JPH10333341A - レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH10333341A JPH10333341A JP9144271A JP14427197A JPH10333341A JP H10333341 A JPH10333341 A JP H10333341A JP 9144271 A JP9144271 A JP 9144271A JP 14427197 A JP14427197 A JP 14427197A JP H10333341 A JPH10333341 A JP H10333341A
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- acid
- forming
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学増幅型レジストを用いた光リソグラフィ
ー技術において、露光装置の解像限界以下のパターンを
形成するレジストパターン形成方法及び半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 光照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォトレ
ジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する工程（ス
テップＳ１１〜Ｓ１２）と、フォトレジスト膜を所定の
パターンに加工する工程（ステップＳ１３〜Ｓ１６）
と、フォトレジスト膜を露光し、フォトレジスト膜内に
酸を発生する工程（ステップＳ１７）と、酸によって保
護基を解離し、保護基が解離した単位構造と、所定の流
体とを反応させることにより、パターニングしたフォト
レジスト膜の寸法を変化させる工程（ステップＳ１８）
とによりレジストパターンを形成する。
ー技術において、露光装置の解像限界以下のパターンを
形成するレジストパターン形成方法及び半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 光照射により酸を発生する酸発生剤と、
酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォトレ
ジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する工程（ス
テップＳ１１〜Ｓ１２）と、フォトレジスト膜を所定の
パターンに加工する工程（ステップＳ１３〜Ｓ１６）
と、フォトレジスト膜を露光し、フォトレジスト膜内に
酸を発生する工程（ステップＳ１７）と、酸によって保
護基を解離し、保護基が解離した単位構造と、所定の流
体とを反応させることにより、パターニングしたフォト
レジスト膜の寸法を変化させる工程（ステップＳ１８）
とによりレジストパターンを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
形成方法に係り、特に、露光装置の解像限界以下のパタ
ーンを形成するレジストパターン形成方法及び半導体装
置の製造方法に関する。
形成方法に係り、特に、露光装置の解像限界以下のパタ
ーンを形成するレジストパターン形成方法及び半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置に要求される機能の拡大に伴
い、その集積度に対する要求はますます高まっている。
このため、より微細なパターンを有する半導体集積回路
を実現するための微細加工技術が模索されている。従来
より、半導体装置の微細化は、リソグラフィー技術の進
歩とともに達成されてきた。リソグラフィーにおける分
解能を向上するためには、投影レンズの開口数ＮＡを大
きくするか、光の波長を短くすることが必要である。こ
れら何れによっても分解能を向上することができるが、
開口数ＮＡを増加することによる焦点深度の減少は、露
光波長を短くすることによる場合より顕著なため、段差
のある基板上で精度の高い露光を行うためには開口数Ｎ
Ａをむやみに増加することは望ましくない。そこで、従
来は、主として露光波長を短波長化することにより半導
体装置の微細化を実現していた。
い、その集積度に対する要求はますます高まっている。
このため、より微細なパターンを有する半導体集積回路
を実現するための微細加工技術が模索されている。従来
より、半導体装置の微細化は、リソグラフィー技術の進
歩とともに達成されてきた。リソグラフィーにおける分
解能を向上するためには、投影レンズの開口数ＮＡを大
きくするか、光の波長を短くすることが必要である。こ
れら何れによっても分解能を向上することができるが、
開口数ＮＡを増加することによる焦点深度の減少は、露
光波長を短くすることによる場合より顕著なため、段差
のある基板上で精度の高い露光を行うためには開口数Ｎ
Ａをむやみに増加することは望ましくない。そこで、従
来は、主として露光波長を短波長化することにより半導
体装置の微細化を実現していた。
【０００３】このような背景において、リソグラフィー
技術はレジスト材料の進歩と相伴って進歩し、露光装置
の光源は水銀のｇ線からｉ線へ、更には、ＫｒＦエキシ
マレーザなどのレーザ光へと短波長化が進みつつある。
技術はレジスト材料の進歩と相伴って進歩し、露光装置
の光源は水銀のｇ線からｉ線へ、更には、ＫｒＦエキシ
マレーザなどのレーザ光へと短波長化が進みつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザでは、化学増幅
型の高感度レジストを用いてパターンを形成しても、ホ
ールパターンの形成では現状０．２４μｍ程度が解像限
界であると見込まれており、莫大な投資が必要とされる
エキシマレーザプロセスを導入しても量産技術としての
寿命は長くないと懸念されている。
波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザでは、化学増幅
型の高感度レジストを用いてパターンを形成しても、ホ
ールパターンの形成では現状０．２４μｍ程度が解像限
界であると見込まれており、莫大な投資が必要とされる
エキシマレーザプロセスを導入しても量産技術としての
寿命は長くないと懸念されている。
【０００５】このため、露光装置の解像限界以下のレジ
ストパターンを形成する技術が確立されれば、露光装置
の適用世代も拡がり、ひいては設備投資を低減すること
も可能となるが、未だ有効な手段が見出されていないが
現状である。本発明の目的は、化学増幅型レジストを用
いた光リソグラフィー技術において、露光装置の解像限
界以下のレジストパターンを形成するレジストパターン
形成方法を提供することにある。
ストパターンを形成する技術が確立されれば、露光装置
の適用世代も拡がり、ひいては設備投資を低減すること
も可能となるが、未だ有効な手段が見出されていないが
現状である。本発明の目的は、化学増幅型レジストを用
いた光リソグラフィー技術において、露光装置の解像限
界以下のレジストパターンを形成するレジストパターン
形成方法を提供することにある。
【０００６】また、本発明の他の目的は、露光装置の解
像限界以下のパターンを有する半導体装置の製造方法を
提供することにある。
像限界以下のパターンを有する半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、光照射によ
り酸を発生する酸発生剤と、前記酸によって保護基が解
離する単位構造とを有するフォトレジスト膜を露光し、
前記フォトレジスト膜内に前記酸を発生する露光工程
と、前記酸によって前記保護基を解離し、前記保護基が
解離した前記単位構造と、前記保護基が解離した前記単
位構造と反応する物質を含む流体とを反応させることに
より、前記フォトレジスト膜の体積を増加させる反応工
程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方
法によって達成される。
り酸を発生する酸発生剤と、前記酸によって保護基が解
離する単位構造とを有するフォトレジスト膜を露光し、
前記フォトレジスト膜内に前記酸を発生する露光工程
と、前記酸によって前記保護基を解離し、前記保護基が
解離した前記単位構造と、前記保護基が解離した前記単
位構造と反応する物質を含む流体とを反応させることに
より、前記フォトレジスト膜の体積を増加させる反応工
程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方
法によって達成される。
【０００８】また、上記目的は、光照射により酸を発生
する酸発生剤と、前記酸によって保護基が解離する単位
構造を有するフォトレジストを被加工対象物上に塗布
し、フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成
工程と、前記フォトレジスト膜を露光して現像すること
により、前記フォトレジスト膜を所定のパターンに加工
するパターニング工程と、パターニングされた前記フォ
トレジスト膜を露光し、前記フォトレジスト膜内に前記
酸を発生する露光工程と、前記酸によって前記保護基を
解離し、前記保護基が解離した前記単位構造と、前記保
護基が解離した前記単位構造と反応する物質を含む流体
とを反応させることにより、パターニングした前記フォ
トレジスト膜の寸法を変化させる反応工程とを有するこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法によっても達
成される。このようにしてレジストパターンを形成する
ことにより、パターニング後のレジストパターンを膨張
させることができる。これにより、コンタクトホールな
どの抜きパターンを形成する場合には、通常のパターニ
ングにより得られるサイズよりも小さいサイズの開口部
を有するレジストパターンを形成することができる。こ
れにより、露光装置の解像限界以下のレジストパターン
を形成することも可能となる。
する酸発生剤と、前記酸によって保護基が解離する単位
構造を有するフォトレジストを被加工対象物上に塗布
し、フォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成
工程と、前記フォトレジスト膜を露光して現像すること
により、前記フォトレジスト膜を所定のパターンに加工
するパターニング工程と、パターニングされた前記フォ
トレジスト膜を露光し、前記フォトレジスト膜内に前記
酸を発生する露光工程と、前記酸によって前記保護基を
解離し、前記保護基が解離した前記単位構造と、前記保
護基が解離した前記単位構造と反応する物質を含む流体
とを反応させることにより、パターニングした前記フォ
トレジスト膜の寸法を変化させる反応工程とを有するこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法によっても達
成される。このようにしてレジストパターンを形成する
ことにより、パターニング後のレジストパターンを膨張
させることができる。これにより、コンタクトホールな
どの抜きパターンを形成する場合には、通常のパターニ
ングにより得られるサイズよりも小さいサイズの開口部
を有するレジストパターンを形成することができる。こ
れにより、露光装置の解像限界以下のレジストパターン
を形成することも可能となる。
【０００９】また、上記のレジストパターン形成方法に
おいて、前記単位構造は、フェノール性水酸基を有し、
前記フォトレジスト膜は、前記フェノール性水酸基と前
記流体とが反応することにより体積が増加することが望
ましい。また、上記のレジストパターン形成方法におい
て、前記保護基が解離した前記単位構造と反応する前記
物質は、Ｒ−ＣＯ−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲ
ン元素）で表されるカルボン酸ハロゲン化物であること
が望ましい。
おいて、前記単位構造は、フェノール性水酸基を有し、
前記フォトレジスト膜は、前記フェノール性水酸基と前
記流体とが反応することにより体積が増加することが望
ましい。また、上記のレジストパターン形成方法におい
て、前記保護基が解離した前記単位構造と反応する前記
物質は、Ｒ−ＣＯ−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲ
ン元素）で表されるカルボン酸ハロゲン化物であること
が望ましい。
【００１０】また、上記のレジストパターン形成方法に
おいて、前記保護基が解離した前記単位構造と反応する
前記物質は、Ｒ−ＳＯN−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘは
ハロゲン元素、Ｎは０〜２の整数）で表される物質であ
ることが望ましい。また、上記目的は、被加工対象物上
に、上記のレジストパターン形成方法により、所定のパ
ターンを有するフォトレジスト膜を形成するレジストパ
ターン形成工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとし
て前記被加工対象物を前記所定のパターンに加工するパ
ターニング工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法によっても達成される。このようにして半導
体装置を製造することにより、被加工対象物を、露光装
置の解像限界以下のパターンに加工することができる。
おいて、前記保護基が解離した前記単位構造と反応する
前記物質は、Ｒ−ＳＯN−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘは
ハロゲン元素、Ｎは０〜２の整数）で表される物質であ
ることが望ましい。また、上記目的は、被加工対象物上
に、上記のレジストパターン形成方法により、所定のパ
ターンを有するフォトレジスト膜を形成するレジストパ
ターン形成工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとし
て前記被加工対象物を前記所定のパターンに加工するパ
ターニング工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法によっても達成される。このようにして半導
体装置を製造することにより、被加工対象物を、露光装
置の解像限界以下のパターンに加工することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】始めに、本発明の原理について説
明する。化学増幅型レジストとは、光照射により酸を生
じる単位構造と、酸触媒によって保護基が解離する単位
構造とを有し、光反応によって酸を発生させ、その酸に
よって保護基を解離することを利用したフォトレジスト
をいう。例えば、保護基としてｔ−ブトキシカルボニル
基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを有す
るフォトレジストも、化学増幅型レジストの一つであ
る。
明する。化学増幅型レジストとは、光照射により酸を生
じる単位構造と、酸触媒によって保護基が解離する単位
構造とを有し、光反応によって酸を発生させ、その酸に
よって保護基を解離することを利用したフォトレジスト
をいう。例えば、保護基としてｔ−ブトキシカルボニル
基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを有す
るフォトレジストも、化学増幅型レジストの一つであ
る。
【００１２】例えば、保護基としてｔ−ブトキシカルボ
ニル基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを
有する化学増幅型レジストの場合、光照射によって発生
したプロトン酸（Ｈ+）との間には、
ニル基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを
有する化学増幅型レジストの場合、光照射によって発生
したプロトン酸（Ｈ+）との間には、
【００１３】
【化１】
【００１４】なる反応が起き、保護基が解離された可溶
性のフェノール性水酸基が生じる。このフォトレジスト
を所定の現像液を用いて現像すると、保護基が解離され
たフェノール性水酸基が現像液中に溶解することにな
る。一方、光照射を行わなかった領域では保護基が解離
されていないので、現像液によって溶解されることはな
い。したがって、フォトレジストに所定のパターンで光
照射を行うことにより、ポジ型のフォトレジストとして
機能することになる。
性のフェノール性水酸基が生じる。このフォトレジスト
を所定の現像液を用いて現像すると、保護基が解離され
たフェノール性水酸基が現像液中に溶解することにな
る。一方、光照射を行わなかった領域では保護基が解離
されていないので、現像液によって溶解されることはな
い。したがって、フォトレジストに所定のパターンで光
照射を行うことにより、ポジ型のフォトレジストとして
機能することになる。
【００１５】本願発明者は、このような化学増幅型レジ
ストについて鋭意検討を行った結果、露光後のフォトレ
ジストを現像液によって現像する代わりに所定の反応性
ガス雰囲気中に曝すことにより、保護基が解離されたフ
ェノール性水酸基と反応性ガスとが化学反応を起こして
化学組成が変わり、結果として化学増幅型レジストの体
積増加が生じることを新たに見出した。
ストについて鋭意検討を行った結果、露光後のフォトレ
ジストを現像液によって現像する代わりに所定の反応性
ガス雰囲気中に曝すことにより、保護基が解離されたフ
ェノール性水酸基と反応性ガスとが化学反応を起こして
化学組成が変わり、結果として化学増幅型レジストの体
積増加が生じることを新たに見出した。
【００１６】例えば、保護基としてｔ−ブトキシカルボ
ニル基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを
有する上述の化学増幅型レジストを用いた場合、光照射
後に塩化アセチルガス（ＣＨ3ＣＯＣｌ）に曝すと、光
照射によって保護基が解離されたフェノール性水酸基と
塩化アセチルガスとの間に
ニル基を有するポリヒドロキシスチレンと酸発生剤とを
有する上述の化学増幅型レジストを用いた場合、光照射
後に塩化アセチルガス（ＣＨ3ＣＯＣｌ）に曝すと、光
照射によって保護基が解離されたフェノール性水酸基と
塩化アセチルガスとの間に
【００１７】
【化２】
【００１８】なる化学反応が起き、フォトレジストの体
積が増加することになる。このような体積増加を伴う化
学反応は、他の化学増幅型レジストにおいてもみられ
る。例えば、
積が増加することになる。このような体積増加を伴う化
学反応は、他の化学増幅型レジストにおいてもみられ
る。例えば、
【００１９】
【化３】
【００２０】（但し、Ｒ1はＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7など
の有機基、Ｒ2はＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｐｈなどの有
機基）と表される反応形態や、
の有機基、Ｒ2はＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｐｈなどの有
機基）と表される反応形態や、
【００２１】
【化４】
【００２２】（但し、ＲはＨ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ
3Ｈ7、Ｐｈなどの有機基）と表される反応形態を有する
化学増幅型レジストにおいても同様の化学反応が生じ
た。保護基を解離したフェノール性水酸基と反応させる
反応性ガスとしては、例えば、一般式 Ｒ−ＣＯ−Ｘ で示されるカルボン酸ハロゲン化物、一般式 Ｒ−ＳＯN−Ｘ で示される化合物を適用することができる。
3Ｈ7、Ｐｈなどの有機基）と表される反応形態を有する
化学増幅型レジストにおいても同様の化学反応が生じ
た。保護基を解離したフェノール性水酸基と反応させる
反応性ガスとしては、例えば、一般式 Ｒ−ＣＯ−Ｘ で示されるカルボン酸ハロゲン化物、一般式 Ｒ−ＳＯN−Ｘ で示される化合物を適用することができる。
【００２３】ここで、ＲはＣＨ3、Ｃ2Ｈ5、Ｃ3Ｈ7、Ｃ4
Ｈ9などのアルキル基又はアリール基及びその誘導体で
あり、ＸはＣｌ、Ｂｒなどのハロゲンであり、Ｎは０〜
２の整数である。例えば、保護基が解離されたフェノー
ル性水酸基と一般式 Ｒ−ＣＯ−Ｃｌ で示されるカルボン酸ハロゲン化物とが反応すると、
Ｈ9などのアルキル基又はアリール基及びその誘導体で
あり、ＸはＣｌ、Ｂｒなどのハロゲンであり、Ｎは０〜
２の整数である。例えば、保護基が解離されたフェノー
ル性水酸基と一般式 Ｒ−ＣＯ−Ｃｌ で示されるカルボン酸ハロゲン化物とが反応すると、
【００２４】
【化５】
【００２５】で示される化学反応が生じ、フォトレジス
トの体積が増加することになる。一方、保護基が解離さ
れたフェノール性水酸基と一般式 Ｒ−ＳＯN−Ｃｌ で示される化合物とが反応すると、
トの体積が増加することになる。一方、保護基が解離さ
れたフェノール性水酸基と一般式 Ｒ−ＳＯN−Ｃｌ で示される化合物とが反応すると、
【００２６】
【化６】
【００２７】で示される化学反応が生じ、フォトレジス
トの体積が増加することになる。光照射によって酸を発
生する単位構造（酸発生剤）としては、例えば、オキサ
アゾール誘導体、ｓ−トリアジン誘導体、ヨードニウム
塩、スルホニウム塩、ジスルホン誘導体、イミドスルホ
ネート誘導体又はジアゾニウム塩を使用することが可能
である。但し、これらに限定されるものではない。
トの体積が増加することになる。光照射によって酸を発
生する単位構造（酸発生剤）としては、例えば、オキサ
アゾール誘導体、ｓ−トリアジン誘導体、ヨードニウム
塩、スルホニウム塩、ジスルホン誘導体、イミドスルホ
ネート誘導体又はジアゾニウム塩を使用することが可能
である。但し、これらに限定されるものではない。
【００２８】次に、本発明の一実施形態によるレジスト
パターン形成方法及び半導体装置の製造方法を図１乃至
図５を用いて説明する。図１は本実施形態によるレジス
トパターン形成方法を示す工程図、図２及び図３は本実
施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図、
図４はレジストパターンの膨張に伴うコンタクトホール
径の変化を示すグラフ、図５は本実施形態の変形例によ
るレジストパターンの形成方法を示す工程図である。
パターン形成方法及び半導体装置の製造方法を図１乃至
図５を用いて説明する。図１は本実施形態によるレジス
トパターン形成方法を示す工程図、図２及び図３は本実
施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図、
図４はレジストパターンの膨張に伴うコンタクトホール
径の変化を示すグラフ、図５は本実施形態の変形例によ
るレジストパターンの形成方法を示す工程図である。
【００２９】本実施形態によるレジストパターン形成方
法は、上述したフォトレジストの体積膨張を利用し、レ
ジストパターン形成後にレジストパターンの体積を増加
させ、膨張したレジストパターンをマスクに下地基板を
パターニングすることにより、露光装置の解像限界以下
のホールパターンを形成することを特徴とするものであ
る。
法は、上述したフォトレジストの体積膨張を利用し、レ
ジストパターン形成後にレジストパターンの体積を増加
させ、膨張したレジストパターンをマスクに下地基板を
パターニングすることにより、露光装置の解像限界以下
のホールパターンを形成することを特徴とするものであ
る。
【００３０】すなわち、本実施形態によるレジストパタ
ーン形成方法は、化学増幅型レジストを用いた通常のレ
ジストパターン形成方法と同様にしてレジストパターン
を形成した後（ステップＳ１１〜Ｓ１６）、ウェーハを
全面露光して保護基を解離させるための酸を発生し（ス
テップＳ１７）、このように発生した酸により保護基を
解離させるとともに、保護基が解離されたフェノール性
水酸基と所定の反応ガスとを作用させてレジストパター
ンを膨張させる（ステップＳ１８）ものである。
ーン形成方法は、化学増幅型レジストを用いた通常のレ
ジストパターン形成方法と同様にしてレジストパターン
を形成した後（ステップＳ１１〜Ｓ１６）、ウェーハを
全面露光して保護基を解離させるための酸を発生し（ス
テップＳ１７）、このように発生した酸により保護基を
解離させるとともに、保護基が解離されたフェノール性
水酸基と所定の反応ガスとを作用させてレジストパター
ンを膨張させる（ステップＳ１８）ものである。
【００３１】以下、各ステップについて詳細に説明す
る。まず、半導体ウェーハなどの加工対象物上に、スピ
ンコート法などによって化学増幅型レジストを塗布する
（ステップＳ１１）。次いで、化学増幅型レジスト中の
溶剤を飛ばすためのプリベークを行う（ステップＳ１
２）。
る。まず、半導体ウェーハなどの加工対象物上に、スピ
ンコート法などによって化学増幅型レジストを塗布する
（ステップＳ１１）。次いで、化学増幅型レジスト中の
溶剤を飛ばすためのプリベークを行う（ステップＳ１
２）。
【００３２】続いて、レチクルなどの所定のパターンを
有するマスクを通してフォトレジストを露光する（ステ
ップＳ１３）。これにより、フォトレジスト上には露光
された領域と露光されない領域とが発生し、露光された
領域においては、光反応によって酸発生剤からプロトン
酸（Ｈ+）が生成される。この後、所定の加熱処理を行
い、光反応によって生じた酸によってフェノール性水酸
基の保護基を解離させる（ステップＳ１４）。この反応
は、プロトン酸が存在する領域、すなわち露光された領
域においてのみ生じる。
有するマスクを通してフォトレジストを露光する（ステ
ップＳ１３）。これにより、フォトレジスト上には露光
された領域と露光されない領域とが発生し、露光された
領域においては、光反応によって酸発生剤からプロトン
酸（Ｈ+）が生成される。この後、所定の加熱処理を行
い、光反応によって生じた酸によってフェノール性水酸
基の保護基を解離させる（ステップＳ１４）。この反応
は、プロトン酸が存在する領域、すなわち露光された領
域においてのみ生じる。
【００３３】次いで、所定の現像液によってフォトレジ
ストを現像する（ステップＳ１５）。保護基が解離した
フェノール性水酸基はアルカリ可溶性となるので、アル
カリ水溶液によって現像することにより露光された領域
のフォトレジストは除去されることとなる。続いて、現
像液を飛ばし、フォトレジストを定着させるためのポス
トベークを行う（ステップＳ１６）。
ストを現像する（ステップＳ１５）。保護基が解離した
フェノール性水酸基はアルカリ可溶性となるので、アル
カリ水溶液によって現像することにより露光された領域
のフォトレジストは除去されることとなる。続いて、現
像液を飛ばし、フォトレジストを定着させるためのポス
トベークを行う（ステップＳ１６）。
【００３４】なお、上記ステップＳ１１〜ステップＳ１
６は、化学増幅型レジストを用いた通常のレジストパタ
ーン形成方法と何ら変わるところはない。また、ステッ
プＳ１４〜Ｓ１６において、露光されていない領域のフ
ォトレジストの性質が化学的に変化することはない。こ
の後、加工対象物上にパターニングされたレジストパタ
ーンを全面露光する（ステップＳ１７）。このとき、ス
テップＳ１３において露光されていない領域、すなわ
ち、残存するレジストパターン内においては、光反応に
よって酸発生剤からプロトン酸が生成される。
６は、化学増幅型レジストを用いた通常のレジストパタ
ーン形成方法と何ら変わるところはない。また、ステッ
プＳ１４〜Ｓ１６において、露光されていない領域のフ
ォトレジストの性質が化学的に変化することはない。こ
の後、加工対象物上にパターニングされたレジストパタ
ーンを全面露光する（ステップＳ１７）。このとき、ス
テップＳ１３において露光されていない領域、すなわ
ち、残存するレジストパターン内においては、光反応に
よって酸発生剤からプロトン酸が生成される。
【００３５】次いで、加工対象物上に形成されたレジス
トパターンを、所定の温度で所定の反応性ガス雰囲気下
に曝す（ステップＳ１８）。所定の温度にするのは、光
反応によって生成された酸とフォトレジストの樹脂とを
反応させて保護基を解離するためであり、反応性ガスに
曝すのは保護基が解離されたフェノール性水酸基と該反
応性ガスと反応させてフォトレジストの体積を増加させ
るためである。このようにフォトレジストの体積が増加
すると、ホールパターンなどの抜きパターンでは、パタ
ーンがフォトレジストの膨張によって狭まるので、結果
として露光装置の解像限界よりも小さなレジストパター
ンが形成されることとなる。
トパターンを、所定の温度で所定の反応性ガス雰囲気下
に曝す（ステップＳ１８）。所定の温度にするのは、光
反応によって生成された酸とフォトレジストの樹脂とを
反応させて保護基を解離するためであり、反応性ガスに
曝すのは保護基が解離されたフェノール性水酸基と該反
応性ガスと反応させてフォトレジストの体積を増加させ
るためである。このようにフォトレジストの体積が増加
すると、ホールパターンなどの抜きパターンでは、パタ
ーンがフォトレジストの膨張によって狭まるので、結果
として露光装置の解像限界よりも小さなレジストパター
ンが形成されることとなる。
【００３６】この後、このレジストパターンをマスクと
して該加工対象物をパターニングすることにより、該加
工対象物を露光装置の解像限界以下に加工することがで
きる。次に、本実施形態による上記レジストパターン形
成方法を半導体装置の製造方法に適用した一例を説明す
る。
して該加工対象物をパターニングすることにより、該加
工対象物を露光装置の解像限界以下に加工することがで
きる。次に、本実施形態による上記レジストパターン形
成方法を半導体装置の製造方法に適用した一例を説明す
る。
【００３７】まず、半導体基板１０の主表面上を局所的
に酸化し、素子分離膜１２を形成する。次いで、素子分
離膜１２により画定された素子領域に、ゲート絶縁膜１
４、ゲート電極１６を形成する。続いて、ゲート電極１
６をマスクとしてイオン注入を行い、ＬＤＤ（LightlyD
oped Drain）構造の低濃度領域を形成する。
に酸化し、素子分離膜１２を形成する。次いで、素子分
離膜１２により画定された素子領域に、ゲート絶縁膜１
４、ゲート電極１６を形成する。続いて、ゲート電極１
６をマスクとしてイオン注入を行い、ＬＤＤ（LightlyD
oped Drain）構造の低濃度領域を形成する。
【００３８】この後、ゲート電極１６の側壁にサイドウ
ォール１８を形成する。次いで、サイドウォール１８及
びゲート電極１６をマスクとしてイオン注入を行い、Ｌ
ＤＤ構造の高濃度領域を形成する。こうして、ＬＤＤ構
造のソース／ドレイン拡散層２０、２２を形成する。続
いて、このように形成されたＭＯＳトランジスタ上に、
ＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜２４を形成する。
ォール１８を形成する。次いで、サイドウォール１８及
びゲート電極１６をマスクとしてイオン注入を行い、Ｌ
ＤＤ構造の高濃度領域を形成する。こうして、ＬＤＤ構
造のソース／ドレイン拡散層２０、２２を形成する。続
いて、このように形成されたＭＯＳトランジスタ上に、
ＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜２４を形成する。
【００３９】次いで、図１のステップＳ１１〜Ｓ１４に
示すレジストパターン形成方法と同様にして、層間絶縁
膜２４上に塗布したレジスト膜２６を所定のパターンに
露光し、露光後の熱処理を行う（図２（ａ））。例え
ば、保護基としてｔ−ブトキシカルボニル基を有するポ
リヒドロキシスチレンと酸発生剤とを有する上述の化学
増幅型レジストを用い、ＫｒＦエキシマレーザを光源に
用いた露光装置により、ソース／ドレイン拡散層２０、
２２上に開口されるコンタクトホールのパターンを露光
する。
示すレジストパターン形成方法と同様にして、層間絶縁
膜２４上に塗布したレジスト膜２６を所定のパターンに
露光し、露光後の熱処理を行う（図２（ａ））。例え
ば、保護基としてｔ−ブトキシカルボニル基を有するポ
リヒドロキシスチレンと酸発生剤とを有する上述の化学
増幅型レジストを用い、ＫｒＦエキシマレーザを光源に
用いた露光装置により、ソース／ドレイン拡散層２０、
２２上に開口されるコンタクトホールのパターンを露光
する。
【００４０】続いて、図１のステップＳ１５〜Ｓ１７に
示すレジストパターン形成方法と同様にして、露光した
レジスト膜２６を現像してレジストパターン２８を形成
し、その後にレジストパターン２８を全面露光する（図
２（ｂ））。この後、レジストパターン２８を形成した
半導体基板１０を真空チャンバ（図示せず）内に導入
し、圧力１Ｔｏｒｒ程度まで減圧する。
示すレジストパターン形成方法と同様にして、露光した
レジスト膜２６を現像してレジストパターン２８を形成
し、その後にレジストパターン２８を全面露光する（図
２（ｂ））。この後、レジストパターン２８を形成した
半導体基板１０を真空チャンバ（図示せず）内に導入
し、圧力１Ｔｏｒｒ程度まで減圧する。
【００４１】次いで、半導体基板１０を１５０〜１８０
℃の温度に保持した状態で、チャンバ内に５０〜３００
Ｔｏｒｒほどの塩化アセチルガスを導入し、レジストパ
ターン２８と塩化アセチルガスとを反応させる。これに
より、レジストパターン２８では化学式１に示す反応が
生じて体積が増加し、コンタクトホールを形成するため
の抜きパターンのサイズが縮小する（図２（ｃ））。
℃の温度に保持した状態で、チャンバ内に５０〜３００
Ｔｏｒｒほどの塩化アセチルガスを導入し、レジストパ
ターン２８と塩化アセチルガスとを反応させる。これに
より、レジストパターン２８では化学式１に示す反応が
生じて体積が増加し、コンタクトホールを形成するため
の抜きパターンのサイズが縮小する（図２（ｃ））。
【００４２】続いて、このように膨張したレジストパタ
ーン３０をマスクとして層間絶縁膜２４をエッチング
し、ソース／ドレイン拡散層２０、２２を露出するコン
タクトホール３２、３４を形成する（図３（ａ））。こ
の後、所定の配線層３６を全面に堆積する（図３
（ｂ））。配線層３６は、コンタクトホール３２、３４
を介してソース／ドレイン拡散層２０、２２に接続され
る。
ーン３０をマスクとして層間絶縁膜２４をエッチング
し、ソース／ドレイン拡散層２０、２２を露出するコン
タクトホール３２、３４を形成する（図３（ａ））。こ
の後、所定の配線層３６を全面に堆積する（図３
（ｂ））。配線層３６は、コンタクトホール３２、３４
を介してソース／ドレイン拡散層２０、２２に接続され
る。
【００４３】次いで、配線層３６を所望のパターンに加
工する（図３（ｃ））。このようにして半導体装置を製
造することにより、コンタクトホール３２、３４の開口
径は露光装置の解像限界以下まで縮小することができる
ので、半導体装置の高集積化を図る上で極めて有効であ
る。図４は、レジストパターンの膨張に伴うコンタクト
ホール径の変化を示すグラフである。図中、◆印は図１
のステップＳ１１〜Ｓ１６のみによってレジストパター
ンを形成する通常の半導体装置の製造方法によりコンタ
クトホールを形成した場合、■印は図１のステップＳ１
１〜Ｓ１８によってレジストパターンを膨張する本実施
形態による半導体装置の製造方法によりコンタクトホー
ルを形成した場合を示している。
工する（図３（ｃ））。このようにして半導体装置を製
造することにより、コンタクトホール３２、３４の開口
径は露光装置の解像限界以下まで縮小することができる
ので、半導体装置の高集積化を図る上で極めて有効であ
る。図４は、レジストパターンの膨張に伴うコンタクト
ホール径の変化を示すグラフである。図中、◆印は図１
のステップＳ１１〜Ｓ１６のみによってレジストパター
ンを形成する通常の半導体装置の製造方法によりコンタ
クトホールを形成した場合、■印は図１のステップＳ１
１〜Ｓ１８によってレジストパターンを膨張する本実施
形態による半導体装置の製造方法によりコンタクトホー
ルを形成した場合を示している。
【００４４】図示するように、塩化アセチルガスによる
処理を行わない試料（◆）では、コンタクトホール径は
およそ３６０ｎｍ程度であるが、塩化アセチルガスによ
る処理を行わない試料（■）では、コンタクトホール径
を約２８０ｎｍ程度であり、約８０ｎｍのサイズ縮小を
図ることができた。したがって、現状０．２４μｍ程度
が解像限界であると見込まれているＫｒＦエキシマレー
ザ露光装置においても、同程度の縮小を見込んで約０．
１６μｍ程度のコンタクトホールを開口することが可能
と考えられ、更に一世代先の量産技術として使用するこ
とも可能となる。
処理を行わない試料（◆）では、コンタクトホール径は
およそ３６０ｎｍ程度であるが、塩化アセチルガスによ
る処理を行わない試料（■）では、コンタクトホール径
を約２８０ｎｍ程度であり、約８０ｎｍのサイズ縮小を
図ることができた。したがって、現状０．２４μｍ程度
が解像限界であると見込まれているＫｒＦエキシマレー
ザ露光装置においても、同程度の縮小を見込んで約０．
１６μｍ程度のコンタクトホールを開口することが可能
と考えられ、更に一世代先の量産技術として使用するこ
とも可能となる。
【００４５】また、図４から明らかなように、塩化アセ
チルガスによる処理を行った試料（■）では、塩化アセ
チルガスによる処理を行わない試料（◆）と比較してコ
ンタクトホール径のばらつきが小さくなっている。これ
は、塩化アセチルガスによる処理の際の熱処理によって
レジストパターン２８が均されてばらつきが小さくなる
ものと考えられる。したがって、レジストパターンを膨
張させる上記の処理を行うことは、パターンサイズの縮
小のみならず、サイズのばらつきを低減する上でも有効
である。
チルガスによる処理を行った試料（■）では、塩化アセ
チルガスによる処理を行わない試料（◆）と比較してコ
ンタクトホール径のばらつきが小さくなっている。これ
は、塩化アセチルガスによる処理の際の熱処理によって
レジストパターン２８が均されてばらつきが小さくなる
ものと考えられる。したがって、レジストパターンを膨
張させる上記の処理を行うことは、パターンサイズの縮
小のみならず、サイズのばらつきを低減する上でも有効
である。
【００４６】このように、本実施形態によれば、化学増
幅型レジストを用いた光リソグラフィー技術において、
フォトレジストのパターニング後にレジストパターンを
膨張させるので、露光装置の解像限界以下のレジストパ
ターンを形成するレジストパターンを形成することがで
きる。また、このように形成したレジストパターンをマ
スクとして加工対象物たる下地基板をパターニングする
ことにより、露光装置の解像限界以下のパターンを有す
る半導体装置を製造することができる。
幅型レジストを用いた光リソグラフィー技術において、
フォトレジストのパターニング後にレジストパターンを
膨張させるので、露光装置の解像限界以下のレジストパ
ターンを形成するレジストパターンを形成することがで
きる。また、このように形成したレジストパターンをマ
スクとして加工対象物たる下地基板をパターニングする
ことにより、露光装置の解像限界以下のパターンを有す
る半導体装置を製造することができる。
【００４７】本発明は、上記実施形態に限らず種々の変
形が可能である。例えば、図１に示すレジストパターン
形成方法では、ポストベーク工程（ステップＳ１６）を
現像工程（ステップＳ１５）の後に行ったが、現像工程
の後にはポストベークを行わず、反応工程（ステップＳ
１８）の後に行ってもよい。すなわち、図５に示すよう
に、レジスト塗布工程（ステップＳ２１）、プリベーク
工程（ステップＳ２２）、露光工程（ステップＳ２
３）、露光後加熱工程（ステップＳ２４）、現像工程
（ステップＳ２５）、全面露光工程（ステップＳ２
６）、反応工程（ステップＳ２７）、ポストベーク工程
（ステップＳ２８）の順に行ってもよい。この場合にお
いても、図１に示すレジストパターン形成方法と何ら変
わらない条件にて処理を行うことができる。
形が可能である。例えば、図１に示すレジストパターン
形成方法では、ポストベーク工程（ステップＳ１６）を
現像工程（ステップＳ１５）の後に行ったが、現像工程
の後にはポストベークを行わず、反応工程（ステップＳ
１８）の後に行ってもよい。すなわち、図５に示すよう
に、レジスト塗布工程（ステップＳ２１）、プリベーク
工程（ステップＳ２２）、露光工程（ステップＳ２
３）、露光後加熱工程（ステップＳ２４）、現像工程
（ステップＳ２５）、全面露光工程（ステップＳ２
６）、反応工程（ステップＳ２７）、ポストベーク工程
（ステップＳ２８）の順に行ってもよい。この場合にお
いても、図１に示すレジストパターン形成方法と何ら変
わらない条件にて処理を行うことができる。
【００４８】また、上記実施形態では、上記レジストパ
ターン形成方法をコンタクトホールの開口に適用した半
導体装置の製造方法を示したが、コンタクトホールの開
口工程に限らず、種々の製造工程に適用することができ
る。デバイスサイズの縮小を考慮すると、コンタクトホ
ールなどの抜きパターンの形成に本発明を適用すること
が特に有効であるが、抜きパターンに限らず、残しパタ
ーンの形成に適用してもよい。
ターン形成方法をコンタクトホールの開口に適用した半
導体装置の製造方法を示したが、コンタクトホールの開
口工程に限らず、種々の製造工程に適用することができ
る。デバイスサイズの縮小を考慮すると、コンタクトホ
ールなどの抜きパターンの形成に本発明を適用すること
が特に有効であるが、抜きパターンに限らず、残しパタ
ーンの形成に適用してもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、光照射に
より酸を発生する酸発生剤と、酸によって保護基が解離
する単位構造とを有するフォトレジスト膜を露光し、フ
ォトレジスト膜内に酸を発生する露光工程と、酸によっ
て保護基を解離し、保護基が解離した単位構造と、保護
基が解離した単位構造と反応する物質を含む流体とを反
応させることにより、フォトレジスト膜の体積を増加さ
せる反応工程とによりレジストパターンを形成するの
で、露光装置の解像限界以下のレジストパターンを形成
することができる。
より酸を発生する酸発生剤と、酸によって保護基が解離
する単位構造とを有するフォトレジスト膜を露光し、フ
ォトレジスト膜内に酸を発生する露光工程と、酸によっ
て保護基を解離し、保護基が解離した単位構造と、保護
基が解離した単位構造と反応する物質を含む流体とを反
応させることにより、フォトレジスト膜の体積を増加さ
せる反応工程とによりレジストパターンを形成するの
で、露光装置の解像限界以下のレジストパターンを形成
することができる。
【００５０】また、光照射により酸を発生する酸発生剤
と、酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォ
トレジストを被加工対象物上に塗布し、フォトレジスト
膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、フォトレジ
スト膜を露光して現像することにより、フォトレジスト
膜を所定のパターンに加工するパターニング工程と、パ
ターニングされたフォトレジスト膜を露光し、フォトレ
ジスト膜内に酸を発生する露光工程と、酸によって保護
基を解離し、保護基が解離した単位構造と、保護基が解
離した単位構造と反応する物質を含む流体とを反応させ
ることにより、パターニングしたフォトレジスト膜の寸
法を変化させる反応工程とによりレジストパターンを形
成することにより、パターニング後のレジストパターン
を膨張させることができる。これにより、コンタクトホ
ールなどの抜きパターンを形成する場合には、通常のパ
ターニングにより得られるサイズよりも小さいサイズの
開口部を有するレジストパターンを形成することができ
る。これにより、露光装置の解像限界以下のレジストパ
ターンを形成することも可能となる。
と、酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォ
トレジストを被加工対象物上に塗布し、フォトレジスト
膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、フォトレジ
スト膜を露光して現像することにより、フォトレジスト
膜を所定のパターンに加工するパターニング工程と、パ
ターニングされたフォトレジスト膜を露光し、フォトレ
ジスト膜内に酸を発生する露光工程と、酸によって保護
基を解離し、保護基が解離した単位構造と、保護基が解
離した単位構造と反応する物質を含む流体とを反応させ
ることにより、パターニングしたフォトレジスト膜の寸
法を変化させる反応工程とによりレジストパターンを形
成することにより、パターニング後のレジストパターン
を膨張させることができる。これにより、コンタクトホ
ールなどの抜きパターンを形成する場合には、通常のパ
ターニングにより得られるサイズよりも小さいサイズの
開口部を有するレジストパターンを形成することができ
る。これにより、露光装置の解像限界以下のレジストパ
ターンを形成することも可能となる。
【００５１】また、上記のレジストパターン形成方法に
おいては、単位構造にフェノール性水酸基を有するフォ
トレジストを用い、フェノール性水酸基と流体とを反応
させることによりフォトレジストパターンの体積を増加
することができる。また、上記のレジストパターン形成
方法においては、保護基が解離した単位構造と反応する
物質として、Ｒ−ＣＯ−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハ
ロゲン元素）で表されるカルボン酸ハロゲン化物を適用
することができる。
おいては、単位構造にフェノール性水酸基を有するフォ
トレジストを用い、フェノール性水酸基と流体とを反応
させることによりフォトレジストパターンの体積を増加
することができる。また、上記のレジストパターン形成
方法においては、保護基が解離した単位構造と反応する
物質として、Ｒ−ＣＯ−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハ
ロゲン元素）で表されるカルボン酸ハロゲン化物を適用
することができる。
【００５２】また、上記のレジストパターン形成方法に
おいては、保護基が解離した単位構造と反応する物質と
して、Ｒ−ＳＯN−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲ
ン元素、Ｎは０〜２の整数）で表される物質を適用する
ことができる。また、上記のレジストパターン形成方法
により、被加工対象物上に所定のパターンを有するフォ
トレジスト膜を形成するレジストパターン形成工程と、
フォトレジスト膜をマスクとして被加工対象物を所定の
パターンに加工するパターニング工程とにより半導体装
置を製造方法することにより、被加工対象物を、露光装
置の解像限界以下のパターンに加工することができる。
おいては、保護基が解離した単位構造と反応する物質と
して、Ｒ−ＳＯN−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲ
ン元素、Ｎは０〜２の整数）で表される物質を適用する
ことができる。また、上記のレジストパターン形成方法
により、被加工対象物上に所定のパターンを有するフォ
トレジスト膜を形成するレジストパターン形成工程と、
フォトレジスト膜をマスクとして被加工対象物を所定の
パターンに加工するパターニング工程とにより半導体装
置を製造方法することにより、被加工対象物を、露光装
置の解像限界以下のパターンに加工することができる。
【図１】本発明の一実施形態によるレジストパターン形
成方法を示す工程図である。
成方法を示す工程図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方
法を示す工程断面図（その１）である。
法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体装置の製造方
法を示す工程断面図（その２）である。
法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】レジストパターンの膨張に伴うコンタクトホー
ル径の変化を示すグラフである。
ル径の変化を示すグラフである。
【図５】一実施形態の変形例によるレジストパターン形
成方法を示す工程図である。
成方法を示す工程図である。
１０…半導体基板 １２…素子分離膜 １４…ゲート絶縁膜 １６…ゲート電極 １８…サイドウォール ２０…ソース／ドレイン拡散層 ２２…ソース／ドレイン拡散層 ２４…層間絶縁膜 ２６…レジスト膜 ２８…レジストパターン ３０…膨張したレジストパターン ３２…コンタクトホール ３４…コンタクトホール ３６…配線層
Claims (6)
- 【請求項１】 光照射により酸を発生する酸発生剤と、
前記酸によって保護基が解離する単位構造とを有するフ
ォトレジスト膜を露光し、前記フォトレジスト膜内に前
記酸を発生する露光工程と、 前記酸によって前記保護基を解離し、前記保護基が解離
した前記単位構造と、前記保護基が解離した前記単位構
造と反応する物質を含む流体とを反応させることによ
り、前記フォトレジスト膜の体積を増加させる反応工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方
法。 - 【請求項２】 光照射により酸を発生する酸発生剤と、
前記酸によって保護基が解離する単位構造を有するフォ
トレジストを被加工対象物上に塗布し、フォトレジスト
膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、 前記フォトレジスト膜を露光して現像することにより、
前記フォトレジスト膜を所定のパターンに加工するパタ
ーニング工程と、 パターニングされた前記フォトレジスト膜を露光し、前
記フォトレジスト膜内に前記酸を発生する露光工程と、 前記酸によって前記保護基を解離し、前記保護基が解離
した前記単位構造と、前記保護基が解離した前記単位構
造と反応する物質を含む流体とを反応させることによ
り、パターニングした前記フォトレジスト膜の寸法を変
化させる反応工程とを有することを特徴とするレジスト
パターン形成方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のレジストパターン
形成方法において、 前記単位構造は、フェノール性水酸基を有し、 前記フォトレジスト膜は、前記フェノール性水酸基と前
記流体とが反応することにより体積が増加することを特
徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
レジストパターン形成方法において、 前記保護基が解離した前記単位構造と反応する前記物質
は、Ｒ−ＣＯ−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲン元
素）で表されるカルボン酸ハロゲン化物であることを特
徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
レジストパターン形成方法において、 前記保護基が解離した前記単位構造と反応する前記物質
は、Ｒ−ＳＯN−Ｘ（但し、Ｒは有機基、Ｘはハロゲン
元素、Ｎは０〜２の整数）で表される物質であることを
特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項６】 被加工対象物上に、請求項１乃至５のい
ずれか１項に記載のレジストパターン形成方法により、
所定のパターンを有するフォトレジスト膜を形成するレ
ジストパターン形成工程と、 前記フォトレジスト膜をマスクとして前記被加工対象物
を前記所定のパターンに加工するパターニング工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144271A JPH10333341A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9144271A JPH10333341A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333341A true JPH10333341A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15358217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9144271A Pending JPH10333341A (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | レジストパターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10333341A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210868B1 (en) | 1997-11-06 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method for forming a pattern on a chemical sensitization photoresist |
| US6270929B1 (en) * | 2000-07-20 | 2001-08-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Damascene T-gate using a relacs flow |
| US7008832B1 (en) | 2000-07-20 | 2006-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Damascene process for a T-shaped gate electrode |
| JP2009212404A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
-
1997
- 1997-06-02 JP JP9144271A patent/JPH10333341A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210868B1 (en) | 1997-11-06 | 2001-04-03 | Nec Corporation | Method for forming a pattern on a chemical sensitization photoresist |
| US6270929B1 (en) * | 2000-07-20 | 2001-08-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Damascene T-gate using a relacs flow |
| US7008832B1 (en) | 2000-07-20 | 2006-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Damascene process for a T-shaped gate electrode |
| JP2009212404A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
| KR101207046B1 (ko) | 2008-03-06 | 2012-11-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 및 기판 처리 시스템 |
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