JPH1064703A - 積層チップ型電子部品 - Google Patents
積層チップ型電子部品Info
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- JPH1064703A JPH1064703A JP8239902A JP23990296A JPH1064703A JP H1064703 A JPH1064703 A JP H1064703A JP 8239902 A JP8239902 A JP 8239902A JP 23990296 A JP23990296 A JP 23990296A JP H1064703 A JPH1064703 A JP H1064703A
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- multilayer chip
- electrodes
- internal electrode
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量性バリスタの静電容量を増大させるため
に、積層コンデンサ型のものが開示されているが、静電
容量が十分ではなく、また急峻ノイズが印加された後の
電気特性の変化率が大きいという課題があった。 【解決手段】 ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電
体磁器成形体１１中に複数の内部電極１２を互いに平行
に形成し、内部電極１２が対向する側面に形成された１
対の外部電極１３と交互に接続し、内部電極１２の先端
部外縁をなめらかな曲線形状、又は内部電極を先端部に
９０°以下の頂点を有さない形状とする。
に、積層コンデンサ型のものが開示されているが、静電
容量が十分ではなく、また急峻ノイズが印加された後の
電気特性の変化率が大きいという課題があった。 【解決手段】 ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電
体磁器成形体１１中に複数の内部電極１２を互いに平行
に形成し、内部電極１２が対向する側面に形成された１
対の外部電極１３と交互に接続し、内部電極１２の先端
部外縁をなめらかな曲線形状、又は内部電極を先端部に
９０°以下の頂点を有さない形状とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層チップ型電子部
品に関し、より詳細には通信機器や事務・音響機器等の
電気・電子回路にノイズ吸収部品として搭載される電流
電圧非直線性を有する積層チップ型電子部品に関する。
品に関し、より詳細には通信機器や事務・音響機器等の
電気・電子回路にノイズ吸収部品として搭載される電流
電圧非直線性を有する積層チップ型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】粒界絶縁型半導体磁器は半導体化した磁
器焼結体（セラミックス）の結晶粒界に比較的低融点の
金属酸化物などが熱拡散し、前記結晶粒界に酸化物絶縁
層が形成されたものであり、この粒界部絶縁化により得
られる粒界絶縁型半導体磁器は容量素子として用いられ
る。また前記半導体磁器の粒界絶縁層は、一般に数ｎｍ
と薄いことから、粒界絶縁型半導体磁器からなる容量素
子は、静電容量（Ｃ）が大きいという利点を有する。
器焼結体（セラミックス）の結晶粒界に比較的低融点の
金属酸化物などが熱拡散し、前記結晶粒界に酸化物絶縁
層が形成されたものであり、この粒界部絶縁化により得
られる粒界絶縁型半導体磁器は容量素子として用いられ
る。また前記半導体磁器の粒界絶縁層は、一般に数ｎｍ
と薄いことから、粒界絶縁型半導体磁器からなる容量素
子は、静電容量（Ｃ）が大きいという利点を有する。
【０００３】特に、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ
Ｏ3 ）を主成分とした半導体磁器素子は、前記金属酸化
物などの熱拡散による粒界絶縁型構造をとり易いこと、
電気的特性が温度や周波数に対して安定していること、
誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと等の種々の利点を有
し、近年の電子機器・回路等の制御速度や信号処理速度
の高速化や各種の厳しい使用環境下における信頼性の向
上の要求にも対応し易い。このため、セラミックス電子
部品メーカ各社ともＳｒＴｉＯ3 を主成分とした容量素
子の高性能化、高付加価値化を図るべく研究開発を進め
ており、最近では、従来の主な用途であった低周波アナ
ログ回路以外に、電源用ノイズフィルター、半導体デバ
イス保護用の高周波ノイズ吸収素子等にも用途が拡大し
ている。上記用途の代表的な例として、電流電圧非直線
性容量磁器素子（以下、容量性バリスタと記す）が挙げ
られる。
Ｏ3 ）を主成分とした半導体磁器素子は、前記金属酸化
物などの熱拡散による粒界絶縁型構造をとり易いこと、
電気的特性が温度や周波数に対して安定していること、
誘電損失（ｔａｎδ）が小さいこと等の種々の利点を有
し、近年の電子機器・回路等の制御速度や信号処理速度
の高速化や各種の厳しい使用環境下における信頼性の向
上の要求にも対応し易い。このため、セラミックス電子
部品メーカ各社ともＳｒＴｉＯ3 を主成分とした容量素
子の高性能化、高付加価値化を図るべく研究開発を進め
ており、最近では、従来の主な用途であった低周波アナ
ログ回路以外に、電源用ノイズフィルター、半導体デバ
イス保護用の高周波ノイズ吸収素子等にも用途が拡大し
ている。上記用途の代表的な例として、電流電圧非直線
性容量磁器素子（以下、容量性バリスタと記す）が挙げ
られる。
【０００４】この容量性バリスタは複合機能を有する素
子であり、通常はコンデンサとして機能するが、数ｋＶ
に及ぶ高圧の外来サージ（雷サージ）や、立ち上がりが
急峻なノイズ（以下、急峻ノイズと記す）が回路内で発
生した際にはバリスタとして機能し、これら外来サージ
等を吸収し、未然に回路素子（各種ＩＣ、ＬＳＩ等）の
誤作動や絶縁破壊を防止する。
子であり、通常はコンデンサとして機能するが、数ｋＶ
に及ぶ高圧の外来サージ（雷サージ）や、立ち上がりが
急峻なノイズ（以下、急峻ノイズと記す）が回路内で発
生した際にはバリスタとして機能し、これら外来サージ
等を吸収し、未然に回路素子（各種ＩＣ、ＬＳＩ等）の
誤作動や絶縁破壊を防止する。
【０００５】前記容量性バリスタに要求される主な電気
的特性は下記の通りである。
的特性は下記の通りである。
【０００６】急峻ノイズに対する応答性を早めるべ
く、電流電圧非直線係数（α）が十分に大きいこと。 回路の定格電圧に合わせて、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）
の制御が一定範囲内で自在に行えること。 急峻ノイズを吸収できるように、静電容量（Ｃ）が十
分に大きいこと。 定常状態における素子インピーダンスが小さいこと、
すなわち誘電損失（ｔａｎδ）が十分に小さいこと。 電流電圧特性（Ｉ−Ｖカーブ）の再現性に優れること
（電流電圧特性の安定性）。 急峻ノイズ吸収後においても、バリスタ電圧（Ｖ
1mA ）、電流電圧非直線係数（α）、静電容量（Ｃ）、
誘電損失（ｔａｎδ）等の特性の変化率が小さいこと
（電気ノイズ耐性が高いこと）。
く、電流電圧非直線係数（α）が十分に大きいこと。 回路の定格電圧に合わせて、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）
の制御が一定範囲内で自在に行えること。 急峻ノイズを吸収できるように、静電容量（Ｃ）が十
分に大きいこと。 定常状態における素子インピーダンスが小さいこと、
すなわち誘電損失（ｔａｎδ）が十分に小さいこと。 電流電圧特性（Ｉ−Ｖカーブ）の再現性に優れること
（電流電圧特性の安定性）。 急峻ノイズ吸収後においても、バリスタ電圧（Ｖ
1mA ）、電流電圧非直線係数（α）、静電容量（Ｃ）、
誘電損失（ｔａｎδ）等の特性の変化率が小さいこと
（電気ノイズ耐性が高いこと）。
【０００７】バリスタ機能を有する材料としては、他に
ＺｎＯ系（酸化亜鉛）セラミックスが有名であり、〜
、〜に関しては、十分良好な特性を有するが、
の静電容量（Ｃ）に関しては比誘電率（εr ）がＳｒＴ
ｉＯ3 系の半導体磁器に比べて小さいため、素子の静電
容量（Ｃ）を十分に大きくとることができず、コンデン
サとしての機能が不十分で、容量性バリスタとして十分
な機能を有さない。
ＺｎＯ系（酸化亜鉛）セラミックスが有名であり、〜
、〜に関しては、十分良好な特性を有するが、
の静電容量（Ｃ）に関しては比誘電率（εr ）がＳｒＴ
ｉＯ3 系の半導体磁器に比べて小さいため、素子の静電
容量（Ｃ）を十分に大きくとることができず、コンデン
サとしての機能が不十分で、容量性バリスタとして十分
な機能を有さない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一方、ＳｒＴｉＯ3 系
の容量性バリスタは、〜に関しては十分な特性を有
するが、〜については、未だ十分な特性を有すると
は言えない。
の容量性バリスタは、〜に関しては十分な特性を有
するが、〜については、未だ十分な特性を有すると
は言えない。
【０００９】すなわち、ＳｒＴｉＯ3 系の容量性バリス
タは、ＳｒＴｉＯ3 系半導体磁器の粒界構造の乱雑さに
起因し、電流電圧特性の安定性やバリスタ電圧（Ｖ
1mA ）及び電流電圧非直線係数（α）の信頼性に欠ける
（電気ノイズ耐性が十分でない）という問題があった。
とりわけ回路基板表面への実装を目的としたチップ型電
子部品に関しては、電極構造等が通常のリード付き円板
型等のものに比べて微細かつ複雑化するため、上記した
電流電圧特性の安定性や電気ノイズ耐性がさらに不十分
となってしまう。
タは、ＳｒＴｉＯ3 系半導体磁器の粒界構造の乱雑さに
起因し、電流電圧特性の安定性やバリスタ電圧（Ｖ
1mA ）及び電流電圧非直線係数（α）の信頼性に欠ける
（電気ノイズ耐性が十分でない）という問題があった。
とりわけ回路基板表面への実装を目的としたチップ型電
子部品に関しては、電極構造等が通常のリード付き円板
型等のものに比べて微細かつ複雑化するため、上記した
電流電圧特性の安定性や電気ノイズ耐性がさらに不十分
となってしまう。
【００１０】これらの問題を解決する方法の一つとし
て、例えば特開平５−９００６２号公報には、静電容量
（Ｃ）を増大させ、また電気特性の安定化を図った積層
粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサが開示されてい
る。
て、例えば特開平５−９００６２号公報には、静電容量
（Ｃ）を増大させ、また電気特性の安定化を図った積層
粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサが開示されてい
る。
【００１１】上記公報によれば、その構造を積層型と
し、かつ内部電極にその有効電極面積に対して総面積が
５〜３０％の孔を形成することにより、還元によるセラ
ミックスの半導体化が内部まで十分にかつ均一に行わ
れ、電気特性のばらつきが少なくなって信頼性が向上す
る。
し、かつ内部電極にその有効電極面積に対して総面積が
５〜３０％の孔を形成することにより、還元によるセラ
ミックスの半導体化が内部まで十分にかつ均一に行わ
れ、電気特性のばらつきが少なくなって信頼性が向上す
る。
【００１２】しかし、従来の円板型のＳｒＴｉＯ3 系半
導体磁器と比較した場合、積層型としても静電容量
（Ｃ）が依然小さいという課題があった。
導体磁器と比較した場合、積層型としても静電容量
（Ｃ）が依然小さいという課題があった。
【００１３】また、例えば特開平６−８４６８６号公
報、及び特開平５−２１２１１号公報には、電気ノイズ
耐性の向上を図ったチップ型容量性バリスタが開示され
ている。
報、及び特開平５−２１２１１号公報には、電気ノイズ
耐性の向上を図ったチップ型容量性バリスタが開示され
ている。
【００１４】特開平６−８４６８６号公報記載のチップ
型容量性バリスタにおいては、積層化焼結体に急峻ノイ
ズを印加し、電極界面を破壊してインピーダンスを低下
させることによる、電気ノイズ耐性の向上が図られてい
る。また、特開平５−２１２１１号公報に記載のチップ
型容量性バリスタにおいては、内部電極の形状を該内部
電極引き出し側を幅の広い略Ｔ字型とすることにより、
前記内部電極と外部電極との接触面積を増加させ、急峻
ノイズが印加された場合であっても、前記内部電極と前
記外部電極との接触部分に大電流が流れて破壊されるの
を防止している。
型容量性バリスタにおいては、積層化焼結体に急峻ノイ
ズを印加し、電極界面を破壊してインピーダンスを低下
させることによる、電気ノイズ耐性の向上が図られてい
る。また、特開平５−２１２１１号公報に記載のチップ
型容量性バリスタにおいては、内部電極の形状を該内部
電極引き出し側を幅の広い略Ｔ字型とすることにより、
前記内部電極と外部電極との接触面積を増加させ、急峻
ノイズが印加された場合であっても、前記内部電極と前
記外部電極との接触部分に大電流が流れて破壊されるの
を防止している。
【００１５】しかし、これらチップ型容量性バリスタに
おいても、静電容量（Ｃ）や誘電損失（ｔａｎδ）等の
特性が十分でないという課題があった。
おいても、静電容量（Ｃ）や誘電損失（ｔａｎδ）等の
特性が十分でないという課題があった。
【００１６】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、静電容量（Ｃ）が十分大きく、急峻ノイズを吸収す
ることができ、かつ電気ノイズ耐性も十分に大きい積層
チップ型電子部品を提供することを目的としている。
り、静電容量（Ｃ）が十分大きく、急峻ノイズを吸収す
ることができ、かつ電気ノイズ耐性も十分に大きい積層
チップ型電子部品を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために本発明に係る積層チップ型電子部品
（１）は、ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電体磁
器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成され、
前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外部電
極と交互に接続されている積層チップ型電子部品であっ
て、前記内部電極の外縁がなめらかな曲線形状であるこ
とを特徴としている。
達成するために本発明に係る積層チップ型電子部品
（１）は、ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電体磁
器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成され、
前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外部電
極と交互に接続されている積層チップ型電子部品であっ
て、前記内部電極の外縁がなめらかな曲線形状であるこ
とを特徴としている。
【００１８】また本発明に係る積層チップ型電子部品
（２）は、ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電体磁
器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成され、
前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外部電
極と交互に接続されている積層チップ型電子部品であっ
て、前記内部電極が先端部に９０°以下の頂点を有さな
い形状であることを特徴としている。
（２）は、ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電体磁
器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成され、
前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外部電
極と交互に接続されている積層チップ型電子部品であっ
て、前記内部電極が先端部に９０°以下の頂点を有さな
い形状であることを特徴としている。
【００１９】上記積層チップ型電子部品（１）又は
（２）によれば、静電容量（Ｃ）が十分に大きく、外来
サージや急峻ノイズを吸収することができる。また、前
記内部電極の外縁がなめらかな曲線形状であるか、又は
先端部に９０°以下の頂点を有さない形状であるので、
回路に急峻ノイズが印加されたとしても、内部電極の先
端部一箇所への電界集中を避けることによりリーク電流
の発生を防止し、前記リーク電流発生に起因する電気特
性の変化を防止することができる。従って、急峻ノイズ
等を吸収することができ、かつ電気ノイズ耐性が十分に
大きい積層チップ型電子部品を提供することができる。
（２）によれば、静電容量（Ｃ）が十分に大きく、外来
サージや急峻ノイズを吸収することができる。また、前
記内部電極の外縁がなめらかな曲線形状であるか、又は
先端部に９０°以下の頂点を有さない形状であるので、
回路に急峻ノイズが印加されたとしても、内部電極の先
端部一箇所への電界集中を避けることによりリーク電流
の発生を防止し、前記リーク電流発生に起因する電気特
性の変化を防止することができる。従って、急峻ノイズ
等を吸収することができ、かつ電気ノイズ耐性が十分に
大きい積層チップ型電子部品を提供することができる。
【００２０】また本発明に係る積層チップ型電子部品
（３）は、上記積層チップ型電子部品（１）又は（２）
において、対向する外部電極間の距離をＸとし、内部電
極の先端部と該内部電極と対向する外部電極との距離を
Ｙとすると、両者が０．１５≦Ｙ／Ｘ≦０．３８の関係
を満たすことを特徴としている。
（３）は、上記積層チップ型電子部品（１）又は（２）
において、対向する外部電極間の距離をＸとし、内部電
極の先端部と該内部電極と対向する外部電極との距離を
Ｙとすると、両者が０．１５≦Ｙ／Ｘ≦０．３８の関係
を満たすことを特徴としている。
【００２１】上記積層チップ型電子部品（３）によれ
ば、前記内部電極先端部と前記外部電極との距離が適切
に設定されているので、上記積層チップ型電子部品
（１）又は（２）の効果に加えて、急峻ノイズが印加さ
れたとしても前記内部電極先端部分からのリーク電流発
生に起因する電気特性の変化を防止することができると
ともに、前記内部電極の面積を大きく保ち、静電容量
（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）等の電気特性を十分に良
好な範囲に保つことができる。
ば、前記内部電極先端部と前記外部電極との距離が適切
に設定されているので、上記積層チップ型電子部品
（１）又は（２）の効果に加えて、急峻ノイズが印加さ
れたとしても前記内部電極先端部分からのリーク電流発
生に起因する電気特性の変化を防止することができると
ともに、前記内部電極の面積を大きく保ち、静電容量
（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）等の電気特性を十分に良
好な範囲に保つことができる。
【００２２】また本発明に係る積層チップ型電子部品
（４）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（３）の
いずれかにおいて、誘電体磁器成形体が粒界絶縁型の半
導体磁器組成物からなることを特徴としている。
（４）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（３）の
いずれかにおいて、誘電体磁器成形体が粒界絶縁型の半
導体磁器組成物からなることを特徴としている。
【００２３】上記積層チップ型電子部品（４）によれ
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（３）のいずれかに
おける効果の他、誘電体磁器成形体が比誘電率（εr ）
の大きい粒界絶縁型の半導体磁器組成物からなるので、
静電容量（Ｃ）を十分大きな値とすることができる。
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（３）のいずれかに
おける効果の他、誘電体磁器成形体が比誘電率（εr ）
の大きい粒界絶縁型の半導体磁器組成物からなるので、
静電容量（Ｃ）を十分大きな値とすることができる。
【００２４】また本発明に係る積層チップ型電子部品
（５）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（４）の
いずれかにおいて、内部電極がＮｉ又はＣｕからなるこ
とを特徴としている。
（５）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（４）の
いずれかにおいて、内部電極がＮｉ又はＣｕからなるこ
とを特徴としている。
【００２５】上記積層チップ型電子部品（５）によれ
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（４）のいずれかに
おける効果の他、内部電極がＮｉ又はＣｕからなるの
で、還元雰囲気で焼成しても、内部電極に変化が生じ
ず、電気的特性を良好に保つことができる。
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（４）のいずれかに
おける効果の他、内部電極がＮｉ又はＣｕからなるの
で、還元雰囲気で焼成しても、内部電極に変化が生じ
ず、電気的特性を良好に保つことができる。
【００２６】また本発明に係る積層チップ型電子部品
（６）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（５）の
いずれかにおいて、外表面にホウケイ酸ガラスを主成分
とする絶縁化合物層が形成されていることを特徴として
いる。
（６）は、上記積層チップ型電子部品（１）〜（５）の
いずれかにおいて、外表面にホウケイ酸ガラスを主成分
とする絶縁化合物層が形成されていることを特徴として
いる。
【００２７】上記積層チップ型電子部品（６）によれ
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（５）のいずれかに
おける効果の他、前記絶縁化合物層が外表面に形成され
ているので、前記絶縁化合物層により内部の磁器層が保
護され、電気ノイズ耐性がより向上する。
ば、積層チップ型電子部品（１）〜（５）のいずれかに
おける効果の他、前記絶縁化合物層が外表面に形成され
ているので、前記絶縁化合物層により内部の磁器層が保
護され、電気ノイズ耐性がより向上する。
【００２８】
【発明の実施の形態】まず、本発明の実施の形態に係る
積層チップ型電子部品の構成を説明する。
積層チップ型電子部品の構成を説明する。
【００２９】ＳｒＴｉＯ3 系誘電体磁器組成物の種類は
特に限定されるものではないが、粒界絶縁型の半導体磁
器組成物が比誘電率（εr ）が大きい点から好ましい。
また、その組成も特に限定されるものではなく、公知の
ものを使用することができる。前記半導体磁器組成物と
しては、例えばＳｒの一部がＣａ、Ｍｇ、Ｐｂ等で置換
されたもの、Ｔｉの一部がＮｂ等の希土類元素で置換さ
れたもの等が挙げられ、結晶粒界層に偏析する金属とし
ては、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｂ、Ｂｉ等が挙
げられる。
特に限定されるものではないが、粒界絶縁型の半導体磁
器組成物が比誘電率（εr ）が大きい点から好ましい。
また、その組成も特に限定されるものではなく、公知の
ものを使用することができる。前記半導体磁器組成物と
しては、例えばＳｒの一部がＣａ、Ｍｇ、Ｐｂ等で置換
されたもの、Ｔｉの一部がＮｂ等の希土類元素で置換さ
れたもの等が挙げられ、結晶粒界層に偏析する金属とし
ては、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｂ、Ｂｉ等が挙
げられる。
【００３０】図１（ａ）は実施の形態に係る積層チップ
型電子部品を模式的に示した斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
型電子部品を模式的に示した斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【００３１】積層チップ型電子部品１０は、通常の積層
コンデンサとほぼ同様の構成となっており、誘電体磁器
成形体１１中に複数の内部電極１２が互いに平行に形成
されている。また、内部電極１２は誘電体磁器成形体１
１の左右の両側面に形成された外部電極１３と交互に接
続されている（図１（ｂ））。外部電極１３は誘電体磁
器成形体１１の両側面から剥れにくいように前記両側面
に隣接する面の端部にも延長形成されており、外部電極
１３が形成されている部分以外の外表面は絶縁化合物層
１４で被覆されている。
コンデンサとほぼ同様の構成となっており、誘電体磁器
成形体１１中に複数の内部電極１２が互いに平行に形成
されている。また、内部電極１２は誘電体磁器成形体１
１の左右の両側面に形成された外部電極１３と交互に接
続されている（図１（ｂ））。外部電極１３は誘電体磁
器成形体１１の両側面から剥れにくいように前記両側面
に隣接する面の端部にも延長形成されており、外部電極
１３が形成されている部分以外の外表面は絶縁化合物層
１４で被覆されている。
【００３２】図２（ａ）は、本実施の形態における誘電
体磁器成形体１１中に形成された内部電極１２の形状を
模式的に示した水平断面図であり、（ｂ）は別の実施の
形態における内部電極２２の形状を模式的に示した水平
断面図である。
体磁器成形体１１中に形成された内部電極１２の形状を
模式的に示した水平断面図であり、（ｂ）は別の実施の
形態における内部電極２２の形状を模式的に示した水平
断面図である。
【００３３】内部電極１２の形状は、急峻ノイズが印加
された際に、先端部分で電界集中が起こり、リーク電流
が発生するのを防止するため、先端部外縁がなめらかな
曲線形状となっているか、又は先端部に９０°以下の頂
点を有さない形状が好ましい。内部電極１２、２２の形
状の具体例としては、図２（ａ）に示したように先端部
分が半楕円形状となっているもの、先端部分が半円形状
となっているもの、図２（ｂ）に示したように四角形の
角が切り取られた形状となっているもの、あるいは角部
が円弧形状となっているもの等が挙げられる。
された際に、先端部分で電界集中が起こり、リーク電流
が発生するのを防止するため、先端部外縁がなめらかな
曲線形状となっているか、又は先端部に９０°以下の頂
点を有さない形状が好ましい。内部電極１２、２２の形
状の具体例としては、図２（ａ）に示したように先端部
分が半楕円形状となっているもの、先端部分が半円形状
となっているもの、図２（ｂ）に示したように四角形の
角が切り取られた形状となっているもの、あるいは角部
が円弧形状となっているもの等が挙げられる。
【００３４】また、図２に示したように、内部電極１
２、２２の先端から内部電極１２、２２と対向する外部
電極１３までの距離をＹとし、外部電極１３間の距離を
Ｘとすると、Ｙ／Ｘが０．１５〜０．３８の範囲にある
のが好ましい。Ｙ／Ｘが０．１５未満では、外部電極１
３と内部電極１２との距離が近すぎ、通常の印加電流に
対してもリーク電流が発生し易く、急峻ノイズを印加し
た後の静電容量（Ｃ）に大きな変化が生じ易く、他方Ｙ
／Ｘが０．３８を超えると、内部電極１２、２２の面積
が小さくなるため、静電容量（Ｃ）が小さくなってしま
う。
２、２２の先端から内部電極１２、２２と対向する外部
電極１３までの距離をＹとし、外部電極１３間の距離を
Ｘとすると、Ｙ／Ｘが０．１５〜０．３８の範囲にある
のが好ましい。Ｙ／Ｘが０．１５未満では、外部電極１
３と内部電極１２との距離が近すぎ、通常の印加電流に
対してもリーク電流が発生し易く、急峻ノイズを印加し
た後の静電容量（Ｃ）に大きな変化が生じ易く、他方Ｙ
／Ｘが０．３８を超えると、内部電極１２、２２の面積
が小さくなるため、静電容量（Ｃ）が小さくなってしま
う。
【００３５】内部電極１２の形成には、製造の際に、還
元雰囲気で焼成しても変化しない材料を用いるのが好ま
しく、このような電極材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ
等が挙げられるが、電極用ペーストの価格や抵抗値等を
考慮するとＮｉを主成分とするものが好ましい。
元雰囲気で焼成しても変化しない材料を用いるのが好ま
しく、このような電極材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ
等が挙げられるが、電極用ペーストの価格や抵抗値等を
考慮するとＮｉを主成分とするものが好ましい。
【００３６】誘電体磁器成形体１１の外表面の外部電極
１３が形成されていない部分は、ホウケイ酸鉛ガラスを
主成分とする絶縁化合物層１４で被覆されているため、
積層チップ型電子部品の絶縁性が向上し、電気ノイズ耐
性が向上する。絶縁化合物層１４の厚さは少なくとも３
０μｍ程度とするのが好ましい。
１３が形成されていない部分は、ホウケイ酸鉛ガラスを
主成分とする絶縁化合物層１４で被覆されているため、
積層チップ型電子部品の絶縁性が向上し、電気ノイズ耐
性が向上する。絶縁化合物層１４の厚さは少なくとも３
０μｍ程度とするのが好ましい。
【００３７】コンデンサの静電容量（Ｃ）は、下記の数
１式で表される。
１式で表される。
【００３８】
【数１】Ｃ＝εr ・ε0 ・（Ａ／ｄ） 上記数１式において、ε0 は真空中の誘電率、Ａは電極
の面積、ｄは電極間の距離を表している。上記数１式よ
り、電極間の距離（ｄ）が短いほど、電極の面積（Ａ）
が大きいほど、静電容量（Ｃ）の値は大きくなる。従っ
て、内部電極１２間の距離が短く、誘電体磁器成形体１
１中に多数の内部電極１２が形成された構成の実施の形
態に係る積層チップ型電子部品１０においては、両主面
のみに対向電極が形成された従来の容量バリスタと比較
して静電容量（Ｃ）の値が大きくなる。
の面積、ｄは電極間の距離を表している。上記数１式よ
り、電極間の距離（ｄ）が短いほど、電極の面積（Ａ）
が大きいほど、静電容量（Ｃ）の値は大きくなる。従っ
て、内部電極１２間の距離が短く、誘電体磁器成形体１
１中に多数の内部電極１２が形成された構成の実施の形
態に係る積層チップ型電子部品１０においては、両主面
のみに対向電極が形成された従来の容量バリスタと比較
して静電容量（Ｃ）の値が大きくなる。
【００３９】次に、この積層チップ型電子部品１０の製
造方法について一例を簡単に説明する。
造方法について一例を簡単に説明する。
【００４０】まず、ＳｒＴｉＯ3 系の誘電体磁器組成物
の原料粉末、ＣｕＯ、ＳｉＯ2 等の焼結助剤、樹脂、及
び溶剤を混合してスラリを形成する。この誘電体磁器組
成物の原料粉末は、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 、及びＮｂ2
Ｏ5 等の混合粉末を仮焼合成することにより誘電体磁器
組成物の組成としたものを使用する。仮焼時に所定の組
成物が合成されていることをＸ線解析、元素分析等で確
認する。次に、このスラリを用い、ドクターブレード法
等により５０〜６０μｍの厚さのグリーンシートを作製
し、適当な大きさに切断する。
の原料粉末、ＣｕＯ、ＳｉＯ2 等の焼結助剤、樹脂、及
び溶剤を混合してスラリを形成する。この誘電体磁器組
成物の原料粉末は、ＳｒＣＯ3 、ＴｉＯ2 、及びＮｂ2
Ｏ5 等の混合粉末を仮焼合成することにより誘電体磁器
組成物の組成としたものを使用する。仮焼時に所定の組
成物が合成されていることをＸ線解析、元素分析等で確
認する。次に、このスラリを用い、ドクターブレード法
等により５０〜６０μｍの厚さのグリーンシートを作製
し、適当な大きさに切断する。
【００４１】図３は、積層するグリーンシートを模式的
に示した斜視図である。
に示した斜視図である。
【００４２】積層するグリーンシート３１上にＮｉ等の
導電性金属の粉末を含む電極ペーストを塗布して先端部
外縁がなめらかな曲線形状よりなる電極ペースト層３２
を形成する。次に、図３に示したように、電極ペースト
層３２が形成されていない空白部３３を右側に位置させ
たグリーンシート３１と、空白部３３を左側に位置させ
たグリーンシート３１とを交互に積層し、最上層に電極
ペースト層３２が全く形成されていないグリーンシート
３１を積層した後、圧接することによりグリーンシート
積層体を形成する。図３には、１パターンの電極ペース
ト層３２のみが印刷されたグリーンシート３１を示して
いるが、実際には、同じパターンの電極ペースト層３２
が縦及び横に多数形成されたグリーンシート３１を積
層、圧着した後、所定の寸法に切断することにより、グ
リーンシート積層体を作製する。
導電性金属の粉末を含む電極ペーストを塗布して先端部
外縁がなめらかな曲線形状よりなる電極ペースト層３２
を形成する。次に、図３に示したように、電極ペースト
層３２が形成されていない空白部３３を右側に位置させ
たグリーンシート３１と、空白部３３を左側に位置させ
たグリーンシート３１とを交互に積層し、最上層に電極
ペースト層３２が全く形成されていないグリーンシート
３１を積層した後、圧接することによりグリーンシート
積層体を形成する。図３には、１パターンの電極ペース
ト層３２のみが印刷されたグリーンシート３１を示して
いるが、実際には、同じパターンの電極ペースト層３２
が縦及び横に多数形成されたグリーンシート３１を積
層、圧着した後、所定の寸法に切断することにより、グ
リーンシート積層体を作製する。
【００４３】このグリーンシート積層体に７００〜８０
０℃で脱バインダ処理を施した後、水素を１〜２０容量
％、窒素を８０〜９９容量％含む混合ガス雰囲気（還元
性雰囲気）下、１３５０〜１４５０℃で焼成することに
より半導体化した焼結体（半導体磁器）を製造する。次
に、焼結体の結晶粒界を絶縁化するため、大気中、１０
００℃程度の温度でアニール熱処理する。次に、左右の
側面及びこれらの面に隣接する面の端部（図１（ｂ））
を残し、ホウケイ酸鉛ガラスを主成分とする絶縁化合物
ペーストを印刷して、６５０℃以下で焼き付け、絶縁化
合物層１４を形成した後、左右の側面及びこれらの面に
隣接する面の端部に外部電極１３用のペーストを印刷
し、６００〜６５０℃で焼き付けて外部電極１３を形成
し、積層チップ型電子部品１０の製造を終了する。
０℃で脱バインダ処理を施した後、水素を１〜２０容量
％、窒素を８０〜９９容量％含む混合ガス雰囲気（還元
性雰囲気）下、１３５０〜１４５０℃で焼成することに
より半導体化した焼結体（半導体磁器）を製造する。次
に、焼結体の結晶粒界を絶縁化するため、大気中、１０
００℃程度の温度でアニール熱処理する。次に、左右の
側面及びこれらの面に隣接する面の端部（図１（ｂ））
を残し、ホウケイ酸鉛ガラスを主成分とする絶縁化合物
ペーストを印刷して、６５０℃以下で焼き付け、絶縁化
合物層１４を形成した後、左右の側面及びこれらの面に
隣接する面の端部に外部電極１３用のペーストを印刷
し、６００〜６５０℃で焼き付けて外部電極１３を形成
し、積層チップ型電子部品１０の製造を終了する。
【００４４】上記方法により製造された積層チップ型電
子部品１０は、静電容量（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）、電流電圧非直線係数
（α）等の特性に優れ、急峻ノイズが印加された後にお
いても誘電損失（ｔａｎδ）が小さく、かつ静電容量の
変化率（ΔＣ）、バリスタ電圧の変化率（ΔＶ1mA ）、
及び電流電圧非直線係数の変化率（Δα）がともに小さ
な優れた特性を有する容量性バリスタとなる。
子部品１０は、静電容量（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎ
δ）、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）、電流電圧非直線係数
（α）等の特性に優れ、急峻ノイズが印加された後にお
いても誘電損失（ｔａｎδ）が小さく、かつ静電容量の
変化率（ΔＣ）、バリスタ電圧の変化率（ΔＶ1mA ）、
及び電流電圧非直線係数の変化率（Δα）がともに小さ
な優れた特性を有する容量性バリスタとなる。
【００４５】前記電気的特性は以下のようにして評価す
ることができる。すなわち、静電容量（Ｃ）と誘電損失
（ｔａｎδ）はインピーダンスアナライザ（例えば、Ｙ
ＨＰ製 ４１９２Ａ）を用い、周波数ｌＫＨｚ、測定電
圧１Ｖの条件で測定を行う。バリスタ電圧（Ｖ1mA ）は
サンプル素子に直流電圧を０〜１００Ｖまで直流定電圧
電源装置（例えば、ＹＨＰ製 ４１４０Ｂ）を用いて連
続印加し、素子に１ｍＡの電流が流れたときの端子間電
圧（Ｖ1mA ）で表示する。電流電圧非直線係数（α）
は、１０ｍＡの電流が流れたときの端子間電圧
（Ｖ10mA）を測定し、下記の数２式から算出する。測定
温度はいずれの場合も２０℃とした。
ることができる。すなわち、静電容量（Ｃ）と誘電損失
（ｔａｎδ）はインピーダンスアナライザ（例えば、Ｙ
ＨＰ製 ４１９２Ａ）を用い、周波数ｌＫＨｚ、測定電
圧１Ｖの条件で測定を行う。バリスタ電圧（Ｖ1mA ）は
サンプル素子に直流電圧を０〜１００Ｖまで直流定電圧
電源装置（例えば、ＹＨＰ製 ４１４０Ｂ）を用いて連
続印加し、素子に１ｍＡの電流が流れたときの端子間電
圧（Ｖ1mA ）で表示する。電流電圧非直線係数（α）
は、１０ｍＡの電流が流れたときの端子間電圧
（Ｖ10mA）を測定し、下記の数２式から算出する。測定
温度はいずれの場合も２０℃とした。
【００４６】
【数２】α＝１／ｌｏｇ（Ｖ10mA／Ｖ1mA ） バリスタ電圧（Ｖ1mA ）、電流電圧非直線係数（α）、
静電容量（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定後、端子
間にサージ電流（８×２０μｓｅｃの波形、３０００Ａ
／ｃｍ2 ）を１分間隔で５回流し、再度バリスタ電圧
（Ｖ1mA ）、電流電圧非直線係数（α）、静電容量
（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定し、サージ電流を
流した前後におけるこれら電気的特性の変化率を求め
た。
静電容量（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定後、端子
間にサージ電流（８×２０μｓｅｃの波形、３０００Ａ
／ｃｍ2 ）を１分間隔で５回流し、再度バリスタ電圧
（Ｖ1mA ）、電流電圧非直線係数（α）、静電容量
（Ｃ）、誘電損失（ｔａｎδ）を測定し、サージ電流を
流した前後におけるこれら電気的特性の変化率を求め
た。
【００４７】
【実施例及び比較例】以下、本発明に係る積層チップ型
電子部品の実施例を説明する。実施例及び比較例に係る
積層チップ型電子部品の製造条件は以下の通りである。
電子部品の実施例を説明する。実施例及び比較例に係る
積層チップ型電子部品の製造条件は以下の通りである。
【００４８】（１） 実施例 原料粉末の仮焼合成 原料化合物：ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｂ
2 Ｏ5 焼結助剤：ＣｕＯ、ＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径：１．５μｍ以下 半導体磁器組成物の組成： 仮焼合成の温度：１１５０℃、時間：２．０時間、雰囲
気：空気 整粒後の粒子径：１．０μｍ グリーンシート３１の作製、及び積層 内部電極１２用電極ペーストの塗布 内部電極１２の材料：Ｎｉ又はＣｕ 塗布形状：図２（ａ）に示した形状 Ｙ／Ｘの値：表１に示す グリーンシートの積層 半導体磁器成形体１１の製造 (i) 脱脂処理 温度：７００℃、時間：２時間、雰囲気：空気 (ii) 焼成 温度：１３８０℃、時間：２時間、雰囲気：Ｈ2 ：１０
ｖｏｌ％、Ｎ2 ：９０ｖｏｌ％ 絶縁化合物層１４及び外部電極１３の形成 絶縁化合物層１４形成の温度：６００℃、時間：１０分 雰囲気：空気 外部電極１３用Ａｇペーストの焼き付け温度：６００
℃、時間：１０分、雰囲気：空気 製造した積層チップ型電子部品１０の個数：各実施例に
つき３０個 電気的特性値：３０個のサンプルの平均値 （２） 比較例 内部電極４２の形状を積層チップ型電子部品４０の水平
断面図（図４）に示した形状とした他は、実施例の場合
と同様にして積層チップ型電子部品４０を製造した。
2 Ｏ5 焼結助剤：ＣｕＯ、ＳｉＯ2 原料粉末の平均粒径：１．５μｍ以下 半導体磁器組成物の組成： 仮焼合成の温度：１１５０℃、時間：２．０時間、雰囲
気：空気 整粒後の粒子径：１．０μｍ グリーンシート３１の作製、及び積層 内部電極１２用電極ペーストの塗布 内部電極１２の材料：Ｎｉ又はＣｕ 塗布形状：図２（ａ）に示した形状 Ｙ／Ｘの値：表１に示す グリーンシートの積層 半導体磁器成形体１１の製造 (i) 脱脂処理 温度：７００℃、時間：２時間、雰囲気：空気 (ii) 焼成 温度：１３８０℃、時間：２時間、雰囲気：Ｈ2 ：１０
ｖｏｌ％、Ｎ2 ：９０ｖｏｌ％ 絶縁化合物層１４及び外部電極１３の形成 絶縁化合物層１４形成の温度：６００℃、時間：１０分 雰囲気：空気 外部電極１３用Ａｇペーストの焼き付け温度：６００
℃、時間：１０分、雰囲気：空気 製造した積層チップ型電子部品１０の個数：各実施例に
つき３０個 電気的特性値：３０個のサンプルの平均値 （２） 比較例 内部電極４２の形状を積層チップ型電子部品４０の水平
断面図（図４）に示した形状とした他は、実施例の場合
と同様にして積層チップ型電子部品４０を製造した。
【００４９】（３） 実施例及び比較例の結果 上記した実施例及び比較例に係る積層チップ型電子電子
部品１０、４０の内部電極１２の形状、Ｙ／Ｘの値、サ
ージ電流を流す前の電気的特性、及びサージ電流を流し
た後の電気的特性の変化率（誘電損失（ｔａｎδ））の
測定結果を下記の表１に示した。なお、比較例に係る積
層チップ型電子部品４０については、表１の備考欄に＊
印を付して区別した。
部品１０、４０の内部電極１２の形状、Ｙ／Ｘの値、サ
ージ電流を流す前の電気的特性、及びサージ電流を流し
た後の電気的特性の変化率（誘電損失（ｔａｎδ））の
測定結果を下記の表１に示した。なお、比較例に係る積
層チップ型電子部品４０については、表１の備考欄に＊
印を付して区別した。
【００５０】
【表１】
【００５１】上記表１の結果より明らかなように、実施
例に係る積層チップ型電子部品１０は、静電容量（Ｃ）
が１０００ｐＦ以上、誘電損失（ｔａｎδ）が５％以
下、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）が１５Ｖ以下、電流電圧非
直線係数（α）が１０以上と、従来素子にない優れた特
性を示すと同時に、サージ電流印加後の誘電損失（ｔａ
ｎδ）が５％以下、静電容量の変化率（ΔＣ）が５％以
下、バリスタ電圧の変化率（ΔＶ1mA ）が３％以下、電
流電圧非直線係数（α）の変化率（Δα）が５％以下と
従来にない優れた特性を示している。上記電気的特性
は、誘電特性とバリスタ特性の両立ばかりでなく、サー
ジ電流を流した後においてもバリスタ特性の良好な再現
性が得られることを示しており、ノイズ除去等の目的で
回路基板に実装することができる材料として最適であ
り、他のチップ型電子部品に対して十分な差別化を図る
ことができた。
例に係る積層チップ型電子部品１０は、静電容量（Ｃ）
が１０００ｐＦ以上、誘電損失（ｔａｎδ）が５％以
下、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）が１５Ｖ以下、電流電圧非
直線係数（α）が１０以上と、従来素子にない優れた特
性を示すと同時に、サージ電流印加後の誘電損失（ｔａ
ｎδ）が５％以下、静電容量の変化率（ΔＣ）が５％以
下、バリスタ電圧の変化率（ΔＶ1mA ）が３％以下、電
流電圧非直線係数（α）の変化率（Δα）が５％以下と
従来にない優れた特性を示している。上記電気的特性
は、誘電特性とバリスタ特性の両立ばかりでなく、サー
ジ電流を流した後においてもバリスタ特性の良好な再現
性が得られることを示しており、ノイズ除去等の目的で
回路基板に実装することができる材料として最適であ
り、他のチップ型電子部品に対して十分な差別化を図る
ことができた。
【００５２】一方、備考欄に＊印で示した比較例に相当
する従来の角型形状の内部電極が形成された積層チップ
型電子部品４０においては、種々の電気的特性におい
て、実施例に係る積層チップ型電子部品１０に大きく劣
っており、要求される電気的特性を十分に満足させるこ
とができなかった。
する従来の角型形状の内部電極が形成された積層チップ
型電子部品４０においては、種々の電気的特性におい
て、実施例に係る積層チップ型電子部品１０に大きく劣
っており、要求される電気的特性を十分に満足させるこ
とができなかった。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る積層チップ
型電子部品を模式的に示した斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
型電子部品を模式的に示した斜視図であり、（ｂ）は
（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図２】実施の形態に係る積層チップ型電子部品の誘電
体磁器成形体中に形成された内部電極の形状を模式的に
示した水平断面図であり、（ｂ）は別の実施の形態にお
ける内部電極の形状を模式的に示した水平断面図であ
る。
体磁器成形体中に形成された内部電極の形状を模式的に
示した水平断面図であり、（ｂ）は別の実施の形態にお
ける内部電極の形状を模式的に示した水平断面図であ
る。
【図３】実施の形態に係る積層チップ型電子部品の製造
において、積層するグリーンシートを模式的に示した斜
視図である。
において、積層するグリーンシートを模式的に示した斜
視図である。
【図４】比較例に係る積層チップ型電子部品の誘電体磁
器成形体中に形成された内部電極の形状を模式的に示し
た水平断面図である。
器成形体中に形成された内部電極の形状を模式的に示し
た水平断面図である。
【符号の説明】 １０、２０ 積層チップ型電子部品 １１ 誘電体磁器成形体 １２、２２ 内部電極 １３ 外部電極 １４ 絶縁化合物層
Claims (6)
- 【請求項１】 ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電
体磁器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成さ
れ、前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外
部電極と交互に接続されている積層チップ型電子部品で
あって、前記内部電極の先端部外縁がなめらかな曲線形
状であることを特徴とする積層チップ型電子部品。 - 【請求項２】 ＳｒＴｉＯ3 系材料を主成分とする誘電
体磁器成形体中に複数の内部電極が互いに平行に形成さ
れ、前記内部電極が対向する側面に形成された１対の外
部電極と交互に接続されている積層チップ型電子部品で
あって、前記内部電極が先端部に９０°以下の頂点を有
さない形状であることを特徴とする積層チップ型電子部
品。 - 【請求項３】 対向する外部電極間の距離をＸとし、内
部電極の先端部と該内部電極と対向する外部電極との距
離をＹとすると、両者が０．１５≦Ｙ／Ｘ≦０．３８の
関係を満たすことを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の積層チップ型電子部品。 - 【請求項４】 誘電体磁器成形体が粒界絶縁型の半導体
磁器組成物からなることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかの項に記載の積層チップ型電子部品。 - 【請求項５】 内部電極がＮｉ又はＣｕからなることを
特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載の積層チ
ップ型電子部品。 - 【請求項６】 外表面にホウケイ酸ガラスを主成分とす
る絶縁化合物層が形成されていることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかの項に記載の積層チップ型電子部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239902A JPH1064703A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 積層チップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239902A JPH1064703A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 積層チップ型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064703A true JPH1064703A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17051560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8239902A Pending JPH1064703A (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | 積層チップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064703A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2334147A (en) * | 1998-02-06 | 1999-08-11 | Murata Manufacturing Co | High-voltage multilayer capacitor |
| WO2007074635A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ |
| JP2010278241A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | 積層体、積層コンデンサ及びその製造方法 |
| US20110096463A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
| JP2012532455A (ja) * | 2009-07-01 | 2012-12-13 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高電圧能力を有する高静電容量の多層 |
| CN110136959A (zh) * | 2018-02-08 | 2019-08-16 | 三星电机株式会社 | 电容器组件及制造该电容器组件的方法 |
| JP2020161688A (ja) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2021518993A (ja) * | 2018-06-22 | 2021-08-05 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフトＴｄｋ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ａｇ | セラミック多層部品及びセラミック多層部品の製造方法 |
| CN115483031A (zh) * | 2021-06-16 | 2022-12-16 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电容器 |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP8239902A patent/JPH1064703A/ja active Pending
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| GB2334147B (en) * | 1998-02-06 | 2000-01-12 | Murata Manufacturing Co | High voltage multilayer capacitor |
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| US7990678B2 (en) | 2005-12-28 | 2011-08-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and multilayered-type semiconductor ceramic capacitor |
| WO2007074635A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ |
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| JP2012532455A (ja) * | 2009-07-01 | 2012-12-13 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 高電圧能力を有する高静電容量の多層 |
| US20110096463A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Tdk Corporation | Multilayer capacitor |
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