JPH10335229A - マスクの合わせずれ評価用テストパターン - Google Patents
マスクの合わせずれ評価用テストパターンInfo
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- JPH10335229A JPH10335229A JP9146413A JP14641397A JPH10335229A JP H10335229 A JPH10335229 A JP H10335229A JP 9146413 A JP9146413 A JP 9146413A JP 14641397 A JP14641397 A JP 14641397A JP H10335229 A JPH10335229 A JP H10335229A
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的な導通から、合わせずれを評価する
と、小さな合わせずれを評価する場合、たくさんのテス
トパターンを用意する必要があり、評価時間も長くな
る。また、合わせずれの他に、パターンの設計寸法と仕
上がり寸法の誤差も含んでしまうため、正確な合わせず
れを評価できない。 【解決手段】 合わせずれを評価する2枚のマスクで抵
抗素子を形成し、この2枚のマスクで電流の流れる方向
と垂直な方向の寸法を最低で2種類だけ用意し、異なる
寸法差の抵抗素子の抵抗値と、この抵抗素子を90度、
180度、270度回転させた抵抗素子の抵抗値から、
合わせずれを計算するため、パターン数が少なく、測定
時間も短くなり、正確な合わせずれが評価できる。
と、小さな合わせずれを評価する場合、たくさんのテス
トパターンを用意する必要があり、評価時間も長くな
る。また、合わせずれの他に、パターンの設計寸法と仕
上がり寸法の誤差も含んでしまうため、正確な合わせず
れを評価できない。 【解決手段】 合わせずれを評価する2枚のマスクで抵
抗素子を形成し、この2枚のマスクで電流の流れる方向
と垂直な方向の寸法を最低で2種類だけ用意し、異なる
寸法差の抵抗素子の抵抗値と、この抵抗素子を90度、
180度、270度回転させた抵抗素子の抵抗値から、
合わせずれを計算するため、パターン数が少なく、測定
時間も短くなり、正確な合わせずれが評価できる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホトリソ工程時の
マスクの合わせずれを評価するために使用するテストパ
ターンの構造に関し、とくに、電気的に合わせずれを評
価するテストパターンに関する。
マスクの合わせずれを評価するために使用するテストパ
ターンの構造に関し、とくに、電気的に合わせずれを評
価するテストパターンに関する。
【0002】
【従来の技術】従来技術のマスク合わせずれ評価用のテ
ストパターンを、図7から図8の平面図を用いて説明す
る。
ストパターンを、図7から図8の平面図を用いて説明す
る。
【0003】図7に示すように、ホトリソエッチング工
程を使用して、導電材料からなる細長い長方形の第1の
パターン1を並列に平行して配置する。また、同様のホ
トリソエッチング工程を使用して導電材料からなる細長
い長方形の第2のパターン2を形成し、第2のパターン
2の両端の内の片方が第1のパターン1の両端の内の片
方に、重なるように、第2のパターン2を並列に平行し
て配置する。
程を使用して、導電材料からなる細長い長方形の第1の
パターン1を並列に平行して配置する。また、同様のホ
トリソエッチング工程を使用して導電材料からなる細長
い長方形の第2のパターン2を形成し、第2のパターン
2の両端の内の片方が第1のパターン1の両端の内の片
方に、重なるように、第2のパターン2を並列に平行し
て配置する。
【0004】配置した第1のパターン1と第2のパター
ン2とは、第1のパターン1と第2のパターン2との重
複部分3の寸法を異なる寸法で用意しておく。つまり、
第1のパターン1と第2のパターン2とが重複していな
い非重複パターン4、第1のパターン1と第2のパター
ン2とがちょうど接触している接触パターン5、第1の
パターン1と第2のパターン2とが重複している重複パ
ターン6までを接触パターン5を中心にして、寸法値を
変化させたパターンにする。
ン2とは、第1のパターン1と第2のパターン2との重
複部分3の寸法を異なる寸法で用意しておく。つまり、
第1のパターン1と第2のパターン2とが重複していな
い非重複パターン4、第1のパターン1と第2のパター
ン2とがちょうど接触している接触パターン5、第1の
パターン1と第2のパターン2とが重複している重複パ
ターン6までを接触パターン5を中心にして、寸法値を
変化させたパターンにする。
【0005】重複部分3を中心として、第1のパターン
1と第2のパターン2とを配置した構成で、第1のパタ
ーン1と第2のパターン2との両端に電圧を印可し、電
流測定を行い、電気的に導通しているか、または、絶縁
されているかを調べれば、非重複パターン4では、電気
的に絶縁されて、重複パターン6では、電気的に導通し
ていることが確かめられる。
1と第2のパターン2とを配置した構成で、第1のパタ
ーン1と第2のパターン2との両端に電圧を印可し、電
流測定を行い、電気的に導通しているか、または、絶縁
されているかを調べれば、非重複パターン4では、電気
的に絶縁されて、重複パターン6では、電気的に導通し
ていることが確かめられる。
【0006】しかし、第1のパターン1と第2のパター
ン2とは、ホトリソ工程での合わせずれが、生ずるの
で、仕上がった重複部分3は、設計時に配置した通りに
はならず、接触パターン5が、非重複したり、重複した
りしてしまう。この仕上がり時の合わせずれは、第1の
パターン1と第2のパターン2との電気的な導通を調べ
れば確かめられる。
ン2とは、ホトリソ工程での合わせずれが、生ずるの
で、仕上がった重複部分3は、設計時に配置した通りに
はならず、接触パターン5が、非重複したり、重複した
りしてしまう。この仕上がり時の合わせずれは、第1の
パターン1と第2のパターン2との電気的な導通を調べ
れば確かめられる。
【0007】図8は、実際の合わせずれの評価に使用す
るテストパターンである。図8に示したパターンを90
度回転させた90度パターン13と、回転させていない
0度パターン16とで、ずれの方向、ずれの大きさを求
めることができる。
るテストパターンである。図8に示したパターンを90
度回転させた90度パターン13と、回転させていない
0度パターン16とで、ずれの方向、ずれの大きさを求
めることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のマスクの合わせ
ずれ評価用テストパターンは、第1のパターン1と第2
のパターン2との重複部分3の寸法を非重複、接触、重
複のように、用意しておいて、その電気的な導通から合
わせずれを求めるので、重複部分3の用意した寸法値で
しか、ずれの方向と大きさとがわからない。つまり、小
さなずれの寸法を求めるためには、小さなきざみ間隔
で、重複部分3の寸法を用意する必要があるので、用意
するパターンが多くなる。また、精度を上げるためにパ
ターンの数を多くすると、導通を測定する時間も長くな
ってしまう。また、第1のパターン1と第2のパターン
2との仕上がり時の寸法は、設計時と異なる。つまり、
設計時の寸法より、仕上がり時の寸法が太く仕上がった
り、細く仕上がったりするので、従来の合わせずれ評価
用テストパターンでは、まったく、合わせずれがなくて
も、接触パターン5が、非重複になったり、重複になっ
たりするので、太り、細りによる誤差を含んでしまい、
合わせずれだけの方向と大きさとを求めることができな
い。
ずれ評価用テストパターンは、第1のパターン1と第2
のパターン2との重複部分3の寸法を非重複、接触、重
複のように、用意しておいて、その電気的な導通から合
わせずれを求めるので、重複部分3の用意した寸法値で
しか、ずれの方向と大きさとがわからない。つまり、小
さなずれの寸法を求めるためには、小さなきざみ間隔
で、重複部分3の寸法を用意する必要があるので、用意
するパターンが多くなる。また、精度を上げるためにパ
ターンの数を多くすると、導通を測定する時間も長くな
ってしまう。また、第1のパターン1と第2のパターン
2との仕上がり時の寸法は、設計時と異なる。つまり、
設計時の寸法より、仕上がり時の寸法が太く仕上がった
り、細く仕上がったりするので、従来の合わせずれ評価
用テストパターンでは、まったく、合わせずれがなくて
も、接触パターン5が、非重複になったり、重複になっ
たりするので、太り、細りによる誤差を含んでしまい、
合わせずれだけの方向と大きさとを求めることができな
い。
【0009】〔発明の目的〕本発明の目的は、上記課題
を解決して、仕上がり時の細り、太りの量を補正して、
従来よりも、マスク合わせずれ量を精度よく評価でき、
マスク合わせずれ量だけを求めることができ、用意する
パターン数が少なくなり、測定時間を短くできるマスク
の合わせずれ評価用テストパターンを提供することであ
る。
を解決して、仕上がり時の細り、太りの量を補正して、
従来よりも、マスク合わせずれ量を精度よく評価でき、
マスク合わせずれ量だけを求めることができ、用意する
パターン数が少なくなり、測定時間を短くできるマスク
の合わせずれ評価用テストパターンを提供することであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のマスクの合わせずれ評価用テストパターン
は、下記記載の構成を採用する。
に本発明のマスクの合わせずれ評価用テストパターン
は、下記記載の構成を採用する。
【0011】本発明のマスクの合わせずれ評価用テスト
パターンは、合わせずれを評価する2種類のマスクで構
成された抵抗素子を有し、抵抗素子の電流方向に対して
垂直方向の幅は、合わせずれを評価する2種類のマスク
で構成し、抵抗素子の電流方向に対して垂直方向の幅
は、寸法が少なくとも2種類の寸法を有し、この抵抗素
子を角度0度、角度90度、角度180度、角度270
度に回転したパターンを有することを特徴する。
パターンは、合わせずれを評価する2種類のマスクで構
成された抵抗素子を有し、抵抗素子の電流方向に対して
垂直方向の幅は、合わせずれを評価する2種類のマスク
で構成し、抵抗素子の電流方向に対して垂直方向の幅
は、寸法が少なくとも2種類の寸法を有し、この抵抗素
子を角度0度、角度90度、角度180度、角度270
度に回転したパターンを有することを特徴する。
【0012】〔作用〕本発明のマスクの合わせずれ評価
用テストパターンは、角度が0度、90度、180度、
270度に回転させたパターンを用意することで、お互
いに180度回転しているパターン同士で、設計時の寸
法と仕上がり時との寸法変換差とを分離できるので、合
わせずれだけの方向と大きさとを正確に求めることがで
きる。また、抵抗値から計算して合わせずれを求めるの
で、寸法の異なるパターンが最低で2種類しかいらなく
なり、電気的な測定時間が短くなる。
用テストパターンは、角度が0度、90度、180度、
270度に回転させたパターンを用意することで、お互
いに180度回転しているパターン同士で、設計時の寸
法と仕上がり時との寸法変換差とを分離できるので、合
わせずれだけの方向と大きさとを正確に求めることがで
きる。また、抵抗値から計算して合わせずれを求めるの
で、寸法の異なるパターンが最低で2種類しかいらなく
なり、電気的な測定時間が短くなる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図1から図6の図面を使用
して、本発明を実施するための最良の実施形態における
マスクの合わせずれ評価用テストパターンを説明する。
図1から図2は、本発明の実施形態におけるマスクの合
わせずれ評価用テストパターンの平面図である。図3か
ら図6は、本発明の実施形態におけるマスクの合わせず
れ評価用テストパターンの形成時の工程断面図である。
して、本発明を実施するための最良の実施形態における
マスクの合わせずれ評価用テストパターンを説明する。
図1から図2は、本発明の実施形態におけるマスクの合
わせずれ評価用テストパターンの平面図である。図3か
ら図6は、本発明の実施形態におけるマスクの合わせず
れ評価用テストパターンの形成時の工程断面図である。
【0014】図1に示すように、縦方向が抵抗寸法長2
1、横方向が最大抵抗寸法幅22の長方形に形成した第
1のパターン1を配置する。この第1のパターン1の寸
法が最大抵抗寸法幅22よりも小さい第1の抵抗寸法幅
23になるように、長方形の第1のパターン1の片側の
領域を第2のパターン2が部分的に重なるように配置す
る。このパターンを第1の抵抗測定パターン11とす
る。
1、横方向が最大抵抗寸法幅22の長方形に形成した第
1のパターン1を配置する。この第1のパターン1の寸
法が最大抵抗寸法幅22よりも小さい第1の抵抗寸法幅
23になるように、長方形の第1のパターン1の片側の
領域を第2のパターン2が部分的に重なるように配置す
る。このパターンを第1の抵抗測定パターン11とす
る。
【0015】また、第1の抵抗測定パターン11と同様
な構成で、第1の抵抗寸法幅23が第1の抵抗寸法幅2
3と異なる第2の抵抗寸法幅24となるように第2のパ
ターン2を配置し、これを第2の抵抗測定パターン12
とする。この第2の抵抗測定パターン12は、第1の抵
抗測定パターン11と隣接して配置する。第2の抵抗寸
法幅24は、最大抵抗寸法幅22よりも小さい寸法であ
る。
な構成で、第1の抵抗寸法幅23が第1の抵抗寸法幅2
3と異なる第2の抵抗寸法幅24となるように第2のパ
ターン2を配置し、これを第2の抵抗測定パターン12
とする。この第2の抵抗測定パターン12は、第1の抵
抗測定パターン11と隣接して配置する。第2の抵抗寸
法幅24は、最大抵抗寸法幅22よりも小さい寸法であ
る。
【0016】図2に示すように、この第1の抵抗測定パ
ターン11と第2の抵抗測定パターン12とを90度回
転させた90度パターン13と、180度回転させた1
80度パターン14と、270度回転させた270度パ
ターン15と、回転させていない0度パターン16とを
用意する。それぞれのパターンは隣接した位置に配置す
る。
ターン11と第2の抵抗測定パターン12とを90度回
転させた90度パターン13と、180度回転させた1
80度パターン14と、270度回転させた270度パ
ターン15と、回転させていない0度パターン16とを
用意する。それぞれのパターンは隣接した位置に配置す
る。
【0017】図1に示した第1の抵抗測定パターン11
の縦方向が抵抗寸法長21、横方向が第1の抵抗寸法幅
23の長方形の領域に電気的な抵抗素子を形成する。第
2の抵抗測定パターン12の縦方向の抵抗寸法長21、
横方向の第2の抵抗寸法幅24の長方形の領域にも同様
に電気的な抵抗素子を形成する。つぎに、本発明の構成
を製造するための工程の一例を図1に示した破線17の
断面図を使用して説明する。
の縦方向が抵抗寸法長21、横方向が第1の抵抗寸法幅
23の長方形の領域に電気的な抵抗素子を形成する。第
2の抵抗測定パターン12の縦方向の抵抗寸法長21、
横方向の第2の抵抗寸法幅24の長方形の領域にも同様
に電気的な抵抗素子を形成する。つぎに、本発明の構成
を製造するための工程の一例を図1に示した破線17の
断面図を使用して説明する。
【0018】たとえば、図3に示すように、絶縁材の基
板31上の全面に、反応性ガスとして、シランとホスフ
ィンとを用いて、化学気相成長法により、リンを含有し
た膜厚350nmの多結晶シリコンからなる配線32を
形成し、回転塗布法により膜厚1μmの第1の感光性樹
脂33を形成する。その後、第1のパターン1を設計し
てあるホトリソマスクにて露光し、現像処理を行い、第
1の感光性樹脂33を第1のパターン1上にパターニン
グする。
板31上の全面に、反応性ガスとして、シランとホスフ
ィンとを用いて、化学気相成長法により、リンを含有し
た膜厚350nmの多結晶シリコンからなる配線32を
形成し、回転塗布法により膜厚1μmの第1の感光性樹
脂33を形成する。その後、第1のパターン1を設計し
てあるホトリソマスクにて露光し、現像処理を行い、第
1の感光性樹脂33を第1のパターン1上にパターニン
グする。
【0019】つぎに、図4に示すように、第1の感光性
樹脂33をエッッチングマスクとして、六フッ化硫黄を
用いて、反応性イオンエッチングで、配線32をエッチ
ングし、第1の感光性樹脂33を硫酸で除去する。
樹脂33をエッッチングマスクとして、六フッ化硫黄を
用いて、反応性イオンエッチングで、配線32をエッチ
ングし、第1の感光性樹脂33を硫酸で除去する。
【0020】つぎに、図5に示すように、回転塗布法に
より膜厚1μmの第2の感光性樹脂34を形成する。そ
の後、第2のパターン2を設計してあるホトリソマスク
にて露光し、現像処理を行い、第2の感光性樹脂34を
第2のパターン2部分を開口するようにパターニングす
る。
より膜厚1μmの第2の感光性樹脂34を形成する。そ
の後、第2のパターン2を設計してあるホトリソマスク
にて露光し、現像処理を行い、第2の感光性樹脂34を
第2のパターン2部分を開口するようにパターニングす
る。
【0021】つぎに、図6に示すように、第2の感光性
樹脂34をエッッチングマスクとして、六フッ化硫黄を
用いて、反応性イオンエッチングで、配線32をエッチ
ングし、第2の感光性樹脂34を硫酸で除去する。
樹脂34をエッッチングマスクとして、六フッ化硫黄を
用いて、反応性イオンエッチングで、配線32をエッチ
ングし、第2の感光性樹脂34を硫酸で除去する。
【0022】図6に示すように、第1のパターン1を設
計してあるマスクにて配線32を形成し、第2のパター
ン2を設計してあるマスクにて、再び配線32をパター
ニングし、第1のパターン1と第2のパターン2とで、
抵抗素子を形成するできる。
計してあるマスクにて配線32を形成し、第2のパター
ン2を設計してあるマスクにて、再び配線32をパター
ニングし、第1のパターン1と第2のパターン2とで、
抵抗素子を形成するできる。
【0023】抵抗素子には図1で示す抵抗寸法長21方
向に電流を流す。つまり、抵抗素子の電流方向に対し
て、垂直方向の幅は、第1のパターン1と第2のパター
ン2との寸法で決まるようにする。第1の抵抗測定パタ
ーン11における縦方向が抵抗寸法長21、横方向が第
1の抵抗寸法幅23の長方形の領域の電気的な抵抗素子
と、第2の抵抗測定パターン12における縦方向が抵抗
寸法長21、横方向が第2の抵抗寸法幅24の長方形の
領域の電気的な抵抗素子とに、電流を流し、それぞれ抵
抗を求める。
向に電流を流す。つまり、抵抗素子の電流方向に対し
て、垂直方向の幅は、第1のパターン1と第2のパター
ン2との寸法で決まるようにする。第1の抵抗測定パタ
ーン11における縦方向が抵抗寸法長21、横方向が第
1の抵抗寸法幅23の長方形の領域の電気的な抵抗素子
と、第2の抵抗測定パターン12における縦方向が抵抗
寸法長21、横方向が第2の抵抗寸法幅24の長方形の
領域の電気的な抵抗素子とに、電流を流し、それぞれ抵
抗を求める。
【0024】抵抗値はマスクの合わせずれがなく、設計
寸法と仕上がり寸法とに差がない場合は、抵抗素子の単
位面積当たりの抵抗値、いわゆるシート抵抗を用いる
と、第1の抵抗測定パターン11の第1の抵抗は、(第
1の抵抗)=(シート抵抗)×(抵抗寸法長21)/
(第1の抵抗寸法幅23)、第2の抵抗測定パターン1
2の第2の抵抗は、(第2の抵抗)=(シート抵抗)×
(抵抗寸法長21)/(第2の抵抗寸法幅24)であ
る。
寸法と仕上がり寸法とに差がない場合は、抵抗素子の単
位面積当たりの抵抗値、いわゆるシート抵抗を用いる
と、第1の抵抗測定パターン11の第1の抵抗は、(第
1の抵抗)=(シート抵抗)×(抵抗寸法長21)/
(第1の抵抗寸法幅23)、第2の抵抗測定パターン1
2の第2の抵抗は、(第2の抵抗)=(シート抵抗)×
(抵抗寸法長21)/(第2の抵抗寸法幅24)であ
る。
【0025】しかしマスクの合わせずれ、設計寸法と仕
上がり寸法との寸法変換差がある。図2で示した0度パ
ターン16で求めると、第1の抵抗測定パターン11で
の抵抗値である第1の抵抗0 は、(第1の抵抗0 )=
(シート抵抗)×((抵抗寸法長21)−(寸法変換
差))/((第1の抵抗寸法幅23)−(X方向の合わ
せずれ)−(寸法変換差))、第2の抵抗測定パターン
12は、(第2の抵抗0 )=(シート抵抗)×((抵抗
寸法長21)−(寸法変換差))/((第2の抵抗寸法
幅24)−(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差))
となる。これらを組み合わせて、(X方向の合わせず
れ)+(寸法変換差)=((第2の抵抗0 )×(第2の
抵抗寸法幅24)−(第1の抵抗0 )×(第1の抵抗寸
法幅23))/((第2の抵抗0 )−(第1の抵抗
0 ))と求められる。(X方向の合わせずれ)+(寸法
変換差)=(寸法誤差0 )とする。
上がり寸法との寸法変換差がある。図2で示した0度パ
ターン16で求めると、第1の抵抗測定パターン11で
の抵抗値である第1の抵抗0 は、(第1の抵抗0 )=
(シート抵抗)×((抵抗寸法長21)−(寸法変換
差))/((第1の抵抗寸法幅23)−(X方向の合わ
せずれ)−(寸法変換差))、第2の抵抗測定パターン
12は、(第2の抵抗0 )=(シート抵抗)×((抵抗
寸法長21)−(寸法変換差))/((第2の抵抗寸法
幅24)−(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差))
となる。これらを組み合わせて、(X方向の合わせず
れ)+(寸法変換差)=((第2の抵抗0 )×(第2の
抵抗寸法幅24)−(第1の抵抗0 )×(第1の抵抗寸
法幅23))/((第2の抵抗0 )−(第1の抵抗
0 ))と求められる。(X方向の合わせずれ)+(寸法
変換差)=(寸法誤差0 )とする。
【0026】同様に、180度パターン14では、マス
クの合わせずれは0度パターン16と異なり逆方向にず
れるので、0度パターン16の計算式とは異なり、第1
の抵抗測定パターン11は、(第1の抵抗180 )=(シ
ート抵抗)×((抵抗寸法長21)−(寸法変換差))
/((第1の抵抗寸法幅23)+(X方向の合わせず
れ)−(寸法変換差))、第2の抵抗測定パターン12
は、(第2の抵抗180 )=(シート抵抗)×((抵抗寸
法長21)−(寸法変換差))/((第2の抵抗寸法幅
24)+(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差))と
なり、これらの式のX方向の合わせずれの符号が逆にな
る。今度は、(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差)
を求めることにして、(X方向の合わせずれ)−(寸法
変換差)=((第2の抵抗180 )×(第2の抵抗寸法幅
24)−(第1の抵抗180 )×(第1の抵抗寸法幅2
3))/((第1の抵抗180 )−(第2の抵抗180 ))
と求められる。(X方向の合わせずれ)−(寸法変換
差)=(寸法誤差180 )とする。
クの合わせずれは0度パターン16と異なり逆方向にず
れるので、0度パターン16の計算式とは異なり、第1
の抵抗測定パターン11は、(第1の抵抗180 )=(シ
ート抵抗)×((抵抗寸法長21)−(寸法変換差))
/((第1の抵抗寸法幅23)+(X方向の合わせず
れ)−(寸法変換差))、第2の抵抗測定パターン12
は、(第2の抵抗180 )=(シート抵抗)×((抵抗寸
法長21)−(寸法変換差))/((第2の抵抗寸法幅
24)+(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差))と
なり、これらの式のX方向の合わせずれの符号が逆にな
る。今度は、(X方向の合わせずれ)−(寸法変換差)
を求めることにして、(X方向の合わせずれ)−(寸法
変換差)=((第2の抵抗180 )×(第2の抵抗寸法幅
24)−(第1の抵抗180 )×(第1の抵抗寸法幅2
3))/((第1の抵抗180 )−(第2の抵抗180 ))
と求められる。(X方向の合わせずれ)−(寸法変換
差)=(寸法誤差180 )とする。
【0027】よって、0度パターン16と180度パタ
ーン14から、設計寸法と仕上がり寸法との寸法変換差
を除くことができて、(X方向の合わせずれ)=((寸
法誤差0 )+(寸法誤差180 ))/2となる。
ーン14から、設計寸法と仕上がり寸法との寸法変換差
を除くことができて、(X方向の合わせずれ)=((寸
法誤差0 )+(寸法誤差180 ))/2となる。
【0028】同様に90度パターン13と270度パタ
ーン15を用いてY方向の合わせずれを求めると、(Y
方向の合わせずれ)+(寸法変換差)=((第2の抵抗
90)×(第2の抵抗寸法幅24)−(第1の抵抗90)×
(第1の抵抗寸法幅23))/((第2の抵抗90)−
(第1の抵抗90))となり、(Y方向の合わせずれ)−
(寸法変換差)=((第2の抵抗270 )×(第2の抵抗
寸法幅24)−(第1の抵抗270 )×(第1の抵抗寸法
幅23))/((第1の抵抗270 )−(第2の抵抗
270 ))となる。(Y方向の合わせずれ)+(寸法変換
差)=(寸法誤差90)、(Y方向の合わせずれ)−(寸
法変換差)=(寸法誤差270 )とすると、結局、(Y方
向の合わせずれ)=((寸法誤差90)+(寸法誤差
270 ))/2と求められる。よって、これらから、設計
寸法と仕上がり寸法との寸法変換差を除いた合わせずれ
だけの方向と大きさを求めることができる。
ーン15を用いてY方向の合わせずれを求めると、(Y
方向の合わせずれ)+(寸法変換差)=((第2の抵抗
90)×(第2の抵抗寸法幅24)−(第1の抵抗90)×
(第1の抵抗寸法幅23))/((第2の抵抗90)−
(第1の抵抗90))となり、(Y方向の合わせずれ)−
(寸法変換差)=((第2の抵抗270 )×(第2の抵抗
寸法幅24)−(第1の抵抗270 )×(第1の抵抗寸法
幅23))/((第1の抵抗270 )−(第2の抵抗
270 ))となる。(Y方向の合わせずれ)+(寸法変換
差)=(寸法誤差90)、(Y方向の合わせずれ)−(寸
法変換差)=(寸法誤差270 )とすると、結局、(Y方
向の合わせずれ)=((寸法誤差90)+(寸法誤差
270 ))/2と求められる。よって、これらから、設計
寸法と仕上がり寸法との寸法変換差を除いた合わせずれ
だけの方向と大きさを求めることができる。
【0029】ここで上記の製造方法で形成したマスクの
合わせずれ評価用テストパターンで抵抗寸法長21を1
00μm、最大抵抗寸法幅22を5μm、第1の抵抗寸
法幅23を1μm、第2の抵抗寸法幅24を0.8μm
で作成した場合、第1の抵抗0 が6142Ω、第1の抵
抗90が4339Ω、第1の抵抗180 が4202Ω、第1
の抵抗270 が5871Ω、第2の抵抗0 8871Ω、第
2の抵抗90が5544Ω、第2の抵抗180 5323Ω、
第2の抵抗270 が8317Ωが得られた。
合わせずれ評価用テストパターンで抵抗寸法長21を1
00μm、最大抵抗寸法幅22を5μm、第1の抵抗寸
法幅23を1μm、第2の抵抗寸法幅24を0.8μm
で作成した場合、第1の抵抗0 が6142Ω、第1の抵
抗90が4339Ω、第1の抵抗180 が4202Ω、第1
の抵抗270 が5871Ω、第2の抵抗0 8871Ω、第
2の抵抗90が5544Ω、第2の抵抗180 5323Ω、
第2の抵抗270 が8317Ωが得られた。
【0030】これらから寸法誤差0 、寸法誤差90、寸法
誤差180 、寸法誤差270 を求めると寸法誤差0 =(88
71×0.8−6142×1)/(8871−614
2)=0.350(μm)。寸法誤差180 =(5323
×0.8−4202×1)/(4202−5323)=
−0.050(μm)。寸法誤差90=(5544×0.
8−4339×1)/(5544−4339)=0.0
80(μm)。寸法誤差270 =(8317×0.8−5
871×1)/(5871−8317)=−0.320
(μm)。
誤差180 、寸法誤差270 を求めると寸法誤差0 =(88
71×0.8−6142×1)/(8871−614
2)=0.350(μm)。寸法誤差180 =(5323
×0.8−4202×1)/(4202−5323)=
−0.050(μm)。寸法誤差90=(5544×0.
8−4339×1)/(5544−4339)=0.0
80(μm)。寸法誤差270 =(8317×0.8−5
871×1)/(5871−8317)=−0.320
(μm)。
【0031】したがって、X方向の合わせずれ=(0.
350+(−0.050))/2=0.150(μ
m)、Y方向の合わせずれ=(0.080+(−0.3
20))/2=−0.120(μm)と求められる。よ
って、図2に示すように、第1のパターン1に対して、
第2のパターンは、X方向、つまり、図2では、右方向
に0.150μmだけずれ、Y方向、つまり、図2で
は、下方向に0.120μmだけずれている。
350+(−0.050))/2=0.150(μ
m)、Y方向の合わせずれ=(0.080+(−0.3
20))/2=−0.120(μm)と求められる。よ
って、図2に示すように、第1のパターン1に対して、
第2のパターンは、X方向、つまり、図2では、右方向
に0.150μmだけずれ、Y方向、つまり、図2で
は、下方向に0.120μmだけずれている。
【0032】よって、抵抗値の計算から合わせずれの方
向と大きさを求めることができるので、従来のようなた
くさんのパターンが必要なくなり、測定の時間も短くな
る。また、従来では精度の高い合わせずれの評価する場
合、細かいきざみ間隔のパターンがたくさん必要になる
が、抵抗値の差から合わせずれを評価できるので、少な
いパターンで、精度高い評価ができるようになる。
向と大きさを求めることができるので、従来のようなた
くさんのパターンが必要なくなり、測定の時間も短くな
る。また、従来では精度の高い合わせずれの評価する場
合、細かいきざみ間隔のパターンがたくさん必要になる
が、抵抗値の差から合わせずれを評価できるので、少な
いパターンで、精度高い評価ができるようになる。
【0033】
【発明の効果】以上の説明からあきらかなように、本発
明のマスクの合わせずれ評価用テストパターンは、マス
クの合わせずれを従来よりパターンを少なくでき、電気
的な測定時間も短縮でき、マスクの仕上がり時の細り、
太り分を除外でき、合わせずれの方向と大きさを、正確
に行うことができる。
明のマスクの合わせずれ評価用テストパターンは、マス
クの合わせずれを従来よりパターンを少なくでき、電気
的な測定時間も短縮でき、マスクの仕上がり時の細り、
太り分を除外でき、合わせずれの方向と大きさを、正確
に行うことができる。
【図1】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンを示す平面図である。
評価用テストパターンを示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンを示す平面図である。
評価用テストパターンを示す平面図である。
【図3】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態におけるマスクの合わせずれ
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
評価用テストパターンの製造方法を示す断面図である。
【図7】従来の技術におけるマスクの合わせずれ評価用
テストパターンを示す平面図である。
テストパターンを示す平面図である。
【図8】従来の技術におけるマスクの合わせずれ評価用
テストパターンを示す平面図である。
テストパターンを示す平面図である。
1 第1のパターン 2 第2のパターン 3 重複部分 4 非重複パターン 5 接触パターン 6 重複パターン 11 第1の抵抗測定パターン 12 第2の抵抗測定パターン 13 90度パターン 14 180度パターン 15 270度パターン 16 0度パターン 17 破線 21 抵抗寸法長 22 最大抵抗寸法幅 23 第1の抵抗寸法幅 24 第2の抵抗寸法幅 31 基板 32 配線 33 第1の感光性樹脂 34 第2の感光性樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 合わせずれを評価する2種類のマスクで
構成された抵抗素子を有し、抵抗素子の電流方向にたい
して垂直方向の幅は、合わせずれを評価する2種類のマ
スクで構成し、抵抗素子の電流方向にたいして垂直方向
の幅は、寸法が少なくとも2種類の寸法を有し、この抵
抗素子を角度0度、角度90度、角度180度、角度2
70度に回転したパターンを有することを特徴するマス
クの合わせずれ評価用テストパターン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9146413A JPH10335229A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | マスクの合わせずれ評価用テストパターン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9146413A JPH10335229A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | マスクの合わせずれ評価用テストパターン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10335229A true JPH10335229A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15407141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9146413A Pending JPH10335229A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | マスクの合わせずれ評価用テストパターン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10335229A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100355771B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-19 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 미세 패턴 변위 측정 방법 |
KR100498423B1 (ko) * | 1998-01-16 | 2005-09-08 | 삼성전자주식회사 | 전기저항 측정을 이용한 정렬 정도 측정방법 |
JP2006147898A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ精度検出方法 |
CN113093482A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准误差的测试方法、调整方法、测试***和存储介质 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146413A patent/JPH10335229A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100498423B1 (ko) * | 1998-01-16 | 2005-09-08 | 삼성전자주식회사 | 전기저항 측정을 이용한 정렬 정도 측정방법 |
KR100355771B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-19 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 미세 패턴 변위 측정 방법 |
JP2006147898A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ精度検出方法 |
CN113093482A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准误差的测试方法、调整方法、测试***和存储介质 |
CN113093482B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-07-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准误差的测试方法、调整方法、测试***和存储介质 |
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