JPH104233A - 波長変換レーザー - Google Patents
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- JPH104233A JPH104233A JP8156736A JP15673696A JPH104233A JP H104233 A JPH104233 A JP H104233A JP 8156736 A JP8156736 A JP 8156736A JP 15673696 A JP15673696 A JP 15673696A JP H104233 A JPH104233 A JP H104233A
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体レーザー結晶を光によってポンピング
し、それにより発せられた固体レーザービームを、共振
器内に配した非線形光学結晶により波長変換するレーザ
ーにおいて、発振モードを安定して単一縦モード化す
る。 【解決手段】 非線形光学結晶として、ＭｇＯ：ＬｉＮ
ｂＯ3 結晶15等のタイプＩの位相整合を果たすものを用
い、共振器内にエタロン16と、偏光制御素子として作用
するブリュースタ板17とを配して、それらにより発振モ
ードを単一縦モード化する。
し、それにより発せられた固体レーザービームを、共振
器内に配した非線形光学結晶により波長変換するレーザ
ーにおいて、発振モードを安定して単一縦モード化す
る。 【解決手段】 非線形光学結晶として、ＭｇＯ：ＬｉＮ
ｂＯ3 結晶15等のタイプＩの位相整合を果たすものを用
い、共振器内にエタロン16と、偏光制御素子として作用
するブリュースタ板17とを配して、それらにより発振モ
ードを単一縦モード化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長変換機能を備
えた固体レーザーに関し、特に詳細には、共振器内にエ
タロンとブリュースタ板とを配して、発振モードを単一
縦モード化するようにした波長変換レーザーに関するも
のである。
えた固体レーザーに関し、特に詳細には、共振器内にエ
タロンとブリュースタ板とを配して、発振モードを単一
縦モード化するようにした波長変換レーザーに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポ
ンピングする固体レーザーが公知となっている。またこ
の種の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザー
ビームを得るために、その共振器内に非線形光学材料の
結晶（非線形光学結晶）を配置して、固体レーザービー
ムを第２高調波等に波長変換することも広く行なわれて
いる。
るように、ネオジウム（Ｎｄ）が添加された固体レーザ
ー結晶を半導体レーザー等から発せられた光によってポ
ンピングする固体レーザーが公知となっている。またこ
の種の固体レーザーにおいては、より短波長のレーザー
ビームを得るために、その共振器内に非線形光学材料の
結晶（非線形光学結晶）を配置して、固体レーザービー
ムを第２高調波等に波長変換することも広く行なわれて
いる。
【０００３】上述のような波長変換レーザーに対して
は、その他の種類のレーザー装置と同様に、縦モード競
合による出力変動を抑えるために、単一縦モードで発振
させたいという要求がある。
は、その他の種類のレーザー装置と同様に、縦モード競
合による出力変動を抑えるために、単一縦モードで発振
させたいという要求がある。
【０００４】そのために従来より、固体レーザー媒質と
して、単一縦モード発振が得られやすいＮｄ：ＹＶＯ4
結晶（Ｎｄが添加されたＹＶＯ4 結晶）を適用し、そし
て共振器内に配する非線形光学結晶としてタイプＩの位
相整合を果たすものを用いるとともに、この共振器内に
エタロンを配設したものが知られている。
して、単一縦モード発振が得られやすいＮｄ：ＹＶＯ4
結晶（Ｎｄが添加されたＹＶＯ4 結晶）を適用し、そし
て共振器内に配する非線形光学結晶としてタイプＩの位
相整合を果たすものを用いるとともに、この共振器内に
エタロンを配設したものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の波
長変換レーザーにおいて、ＹＶＯ4 の異方性（π偏光と
σ偏光のゲインの差）を利用するだけでは、偏光制御は
不完全であり、特に励起パワーが高い場合はσ偏光が発
振して、多重縦モード化しやすくなっている。
長変換レーザーにおいて、ＹＶＯ4 の異方性（π偏光と
σ偏光のゲインの差）を利用するだけでは、偏光制御は
不完全であり、特に励起パワーが高い場合はσ偏光が発
振して、多重縦モード化しやすくなっている。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、発振モードを安定して単一縦モード化すること
ができる波長変換レーザーを提供することを目的とす
る。
であり、発振モードを安定して単一縦モード化すること
ができる波長変換レーザーを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による波長変換レ
ーザーは、前述したようにレーザー結晶を光によって励
起し、それによって発せられた固体レーザービームを共
振器内に配したタイプＩの位相整合を果たす非線形光学
結晶により波長変換する波長変換レーザーにおいて、レ
ーザー共振器内にエタロンと偏光制御素子として作用す
るブリュースタ板とが配され、それらにより発振モード
が単一縦モード化されたことを特徴とするものである。
ーザーは、前述したようにレーザー結晶を光によって励
起し、それによって発せられた固体レーザービームを共
振器内に配したタイプＩの位相整合を果たす非線形光学
結晶により波長変換する波長変換レーザーにおいて、レ
ーザー共振器内にエタロンと偏光制御素子として作用す
るブリュースタ板とが配され、それらにより発振モード
が単一縦モード化されたことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の効果】本発明の波長変換レーザーにおいては、
上記のように共振器内にブリュースタ板を配したことに
より、偏光制御が極めて良好になされ、安定した単一縦
モード化の効果が得られる。
上記のように共振器内にブリュースタ板を配したことに
より、偏光制御が極めて良好になされ、安定した単一縦
モード化の効果が得られる。
【０００９】そして、このように安定した単一縦モード
化の効果が得られるので、温度調節の許容誤差が拡大
し、比較的簡単な低コストの温度調節手段が利用可能と
なる。さらに、こうして温度調節の許容誤差が拡大する
から、経時安定性も従来装置に比べて格段に向上し、長
時間に亘る単一縦モード発振が可能になる。
化の効果が得られるので、温度調節の許容誤差が拡大
し、比較的簡単な低コストの温度調節手段が利用可能と
なる。さらに、こうして温度調節の許容誤差が拡大する
から、経時安定性も従来装置に比べて格段に向上し、長
時間に亘る単一縦モード発振が可能になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の１つの実
施形態であるレーザーダイオード励起固体レーザーの側
面形状を示すものである。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の１つの実
施形態であるレーザーダイオード励起固体レーザーの側
面形状を示すものである。
【００１１】このレーザーダイオードポンピング固体レ
ーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープさ
れた固体レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶）13と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側
（半導体レーザー11と反対側）に配された共振器ミラー
14とを有している。
ーザーは、励起光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、ネオジウム（Ｎｄ）がドープさ
れた固体レーザー媒質であるＹＶＯ4 結晶（Ｎｄ：ＹＶ
Ｏ4 結晶）13と、このＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13の前方側
（半導体レーザー11と反対側）に配された共振器ミラー
14とを有している。
【００１２】またＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13と共振器ミラー
14との間には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13側から順にブリュ
ースタ板17、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
材料であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープされ
たＬｉＮｂＯ3 ）結晶15、エタロン16が配設されてい
る。
14との間には、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13側から順にブリュ
ースタ板17、周期ドメイン反転構造を有する非線形光学
材料であるＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 （ＭｇＯがドープされ
たＬｉＮｂＯ3 ）結晶15、エタロン16が配設されてい
る。
【００１３】半導体レーザー11は、活性層幅が約50μｍ
のブロードエリアレーザーであり、中心波長809 ｎｍの
レーザービーム10を発するものが用いられている。また
レーザービーム10の直線偏光方向は図中のβ方向に設定
されている。この半導体レーザー11は、ホルダ20に圧入
固定されている。
のブロードエリアレーザーであり、中心波長809 ｎｍの
レーザービーム10を発するものが用いられている。また
レーザービーム10の直線偏光方向は図中のβ方向に設定
されている。この半導体レーザー11は、ホルダ20に圧入
固定されている。
【００１４】集光レンズ12は、一例として屈折率分布形
レンズ（商品名：セルフォックレンズ）からなる。この
集光レンズ12の片面は球面加工が施され、この球面側を
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13に向けて、レンズの拡大率が0.8
〜1.0 倍になるようにして、上記ホルダ20の所定位置に
固定されている。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13は厚さ１ｍｍに
形成され、その入射端面から厚さ方向0.3 ±0.1 ｍｍの
位置にレーザービーム10が収束するように位置調整され
ている。なお、半導体レーザー11および集光レンズ12が
取り付けられたホルダ20の部分を以下、励起部と称す
る。
レンズ（商品名：セルフォックレンズ）からなる。この
集光レンズ12の片面は球面加工が施され、この球面側を
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13に向けて、レンズの拡大率が0.8
〜1.0 倍になるようにして、上記ホルダ20の所定位置に
固定されている。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13は厚さ１ｍｍに
形成され、その入射端面から厚さ方向0.3 ±0.1 ｍｍの
位置にレーザービーム10が収束するように位置調整され
ている。なお、半導体レーザー11および集光レンズ12が
取り付けられたホルダ20の部分を以下、励起部と称す
る。
【００１５】また上記エタロン16は厚さ0.3 ｍｍの石英
板からなり、光軸に対して45′傾けて配置されている。
ブリュースタ板17は、厚さ0.385ｍｍの石英板からな
る。
板からなり、光軸に対して45′傾けて配置されている。
ブリュースタ板17は、厚さ0.385ｍｍの石英板からな
る。
【００１６】Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13は、入射したレーザ
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶13の入射端面13ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反
射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励
起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％
以上）コーティングが施されている。またこのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶13の他の端面には、波長1064ｎｍの光を良好
に透過させるコーティングが施されている。
ービーム10によってネオジウムイオンが励起されること
により、波長1064ｎｍの光を発する。Ｎｄ：ＹＶＯ4 結
晶13の入射端面13ａには、波長1064ｎｍの光は良好に反
射させる（反射率99.9％以上）一方、波長809 ｎｍの励
起用レーザービーム10は良好に透過させる（透過率93％
以上）コーティングが施されている。またこのＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 結晶13の他の端面には、波長1064ｎｍの光を良好
に透過させるコーティングが施されている。
【００１７】一方共振器ミラー14のミラー面14ａには、
波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コーティングが施されている。
波長1064ｎｍの光は良好に反射させ（反射率99.9％以
上）、下記の波長532 ｎｍの光は透過させる（透過率90
％以上）コーティングが施されている。
【００１８】したがって、上記波長1064ｎｍの光はそれ
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面
13ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発
振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発
生する。このレーザービーム18はＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上で、波
長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変換さ
れ、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射
する。
に対する高反射面となっているＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面
13ａとミラー面14ａとの間に閉じ込められてレーザー発
振を引き起こし、波長1064ｎｍのレーザービーム18が発
生する。このレーザービーム18はＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
結晶15により、タイプＩの位相整合が取られた上で、波
長が１／２すなわち532 ｎｍの第２高調波19に変換さ
れ、共振器ミラー14からは主にこの第２高調波19が出射
する。
【００１９】なお本例において、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13
としてはａ軸カットのものが用いられ、その厚さは１ｍ
ｍである。またＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の長さは２
ｍｍ、共振器ミラー14の曲率半径は50ｍｍ、共振器を構
成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面13ａとミラー面14ａとの
間の距離は約11ｍｍである。
としてはａ軸カットのものが用いられ、その厚さは１ｍ
ｍである。またＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の長さは２
ｍｍ、共振器ミラー14の曲率半径は50ｍｍ、共振器を構
成するＮｄ：ＹＶＯ4 結晶端面13ａとミラー面14ａとの
間の距離は約11ｍｍである。
【００２０】また各結晶13、15の結晶軸は、図２に示す
ように、ｃ軸がβ方向となるように配されている。そし
てＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15のドメイン反転部15ａの
周期は約7.0 μｍであり、半導体レーザー11が発するレ
ーザービーム10の中心波長が809 ｎｍとなる温度で位相
整合するように構成されている。
ように、ｃ軸がβ方向となるように配されている。そし
てＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15のドメイン反転部15ａの
周期は約7.0 μｍであり、半導体レーザー11が発するレ
ーザービーム10の中心波長が809 ｎｍとなる温度で位相
整合するように構成されている。
【００２１】偏光制御素子としてのブリュースタ板17
は、図２に示すように、固体レーザービーム18の入射角
が55.4°になるように配されている。波長1064ｎｍの光
はβ方向に直線偏光した成分のみがこのブリュースタ板
17を透過するので、発振する532 ｎｍの光もβ方向に偏
光する。
は、図２に示すように、固体レーザービーム18の入射角
が55.4°になるように配されている。波長1064ｎｍの光
はβ方向に直線偏光した成分のみがこのブリュースタ板
17を透過するので、発振する532 ｎｍの光もβ方向に偏
光する。
【００２２】さらに、ブリュースタ板17の共振器ミラー
14側の端面17ａには、532 ｎｍの光は良好に反射させ
（反射率95％以上）、波長1064ｎｍのレーザービーム18
は良好に透過させる（透過率99.8％以上）コーティング
が施されており、それにより、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結
晶15で発生してＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13側に進行した波長
532 ｎｍの光をブリュースタ板17で反射させて、共振器
外に逃がすようにしている。このようにして、共振器ミ
ラー14側に進行する波長532 ｎｍの第２高調波19のみを
出射させ、これら双方の532 ｎｍの光が干渉して起こる
出力変化を抑制している。
14側の端面17ａには、532 ｎｍの光は良好に反射させ
（反射率95％以上）、波長1064ｎｍのレーザービーム18
は良好に透過させる（透過率99.8％以上）コーティング
が施されており、それにより、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結
晶15で発生してＮｄ：ＹＶＯ4 結晶13側に進行した波長
532 ｎｍの光をブリュースタ板17で反射させて、共振器
外に逃がすようにしている。このようにして、共振器ミ
ラー14側に進行する波長532 ｎｍの第２高調波19のみを
出射させ、これら双方の532 ｎｍの光が干渉して起こる
出力変化を抑制している。
【００２３】一方エタロン16は、固体レーザーの発振モ
ードを単一縦モード化し、その光入出射端面には、波長
1064ｎｍの光に対しては反射率24％、波長532 ｎｍの光
に対しては反射率0.5 ％以下となるＡＲコートが施され
ている。なお以下では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13、Ｍｇ
Ｏ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15、エタロン16、ブリュースタ板
17および共振器ミラー14が取り付けられたブロック21の
部分を、共振器部と称する。
ードを単一縦モード化し、その光入出射端面には、波長
1064ｎｍの光に対しては反射率24％、波長532 ｎｍの光
に対しては反射率0.5 ％以下となるＡＲコートが施され
ている。なお以下では、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶13、Ｍｇ
Ｏ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15、エタロン16、ブリュースタ板
17および共振器ミラー14が取り付けられたブロック21の
部分を、共振器部と称する。
【００２４】この共振器部および前述した励起部は、板
状のベースプレート30に接着されており、該ベースプレ
ート30およびペルチェ素子31を介してパッケージベース
32に接着固定されている。
状のベースプレート30に接着されており、該ベースプレ
ート30およびペルチェ素子31を介してパッケージベース
32に接着固定されている。
【００２５】なお共振器部に取り付けられたサーミスタ
33により共振器内の温度が検出され、温度制御回路（図
示せず）によりこの検出温度が所定の温度となるように
ペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温度が
所定温度に維持される。
33により共振器内の温度が検出され、温度制御回路（図
示せず）によりこの検出温度が所定の温度となるように
ペルチェ素子31の電流が調節されて、共振器内の温度が
所定温度に維持される。
【００２６】ここで、ベースプレート30上の各要素の温
度は均一であるのが望ましく、そこでホルダ20、ブロッ
ク21およびベースプレート30はアルミニウム、銅または
これらの合金のように熱伝導率の高い材料から形成され
るのが望ましい。また、各部の接着固定も熱伝導率性接
着剤、半田等熱伝導率の高いものによってなされるのが
望ましいが、エポキシ接着剤等の一般的な接着剤でも、
接着層を10μｍ以下程度に薄くすれば、熱抵抗が小さく
なるので使用可能である。
度は均一であるのが望ましく、そこでホルダ20、ブロッ
ク21およびベースプレート30はアルミニウム、銅または
これらの合金のように熱伝導率の高い材料から形成され
るのが望ましい。また、各部の接着固定も熱伝導率性接
着剤、半田等熱伝導率の高いものによってなされるのが
望ましいが、エポキシ接着剤等の一般的な接着剤でも、
接着層を10μｍ以下程度に薄くすれば、熱抵抗が小さく
なるので使用可能である。
【００２７】本実施の形態においては、固体レーザービ
ーム18がブリュースタ板17の作用で偏光制御され、かつ
エタロン16の作用で単一縦モード化されるので、第２高
調波19も単一縦モード化される。つまり各結晶13および
15、ブリュースタ板17が図２のように配されていること
により、固体レーザービーム18は常にπ偏光（偏光の向
きがβ方向）で発振し、縦モードも単一のままに保たれ
る。
ーム18がブリュースタ板17の作用で偏光制御され、かつ
エタロン16の作用で単一縦モード化されるので、第２高
調波19も単一縦モード化される。つまり各結晶13および
15、ブリュースタ板17が図２のように配されていること
により、固体レーザービーム18は常にπ偏光（偏光の向
きがβ方向）で発振し、縦モードも単一のままに保たれ
る。
【００２８】したがって、単一縦モードを維持できる温
度範囲が拡大し、経時安定性も従来装置に比べて格段に
向上する。さらに、励起パワーを高くしても、安定して
単一縦モード発振するようになる。
度範囲が拡大し、経時安定性も従来装置に比べて格段に
向上する。さらに、励起パワーを高くしても、安定して
単一縦モード発振するようになる。
【００２９】なお、ブリュースタ板17の波長532 ｎｍの
光に対するコーティング仕様を変えれば（コーティング
無しでもよい）、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15、エタロ
ン16およびブリュースタ板17の配置の順序は、上記のも
の以外とすることも可能である。
光に対するコーティング仕様を変えれば（コーティング
無しでもよい）、ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15、エタロ
ン16およびブリュースタ板17の配置の順序は、上記のも
の以外とすることも可能である。
【００３０】また、タイプＩの位相整合を果たす非線形
光学結晶としては、上に述べた周期ドメイン反転構造を
有するＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15に限らず、その他、
周期ドメイン反転構造を持たないＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
や、さらにはＬｉＴａＯ3 、β−ＢＢＯ、ＬＢＯ、Ｂａ
2 ＮａＮｂ5 Ｏ15等の結晶も使用可能である。
光学結晶としては、上に述べた周期ドメイン反転構造を
有するＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15に限らず、その他、
周期ドメイン反転構造を持たないＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3
や、さらにはＬｉＴａＯ3 、β−ＢＢＯ、ＬＢＯ、Ｂａ
2 ＮａＮｂ5 Ｏ15等の結晶も使用可能である。
【００３１】また、このタイプＩの位相整合を果たす非
線形光学結晶として周期ドメイン反転構造を有するもの
を用いる場合は、上記ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の他
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶や、ＬｉＴａＯ3 結晶や、ＫＴＰ
結晶に周期ドメイン反転構造を形成したもの等も使用可
能である。
線形光学結晶として周期ドメイン反転構造を有するもの
を用いる場合は、上記ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶15の他
に、ＬｉＮｂＯ3 結晶や、ＬｉＴａＯ3 結晶や、ＫＴＰ
結晶に周期ドメイン反転構造を形成したもの等も使用可
能である。
【図１】本発明の一実施形態による波長変換レーザーを
示す概略側面図
示す概略側面図
【図２】上記波長変換レーザーの要部を示す斜視図
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶 14 共振器ミラー 15 ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶 16 エタロン 17 ブリュースタ板 18 固体レーザービーム（基本波） 19 第２高調波 20 ホルダ 21 ブロック 30 ベースプレート 31 ペルチェ素子 33 サーミスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザー結晶を光によって励起し、それ
によって発せられた固体レーザービームを共振器内に配
したタイプＩの位相整合を果たす非線形光学結晶により
波長変換する波長変換レーザーにおいて、 共振器内にエタロンと偏光制御素子として作用するブリ
ュースタ板とが配され、それらにより発振モードが単一
縦モード化されたことを特徴とする波長変換レーザー。 - 【請求項２】 前記非線形光学結晶が周期ドメイン反転
構造を有するものであることを特徴とする請求項１記載
の波長変換レーザー。 - 【請求項３】 前記周期ドメイン反転構造を有する非線
形光学結晶がＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 結晶であることを特
徴とする請求項２記載の波長変換レーザー。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156736A JPH104233A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 波長変換レーザー |
| DE69717913T DE69717913T2 (de) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | Laser zur Umwandlung optischer Wellenlängen |
| EP97109856A EP0814546B1 (en) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | Wavelength-conversion laser |
| US08/877,817 US5978392A (en) | 1996-06-18 | 1997-06-18 | Wavelength-conversion laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156736A JPH104233A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 波長変換レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104233A true JPH104233A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15634204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8156736A Pending JPH104233A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 波長変換レーザー |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5978392A (ja) |
| EP (1) | EP0814546B1 (ja) |
| JP (1) | JPH104233A (ja) |
| DE (1) | DE69717913T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123307A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-22 | Japanese National Railways<Jnr> | Reciprocating engine |
| KR100434462B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 광송신기를 위한 파장 안정화 장치 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3827261B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2006-09-27 | パイオニア株式会社 | 半導体レーザ励起固体レーザ及びそれを用いた光学装置 |
| JP2000269573A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体レーザー |
| US6516008B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-02-04 | Raytheon Company | Laser pulse slicer and dual wavelength converter for chemical sensing |
| ITTO20030317A1 (it) * | 2003-04-23 | 2004-10-24 | Bright Solutions Soluzioni Laser In Novative Srl | Dispositivo laser per la generazione di un fascio laser visibile. |
| JP4636315B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | １次元照明装置及び画像生成装置 |
| EP2216677A4 (en) * | 2007-11-21 | 2010-12-01 | Panasonic Corp | WAVELENGTH CONVERTING DEVICE AND PICTURE INDICATOR THEREWITH |
| US20130156054A1 (en) * | 2010-08-06 | 2013-06-20 | University of North Texas System | Monolithic, fiber-to-fiber coupled nonlinear resonator for brewster cut periodically poled crystals |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3614474B2 (ja) * | 1994-10-14 | 2005-01-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 波長変換レーザー |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP8156736A patent/JPH104233A/ja active Pending
-
1997
- 1997-06-17 DE DE69717913T patent/DE69717913T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-17 EP EP97109856A patent/EP0814546B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-18 US US08/877,817 patent/US5978392A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123307A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-22 | Japanese National Railways<Jnr> | Reciprocating engine |
| JPS5743724B2 (ja) * | 1979-03-13 | 1982-09-17 | ||
| KR100434462B1 (ko) * | 2002-03-11 | 2004-06-05 | 삼성전자주식회사 | 광송신기를 위한 파장 안정화 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5978392A (en) | 1999-11-02 |
| DE69717913T2 (de) | 2003-04-30 |
| EP0814546A1 (en) | 1997-12-29 |
| EP0814546B1 (en) | 2002-12-18 |
| DE69717913D1 (de) | 2003-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030826 |