JPH104315A - 高周波発振回路 - Google Patents
高周波発振回路Info
- Publication number
- JPH104315A JPH104315A JP15356596A JP15356596A JPH104315A JP H104315 A JPH104315 A JP H104315A JP 15356596 A JP15356596 A JP 15356596A JP 15356596 A JP15356596 A JP 15356596A JP H104315 A JPH104315 A JP H104315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- transistor
- frequency oscillation
- resonance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発振用トランジスタを２つ以上必要としたた
め、それに付随する回路等も含めると高周波発振回路の
実装面積が大きくなる。 【解決手段】 発振周波数帯域切り換え制御端子４２に
印加する電圧により２つ以上の異なる周波数帯域の共振
周波数が切り換えできる共振回路ブロック４と、その共
振回路ブロック４に結合コンデンサ３０を介して接続さ
れる発振用トランジスタ１０と、その発振用トランジス
タ１０のコレクタ−ベース間、ベース−エミッタ間、エ
ミッタ−コレクタ間にそれぞれ接続され、上記各々の周
波数帯域で所望のインピーダンスを有する帰還回路ブロ
ック１，２，３とを備える。
め、それに付随する回路等も含めると高周波発振回路の
実装面積が大きくなる。 【解決手段】 発振周波数帯域切り換え制御端子４２に
印加する電圧により２つ以上の異なる周波数帯域の共振
周波数が切り換えできる共振回路ブロック４と、その共
振回路ブロック４に結合コンデンサ３０を介して接続さ
れる発振用トランジスタ１０と、その発振用トランジス
タ１０のコレクタ−ベース間、ベース−エミッタ間、エ
ミッタ−コレクタ間にそれぞれ接続され、上記各々の周
波数帯域で所望のインピーダンスを有する帰還回路ブロ
ック１，２，３とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として自動車電
話や携帯電話等の移動体通信システムあるいは衛星通信
機器に用いられ、２つ以上の異なる発振周波数帯域で発
振する小型の電圧制御発振回路（ＶＣＯ）に関するもの
である。
話や携帯電話等の移動体通信システムあるいは衛星通信
機器に用いられ、２つ以上の異なる発振周波数帯域で発
振する小型の電圧制御発振回路（ＶＣＯ）に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】以下に、異なる２つの周波数帯域で発振
が可能な従来の高周波発振回路について説明する。図７
は、従来の異なる２つの周波数帯域で発振が可能な高周
波発振回路を示す構成図である。回路ブロック８０、８
１はそれぞれ発振用トランジスタを含む独立した高周波
発振回路（１）、（２）である。それぞれの出力は結合
回路ブロック８２に接続され、高周波発振回路（１）８
０及び（２）８１のいずれかの信号を選択して出力端子
８３から出力される。このように、異なる２つ以上の周
波数帯域で発振が可能な高周波発振回路を構成するには
従来の方式では、発振周波数帯域の数だけ発振用トラン
ジスタが必要である。
が可能な従来の高周波発振回路について説明する。図７
は、従来の異なる２つの周波数帯域で発振が可能な高周
波発振回路を示す構成図である。回路ブロック８０、８
１はそれぞれ発振用トランジスタを含む独立した高周波
発振回路（１）、（２）である。それぞれの出力は結合
回路ブロック８２に接続され、高周波発振回路（１）８
０及び（２）８１のいずれかの信号を選択して出力端子
８３から出力される。このように、異なる２つ以上の周
波数帯域で発振が可能な高周波発振回路を構成するには
従来の方式では、発振周波数帯域の数だけ発振用トラン
ジスタが必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、発振用トランジスタを２つ以上必要と
したため、それに付随する回路等も含めると実装面積が
大きくなるという課題を有していた。小型化のためには
１つの発振用トランジスタで２つ以上の周波数帯域で発
振する高周波発振回路を実現する必要がある。
ような構成では、発振用トランジスタを２つ以上必要と
したため、それに付随する回路等も含めると実装面積が
大きくなるという課題を有していた。小型化のためには
１つの発振用トランジスタで２つ以上の周波数帯域で発
振する高周波発振回路を実現する必要がある。
【０００４】本発明は、従来の高周波発振回路のこのよ
うな課題を考慮し、１つの発振用トランジスタで異なる
２つ以上の周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の
小型化ができる高周波発振回路を提供することを目的と
するものである。
うな課題を考慮し、１つの発振用トランジスタで異なる
２つ以上の周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の
小型化ができる高周波発振回路を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、１
つの発振用トランジスタと、そのトランジスタに対す
る、異なる２つ以上のインピーダンスを有する帰還回路
と、トランジスタに接続され、異なる２つ以上の共振周
波数を選択できる共振回路とを備えた高周波発振回路で
ある。
つの発振用トランジスタと、そのトランジスタに対す
る、異なる２つ以上のインピーダンスを有する帰還回路
と、トランジスタに接続され、異なる２つ以上の共振周
波数を選択できる共振回路とを備えた高周波発振回路で
ある。
【０００６】請求項３の本発明は、１つの発振用トラン
ジスタと、異なる２つ以上のインピーダンスを選択でき
る、トランジスタに対する帰還回路と、トランジスタに
接続され、異なる２つ以上の共振周波数を有する共振回
路とを備えた高周波発振回路である。
ジスタと、異なる２つ以上のインピーダンスを選択でき
る、トランジスタに対する帰還回路と、トランジスタに
接続され、異なる２つ以上の共振周波数を有する共振回
路とを備えた高周波発振回路である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明をその実施の形態
を示す図面に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の第１の実施の形態に
おける高周波発振回路の回路図である。図１において、
共振回路ブロック４は誘導性インピーダンス回路として
機能し、共振回路として高いＱ値を有している。チュー
ニング電圧を加える端子４３は十分なインダクタ値を有
したインダクタ２０により、バラクタ２４のカソード
側、及びコンデンサ２３に接続される。またバラクタ２
４のアノード側は接地する。コンデンサ２３の他端に接
続されたストリップライン共振器２２は所望周波数帯域
で必要なインダクタンス成分を有しており、誘電体基板
上に形成される。このストリップライン共振器２２の他
端は所望の周波数帯で十分低インピーダンスとなるよう
に、例えば１ＧＨｚ程度の高周波に対して１００ｐＦ程
度のコンデンサ２５を介してスイッチングダイオード２
６のアノード側に接続される。スイッチングダイオード
２６のカソード側は接地する。さらに、十分なインダク
タ値を有したインダクタ２１の一端を発振周波数帯域切
り換え制御端子４２に接続し、もう一端をスイッチング
ダイオード２６のバイアス抵抗２７を介してスイッチン
グダイオード２６のアノードに接続する。
を示す図面に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明の第１の実施の形態に
おける高周波発振回路の回路図である。図１において、
共振回路ブロック４は誘導性インピーダンス回路として
機能し、共振回路として高いＱ値を有している。チュー
ニング電圧を加える端子４３は十分なインダクタ値を有
したインダクタ２０により、バラクタ２４のカソード
側、及びコンデンサ２３に接続される。またバラクタ２
４のアノード側は接地する。コンデンサ２３の他端に接
続されたストリップライン共振器２２は所望周波数帯域
で必要なインダクタンス成分を有しており、誘電体基板
上に形成される。このストリップライン共振器２２の他
端は所望の周波数帯で十分低インピーダンスとなるよう
に、例えば１ＧＨｚ程度の高周波に対して１００ｐＦ程
度のコンデンサ２５を介してスイッチングダイオード２
６のアノード側に接続される。スイッチングダイオード
２６のカソード側は接地する。さらに、十分なインダク
タ値を有したインダクタ２１の一端を発振周波数帯域切
り換え制御端子４２に接続し、もう一端をスイッチング
ダイオード２６のバイアス抵抗２７を介してスイッチン
グダイオード２６のアノードに接続する。
【０００８】また、直流供給電圧が加えられる電源供給
端子４０と発振用トランジスタ１０のコレクタ間には十
分なインダクタ値を有するインダクタ３３が接続され
る。抵抗３６はトランジスタ１０のエミッタとグランド
間に接続される。抵抗３４及び抵抗３５はトランジスタ
１０のコレクタとグランド間に直列に接続され、抵抗３
４、３５の接続点をトランジスタ１０のベースに接続す
る。また、トランジスタ１０のコレクタと共振回路ブロ
ック４との間に接続されたコンデンサ３０は、共振回路
ブロック４とトランジスタ１０を高周波的に結合し、コ
ンデンサ３２は一方をトランジスタ１０のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ１０をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ１０のエミッタに接続された出力結合コンデ
ンサ３１を介して出力端子４１から得られる。
端子４０と発振用トランジスタ１０のコレクタ間には十
分なインダクタ値を有するインダクタ３３が接続され
る。抵抗３６はトランジスタ１０のエミッタとグランド
間に接続される。抵抗３４及び抵抗３５はトランジスタ
１０のコレクタとグランド間に直列に接続され、抵抗３
４、３５の接続点をトランジスタ１０のベースに接続す
る。また、トランジスタ１０のコレクタと共振回路ブロ
ック４との間に接続されたコンデンサ３０は、共振回路
ブロック４とトランジスタ１０を高周波的に結合し、コ
ンデンサ３２は一方をトランジスタ１０のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ１０をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ１０のエミッタに接続された出力結合コンデ
ンサ３１を介して出力端子４１から得られる。
【０００９】また、帰還回路ブロック１はトランジスタ
１０のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ１
２とインダクタ１３の並列回路にコンデンサ１１を直列
接続した回路で構成され、２つの所望周波数帯域で所望
の容量性インピーダンスが得られる。同様の回路構成の
帰還回路ブロック２、３も、それぞれトランジスタ１０
のエミッタ−グランド間、コレクタ−ベース間に接続さ
れており、これによりそれぞれの容量性インピーダンス
は２つの所望周波数帯域において最適なインピーダンス
値が得られる。また、端子４０、４２、４３とグランド
間には高周波ノイズ阻止用コンデンサ３７がそれぞれ接
続される。
１０のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ１
２とインダクタ１３の並列回路にコンデンサ１１を直列
接続した回路で構成され、２つの所望周波数帯域で所望
の容量性インピーダンスが得られる。同様の回路構成の
帰還回路ブロック２、３も、それぞれトランジスタ１０
のエミッタ−グランド間、コレクタ−ベース間に接続さ
れており、これによりそれぞれの容量性インピーダンス
は２つの所望周波数帯域において最適なインピーダンス
値が得られる。また、端子４０、４２、４３とグランド
間には高周波ノイズ阻止用コンデンサ３７がそれぞれ接
続される。
【００１０】以上のように構成された第１の実施の形態
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
【００１１】いま、発振周波数帯域切り換え制御端子４
２に加えられた発振周波数帯域切り換え制御電圧が高い
とき、共振回路ブロック４のスイッチングダイオード２
６がオンして低い方の共振周波数に切り替わり、低い周
波数帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロ
ック１、２、３は、その低い周波数帯域で発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスを有するため、
低い発振周波数で発振条件を満足し、発振する。また、
端子４２の制御電圧が低い時、共振回路ブロック４のス
イッチングダイオード２６はオフとなり、共振回路ブロ
ック４は高い方の共振周波数に切り換わり、高い周波数
帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロック
１、２、３は、所望の高い周波数帯域でも発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスも有するので、
所望の高い周波数帯域で発振が可能となる。
２に加えられた発振周波数帯域切り換え制御電圧が高い
とき、共振回路ブロック４のスイッチングダイオード２
６がオンして低い方の共振周波数に切り替わり、低い周
波数帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロ
ック１、２、３は、その低い周波数帯域で発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスを有するため、
低い発振周波数で発振条件を満足し、発振する。また、
端子４２の制御電圧が低い時、共振回路ブロック４のス
イッチングダイオード２６はオフとなり、共振回路ブロ
ック４は高い方の共振周波数に切り換わり、高い周波数
帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロック
１、２、３は、所望の高い周波数帯域でも発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスも有するので、
所望の高い周波数帯域で発振が可能となる。
【００１２】以上のように、本実施の形態によれば、発
振用トランジスタ１つで異なる２つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
振用トランジスタ１つで異なる２つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
【００１３】なお、上記第１の実施の形態では、帰還回
路ブロック１，２，３を２つの異なるインピーダンスを
有するインピーダンス素子で構成したが、これに代え
て、帰還回路ブロック１、２、３を、図３に示すよう
に、コンデサ１００、１０１の２つを半導体スイッチ回
路１０２で切り換える回路で構成しても同様の効果を得
ることができる。
路ブロック１，２，３を２つの異なるインピーダンスを
有するインピーダンス素子で構成したが、これに代え
て、帰還回路ブロック１、２、３を、図３に示すよう
に、コンデサ１００、１０１の２つを半導体スイッチ回
路１０２で切り換える回路で構成しても同様の効果を得
ることができる。
【００１４】また、共振回路ブロック４を、図４に示す
ように、共振周波数の異なる２つの共振器１０３、１０
４を半導体スイッチ回路１０５で切り換える回路、ある
いは又、図５に示すように、一端を接地した共振器１０
６上の中間の１点に直流電流阻止用コンデサ１０７を介
して半導体スイッチ素子１０８を接続し、その半導体ス
イッチ素子１０８にバイアス抵抗１０９を接続した構成
の回路、あるいは又、図６に示すように、一端を接地し
た共振器１１０の他端にコンデサ１１１を接続し、コン
デンサ１１１に半導体スイッチ素子１１２を接続し、そ
の半導体スイッチ素子１１２にバイアス抵抗１１３を接
続した構成の回路を用いても同様の効果を得ることが出
来る。 （実施の形態２）図２は、本発明の第２の実施の形態の
高周波発振回路の回路図である。図２において、一端を
接地したストリップライン共振器７６にストリップライ
ン共振器７５およびコンデンサ７３を接続する。ストリ
ップライン共振器７５の他端にはコンデンサ７２を接続
し、コンデンサ７２、７３の他端を接続すると同時にバ
ラクタ７４のカソードおよび十分なインダクタ値を有し
たインダクタ７１を接続する。バラクタ７４のアノード
は接地する。インダクタ７１の他端はチューニング電圧
を加える端子４３に接続する。２帯域共振回路ブロック
６は、以上の回路で構成される。
ように、共振周波数の異なる２つの共振器１０３、１０
４を半導体スイッチ回路１０５で切り換える回路、ある
いは又、図５に示すように、一端を接地した共振器１０
６上の中間の１点に直流電流阻止用コンデサ１０７を介
して半導体スイッチ素子１０８を接続し、その半導体ス
イッチ素子１０８にバイアス抵抗１０９を接続した構成
の回路、あるいは又、図６に示すように、一端を接地し
た共振器１１０の他端にコンデサ１１１を接続し、コン
デンサ１１１に半導体スイッチ素子１１２を接続し、そ
の半導体スイッチ素子１１２にバイアス抵抗１１３を接
続した構成の回路を用いても同様の効果を得ることが出
来る。 （実施の形態２）図２は、本発明の第２の実施の形態の
高周波発振回路の回路図である。図２において、一端を
接地したストリップライン共振器７６にストリップライ
ン共振器７５およびコンデンサ７３を接続する。ストリ
ップライン共振器７５の他端にはコンデンサ７２を接続
し、コンデンサ７２、７３の他端を接続すると同時にバ
ラクタ７４のカソードおよび十分なインダクタ値を有し
たインダクタ７１を接続する。バラクタ７４のアノード
は接地する。インダクタ７１の他端はチューニング電圧
を加える端子４３に接続する。２帯域共振回路ブロック
６は、以上の回路で構成される。
【００１５】また、コンデンサ３０はストリップライン
共振器７５、７６の接続点と発振用トランジスタ１０の
コレクタ間に接続する。直流供給電圧が加えられる電源
供給端子４０と発振用トランジスタ１０のコレクタ間に
十分なインダクタ値を有するインダクタ３３を接続す
る。抵抗３６はトランジスタ１０のエミッタとグランド
間に接続する。抵抗３４、抵抗３５はトランジスタ１０
のコレクタとグランド間に直列接続し、抵抗３４、３５
の接続点をトランジスタ１０のベースに接続する。コン
デンサ３２は一方をトランジスタ１０のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ１０をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ１０のエミッタに接続したコンデンサ３１を
介して端子４１から得られる。
共振器７５、７６の接続点と発振用トランジスタ１０の
コレクタ間に接続する。直流供給電圧が加えられる電源
供給端子４０と発振用トランジスタ１０のコレクタ間に
十分なインダクタ値を有するインダクタ３３を接続す
る。抵抗３６はトランジスタ１０のエミッタとグランド
間に接続する。抵抗３４、抵抗３５はトランジスタ１０
のコレクタとグランド間に直列接続し、抵抗３４、３５
の接続点をトランジスタ１０のベースに接続する。コン
デンサ３２は一方をトランジスタ１０のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ１０をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ１０のエミッタに接続したコンデンサ３１を
介して端子４１から得られる。
【００１６】また、帰還回路ブロック７は、トランジス
タ１０のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ
６２と誘電体基板に形成したストリップライン６１との
並列回路にコンデンサ６０を直列接続した回路で構成さ
れ、調整により２つの所望周波数帯で所望の容量性イン
ピーダンスが得られる。コンデンサ６３は発振用トラン
ジスタ１０のコレクタ−ベース間に接続する。帰還回路
ブロック５は、トランジスタ１０のエミッタ−グランド
間に接続され、コンデンサ５０、５１はトランジスタ１
０のエミッタに接続されている。コンデンサ５０の他端
は接地し、コンデンサ５１の他端はスイッチングダイオ
ード５２のアノードに接続する。またスイッチングダイ
オード５２のアノードはバイアス抵抗５３を介して発振
周波数帯域切り換え制御端子４２に接続し、さらにスイ
ッチングダイオード５２のカソードは接地する。端子４
０、４２、４３とグランド間には高周波ノイズ阻止用コ
ンデンサ３７をそれぞれ接続する。
タ１０のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ
６２と誘電体基板に形成したストリップライン６１との
並列回路にコンデンサ６０を直列接続した回路で構成さ
れ、調整により２つの所望周波数帯で所望の容量性イン
ピーダンスが得られる。コンデンサ６３は発振用トラン
ジスタ１０のコレクタ−ベース間に接続する。帰還回路
ブロック５は、トランジスタ１０のエミッタ−グランド
間に接続され、コンデンサ５０、５１はトランジスタ１
０のエミッタに接続されている。コンデンサ５０の他端
は接地し、コンデンサ５１の他端はスイッチングダイオ
ード５２のアノードに接続する。またスイッチングダイ
オード５２のアノードはバイアス抵抗５３を介して発振
周波数帯域切り換え制御端子４２に接続し、さらにスイ
ッチングダイオード５２のカソードは接地する。端子４
０、４２、４３とグランド間には高周波ノイズ阻止用コ
ンデンサ３７をそれぞれ接続する。
【００１７】以上のように構成された第２の実施の形態
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
【００１８】２帯域共振回路ブロック６は、半導体スイ
ッチ素子等の切り換えスイッチを持たないが同時に所望
の２つの発振周波数帯域より高めの共振周波数を有し、
２つの周波数帯域において所望の誘導性インピーダンス
回路として機能する。さらに共振回路ブロック６は、上
記２つの共振点において共振回路としてなるべく高いＱ
値を有している。端子４２に加える制御電圧によりスイ
ッチングダイオード５２がオン、オフすることでトラン
ジスタ１０のエミッタ−グランド間の容量性インピーダ
ンスを切り換えることができる。帰還回路ブロック７
は、２つの周波数帯域で自由にインピーダンスを調整す
ることができる。以上により、２つの所望周波数帯域の
いづれでも発振条件を満足させる事ができるので、２つ
の所望周波数帯域での発振を実現することができる。ま
た、発振周波数の切り換えはスイッチングダイオード５
２のオン、オフにより行う事ができる。
ッチ素子等の切り換えスイッチを持たないが同時に所望
の２つの発振周波数帯域より高めの共振周波数を有し、
２つの周波数帯域において所望の誘導性インピーダンス
回路として機能する。さらに共振回路ブロック６は、上
記２つの共振点において共振回路としてなるべく高いＱ
値を有している。端子４２に加える制御電圧によりスイ
ッチングダイオード５２がオン、オフすることでトラン
ジスタ１０のエミッタ−グランド間の容量性インピーダ
ンスを切り換えることができる。帰還回路ブロック７
は、２つの周波数帯域で自由にインピーダンスを調整す
ることができる。以上により、２つの所望周波数帯域の
いづれでも発振条件を満足させる事ができるので、２つ
の所望周波数帯域での発振を実現することができる。ま
た、発振周波数の切り換えはスイッチングダイオード５
２のオン、オフにより行う事ができる。
【００１９】以上のように、本実施の形態によれば、発
振用トランジスタ１つで異なる２つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
振用トランジスタ１つで異なる２つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
【００２０】なお、結合コンデンサ３０は、ストリップ
ライン共振器７５とコンデンサ７２の接続点または、コ
ンデンサ７２とバラクタ７４のアノードの接続点と、発
振用トランジスタ１０のコレクタとの間に接続しても同
様の効果が得られる。
ライン共振器７５とコンデンサ７２の接続点または、コ
ンデンサ７２とバラクタ７４のアノードの接続点と、発
振用トランジスタ１０のコレクタとの間に接続しても同
様の効果が得られる。
【００２１】なお、上記実施の形態では、いずれも所望
する周波数帯域を２つとして説明したが、所望する周波
数帯域の数は３つ以上であっても勿論良い。
する周波数帯域を２つとして説明したが、所望する周波
数帯域の数は３つ以上であっても勿論良い。
【００２２】以上のように、１つの発振用トランジスタ
と、異なる２つ以上の所望周波数帯域で共振周波数を有
する共振回路と、発振用トランジスタのコレクタ−ベー
ス間、ベース−エミッタ間、エミッタ−コレクタ間に接
続され、２つ以上の周波数帯域でそれぞれ所望のインピ
ーダンスを有する帰還回路とを備えた構成とし、共振回
路または、帰還回路の少なくとも１つを制御電圧により
インピーダンス切り換えできる構成とすることで、所望
の周波数帯域のいづれでも発振条件を満足させることが
でき、一つの発振用トランジスタで２つ以上の所望周波
数帯での発振を実現することができる。
と、異なる２つ以上の所望周波数帯域で共振周波数を有
する共振回路と、発振用トランジスタのコレクタ−ベー
ス間、ベース−エミッタ間、エミッタ−コレクタ間に接
続され、２つ以上の周波数帯域でそれぞれ所望のインピ
ーダンスを有する帰還回路とを備えた構成とし、共振回
路または、帰還回路の少なくとも１つを制御電圧により
インピーダンス切り換えできる構成とすることで、所望
の周波数帯域のいづれでも発振条件を満足させることが
でき、一つの発振用トランジスタで２つ以上の所望周波
数帯での発振を実現することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、１つの発振用トランジスタで異なる２つ以上の
周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の小型化がで
きるという長所を有する。
発明は、１つの発振用トランジスタで異なる２つ以上の
周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の小型化がで
きるという長所を有する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の高周波発振回路の
回路図である。
回路図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の高周波発振回路の
回路図である。
回路図である。
【図３】本発明の実施の形態における帰還回路の一例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図４】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の一例を示す回路図である。
え回路の一例を示す回路図である。
【図５】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の別の一例を示す回路図である。
え回路の別の一例を示す回路図である。
【図６】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の別の一例を示す回路図である。
え回路の別の一例を示す回路図である。
【図７】従来の二帯域高周波発振回路を示す回路図であ
る。
る。
１、２、３、５、７ 帰還回路ブロック ４ 共振回路ブロック ６ ２帯域共振回路ブロック １０ 発振用トランジスタ ２２ ストリップライン共振器 ２４ バラクタダイオード ２６、５２、１０８、１１２ スイッチングダイオード ４０ 電源供給端子 ４２ 発振周波数帯域切り換え制御端子 ４３ チューニング電圧供給端子 ７５、７６ ストリップライン共振器 ８０ 高周波発振回路１ ８１ 高周波発振回路２ ８２ 結合回路 １０２、１０５ 切り換えスイッチ １０３、１０４、１０６、１１０ ストリップライン共
振器
振器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布施 伸夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小杉 裕昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石田 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 １つの発振用トランジスタと、そのトラ
ンジスタに対する、異なる２つ以上のインピーダンスを
有する帰還回路と、前記トランジスタに接続され、異な
る２つ以上の共振周波数を選択できる共振回路とを備え
たことを特徴とする高周波発振回路。 - 【請求項２】 帰還回路は、前記トランジスタのコレク
タ−ベース間、ベース−エミッタ間、エミッターコレク
タ間にそれぞれ接続されたインピーダンス素子であるこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波発振回路。 - 【請求項３】 １つの発振用トランジスタと、異なる２
つ以上のインピーダンスを選択できる、前記トランジス
タに対する帰還回路と、前記トランジスタに接続され、
異なる２つ以上の共振周波数を有する共振回路とを備え
たことを特徴とする高周波発振回路。 - 【請求項４】 帰還回路は、前記トランジスタのコレク
タ−ベース間、ベース−エミッタ間、エミッターコレク
タ間にそれぞれ接続されたインピーダンス素子であっ
て、前記インピーダンス素子のうちの少なくとも１つの
インピーダンス素子において前記インピーダンスの選択
を行うことを特徴とする請求項３記載の高周波発振回
路。 - 【請求項５】 インピーダンス素子の少なくとも一つ
が、第１のキャパシタンス素子とインダクタンス素子と
の並列回路に、第２のキャパシタンス素子が直列に接続
されていることを特徴とする請求項２、又は４記載の高
周波発振回路。 - 【請求項６】 インダクタンス素子が、誘電体基板上も
しくは誘電体基板中に形成されたストリップライン共振
器であることを特徴とする請求項５記載の高周波発振回
路。 - 【請求項７】 インピーダンス素子の少なくとも１つ
が、第１のリアクタンス素子と、第２のリアクタンス素
子と、それら第１のリアクタンス素子及び第２のリアク
タンス素子を切り換える半導体スイッチ素子とを有する
ことを特徴とする請求項４記載の高周波発振回路。 - 【請求項８】 インピーダンス素子の少なくとも１つ
が、第１のリアクタンス素子と半導体スイッチ素子の直
列回路に、第２のリアクタンス素子が並列に接続された
ことを特徴とする請求項４記載の高周波発振回路。 - 【請求項９】 共振回路が、前記２つ以上の共振周波数
にそれぞれ対応する共振器と、その共振器を切り換える
半導体スイッチ素子とを有することを特徴とする請求項
１、又は２記載の高周波発振回路。 - 【請求項１０】 半導体スイッチ素子は、前記共振器の
一端とグランドとの間に設けられていることを特徴とす
る請求項９記載の高周波発振回路。 - 【請求項１１】 半導体スイッチ素子は、前記共振器上
の中間の一点とグランドとの間に設けられていることを
特徴とする請求項９記載の高周波発振回路。 - 【請求項１２】 共振器が、誘電体基板に形成したスト
リップライン共振器、又は同軸誘電体共振器であること
を特徴とする請求項１０、又は１１記載の高周波発振回
路。 - 【請求項１３】 半導体スイッチ素子と前記共振器との
間にキャパシタンス素子が直列に接続されていることを
特徴とする請求項９記載の高周波発振回路。 - 【請求項１４】 共振回路は所望の２つの共振周波数を
有する二帯域共振回路であって、その共振回路は、誘電
体基板に形成され、一端同士が接続された第１のストリ
ップライン及び第２のストリップラインと、前記一端同
士の接続点に一端が接続された第１のコンデンサと、前
記第２のストリップラインの他端に一端が接続された第
２のコンデンサと、前記第１のコンデンサの他端及び前
記第２のコンデンサの他端に同時にカソードが接続され
たバラクタとを有し、前記第１のストリップラインの他
端及び、前記バラクタのアノードが接地されていること
を特徴とする請求項３記載の高周波発振回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15356596A JPH104315A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 高周波発振回路 |
| US08/844,039 US5852384A (en) | 1996-04-25 | 1997-04-18 | Dual band oscillator circuit using strip line resonators |
| EP97302805A EP0803972B1 (en) | 1996-04-25 | 1997-04-24 | Dual band oscillator circuit |
| DE69715717T DE69715717T2 (de) | 1996-04-25 | 1997-04-24 | Zweiband-Oszillatorschaltung |
| CN97111280A CN1083171C (zh) | 1996-04-25 | 1997-04-25 | 高频双频带振荡电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15356596A JPH104315A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 高周波発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104315A true JPH104315A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15565284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15356596A Pending JPH104315A (ja) | 1996-04-25 | 1996-06-14 | 高周波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104315A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4831821A (en) * | 1986-06-11 | 1989-05-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | System for purifying exhaust gas from a diesel engine |
| KR20000009352A (ko) * | 1998-07-23 | 2000-02-15 | 이형도 | 듀얼 밴드 전압제어발진기 |
| KR100407493B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2003-11-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 텔레비젼튜너 |
| JP4678076B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2011-04-27 | 株式会社村田製作所 | 共振器、発振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP15356596A patent/JPH104315A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4831821A (en) * | 1986-06-11 | 1989-05-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | System for purifying exhaust gas from a diesel engine |
| KR20000009352A (ko) * | 1998-07-23 | 2000-02-15 | 이형도 | 듀얼 밴드 전압제어발진기 |
| JP4678076B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2011-04-27 | 株式会社村田製作所 | 共振器、発振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
| KR100407493B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2003-11-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 텔레비젼튜너 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0803972B1 (en) | Dual band oscillator circuit | |
| EP1092264A1 (en) | Switched mode oscillator | |
| JPH09294018A (ja) | 高周波二帯域発振回路 | |
| JP2004505532A (ja) | 高周波発振回路 | |
| JP3548819B2 (ja) | 周波数切替型発振器及びそれを用いた電子機器 | |
| JPH104315A (ja) | 高周波発振回路 | |
| JPS5922404A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH09307354A (ja) | 共振器とこれを用いた電圧制御発振器 | |
| US20020050866A1 (en) | Voltage controlled oscillator and communication device using the same | |
| JPH11186844A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US5512862A (en) | Oscillator with improved sideband noise | |
| KR100354241B1 (ko) | 전압제어발진기 | |
| US7696833B2 (en) | Oscillator | |
| JP2005304085A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP3318504B2 (ja) | 電圧制御型高周波発振装置 | |
| JP2002118421A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPH057112A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2003101344A (ja) | 周波数シフト型高周波電圧制御型発振回路 | |
| JP2002141745A (ja) | 電圧制御発振器及びそれを用いた通信機 | |
| JP2940053B2 (ja) | 発振装置 | |
| JP2003017936A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2003101343A (ja) | 周波数シフト型高周波電圧制御発振回路 | |
| KR20000040788A (ko) | 듀얼밴드 전압제어발진회로 | |
| JP2003101345A (ja) | 周波数シフト型電圧制御発振回路 | |
| JP2003046333A (ja) | 周波数シフト型高周波電圧制御発振回路 |