JPH1055770A - フラットディスプレイスクリーンおよびその製造プロセス - Google Patents
フラットディスプレイスクリーンおよびその製造プロセスInfo
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- JPH1055770A JPH1055770A JP9100127A JP10012797A JPH1055770A JP H1055770 A JPH1055770 A JP H1055770A JP 9100127 A JP9100127 A JP 9100127A JP 10012797 A JP10012797 A JP 10012797A JP H1055770 A JPH1055770 A JP H1055770A
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- screen
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/88—Vessels; Containers; Vacuum locks provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
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-
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- H01J2201/30—Cold cathodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロチップの放出出力が実質的に一定に
されたフラットディスプレイスクリーンを提供する。 【解決手段】 フラットディスプレイスクリーンは、蛍
光エレメント（７）を有するアノード（５）を電子ボン
バードするためのマイクロチップを備えたカソード
（１）を含み、アノード（５）およびカソード（１）は
真空スペースによって隔てられ、水素化材料の薄膜を含
む漸進的水素放出源を含む。
されたフラットディスプレイスクリーンを提供する。 【解決手段】 フラットディスプレイスクリーンは、蛍
光エレメント（７）を有するアノード（５）を電子ボン
バードするためのマイクロチップを備えたカソード
（１）を含み、アノード（５）およびカソード（１）は
真空スペースによって隔てられ、水素化材料の薄膜を含
む漸進的水素放出源を含む。
Description
【０００１】
【発明の分野】この発明はフラットディスプレイスクリ
ーンに関し、特に、いわゆるカソードルミネセンススク
リーンであって、そのアノードがルミネセンス素子を担
持し、ルミネセンス素子が絶縁領域によって互いに隔て
られ、かつマイクロチップ（microtips ）からの電子ボ
ンバードによって付勢され得るものに関する。
ーンに関し、特に、いわゆるカソードルミネセンススク
リーンであって、そのアノードがルミネセンス素子を担
持し、ルミネセンス素子が絶縁領域によって互いに隔て
られ、かつマイクロチップ（microtips ）からの電子ボ
ンバードによって付勢され得るものに関する。
【０００２】
【関連技術の説明】添付の図面は、この発明が関係する
型のフラットマイクロチップカラースクリーンの一例を
示す。
型のフラットマイクロチップカラースクリーンの一例を
示す。
【０００３】このようなマイクロチップスクリーンは本
質的に、マイクロチップ２を有するカソード１と、マイ
クロチップ２の場所に対応する孔４を備えたグリッド３
とを含む。カソード１はカソードルミネセンスアノード
５と対面して置かれ、そのガラス基板６がスクリーン表
面を構成する。
質的に、マイクロチップ２を有するカソード１と、マイ
クロチップ２の場所に対応する孔４を備えたグリッド３
とを含む。カソード１はカソードルミネセンスアノード
５と対面して置かれ、そのガラス基板６がスクリーン表
面を構成する。
【０００４】マイクロチップスクリーンの動作原理およ
び特定的な実施例は特に、原子エネルギ庁（Commissari
at a l'Energie Atomique ）の米国特許番号第４９４０
９１６号に記載されている。
び特定的な実施例は特に、原子エネルギ庁（Commissari
at a l'Energie Atomique ）の米国特許番号第４９４０
９１６号に記載されている。
【０００５】カソード１は複数列に構成され、かつガラ
ス基板１０上にあり、導通層からメッシュに構成された
カソード導体からなる。マイクロチップ２はカソード導
体上に置かれた抵抗層１１上に実現され、かつカソード
導体によって規定されるメッシュの内部に置かれる。図
面はメッシュの内部を部分的に示し、カソード導体はそ
の中には示されていない。カソード１は複数行に構成さ
れるグリッド３と関連する。グリッド３の行とカソード
１の列との交差部がピクセルを規定する。
ス基板１０上にあり、導通層からメッシュに構成された
カソード導体からなる。マイクロチップ２はカソード導
体上に置かれた抵抗層１１上に実現され、かつカソード
導体によって規定されるメッシュの内部に置かれる。図
面はメッシュの内部を部分的に示し、カソード導体はそ
の中には示されていない。カソード１は複数行に構成さ
れるグリッド３と関連する。グリッド３の行とカソード
１の列との交差部がピクセルを規定する。
【０００６】この装置はカソード１とグリッド３との間
に発生する電界を用いてマイクロチップ２から電子を引
出す。その後これらの電子は、適切にバイアスされれば
アノード５の蛍光エレメント７に引きつけられる。カラ
ースクリーンの場合には、アノード５は各々が（赤、緑
および青の）カラーに対応する交互の蛍光バンド７ｒ、
７ｇおよび７ｂを備える。バンドはカソードの列に平行
に、かつ一般的にはシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）である
絶縁体８によって互いに間隔をおいて配置される。蛍光
体７は電極９上に置かれ、この電極９はインジウム酸化
錫（ＩＴＯ）などの透明導通層の、対応するバンドを含
む。赤、緑および青のバンドの組はカソード１に対して
交互にバイアスされ、それによりカソード／グリッドの
ピクセルのマイクロチップ２から引出された電子は各々
のカラーに対面する蛍光体７の方に向けて交互に方向づ
けられる。
に発生する電界を用いてマイクロチップ２から電子を引
出す。その後これらの電子は、適切にバイアスされれば
アノード５の蛍光エレメント７に引きつけられる。カラ
ースクリーンの場合には、アノード５は各々が（赤、緑
および青の）カラーに対応する交互の蛍光バンド７ｒ、
７ｇおよび７ｂを備える。バンドはカソードの列に平行
に、かつ一般的にはシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）である
絶縁体８によって互いに間隔をおいて配置される。蛍光
体７は電極９上に置かれ、この電極９はインジウム酸化
錫（ＩＴＯ）などの透明導通層の、対応するバンドを含
む。赤、緑および青のバンドの組はカソード１に対して
交互にバイアスされ、それによりカソード／グリッドの
ピクセルのマイクロチップ２から引出された電子は各々
のカラーに対面する蛍光体７の方に向けて交互に方向づ
けられる。
【０００７】カソード１のマイクロチップからの電子に
よってボンバードされる蛍光体７（図の蛍光体７ｇ）を
選択的に制御することにより、アノード５の蛍光体７の
バイアスがカラーごとに選択的に制御される。
よってボンバードされる蛍光体７（図の蛍光体７ｇ）を
選択的に制御することにより、アノード５の蛍光体７の
バイアスがカラーごとに選択的に制御される。
【０００８】グリッド３の行は一般的に、約８０ボルト
の電位でシーケンシャルにバイアスされ、付勢される蛍
光バンド（たとえば７ｇ）は、蛍光体が上に置かれるＩ
ＴＯバンドによって約４００ボルトの電圧でバイアスさ
れる。（たとえば７ｒおよび７ｂの）他の蛍光バンドを
担持するＩＴＯバンドは低電位であるか、または０の電
位である。カソード１の列は（たとえばそれぞれ０ボル
トおよび３０ボルトである）最大発光電位と０の放出電
位との間にあるそれぞれの電位にされる。このように、
一列のピクセルの各々のカラー成分の明るさが設定され
る。
の電位でシーケンシャルにバイアスされ、付勢される蛍
光バンド（たとえば７ｇ）は、蛍光体が上に置かれるＩ
ＴＯバンドによって約４００ボルトの電圧でバイアスさ
れる。（たとえば７ｒおよび７ｂの）他の蛍光バンドを
担持するＩＴＯバンドは低電位であるか、または０の電
位である。カソード１の列は（たとえばそれぞれ０ボル
トおよび３０ボルトである）最大発光電位と０の放出電
位との間にあるそれぞれの電位にされる。このように、
一列のピクセルの各々のカラー成分の明るさが設定され
る。
【０００９】バイアス電位の値は、蛍光体７およびマイ
クロチップ２の特性と関連して選択される。従来、カソ
ードとグリッドとの間の電位差が５０ボルトよりも小さ
ければ電子放出はなく、用いられる最大放出は８０ボル
トの電位差に対応する。
クロチップ２の特性と関連して選択される。従来、カソ
ードとグリッドとの間の電位差が５０ボルトよりも小さ
ければ電子放出はなく、用いられる最大放出は８０ボル
トの電位差に対応する。
【００１０】従来のスクリーンの欠点は、マイクロチッ
プがそれらの放出出力を漸進的に損失するという点であ
る。この現象はカソード導体を通る電流の測定によって
認められる。この結果、スクリーンの明るさは漸進的に
低減して、従来のスクリーンの寿命に悪影響を及ぼす。
プがそれらの放出出力を漸進的に損失するという点であ
る。この現象はカソード導体を通る電流の測定によって
認められる。この結果、スクリーンの明るさは漸進的に
低減して、従来のスクリーンの寿命に悪影響を及ぼす。
【００１１】
【発明の概要】この発明の目的は、マイクロチップの放
出出力を実質的に一定にすることによってこの欠点を克
服することである。
出出力を実質的に一定にすることによってこの欠点を克
服することである。
【００１２】この発明の目的はさらに、スクリーンに、
マイクロチップの放出出力を自動的に調整する機能を提
供することである。
マイクロチップの放出出力を自動的に調整する機能を提
供することである。
【００１３】この発明の目的はさらに、スクリーン構造
かまたはスクリーン制御手段かのいずれかを修正するこ
となく、そのマイクロチップの放出出力が実質的に一定
であるスクリーンを実現するための方法を提供すること
である。
かまたはスクリーン制御手段かのいずれかを修正するこ
となく、そのマイクロチップの放出出力が実質的に一定
であるスクリーンを実現するための方法を提供すること
である。
【００１４】これらの目的を達成するためにこの発明
は、フラットディスプレイスクリーンであって、蛍光エ
レメントを有するアノードを電子ボンバードするための
マイクロチップを備えたカソードを含み、アノードとカ
ソードとが真空スペースによって隔てられ、水素化材料
の薄膜を備えた漸進的水素放出源を含むものを提供す
る。
は、フラットディスプレイスクリーンであって、蛍光エ
レメントを有するアノードを電子ボンバードするための
マイクロチップを備えたカソードを含み、アノードとカ
ソードとが真空スペースによって隔てられ、水素化材料
の薄膜を備えた漸進的水素放出源を含むものを提供す
る。
【００１５】この発明の実施例によると、水素源は、そ
の上にマイクロチップが配置されるカソードの抵抗層を
含む。
の上にマイクロチップが配置されるカソードの抵抗層を
含む。
【００１６】この発明の実施例によると、水素源はアノ
ードと蛍光エレメントのバンドとを隔てる絶縁バンドを
含む。
ードと蛍光エレメントのバンドとを隔てる絶縁バンドを
含む。
【００１７】この発明の実施例によると、水素源は蛍光
体を担持するアノードの活性領域の周囲に実現され、水
素源を付勢するための源は水素源に対面するカソード側
に実現される。
体を担持するアノードの活性領域の周囲に実現され、水
素源を付勢するための源は水素源に対面するカソード側
に実現される。
【００１８】この発明はさらに、フラットディスプレイ
スクリーンを製造するためのプロセスであって、スクリ
ーンの内部に形成された少なくとも１つの導通層を水素
化するためのステップを含むものを提供する。
スクリーンを製造するためのプロセスであって、スクリ
ーンの内部に形成された少なくとも１つの導通層を水素
化するためのステップを含むものを提供する。
【００１９】この発明の実施例によると、水素化層は少
なくとも１つの水素強化前駆体からのプラズマ強化化学
蒸着によって得られる。
なくとも１つの水素強化前駆体からのプラズマ強化化学
蒸着によって得られる。
【００２０】
【詳細な説明】この発明は、従来のスクリーンにおい
て、上記の問題を生み出す現象を解釈することから始ま
った。
て、上記の問題を生み出す現象を解釈することから始ま
った。
【００２１】発明者は、これらの問題は特にカソードマ
イクロチップの酸化が原因であると考えている。
イクロチップの酸化が原因であると考えている。
【００２２】マイクロチップスクリーンにおいてアノー
ドの表面層は化学的観点から見ると酸化物であり、蛍光
体７または絶縁体８である。逆に、カソード側ではマイ
クロチップは一般的には金属であり、たとえばモリブデ
ン（Ｍｏ）である。
ドの表面層は化学的観点から見ると酸化物であり、蛍光
体７または絶縁体８である。逆に、カソード側ではマイ
クロチップは一般的には金属であり、たとえばモリブデ
ン（Ｍｏ）である。
【００２３】酸化層は電子ボンバードによって還元しや
すい。すなわちこの電子ボンバードとは、マイクロチッ
プの表面を酸化させる酸素を放出して、その後マイクロ
チップが放出出力を損失することである。
すい。すなわちこの電子ボンバードとは、マイクロチッ
プの表面を酸化させる酸素を放出して、その後マイクロ
チップが放出出力を損失することである。
【００２４】この分析に基づいて、この発明はスクリー
ンの電極間ギャップに水素の分圧を導入することによっ
て、このカソードマイクロチップの酸化現象を調整する
ようにする。
ンの電極間ギャップに水素の分圧を導入することによっ
て、このカソードマイクロチップの酸化現象を調整する
ようにする。
【００２５】動作モードにおけるマイクロチップスクリ
ーンでは、最も負の電位は金属カソード材料の電位であ
るため、イオンＨ+ またはＨ2 + がマイクロチップに引
きつけられてマイクロチップが酸化する際にそれらを還
元させる。逆に、これらのイオンＨ+ またはＨ2 + はア
ノードによって撃退され、蛍光体に損傷をもたらすおそ
れはない。
ーンでは、最も負の電位は金属カソード材料の電位であ
るため、イオンＨ+ またはＨ2 + がマイクロチップに引
きつけられてマイクロチップが酸化する際にそれらを還
元させる。逆に、これらのイオンＨ+ またはＨ2 + はア
ノードによって撃退され、蛍光体に損傷をもたらすおそ
れはない。
【００２６】その後、一般的には「ゲッタ」と呼ばれる
不純物トラップエレメントであって、電極ギャップと連
通するものによって、イオンＨ+ またはＨ2 + の再結合
によって形成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）がトラップされ
る。
不純物トラップエレメントであって、電極ギャップと連
通するものによって、イオンＨ+ またはＨ2 + の再結合
によって形成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）がトラップされ
る。
【００２７】実際に、マイクロチップスクリーンには一
般的には、ゲッタであって、真空と接触するスクリーン
層のガス抜きによってもたらされるさまざまな汚染物質
を吸収する機能を有するものが設けられている。しかし
従来のスクリーンでは、このゲッタは蛍光体７および絶
縁層８によってガス抜きされた酸素をうまく効率的にト
ラップできない。これは、ガス抜きは本質的には正イオ
ンの形（Ｏ2 + ）で行なわれ、この正イオンはゲッタに
よってトラップされ得る前にマイクロチップに引きつけ
られるからである。
般的には、ゲッタであって、真空と接触するスクリーン
層のガス抜きによってもたらされるさまざまな汚染物質
を吸収する機能を有するものが設けられている。しかし
従来のスクリーンでは、このゲッタは蛍光体７および絶
縁層８によってガス抜きされた酸素をうまく効率的にト
ラップできない。これは、ガス抜きは本質的には正イオ
ンの形（Ｏ2 + ）で行なわれ、この正イオンはゲッタに
よってトラップされ得る前にマイクロチップに引きつけ
られるからである。
【００２８】逆にいうと、水素イオンによる酸素の還元
によって得られる水蒸気により中性分子が構成され、こ
の中性分子はマイクロチップには引きつけられず、ゲッ
タによってトラップされ得る。
によって得られる水蒸気により中性分子が構成され、こ
の中性分子はマイクロチップには引きつけられず、ゲッ
タによってトラップされ得る。
【００２９】しかしながら、スクリーン動作を損なわな
いようにするためには水素の分圧は高すぎてはならな
い。
いようにするためには水素の分圧は高すぎてはならな
い。
【００３０】実際、マイクロチップの近くに水素がある
と、マイクロチップの近くに水素のマイクロプラズマが
形成する。スクリーン動作の妨げにならないようにする
ためにはこのプラズマは十分に低い圧力のままでチップ
（tips）のまわりになければならない。特に、もしこの
プラズマが生長すると、スクリーンのアノードとカソー
ドとの間にアークが起こるおそれがある。
と、マイクロチップの近くに水素のマイクロプラズマが
形成する。スクリーン動作の妨げにならないようにする
ためにはこのプラズマは十分に低い圧力のままでチップ
（tips）のまわりになければならない。特に、もしこの
プラズマが生長すると、スクリーンのアノードとカソー
ドとの間にアークが起こるおそれがある。
【００３１】水素の分圧は、この発明によって、電極間
の距離およびスクリーンの真空の質、特に、酸化種全体
の分圧に従って、選択される。
の距離およびスクリーンの真空の質、特に、酸化種全体
の分圧に従って、選択される。
【００３２】特定的な例としては、５．１０-4ミリバー
ル（５．１０-2Ｐａ）の水素の分圧は約０．２ｍｍの電
極間の距離の限界圧力である。
ル（５．１０-2Ｐａ）の水素の分圧は約０．２ｍｍの電
極間の距離の限界圧力である。
【００３３】しかしながら水素分圧は、水素が消費さ
れ、かつゲッタにトラップされても、選択されたレベル
に維持されなければならない。
れ、かつゲッタにトラップされても、選択されたレベル
に維持されなければならない。
【００３４】この発明の特性は、水素源であって、スク
リーンの動作、すなわちアノードからの酸化種のガス抜
きとともにＨ+ のイオンを漸進的に放出するものを電極
間ギャップ内に提供することである。
リーンの動作、すなわちアノードからの酸化種のガス抜
きとともにＨ+ のイオンを漸進的に放出するものを電極
間ギャップ内に提供することである。
【００３５】好ましくは、この源はチップの近くに置か
れるため、放出された水素はマイクロチップに到達する
前にゲッタにトラップされない。
れるため、放出された水素はマイクロチップに到達する
前にゲッタにトラップされない。
【００３６】漸進的水素放出を可能にするためには、源
の材料は付勢されるときに水素を放出することのみが可
能なものでなければならない。
の材料は付勢されるときに水素を放出することのみが可
能なものでなければならない。
【００３７】このような付勢は熱的に行なわれてもよ
い。この場合、スクリーン動作の間にスクリーンの内部
温度が上昇することにより、水素が放出される。付勢は
電子またはイオンボンバードによって行なわれてもよ
い。
い。この場合、スクリーン動作の間にスクリーンの内部
温度が上昇することにより、水素が放出される。付勢は
電子またはイオンボンバードによって行なわれてもよ
い。
【００３８】この発明の第１の実施例によると、水素源
は絶縁バンド８と一体化され、この絶縁バンド８はアノ
ードの蛍光バンドを隔てる。この場合、水素源の活性化
は本質的には電子ボンバードによって行なわれる。実
際、マイクロチップによって放出されたいくつかの電子
は絶縁トラックの端縁と接触する。
は絶縁バンド８と一体化され、この絶縁バンド８はアノ
ードの蛍光バンドを隔てる。この場合、水素源の活性化
は本質的には電子ボンバードによって行なわれる。実
際、マイクロチップによって放出されたいくつかの電子
は絶縁トラックの端縁と接触する。
【００３９】この発明の第２の実施例によると、水素源
はカソード側に実現され、たとえばマイクロチップを支
持する抵抗層と一体化される。この場合源の活性化は熱
的に行なわれ、カソードはボンバードされない。
はカソード側に実現され、たとえばマイクロチップを支
持する抵抗層と一体化される。この場合源の活性化は熱
的に行なわれ、カソードはボンバードされない。
【００４０】上述の２つの実施例に共通する利点は、ス
クリーン表面全体上に水素源が分散され、それによりス
クリーンに、同質の抗酸化効果がもたらされることを保
証するという点である。
クリーン表面全体上に水素源が分散され、それによりス
クリーンに、同質の抗酸化効果がもたらされることを保
証するという点である。
【００４１】別の利点は、上述の２つの実施例が、電極
間ギャップの水素の分圧およびしたがって、カソードの
マイクロチップの抗酸化手段の自動的な調整を可能にす
るという点である。実際、酸素源の（熱または電子ボン
バードによる）活性化は、放出しており、かつしたがっ
て酸化されやすいマイクロチップの領域において行なわ
れる。
間ギャップの水素の分圧およびしたがって、カソードの
マイクロチップの抗酸化手段の自動的な調整を可能にす
るという点である。実際、酸素源の（熱または電子ボン
バードによる）活性化は、放出しており、かつしたがっ
て酸化されやすいマイクロチップの領域において行なわ
れる。
【００４２】別の利点は、それらにはスクリーン構造の
修正は必要ではなく、後に説明されることとなるよう
に、絶縁トラック８または抵抗層１１の蒸着状態のみの
修正しか必要ではない。
修正は必要ではなく、後に説明されることとなるよう
に、絶縁トラック８または抵抗層１１の蒸着状態のみの
修正しか必要ではない。
【００４３】発明によると、少なくとも１つの選択され
た層の蒸着パラメータは、この層の材料に水素が取込ま
れるようにするよう調整される。水素の取込および拡散
は、スクリーン動作の間に材料によって放出されること
が所望される水素の量、すなわち電極ギャップの真空の
質に従って調整され、特に、酸化種の分圧と水素源に選
択された付勢手段とに従って調整される。
た層の蒸着パラメータは、この層の材料に水素が取込ま
れるようにするよう調整される。水素の取込および拡散
は、スクリーン動作の間に材料によって放出されること
が所望される水素の量、すなわち電極ギャップの真空の
質に従って調整され、特に、酸化種の分圧と水素源に選
択された付勢手段とに従って調整される。
【００４４】第３の実施例によると、水素源は専用領域
を含み、この専用領域はスクリーンの活性領域の外部、
たとえばアノードの周囲に配置される。その後、専用領
域に対面するカソード側に付勢源が実現される。付勢源
は、スクリーンの活性領域の外部にある水素源に対面す
るマイクロチップの領域を含んでもよい。
を含み、この専用領域はスクリーンの活性領域の外部、
たとえばアノードの周囲に配置される。その後、専用領
域に対面するカソード側に付勢源が実現される。付勢源
は、スクリーンの活性領域の外部にある水素源に対面す
るマイクロチップの領域を含んでもよい。
【００４５】このような実施例がスクリーン構造の修正
を必要とするならば、スクリーン動作に独立して制御可
能な抗酸化手段を与えるという利点がある。したがっ
て、専用付勢源は、一定の間隔をおいて制御されてマイ
クロチップを再生するよう設けることができる。この専
用源はさらに、カソード導体を通って流れる電流の測定
値から調整されて、マイクロチップの再生が望ましいと
考えられる電流しきい値に従ってマイクロチップの再生
位相をもたらすように提供され得る。
を必要とするならば、スクリーン動作に独立して制御可
能な抗酸化手段を与えるという利点がある。したがっ
て、専用付勢源は、一定の間隔をおいて制御されてマイ
クロチップを再生するよう設けることができる。この専
用源はさらに、カソード導体を通って流れる電流の測定
値から調整されて、マイクロチップの再生が望ましいと
考えられる電流しきい値に従ってマイクロチップの再生
位相をもたらすように提供され得る。
【００４６】水素源を構成するために選ばれ得る材料の
いくつかの例は後に示す。スクリーンの製造に用いられ
るいくつかの層の蒸着は一般的に、プラズマ強化化学蒸
着（ＰＥＣＶＤ）によって行なわれる。このような蒸着
モードは、蒸着される材料の前駆体化合物の混合物を用
いる。前駆体に加えられる水素含量の調整は簡単であ
る。この技術により、高度な水素化蒸着が可能になり、
かつ（蒸着温度、自己バイアス電圧、蒸着圧力、アニー
ル温度などの）蒸着パラメータに影響を及ぼすことによ
って水素の量を容易に調整できるようになる。
いくつかの例は後に示す。スクリーンの製造に用いられ
るいくつかの層の蒸着は一般的に、プラズマ強化化学蒸
着（ＰＥＣＶＤ）によって行なわれる。このような蒸着
モードは、蒸着される材料の前駆体化合物の混合物を用
いる。前駆体に加えられる水素含量の調整は簡単であ
る。この技術により、高度な水素化蒸着が可能になり、
かつ（蒸着温度、自己バイアス電圧、蒸着圧力、アニー
ル温度などの）蒸着パラメータに影響を及ぼすことによ
って水素の量を容易に調整できるようになる。
【００４７】多量の水素含量で蒸着され、かつ熱、イオ
ンまたは電子によって活性化するとこの水素を損失しや
すい材料の中には特に、窒化物シリコン、水素化シリコ
ンカーバイド、水素化シリコン窒化物、水素化シリコン
酸化物、水素化炭素、水素化ゼラニウムおよび水素化さ
れたオキシ窒化物ベースの材料がある。
ンまたは電子によって活性化するとこの水素を損失しや
すい材料の中には特に、窒化物シリコン、水素化シリコ
ンカーバイド、水素化シリコン窒化物、水素化シリコン
酸化物、水素化炭素、水素化ゼラニウムおよび水素化さ
れたオキシ窒化物ベースの材料がある。
【００４８】用いられる材料は特に水素源の場所に応じ
て選択される。もし水素源がカソード側に実現されるな
らば、普通は抵抗層１１を構成するシリコンは水素化さ
れれば水素を分配することができる。
て選択される。もし水素源がカソード側に実現されるな
らば、普通は抵抗層１１を構成するシリコンは水素化さ
れれば水素を分配することができる。
【００４９】もし水素源がアノードの蛍光バンド間に絶
縁層８を含むならば、誘電性であり、かつ容易に水素化
する材料、たとえばシリコンカーバイドまたはシリコン
酸化物が選択されることとなる。絶縁層に含まれる酸素
を最小にするという付加的な利点を有するシリコン窒化
物も選ばれてもよく、このため、放出された水素は、蛍
光体によって本質的にガス抜きされた酸化種を還元する
という仕事をする。
縁層８を含むならば、誘電性であり、かつ容易に水素化
する材料、たとえばシリコンカーバイドまたはシリコン
酸化物が選択されることとなる。絶縁層に含まれる酸素
を最小にするという付加的な利点を有するシリコン窒化
物も選ばれてもよく、このため、放出された水素は、蛍
光体によって本質的にガス抜きされた酸化種を還元する
という仕事をする。
【００５０】これもまた水素源を構成するよう選択され
た層の機能と互換性がある場合には、好ましくはアモル
ファス化合物が選択されることとなる。なぜなら、アモ
ルファス化合物の濃度は結晶構造によって制限されない
ため、多量の水素を発生することができるからである。
た層の機能と互換性がある場合には、好ましくはアモル
ファス化合物が選択されることとなる。なぜなら、アモ
ルファス化合物の濃度は結晶構造によって制限されない
ため、多量の水素を発生することができるからである。
【００５１】抗酸化効果は、スクリーンのコントラスト
を改善するアノードマトリクス効果に組合せることもで
きる。このようなマトリクスは一般的には「ブラックマ
トリクス」と呼ばれ、アノードの蛍光バンド間にブラッ
ク領域を生み出す。この目的のために、たとえば、バン
ド８を実現するために水素化炭素に基づいた化合物が用
いられることとなる。
を改善するアノードマトリクス効果に組合せることもで
きる。このようなマトリクスは一般的には「ブラックマ
トリクス」と呼ばれ、アノードの蛍光バンド間にブラッ
ク領域を生み出す。この目的のために、たとえば、バン
ド８を実現するために水素化炭素に基づいた化合物が用
いられることとなる。
【００５２】もちろんこの発明には、当業者に容易に起
こるであろうさまざまな変更、修正および改良がなされ
得る。特に、この発明を実施するためのフラットスクリ
ーンの製造プロセスの適合性は上記の機能上の指示に従
って、当業者の能力の範囲内にある。
こるであろうさまざまな変更、修正および改良がなされ
得る。特に、この発明を実施するためのフラットスクリ
ーンの製造プロセスの適合性は上記の機能上の指示に従
って、当業者の能力の範囲内にある。
【００５３】さらにこの発明は以上においてマイクロチ
ップカラーシステムに関して説明したが、この発明はモ
ノクロームスクリーンにも適用される。もしこのような
モノクロームスクリーンのアノードが２組の交互の蛍光
バンドを含むならば、上述の実施例すべてを実現するこ
とができる。逆に、モノクロームスクリーンのアノード
が蛍光体の平面を含むならば、水素源は活性スクリーン
領域の外部にあるか、またはカソード側の抵抗層の近く
にあるかのいずれかの専用源を含むこととなる。
ップカラーシステムに関して説明したが、この発明はモ
ノクロームスクリーンにも適用される。もしこのような
モノクロームスクリーンのアノードが２組の交互の蛍光
バンドを含むならば、上述の実施例すべてを実現するこ
とができる。逆に、モノクロームスクリーンのアノード
が蛍光体の平面を含むならば、水素源は活性スクリーン
領域の外部にあるか、またはカソード側の抵抗層の近く
にあるかのいずれかの専用源を含むこととなる。
【図１】この発明に関係する型のフラットマイクロチッ
プカラースクリーンの一例を示す図である。
プカラースクリーンの一例を示す図である。
１ カソード ２ マイクロチップ ３ グリッド ５ アノード ７ 蛍光エレメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オリビエ・アモン フランス国、34090 モンペリエ、リュ・ コントゥ・デュ・ベルナルドゥ、32
Claims (6)
- 【請求項１】 フラットディスプレイスクリーンであっ
て、蛍光エレメントを有するアノードを電子ボンバード
するためのマイクロチップを備えたカソードを含み、前
記アノードおよび前記カソードは真空スペースによって
隔てられ、水素化材料の薄膜を含む漸進的水素放出源を
含む、スクリーン。 - 【請求項２】 前記水素源が、上にマイクロチップが配
置される前記カソードの抵抗層を含む、請求項１に記載
のスクリーン。 - 【請求項３】 前記水素源が、前記アノードと前記蛍光
エレメントのバンドとを隔てる絶縁バンドを含む、請求
項１に記載のスクリーン。 - 【請求項４】 前記水素源が、前記蛍光体を担持する前
記アノードの活性領域の周囲に実現され、前記水素源を
付勢するための源は、前記水素源に対面する前記カソー
ド側に実現される、請求項１に記載のスクリーン。 - 【請求項５】 スクリーンの内部に形成された少なくと
も１つの層を水素化するステップを含む、フラットディ
スプレイスクリーンを製造するためのプロセス。 - 【請求項６】 前記層が、少なくとも１つの水素強化前
駆体からのプラズマ強化化学蒸着によって得られる、請
求項５に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9605121 | 1996-04-18 | ||
| FR9605121A FR2747839B1 (fr) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | Ecran plat de visualisation a source d'hydrogene |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1055770A true JPH1055770A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=9491513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9100127A Pending JPH1055770A (ja) | 1996-04-18 | 1997-04-17 | フラットディスプレイスクリーンおよびその製造プロセス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907215A (ja) |
| EP (1) | EP0802559B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1055770A (ja) |
| DE (1) | DE69708739T2 (ja) |
| FR (1) | FR2747839B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019151248A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | ナノックス イメージング ピーエルシー | 冷カソード形ｘ線管及びその制御方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3745844B2 (ja) * | 1996-10-14 | 2006-02-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子管 |
| KR100288549B1 (ko) * | 1997-08-13 | 2001-06-01 | 정선종 | 전계방출디스플레이 |
| JP3481142B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2003-12-22 | 富士通株式会社 | ガス放電表示デバイス |
| US6495965B1 (en) * | 1998-07-21 | 2002-12-17 | Futaba Corporation | Cold cathode electronic device |
| US6633119B1 (en) * | 2000-05-17 | 2003-10-14 | Motorola, Inc. | Field emission device having metal hydride hydrogen source |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR884289A (fr) * | 1941-07-22 | 1943-08-09 | Licentia Gmbh | Tube de braun |
| US3432712A (en) * | 1966-11-17 | 1969-03-11 | Sylvania Electric Prod | Cathode ray tube having a perforated electrode for releasing a selected gas sorbed therein |
| US3552818A (en) * | 1966-11-17 | 1971-01-05 | Sylvania Electric Prod | Method for processing a cathode ray tube having improved life |
| JPS5062766A (ja) * | 1973-10-05 | 1975-05-28 | ||
| FR2623013A1 (fr) * | 1987-11-06 | 1989-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source |
| US5144191A (en) * | 1991-06-12 | 1992-09-01 | Mcnc | Horizontal microelectronic field emission devices |
| JP3252545B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | 電界放出型カソードを用いたフラットディスプレイ |
| KR950034365A (ko) * | 1994-05-24 | 1995-12-28 | 윌리엄 이. 힐러 | 평판 디스플레이의 애노드 플레이트 및 이의 제조 방법 |
| IT1269978B (it) * | 1994-07-01 | 1997-04-16 | Getters Spa | Metodo per la creazione ed il mantenimento di un'atmosfera controllata in un dispositivo ad emissione di campo tramite l'uso di un materiale getter |
| US5714837A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-03 | Zurn; Shayne Matthew | Vertical field emission devices and methods of fabrication with applications to flat panel displays |
| US5684356A (en) * | 1996-03-29 | 1997-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen-rich, low dielectric constant gate insulator for field emission device |
-
1996
- 1996-04-18 FR FR9605121A patent/FR2747839B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-15 DE DE69708739T patent/DE69708739T2/de not_active Revoked
- 1997-04-15 EP EP97410044A patent/EP0802559B1/fr not_active Revoked
- 1997-04-17 JP JP9100127A patent/JPH1055770A/ja active Pending
- 1997-04-17 US US08/837,354 patent/US5907215A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019151248A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | ナノックス イメージング ピーエルシー | 冷カソード形ｘ線管及びその制御方法 |
| JPWO2019151248A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2021-01-28 | ナノックス イメージング リミテッド | 冷カソード形ｘ線管及びその制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2747839B1 (fr) | 1998-07-03 |
| EP0802559B1 (fr) | 2001-12-05 |
| DE69708739D1 (de) | 2002-01-17 |
| EP0802559A1 (fr) | 1997-10-22 |
| FR2747839A1 (fr) | 1997-10-24 |
| US5907215A (en) | 1999-05-25 |
| DE69708739T2 (de) | 2002-07-18 |
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