JPH104085A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマを使用して半導体基板のエッチング
を行うドライエッチング方法および装置に関し、チャー
ジアップに起因するゲート電極下の絶縁層の静電破壊を
防止することを課題とする。 【解決手段】 接地されたチャンバ１とその内部に設け
られた基板支持台２との間にプラズマ８を発生させ、発
生したプラズマ８を、基板支持台２上の半導体基板５に
照射するようにするドライエッチング装置における基板
支持台２に、ＲＦ交流電源６から高周波交流電流を供給
して直流セルフバイアスを発生させ、基板支持台２を第
１の所定時間に亘って負に帯電させる工程と、基板支持
台２に直流電源７から直流電流を供給して基板支持台２
を第２の所定時間に亘って正に帯電させる工程とから成
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
方法および装置に関し、特に、接地された筐体とその内
部に設けられた基板支持台との間にプラズマを発生さ
せ、発生したプラズマを、基板支持台上の半導体基板に
照射するようにするドライエッチング方法および装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板に設けられた配線用金属膜の
表面酸化膜を除去するための、所謂プリエッチング工程
では、ドライエッチング装置が使用されている。

【０００３】図５は、従来のドライエッチング装置の構
成図である。図中、チェンバ１０１が密封空間を構成
し、その空間に不活性ガスが導入され（例えば、Ａｒガ
ス、１００ｓｃｃｍ）、また、真空排気系の接続により
内部が低ガス圧に調整される（例えば、０．１３Ｐ
ａ）。さらにチェンバ１０１は導電材で構成され、接地
されている。チェンバ１０１内には基板支持台１０２
が、チェンバ１０１と電気的に絶縁された状態で設けら
れる。基板支持台１０２は、導電材で構成され、導電支
持棒１０３を介してブロッキングコンデンサＣに接続さ
れ、ブロッキングコンデンサＣはＲＦ交流電源（ＲＦ）
１０４に接続される。基板支持台１０２にはエッチング
時に半導体基板１０５が搭載される。ブロッキングコン
デンサＣは直流電流を遮断するためのものである。ＲＦ
交流電源１０４は、周波数１３．５６ＭＨｚ、交流電圧
１０００Ｖの高周波交流電流を、ブロッキングコンデン
サＣおよび導電支持棒１０３を介して基板支持台１０２
に供給する。

【０００４】ＲＦ交流電源１０４からの高周波交流電流
の供給により、チェンバ１０１と基板支持台１０２との
間にプラズマ１０６が発生する。プラズマ１０６の中に
は、正負同数の電離した粒子（電子、陽イオン等）と中
性粒子とが存在する。電子は質量が小さいため電界の変
動に対応した運動をすることができるのに対し、陽イオ
ンは質量が大きいために電界の変動に対応した運動を殆
どすることができない。イオンシース内の電界が単振動
するときの電子の振幅が約２ｍとなるのに対し、陽イオ
ンの振幅は約３０μｍである。したがって、電子は電界
の高周波変動に応じて動き得るが、陽イオンは電界の高
周波変動に応じて動けず、直流電界に応じて動くだけと
なる。

【０００５】このように高周波変動電界では電子と陽イ
オンとの応答速度が違うということ、および基板支持台
１０２に比べてチェンバ１０１の面積が大きく、チェン
バ１０１全体がアース電位になっていることに起因し
て、基板支持台１０２に高周波交流電流が供給されてい
るときに、プラズマ１０６中の電子だけが基板支持台１
０２に集まる。すなわち、高周波変動電界では陽イオン
は殆ど移動せず、電子だけが高周波変動電界に応答する
が、チェンバ１０１に取り囲まれたプラズマ１０６の電
位がアース電位に非常に近くなるために、プラズマ１０
６中の電子がチェンバ１０１の方向には移動しづらい環
境となっている。その結果、電子が基板支持台１０２に
集まるという現象が発生する。

【０００６】基板支持台１０２に集まった電子は、ブロ
ッキングコンデンサＣの作用により基板支持台１０２に
蓄積され、その結果、基板支持台１０２が負にバイアス
される。通常、数１００Ｖ程度にバイアスされ、これを
直流セルフバイアスと呼ぶ。この負の直流セルフバイア
スが発生すると、プラズマ１０６中の電子は反発を受け
て基板支持台１０２に流れ込みにくくなる一方、プラズ
マ１０６中の陽イオンが基板支持台１０２方向に加速さ
れて移動することになる。そして、電界変動の１周期の
間に基板支持台１０２に流れ込む電子と陽イオンとの量
が釣り合うところで平衡状態となり、放電が継続され
る。

【０００７】図６は、こうした初期時および平衡時の基
板支持台１０２の電位および流入電流を示す図であり、
（Ａ）は初期時のＲＦ交流電源１０４の出力電圧を、
（Ｂ）は初期時の基板支持台１０２の電位を、（Ｃ）は
初期時の基板支持台１０２への流入電流を示し、（Ｄ）
は平衡時のＲＦ交流電源１０４の出力電圧を、（Ｅ）は
平衡時の基板支持台１０２の電位を、（Ｆ）は平衡時の
基板支持台１０２への流入電流を示す。（Ｂ），（Ｅ）
における破線は直流セルフバイアスを示し、（Ｃ），
（Ｆ）において、中央線Ｌ１１，Ｌ１２よりも上部のグ
ラフＧ１１，Ｇ１３は電子の流入量を、下部のグラフＧ
１２，Ｇ１４は陽イオンの流入量をそれぞれ示す。

【０００８】すなわち、ＲＦ交流電源１０４から、図６
（Ａ）に示すような出力電圧が、基板支持台１０２へ供
給された場合、初期時には、上述したように電子だけが
基板支持台１０２へ集まり、基板支持台１０２に蓄積さ
れる。この結果、基板支持台１０２の電位の平均値が、
図６（Ｂ）に破線で示すように低下する。そのため、基
板支持台１０２への電子の流入が、図６（Ｃ）に示すグ
ラフＧ１１のように次第に低下するとともに、図６
（Ｃ）に示すグラフＧ１２のような陽イオンの基板支持
台１０２への流入が始まる。その後、電界変動の１周期
の間に基板支持台１０２に流れ込む電子の量〔図６
（Ｆ）のＧグラフ１３〕と陽イオンの量〔図６（Ｆ）の
グラフＧ１４〕とが釣り合うところで、図６（Ｅ）に示
すように、基板支持台１０２の電位の平均値（破線）の
低下が収まり、平衡状態となる。この基板支持台１０２
の電位の平均値（破線）が直流セルフバイアスの値とな
る。

【０００９】図５に戻って、陽イオンが加速されて基板
支持台１０２へ移動する際に、基板支持台１０２に半導
体基板１０５が搭載されていると、陽イオンが半導体基
板１０５に衝突し、半導体基板１０５に設けられた配線
用金属膜の表面酸化膜に対して異方性エッチングが行わ
れる。その際に、配線用金属膜が、半導体基板１０５の
絶縁膜上に形成されている関係から、正電荷が配線用金
属膜に蓄えられる。この電荷の蓄積をチャージアップと
呼ぶ。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン半
導体集積回路の高集積化が進んでいる。そうした集積回
路に使用するシリコン半導体ウェハ面内の均一性や成
膜、加工速度を向上するために、ドライエッチングに使
用するプラズマの電力が増大しており、その結果、チャ
ージアップし易い傾向にある。なお、配線用金属膜にＭ
ＯＳトランジスタのゲート電極が接続されており、この
ため、ゲート電極がチャージアップされ易い。特に、回
路パターンの設計がより複雑になって、トランジスタの
１つのゲート電極から引き出される配線数やコンタクト
孔の面積が増大する傾向にあり、これがゲート電極のよ
り大きなチャージアップを引き起こしている。

【００１１】こうしたゲート電極のチャージアップの結
果、半導体基板１０５のゲート電極下の絶縁膜で静電破
壊１１１が発生する可能性が高まっている。図７は半導
体基板１０５の断面を示す図である。図７において、半
導体基板１０５には、絶縁膜層１０７、金属配線層１０
８が形成され、絶縁膜層１０７上にゲート電極１１０が
存在し、ゲート電極１１０と金属配線層１０８とが接続
されている。金属配線層１０８に対してエッチングマス
ク１０９を被せ、矢印方向の陽イオンを浴びせると、金
属配線層１０８がエッチングされる。それとともに、金
属配線層１０８は陽イオンを受け、金属配線層１０８に
接続されたゲート電極１１０が正電荷でチャージアップ
される。一方このとき、半導体基板１０５を搭載してい
る基板支持台１０２は、直流セルフバイアスにより負に
帯電しているので、ゲート電極１１０の下の絶縁膜に静
電破壊１１１が発生する可能性がある。

【００１２】特に、シリコン半導体集積回路の高集積化
に伴い、ＭＯＳトランジスタのゲート電極１１０下の絶
縁膜層１０７が薄くなる傾向にある。このため、こうし
た静電破壊１１１が非常に発生し易い状況にある。

【００１３】このような製造工程において誘発される集
積回路の障害をＰＩＤ（Process Induced Damage) と呼
び、このＰＩＤが、集積回路の歩留り率に重要な問題と
なってきている。

【００１４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、チャージアップに起因するゲート電極下の絶
縁層の静電破壊を防止するようにしたドライエッチング
方法および装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明では上記目的を達
成するために、接地された筐体とその内部に設けられた
基板支持台との間にプラズマを発生させ、発生したプラ
ズマを、基板支持台上の半導体基板に照射するようにす
るドライエッチング装置における基板支持台に、高周波
交流電流を供給して直流セルフバイアスを発生させ、基
板支持台を第１の所定時間に亘って負に帯電させる工程
と、基板支持台に直流電流を供給して基板支持台を第２
の所定時間に亘って正に帯電させる工程とを、有するこ
とを特徴とするドライエッチング方法が提供される。

【００１６】以上のような工程において、高周波交流電
源から高周波交流電流が第１の所定時間に亘って基板支
持台に供給され、これにより、基板支持台に直流セルフ
バイアスが発生し、基板支持台は負に帯電される。した
がって、基板支持台に搭載された半導体基板に陽イオン
が照射され、半導体基板がエッチングされる。これとと
もに、半導体基板に正の電荷が蓄積される。その後、高
周波交流電源に代わって直流電源から正の電圧が第２の
所定時間に亘って基板支持台に供給される。これによ
り、基板支持台は正に帯電される。そのため、陽イオン
に代わって、半導体基板にはプラズマ中の電子が届き、
第１の所定時間の間に半導体基板に蓄積された正電荷
が、この届いた電子により第２の所定時間の間に中和さ
れる。

【００１７】こうして半導体基板のチャージアップが解
消し、ゲート電極下の絶縁層の静電破壊を防止する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明に係るドライエッ
チング装置の第１の実施の形態の構成図である。図中、
チェンバ１が密封空間を構成し、その空間に不活性ガス
が導入され（例えば、Ａｒガス、１００ｓｃｃｍ）、ま
た、真空排気系の接続により内部が低ガス圧に調整され
る（例えば、０．１３Ｐａ）。さらにチェンバ１は導電
材で構成され、接地されている。チェンバ１内には基板
支持台２が、チェンバ１と電気的に絶縁された状態で設
けられる。基板支持台２は、導電材で構成され、導電支
持棒３を介して切替スイッチ（ＳＷ）４に接続される。
基板支持台２にはエッチング時に半導体基板５が搭載さ
れる。切替スイッチ４には、ブロッキングコンデンサＣ
ｂを介してＲＦ交流電源（ＲＦ）６が接続されるととも
に、直流電源（ＤＣ）７が接続される。ＲＦ交流電源６
は、周波数１３．５６ＭＨｚ、交流電圧１０００Ｖの高
周波交流電流を出力し、直流電源７は正の直流電圧１０
００Ｖを出力する。切替スイッチ４は１０Ｈｚのサイク
ルで切替えを行い、ＲＦ交流電源６の出力と直流電源７
の出力とを交互に基板支持台２に供給する。

【００１９】まず、ＲＦ交流電源６から基板支持台２に
高周波交流電流が供給されているときには、チェンバ１
と基板支持台２との間に発生したプラズマ８中の電子が
基板支持台２に集まり、ブロッキングコンデンサＣｂの
直流電流遮断作用により、基板支持台２に蓄積される。
したがって、基板支持台２が負に直流セルフバイアスさ
れる。直流セルフバイアスが発生すると、プラズマ８中
の陽イオンが基板支持台２の方向に加速されて移動する
ことになる。この結果、陽イオンが、基板支持台２に搭
載された半導体基板５に衝突し、半導体基板５に設けら
れた配線用金属膜の表面酸化膜に対して異方性エッチン
グを行う。その際に、配線用金属膜が、半導体基板５の
絶縁膜上に形成されている関係から、正電荷が配線用金
属膜に蓄えられる。

【００２０】ここで、切替スイッチ４を切替え、ＲＦ交
流電源６に代わって直流電源７を基板支持台２に接続す
ると、基板支持台２は正に帯電される。そのため、陽イ
オンは今までと反対方向に加速され、エッチングが停止
する。その上、半導体基板２の配線用金属膜にはプラズ
マ８中の電子が届き、先に半導体基板５の配線用金属膜
に蓄積されていた正電荷が中和される。

【００２１】図２は、こうしたＲＦ交流電源６と直流電
源７との切替えに伴う基板支持台２の電位および流入電
流を示す図であり、（Ａ）は基板支持台２へ供給される
電源電圧を、（Ｂ）は基板支持台２の電位を、（Ｃ）は
基板支持台２への流入電流を示す。（Ｂ）における破線
は直流セルフバイアスを示し、（Ｃ）において、中央線
Ｌ１より上部のグラフＧ１は電子の流入量を、下部のグ
ラフＧ２は陽イオンの流入量を示す。

【００２２】すなわち、図２（Ａ）に示す期間Ｔ１にお
いて、ＲＦ交流電源６から基板支持台２に高周波交流電
流が供給されているときには、図２（Ｂ）に破線で示す
ような直流セルフバイアスが、基板支持台２に発生す
る。この直流セルフバイアスが発生すると、プラズマ８
中の陽イオンが、図２（Ｃ）に示すグラフＧ２のよう
に、基板支持台２に流入し、この結果、エッチングが行
われる。その際に、配線用金属膜が、半導体基板５の絶
縁膜上に形成されている関係から、正電荷が配線用金属
膜に蓄えられる。

【００２３】ここで、図２（Ａ）に示す期間Ｔ２におい
て、切替スイッチ４の切替えによって、ＲＦ交流電源６
に代わって直流電源７が基板支持台２に接続されると、
基板支持台２は、図２（Ｂ）に示すように正に帯電され
る。そのため、図２（Ｃ）に示すグラフＧ１のように、
プラズマ８中の電子が基板支持台２に届き、この際、先
に半導体基板５の配線用金属膜に蓄積されていた正電荷
がこの電子によって中和される。

【００２４】このようにして、半導体基板５の配線用金
属膜のチャージアップがサイクル毎に解消されるので、
半導体基板２のゲート電極下の絶縁層の静電破壊が容易
に防止される。

【００２５】なお、切替スイッチ４は１０Ｈｚのサイク
ルで切替えるようにしているが、この切替え周期は一般
的にはつぎのようにして設定する。すなわち、基板支持
台２にＲＦ交流電源６が第１の所定時間接続され、直流
電源７が第２の所定時間接続されるとしたときに、第１
の所定時間の長さを、長過ぎると半導体基板２に静電破
壊が発生するので、少なくとも、静電破壊が発生する限
界値よりも短い値に設定する。また、第２の所定時間の
長さを、長過ぎるとプラズマ８の発生が停止してしまう
ので、少なくとも、プラズマ８の発生が停止する限界値
よりも短い値に設定する。つまり、直流電源７を基板支
持台２に長く接続しておくと、半導体基板５の配線用金
属膜が中和を通り越して負に帯電されてしまい、放電が
停止されてしまうので、こうした放電が停止されないう
ちに第２の所定時間が終了する必要がある。

【００２６】また、切替スイッチ４では、第１の所定時
間と、第２の所定時間とが同じ長さの５０ｍｓ〔＝（１
０Ｈｚ）^-1／２）〕に設定されているが、切替スイッチ
４に代わって、両者を異なる時間に設定できる切替スイ
ッチを使用するようにしてもよく、さらに、切替スイッ
チに、これらの時間を外部から任意に設定できるような
機能を持たせるようにしてもよい。

【００２７】さらに、切替スイッチ４を使用せず、ＲＦ
交流電源６をブロッキングコンデンサＣｂを介して直
接、導電支持棒３に接続するとともに、直流電源７を直
接、導電支持棒３に接続する構成にし、ＲＦ交流電源６
および直流電源７へそれぞれ供給される電源電流を互い
違いにオンオフするようにしてもよい。或いは、同様に
に、ＲＦ交流電源６をブロッキングコンデンサＣｂを介
して直接、導電支持棒３に接続するとともに、直流電源
７を直接、導電支持棒３に接続する構成にし、ＲＦ交流
電源６および直流電源７の中にそれぞれ設けられる発振
回路を制御して、ＲＦ交流電源６および直流電源７の各
出力が互い違いに行われるようにしてもよい。

【００２８】つぎに、第２の実施の形態を説明する。図
３は、本発明に係るドライエッチング装置の第２の実施
の形態の構成図である。第２の実施の形態の構成は基本
的に第１の実施の形態の構成と同じである。したがっ
て、第２の実施の形態の説明では、第１の実施の形態と
同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。

【００２９】第２の実施の形態は、第１の実施の形態に
比べて、基板支持台２に供給される電源部分だけが異な
っている。すなわち、第２の実施の形態では、基板支持
台２に導電支持棒３を介してパルス電源９が接続され
る。パルス電源９は、正の１０００Ｖの直流電圧を５０
ｍｓの間出力し、その直後、負の１０００Ｖの直流電圧
を５０ｍｓの間出力し、こうした出力を繰り返すもので
ある。

【００３０】高周波交流電流が供給されないドライエッ
チング装置では、半導体基板５に形成された絶縁膜がコ
ンデンサの役割を果たし、このコンデンサにプラズマ８
および基板支持台２側から電流が流れ込んでいる間は放
電が行われ、プラズマ８が発生する。流れ込む電流が、
このコンデンサの容量を満たすと放電が停止する。そこ
で、基板支持台２に供給する直流電圧を、放電が停止さ
れるよりも前のタイミングで正負交互に切り替えれば放
電が維持され得る。放電が維持され得る正負の直流電圧
の各供給継続期間は、例えば５０ｍｓである。

【００３１】まず、負の直流電圧が基板支持台２に供給
されると、チェンバ１と基板支持台２との間にプラズマ
８が発生し、プラズマ８中の陽イオンが基板支持台２の
方向に加速されて移動する。これにより、陽イオンが、
基板支持台２に搭載された半導体基板５に衝突し、半導
体基板５に設けられた配線用金属膜の表面酸化膜に対し
て異方性エッチングが行われる。その際に、配線用金属
膜が、半導体基板５の絶縁膜上に形成されている関係か
ら、正電荷が配線用金属膜に蓄えられる。

【００３２】つぎに、正の直流電圧が基板支持台２に供
給されると、陽イオンは今までと反対方向に加速され、
エッチングが停止する。そして、半導体基板２の配線用
金属膜にはプラズマ８中の電子が届き、先に半導体基板
５の配線用金属膜に蓄積されていた正電荷が中和され
る。

【００３３】図４は、こうした第２の実施の形態におけ
る基板支持台２の電位および流入電流を示す図であり、
（Ａ）はパルス電源９の出力電圧を、（Ｂ）は基板支持
台２の電位を、（Ｃ）は基板支持台２への流入電流を示
す。（Ｃ）において、中央線Ｌ２よりも上部のグラフＧ
３は電子の流入量を、下部のグラフＧ４は陽イオンの流
入量を示す。

【００３４】すなわち、図４（Ａ）に示す期間Ｔ３にお
いて、負の直流電圧が基板支持台２に供給されると、図
４（Ｂ）に示すように基板支持台２が負に帯電し、プラ
ズマ８中の陽イオンが、図４（Ｃ）に示すグラフＧ４の
ように基板支持台２に流れ込む。この際、陽イオンが半
導体基板５の配線用金属膜に衝突してエッチングが行わ
れるとともに、配線用金属膜が、半導体基板５の絶縁膜
上に形成されている関係から、正電荷が配線用金属膜に
蓄えられる。

【００３５】つぎに、図４（Ａ）に示す期間Ｔ４におい
て、正の直流電圧が基板支持台２に供給されると、図４
（Ｂ）に示すように基板支持台２が正に帯電し、プラズ
マ８中の電子が、図４（Ｃ）に示すグラフＧ３のように
基板支持台２に流入する。この際に、この電子が、先に
半導体基板５の配線用金属膜に蓄積されていた正電荷を
中和する。

【００３６】このようにして、第２の実施の形態でも、
半導体基板５の配線用金属膜のチャージアップがサイク
ル毎に解消され、半導体基板２のゲート電極下の絶縁層
の静電破壊が容易に防止される。

【００３７】なお、第２の実施の形態のパルス電源９で
は、正負の直流電圧の継続時間を各５０ｍｓに設定して
いるが、これらに限られることはない。一般には、これ
らの継続時間は、半導体基板２の静電破壊の防止や、放
電停止の防止を考慮して設定されるものである。また、
パルス電源９に、これらの継続時間を外部から任意に設
定できるような機能を持たせるようにしてもよい。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明では、ドライ
エッチング装置において高周波交流電源以外に、切替ス
イッチおよび直流電源を設けた。これにより、陽イオン
によるエッチングの最中に半導体基板に蓄積された正電
荷が、切替スイッチによる直流電源の接続の度に、中和
される。かくして、半導体基板のチャージアップが解消
され、半導体基板に設けられたトランジスタのゲート電
極下の絶縁層に発生する静電破壊を容易に防止すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す構成図であ
る。

【図２】ＲＦ交流電源と直流電源との切替えに伴う基板
支持台の電位および流入電流を示す図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態を示す構成図であ
る。

【図４】第２の実施の形態における基板支持台の電位お
よび流入電流を示す図である。

【図５】従来のドライエッチング装置を示す構成図であ
る。

【図６】従来のドライエッチング装置における基板支持
台の電位および流入電流を示す図である。

【図７】従来のドライエッチング装置で発生する半導体
基板の静電破壊を説明する図である。

【符号の説明】

１…チェンバ、２…基板支持台、３…導電支持棒、４…
切替スイッチ、５…半導体基板、６…ＲＦ交流電源、７
…直流電源、８…プラズマ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接地された筐体とその内部に設けられた
   基板支持台との間にプラズマを発生させ、発生したプラ
   ズマを、前記基板支持台上の半導体基板に照射するよう
   にするドライエッチング方法において、 前記基板支持台に高周波交流電流を供給して直流セルフ
   バイアスを発生させ、前記基板支持台を第１の所定時間
   に亘って負に帯電させる工程と、 前記基板支持台に直流電流を供給して前記基板支持台を
   第２の所定時間に亘って正に帯電させる工程と、 を有することを特徴とするドライエッチング方法。
2. 【請求項２】 前記第１の所定時間の値は、少なくとも
   前記半導体基板の静電破壊が発生する限界値よりも小さ
   い値に設定されることを特徴とする請求項１記載のドラ
   イエッチング方法。
3. 【請求項３】 前記第２の所定時間の値は、少なくとも
   プラズマの発生が停止する限界値よりも小さい値に設定
   されることを特徴とする請求項１記載のドライエッチン
   グ方法。
4. 【請求項４】 接地された筐体とその内部に設けられた
   基板支持台との間にプラズマを発生させ、発生したプラ
   ズマを、前記基板支持台上の半導体基板の表面に形成さ
   れた金属薄膜に照射して取り除くようにするドライエッ
   チング方法において、 前記基板支持台を直流セルフバイアスにより負に帯電さ
   せ、前記金属薄膜を正電荷イオンでエッチングする工程
   と、 前記基板支持台を直流電源により正に帯電させて前記金
   属薄膜に負電子を注入させ、前記金属薄膜に蓄えられた
   正電荷を中和する工程と、 を有することを特徴とするドライエッチング方法。
5. 【請求項５】 プラズマを使用したドライエッチング装
   置において、 接地されるとともに、内部でプラズマが発生されるよう
   にされた筐体と、 前記筐体の内部に設けられ、半導体基板が搭載される基
   板支持台と、 前記基板支持台に高周波交流電流を供給して、前記基板
   支持台を直流セルフバイアスにより負に帯電させる高周
   波交流電源と、 前記基板支持台に直流電流を供給して、前記基板支持台
   を正に帯電させる直流電源と、 前記高周波交流電源からの高周波交流電流と前記直流電
   源からの直流電流とを交互に前記基板支持台に供給する
   切替手段と、 を有することを特徴とするドライエッチング装置。
6. 【請求項６】 プラズマを使用したドライエッチング装
   置において、 接地されるとともに、内部でプラズマが発生されるよう
   にされた筐体と、 前記筐体の内部に設けられ、半導体基板が搭載される基
   板支持台と、 前記基板支持台に接続され、前記基板支持台に正負の直
   流電圧を交互に供給する供給手段と、 を有することを特徴とするドライエッチング装置。