JPH104075A - 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法

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JPH104075A
JPH104075A JP8309494A JP30949496A JPH104075A JP H104075 A JPH104075 A JP H104075A JP 8309494 A JP8309494 A JP 8309494A JP 30949496 A JP30949496 A JP 30949496A JP H104075 A JPH104075 A JP H104075A
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濟 チョル 李
Heishin Kin
秉 眞 金
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体写真工程時にフォトレジストを含む現
像液をウェーハから迅速に除去するための洗浄装置を提
供する。 【解決手段】 一端が洗浄液供給源３２に連結され、ウ
ェーハ４８上に洗浄液を供給するための洗浄液供給ライ
ン４０と、一端がガス供給源３４に連結され、ウェーハ
上にガスを供給するためのガス供給ライン４２と、洗浄
液供給ライン及びガス供給ラインのそれぞれの他端が連
結されて、供給された洗浄液とガスを混合するとともに
ウェーハ側に向けた噴射ノズル４６を備えるノズル組立
体４４とからなる。従って、ガスの圧力を受けて洗浄液
が加圧されて噴射されるので、ウェーハの洗浄時間が短
縮され、洗浄液の使用量を削減でき、さらに洗浄効率を
高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
洗浄装置及び洗浄方法に関し、より詳細には、半導体素
子製造工程における写真工程時に、露光されたフォトレ
ジストを現像した後、フォトレジストを含む現像液をウ
ェーハから効率的に除去するための半導体ウェーハの洗
浄装置及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】写真工程は、ウェーハ上にフォトレジス
トをコーティングした後、フォトマスクをウェーハ上に
整列し、露光してフォトレジストを感光させてからフォ
トレジストを現像し、不要なフォトレジストを含む現像
液を除去することによって、半導体素子のパターンを形
成する工程である。
【０００３】フォトレジストを現像した後に現像液を除
去する工程は洗浄液を用いてなされる。すなわち、現像
したウェーハを高速で回転させながらウェーハの表面に
洗浄液を供給することによって、除去されたフォトレジ
ストを含む現像液を洗浄している。
【０００４】図２に示すように、従来のウェーハの洗浄
装置は、スイッチングソレノイド１０を作動させてエア
バルブ１４を開くと、洗浄液として使用される純水（D.
I. Water）は純水供給源１２から純水供給ライン１６に
沿って流れ、純水放出部１８を通じて、高速で回転する
ウェーハ２０上に自由落下によって供給されるように構
成されている。
【０００５】このように構成された従来のウェーハ洗浄
装置においては、ウェーハ上に落下した純水は、ウェー
ハの高速回転に伴う遠心力によって、ウェーハ表面に沿
ってウェーハ縁部方向に流れて現像液を除去するように
なっている。しかしながら、このような方法によれば、
純水が直接落下する領域だけにしか純水による垂直力は
作用しないので、その他領域のパターンの凹溝に存在す
る現像液を洗浄するためには、長い時間と多量の純水を
必要としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高速
で回転するウェーハの表面領域全体に洗浄液を加圧噴射
することによって、現像液に対する洗浄効果を増加させ
て、ウェーハの洗浄時間と洗浄液の使用量を減らすこと
が可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のウェーハ洗浄装置は、一端が洗浄液の供給
源に連結され、ウェーハ上に洗浄液を供給するための洗
浄液供給ラインと、一端がガス供給源に連結され、ウェ
ーハ上にガスを供給するためのガス供給ラインと、前記
洗浄液供給ライン及び前記ガス供給ラインのそれぞれの
他端が連結されて、供給された洗浄液とガスを混合する
とともに、ウェーハ側に向けた噴射ノズルを備えるノズ
ル組立体とからなることを特徴とする。
【０００８】前記洗浄液供給ライン及び前記ガス供給ラ
インには、それぞれエアバルブが設けられており、それ
ぞれのエアバルブを同時に開閉することができるスイッ
チングソレノイドを更に含むことにより、洗浄液とガス
の流量制御を容易にすることができる。
【０００９】また、前記ノズル組立体に取り付けられた
噴射ノズルには、洗浄液がウェーハ上に扇状に噴射され
るように、複数の噴射孔を形成するとよい。なお、好ま
しくは、前記ガスは窒素ガスであり、前記洗浄液は純水
である。
【００１０】また、本発明に基づく半導体ウェーハの洗
浄方法は、洗浄液供給ラインを通じて回転する半導体ウ
ェーハ上に洗浄液を供給してウェーハを洗浄する半導体
ウェーハの洗浄方法において、前記洗浄液供給ラインに
ガス供給ラインを付設して、前記ガスによって加圧され
た洗浄液をウェーハに噴射して洗浄することを特徴とす
る。
【００１１】このように構成された本発明によれば、ガ
ス供給源から供給されるガスと洗浄液供給源から供給さ
れる洗浄液はノズル組立体で合流し、ガスの圧力を受け
て加圧された洗浄液は、ノズル組立体に取り付けた噴射
ノズルを通じて高速で回転するウェーハ上部の表面領域
全体に噴射されるので、ウェーハの表面上に残留する現
像液に強い圧力を加えて現像液を迅速に除去することが
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、ウェーハ上に純水と窒素
ガスを同時に噴射する本発明による半導体ウェーハ洗浄
装置の一実施形態を示す概略図である。洗浄装置は現像
設備の１つのモジュールを構成する。
【００１３】図１に示すように、本発明に基づく洗浄装
置においては、洗浄液として使用する純水を供給するた
めに純水供給源３２と連結された純水供給ライン４０に
は、純水の流れを開閉する第１エアバルブ３６が設けら
れており、窒素ガス供給源３４と連結された窒素ガス供
給ライン４２には、窒素ガスの流れを開閉する第２エア
バルブ３８が設けられている。
【００１４】第１及び第２エアバルブ３６，３８はスイ
ッチングソレノイド３０に連結されており、スイッチン
グソレノイド３０に電圧が印加されると、空気供給源
（図示せず）から空気が第１及び第２エアバルブ３６，
３８に同時に供給されて、これらのバルブを開放させ
る。
【００１５】また、純水供給ライン４０と窒素ガス供給
ライン４２の端部は、筒状のノズル組立体４４にそれぞ
れ連結されて、その内部で純水と窒素ガスが合流するよ
うに構成されている。ノズル組立体４４は、高速で回転
するウェーハステージ５０上に置かれたウェーハ４８の
上方に位置する。ノズル組立体４４のウェーハ４８側の
端部には噴射ノズル４６が取り付けられている。噴射ノ
ズル４６には複数の噴射孔が形成されており、洗浄液と
ガスを扇状に噴射する。
【００１６】以上のように構成された本発明の洗浄装置
によれば、現像を終了したウェーハの表面に存在する現
像液を除去するために、スイッチングソレノイド３０に
電圧を印加すると、第１及び第２エアバルブ３６，３８
に空気供給源（図示せず）から空気が同時に供給され
て、第１及び第２エアバルブ３６，３８を同時に開放す
る。第１及び第２エアバルブ３６，３８を通過した純水
と窒素ガスは、それぞれ純水供給ライン４０及び窒素ガ
ス供給ライン４２に沿って流れ、これらのライン４０，
４２の端部に連結されたノズル組立体４４内で合流し、
純水は窒素ガスの圧力を受けて加圧され、ノズル組立体
の端部に取り付けられた噴射ノズル４６を通じて高速で
回転しているウェーハ４８の上部表面領域の全体に扇状
に噴射される。
【００１７】ウェーハ４８の表面領域全体に加圧噴射さ
れた純水は、素子パターンの凹溝の中に存在する現像液
に垂直力を加えて現像液を凹溝から上向きに排出させる
とともに、ウェーハの高速回転による遠心力によって、
ウェーハ４８の表面から現像液を除去する。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、フォトレジスト現像後
に迅速にかつ効率的に現像液を除去することができるの
で、ウェーハの洗浄時間を短縮することができ、さらに
洗浄液の使用量を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウェーハ洗浄装置の一実施
形態を示す概略図である。
【図２】従来の自由落下式の半導体ウェーハの洗浄装置
を示す概略図である。
【符号の説明】
３０ ソレノイド ３２ 純水供給源 ３４ 窒素ガス供給源 ３６，３８ エアバルブ ４０ 純水供給ライン ４２ 窒素ガス供給ライン ４４ ノズル組立体 ４６ 噴射ノズル ４８ ウェーハ ５０ ウェーハステージ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一端が洗浄液供給源に連結され、ウェー
    ハ上に洗浄液を供給するための洗浄液供給ラインと、 一端がガス供給源に連結され、ウェーハ上にガスを供給
    するためのガス供給ラインと、 前記洗浄液供給ライン及び前記ガス供給ラインのそれぞ
    れの他端が連結されて、供給された洗浄液とガスを混合
    するとともに、ウェーハ側に向けた噴射ノズルを備える
    ノズル組立体と、からなることを特徴とする半導体ウェ
    ーハの洗浄装置。
  2. 【請求項２】 前記洗浄液供給ライン及び前記ガス供給
    ラインには、それぞれエアバルブが設けられており、そ
    れぞれのエアバルブを同時に開閉することができるスイ
    ッチングソレノイドを更に含むことを特徴とする請求項
    １記載の洗浄装置。
  3. 【請求項３】 前記噴射ノズルには、洗浄液を扇状に噴
    射できるように、複数の噴射孔が形成されたことを特徴
    とする請求項１記載の洗浄装置。
  4. 【請求項４】 前記ガスは窒素ガスであることを特徴と
    する請求項１記載の洗浄装置。
  5. 【請求項５】 前記洗浄液は純水であることを特徴とす
    る請求項１記載の洗浄装置。
  6. 【請求項６】 洗浄液供給ラインを通じて洗浄液を回転
    する半導体ウェーハ上に供給してウェーハを洗浄する半
    導体ウェーハの洗浄方法において、 前記洗浄液供給ラインにガス供給ラインを付設して、前
    記ガスによって加圧された洗浄液をウェーハに噴射して
    洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
  7. 【請求項７】 前記洗浄液と前記ガスがウェーハに同時
    に噴射されることを特徴とする請求項６記載の洗浄方
    法。
JP8309494A 1996-06-05 1996-11-20 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法 Pending JPH104075A (ja)

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