JPH1062462A - 絶縁抵抗測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 測定電源の電圧を変えても常に一定の電流が
得られ、被検体の充電時間を短縮でき測定効率が良いと
ともに、小型で安価な絶縁抵抗測定装置を提供する。 【解決手段】 定電流回路２が、ＦＥＴ６と、ＦＥＴ６
のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に印加される電圧を一
定にする定電圧ダイオード７と、定電圧ダイオード７を
過電流から保護し、ＦＥＴ６のゲート（Ｇ）−ソース
（Ｓ）間に電圧を印加するゲート−ソース間電圧設定用
抵抗８と、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間
を流れる電流の増減に応じて、前記ＦＥＴ６のゲート
（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に印加される電圧を調整するゲ
ート−ソース間電圧調整用抵抗９と、バイパス抵抗１０
とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被検体の絶縁抵抗
を測定するための絶縁抵抗測定装置に関し、特に被検体
に流れる電流を一定化するための定電流回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、絶縁抵抗測定装置を用いて、コ
ンデンサなどの被検体の絶縁抵抗を測定する場合、被検
体がショートした不良品であると、絶縁抵抗測定装置の
測定回路が破壊されてしまう場合がある。

【０００３】そこで、従来は、複数の制限抵抗が並列接
続された電流制限回路を備えた絶縁抵抗測定装置が用い
られていた。この絶縁抵抗測定装置であれば、抵抗によ
る電流制限回路を備えているので、被検体がショートし
た不良品であったとしても、測定回路が破壊されること
を防止することができる。

【０００４】ところが、この絶縁抵抗測定装置の場合、
抵抗による電流制限回路を使用しているため、測定電源
の電圧を変えると、充電電流が変化してしまうことにな
る。そのため、測定する電圧値に応じて制限抵抗を何種
類か用意して切り換える必要があり、回路が複雑化する
とともに、切換えに手間がかかるという問題があった。

【０００５】また、被検体の充電がＣＲの時定数による
ｅｘｐカーブとなるため、充電時間がかかり、測定効率
が悪いという問題があった。

【０００６】このような問題を解決するため、本願発明
の発明者の一人は、特開平４−１３１７７０号に示す絶
縁抵抗測定装置を提案している。

【０００７】すなわち、この絶縁抵抗測定装置は、ＦＥ
Ｔとバイアス電源（ＤＣ／ＤＣ変換器）とを組み合わせ
た定電流回路を備えた絶縁抵抗測定装置である。この絶
縁抵抗測定装置であれば、ＦＥＴの定電流特性を利用し
て被検体に流れる電流を一定化するので、測定電源の電
圧を変えても常に一定の電流が得られ、多数の部品を必
要とせず、かつ切換えの手間も必要としない。また、Ｆ
ＥＴを使用しているので、充電時間を短縮でき、測定効
率が良い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平４−
１３１７７０号に示す絶縁抵抗測定装置の場合、定電流
回路にバイアス電源（ＤＣ／ＤＣ変換器）を備えている
ため、定電流回路が大型化し、またコストアップの要因
となった。

【０００９】よって、本発明の目的は、測定電源の電圧
を変えても常に一定の電流が得られ、被検体の充電時間
を短縮でき測定効率が良いとともに、小型で安価な絶縁
抵抗測定装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の絶縁抵抗測定装
置は、測定電源と、該測定電源から供給される電流を一
定化する定電流回路と、該定電流回路の出力端に接続さ
れる被検体の漏れ電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換器と
を備え、該Ｉ／Ｖ変換器の出力電圧により被検体の絶縁
抵抗を測定する絶縁抵抗測定装置であって、前記定電流
回路は、ＦＥＴと、該ＦＥＴのゲート−ソース間に並列
接続され、ゲート−ソース間に印加される電圧を一定に
する定電圧ダイオードと、該定電圧ダイオードを過電流
から保護し、前記ＦＥＴのゲート−ソース間に電圧を印
加するゲート−ソース間電圧設定用抵抗と、前記ＦＥＴ
のドレイン−ソース間を流れる電流の増減に応じて、前
記ＦＥＴのゲート−ソース間に印加される電圧を調整す
るゲート−ソース間電圧調整用抵抗と、前記ＦＥＴのド
レイン−ソース間に並列接続されたバイパス抵抗と、を
備えていることを特徴とするものである。

【００１１】本発明の絶縁抵抗測定装置によれば、測定
電源の電流は、ＦＥＴ、ゲート−ソース間電圧調整用抵
抗の順に流れる。ＦＥＴのドレイン−ソース間を流れる
電流値はＦＥＴのゲート−ソース間の電位差により決ま
る。ＦＥＴのゲート−ソース間には、ゲート−ソース間
電圧設定用抵抗が電圧を印加するが、この電圧は、ＦＥ
Ｔのゲート−ソース間に並列接続された定電圧ダイオー
ドにより一定にされる。また、ＦＥＴのドレイン−ソー
ス間を流れる電流が増加した場合には、ゲート−ソース
間電圧調整用抵抗の両端の電位差が上昇し、ＦＥＴのゲ
ート−ソース間に加わる電圧を下げ、ＦＥＴのドレイン
−ソース間を流れる電流を制限する。逆に、ＦＥＴのド
レイン−ソース間を流れる電流が減少した場合には、ゲ
ート−ソース間電圧調整用抵抗の両端の電位差が低下
し、ＦＥＴのゲート−ソース間に加わる電圧を上げ、Ｆ
ＥＴのドレイン−ソース間を流れる電流を増加させる。
このように、測定電源の電圧を変えても、ＦＥＴの定電
流特性を利用して常に一定の電流を被検体に流すことが
できる。

【００１２】また、被検体への充電が進み、ＦＥＴがカ
ットオフし、電流がＦＥＴのドレイン−ソース間を流れ
なくなった場合にも、前記ＦＥＴのドレイン−ソース間
に並列接続されたバイパス抵抗から被検体に電流を流し
続けることができる。

【００１３】また、本発明の絶縁抵抗測定装置は、前記
ＦＥＴ、定電圧ダイオード、およびゲート−ソース間電
圧調整用抵抗を、それぞれ２個づつ備え、各ＦＥＴ、定
電圧ダイオード、およびゲート−ソース間電圧調整用抵
抗は、それぞれが互に対向するように、正逆直列に接続
されており、前記各ＦＥＴのソース−ドレイン間には、
ソースからドレイン方向への電流の流れを許容する保護
ダイオードが並列接続されていることを特徴とするもの
である。

【００１４】この場合にも、定電流回路を構成するＦＥ
Ｔ、定電圧ダイオード、ゲート−ソース間電圧設定用抵
抗、ゲート−ソース間電圧調整用抵抗、およびバイパス
抵抗は、上記の場合と同様の作用を及ぼす。但し、正電
圧充電時および負電圧放電時には、一方のＦＥＴのドレ
インからソースへと電流が流れ、定電流作用を及ぼす。
このとき、他方のＦＥＴのソース−ドレイン間に並列接
続され保護ダイオードが、他方のＦＥＴのソースからド
レイン方向への電流の流れを許容する。また、負電圧充
電時および正電圧放電時には、他方のＦＥＴのドレイン
からソースへと電流が流れ、定電流作用を及ぼす。この
とき、一方のＦＥＴのソース−ドレイン間に並列接続さ
れ保護ダイオードが、一方のＦＥＴのソースからドレイ
ン方向への電流の流れを許容する。

【００１５】また、本発明の絶縁抵抗測定装置は、前記
定電流回路が、電荷蓄積用コンデンサと、該電荷蓄積用
コンデンサが測定電源に放電することを防止する放電防
止用ダイオードと、前記電荷蓄積用コンデンサと放電防
止用ダイオードとの間に接続され、前記電荷蓄積用コン
デンサを過電流から保護する保護抵抗と、一端がアース
された切換器とを備えることを特徴とするものである。

【００１６】この場合、被検体の絶縁抵抗を測定する前
に、予め電荷蓄積用コンデンサに電荷を蓄積しておくこ
とにより、被検体の絶縁抵抗を測定する際に、被検体へ
の充電が進み、被検体の充電電圧が上昇しても、ＦＥＴ
がカットオフすることなく、ＦＥＴを通じて被検体に電
流を流し続けることができる。

【００１７】また、電荷蓄積用コンデンサと放電防止用
ダイオードとの間に接続された保護抵抗は、電荷蓄積用
コンデンサに電荷を蓄積する際に、電荷蓄積用コンデン
サに過電流が流れることを防止する。

【００１８】また、放電防止用ダイオードは、被検体の
絶縁抵抗を測定する際に、被検体への充電が進み、被検
体の充電電圧が上昇したときに、被検体が測定電源に放
電することを防止する。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の絶縁抵抗測定装置
の実施例につき、添付図面を参照して説明する。

【００２０】実施例１ 図１は、本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例１を示す回
路図である。

【００２１】まず、この絶縁抵抗測定装置の概略につい
て説明する。

【００２２】この絶縁抵抗測定装置は、直流測定電源１
と、直流測定電源１から供給される電流を一定化する定
電流回路２と、定電流回路２の出力端子Ｂに接続される
コンデンサ３などの被検体の漏れ電流を電圧に変換する
Ｉ／Ｖ変換器であるＯＰアンプ４と、ＯＰアンプ４の出
力電圧をデジタル化するＡ／Ｄ変換器５とを備えてい
る。

【００２３】直流測定電源１は、正の直流測定電源であ
り、この直流測定電源１の一端はアースされ、この直流
測定電源１の他端は定電流回路２の入力端子Ａに接続さ
れている。

【００２４】また、定電流回路２の出力端子Ｂは、被検
体であるコンデンサ３の一端に接続され、コンデンサ３
の他端は、接点Ｃを介してＯＰアンプ４の負入力に接続
されている。なお、ＯＰアンプ４の正入力はアースされ
ている。

【００２５】また、ＯＰアンプ４の出力端は、Ａ／Ｄ変
換器５に接続されている。なお、この絶縁抵抗測定装置
では、回路を簡素化するためＯＰアンプ４の入力保護回
路等は省略している。

【００２６】次に、この絶縁抵抗測定装置による、被検
体であるコンデンサ３の絶縁抵抗の測定方法について説
明する。

【００２７】まず、コンデンサ３の種類に応じて、正の
直流測定電源１の出力電圧を設定する。正の直流測定電
源１から供給される電流は定電流回路２により一定化さ
れ、一定化された電流は、被検体であるコンデンサ３に
充電される。

【００２８】充電後、コンデンサ３の漏れ電流をＯＰア
ンプ４でＩ／Ｖ変換し、この出力電圧をＡ／Ｄ変換器５
でデジタル化したものを解析し、電圧換算でコンデンサ
３の絶縁抵抗を計算する。

【００２９】次に、この絶縁抵抗測定装置に用いられる
定電流回路２について説明する。

【００３０】この定電流回路２は、ＦＥＴ６と、ＦＥＴ
６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に印加される電圧を
一定にする定電圧ダイオード７と、定電圧ダイオード７
を過電流から保護し、ＦＥＴ６のゲート（Ｇ）−ソース
（Ｓ）間に電圧を印加するゲート−ソース間電圧設定用
抵抗８と、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間
を流れる電流の増減に応じて、前記ＦＥＴ６のゲート
（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に印加される電圧を調整するゲ
ート−ソース間電圧調整用抵抗９と、バイパス抵抗１０
とを備えている。

【００３１】この定電流回路２の入力端子Ａは、直流測
定電源１側に接続され、出力端子Ｂは、被検体であるコ
ンデンサ３側に接続されている。

【００３２】ＦＥＴ６は、エンハンスメント型ＭＯＳ−
ＦＥＴであり、デプレション型ＦＥＴよりも高耐圧性に
優れており、数百ボルトを印加するコンデンサ３の耐圧
測定に適している。ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）側は、入
力端子Ａに接続され、ＦＥＴ６のソース（Ｓ）側は、ゲ
ート−ソース間電圧調整用抵抗９を介して、出力端子Ｂ
に接続されている。ＦＥＴ６のソース（Ｓ）−ドレイン
（Ｄ）間にはソース（Ｓ）からドレイン（Ｄ）方向への
流れを許容する保護ダイオード１１が並列接続されてい
る。

【００３３】定電圧ダイオード７は、ＦＥＴ６のゲート
（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に並列接続されている。

【００３４】ゲート−ソース間電圧設定用抵抗８は、入
力端子Ａと、ＦＥＴ６のゲート（Ｇ）との間に接続され
ている。

【００３５】ゲート−ソース間電圧調整用抵抗９は、Ｆ
ＥＴ６のソース（Ｓ）と出力端子Ｂとの間に接続されて
いる。

【００３６】バイパス抵抗１０は、ＦＥＴ６のドレイン
（Ｄ）−ソース（Ｓ）間に並列接続されている。

【００３７】このような構成の定電流回路２において、
被検体であるコンデンサ３の絶縁抵抗を測定する場合に
は、電流が入力端子Ａから出力端子Ｂへと流れる。この
とき、ＦＥＴ６は定電流作用を及ぼす。

【００３８】以下、この定電流回路２の定電流作用につ
いて説明する。

【００３９】ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）
間を流れる電流値はＦＥＴ６のゲート（Ｇ）−ソース
（Ｓ）間の電位差により決まる。ＦＥＴ６のゲート
（Ｇ）−ソース（Ｓ）間には、ゲート−ソース間電圧設
定用抵抗８が電圧を印加するが、この電圧は、ＦＥＴ６
のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に並列接続された定電
圧ダイオードにより一定にされる。

【００４０】また、ＦＥＴのドレイン（Ｄ）−ソース
（Ｓ）間を流れる電流が増加した場合には、ゲート−ソ
ース間電圧調整用抵抗９の両端の電位差が上昇し、ＦＥ
Ｔ６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に加わる電圧を下
げ、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間を流れ
る電流を制限する。

【００４１】逆に、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース
（Ｓ）間を流れる電流が減少した場合には、ゲート−ソ
ース間電圧調整用抵抗９の両端の電位差が低下し、ＦＥ
Ｔ６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に加わる電圧を上
げ、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間を流れ
る電流を増加させる。

【００４２】このように、直流測定電源１の電圧を変え
ても、ＦＥＴ６の定電流特性を利用して常に一定の電流
を被検体であるコンデンサ３に流すことができる。

【００４３】なお、定電圧ダイオード７のツェナー電圧
をＶｚ、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間を
流れる電流をＩｄｓ、バイパス抵抗１０を流れる電流を
Ｉ１０、ゲート−ソース間電圧調整用抵抗９の抵抗をＲ
９とすると、ＦＥＴ６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間
に加わる電圧Ｖｇｓは、以下の式により決定される。Ｖ
ｇｓ＝Ｖｚ−（Ｉｄｓ＋Ｉ１０）×Ｒ９また、被検体で
あるコンデンサ３への充電が進み、ＦＥＴ６がカットオ
フし、電流がＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）
間を流れなくなった場合にも、前記ＦＥＴ６のドレイン
（Ｄ）−ソース（Ｓ）間に並列接続されたバイパス抵抗
１０からコンデンサ３に電流を流し続けることができ
る。

【００４４】図２は、被検体であるコンデンサ３の充電
電圧−時間特性を示す説明図であり、図３は、被検体で
あるコンデンサ３の充電電流−時間特性を示す説明図で
ある。

【００４５】図２および図３において、ｔ０〜ｔ１は、
ＦＥＴ６により電流が充電される時間領域であり、ｔ１
〜ｔ２は、バイパス抵抗１０から電流が充電される時間
領域である。また、図２におけるＶｃは、ＦＥＴ６のカ
ットオフ電圧である。ここで、ＦＥＴ６のカットオフ電
圧Ｖｃは、定電圧ダイオード７のツェナー電圧Ｖｚより
も小さくなるように設定されている。

【００４６】図２および図３より、ｔ０〜ｔ１の領域に
おいては、ＦＥＴ６により一定化された電流が、コンデ
ンサ３に充電され、このときコンデンサ３の電圧は充電
時間に比例して上昇していることが分かる。また、ｔ１
〜ｔ２の時間領域においてもコンデンサ３への充電が行
なわれ、ＦＥＴ６がカットオフした後も、バイパス抵抗
１０から電流が流し続けられ、コンデンサ３の電圧が上
昇していることが分かる。

【００４７】実施例２ 図４は、本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例２を示す回
路図である。

【００４８】まず、この絶縁抵抗測定装置の概略につい
て説明する。

【００４９】この絶縁抵抗測定装置は、直流測定電源
１、２１と、アース側端子１２と、切換器１３と、直流
測定電源１、２１から供給される電流を一定化する定電
流回路２２と、定電流回路２２の出力端子Ｂに接続され
るコンデンサ３などの被検体の漏れ電流を電圧に変換す
るＩ／Ｖ変換器であるＯＰアンプ４と、ＯＰアンプ４の
出力電圧をデジタル化するＡ／Ｄ変換器５とを備えてい
る。

【００５０】直流測定電源１、２１には、正の直流測定
電源１と負の直流測定電源２１とがあり、これらの直流
測定電源１、２１の一端はアースされ、これらの直流測
定電源１、２１の他端は切換器１３を介して定電流回路
２２の入力端子Ａに接続されている。

【００５１】また、アース側端子１２の一端はアースさ
れ、アース側端子１２の他端は切換器１３を介して定電
流回路２２の入力端子Ａに接続されている。

【００５２】したがって、切換器１３により、正の直流
測定電源１、負の直流測定電源２１、アース側端子１２
を択一的に切換えることができる。

【００５３】なお、Ｉ／Ｖ変換器であるＯＰアンプ４、
およびＡ／Ｄ変換器５については、実施例１で説明した
ものと実質的に同一であるので、同一符号を付すること
で、ここでの説明を省略する。

【００５４】次に、この絶縁抵抗測定装置による、被検
体であるコンデンサ３の絶縁抵抗の測定方法について説
明する。

【００５５】まず、コンデンサ３の種類に応じて、正負
の直流測定電源１、２１の出力電圧を設定する。

【００５６】次に、切換器１３を正の直流測定電源１に
切り換える。これにより、正の直流測定電源１から供給
される電流は定電流回路２２により一定化され、一定化
された電流は、コンデンサ３に充電される。

【００５７】充電後、コンデンサ３の漏れ電流をＯＰア
ンプ４でＩ／Ｖ変換し、この出力電圧をＡ／Ｄ変換器５
でデジタル化したものを解析し、電圧換算でコンデンサ
３の絶縁抵抗を計算する。

【００５８】逆電圧を測定する場合、コンデンサ３の正
充電電圧を一旦放電する必要があるため、切換器１３を
まずアース側端子１２へ切り換え、ついで切換器１３を
負の直流測定電源２１に切り換える。その後、上記の正
電圧による絶縁抵抗測定と同様にして、負電圧による絶
縁抵抗測定が行なわれる。

【００５９】なお、正逆の両電圧で測定するのは、コン
デンサ３の場合、正電圧を印加した場合と、負電圧を印
加した場合とで漏れ電流が異なることがあるためであ
る。

【００６０】次に、この絶縁抵抗測定装置に用いられる
定電流回路２２について説明する。なお、実施例１と実
質的に同一な部分については、同一符号を付して、ここ
での説明を省略する。

【００６１】この定電流回路は、２つのＦＥＴ６、２６
と、各ＦＥＴ６、２６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間
に印加される電圧を一定にする２つの定電圧ダイオード
７、２７と、各定電圧ダイオード７、２７を過電流から
保護し、各ＦＥＴ６、２６のゲート（Ｇ）−ソース
（Ｓ）間に電圧を印加するゲート−ソース間電圧設定用
抵抗８と、各ＦＥＴ６、２６のドレイン（Ｄ）−ソース
（Ｓ）間を流れる電流の増減に応じて、各ＦＥＴ６、２
６のゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に印加される電圧を
調整する２つのゲート−ソース間電圧調整用抵抗９、２
９と、バイパス抵抗１０とを備えている。

【００６２】この定電流回路２２の入力端子Ａは、直流
測定電源１、２１側に接続され、出力端子Ｂは、被検体
であるコンデンサ３側に接続されている。

【００６３】ＦＥＴ２６は、ＦＥＴ６に対向するよう
に、正逆直列に接続されている。すなわち、ＦＥＴ２６
のソース（Ｓ）側は、入力端子Ａに接続され、ＦＥＴ２
６のドレイン（Ｄ）側は、ＦＥＴ６のドレイン（Ｄ）側
に接続されている。ＦＥＴ２６のソース（Ｓ）−ドレイ
ン（Ｄ）間にはソース（Ｓ）からドレイン（Ｄ）方向へ
の流れを許容する保護ダイオード３１が並列接続されて
いる。

【００６４】定電圧ダイオード２７は、ＦＥＴ２６のゲ
ート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間に並列接続されている。

【００６５】ゲート−ソース間電圧設定用抵抗８は、Ｆ
ＥＴ６のゲート（Ｇ）と、ＦＥＴ２６のゲート（Ｇ）と
の間に接続されている。

【００６６】ゲート−ソース間電圧調整用抵抗２９は、
入力端子ＡとＦＥＴ２９のソース（Ｓ）との間に接続さ
れている。

【００６７】バイパス抵抗１０は、ＦＥＴ６、２６のド
レイン（Ｄ）−ソース（Ｓ）間に並列接続されている。

【００６８】このような構成の定電流回路２２におい
て、被検体であるコンデンサ３の正電圧による絶縁抵抗
を測定する場合には、電流が入力端子Ａから出力端子Ｂ
へと流れる。このとき、ＦＥＴ２６側は、保護ダイオー
ド３１を流れ、定電流作用はＦＥＴ６で行なう。

【００６９】また、被検体であるコンデンサ３の負電圧
による絶縁抵抗を測定する場合には、電流が出力端子Ｂ
から入力端子Ａへと流れる。このとき、ＦＥＴ６側は、
保護ダイオード１１を流れ、定電流作用はＦＥＴ２６で
行なうことになる。

【００７０】実施例３ 図５は、本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例３を示す回
路図である。

【００７１】まず、この絶縁抵抗測定装置の概略につい
て説明する。

【００７２】この絶縁抵抗測定装置は、直流測定電源１
と、直流測定電源１から供給される電流を一定化する定
電流回路３２と、定電流回路３２の出力端子に接続され
るコンデンサ３などの被検体の漏れ電流を電圧に変換す
るＩ／Ｖ変換器であるＯＰアンプ４と、ＯＰアンプ４の
出力電圧をデジタル化するＡ／Ｄ変換器５とを備えてい
る。

【００７３】なお、直流測定電源１と、ＯＰアンプ４
と、Ａ／Ｄ変換器５については、実施例１で説明したも
のと実質的に同一であるので、同一符号を付すること
で、ここでの説明は省略する。

【００７４】次に、この絶縁抵抗測定装置に用いられる
定電流回路３２について説明する。

【００７５】この定電流回路３２は、実施例１において
説明した定電流回路２に、電荷蓄積用コンデンサ１４
と、放電防止用ダイオード１５と、保護抵抗１６、切換
器１７とを組み合わせたものである。したがって、ＦＥ
Ｔ６と、定電圧ダイオード７と、ゲート−ソース間電圧
設定用抵抗８と、ゲート−ソース間電圧調整用抵抗９
と、バイパス抵抗１０については、実施例１において説
明したものと実質的に同一であるので、同一符号を付す
ることで、ここでの説明を省略する。

【００７６】放電防止用ダイオード１５の一端は、入力
端子Ａに接続され、放電防止用ダイオード１５の他端
は、保護抵抗１６を介して、電荷蓄積用コンデンサ１４
に接続されている。

【００７７】保護抵抗１６は、放電防止用ダイオード１
５と、電荷蓄積用コンデンサ１４との間に接続されてい
る。

【００７８】切換器１７の一端はアースされ、切換器１
７の他端は電荷蓄積用コンデンサ１４側に接続可能とな
っている。

【００７９】このような絶縁抵抗測定装置を用いて、被
検体であるコンデンサ３の絶縁抵抗を測定するには、絶
縁抵抗を測定する前に、切換器１７の他端を電荷蓄積用
コンデンサ１４側に接続し、放電防止用ダイオード１５
および保護抵抗１６を通じて、電荷蓄積用コンデンサ１
４に、電荷を蓄積する。このとき、保護抵抗１６は、電
荷蓄積用コンデンサ１４に過電流が流れることを防止す
る。したがって、電荷蓄積用コンデンサ１４への充電時
間を短縮するため、保護抵抗１６の抵抗値は可能な限り
小さい方が望ましい。

【００８０】その後、切換器１７の他端を電荷蓄積用コ
ンデンサ１４側から離し、実施例１の場合と同様に、被
検体であるコンデンサ３の絶縁抵抗を測定する。このと
き、放電防止用ダイオード１５は、電荷蓄積用コンデン
サ１４が直流測定電源１側に放電することを防止する。

【００８１】

【発明の効果】以上のように、本発明の絶縁抵抗測定装
置によれば、ＦＥＴの定電流特性を利用して被検体に流
れる電流を一定化するので、測定電源の電圧を変えても
常に一定の電流が得られる。

【００８２】また、本発明の絶縁抵抗測定装置によれ
ば、ＦＥＴを使用しているので、充電時間を短縮でき、
測定効率が良い。

【００８３】また、本発明の絶縁抵抗測定装置によれ
ば、定電流回路が、ＦＥＴ、定電圧ダイオード、抵抗等
の小型部品で構成されているので、省スペース化、およ
びコストダウンが可能である。

【００８４】また、本発明の絶縁抵抗測定装置によれ
ば、低電圧から高電圧までの幅広い電圧で定電流が得ら
れる。すなわち、ＦＥＴのカットオフ電圧または定電圧
ダイオードのツェナ電圧からＦＥＴの耐電圧付近までの
電圧で定電流が得られる。

【００８５】また、本発明の絶縁抵抗測定装置によれ
ば、切換器等の消耗部品の部品点数を抑えることがで
き、またノイズ発生源であるバイアス電源（ＤＣ／ＤＣ
変換器）が不要である。したがって、簡単なメンテナン
スで、上記の効果を長期間安定して持続させることがで
きる。

【００８６】また、本発明の絶縁抵抗測定装置におい
て、前記ＦＥＴ、定電圧ダイオード、およびゲート−ソ
ース間電圧調整用抵抗を、それぞれ２個づつ備え、各Ｆ
ＥＴ、定電圧ダイオード、およびゲート−ソース間電圧
調整用抵抗は、それぞれが互に対向するように、正逆直
列に接続されており、前記各ＦＥＴのソース−ドレイン
間に、ソースからドレイン方向への電流の流れを許容す
る保護ダイオードが並列接続されている場合には、正／
負電圧充電時、正／負電圧放電時の両方の電流の向きに
対して定電流効果を得ることができる。

【００８７】また、本発明の絶縁抵抗測定装置におい
て、前記定電流回路が、電荷蓄積用コンデンサと、該電
荷蓄積用コンデンサが測定電源に放電することを防止す
る放電防止用ダイオードと、前記電荷蓄積用コンデンサ
と電荷充電用ダイオードとの間に接続され、前記電荷蓄
積用コンデンサを過電流から保護する保護抵抗と、一端
がアースされた切換器とを備える場合には、被検体の絶
縁抵抗を測定する際に、被検体への充電が進み、被検体
の充電電圧が上昇しても、ＦＥＴがカットオフすること
なく、ＦＥＴを通じて被検体に電流を流し続けることが
できるので、充電時間の短縮を一層図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例１を示す回
路図である。

【図２】本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例１を用いた
場合における、被検体であるコンデンサの充電電圧−時
間特性を示す説明図である。

【図３】本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例１を用いた
場合における、被検体であるコンデンサの充電電流−時
間特性を示す説明図である。

【図４】本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例２を示す回
路図である。

【図５】本発明の絶縁抵抗測定装置の実施例３を示す回
路図である。

【符号の説明】

１、２１ 直流測定電源（測定電
源） ２、２２、３２ 定電流回路 ３ コンデンサ（被検体） ４ ＯＰアンプ（Ｉ／Ｖ変換
器） ６、２６ ＦＥＴ ７、２７ 定電圧ダイオード ８ ゲート−ソース間電圧設
定用抵抗 ９、２９ ゲート−ソース間電圧調
整用抵抗 １０ バイアス抵抗 １１、３１ 保護ダイオード １４ 電荷蓄積用コンデンサ １５ 放電防止用ダイオード １６ 保護抵抗

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 測定電源と、 該測定電源から供給される電流を一定化する定電流回路
   と、 該定電流回路の出力端に接続される被検体の漏れ電流を
   電圧に変換するＩ／Ｖ変換器とを備え、 該Ｉ／Ｖ変換器の出力電圧により被検体の絶縁抵抗を測
   定する絶縁抵抗測定装置であって、 前記定電流回路は、ＦＥＴと、 該ＦＥＴのゲート−ソース間に並列接続され、ゲート−
   ソース間に印加される電圧を一定にする定電圧ダイオー
   ドと、 該定電圧ダイオードを過電流から保護し、前記ＦＥＴの
   ゲート−ソース間に電圧を印加するゲート−ソース間電
   圧設定用抵抗と、 前記ＦＥＴのドレイン−ソース間を流れる電流の増減に
   応じて、前記ＦＥＴのゲート−ソース間に印加される電
   圧を調整するゲート−ソース間電圧調整用抵抗と、 前記ＦＥＴのドレイン−ソース間に並列接続されたバイ
   パス抵抗と、を備えていることを特徴とする絶縁抵抗測
   定装置。
2. 【請求項２】 前記ＦＥＴ、定電圧ダイオード、および
   ゲート−ソース間電圧調整用抵抗を、それぞれ２個づつ
   備え、各ＦＥＴ、定電圧ダイオード、およびゲート−ソ
   ース間電圧調整用抵抗は、それぞれが互に対向するよう
   に、正逆直列に接続されており、前記各ＦＥＴのソース
   −ドレイン間には、ソースからドレイン方向への電流の
   流れを許容する保護ダイオードが並列接続されているこ
   とを特徴とする請求項１に記載の絶縁抵抗測定装置。
3. 【請求項３】 前記定電流回路が、電荷蓄積用コンデン
   サと、該電荷蓄積用コンデンサが測定電源に放電するこ
   とを防止する放電防止用ダイオードと、前記電荷蓄積用
   コンデンサと放電防止用ダイオードとの間に接続され、
   前記電荷蓄積用コンデンサを過電流から保護する保護抵
   抗と、一端がアースされた切換器とを備えることを特徴
   とする請求項１に記載の絶縁抵抗測定装置。