JPH1058173A - Laser beam machine - Google Patents

Laser beam machine

Info

Publication number
JPH1058173A
JPH1058173A JP8225059A JP22505996A JPH1058173A JP H1058173 A JPH1058173 A JP H1058173A JP 8225059 A JP8225059 A JP 8225059A JP 22505996 A JP22505996 A JP 22505996A JP H1058173 A JPH1058173 A JP H1058173A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stage
laser
laser beam
axis direction
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8225059A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyasu Kamo
裕康 加茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8225059A priority Critical patent/JPH1058173A/en
Publication of JPH1058173A publication Critical patent/JPH1058173A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform the positioning without being affected by the service environment by counting the distance between two alignment marks with reference to the wavelength of the laser beam, and achieving the comparative operation of the distance between the marks with the design value to control the movement of a stage. SOLUTION: A semi-conductor wafer 1 on an X-Y stage is machined by the laser beam L. An alignment mark A is irradiated with the laser beam from an alignment laser beam equipment 13, and the diffracted light is detected by a photo sensor 19. The sensor 19 inputs the signal into a main controller 31. An interferometer 26 continuously detects the movement of the X-Y stage 21 using the reference unit obtained by splitting the wavelength of the laser beam. An alignment mark B is irradiated with the laser beam from the alignment laser beam equipment 13 and the diffracted light is detected by the photo sensor 19. A controller 31 compares the numerical value of the distance between the marks A, B on the design with the numerical value of the distance measured with reference to the wavelength of the laser beam to position the machining position of the X-Y stage with the optical axis L of the laser beam.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置に関
し、特に、レーザ加工装置のステージの移動量を干渉計
で測定するレーザ加工装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and, more particularly, to a laser processing apparatus for measuring the amount of movement of a stage of a laser processing apparatus using an interferometer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】レーザ加工装置は、レーザ光を微小面積
に集光させることができるため、半導体ウェーハ等の微
細なレーザ加工に積極的に用いられる。このようなレー
ザ加工装置においては、加工用レーザ光を照射する対物
レンズの先端部と、被加工物が搭載されるステージ（例
えば、Ｘ−Ｙステージ）の相対的な移動量が制御され
て、対物レンズから照射される加工用レーザ光の光軸が
被加工物上のレーザ加工位置に合わされるようになって
いる。2. Description of the Related Art A laser processing apparatus is capable of condensing laser light on a very small area, and is therefore actively used for fine laser processing of semiconductor wafers and the like. In such a laser processing apparatus, the relative movement amount between the tip of the objective lens that irradiates the processing laser light and the stage (for example, the XY stage) on which the workpiece is mounted is controlled, The optical axis of the processing laser light emitted from the objective lens is adjusted to the laser processing position on the workpiece.

【０００３】実際のレーザ加工では、加工用レーザ光の
光軸と、加工位置との位置合わせに、高い精度が要求さ
れ、特に、近年の半導体製造技術（半導体ウェーハのレ
ーザ加工処理）等にあっては、その位置合わせの精度
は、ミクロンオーダー、サブミクロンオーダーで要求さ
れている。このため、近年のレーザ加工装置において
は、ステージの移動量を干渉計を用いて計測しながらス
テージを移動している。このように干渉計を用いること
により、ステージの移動量は、例えば干渉計で使用され
ているレーザ光の波長の１／３２を基準単位とした数で
測定でき、加工用レーザ光と半導体ウェーハ上の加工位
置との高精度の位置合わせを可能にしている。In actual laser processing, high precision is required for the alignment between the optical axis of the processing laser light and the processing position. Particularly, in recent semiconductor manufacturing techniques (laser processing of semiconductor wafers), etc. Therefore, the accuracy of the alignment is required on the order of microns and sub-microns. For this reason, in recent laser processing apparatuses, the stage is moved while measuring the amount of movement of the stage using an interferometer. By using the interferometer in this way, the amount of movement of the stage can be measured, for example, by using a reference unit of 1/32 of the wavelength of the laser light used in the interferometer, and the processing laser light and the High-precision alignment with the processing position of

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステー
ジの移動量を干渉計で測定する際には、干渉計のレーザ
光の波長が、使用環境の温度条件、湿度条件、気圧条件
の変動によって変化することが知られている。このよう
に使用環境によって波長が変化すると、当該波長を分割
したものを基準単位とした測定値に誤差が生じ、高精度
の位置合わせができなくなる。However, when the amount of movement of the stage is measured by an interferometer, the wavelength of the laser light of the interferometer changes due to fluctuations in the temperature, humidity, and pressure conditions of the use environment. It is known. When the wavelength changes depending on the use environment, an error occurs in a measured value obtained by dividing the wavelength into a reference unit, and high-accuracy alignment cannot be performed.

【０００５】このため、従来は、上記干渉計の測定値の
誤差を補正するために、干渉計が使用されるレーザ加工
装置に、温度センサ、湿度センサ、気圧センサ等を設
け、これらのセンサからの出力信号に基づいて、干渉計
のレーザ光の波長の補正を行って、使用環境に影響され
ない高精度の位置合わせを行うようにしていた。しかし
ながら、上記のように波長の変化による測定値の誤差を
補正する手法は、レーザ加工装置に、温度センサ、湿度
センサ、気圧センサを設け、更に、これらの出力信号に
基づいて光の波長の補正に必要な値を演算する計算機等
が必要であり、レーザ加工装置のコストアップを招く。[0005] Therefore, conventionally, in order to correct the error of the measured value of the interferometer, a temperature sensor, a humidity sensor, a barometric pressure sensor, and the like are provided in a laser processing apparatus using the interferometer. , The wavelength of the laser light of the interferometer is corrected based on the output signal of the interferometer, thereby performing high-accuracy alignment that is not affected by the use environment. However, as described above, a method of correcting an error in a measured value due to a change in wavelength is to provide a laser processing apparatus with a temperature sensor, a humidity sensor, and a barometric pressure sensor, and further correct the wavelength of light based on these output signals. Requires a computer or the like to calculate the value required for the laser processing, which leads to an increase in the cost of the laser processing apparatus.

【０００６】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、干渉計の使用環境を検知する手段を別途設けるこ
となく、これら使用環境による影響を受けずに、加工位
置と加工用レーザ光の光軸の精度の高い位置合わせが可
能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and does not require any additional means for detecting the operating environment of the interferometer, and is not affected by the operating environment, and is not affected by the operating environment. An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of performing highly accurate alignment of an optical axis.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、加工用レーザ光を発生さ
せる加工レーザと、アライメントマークを検出する検出
手段と、被加工物が搭載されるステージと、前記ステー
ジを前記加工レーザに対して移動させる移動手段と、前
記ステージの移動量をレーザ光の波長を分割したものを
基準単位とした数にて計測する干渉計と、前記移動手段
による前記ステージの移動量を制御すると共に所望のレ
ーザ加工位置に前記レーザ光を照射する制御手段とを備
えたレーザ加工装置において、前記制御手段に、前記被
加工物上の少なくとも２つのアライメントマークの位置
を示す設計値を記憶する設計値データ記憶部と、前記検
出手段が前記少なくとも２つのアライメントマークの一
方を検知したときの干渉計の計測値と、他方を検知した
ときの干渉計の計測値とを比較して、当該２つのアライ
メントマーク間の距離を干渉計に用いられているレーザ
光の波長を分割したものを基準単位とした数にて求める
測定部と、前記求められた数と前記少なくとも２のアラ
イメントマーク間の距離の設計値とに基づいて、所望の
レーザ加工位置を、前記レーザ光の波長を分割したもの
を基準単位とした数を用いた座標で表す演算部とを具
え、当該制御手段が、前記座標に基づいて前記ステージ
の移動量の制御を行なうようにされてなるものである。In order to achieve the above object, the invention according to the first aspect is characterized in that a processing laser for generating a processing laser beam, a detecting means for detecting an alignment mark, and a workpiece are mounted. A stage to be moved, a moving means for moving the stage with respect to the processing laser, an interferometer for measuring a moving amount of the stage by a number obtained by dividing a wavelength of laser light by a reference unit, and Control means for controlling the amount of movement of the stage by means and irradiating the desired laser processing position with the laser beam, wherein the control means includes at least two alignment marks on the workpiece. A design value data storage unit for storing a design value indicating the position of the at least one of the at least two alignment marks. The measured value of the interferometer is compared with the measured value of the interferometer when the other is detected, and the distance between the two alignment marks is determined by dividing the wavelength of the laser beam used in the interferometer. A desired laser processing position obtained by dividing the wavelength of the laser beam based on a measurement unit obtained in a unit number and a design value of a distance between the obtained number and the at least two alignment marks. And a calculation unit that expresses the coordinates by using a number as a reference unit, wherein the control unit controls the amount of movement of the stage based on the coordinates.

【０００８】又、請求項２に記載の発明は、前記ステー
ジをＸ−Ｙステージとし、前記制御手段に、前記被加工
物の設計値上のＸ軸方向・Ｙ軸方向とＸ−Ｙステージの
Ｘ軸方向・Ｙ軸方向との相対的な回転量を検知する回転
角度検知部と、該回転角度検知手段により検知された回
転量に基づいて、前記レーザ光の波長を分割したものを
基準単位とした数にて表された前記少なくとも２つのア
ライメントマーク間の距離を補正する補正部とを具えた
ものである。According to a second aspect of the present invention, the stage is an XY stage, and the control means controls the X-axis direction and the Y-axis direction on the design value of the workpiece and the XY stage. A rotation angle detection unit for detecting a relative rotation amount between the X-axis direction and the Y-axis direction, and a unit obtained by dividing the wavelength of the laser light based on the rotation amount detected by the rotation angle detection unit as a reference unit And a correction unit that corrects the distance between the at least two alignment marks represented by the following number.

【０００９】又、請求項３に記載の発明は、前記回転角
度検知部が、前記測定部によって求められた前記少なく
とも２つのアライメントマーク間のＸ軸方向・Ｙ軸方向
の距離と、これらの設計値とに基づいて前記回転量を検
知するものである。According to a third aspect of the present invention, the rotation angle detecting section determines the distance between the at least two alignment marks in the X-axis direction and the Y-axis direction obtained by the measuring section, and the design of these distances. The amount of rotation is detected based on the value.

【００１０】（作用）上記請求項１の発明によれば、使
用環境の変化により干渉計のレーザ光の波長が変化して
も、被加工物の設計値が、該変化した光の波長を分割し
たものを基準単位とした座標として表されるので、この
座標に従ってＸ−Ｙステージを移動すれば、使用環境の
変化の影響を受けない、精度の高い位置合わせが可能に
なる。According to the first aspect of the present invention, even if the wavelength of the laser light of the interferometer changes due to a change in the use environment, the design value of the workpiece divides the changed wavelength of the light. Since the coordinates are expressed as coordinates using the reference unit as a reference unit, if the XY stage is moved in accordance with the coordinates, highly accurate positioning can be performed without being affected by a change in the use environment.

【００１１】又、請求項２の発明によれば、被加工物の
設計値上のＸ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−ＹステージのＸ
軸方向・Ｙ軸方向との間に回転誤差が生じている場合で
あっても、被加工物のアライメントマーク間の設計値
を、精度よく、上記座標で表すことができ、これを用い
たレーザ加工位置と加工用レーザ光の光軸の位置合わせ
を高精度で行うことができる。According to the second aspect of the present invention, the X-axis direction and the Y-axis direction on the design value of the workpiece and the X-
Even when a rotation error occurs between the axial direction and the Y-axis direction, the design value between the alignment marks on the workpiece can be accurately represented by the coordinates described above. The processing position and the optical axis of the processing laser beam can be aligned with high accuracy.

【００１２】又、請求項３の発明によれば、被加工物の
設計値上のＸ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−ＹステージのＸ
軸方向・Ｙ軸方向との間の回転誤差自体を、干渉計を用
いて高精度に測定できるため、この回転誤差を用いた高
精度のレーザ加工位置と加工用レーザ光の光軸の位置合
わせが可能になる。According to the third aspect of the present invention, the X-axis direction and the Y-axis direction on the design values of the workpiece and the X-Y
Since the rotation error itself between the axial direction and the Y-axis direction can be measured with high precision using an interferometer, the high-precision laser processing position using this rotation error is aligned with the optical axis of the processing laser beam. Becomes possible.

【００１３】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して説明する。尚、この実施形態
は、請求項１から請求項３に対応する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. This embodiment corresponds to claims 1 to 3.

【００１４】先ず、レーザ加工装置４０の全体構成につ
いて、図１を参照して説明する。レーザ加工装置４０
は、レーザ光照射部１０と、ステージ部２０と、制御部
３０とによって構成されている。このうちレーザ光照射
部１０は、対物レンズ１１、後述のメインコントローラ
３１からのパルス信号に基づいて加工用レーザ光を発生
させる加工レーザ１２、加工レーザ１２から発生したレ
ーザ光のビーム形状及びその強度をメインコントローラ
３１からの制御信号に応じて調整する等の機能を有する
光学系１４、アライメント用レーザ光を常時発生させる
アライメントレーザ１３、発生したアライメント用レー
ザ光をメインコントローラ３１からの制御信号に基づい
てＸ軸方向・Ｙ軸方向の２つのビームに分け各々のビー
ム形状を調整する等の機能を有する光学系１５、アライ
メント用レーザ光の反射光を検知するための光センサ１
９からなる。尚、図中、１６は加工用レーザ光を対物レ
ンズ１１に向けて照射するためのミラー、１８Ａはアラ
イメント用レーザ光を対物レンズ１１に向けて照射する
ためのミラー、１８Ｂは反射したアライメント用レーザ
光を光センサ１９に導くためのハーフミラーである。First, the overall configuration of the laser processing apparatus 40 will be described with reference to FIG. Laser processing device 40
Is composed of a laser beam irradiation unit 10, a stage unit 20, and a control unit 30. The laser beam irradiating unit 10 includes an objective lens 11, a processing laser 12 for generating a processing laser beam based on a pulse signal from a main controller 31, which will be described later, and a beam shape and intensity of the laser beam generated from the processing laser 12. , An optical system 14 having a function of adjusting the laser beam according to a control signal from the main controller 31, an alignment laser 13 for constantly generating an alignment laser beam, and generating the alignment laser beam based on a control signal from the main controller 31. Optical system 15 having a function of dividing the beam into two beams in the X-axis direction and the Y-axis direction and adjusting the shape of each beam, and an optical sensor 1 for detecting the reflected light of the alignment laser light
Consists of nine. In the figure, 16 is a mirror for irradiating the processing laser light toward the objective lens 11, 18A is a mirror for irradiating the alignment laser light toward the objective lens 11, and 18B is a reflected alignment laser. It is a half mirror for guiding light to the optical sensor 19.

【００１５】尚、上記光学系１５は、メインコントロー
ラ３１からの信号に基づいてそのシャッタ（図示省略）
が開閉されて、アライメント用レーザ光のＸ−Ｙステー
ジ２１上への照射タイミングが制御される。しかして、
その反射光は光センサ１９によって検出される。尚、こ
のアライメントレーザ１２と光センサ１９とによって、
アライメントマークを検出するための検出手段が構成さ
れる。The optical system 15 has a shutter (not shown) based on a signal from the main controller 31.
Are opened and closed, and the timing of the irradiation of the alignment laser light onto the XY stage 21 is controlled. Then
The reflected light is detected by the optical sensor 19. Note that the alignment laser 12 and the optical sensor 19
Detection means for detecting the alignment mark is configured.

【００１６】ステージ部２０は、半導体ウェーハ（被加
工物）１が搭載されるＸ−Ｙステージ２１、Ｘ−Ｙステ
ージ２１の前記対物レンズ１１に対する相対的な移動量
（Ｘ−Ｙ軸方向の移動量）を調整するアクチュエータ２
２、Ｘ−Ｙステージ２１上に設置された反射鏡２５、該
反射鏡２５に測定用のレーザ光を照射してＸ−Ｙステー
ジ２１の移動量（図１のｄ）を、その波長を分割したも
のを基準単位とした数で計測する干渉計２６からなる。
尚、上記アクチュエータ２２、後述のステージコントロ
ーラ３２、メインコントローラ３１によって、Ｘ−Ｙス
テージ２１の移動手段が構成される。The stage section 20 includes an XY stage 21 on which the semiconductor wafer (workpiece) 1 is mounted, and a relative movement amount (movement in the XY axis direction) of the XY stage 21 with respect to the objective lens 11. Actuator 2 for adjusting the amount)
2. The reflecting mirror 25 installed on the XY stage 21, and the reflecting mirror 25 is irradiated with a laser beam for measurement to divide the moving amount of the XY stage 21 (d in FIG. 1) and its wavelength. The interferometer 26 measures the number obtained by using the measured value as a reference unit.
The XY stage 21 is moved by the actuator 22, a stage controller 32, and a main controller 31, which will be described later.

【００１７】尚、上記反射鏡２５及び干渉計２６は、Ｘ
軸方向・Ｙ軸方向の移動量を各々測定するために、実際
には、Ｘ軸用・Ｙ軸用に２組設けられている（図１には
１組みのみ示す）。そして、Ｘ軸用・Ｙ軸用に各々設け
られた干渉計２６は、当該Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方
向・Ｙ軸方向の移動量を、該干渉計２６と反射鏡２５と
の間の距離（図１のｄ）として測定する。The reflecting mirror 25 and the interferometer 26 are X
Actually, two sets are provided for the X-axis and the Y-axis in order to measure the movement amounts in the axial direction and the Y-axis direction (only one set is shown in FIG. 1). The interferometers 26 provided for the X-axis and the Y-axis respectively determine the movement amounts of the XY stage 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction between the interferometer 26 and the reflecting mirror 25. It is measured as distance (d in FIG. 1).

【００１８】このＸ軸方向・Ｙ軸方向の移動量の測定
は、Ｘ−Ｙステージ２１の移動に伴う干渉縞の明度の変
化をパルス信号（例えば、明度が“明”→“暗”→
“明”と変化したときに１パルスを発する）として出力
し、このパルス信号の発生回数を、メインコントローラ
３１のカウンタ（図示省略）でカウントすることによっ
て行われる。The measurement of the amount of movement in the X-axis direction and the Y-axis direction is performed by using a pulse signal (for example, when the brightness changes from "bright" to "dark" to change the brightness of the interference fringes accompanying the movement of the XY stage 21).
This is performed by outputting one pulse when it changes to “bright” and counting the number of times this pulse signal is generated by a counter (not shown) of the main controller 31.

【００１９】この結果、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向
・Ｙ軸方向の移動量は、当該測定用のレーザ光の波長を
分割したものを基準単位とした数として表される。制御
部３０は、メインコントローラ（制御手段）３１と、該
メインコントローラ３１からの制御信号に基づいて前記
アクチュエータ２２に駆動信号を出力するステージコン
トローラ３２とからなる。As a result, the amount of movement of the XY stage 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction is expressed as a number obtained by dividing the wavelength of the laser beam for measurement into a reference unit. The control unit 30 includes a main controller (control means) 31 and a stage controller 32 that outputs a drive signal to the actuator 22 based on a control signal from the main controller 31.

【００２０】そして、メインコントローラ３１は、一方
で、Ｘ−Ｙステージ２１の移動量の制御、加工レーザ１
２によるレーザ光の発生タイミングの制御、加工用の光
学系１４によるレーザ強度／ビーム形状の調整、アライ
メント用の光学系１５の開閉制御等を行なう。又、他方
で、メインコントローラ３１は、光センサ１９からの信
号に基づいてアライメントレーザ１３から照射されたア
ライメント用レーザ光の回折光を検知し、この回折光を
解析することによって、アライメント用レーザ光が、目
標物（例えば、図３，図４に示す半導体ウェーハ１上の
アライメントマークＡ，Ｂ）に照射されているかを判断
する。On the other hand, the main controller 31 controls the moving amount of the XY stage 21 and the processing laser 1.
2 to control the generation timing of the laser light, adjust the laser intensity / beam shape by the processing optical system 14, and control the opening and closing of the alignment optical system 15. On the other hand, the main controller 31 detects the diffracted light of the alignment laser light emitted from the alignment laser 13 based on the signal from the optical sensor 19, and analyzes the diffracted light to obtain the alignment laser light. Is irradiated on the target (for example, the alignment marks A and B on the semiconductor wafer 1 shown in FIGS. 3 and 4).

【００２１】このメインコントローラ３１は、メモリ、
カウンタ（共に図示省略）等を有している。このうちカ
ウンタは、Ｘ軸・Ｙ軸用に各々設けられた干渉計２６
（１つのみ図示）から送られてくるパルス信号の発生回
数をカウントするもので、このカウント値がＸ−Ｙステ
ージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向の移動量を表すことにな
る。而して、このカウンタが、測定部として機能する。
又、前記メモリには、光加工物（半導体ウェーハ１）の
設計値が記憶されており、設計値データ記憶部として機
能する。The main controller 31 has a memory,
It has a counter (both not shown) and the like. The counters are interferometers 26 provided for the X axis and the Y axis, respectively.
It counts the number of times a pulse signal is sent from (only one is shown), and this count value indicates the amount of movement of the XY stage 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction. Thus, this counter functions as a measuring unit.
The memory stores design values of the optical workpiece (semiconductor wafer 1), and functions as a design value data storage unit.

【００２２】又、このメインコントローラ３１は、後述
のように、半導体ウェーハ１の設計値を、干渉計のレー
ザ光の波長を分割したものを基準単位とした座標にて表
す演算部としての機能、Ｘ−Ｙステージ２１上のＸ軸方
向・Ｙ軸方向と半導体ウェーハ１の設計値上のＸ軸方向
・Ｙ軸方向との回転誤差を検知する回転角度検知部とし
ての機能、更には、当該回転誤差を用いて設計値を補正
する補正部としての機能を有する。The main controller 31 has a function as an arithmetic unit that represents a design value of the semiconductor wafer 1 in coordinates using a division of the wavelength of the laser light of the interferometer as a reference unit, as described later. A function as a rotation angle detection unit for detecting a rotation error between the X-axis direction and the Y-axis direction on the XY stage 21 and the X-axis direction and the Y-axis direction on the design value of the semiconductor wafer 1, and further, the rotation It has a function as a correction unit that corrects a design value using an error.

【００２３】而して、メインコントローラ３１のメモリ
（図示省略）に記憶された半導体ウェーハ１の設計値デ
ータ（配線パターン、ダイシングライン上のマーク等の
設計値データ）の中から特定のパターンが、後述のアラ
イメントマーク（例えば、図３のＡ，Ｂ）として用いら
れる。次に、レーザ加工装置４０によるレーザ加工処理
の概略について、図２のフローチャートに基づいて説明
する。A specific pattern is selected from design value data (design value data such as wiring patterns and marks on dicing lines) of the semiconductor wafer 1 stored in a memory (not shown) of the main controller 31. It is used as an alignment mark (for example, A and B in FIG. 3) described later. Next, an outline of the laser processing performed by the laser processing apparatus 40 will be described based on the flowchart of FIG.

【００２４】レーザ加工処理は、Ｘ−Ｙステージ２１に
半導体ウェーハ１を搭載してそのアライメントを行なう
処理（ステップＳ１）、半導体ウェーハ１上のアライメ
ントマークＡ，Ｂ間の距離を測定用のレーザ光の波長を
分割したものを基準単位とした数によって計測すると共
に斯く計測した数と該アライメントマークＡ，Ｂ間の設
計値とを比較してこれらの関係を求める処理（ステップ
Ｓ２〜ステップＳ６）、上記求めた関係に従って実際に
レーザ加工を行なう処理（ステップＳ７〜ステップＳ１
１）とに分けられる。In the laser processing, the semiconductor wafer 1 is mounted on the XY stage 21 for alignment (step S1), and the distance between the alignment marks A and B on the semiconductor wafer 1 is measured by a laser beam. (Step S2 to Step S6) a process of measuring the number obtained by dividing the wavelength of the above as a reference unit and comparing the measured number with the design value between the alignment marks A and B to obtain these relationships; The process of actually performing the laser processing according to the obtained relationship (steps S7 to S1)
1).

【００２５】このレーザ加工処理が開始されると、先
ず、半導体ウェーハ１のＸ−Ｙステージ２１上への位置
合わせ（アライメント）が行われる（ステップＳ１）。
次いで、半導体ウェーハ１上のアライメントマークＡ近
傍にアライメントレーザ１３からのレーザ光が照射され
て（アライメント用レーザ光の走査）、このときの回折
光が光センサ１９によって検出され、この光センサ１９
からの信号に基づいて、メインコントローラ３１がアラ
イメントマークＡを検知する（ステップＳ２）。When the laser processing is started, first, the semiconductor wafer 1 is positioned (aligned) on the XY stage 21 (step S1).
Next, a laser beam from the alignment laser 13 is applied to the vicinity of the alignment mark A on the semiconductor wafer 1 (scanning of the alignment laser beam), and the diffracted light at this time is detected by the optical sensor 19.
The main controller 31 detects the alignment mark A on the basis of the signal from (step S2).

【００２６】アライメントマークＡがメインコントロー
ラ３１によって検知されたときには、Ｘ−Ｙステージ２
１の移動量（カウント値）がアライメントマークＡの位
置を表すものとして、メインコントローラ３１のメモリ
１に収納される（ステップＳ３）。ところで、干渉計２
６はＸ−Ｙステージ２１の移動量を、当該レーザ光の波
長を分割したものを基準単位として検出し続け、Ｘ軸方
向・Ｙ軸方向の移動量の増減（＋方向、又は−方向の移
動）を表すパルス信号をメインコントローラ３１に出力
し続け、このパルス信号に基づいて、メインコントロー
ラ３１のカウンタのカウント値が増減して、その移動量
が検知される。When the alignment mark A is detected by the main controller 31, the XY stage 2
The movement amount (count value) of 1 is stored in the memory 1 of the main controller 31 as representing the position of the alignment mark A (step S3). By the way, interferometer 2
Numeral 6 continues to detect the movement amount of the XY stage 21 with the wavelength of the laser beam divided as a reference unit, and to increase or decrease the movement amount in the X-axis direction / Y-axis direction (movement in the + direction or-direction). ) Is continuously output to the main controller 31. Based on this pulse signal, the count value of the counter of the main controller 31 increases and decreases, and the movement amount is detected.

【００２７】従って、上記したステップＳ３で記憶され
たアライメントマークＡの座標は、設計値上の座標（Ｘ
ａ，Ｙａ）ではなく、上記カウント値を用いた座標（Ｍ
ａ，Ｎａ）となる（図３参照）。続くステップＳ４で
は、半導体ウェーハ１上の他のアライメントマークＢ近
傍にアライメントレーザ１３からのレーザ光が照射され
て、このときの回折光が光センサ１９によって検出さ
れ、この光センサ１９からの信号に基づいて、メインコ
ントローラ３１がアライメントマークＢを検知する。Therefore, the coordinates of the alignment mark A stored in the above-described step S3 are the coordinates (X
a, Ya) instead of the coordinates (M
a, Na) (see FIG. 3). In the following step S4, a laser beam from the alignment laser 13 is applied to the vicinity of another alignment mark B on the semiconductor wafer 1, and the diffracted light at this time is detected by the optical sensor 19, and the signal from the optical sensor 19 is converted into a signal. Based on this, the main controller 31 detects the alignment mark B.

【００２８】このとき、Ｘ−Ｙステージ２１の移動量
（カウント値）がメインコントローラ３１のメモリ１に
収納される（ステップＳ５）。この場合にも、記憶され
る座標は、設計値の座標（Ｘｂ，Ｙｂ）ではなく、上記
カウント値を用いた座標（Ｍｂ，Ｎｂ）である（図３参
照）。次のステップＳ６では、上記メモリ１，２に収納
された各々のアライメントマークＡ，Ｂの座標（Ｍａ，
Ｎａ）、（Ｍｂ，Ｎｂ）の比較によってアライメントマ
ークＡとアライメントＢとの間の距離を表すカウント値
が求められる。図３に示す例では、アライメントマーク
ＡとアライメントマークＢとは、設計値の上では、Ｙ成
分が同一である。従って、アライメントマークＡ，Ｂ間
の距離の設計値は（Ｘｂ−Ｘａ）であり、このとき得ら
れるアライメントマークＡ，Ｂ間のカウント値は（Ｍｂ
−Ｍａ）となる。但し、ステップＳ１のアライメントに
おいて半導体ウェーハ１のＸ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−
Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向が完全に一致する
ことを条件とする。At this time, the moving amount (count value) of the XY stage 21 is stored in the memory 1 of the main controller 31 (step S5). Also in this case, the stored coordinates are not the design value coordinates (Xb, Yb) but the coordinates (Mb, Nb) using the count value (see FIG. 3). In the next step S6, the coordinates (Ma, Ma) of the respective alignment marks A, B stored in the memories 1, 2 are set.
By comparing Na) and (Mb, Nb), a count value representing the distance between alignment mark A and alignment B is obtained. In the example shown in FIG. 3, the alignment mark A and the alignment mark B have the same Y component in terms of design values. Therefore, the design value of the distance between the alignment marks A and B is (Xb-Xa), and the count value between the alignment marks A and B obtained at this time is (Mb
-Ma). However, in the alignment in step S1, the X-axis direction / Y-axis direction of the semiconductor wafer 1 and X-
The condition is that the X-axis direction and the Y-axis direction of the Y stage 21 completely match.

【００２９】このように得られた、２つのアライメント
マークＡ，Ｂ間の設計値上の距離（Ｘｂ−Ｘａ）と、こ
れらの距離を表すカウント値（Ｍｂ−Ｍａ）とを比較す
ることによって、これらの関係を求め、これを解析すれ
ば、半導体ウェーハ１の設計値上の座標（例えば、ミク
ロン単位で表される）を当該干渉計２６のレーザ光の波
長を分割したものを基準単位とした座標で表すことがで
きる。By comparing the thus obtained distance (Xb-Xa) between the two alignment marks A and B on the design value with the count value (Mb-Ma) representing these distances, When these relationships are obtained and analyzed, the coordinates of the design value of the semiconductor wafer 1 (for example, expressed in micron units) are obtained by dividing the wavelength of the laser beam of the interferometer 26 into reference units. It can be represented by coordinates.

【００３０】而して、半導体ウェーハ１の設計上、例え
ばミクロン単位の座標で表された、半導体ウェーハ１上
の各パターンの設計値を、上記求められた関係に従っ
て、測定用のレーザ光の波長を分割したものを基準単位
とした座標にて表すことができる。このように、半導体
ウェーハ１の設計値を、測定用のレーザ光の波長を分割
したものを基準単位とした座標にて表すことによって、
以下のような効果が得られる。In the design of the semiconductor wafer 1, the design value of each pattern on the semiconductor wafer 1, for example, expressed in coordinates in units of microns, is calculated according to the above-described relationship by the wavelength of the laser beam for measurement. Can be represented by coordinates using the divided unit as a reference unit. As described above, the design value of the semiconductor wafer 1 is represented by coordinates using the wavelength obtained by dividing the wavelength of the measurement laser beam as a reference unit.
The following effects can be obtained.

【００３１】即ち、レーザ加工装置４０では、Ｘ−Ｙス
テージ２１の実際の移動量が干渉計２６によって検出さ
れるが、その測定用のレーザ光は、気温、気圧等の使用
環境に応じてその波長が変化してしまう。この干渉計２
６を用いて、例えば、半導体ウェーハ１上のレーザ加工
位置Ｄ（図３）の設計値上の座標（Ｘｄ，Ｙｄ）への位
置合わせをしようとすれば、この変化した波長が、何ミ
クロンであるかを温度計、気圧計等を用いて予め算出し
なければならない。That is, in the laser processing apparatus 40, the actual movement amount of the XY stage 21 is detected by the interferometer 26, and the laser beam for the measurement is changed according to the use environment such as the temperature and the atmospheric pressure. The wavelength changes. This interferometer 2
For example, if it is attempted to align the laser processing position D (FIG. 3) on the semiconductor wafer 1 with the coordinates (Xd, Yd) on the design value using the wavelength 6, the changed wavelength is several microns. It must be calculated in advance using a thermometer, a barometer or the like.

【００３２】しかし、上記求められた関係に従って、レ
ーザ加工位置Ｄの設計値を、予め、測定用のレーザ光の
波長を分割したものを基準単位とした座標（Ｍｄ，Ｎ
ｄ）に変換しておけば、如何に使用環境によって波長が
変化しても、変化した波長を基準に、レーザ加工位置Ｄ
と対物レンズ１１の位置合わせが行われるため、波長の
変化がレーザ加工の妨げとならない。However, in accordance with the above obtained relationship, the design value of the laser processing position D is set in advance by using coordinates (Md, N
If converted to d), no matter how the wavelength changes depending on the usage environment, the laser processing position D will be determined based on the changed wavelength.
And the objective lens 11 are aligned, so that a change in wavelength does not hinder laser processing.

【００３３】続くステップＳ７からステップＳ１１で
は、上記ステップＳ６で求められた関係を用いたレーザ
加工が行われる。先ず、ステップＳ７では、メインコン
トローラのメモリから所望のレーザ加工位置Ｄの設計値
の座標（Ｘｄ，Ｙｄ）が読み込まれる。続くステップＳ
８では、上記読み込んだレーザ加工位置Ｄの座標（Ｘ
ｄ，Ｙｄ）が、上記求められた関係に従って、上記レー
ザ光の波長を分割したものを基準単位とした座標（Ｍ
ｄ，Ｎｄ）に変換して表される。In the following steps S7 to S11, laser processing is performed using the relationship obtained in step S6. First, in step S7, the coordinates (Xd, Yd) of the design value of the desired laser processing position D are read from the memory of the main controller. Subsequent step S
8, the coordinates of the read laser processing position D (X
d, Yd) is a coordinate (M) in which the wavelength of the laser beam is divided according to the obtained relation and the wavelength is divided as a reference unit.
d, Nd).

【００３４】次のステップＳ９では、上記ステップＳ８
で変換されたレーザ加工位置Ｄの座標（Ｍｄ，Ｎｄ）
と、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向への移動
量のカウント値が一致するまで、当該Ｘ−Ｙステージ２
１の移動が行われる。この移動により、対物レンズ１１
の先端部１１Ａが、半導体ウェーハ１のレーザ加工位置
Ｄに合わされ、加工レーザ１２からの加工用レーザ光の
光軸Ｌが、精度よくレーザ加工位置Ｄに合わされる。In the next step S9, the above-mentioned step S8
(Md, Nd) of the laser processing position D converted by
Until the count values of the movement amounts of the XY stage 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction match with each other.
1 is performed. This movement causes the objective lens 11
Is aligned with the laser processing position D of the semiconductor wafer 1, and the optical axis L of the processing laser light from the processing laser 12 is precisely aligned with the laser processing position D.

【００３５】次のステップＳ１０では、この状態で、加
工レーザ１２から加工用レーザ光が照射されて、レーザ
加工が行われる。次のステップＳ１１では、引き続きレ
ーザ加工処理を行なうか否かの判別が行われる。この判
別結果が“YES”のときには、ステップＳ７に戻って、
他のレーザ加工位置に対するレーザ加工が行われる。In the next step S10, a processing laser beam is emitted from the processing laser 12 in this state, and laser processing is performed. In the next step S11, it is determined whether or not to continue the laser processing. When the result of this determination is "YES", the flow returns to step S7 and
Laser processing is performed on other laser processing positions.

【００３６】一方、ステップＳ１１の判別結果が“NO”
のときには、そのままレーザ加工処理が終了する。図４
は、ステップＳ１の半導体ウェーハ１の位置合わせ（ア
ライメント）によっても、依然、半導体ウェーハ１上の
Ｘ軸方向・Ｙ軸方向と、Ｘ−Ｙステージ２１上のＸ軸方
向・Ｙ軸方向との間に回転誤差Δθ（残留ローティショ
ン）がある場合の当該回転誤差Δθの修正手順を示す説
明図である。On the other hand, the determination result of step S11 is "NO"
In this case, the laser processing ends. FIG.
Is still between the X-axis direction and the Y-axis direction on the semiconductor wafer 1 and the X-axis direction and the Y-axis direction on the XY stage 21 by the alignment (alignment) of the semiconductor wafer 1 in step S1. FIG. 9 is an explanatory diagram showing a procedure for correcting the rotation error Δθ when the rotation error Δθ (residual rotation) exists in the rotation error Δθ.

【００３７】一般的に、半導体ウェーハ１をＸ−Ｙステ
ージ２１上に搭載する際には、Ｙ成分が等しい２つのア
ライメントマーク（例えば、アライメントマークＡ，
Ｂ）の認識が行われる。この場合、アライメントマーク
Ａ，Ｂは、設計値上は、Ｙ軸方向の成分に関しては、差
がないはずである。Generally, when the semiconductor wafer 1 is mounted on the XY stage 21, two alignment marks having the same Y component (for example, alignment marks A,
Recognition of B) is performed. In this case, there should be no difference between the alignment marks A and B with respect to the component in the Y-axis direction according to the design value.

【００３８】従って、上記認識された２つの座標（Ｘ
ａ，Ｙａ），（Ｘｂ，Ｙｂ）のＹ成分に差ΔＹ1があれ
ば、回転誤差Δθが生じていると判断できる。そして、
この差ΔＹ1を検知すれば、Ｘ軸方向の距離（Ｘｂ−Ｘ
ａ）との関係で、半導体ウェーハ１のＸ軸方向・Ｙ軸方
向が、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向に対し
てどの程度の回転誤差Δθが生じているかが分かる。Therefore, the two coordinates (X
If there is a difference ΔY1 in the Y components of (a, Ya) and (Xb, Yb), it can be determined that a rotation error Δθ has occurred. And
If this difference ΔY1 is detected, the distance in the X-axis direction (Xb−X
From the relationship with (a), it can be understood how much rotation error Δθ occurs in the X-axis direction and the Y-axis direction of the semiconductor wafer 1 with respect to the X-axis direction and the Y-axis direction of the XY stage 21.

【００３９】通常、この回転誤差Δθは、Ｘ−Ｙステー
ジ２１に設けられた回転調整部（図示省略）によって当
該Ｘ−Ｙステージ２１を回転調整することにより、修正
される。しかし、この回転誤差Δθが、当該回転調整部
で取りきれなく残った回転誤差（残留ローティション）
があるときは、半導体ウェーハ１のＸ軸方向・Ｙ軸方向
を、Ｘ−Ｙステージ２１のＸ軸方向・Ｙ軸方向に一致さ
せることができない。Usually, the rotation error Δθ is corrected by adjusting the rotation of the XY stage 21 by a rotation adjusting unit (not shown) provided on the XY stage 21. However, this rotation error Δθ is a rotation error (remaining rotation) that cannot be completely removed by the rotation adjustment unit.
When there is, the X-axis direction and the Y-axis direction of the semiconductor wafer 1 cannot be matched with the X-axis direction and the Y-axis direction of the XY stage 21.

【００４０】そこで、図４に示すように、アライメント
マークＡとアライメントマークＢのＹ軸方向の差ΔＹ1
を検知し、このΔＹ1と２つのアライメントマークＡ，
Ｂ間のＸ成分の差（Ｘｂ−Ｘａ）とに基づいて回転誤差
Δθ（残留ローティション）を三角関数を用いて求めて
算出及び記憶し、この回転誤差Δθを、レーザ加工位置
Ｄの位置合わせ時に修正値として用いる。これによっ
て、更に精度の高い、レーザ加工位置Ｄへの加工用レー
ザ光の光軸Ｌの位置合わせが可能になる。Therefore, as shown in FIG. 4, the difference ΔY 1 between the alignment mark A and the alignment mark B in the Y-axis direction is obtained.
Is detected, and this ΔY1 and two alignment marks A,
A rotation error Δθ (residual rotation) is calculated using a trigonometric function based on the X component difference (Xb−Xa) between B and calculated and stored, and the rotation error Δθ is aligned with the laser processing position D. Sometimes used as a correction value. As a result, the optical axis L of the processing laser beam can be more precisely aligned with the laser processing position D.

【００４１】この場合にも、アライメントマークＡ，Ｂ
を、干渉計２６の測定用のレーザ光の波長を分割したも
のを基準単位とした座標（Ｍａ，Ｎａ），（Ｍｂ，Ｎ
ｂ）として求めることによって、この回転誤差Δθを、
更に精度よく算出することができる。図５は、本実施形
態の変形例に係るレーザ加工装置６０のブロック図であ
る。Also in this case, the alignment marks A and B
Are defined as coordinates (Ma, Na), (Mb, N) using the wavelength of the laser beam for measurement of the interferometer 26 as a reference unit.
b), the rotation error Δθ is calculated as
It can be calculated more accurately. FIG. 5 is a block diagram of a laser processing device 60 according to a modification of the present embodiment.

【００４２】この変形例に係るレーザ加工装置６０で
は、レーザ光照射部５０に、アライメントマークＡ，Ｂ
を検出する検出手段として、ＣＣＤ５５、画像ユニット
５３、光源５７を用いている。尚、図１に示すレーザ加
工装置４０と同一の機能を有する部材については、同一
の符号を付し、その説明を省略する。In the laser processing apparatus 60 according to this modification, the alignment marks A, B
The CCD 55, the image unit 53, and the light source 57 are used as the detecting means for detecting the light. Members having the same functions as those of the laser processing apparatus 40 shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【００４３】このようにアライメントマークＡ，Ｂを、
ＣＣＤ５５を用いて検知するタイプのレーザ加工装置６
０においても、アライメントマークＡ，Ｂ間の距離を、
干渉計２６の測定用のレーザ光の波長を分割したものを
基準単位とした数（カウント値）にて表し、このカウン
ト値と、設計値とを比較して、これらの関係が求められ
る。As described above, the alignment marks A and B are
Laser processing device 6 of the type that detects using CCD 55
0, the distance between the alignment marks A and B is
The wavelength of the laser light for measurement of the interferometer 26 is represented by a number (count value) in which a wavelength is divided into a reference unit, and the relationship between the count value and the design value is determined.

【００４４】そして、斯く求められた関係に従って、レ
ーザ加工位置Ｄの設計上の座標（Ｘｄ，Ｙｄ）を当該波
長を分割したものを基準単位とした座標（Ｍｄ，Ｎｄ）
に変換することによって、Ｘ−Ｙステージ２１上のレー
ザ加工位置Ｄと加工用レーザ光の光軸Ｌの位置合わせが
精度よく行われる。Then, according to the relationship thus obtained, the design coordinates (Xd, Yd) of the laser processing position D are converted to coordinates (Md, Nd) using the division of the wavelength as a reference unit.
By this conversion, the laser processing position D on the XY stage 21 and the optical axis L of the processing laser light are accurately aligned.

【００４５】[0045]

【発明の効果】以上説明した請求項１の発明によれば、
干渉計の使用環境を検知する手段を別途設けることな
く、これら使用環境による影響を受けずに、加工位置と
加工用レーザ光の光軸の精度の高い位置合わせが可能に
なる。According to the first aspect of the present invention described above,
Without separately providing a means for detecting the environment in which the interferometer is used, the processing position and the optical axis of the processing laser beam can be aligned with high accuracy without being affected by the usage environment.

【００４６】又、請求項２又は請求項３の発明によれ
ば、被加工物のＸ−Ｙステージ上への位置合わせに回転
誤差が生じていた場合でも、当該回転誤差の修正が精度
よく行なわれ、レーザ加工位置と、加工用レーザ光の光
軸の位置合わせの精度が向上する。According to the second or third aspect of the present invention, even when a rotation error occurs in the positioning of the workpiece on the XY stage, the rotation error can be accurately corrected. As a result, the accuracy of alignment between the laser processing position and the optical axis of the processing laser light is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本実施形態のレーザ加工装置４０の全体構成図
である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a laser processing apparatus 40 of the present embodiment.

【図２】レーザ加工装置４０によるレーザ加工処理を示
すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating a laser processing process performed by the laser processing apparatus 40.

【図３】半導体ウェーハ１上のアライメントマークＡ，
Ｂを示す説明図である。FIG. 3 shows an alignment mark A on the semiconductor wafer 1;
It is explanatory drawing which shows B.

【図４】半導体ウェーハ１の回転誤差Δθを示す説明図
である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a rotation error Δθ of the semiconductor wafer 1;

【図５】変形例に係るレーザ加工装置６０の全体構成図
である。FIG. 5 is an overall configuration diagram of a laser processing device 60 according to a modification.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 半導体ウェーハ １１ 対物レンズ １２ 加工レーザ １３ アライメントレーザ ２１ Ｘ−Ｙステージ ２６ 干渉計 ３１ メインコントローラ（制御手段） Ａ、Ｂ アライメントマーク Δθ 回転誤差（残留ローティション） Reference Signs List 1 semiconductor wafer 11 objective lens 12 processing laser 13 alignment laser 21 XY stage 26 interferometer 31 main controller (control means) A, B alignment mark Δθ rotation error (residual rotation)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 加工用レーザ光を発生させる加工レーザ
と、 アライメントマークを検出する検出手段と、 被加工物が搭載されるステージと、 前記ステージを前記加工レーザに対して移動させる移動
手段と、 前記ステージの移動量をレーザ光の波長を分割したもの
を基準単位とした数にて計測する干渉計と、 前記移動手段による前記ステージの移動量を制御すると
共に所望のレーザ加工位置に前記加工用レーザ光を照射
する制御手段とを備えたレーザ加工装置において、 前記制御手段は、 前記被加工物上の少なくとも２つのアライメントマーク
の位置を示す設計値を記憶する設計値データ記憶部と、 前記検出手段が前記少なくとも２つのアライメントマー
クの一方を検知したときの干渉計の計測値と、他方を検
知したときの干渉計の計測値とを比較して、当該２つの
アライメントマーク間の距離を干渉計に用いられている
レーザ光の波長を分割したものを基準単位とした数にて
求める測定部と、 前記求められた数と前記少なくとも２つのアライメント
マーク間の距離の設計値とに基づいて、所望のレーザ加
工位置を、前記レーザ光の波長を分割したものを基準単
位とした数を用いた座標で表す演算部とを有し、 該制御手段は前記座標に基づいて前記ステージの移動量
の制御を行うようにされてなることを特徴とするレーザ
加工装置。1. A processing laser for generating a processing laser beam, a detecting means for detecting an alignment mark, a stage on which a workpiece is mounted, a moving means for moving the stage with respect to the processing laser, An interferometer that measures the amount of movement of the stage by using a number obtained by dividing the wavelength of the laser beam as a reference unit, and controls the amount of movement of the stage by the moving means and moves the laser beam to a desired laser processing position. A laser processing apparatus comprising: a control unit configured to irradiate a laser beam; wherein the control unit stores a design value indicating a position of at least two alignment marks on the workpiece; An interferometer measurement when the means detects one of the at least two alignment marks, and an interferometer measurement when the other is detected Comparing the distance between the two alignment marks, a measuring unit that obtains the number obtained by dividing the wavelength of the laser light used in the interferometer into a reference unit, the obtained number and the at least A calculation unit that represents a desired laser processing position by coordinates using a number obtained by dividing a wavelength of the laser light as a reference unit, based on a design value of a distance between two alignment marks, The laser processing apparatus, wherein the control means controls the amount of movement of the stage based on the coordinates. 【請求項２】 前記ステージは、Ｘ−Ｙステージであ
り、 前記制御手段は、前記被加工物の設計値上のＸ軸方向・
Ｙ軸方向とＸ−ＹステージのＸ軸方向・Ｙ軸方向との相
対的な回転量を検知する回転角度検知部と、 該回転角度検知手段により検知された回転量に基づい
て、前記レーザ光の波長を分割したものを基準単位とし
た数にて表された前記少なくとも２つのアライメントマ
ーク間の距離を補正する補正部とを具えてなることを特
徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the stage is an XY stage, and the control unit is configured to control an X-axis direction on a design value of the workpiece.
A rotation angle detection unit that detects a relative rotation amount between the Y-axis direction and the X-axis direction and the Y-axis direction of the XY stage; and the laser light based on the rotation amount detected by the rotation angle detection unit. 2. The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising: a correction unit configured to correct a distance between the at least two alignment marks expressed by a number obtained by dividing a wavelength of the at least two alignment marks into a reference unit. . 【請求項３】 前記回転角度検知部は、前記測定部によ
って求められた前記少なくとも２つのアライメントマー
ク間のＸ軸方向、Ｙ軸方向の距離と、これらの設計値と
に基づいて前記回転量を検知することを特徴とする請求
項２に記載のレーザ加工装置。3. The rotation angle detection unit detects the rotation amount based on a distance between the at least two alignment marks in the X-axis direction and the Y-axis direction obtained by the measurement unit and a design value thereof. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the detection is performed.
JP8225059A 1996-08-27 1996-08-27 Laser beam machine Pending JPH1058173A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8225059A JPH1058173A (en) 1996-08-27 1996-08-27 Laser beam machine

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8225059A JPH1058173A (en) 1996-08-27 1996-08-27 Laser beam machine

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1058173A true JPH1058173A (en) 1998-03-03

Family

ID=16823404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8225059A Pending JPH1058173A (en) 1996-08-27 1996-08-27 Laser beam machine

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1058173A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008501526A (en) * 2004-06-03 2008-01-24 オーツェー エルリコン バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト Table containing workpiece and method for processing workpiece on the table
US7834293B2 (en) * 2006-05-02 2010-11-16 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing
US8110775B2 (en) * 2004-06-18 2012-02-07 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing
KR20190038029A (en) * 2017-09-29 2019-04-08 변은봉 Laser machining process automation system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008501526A (en) * 2004-06-03 2008-01-24 オーツェー エルリコン バルツェルス アクチェンゲゼルシャフト Table containing workpiece and method for processing workpiece on the table
JP4899062B2 (en) * 2004-06-03 2012-03-21 エルリコン ソーラー アクチェンゲゼルシャフト，トリューブバハ Table containing workpiece and method for processing workpiece on the table
US8110775B2 (en) * 2004-06-18 2012-02-07 Electro Scientific Industries, Inc. Systems and methods for distinguishing reflections of multiple laser beams for calibration for semiconductor structure processing
US7834293B2 (en) * 2006-05-02 2010-11-16 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing
KR20190038029A (en) * 2017-09-29 2019-04-08 변은봉 Laser machining process automation system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03233925A (en) Automatic focus adjustment and control apparatus
KR102364166B1 (en) Apparatus for automatically correcting the position of laser scanning system
US4744662A (en) Apparatus for measuring dimensions of micropattern
US9718146B2 (en) System and method for calibrating laser processing machines
JPH1058173A (en) Laser beam machine
JPH1097083A (en) Projection aligner and its method
JPH1058175A (en) Calibration method for optical axis of laser beam machine
JPH1058174A (en) Laser beam machine
JPH04208515A (en) Electron-beam drawing device and method, and measuring device for height of sample thereof
JP2002090682A (en) Galvanometer, position-correcting method for the galvanometer, laser beam machining apparatus using the galvanometer, and laser beam machining method using the galvanometer
JP3316830B2 (en) Exposure method and apparatus
KR100670072B1 (en) Reticle focus measurement system and method using multiple interferometric beams
US7852033B2 (en) Driving control apparatus and method, and exposure apparatus
JPS62140418A (en) Position detector of surface
KR20190122515A (en) Apparatus for automatically correcting the position of laser scanning system
JP2019152685A (en) Exposure device, exposure method, and article manufacturing method
JPH0432219A (en) Alignment method
US20220244651A1 (en) Apparatus and method for measuring substrate height
JP3237022B2 (en) Projection exposure equipment
JPS623280A (en) Diffraction grating exposure device
JPH01289592A (en) Laser beam machine
JPH04106550A (en) Projection exposing device and method
JPH08115874A (en) Adjusting method for position deviation measuring optical system and position deviation measuring apparatus
CN118068514A (en) Focusing method for measuring or detecting equipment and measuring or detecting method
JPH0320062B2 (en)