JPH10335199A - 半導体ウェーハ現像装置およびその使用方法 - Google Patents
半導体ウェーハ現像装置およびその使用方法Info
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- JPH10335199A JPH10335199A JP13734097A JP13734097A JPH10335199A JP H10335199 A JPH10335199 A JP H10335199A JP 13734097 A JP13734097 A JP 13734097A JP 13734097 A JP13734097 A JP 13734097A JP H10335199 A JPH10335199 A JP H10335199A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- back surface
- pure water
- spin chuck
- ring
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ裏面側への現像液の廻り込み
を確実に防止する。 【解決手段】 現像すべき半導体ウェーハ１０の裏面中
央部を保持する回転可能なスピンチャック１と、前記ス
ピンチャックに保持された半導体ウェーハの裏面周縁部
に純水を噴射する裏面リンスノズル２と、前記裏面リン
スノズルによる純水の噴射部に設けられ、前記半導体ウ
ェーハ側に向けて先端を有する複数の同心円状の凸部３
からなるリングとを具備し、前記リングの各凸部３間に
は純水が溜まる溝４が形成され、この溝内の水により前
記半導体ウェーハ裏面とリングとの間に水膜が形成され
るように構成した。
を確実に防止する。 【解決手段】 現像すべき半導体ウェーハ１０の裏面中
央部を保持する回転可能なスピンチャック１と、前記ス
ピンチャックに保持された半導体ウェーハの裏面周縁部
に純水を噴射する裏面リンスノズル２と、前記裏面リン
スノズルによる純水の噴射部に設けられ、前記半導体ウ
ェーハ側に向けて先端を有する複数の同心円状の凸部３
からなるリングとを具備し、前記リングの各凸部３間に
は純水が溜まる溝４が形成され、この溝内の水により前
記半導体ウェーハ裏面とリングとの間に水膜が形成され
るように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハ現像
装置に関する。より詳しくは、現像すべき半導体ウェー
ハ裏面側への現像液の廻り込み防止を図った半導体ウェ
ーハ現像装置に関するものである。
装置に関する。より詳しくは、現像すべき半導体ウェー
ハ裏面側への現像液の廻り込み防止を図った半導体ウェ
ーハ現像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおけるフォトリソ
グラフィ技術によるレジストのパターニング工程におい
て、露光された半導体ウェーハ表面に現像液が塗布され
パターンが現像される。このような現像プロセスにおい
て、半導体ウェーハはその裏面側中央部をスピンチャッ
クで吸着保持され、表面に現像液が塗布される。この場
合、現像液が裏面側に廻り込むと、これがスピンチャッ
クに達し、後のウェーハに影響を与えるため、この現像
液の廻り込みを防止する必要がある。
グラフィ技術によるレジストのパターニング工程におい
て、露光された半導体ウェーハ表面に現像液が塗布され
パターンが現像される。このような現像プロセスにおい
て、半導体ウェーハはその裏面側中央部をスピンチャッ
クで吸着保持され、表面に現像液が塗布される。この場
合、現像液が裏面側に廻り込むと、これがスピンチャッ
クに達し、後のウェーハに影響を与えるため、この現像
液の廻り込みを防止する必要がある。
【０００３】図２は従来の半導体ウェーハ現像装置の要
部構成図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図であ
る。現像すべき半導体ウェーハ１０は、スピンチャック
１１上に搭載され、その裏面側中央部を例えば真空吸着
あるいは静電吸着等により保持される。このスピンチャ
ック１１の外周側の２ヵ所に、現像液塗布後に半導体ウ
ェーハ１０の裏面側の外縁部に純水を噴射してリンスす
るための裏面リンスノズル１２が設けられる。このリン
スノズル１２の外側に円環状のナイフエッジ１３が設け
られる。
部構成図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図であ
る。現像すべき半導体ウェーハ１０は、スピンチャック
１１上に搭載され、その裏面側中央部を例えば真空吸着
あるいは静電吸着等により保持される。このスピンチャ
ック１１の外周側の２ヵ所に、現像液塗布後に半導体ウ
ェーハ１０の裏面側の外縁部に純水を噴射してリンスす
るための裏面リンスノズル１２が設けられる。このリン
スノズル１２の外側に円環状のナイフエッジ１３が設け
られる。
【０００４】上記従来の構成においては、半導体ウェー
ハ１０の表面に塗布された現像液の裏面側への廻り込み
をナイフエッジ１３により防止し現像液がスピンチャッ
クに達しないようにするものであった。
ハ１０の表面に塗布された現像液の裏面側への廻り込み
をナイフエッジ１３により防止し現像液がスピンチャッ
クに達しないようにするものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウェーハ現像装置においては、ナイフエッジ
１３とウェーハ１０との間のギャップを小さくして現像
液のウェーハ裏面への廻り込みの防止を図っていたた
め、ギャップの調整状態によっては、現像液が裏面側に
進入してスピンチャックまで達し後続のウェーハに影響
を与えることがあった。
来の半導体ウェーハ現像装置においては、ナイフエッジ
１３とウェーハ１０との間のギャップを小さくして現像
液のウェーハ裏面への廻り込みの防止を図っていたた
め、ギャップの調整状態によっては、現像液が裏面側に
進入してスピンチャックまで達し後続のウェーハに影響
を与えることがあった。
【０００６】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、半導体ウェーハ裏面側への現像液の廻
り込みを確実に防止できる半導体ウェーハ現像装置およ
びそそ使用方法の提供を目的とする。
たものであって、半導体ウェーハ裏面側への現像液の廻
り込みを確実に防止できる半導体ウェーハ現像装置およ
びそそ使用方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、現像すべき半導体ウェーハの裏面中央
部を保持する回転可能なスピンチャックと、前記スピン
チャックに保持された半導体ウェーハの裏面周縁部に純
水を噴射する裏面リンスノズルと、前記裏面リンスノズ
ルによる純水の噴射部に設けられ、前記半導体ウェーハ
側に向けて先端を有する複数の同心円状の凸部からなる
リングとを具備したことを特徴とする半導体ウェーハ現
像装置を提供する。
め、本発明では、現像すべき半導体ウェーハの裏面中央
部を保持する回転可能なスピンチャックと、前記スピン
チャックに保持された半導体ウェーハの裏面周縁部に純
水を噴射する裏面リンスノズルと、前記裏面リンスノズ
ルによる純水の噴射部に設けられ、前記半導体ウェーハ
側に向けて先端を有する複数の同心円状の凸部からなる
リングとを具備したことを特徴とする半導体ウェーハ現
像装置を提供する。
【０００８】この構成によれば、複数の環状の凸部を有
するリングにより現像液の半導体ウェーハ裏面への廻り
込みが確実に防止される。この場合、好ましい実施の形
態においては、前記リングの各凸部間には純水が溜まる
溝が形成され、この溝内の純水により前記半導体ウェー
ハ裏面とリングとの間に水膜が形成されるように構成し
たことを特徴としている。
するリングにより現像液の半導体ウェーハ裏面への廻り
込みが確実に防止される。この場合、好ましい実施の形
態においては、前記リングの各凸部間には純水が溜まる
溝が形成され、この溝内の純水により前記半導体ウェー
ハ裏面とリングとの間に水膜が形成されるように構成し
たことを特徴としている。
【０００９】この構成によれば、半導体ウェーハ裏面に
配置されたリングの各凸部間に水が溜まり、この水が表
面張力により上側の半導体ウェーハ裏面側に吸着して半
導体ウェーハとリングとの間に水膜を形成する。この水
膜により、半導体ウェーハ裏面側への現像液の廻り込み
が確実に防止される。
配置されたリングの各凸部間に水が溜まり、この水が表
面張力により上側の半導体ウェーハ裏面側に吸着して半
導体ウェーハとリングとの間に水膜を形成する。この水
膜により、半導体ウェーハ裏面側への現像液の廻り込み
が確実に防止される。
【００１０】本発明ではさらに、現像すべき半導体ウェ
ーハの裏面中央部を保持する回転可能なスピンチャック
と、前記スピンチャックに保持された半導体ウェーハの
裏面周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズルと、前記
裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けられ、前記
半導体ウェーハ側に向けて開口する環状の溝を有するリ
ングとを具備したことを特徴とする半導体ウェーハ現像
装置を提供する。
ーハの裏面中央部を保持する回転可能なスピンチャック
と、前記スピンチャックに保持された半導体ウェーハの
裏面周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズルと、前記
裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けられ、前記
半導体ウェーハ側に向けて開口する環状の溝を有するリ
ングとを具備したことを特徴とする半導体ウェーハ現像
装置を提供する。
【００１１】この構成によれば、半導体ウェーハ裏面側
のリングの環状の溝内に水を溜め、この水の表面張力に
より半導体ウェーハ裏面とリングとの間に水膜を形成す
ることができるため、現像液の半導体ウェーハ裏面側へ
の廻り込みが確実に防止される。
のリングの環状の溝内に水を溜め、この水の表面張力に
より半導体ウェーハ裏面とリングとの間に水膜を形成す
ることができるため、現像液の半導体ウェーハ裏面側へ
の廻り込みが確実に防止される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の半導体ウェーハ現像装置
の好ましい実施の使用方法においては、現像すべき半導
体ウェーハの裏面中央部を保持する回転可能なスピンチ
ャックと、前記スピンチャックに保持された半導体ウェ
ーハの裏面周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズル
と、前記裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けら
れ、前記半導体ウェーハ側に向けて開口する複数の同心
円状の溝を有するリングとを具備した半導体ウェーハ現
像装置の使用方法において、前記スピンチャックに半導
体ウェーハを吸着保持した後、現像液を塗布する前に、
このスピンチャックを低速回転させながら前記裏面リン
スノズルより純水を半導体ウェーハ裏面に噴射して前記
溝内に純水を溜め、その後、このスピンチャックの回転
を停止し、前記リングと半導体ウェーハ裏面との間に表
面張力により水膜を形成し、この水膜が形成された状態
で現像液を塗布することを特徴としている。
の好ましい実施の使用方法においては、現像すべき半導
体ウェーハの裏面中央部を保持する回転可能なスピンチ
ャックと、前記スピンチャックに保持された半導体ウェ
ーハの裏面周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズル
と、前記裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けら
れ、前記半導体ウェーハ側に向けて開口する複数の同心
円状の溝を有するリングとを具備した半導体ウェーハ現
像装置の使用方法において、前記スピンチャックに半導
体ウェーハを吸着保持した後、現像液を塗布する前に、
このスピンチャックを低速回転させながら前記裏面リン
スノズルより純水を半導体ウェーハ裏面に噴射して前記
溝内に純水を溜め、その後、このスピンチャックの回転
を停止し、前記リングと半導体ウェーハ裏面との間に表
面張力により水膜を形成し、この水膜が形成された状態
で現像液を塗布することを特徴としている。
【００１３】この方法によれば、現像液を塗布する前に
半導体ウェーハの裏面側に水膜が形成されるため、この
水膜により、半導体ウェーハ裏面への現像液の廻り込み
が確実に防止される。
半導体ウェーハの裏面側に水膜が形成されるため、この
水膜により、半導体ウェーハ裏面への現像液の廻り込み
が確実に防止される。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係る半導体ウェーハ現像装置
の要部構成図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図
である。
の要部構成図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は上面図
である。
【００１５】現像すべき半導体ウェーハ１０はスピンチ
ャック１上に搭載保持される。このスピンチャック１
は、静電式あるいは真空式の吸着手段を備え、半導体ウ
ェーハ１０の裏面中央部を吸着保持し、軸１ａ廻りに回
転可能である。スピンチャック１の外周部の２ヵ所に
は、半導体ウェーハ１０の裏面周縁部に純水を噴射する
ための裏面リンスノズル２が設けられる。この裏面リン
スノズル２による純水の噴射部には、半導体ウェーハ１
０側に向けて先端を有する複数の（この例では４つの）
エッジ３からなるリング５が備る。このリング５の各エ
ッジ３間には溝４が形成される。
ャック１上に搭載保持される。このスピンチャック１
は、静電式あるいは真空式の吸着手段を備え、半導体ウ
ェーハ１０の裏面中央部を吸着保持し、軸１ａ廻りに回
転可能である。スピンチャック１の外周部の２ヵ所に
は、半導体ウェーハ１０の裏面周縁部に純水を噴射する
ための裏面リンスノズル２が設けられる。この裏面リン
スノズル２による純水の噴射部には、半導体ウェーハ１
０側に向けて先端を有する複数の（この例では４つの）
エッジ３からなるリング５が備る。このリング５の各エ
ッジ３間には溝４が形成される。
【００１６】上記構成の現像装置において、スピンチャ
ック１に半導体ウェーハ１０をセットした後、現像液を
塗布する前に、スピンチャック１を約１００ｒｐｍで低
速回転させながら、裏面リンスノズル２により半導体ウ
ェーハ１０の裏面に純水を噴射する。これにより、リン
グ５の各エッジ３間の溝４に純水が溜まる。ここでスピ
ンチャック１の回転を停止して半導体ウェーハ１０を静
止状態で保持すると、表面張力により半導体ウェーハ１
０の裏面とリング５との間に水膜が形成される。この状
態で半導体ウェーハ１０の表面に現像液を塗布してパタ
ーンの現像を行なう。このとき、半導体ウェーハ１０の
裏面には水膜のバリヤが形成されているため、現像液が
裏面側に廻り込んでスピンチャック１に達することはな
い。現像液を塗布した後、約１分後にスピンチャック１
を回転させながら、半導体ウェーハ１０の表面および裏
面に表面リンスノズル（図示しない）および裏面リンス
ノズル２により純水を噴射してリンスし、現像プロセス
を終了する。
ック１に半導体ウェーハ１０をセットした後、現像液を
塗布する前に、スピンチャック１を約１００ｒｐｍで低
速回転させながら、裏面リンスノズル２により半導体ウ
ェーハ１０の裏面に純水を噴射する。これにより、リン
グ５の各エッジ３間の溝４に純水が溜まる。ここでスピ
ンチャック１の回転を停止して半導体ウェーハ１０を静
止状態で保持すると、表面張力により半導体ウェーハ１
０の裏面とリング５との間に水膜が形成される。この状
態で半導体ウェーハ１０の表面に現像液を塗布してパタ
ーンの現像を行なう。このとき、半導体ウェーハ１０の
裏面には水膜のバリヤが形成されているため、現像液が
裏面側に廻り込んでスピンチャック１に達することはな
い。現像液を塗布した後、約１分後にスピンチャック１
を回転させながら、半導体ウェーハ１０の表面および裏
面に表面リンスノズル（図示しない）および裏面リンス
ノズル２により純水を噴射してリンスし、現像プロセス
を終了する。
【００１７】なお、上記実施例では、リング５のエッジ
３を４つ設けたが、エッジ３の数は溝４を少なくとも１
本形成するために２以上であればいくつでもよい。ま
た、複数のエッジを有するリング５を２重またはそれ以
上に同心状に配置すればバリヤ効果がさらに高められ
る。
３を４つ設けたが、エッジ３の数は溝４を少なくとも１
本形成するために２以上であればいくつでもよい。ま
た、複数のエッジを有するリング５を２重またはそれ以
上に同心状に配置すればバリヤ効果がさらに高められ
る。
【００１８】また、各エッジ３の先端は必ずしも鋭角で
ある必要はなく、各エッジ３間に溝４が形成される凸形
状であれば、端部が丸まった波型その他の形状であって
もよい。また、リング４の上面を平坦面として、この上
面に環状の溝を形成してもよい。
ある必要はなく、各エッジ３間に溝４が形成される凸形
状であれば、端部が丸まった波型その他の形状であって
もよい。また、リング４の上面を平坦面として、この上
面に環状の溝を形成してもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、複数の環状の凸部を有するリングにより各凸部間に
溝が形成され、この溝内に水を溜めて、半導体ウェーハ
とリング間に水膜のバリヤを形成することができるた
め、現像液の半導体ウェーハ裏面側への廻り込みが確実
に防止され、現像液がスピンチャックまで流れ込んで付
着することはない。これにより、スピンチャック洗浄等
のメンテナンスの手間の軽減が図られるとともに、スピ
ンチャックに付着した現像液によるウェーハへの影響が
防止され、安定した特性の高品質の半導体装置が得られ
歩留りの向上が図られる。
は、複数の環状の凸部を有するリングにより各凸部間に
溝が形成され、この溝内に水を溜めて、半導体ウェーハ
とリング間に水膜のバリヤを形成することができるた
め、現像液の半導体ウェーハ裏面側への廻り込みが確実
に防止され、現像液がスピンチャックまで流れ込んで付
着することはない。これにより、スピンチャック洗浄等
のメンテナンスの手間の軽減が図られるとともに、スピ
ンチャックに付着した現像液によるウェーハへの影響が
防止され、安定した特性の高品質の半導体装置が得られ
歩留りの向上が図られる。
【図１】 本発明の実施例に係る半導体ウェーハ現像装
置の構成説明図。
置の構成説明図。
【図２】 従来の半導体ウェーハ現像装置の構成説明
図。
図。
１：スピンチャック、２：裏面リンスノズル、３：エッ
ジ（凸部）、４：溝、５：リング。
ジ（凸部）、４：溝、５：リング。
Claims (4)
- 【請求項１】現像すべき半導体ウェーハの裏面中央部を
保持する回転可能なスピンチャックと、 前記スピンチャックに保持された半導体ウェーハの裏面
周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズルと、 前記裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けられ、
前記半導体ウェーハ側に向けて先端を有する複数の同心
円状の凸部からなるリングとを具備したことを特徴とす
る半導体ウェーハ現像装置。 - 【請求項２】前記リングの各凸部間には純水が溜まる溝
が形成され、この溝内の水により前記半導体ウェーハ裏
面とリングとの間に水膜が形成されるように構成したこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ現像装
置。 - 【請求項３】現像すべき半導体ウェーハの裏面中央部を
保持する回転可能なスピンチャックと、 前記スピンチャックに保持された半導体ウェーハの裏面
周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズルと、 前記裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けられ、
前記半導体ウェーハ側に向けて開口する環状の溝を有す
るリングとを具備したことを特徴とする半導体ウェーハ
現像装置。 - 【請求項４】現像すべき半導体ウェーハの裏面中央部を
保持する回転可能なスピンチャックと、 前記スピンチャックに保持された半導体ウェーハの裏面
周縁部に純水を噴射する裏面リンスノズルと、 前記裏面リンスノズルによる純水の噴射部に設けられ、
前記半導体ウェーハ側に向けて開口する環状の溝を有す
るリングとを具備した半導体ウェーハ現像装置の使用方
法において、 前記スピンチャックに半導体ウェーハを吸着保持した
後、 現像液を塗布する前に、このスピンチャックを低速回転
させながら前記裏面リンスノズルより純水を半導体ウェ
ーハ裏面に噴射して前記溝内に純水を溜め、 その後スピンチャックの回転を停止して、前記溝内の純
水により前記リングと半導体ウェーハ裏面との間に表面
張力による水膜を形成し、 この水膜が形成された状態で現像液を塗布することを特
徴とする半導体ウェーハ現像装置の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13734097A JPH10335199A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体ウェーハ現像装置およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13734097A JPH10335199A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体ウェーハ現像装置およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335199A true JPH10335199A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15196366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13734097A Pending JPH10335199A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体ウェーハ現像装置およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335199A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635844B2 (en) * | 2002-01-03 | 2003-10-21 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser |
| JP2004119716A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構および基板保持方法 |
| JP2004274028A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| KR101023720B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 현상기 |
| CN110600405A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 清洗装置、方法及存储介质 |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP13734097A patent/JPH10335199A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635844B2 (en) * | 2002-01-03 | 2003-10-21 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser |
| JP2004119716A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構および基板保持方法 |
| JP2004274028A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
| KR101023720B1 (ko) * | 2003-12-27 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 현상기 |
| CN110600405A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-20 | 长江存储科技有限责任公司 | 清洗装置、方法及存储介质 |
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