基板を別の基板と交換する
第2工程とを含む。
【0016】これによれば、露光開始に際して、基板ス
テージが露光位置に位置決めされ、この位置決めの完了
後、マスクのパターンが投影光学系を介して感光基板上
に投影露光される。この露光開始から露光終了までの間
に、感光基板の位置座標が逐次モニタされる。そして、
このモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現
在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かが判断さ
れ、許容範囲外である場合に異常と判別して警告が発せ
られ、あるいは現露光中の感光基板が別の基板と交換さ
れる。従って、この異常警告に基づいて露光処理を中止
したり、あるいは感光基板を交換する場合には、そのま
ま露光処理を続行することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
《第1の実施形態》以下、本発明の第1の実施形態を図
1ないし図5に基づいて説明する。
【0018】図1には、第1の実施形態に係る露光装置
10の全体構成が概略的に示されている。この露光装置
10は、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の縮
小投影型露光装置(いわゆるステッパー)である。この
露光装置10は、照明系40、保持手段としてのレチク
ルホルダ11、投影光学系PL、ステージ装置50、及
び制御系等を有している。
【0019】照明系40は、水銀ランプ12、楕円鏡1
4、光路開閉手段の一種であるロータリーシャッタ1
6、ミラー18、インプットレンズ20、フライアイレ
ンズ系22、ビームスプリッタ24、レンズ系26、レ
チクルブラインド28、レンズ系30、ミラー32、及
びメインコンデンサレンズ34を含んで構成されてい
る。ここで、この照明系の構成各部についてその作用と
共に詳述する。
【0020】水銀ランプ12からの露光用照明光は楕円
鏡14でその第2焦点に集光される。この第2焦点近傍
には、モータ36によって照明光の遮断と透過とを切り
替えるロータリーシャッタ(以下、適宜「シャッタ」と
いう)16が配置されており、当該シャッタ16が
「開」状態のとき、シャッタ部分を通過した照明光束は
ミラー18で反射され、インプットレンズ20を介して
フライアイレンズ系22に入射する。
【0021】このフライアイレンズ系22は、照明光の
露光範囲内の照度ムラを防止するためのもので、このフ
ライアイレンズ系22の射出側には、多数の2次光源像
が形成され、各2次光源像からの照明光はビームスプリ
ッタ24を介してレンズ系(コンデンサレンズ)26に
入射する。
【0022】レンズ系26の後側焦点面には、所定形状
の開口を有するレチクルブラインド28が配置されてい
る。この開口の形状は、投影光学系PLの円形イメージ
フィールドIF内に包含されるように設定されている。
【0023】レンズ系26を通過した照明光は、レチク
ルブラインド28の位置では均一な照度分布となってお
り、この照明光は、その後レチクルブラインド28の開
口を通過し、レンズ系30、ミラー32、及びメインコ
ンデンサレンズ34を介して当該コンデンサレンズ34
と投影光学系PLとの間に配設されたマスクとしてのレ
チクルRを照射する。これにより、レチクルブラインド
28の開口の像がレチクルR下面のパターン面に結像さ
れる。
【0024】ここで、本実施形態では、フライアイレン
ズ系22とレンズ系26との間に、ビームスプリッタ2
4(このビームスプリッタ24は、露光用照明光を約9
5パーセント以上透過させる)が配置されており、この
ビームスプリッタ24によって取り出された照明光束の
一部の光量が光センサとしてのインテグレータセンサ3
8で検出されるようになっている。このインテグレータ
センサ38の検出信号は、ステージコントローラ76-1
に供給される。
【0025】前記レチクルホルダ11は、不図示のバキ
ュームチャック等を介してマスクとしてのレチクルRを
投影光学系PLの光軸AXに直交する面内で保持してお
り、不図示の駆動系によって光軸AXに直交するXY面
内で微動可能に構成されている。ここでは、このレチク
ルホルダ11は、レチクルR上の回路パターンの中心
(レチクルセンタ)がほぼ光軸AXに一致するように位
置決めされている。
【0026】前記投影光学系PLは、少なくとも像面側
がテレセントリック、例えば両側テレセントリックで、
所定の縮小倍率、例えば1/5の屈折素子のみ、あるい
は屈折素子と反射素子との組み合わせで構成されてい
る。この投影光学系PLの光軸AXは鉛直軸(Z軸)方
向とされている。このため、照明系40からの露光用照
明光によりレチクルRが照明されると、この投影光学系
PLを介して回路パターンの1/5縮小像が結像面に結
像される。
【0027】前記ステージ装置50は、不図示のベース
上を光軸AXに直交する水平面内でY軸方向(図1にお
ける紙面直交方向)に移動可能なYステージ48Yと、
このYステージ48Y上をY軸に直交するX軸方向(図
1における紙面平行方向)に移動可能なXステージ48
Xと、このXステージ上に搭載され,投影光学系PLの
光軸AX方向(Z軸方向)に微動可能な基板ステージと
してのZステージ64とを備えている。これら3つのス
テージ48Y、48X、64は、駆動系58によって駆
動される。
【0028】Zステージ64上面の一端部には、移動鏡
62が設けられており、この移動鏡62に対向して当該
移動鏡62にレーザ光を投射し、その反射光を受光して
Zステージ64のXY面内の位置を計測する位置計測手
段としてのレーザ干渉計56が配置されている。
【0029】ここで、実際には、移動鏡はX軸に直交す
る方向の反射面を有するX移動鏡とY軸に直交する反射
面を有するY移動鏡とが設けられ、これに対応してX軸
方向の位置計測用のX1軸レーザ干渉計、X2軸レーザ
干渉計と、Y軸方向の位置計測用のY軸レーザ干渉計と
が設けられているが、図1ではこれらが移動鏡62、レ
ーザ干渉計56として代表的に図示されている。従っ
て、X1軸レーザ干渉計、X2軸レーザ干渉計の計測値
の平均によりZステージ64のX座標が計測され、X1
軸レーザ干渉計、X2軸レーザ干渉計の計測値の差によ
りヨーイング量(Z軸回りの回転量)が計測され、Y軸
レーザ干渉計の計測値によりZステージ64のY座標が
計測される。以下の説明ではZステージ64のXY座標
位置とヨーイング量とがレーザ干渉計56によって計測
されるものとする。このレーザ干渉計56の出力もステ
ージコントローラ76-1に供給されている。なお、この
レーザ干渉計56のための固定鏡は実際には投影光学系
PLの鏡筒下端部に固定されているが、図1では図示を
省略している。
【0030】前記Zステージ64上には不図示のθテー
ブル、及び基板ホルダを介して感光基板52が保持され
ている。θテーブルは駆動系58によってZ軸回りに微
小角度範囲内で回転可能とされている。すなわち、上述
したような構成により、感光基板52は、X,Y,Z,
θ(Z軸回りの回転)方向に4自由度で移動可能になっ
ている。
【0031】前述した如く、本実施形態では投影倍率を
1/5としたことから、合焦状態(ウエハW表面と投影
光学系PLの結像面とが一致した状態)では、レチクル
Rに形成されたパターンの像は投影光学系PLによって
1/5に縮小されてウエハW上に結像される。
【0032】また、Zステージ64上にはレチクルアラ
イメント、いわゆるベースライン計測等のための種々の
基準マークが形成された不図示の基準マーク板も固定さ
れている。
【0033】この他、図示は省略したが、レチクルRと
投影光学系PLとを介して感光基板52上のアライメン
トマーク(又は基準マーク板上のマーク)を検出するT
TR(スルーザレチクル)方式のアライメントシステ
ム、レチクルRの下方空間から投影光学系PLを介して
ウエハW上のアライメントマーク(又は基準マーク板上
のマーク)を検出するTTL(スルーザレンズ)方式の
アライメントシステム、及びフォーカス検出システム等
が設けられ、ステップ・アンド・リピート方式の各ショ
ットの露光開始前にレチクルRと感光基板52との相対
的な位置合わせ、オートフォーカス等が行なわれる。
【0034】前記ステージコントローラ76-1は、プロ
セッサ、ROM、RAM、I/Oインタフェース等から
成るいわゆるマイクロコンピュータで構成されている。
このステージコントローラ76-1の基本的な動作はレー
ザ干渉計56からの位置情報、ヨーイング情報の入力等
に基づいて、駆動系58を介してXステージ48X、Y
ステージ48Yを制御して露光時に感光基板52を位置
決めしたり、不図示のフォーカス検出系からの情報に基
づいて駆動系を介してZステージ64を制御して感光基
板52を結像面位置に位置合わせしたり、後述するホス
トコンピュータ74からの指令に応じてモータ36を制
御してシャッタ16を開閉したりすることにある。この
ステージコントローラ76-1の具体的な制御動作につい
ては、後に更に詳述する。
【0035】さらに、本実施形態では、感光基板52を
搬入、搬出及び搬送する搬送アーム54が設けられてお
り、この搬送アーム54は後述する搬送系コントローラ
76-2によって制御される。
【0036】図2には、この露光装置10全体の制御系
の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体
のジョブの流れを管理するホストコンピュータ(マスタ
ープロセッサ)74と、このホストコンピュータ74の
支配下にある複数のコントローラ76-1 、76-2 、…
…、76-mとから構成される。
【0037】ここで、ホストコンピュータ74は、いわ
ゆるミニコンコンピュータにより構成されている。ステ
ージコントローラ76-1は、ホストコンピュータ74の
支配下におかれるスレーブプロセッサ(以下、「SP」
という)78-1とこのSP78-1の支配下におかれるス
テージ制御ファンクション・プロセッサ(以下「ステー
ジ制御FP」という)80-1、露光制御ファンクション
・プロセッサ(以下「露光制御FP」という)80-2等
を含んで構成されている。このステージコントローラ7
6-1の他に、搬送系コントローラ76-2 及び照明系コ
ントローラ、レンズコントローラ、アライメントコント
ローラ等の種々の制御装置76-3、……、76-mが設け
られている。コントローラ76-1 、76-2 、……、7
6-mは、実際にはコントロールボードとしてホストコン
ピュータ74が収納されている図示しないラックに収納
されてる。
【0038】次に、この制御系の露光時の動作について
説明する。図3には、SP78-1の制御アルゴリズムを
示すフローチャートが示され、図4には、ステージ制御
FP80-1の制御アルゴリズムを示すフローチャートが
示されている。
【0039】図3のフローチャートがスタートするの
は、ホストコンピュータ74から露光シーケンス実行の
コマンドが入力されたときである。まず、ステップ10
2でSP78-1は「ステージを指定位置へ移動」のコマ
ンドとともに位置の指令値をステージFPに出力した
後、ステージ制御FP80-1から移動終了が通知される
のを待つ(ステップ104)。
【0040】上記の「ステージを指定位置へ移動」のコ
マンドとともに位置の指令値がステージ制御FP80-1
に入力されると、図4のフローチャートがスタートす
る。ここでは、Xステージ48Xを移動させる場合を例
にとって説明する。
【0041】まず、ステージ制御FP80-1はステップ
202〜ステップ204でステージの移動を行い、位置
決めが完了するのを待つ。具体的には、位置の指令値と
レーザ干渉計56の出力である現在値との差である位置
偏差に基づいて駆動系58を介してXステージ48Xを
サーボ制御する。位置決め完了の判断は、公知の手法と
同様に、位置偏差が所定時間以上所定範囲内に収まった
か否かによりなされる。
【0042】そして、位置決めが完了すると、ステージ
制御FP80-1では、ステップ206に進んで「移動終
了」をSP78-1に通知した後、ステップ208に進ん
で位置ずれモニタ開始の指示があるのを待つ。
【0043】一方、SP78-1では、上記の「移動終
了」の通知を受けると、ステップ106に進んで、露光
制御FP80-2に「指定時間のシャッタ16の開閉指
令」を送出するとともに、ステージ制御FP80-1に
「位置ずれモニタの開始」の指令を送出した後、ステッ
プ108に進んでシャッタ16の「閉」が終了するのを
待つ。
【0044】これにより、露光制御FP80-2によりモ
ータ36が制御され、シャッタ16が開き始める。そし
て、シャッタ16が完全に開いた後、指定された露光時
間だけ露光制御FP80-2はシャッタ16を「開」にし
た後、シャッタ16を閉じる。
【0045】一方、ステージ制御FP80-1では「位置
ずれモニタの開始」の指令を受け、ステップ210に進
んでシャッタ16の「開」開始とほぼ同時に位置ずれモ
ニタを開始する。具体的には、所定のサンプリング時間
(例えば、1mmsec)間隔でレーザ干渉計の計測値
と目標値との差である位置偏差(位置ずれ量)をサンプ
リングする。
【0046】この位置ずれモニタ開始後、ステージ制御
FP80-1では「位置ずれモニタ終了」の指示があるま
で位置ずれモニタを続ける(ステップ210、21
2)。これにより、感光基板52上のあるショット領域
の露光中位置ずれモニタが続行されることになる。
【0047】露光制御FP80-2では、露光が終了しシ
ャッタ16が完全に閉じ終わった時点で、シャッタ
「閉」をSP78-1に通知する。SP78-1では、これ
を受け、ステップ110に進んで「位置ずれモニタの終
了と解析、判断」の指令をステージ制御FP80-1に送
出した後、ステップ112に進んでステージ制御FP8
0-1から解析結果が通知されるのを待つ。
【0048】一方、ステージ制御FP80-1では上記の
「位置ずれモニタの終了と解析、判断」の指令を受け、
位置ずれモニタを終了してステップ214に進み、モニ
タ結果の解析と異常の有無を判断する。具体的には、
サンプリングした各位置ずれ量の相加平均が指定値を超
えたか否かを判断することにより、露光中心のずれを判
断したり、サンプリングした各位置ずれ量の最大値と
最小値の差(ピークツーピーク)又は絶対値の平均値が
指定値を越えたか否かを判断することにより露光線幅の
変動を判断したりする。あるいは、各サンプリングし
た位置ずれ量の自乗の相加平均の平方根に基づいてXス
テージ48X、Yステージ48Y、Zステージ64の振
動をある程度定量的に評価するようにしても良い。
【0049】そして、このようにしてモニタ結果の解析
と、異常の判断が終了すると、ステージ制御FP80-1
では、ステップ216でその解析結果(判断結果)をS
P78-1に通知した後、本ルーチンの一連の処理を終了
する。
【0050】一方、SP78-1ではこの通知を受け、
「露光シーケンス終了」の通知とともに異常判断の結果
をホストコンピュータ74に通知した後、本ルーチンの
一連の処理を終了する。
【0051】以上の動作の流れ図が図5に示されてい
る。
【0052】ホストコンピュータ74は、露光終了の結
果が異常の場合、オペレータにエラーを通知し、装置を
停止する。あるいは、ホストコンピュータ74は露光終
了の結果が異常の場合に、現在Zステージ64上の不図
示の基板ホルダに保持されている感光基板52の露光シ
ーケンスを打切り、搬送系コントローラ76-2を介して
搬送アーム54及び不図示の感光基板交換機構を制御し
て、上記の感光基板52を別の感光基板と交換し、その
感光基板の露光へと移行するようにしてもよい。後者の
場合には、交換により装置外へ排出された(リジェクト
された)感光基板52を後でオペレータが確認できるよ
うに、何らかの履歴を残しておくことが望ましい。この
履歴の残しかたの具体的方法としては、例えばホストコ
ンピュータ74に接続された不図示のディスプレイ画面
上に1ロット内の全ての感光基板について途中でリジェ
クトしたか否かを表示するようにすることが挙げられ
る。
【0053】なお、オペレータにエラーを通知し、装置
を停止するか、感光基板を交換して露光処理を継続する
かを、予めモードを設定することにより選択できるよう
にしておくことが望ましい。オペレータ(ユーザ)によ
っては多少の露光不良の発生では装置を停止したくない
者もあり、また、少しでも露光不良が発生した場合に
は、直ちに装置の保守点検を実行したい者もあると考え
られ、いずれのオペレータの要求にも応えることが期待
されるからである。
【0054】これまでの説明から明らかなように、本第
1の実施形態では、ステージコントローラ76-1によっ
て、ステージ制御手段、照明系制御手段、異常判別手段
が構成されている。具体的には、ステージ制御FP80
-1によってステージ制御手段と異常判別手段が構成さ
れ、露光制御FP80-2によって照明系制御手段が構
成されている。また、搬送アーム54、搬送系コントロ
ーラ76-2及び不図示の感光基板交換機構とによって搬
送手段が構成され、ホストコンピュータ74によって搬
送制御手段が構成される。
【0055】以上説明したように、本第1の実施形態の
露光装置10によると、ステージ制御および露光のため
のシャッタ制御のシーケンスを管理するSP78-1にお
いて、ステージ制御FP80-1に対し、露光開始および
終了の通知を行い、スーテジ制御FP80-1では開始〜
終了間のXステージ48X、Yステージ48Y(可動ス
テージ)の座標の目標値と現在値との差を決められた時
間間隔でサンプリングし、終了時にサンプリングした値
より、ピークツーピーク若しくは平均値等により異常か
否か判断し、異常があった場合にSP78-1を介してホ
ストコンピュータ74に通知する。ホストコンピュータ
74ではこの異常の通知に基づいて露光シーケンスを中
断し、停止するか、若しくは、感光基板52をリジェク
トし、次の感光基板の装置投入および露光へと処理を継
続する。
【0056】従って、本実施形態の露光装置10による
と、露光不良の感光基板52(不良デバイス)を次の行
程に進ませないようにすることが可能になる。また、前
述したエラー通知に基づいて装置を修理したり調整した
りすることもできるようになる。
【0057】上記第1の実施形態では、露光制御FP8
0-2からの終了通知後に実施するステージFP80-1の
サンプリング・データの解析および異常の判断の実施に
要する時間及びこれらの実施に必要なSP−FP間のイ
ンタフェースに要する時間分が実露光時間に加わり、処
理能力(スループット)の低下を招くことが考えられ
る。すなわち、ステップ・アンド・リピート方式の露光
装置においては、感光基板1枚あたりの露光回数が多い
(ショット数が多い)場合、この影響は無視できなくな
る可能性がある。
【0058】そこで、このスループットを向上させる
(不要に低下させない)ために、なされたのが、次の第
2の実施形態である。
【0059】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態について図6ないし図8に基づいて説明する。
この第2の実施形態の露光装置は、前述した第1の実施
形態とステージコントローラを構成する各プロセッサ
(SP、FP)の機能が異なるのみで、その他の部分の
構成等は同様であるから、ここでは、この点についての
み説明する。
【0060】図6には、SP78-1の制御アルゴリズム
を示すフローチャートが示され、図7には、ステージ制
御FP80-1の制御アルゴリズムを示すフローチャート
が示されている。
【0061】図6のフローチャートがスタートするの
は、ホストコンピュータ74から露光シーケンス実行の
コマンドが入力されたときである。
【0062】ステップ302〜ステップ306ではSP
78-1は前述した第1の実施形態におけるステップ10
2〜ステップ106と同様の処理・判断を行い、ステッ
プ308で露光制御FP80-2からシャッタ「閉」開始
のステイタスが通知されるのを待つ。
【0063】一方、ステージ制御FP80-1は、第1の
実施形態と同様に、SP78-1からの「ステージを指定
位置へ移動」のコマンドとともに位置の指令値が入力さ
れると、図7の制御アルゴリズムの動作を開始し、ステ
ップ402〜ステップ408では、前述した第1の実施
形態のステップ202〜ステップ208と同様の処理・
判断を行い、ステップ410、412で位置ずれ「モニ
タ終了」の指示があるまで位置ずれモニタを続けてい
る。すなわち、感光基板52上のあるショット領域の露
光中位置ずれモニタを続行中である。
【0064】露光制御FP80-2では、ステップ306
におけるSP78-1からの「指定時間のシャッタ開閉の
指令」に応じてシャッタ16を所定時間開き露光を行っ
ているのであるが、指定された露光時間がほぼ経過した
時点でモータ36を制御してシャッタ16の「閉」制御
を開始すると同時に、このシャッタ「閉」開始のステイ
タスをSP78-1に通知する。
【0065】SP78-1では、これを受け、ステップ3
10に進んで「位置ずれモニタの終了と解析、判断」の
指令をステージ制御FP80-1に送出した後、ステップ
312に進んでステージ制御FP80-1から解析結果が
通知されるのを待つ。
【0066】一方、ステージ制御FP80-1ではこの指
令を受け、ステップ413に進んで一定時間(所定の待
ち時間)が経過するのを待ち、待ち時間経過後に位置ず
れモニタ(サンプリング)を終了するとともにステップ
414に進んでモニタ結果の解析と異常の有無を判断す
る。この具体的な手法は前述した第1の実施形態と同様
である。
【0067】そして、このようにしてモニタ結果の解析
と、異常の判断が終了すると、ステージ制御FP80-1
では、ステップ416でその解析結果(判断結果)をS
P78-1に通知した後、本ルーチンの一連の処理を終了
する。
【0068】一方、SP78-1ではこの通知を受け、ス
テップ313に進んで露光制御FP80-2からシャッタ
「閉」終了の通知があるのを待ち、シャッタ「閉」開始
から所定時間、例えば40mmsec経過して露光制御
SP78-1からシャッタ「閉」終了が通知されると、
「露光シーケンス終了」の通知とともに異常判断の結果
をホストコンピュータ74に通知した後、本ルーチンの
一連の処理を終了する。
【0069】以上の動作の流れ図が図8に示されてい
る。
【0070】ホストコンピュータ74は、露光終了の結
果が異常の場合、第1の実施形態と同様に、オペレータ
にエラーを通知し、装置を停止する、あるいは、現在Z
ステージ64上の不図示の基板ホルダに保持されている
感光基板52の露光シーケンスを打切り、上記感光基板
52を別の感光基板と交換し、その感光基板の露光へと
移行する。
【0071】以上説明したように、本第2の実施形態に
よると、露光制御FP80-2は露光終了の通知の前に、
シャッタの閉動作開始と同時に「開始」のステイタスを
SP78-1に与え、SP78-1は本ステイタスにより、
ステージ制御FP80-1に対しサンプリングの中止とサ
ンプリング・データの解析および異常の判断の指令を与
える。この場合、シャッタ16の閉開始から終了までの
間も、感光基板52への露光は継続されているが、シャ
ッタ16の閉開始とともに露光パワーが低下していくた
め、ある程度低下した状態までシャッタ16の閉動作が
進めばステージの位置ずれが感光基板52の露光に与え
る影響は小さいと考えられるので、ステージ制御FP8
0-1は一定の時間待ちをおいた後(ステップ413)、
サンプリングの中止とサンプリング・データの解析およ
び異常の判断を実施するようにしたのである。
【0072】本実施形態によると、前述した第1の実施
形態と同等の効果に加え、露光が終了する(シャッタが
閉じ終わる)までに、ステージ制御FP80-1のサンプ
リング・データの解析および異常の判断の実施が終了し
ているので(図8参照)、第1の実施形態に比べて処理
能力(スループット)を向上させることができるという
効果がある。具体的には、例えば液晶用のステッパーの
場合で感光基板52上の1ショット領域当たり、500
mmsecの露光時間が掛かるとして30mmsec程
度の時間短縮が可能である。特に、ステップ・アンド・
リピート方式の露光装置においては、感光基板1枚あた
りの露光回数が多い程、スループット向上の効果が大き
くなる。
【0073】なお、シャッタ16の「閉」に要する時間
が充分に短い場合は、SP78-1がステップ310にお
いてステージ制御FP80-1に指令を与えるインタフェ
ース時間がその待ちに相当することも考えられ、かかる
場合には、上記フローチャートのステップ413は省略
してよい。
【0074】露光制御FP80-2によるシャッタ閉動作
が終了する前に解析および異常の判断を実施する別の方
法として、露光制御FP80-2が本来積算露光量の制御
に用いるインテグレータ・センサ38をステージ制御F
P80-1が逐次モニタし、このセンサ38の受光量があ
るレベルを越えてから再び下がるまでの間上述したサン
プリング(位置ずれモニタ)を実施し、下がった後デー
タの解析および異常の判断を実施する方法が考えられ
る。この方法も露光制御FP80-2によるシャッタ閉動
作が終了する前に解析および異常の判断が実施されるの
で、上記第2の実施形態と同程度の高いスループットを
維持することが可能である。このようなことは、ステー
ジコントローラ76-1内の各プロセッサの制御ソフトウ
ェアの変更により容易に実現できる。なお、この場合、
ステージ制御FP80-1は次のSP78-1からの指令時
に本結果を通知すれば良い。
【0075】なお、上記第1、第2の実施形態では、光
路開閉手段としてシャッタ16を用いる場合について説
明したが、図1のレチクルブラインド28に代えて、複
数枚の可動ブレードから成るいわゆる可動ブラインドを
用いる場合には、この可動ブラインドを光路開閉手段と
して用いるようにしても良い。
【0076】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、露光不良の発生した感光基板が次の処理
工程へ進むのを事前に回避することができるという従来
にない優れた効果がある。
【0077】また、請求項2ないし請求項3に記載の発
明によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、処理
能力の向上をも図ることができるという効果がある。
【0078】また、請求項4に記載の発明によれば、上
記各請求項記載の発明の効果に加え、装置を停止するこ
となく、次の基板に対して露光を続行することができる
という効果がある。
【0079】また、請求項5に記載の発明によれば、露
光不良の発生した感光基板が次の処理工程へ進むのを事
前に回避することができるとともに、感光基板を交換す
る場合には次の基板に対して露光を続行することができ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施形態に係る露光装置の概略構成を示
す図である。
【図2】図1の装置全体の制御系の構成を示すブロック
図である。
【図3】図2のステージコントローラ内SPの制御アル
ゴリズムを示すフローチャートである。
【図4】図2のステージ制御FPの制御アルゴリズムを
示すフローチャートである。
【図5】第1の実施形態に係る制御系の動作の流れを示
す図である。
【図6】第2の実施形態に係るステージコントローラ内
SPの制御アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図7】第2の実施形態に係るステージ制御FPの制御
アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図8】第2の実施形態に係る制御系の動作の流れを示
す図である。
【符号の説明】
10 露光装置 11 レチクルホルダ 16 シャッタ 38 インテグレータセンサ 40 照明系 52 感光基板 54 搬送アーム 56 レーザ干渉計 64 Zステージ 74 ホストコンピュータ 76-1 ステージコントローラ 76-2 搬送系コントローラ 80-1 ステージ制御FP 80-2 露光制御FP R レチクル PL 投影光学系

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感光基板を所定の露光位置に位置決めし
    た状態でマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
    を介して前記感光基板上に投影露光する露光装置であっ
    て、 前記マスクを照明する照明系と;前記マスクを保持する
    保持手段と;前記マスクのパターンを結像面に投影する
    投影光学系と;前記感光基板を前記結像面位置に保持す
    るとともに前記投影光学系の光軸に直交する面内で移動
    する基板ステージと;前記基板ステージの位置を計測す
    る位置計測手段と;目標位置と前記位置計測手段の出力
    とに基づいて前記基板ステージを露光位置に位置決めす
    るステージ制御手段と;前記基板ステージの位置決め完
    了後、前記照明系から前記マスクに対する照明光の照射
    を開始し所定時間後に終了する照明系制御手段と;前記
    照明系制御手段による前記マスクに対する照明光の照射
    開始から終了までの間の露光中に、前記位置計測手段を
    介して前記基板ステージの位置座標を逐次モニタすると
    ともに、このモニタ結果に基づいて露光時における目標
    座標と現在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否か
    を判断し、許容範囲外である場合に異常信号を発する異
    常判別手段とを有する露光装置。
  2. 【請求項2】 前記照明系制御手段による前記マスクに
    対する照明光の照射開始・停止の制御は前記照明系内に
    設けられたシャッタの開閉により行われ、 前記異常判別手段は、前記シャッタの閉開始から閉終了
    までの間に前記異常判別を終了することを特徴とする請
    求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記シャッタの開状態における前記照明
    光の光量を検出する光センサを更に有し、 前記異常判別手段は、前記光センサの出力に基づいて前
    記基板ステージの位置座標のモニタを終了して前記異常
    判別を実行することを特徴とする請求項2に記載の露光
    装置。
  4. 【請求項4】 前記感光基板を搬送する搬送手段と;前
    記異常信号に基づいて前記搬送手段を介して前記基板を
    交換する搬送制御手段とを更に有することを特徴とする
    請求項1ないし3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 感光基板を所定の露光位置に位置決めし
    た状態でマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
    を介して前記感光基板上に投影露光する露光方法であっ
    て、 前記感光基板の決め完了後、露光開始から露光終了まで
    の間に、前記感光基板の位置座標を逐次モニタする第1
    工程と;前記第1工程におけるモニタ結果に基づいて露
    光時における目標座標と現在位置座標との偏差が許容範
    囲内にあるか否かを判断し、許容範囲外である場合に異
    常と判別して警告を発し、あるいは現露光中の感光基板
    を別の感光基板と交換する第2工程とを含む露光方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10145182A1 (de) * 2001-09-13 2003-04-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur automatischen Erkennung und Bewertung von Kristallgitterversetzungen im laufenden Fotolithografieprozess
KR100598091B1 (ko) * 1999-10-29 2006-07-07 삼성전자주식회사 웨이퍼 척을 갖는 웨이퍼 수리 시스템
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