JPH10341062A - 発光素子モジュール及びその製造方法 - Google Patents
発光素子モジュール及びその製造方法Info
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- JPH10341062A JPH10341062A JP9165336A JP16533697A JPH10341062A JP H10341062 A JPH10341062 A JP H10341062A JP 9165336 A JP9165336 A JP 9165336A JP 16533697 A JP16533697 A JP 16533697A JP H10341062 A JPH10341062 A JP H10341062A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【課題】単純な構造でより薄型の発光素子モジュールの
提供。 【解決手段】発光素子およびモニタ用受光素子がシリコ
ン基板上に水平に搭載されており、発光素子の裏面出射
光がシリコン基板に一旦入射し、さらにシリコン基板の
裏面にて反射した後、モニタ用受光素子に受光される、
ように構成されてなる。
提供。 【解決手段】発光素子およびモニタ用受光素子がシリコ
ン基板上に水平に搭載されており、発光素子の裏面出射
光がシリコン基板に一旦入射し、さらにシリコン基板の
裏面にて反射した後、モニタ用受光素子に受光される、
ように構成されてなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光モジュール及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光素子モジュールは、ＣＡＮ
（カン）型パッケージを基本とし、モニタ用受光素子を
発光素子に対して垂直に搭載し、発光素子からの裏面出
射光を直接受光している。
（カン）型パッケージを基本とし、モニタ用受光素子を
発光素子に対して垂直に搭載し、発光素子からの裏面出
射光を直接受光している。
【０００３】従来の発光素子モジュールの概略構造を図
４に示す。なお、図４は、特開平１−２６０８８２号公
報に提案される発光素子モジュールの断面を示す図であ
る。図４を参照して、この従来の発光素子モジュール
は、レンズの発光素子と対面する表面の一部分に反射被
膜を形成した平面または凹面状部位を有する。また図５
に別の従来の発光素子モジュールの構成を示す。
４に示す。なお、図４は、特開平１−２６０８８２号公
報に提案される発光素子モジュールの断面を示す図であ
る。図４を参照して、この従来の発光素子モジュール
は、レンズの発光素子と対面する表面の一部分に反射被
膜を形成した平面または凹面状部位を有する。また図５
に別の従来の発光素子モジュールの構成を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発光素子モジュールを
駆動する際は、発光素子からの裏面出射光の一部をモニ
タ信号として負帰還をかけ、光出力レベルを一定に保つ
ＡＰＣ駆動（AutomaticPower Control）が用いられ
る。
駆動する際は、発光素子からの裏面出射光の一部をモニ
タ信号として負帰還をかけ、光出力レベルを一定に保つ
ＡＰＣ駆動（AutomaticPower Control）が用いられ
る。
【０００５】このために、モニタ用受光素子を搭載し、
発光素子からの裏面出射光を受光している。
発光素子からの裏面出射光を受光している。
【０００６】図５は、従来の同軸型発光素子モジュール
の構成の一例を示す断面図である。この従来の発光素子
モジュールは、図５を参照すると、ＣＡＮ型パッケージ
５０１を基本とし、モニタ用受光素子５０３は、発光素
子５０２の発光方向及び受光素子の受光面の制約から、
発光素子５０２に対し垂直にＬ字型ステム５０４に搭載
することが必要とされる。
の構成の一例を示す断面図である。この従来の発光素子
モジュールは、図５を参照すると、ＣＡＮ型パッケージ
５０１を基本とし、モニタ用受光素子５０３は、発光素
子５０２の発光方向及び受光素子の受光面の制約から、
発光素子５０２に対し垂直にＬ字型ステム５０４に搭載
することが必要とされる。
【０００７】図５に示すように、従来の発光素子モジュ
ールは部品点数が多いため、モジュール構造が複雑にな
り、モジュールの組立工数が多い、という問題がある。
ールは部品点数が多いため、モジュール構造が複雑にな
り、モジュールの組立工数が多い、という問題がある。
【０００８】また、モニタ用受光素子５０３の大きさ
は、１ｍｍ×１ｍｍ×０．３ｍｍ程度であり、垂直にス
テムに搭載すると、その大きさにより発光素子モジュー
ルの厚さ方向の大きさのために発光素子モジュールの小
型化に制限があった。
は、１ｍｍ×１ｍｍ×０．３ｍｍ程度であり、垂直にス
テムに搭載すると、その大きさにより発光素子モジュー
ルの厚さ方向の大きさのために発光素子モジュールの小
型化に制限があった。
【０００９】したがって、本発明は、上記の問題点に鑑
みてなされたものであって、その目的は、従来の発光素
子モジュールよりも単純な構造でより薄型のモジュール
を提供することにある。
みてなされたものであって、その目的は、従来の発光素
子モジュールよりも単純な構造でより薄型のモジュール
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵す
る発光素子モジュールにおいて、前記発光素子および前
記モニタ用受光素子がシリコン基板上に水平方向に平行
にマウントされていることを特徴とする。
め、本発明は、発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵す
る発光素子モジュールにおいて、前記発光素子および前
記モニタ用受光素子がシリコン基板上に水平方向に平行
にマウントされていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、発光素子とモニタ用受光
素子とを内蔵する発光素子モジュールにおいて、前記発
光素子および前記モニタ用受光素子がシリコン基板上に
水平に搭載されており、前記発光素子の裏面出射光が前
記シリコン基板に一旦入射し、さらに前記シリコン基板
の裏面にて反射した後、前記モニタ用受光素子に受光さ
れる、ように構成されてなることを特徴とする。
素子とを内蔵する発光素子モジュールにおいて、前記発
光素子および前記モニタ用受光素子がシリコン基板上に
水平に搭載されており、前記発光素子の裏面出射光が前
記シリコン基板に一旦入射し、さらに前記シリコン基板
の裏面にて反射した後、前記モニタ用受光素子に受光さ
れる、ように構成されてなることを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、前記発光素子と前記受光
素子の中間において、前記シリコン基板上に導光用の溝
を有し、かつ前記受光素子の下部において前記シリコン
基板の裏面に反射用の斜めカット部を有する、ことを特
徴とする。
素子の中間において、前記シリコン基板上に導光用の溝
を有し、かつ前記受光素子の下部において前記シリコン
基板の裏面に反射用の斜めカット部を有する、ことを特
徴とする。
【００１３】また本発明の製造方法は、発光素子および
モニタ用受光素子がシリコン基板上に水平に搭載されて
おり前記発光素子の裏面出射光が前記シリコン基板に一
旦入射し、さらに前記シリコン基板の裏面にて反射した
後、前記モニタ用受光素子に受光される、ように構成さ
れてなる発光素子モジュールの製造方法において、前記
発光素子と前記受光素子の中間に前記シリコン基板上に
導光用の溝を設け、ＡＲコーティング、金属コーティン
グを施し、前記発光素子、前記モニタ用受光素子及び光
ファイバを前記シリコン基板上に水平に配置した後、そ
の後ポティング樹脂にて封止し、これらをモールド樹脂
にて封止する、ことを特徴とする。
モニタ用受光素子がシリコン基板上に水平に搭載されて
おり前記発光素子の裏面出射光が前記シリコン基板に一
旦入射し、さらに前記シリコン基板の裏面にて反射した
後、前記モニタ用受光素子に受光される、ように構成さ
れてなる発光素子モジュールの製造方法において、前記
発光素子と前記受光素子の中間に前記シリコン基板上に
導光用の溝を設け、ＡＲコーティング、金属コーティン
グを施し、前記発光素子、前記モニタ用受光素子及び光
ファイバを前記シリコン基板上に水平に配置した後、そ
の後ポティング樹脂にて封止し、これらをモールド樹脂
にて封止する、ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１５】図１は、本発明の実施の形態のモジュール
の構成を示す断面図である。裏面入射型モニタ用受光素
子１２を、発光素子１１と水平にＳｉ（シリコン）基板
１３上に搭載する。発光素子１１からの裏面出射光１４
が透過性のあるＳｉ基板１３にて反射されないように発
光素子１１の裏面側１８に導光用のＶ字型溝が掘ってあ
り、さらに反射を防ぐためその導光用のＶ字型溝の片面
にＡＲコーティング（Anti Reflection Coating）１
５が施してある。
の構成を示す断面図である。裏面入射型モニタ用受光素
子１２を、発光素子１１と水平にＳｉ（シリコン）基板
１３上に搭載する。発光素子１１からの裏面出射光１４
が透過性のあるＳｉ基板１３にて反射されないように発
光素子１１の裏面側１８に導光用のＶ字型溝が掘ってあ
り、さらに反射を防ぐためその導光用のＶ字型溝の片面
にＡＲコーティング（Anti Reflection Coating）１
５が施してある。
【００１６】一方、Ｓｉ基板１３のモニタ用受光素子１
２の下方は、Ｖ字型溝から入射してきた光を全反射させ
るために斜めカット及び金属コーティング１６を施す。
２の下方は、Ｖ字型溝から入射してきた光を全反射させ
るために斜めカット及び金属コーティング１６を施す。
【００１７】次に本発明の実施の形態に係る発光素子モ
ジュールの製造フローを図３を参照して説明する。
ジュールの製造フローを図３を参照して説明する。
【００１８】まず、Ｓｉ基板にＶ字型溝を掘り、ＡＲコ
ーティング、金属コーティングを施す。
ーティング、金属コーティングを施す。
【００１９】次に発光素子１１、モニタ用受光素子１２
及び光ファイバ１７をＳｉ基板上１３に水平に配置した
後、その後ポティング樹脂１９にて封止し、それらを遮
光性のあるモールド樹脂２０にて封止する。
及び光ファイバ１７をＳｉ基板上１３に水平に配置した
後、その後ポティング樹脂１９にて封止し、それらを遮
光性のあるモールド樹脂２０にて封止する。
【００２０】本発明の実施の形態の発光素子モジュール
は、Ｌ字型ステムの削除とモニタ用受光素子を発光素子
と水平に搭載することにより、厚さ約２ｍｍ〜３ｍｍと
なる。即ち、モジュール本体の厚さを薄くすることが可
能である。
は、Ｌ字型ステムの削除とモニタ用受光素子を発光素子
と水平に搭載することにより、厚さ約２ｍｍ〜３ｍｍと
なる。即ち、モジュール本体の厚さを薄くすることが可
能である。
【００２１】また、表１に、発光素子１１の裏面からモ
ニタ用受光素子１２までの光学長より計算したモニタ用
受光素子の出力を示す。
ニタ用受光素子１２までの光学長より計算したモニタ用
受光素子の出力を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】従来の発光素子モジュールは、光学長が約
５００μｍ、この実施の形態の発光素子モジュールは、
Ｓｉ基板の屈折率：ｎをｎ＝３．５として４００μｍ以
下にできる。これより、従来の発光素子モジュールのモ
ニタ用受光素子の出力は、１００μＡ〜７００μＡ程
度、これに対し、この実施の形態の発光素子モジュール
のモニタ用受光素子の出力は、１５０μＡ〜１１００μ
Ａ程度以上が可能となり、本発明の実施の形態のほうが
有利であることが理解できる。
５００μｍ、この実施の形態の発光素子モジュールは、
Ｓｉ基板の屈折率：ｎをｎ＝３．５として４００μｍ以
下にできる。これより、従来の発光素子モジュールのモ
ニタ用受光素子の出力は、１００μＡ〜７００μＡ程
度、これに対し、この実施の形態の発光素子モジュール
のモニタ用受光素子の出力は、１５０μＡ〜１１００μ
Ａ程度以上が可能となり、本発明の実施の形態のほうが
有利であることが理解できる。
【００２４】図２（Ａ）は本発明の第２の実施の形態の
構成を示す図である。発光素子（ＬＤ；レーザダイオー
ド）１１、モニタ用受光素子（ＰＤ；フォトダイオー
ド）１２及び光ファイバ１７をＳｉ基板１３上に水平に
配置した後、ポティング樹脂１９にて封止し、これらが
１次及び２次モールド樹脂にて封止され、遮光用の２次
モールド樹脂のモニタ用受光素子（ＰＤ）１２の上面に
相当する領域が斜めにカットされている構成としてもよ
い。
構成を示す図である。発光素子（ＬＤ；レーザダイオー
ド）１１、モニタ用受光素子（ＰＤ；フォトダイオー
ド）１２及び光ファイバ１７をＳｉ基板１３上に水平に
配置した後、ポティング樹脂１９にて封止し、これらが
１次及び２次モールド樹脂にて封止され、遮光用の２次
モールド樹脂のモニタ用受光素子（ＰＤ）１２の上面に
相当する領域が斜めにカットされている構成としてもよ
い。
【００２５】図２（Ｂ）は本発明の第３の実施の形態の
構成を示す断面図である。発光素子（ＬＤ）１１、モニ
タ用受光素子（ＰＤ）１２及び光ファイバ１７をＳｉ基
板１３上に水平に配置した後、ポティング樹脂１９にて
封止し、これらを１次、２次モールド樹脂にて封止さ
れ、遮光用の２次モールド樹脂のモニタ用受光素子の上
面に相当する領域を曲面形状として反射型レンズを構成
してもよい。
構成を示す断面図である。発光素子（ＬＤ）１１、モニ
タ用受光素子（ＰＤ）１２及び光ファイバ１７をＳｉ基
板１３上に水平に配置した後、ポティング樹脂１９にて
封止し、これらを１次、２次モールド樹脂にて封止さ
れ、遮光用の２次モールド樹脂のモニタ用受光素子の上
面に相当する領域を曲面形状として反射型レンズを構成
してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を奏する。従来の同軸型発光素子モジュール本
体の直径は、通常約６ｍｍ〜７ｍｍであったが、本発明
の発光素子モジュールは、Ｌ字型ステムの削除とモニタ
用受光素子を発光素子と水平に搭載することにより、好
ましくは厚さ約２ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。即
ち、モジュール本体の厚さを薄くすることが可能であ
る。
下の効果を奏する。従来の同軸型発光素子モジュール本
体の直径は、通常約６ｍｍ〜７ｍｍであったが、本発明
の発光素子モジュールは、Ｌ字型ステムの削除とモニタ
用受光素子を発光素子と水平に搭載することにより、好
ましくは厚さ約２ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。即
ち、モジュール本体の厚さを薄くすることが可能であ
る。
【００２７】また、本発明は、従来の発光素子モジュー
ルよりもモニタ用受光素子の出力が高く、本発明のほう
が有利であることが理解できる。
ルよりもモニタ用受光素子の出力が高く、本発明のほう
が有利であることが理解できる。
【図１】本発明の実施の形態の発光素子モジュールの構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図２】本発明の別の実施の形態の発光素子モジュール
の構造を示す断面図である。
の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態の発光素子モジュールを作
成するフローである。
成するフローである。
【図４】従来の発光素子モジュールの構成を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の発光素子モジュールの構成を示す図であ
る。
る。
１１ 発光素子 １２ モニタ用受光素子 １３ Ｓｉ基板 １４ 裏面出射光 １５ ＡＲコーティング １６ 金属コーティング １７ 光ファイバ １９ ポティング樹脂 ２０ モールド樹脂
Claims (6)
- 【請求項１】発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵する
発光素子モジュールにおいて、 前記発光素子および前記モニタ用受光素子が基板上に水
平方向に平行にマウントされていることを特徴とする発
光素子モジュール。 - 【請求項２】発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵する
発光素子モジュールにおいて、 前記発光素子、前記モニタ用受光素子及び光ファイバを
基板上に水平に配置した後、ポティング樹脂にて封止
し、これらが１次、２次モールド樹脂にて封止され、遮
光用の前記２次モールド樹脂内壁の前記モニタ用受光素
子の上面に相当する領域が斜めにカットされている、こ
とを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項３】発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵する
発光素子モジュールにおいて、 前記発光素子、前記モニタ用受光素子及び光ファイバを
前記基板上に水平に配置した後、ポティング樹脂にて封
止し、これら１次及び２次モールド樹脂にて封止され、
遮光用の前記２次モールド樹脂内壁の前記モニタ用受光
素子の上面に相当する領域を曲面形状として反射型レン
ズを構成している、ことを特徴とする発光素子モジュー
ル。 - 【請求項４】発光素子とモニタ用受光素子とを内蔵する
発光素子モジュールにおいて、 前記発光素子および前記モニタ用受光素子がシリコン基
板上に水平に搭載されており、 前記発光素子の裏面出射光が前記シリコン基板に一旦入
射し、さらに前記シリコン基板の裏面にて反射した後、
前記モニタ用受光素子に受光される、ように構成されて
なることを特徴とする発光素子モジュール。 - 【請求項５】前記発光素子と前記受光素子の中間におい
て、前記シリコン基板上に導光用の溝を有し、かつ前記
受光素子の下部において前記シリコン基板の裏面に反射
用の斜めカット部を有する、 ことを特徴とする請求項１記載の発光素子モジュール。 - 【請求項６】発光素子およびモニタ用受光素子がシリコ
ン基板上に水平に搭載されており前記発光素子の裏面出
射光が前記シリコン基板に一旦入射し、さらに前記シリ
コン基板の裏面にて反射した後、前記モニタ用受光素子
に受光される、ように構成されてなる発光素子モジュー
ルの製造方法において、 前記発光素子と前記受光素子の中間に前記シリコン基板
上に導光用の溝を設け、ＡＲコーティング、金属コーテ
ィングを施し、 前記発光素子、前記モニタ用受光素子及び光ファイバを
前記シリコン基板上に水平に配置した後、その後ポティ
ング樹脂にて封止し、これらをモールド樹脂にて封止す
る、ことを特徴とする発光素子モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165336A JPH10341062A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9165336A JPH10341062A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10341062A true JPH10341062A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15810407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9165336A Pending JPH10341062A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10341062A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203419A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2002063730A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transmitter |
| KR100476314B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2005-03-15 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 광벤치를 이용한 광송신 모듈 |
| JP2006511933A (ja) * | 2002-10-10 | 2006-04-06 | イクスポーネント フォトニクス，インコーポレイティド | 内部リフレクターを備えた半導体光検出器 |
| JP2008117637A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Jst Mfg Co Ltd | 光ガイド付き薄型コネクタ |
| US20220216667A1 (en) * | 2019-09-30 | 2022-07-07 | Ultra Communications, Inc. | Circuit substrate light coupler |
| DE102022106941A1 (de) | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP9165336A patent/JPH10341062A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001203419A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光装置 |
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| WO2023180294A1 (de) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010313 |