JPH1045470A - 圧電セラミックス - Google Patents

圧電セラミックス

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JPH1045470A
JPH1045470A JP19927296A JP19927296A JPH1045470A JP H1045470 A JPH1045470 A JP H1045470A JP 19927296 A JP19927296 A JP 19927296A JP 19927296 A JP19927296 A JP 19927296A JP H1045470 A JPH1045470 A JP H1045470A
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JP
Japan
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piezoelectric
polarization
domain wall
angle
polarization direction
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JP19927296A
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English (en)
Inventor
Yasuhiro Nakai
泰広 中井
Tetsuro Fujimoto
哲朗 藤本
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半田付けリフロー処理などのように外部から熱
衝撃を加えた場合でも、安定性が高く、特性劣化が小さ
い圧電セラミックスを提供する。 【解決手段】分極方向に対して0〜180°の角度で個
々のドメイン壁を有する結晶粒子の多結晶体であって、
前記分極方向と前記ドメイン壁とのなす角度が40〜1
40°である結晶粒子の割合が77%以上であることを
特徴とする圧電セラミックス。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばセラミック
フィルタ,セラミックレゾネータ,超音波応用振動子,
圧電ブザー,圧電点火ユニット,超音波モータ,圧電フ
ァン,圧電アクチュエータおよび加速度センサ,ノッキ
ングセンサ,AEセンサ等の圧電センサ等に適する圧電
セラミックスに関し、特にセルラー用のセラミックフィ
ルタとして最適な圧電セラミックスに関するものであ
る。
【0002】
【従来技術】従来から、セラミックフィルタ,セラミッ
クレゾネータ等の素子としては、PZT系の圧電磁器、
即ち、PbZrO3 −PbTiO3 を主成分とした磁器
が利用されており、これにNb2 5 やMnO2 等の金
属酸化物、Pb( Nb2/3 Mg1/3 )O3 やPb( Nb
2/3 Mn1/3 )O3 等の複合ペロブスカイト酸化物を添
加したり置換することにより圧電特性の向上が図られて
いる。
【0003】ところで、PZT系の圧電セラミックスは
強誘電体に属しており、常温においては、結晶格子中の
電荷の重心がずれているために自発分極を有する。PZ
T系の圧電セラミックスは、このような結晶からなる焼
結粒子の集合体であって、固相反応によって作製された
場合、個々の焼結粒子も自発分極が一定方向をもった複
数のドメインから構成される。一つのドメイン内では、
自発分極が一定の方向に揃っているが、磁器全体として
は、自発分極の方向が等方的であるので圧電特性を示さ
ない。したがって、圧電特性を得るためには、圧電セラ
ミックスに外部から電場を印加して、個々のドメインの
自発分極の方向を揃える処理、すなわち、分極処理を施
す必要がある。一般に、分極処理を行った直後の圧電セ
ラミックスは圧電特性の劣化が起こりやすく、実際の使
用に耐えないので、予め、外部から熱などを加えること
により強制的に圧電特性を劣化させる処理を施す。この
エージング処理によって圧電セラミックスの特性を安定
化させている。
【0004】近年、通信機器を含めた電子装置の小型化
に伴い部品の表面実装化が急激に進んでいる。この表面
実装においては、リード線を有しない部品を基盤に仮り
実装し、この基盤をリフロー炉により加熱し半田付けす
るので、基盤に取り付けられる部品は、半田付けリフロ
ー処理によって、230℃前後の高い温度にさらされる
ことになる。これによる加熱が原因で、半田付けリフロ
ー処理の前後において、例えば、圧電素子については、
共振周波数が初期の周波数から外れるなどの問題が起こ
ることが多い。
【0005】したがって、高い信頼性と安定性が要求さ
れる通信機用の圧電フィルタなどに使用される圧電素子
に関しては、外部から熱衝撃を加えた場合でも、安定性
が高く、圧電特性の変化が非常に小さくなければならな
い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
圧電セラミックスでは外部からの熱衝撃に弱く、リフロ
ー半田付け前後の圧電特性や共振周波数の変化が大き
く、実用上の問題となっていた。また、例えば、環境変
化の激しい車両搭載用通信装置などのフィルター等に用
いた場合、素子の特性変化によって安定した送受信がで
きなくなるという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
について鋭意検討した結果、分極方向とドメイン壁との
なす角度の分布を0〜180°の範囲で求めたとき、4
0〜140°の範囲内で分布する割合が77%以上とな
るように、分極状態を制御することにより、高い安定性
を有するドメイン構造とすることができ、外部からの熱
衝撃に対しても特性劣化を抑制できることを見出し、本
発明に至った。
【0008】即ち、本発明の圧電セラミックスは、分極
方向に対して0〜180°の角度で個々のドメイン壁を
有する結晶粒子の多結晶体であって、前記分極方向と前
記ドメイン壁とのなす角度が40〜140°である結晶
粒子の割合が77%以上のものである。
【0009】
【作用】本発明の圧電セラミックスでは、リフロー半田
付け処理のように、圧電セラミックスに外部から熱衝撃
が加えられた場合でも、特性劣化が小さく、圧電特性が
初期特性から大きく変動することがない。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の圧電セラミックスは、分
極方向に対して0〜180°の角度で個々のドメイン壁
を有する結晶粒子の多結晶体で、前記分極方向と前記ド
メイン壁とのなす角度が40〜140°である結晶粒子
の割合が77%以上のものである。
【0011】このように、分極方向とドメイン壁とのな
す角度が40〜140°の範囲内のものを全体の77%
以上としたのは、77%よりも少ない場合には熱衝撃に
弱く、リフロー半田付け前後の圧電特性や共振周波数の
変化が大きく、また、環境変化の激しい車両搭載用通信
装置などのフィルター等に用いた場合、素子の特性劣化
が大きくなるからである。分極方向とドメイン壁とのな
す角度が40〜140°の範囲内のものは、全体の82
%以上であることが望ましい。
【0012】ここで、圧電セラミックスの焼結粒子内の
ドメインの構造の観察は、焼結体の試料片を数十ミクロ
ンまで削って、イオンエッチングを行った後、試料薄片
のTEM(透過型電子顕微鏡)写真を撮影して行う。試
料薄片を作製する場合には、これによって試料のドメイ
ン構造が変化を受けないよう外部からの加熱を極力小さ
くする必要がある。
【0013】分極軸の方向に対して平行である面を有す
る試料薄片のTEM写真を撮影すると、個々の焼結粒子
の内部には、ドメイン構造に起因する明瞭な筋状構造が
観察される。図1にこのドメイン構造の模式図を示す。
図1において、筋状構造の境界をドメイン壁1と呼ぶ
が、分極方向Aとドメイン壁1がなす角度θの分布を調
べた場合、分極処理前の試料ではドメイン壁がランダム
に存在するので、その角度分布は等方的となる。一方、
分極処理後の磁器に関しては、電界強度に応じてドメイ
ン壁が移動して配向性が高くなり、分極処理前の試料の
場合と比較すると、40〜140°の範囲に分布する割
合が高くなる。
【0014】分極処理及びエージング処理を行った圧電
セラミックスに関して、分極軸方向とドメイン壁がなす
角度の分布を調べた場合、40〜140°の範囲が77
%以上になるようにドメイン壁の配向を制御すると、半
田付けリフロー処理などにより、高い温度にさらされた
場合でも、圧電特性が初期の特性から大きく変動せず、
安定性の高い圧電セラミックスを提供できる。
【0015】本発明の圧電セラミックスは、例えば、先
ず、組成式を(Pb1-x-y x ya [{( Nb1/2
Yb1/2 b (Nb1/2 Cr1/2 c (Nb2/3 Co
1/3 1-b-c 1-d Nbd e (Tif Zr1-f 1-e
3 と表わした時、前記x,y,a,b,c,d,
e,fの値が、0<x、0<y、0<x+y≦0.1
2、0.970≦a≦1.030、0.100≦b≦
0.700、0.100≦c≦0.700、0≦d≦
0.170、0.030≦e≦0.200、0.480
≦f≦0.60を満足する圧電磁器を作製する。尚、こ
こで、AはCa,SrおよびBaのうちの少なくとも一
種、BはNd,Gd,La,PrおよびSmのうちの少
なくとも一種である。本発明は、上記組成の圧電磁器に
限定されるものではなく、PZT系の圧電磁器であれば
良い。
【0016】そして、この圧電磁器について分極処理お
よびエージング処理を行う。分極処理は、磁器の分極が
飽和する時の電界(飽和電界)に対して75%以上の直
流電界、特には飽和電界を0.2〜1.0時間印加する
ことにより、PZT系圧電磁器の分極方向とドメイン壁
とのなす角度が40〜140°の範囲内で分布する割合
が高くなる。上記した組成式の圧電磁器では飽和電界は
80℃の条件下において1.5〜3kV/mmである。
【0017】この後、特性の安定化のためのエージング
処理を行う。このエージング処理は、キュリー温度の8
0〜97%、特には、87〜97%の温度で、0.5〜
3.0時間保持することにより、PZT系圧電磁器の分
極軸方向とドメイン壁とのなす角度の分布を0〜180
°の範囲で求めたとき、40〜140°の範囲内で分布
する割合を高くすることができる。上記した組成式の圧
電磁器ではキュリー温度は280〜330℃であるた
め、エージング温度は、220℃〜320℃、特には2
40〜320℃である。尚、分極処理を行った後のエー
ジング処理方法としては、熱によるエージング以外にも
圧力や電界印加によってエージング処理を行っても圧電
セラミックスのドメイン壁の配向を制御することが可能
であるが、熱によるエージングが最も望ましい。
【0018】分極方向とドメイン壁とのなす角度の分布
を0〜180°の範囲で求めたとき、40〜140°の
範囲内で分布する割合が77%以上である本発明の圧電
セラミックスは、上記した条件における分極処理および
エージング処理により得られる。
【0019】
【実施例】出発原料として、PbO、ZrO2 、TiO
2 、Nb2 5 、Yb2 3 ,Cr2 3 ,CoO,S
rCO3 ,La2 3 の原料を用いて、組成式が(Pb
0. 96Sr0.03La0.011.00[{( Nb1/2 Yb1/2
0.263 (Nb1/2 Cr1/20.263 (Nb2/3
1/3 0.474 0.88Nb0.120.06(Ti0.495 Zr
0. 505 0.943 となるように秤量し、該混合物をZ
rO2 ポールを用いたボールミルで12時間湿式混合し
た。
【0020】次いで、この混合物を脱水、乾燥した後、
大気中で1000℃で3時間仮焼し、この仮焼物を再び
ボールミルにより粉砕した。その後、この粉砕物に有機
バインダー(PVA)を混合して造粒した。得られた粉
末を1.5t/cm2 の圧力で直径23mm、厚さ2m
mの寸法からなる円板にプレス成形した。
【0021】さらに、これらの成形体をMgOなどから
なる容器内に密閉し、大気中1300℃で2時間の条件
で焼成し、試料A〜Eを得た。
【0022】得られた圧電セラミックスに銀電極を焼き
付け、80℃のシリコンオイル中で、試料Aが1.4k
V/mm(飽和電界の70%)、試料Bは1.5kV/
mm(飽和電界の75%)、試料Cは1.7kV/mm
(飽和電界の85%)、試料Dは1.9kV/mm(飽
和電界の95%)、試料Eは2.0kV/mm(飽和電
界の100%)の直流電界を30分間印加して分極処理
した。尚、飽和電界は2.0kV/mmであった。
【0023】この分極処理した圧電セラミックスに対し
て、250〜295℃(キュリー温度310℃)の温度
で、1時間保持してエージング処理を施し、分極度が等
しい試料A〜Eを得た。試料Aは250℃(キュリー温
度の80%)、試料Bは270℃(キュリー温度の87
%)、試料Cは280℃(キュリー温度の90%)、試
料Dは292℃(キュリー温度の94%)、試料Eは2
95℃(キュリー温度の95%)でエージングした。試
料A〜Eの分極度は何れも等しく、Kp=45%であ
る。そして、試料A〜Eを数十ミクロンまで削って、イ
オンエッチングを行った後、試料薄片のTEM(透過型
電子顕微鏡)写真を撮影し、各試料のドメインの構造の
観察を20μm×20μmの面積で行った。この場合、
分極軸に対して一定角度(例えば40〜50°)のドメ
イン壁を有する領域の面積を求め、その全体面積に対す
る割合を求め、40〜140℃の範囲内のドメイン壁を
有する割合を求めた。尚、一結晶粒子内に異なる角度の
ドメイン壁を有する場合があるが、この場合はそれぞれ
の領域に分けて測定した。また、写真上にドメイン壁が
写らない場合もあるが、これについては全体面積に含め
なかった。
【0024】次に、エージング処理の温度と、ドメイン
壁が分極方向に対して、40〜140°の範囲に分布す
る割合との関係について、図2に示した。また、半田付
けリフロー処理用の炉を使用した耐熱試験を行った。耐
熱試験は、プラスチックケースに入れた試料A〜Eを基
板に乗せ、ピーク温度240℃のリフロー炉を3回通過
させて行い、エージング温度と、半田付けリフロー処理
前後の機械的結合係数Kpの変化率との関係について、
図3に示した。
【0025】図2により、エージング温度が270℃以
上の場合には、分極軸方向とドメイン壁とのなす角度が
40〜140°の範囲内で分布する割合が77%以上で
あり、しかも、エージング温度が280℃以上の場合に
は82%以上となることが判る。そして、図3より、分
極方向とドメイン壁とのなす角度が40〜140°の範
囲内で分布する割合が77%以上の場合には機械的結合
係数Kpの低下率が2%以下であり、分極方向とドメイ
ン壁とのなす角度が40〜140°の範囲内で分布する
割合が82%以上の場合には機械的結合係数Kpの低下
率が1%以下であり、耐熱性に優れ、特性の変化が小さ
いことが判る。
【0026】これと比較して、分極方向に対するドメイ
ン壁の40〜140°の角度範囲に分布する割合が72
%である試料Aでは、機械的結合係数Kpの低下率が
4.5%であり、半田付けリフロー処理前後の機械的結
合係数Kpの変化が大きいことが判る。
【0027】試料Aと試料Dついて、図4および図5に
ドメイン壁の角度分布を示した。エージング処理前の分
極度が高い試料Dの場合は、試料Aと比較して、40〜
140°の範囲に分布する割合が高くなり、全体のドメ
イン壁の86%がこの角度範囲に分布することが判る。
【0028】したがって、飽和電界の70%で分極処理
し、エージング処理の温度を270℃以上に設定して、
分極方向に対するドメイン壁の40〜140°の角度範
囲に分布する割合を77%以上になるよう分極状態を制
御することにより、半田付けリフロー処理において、高
い温度にさらされても、特性の劣化が小さく、圧電特性
が初期の特性から大きく変動しない。一方、分極方向に
対するドメイン壁の40〜140°の角度範囲に分布す
る割合が77%より小さくすると、特性の劣化が2%よ
り大きくなり、実用的でない。
【0029】
【発明の効果】本発明の圧電セラミックスによれば、半
田付けリフロー処理などのように外部から熱衝撃を加え
た場合でも、その前後において圧電特性が初期の特性か
ら大きく変動せず、高い信頼性と安定性を備えた圧電セ
ラミックスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】分極方向とドメイン壁のなす角度を説明するた
めの模式図である。
【図2】分極方向とドメイン壁のなす角度が、40〜1
40°の範囲に分布する割合をエージング処理の温度に
対して示した図である。
【図3】ドメイン壁の配向を制御した圧電セラミックス
のリフロー試験前後における特性劣化を表わす図であ
る。
【図4】分極処理及びエージング処理を施した試料Aの
分極方向とドメイン壁のなす角度の分布を表わす図であ
る。
【図5】分極処理及びエージング処理を施した試料Dの
分極方向とドメイン壁のなす角度の分布を表わす図であ
る。
【符号の説明】
1・・・ドメイン壁 A・・・分極方向 θ・・・分極方向とドメイン壁1がなす角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04R 17/00 H01L 41/18 101B 330 41/22 B

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】分極方向に対して0〜180°の角度で個
    々のドメイン壁を有する結晶粒子の多結晶体であって、
    前記分極方向と前記ドメイン壁とのなす角度が40〜1
    40°である結晶粒子の割合が77%以上であることを
    特徴とする圧電セラミックス。
JP19927296A 1996-07-29 1996-07-29 圧電セラミックス Pending JPH1045470A (ja)

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