JPH10321776A - 半導体素子用放熱部材 - Google Patents
半導体素子用放熱部材Info
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- JPH10321776A JPH10321776A JP12843497A JP12843497A JPH10321776A JP H10321776 A JPH10321776 A JP H10321776A JP 12843497 A JP12843497 A JP 12843497A JP 12843497 A JP12843497 A JP 12843497A JP H10321776 A JPH10321776 A JP H10321776A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低熱膨張率で熱伝導特性に優れた半導体素子
用放熱部材を得る。 【解決手段】 この半導体素子用放熱部材は、濡れ性改
善金属でコーティングしたＡｌＮ粉末と高熱伝導性金属
との混合粉末圧粉体が焼結されたものであり、各ＡｌＮ
粉末粒子の粒子間隙が高熱伝導性金属で充填された組織
をもつ。ＡｌＮ粉末は、濡れ性改善金属及び高熱伝導性
金属で複層に、或いは濡れ性改善金属と高熱伝導性金属
との合金又は混合物でコーティングしても良い。この場
合、コーティングされたＡｌＮ粉末は、そのまま圧粉成
形し、焼結できる。高熱伝導性金属にはＣｕ，Ａｌ，Ａ
ｇの金属単体又はこれらの合金等が、濡れ性改善金属に
はＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体又はこれらの合金等
が使用される。 【効果】 ＡｌＮ粉末粒子の間隙が高熱伝導性金属で充
填されているので、高い熱伝導率が示される。
用放熱部材を得る。 【解決手段】 この半導体素子用放熱部材は、濡れ性改
善金属でコーティングしたＡｌＮ粉末と高熱伝導性金属
との混合粉末圧粉体が焼結されたものであり、各ＡｌＮ
粉末粒子の粒子間隙が高熱伝導性金属で充填された組織
をもつ。ＡｌＮ粉末は、濡れ性改善金属及び高熱伝導性
金属で複層に、或いは濡れ性改善金属と高熱伝導性金属
との合金又は混合物でコーティングしても良い。この場
合、コーティングされたＡｌＮ粉末は、そのまま圧粉成
形し、焼結できる。高熱伝導性金属にはＣｕ，Ａｌ，Ａ
ｇの金属単体又はこれらの合金等が、濡れ性改善金属に
はＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体又はこれらの合金等
が使用される。 【効果】 ＡｌＮ粉末粒子の間隙が高熱伝導性金属で充
填されているので、高い熱伝導率が示される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱膨張率が小さく、熱
伝導率が大きなヒートシンク，半導体基板等の放熱部材
に関する。
伝導率が大きなヒートシンク，半導体基板等の放熱部材
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子搭載用の基板としては、搭載
される半導体素子と基板との接合界面に熱応力に起因し
た亀裂が発生することを防ぐため、半導体素子に比較的
近似した小さな熱膨張率をもつＷ，Ｍｏ，コバール等の
金属材料やＡｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＢｅＯ等のセラミック
ス材料が使用されている。また、半導体素子搭載用の基
板には、半導体素子で発生した熱を放散させ、定格温度
以下に半導体素子を維持するため、良好な熱伝導性を有
することが要求される。そこで、特に高熱伝導性が要求
される基板には、各種のＣｕ合金が使用されることもあ
った。熱伝導性は、半導体素子で発生した熱を外部に放
散させるヒートシンクや放熱フィン等でも同様に要求さ
れる。以下の説明においては、半導体の素子搭載用基
板，ヒートシンク，放熱フィン等を放熱部材と総称す
る。
される半導体素子と基板との接合界面に熱応力に起因し
た亀裂が発生することを防ぐため、半導体素子に比較的
近似した小さな熱膨張率をもつＷ，Ｍｏ，コバール等の
金属材料やＡｌ2 Ｏ3 ，ＡｌＮ，ＢｅＯ等のセラミック
ス材料が使用されている。また、半導体素子搭載用の基
板には、半導体素子で発生した熱を放散させ、定格温度
以下に半導体素子を維持するため、良好な熱伝導性を有
することが要求される。そこで、特に高熱伝導性が要求
される基板には、各種のＣｕ合金が使用されることもあ
った。熱伝導性は、半導体素子で発生した熱を外部に放
散させるヒートシンクや放熱フィン等でも同様に要求さ
れる。以下の説明においては、半導体の素子搭載用基
板，ヒートシンク，放熱フィン等を放熱部材と総称す
る。
【０００３】ところで、近年の半導体集積技術の進歩に
対応して、半導体素子の大型化や高密度化等が進められ
ている。半導体素子の大型化や高密度化に伴って、半導
体素子で発生する熱量も相当に増加しており、放熱部材
に対する要求特性も、より過酷なものになっている。こ
の要求に応えるため、たとえば特開昭５０−６２７７６
号公報では、熱伝導性の優れたＣｕ，Ａｇ等の金属と熱
膨張率の小さいＷ，Ｍｏ等からなる複合焼結体をＳｉ素
子とＣｕ製端子板との間に介在させる方法が開示されて
いる。また、特開昭５９−２１０３２号公報では、溶浸
法でＷ粉末焼結体の中にＣｕを溶浸させた材料を半導体
素子搭載用基板として使用することが開示されている。
Ｃｕ，Ａｇ等とＷ，Ｍｏ等を複合化させた放熱部材で
は、ＣｕやＡｇ等の含有量を変化させることによって、
熱膨張率や熱伝導率を任意に設定することができる。こ
の長所を活用し、搭載しようとする半導体素子の材質，
パッケージの形状，基板の大きさ等に応じた最適の放熱
部材が製造され、広く使用されている。
対応して、半導体素子の大型化や高密度化等が進められ
ている。半導体素子の大型化や高密度化に伴って、半導
体素子で発生する熱量も相当に増加しており、放熱部材
に対する要求特性も、より過酷なものになっている。こ
の要求に応えるため、たとえば特開昭５０−６２７７６
号公報では、熱伝導性の優れたＣｕ，Ａｇ等の金属と熱
膨張率の小さいＷ，Ｍｏ等からなる複合焼結体をＳｉ素
子とＣｕ製端子板との間に介在させる方法が開示されて
いる。また、特開昭５９−２１０３２号公報では、溶浸
法でＷ粉末焼結体の中にＣｕを溶浸させた材料を半導体
素子搭載用基板として使用することが開示されている。
Ｃｕ，Ａｇ等とＷ，Ｍｏ等を複合化させた放熱部材で
は、ＣｕやＡｇ等の含有量を変化させることによって、
熱膨張率や熱伝導率を任意に設定することができる。こ
の長所を活用し、搭載しようとする半導体素子の材質，
パッケージの形状，基板の大きさ等に応じた最適の放熱
部材が製造され、広く使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近の半導体
集積技術革新は著しく、従来よりも放熱特性が一層優れ
た放熱部材の開発が強く求められている。因みに、現在
市販されている３０重量％Ｃｕと７０重量％Ｗとからな
る放熱部材は、熱膨張率が約７．５×１０-6／℃，熱伝
導率が約１４０Ｗ／ｍ・Ｋである。また、３０重量Ｃｕ
と７０重量％Ｍｏとからなる放熱部材は、熱膨張率が約
９．５×１０-6／℃，熱伝導率が約２３０Ｗ／ｍ／Ｋで
ある。これに対して、現在要求されている放熱部材の熱
膨張率は８．０×１０-6／℃以下、熱伝導率が約２００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。このように熱膨張率が小さく、
熱伝導率が大きな放熱部材は、従来のＷ，ＭｏとＣｕ，
Ａｇとの組合せでは製造できない。また、比重ができる
だけ小さく、圧延によって大面積の薄板加工が可能なこ
とも、放熱部材用の材料に要求されている。本発明は、
このような要求に応えるべく案出されたものであり、半
導体素子に近似する低い熱膨張率をもつＡｌＮ粉末を混
合して焼結することにより、熱膨張率が小さく、熱伝導
率が大きな放熱部材を提供することを目的とする。
集積技術革新は著しく、従来よりも放熱特性が一層優れ
た放熱部材の開発が強く求められている。因みに、現在
市販されている３０重量％Ｃｕと７０重量％Ｗとからな
る放熱部材は、熱膨張率が約７．５×１０-6／℃，熱伝
導率が約１４０Ｗ／ｍ・Ｋである。また、３０重量Ｃｕ
と７０重量％Ｍｏとからなる放熱部材は、熱膨張率が約
９．５×１０-6／℃，熱伝導率が約２３０Ｗ／ｍ／Ｋで
ある。これに対して、現在要求されている放熱部材の熱
膨張率は８．０×１０-6／℃以下、熱伝導率が約２００
Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。このように熱膨張率が小さく、
熱伝導率が大きな放熱部材は、従来のＷ，ＭｏとＣｕ，
Ａｇとの組合せでは製造できない。また、比重ができる
だけ小さく、圧延によって大面積の薄板加工が可能なこ
とも、放熱部材用の材料に要求されている。本発明は、
このような要求に応えるべく案出されたものであり、半
導体素子に近似する低い熱膨張率をもつＡｌＮ粉末を混
合して焼結することにより、熱膨張率が小さく、熱伝導
率が大きな放熱部材を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子用放
熱部材は、その目的を達成するため、濡れ性改善金属で
コーティングしたＡｌＮ粉末と高熱伝導性金属との混合
粉末圧粉体が焼結されたものであり、ＡｌＮ粉末粒子の
粒子間隙が高熱伝導性金属で充填された組織をもつこと
を特徴とする。ＡｌＮ粉末は、濡れ性改善金属及び高熱
伝導性金属で複層に、或いは濡れ性改善金属と高熱伝導
性金属との合金又は混合物でコーティングしても良い。
この場合、コーティングされたＡｌＮ粉末は、そのまま
圧粉成形し、焼結することが可能である。高熱伝導性金
属としては、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇの金属単体又はこれらの
合金等が使用される。濡れ性改善金属としては、Ｙ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体又はこれらの合金等が使用さ
れる。
熱部材は、その目的を達成するため、濡れ性改善金属で
コーティングしたＡｌＮ粉末と高熱伝導性金属との混合
粉末圧粉体が焼結されたものであり、ＡｌＮ粉末粒子の
粒子間隙が高熱伝導性金属で充填された組織をもつこと
を特徴とする。ＡｌＮ粉末は、濡れ性改善金属及び高熱
伝導性金属で複層に、或いは濡れ性改善金属と高熱伝導
性金属との合金又は混合物でコーティングしても良い。
この場合、コーティングされたＡｌＮ粉末は、そのまま
圧粉成形し、焼結することが可能である。高熱伝導性金
属としては、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇの金属単体又はこれらの
合金等が使用される。濡れ性改善金属としては、Ｙ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体又はこれらの合金等が使用さ
れる。
【０００６】
【実施の形態】ＡｌＮは、半導体素子に近似した低い熱
膨張率を示し、熱伝導性も良好である。このような物性
を活用し、ＡｌＮ焼結体は、半導体の高性能放熱部材と
して、ＶＨＦ帯電力増幅モジュール、高電圧・大電流ス
イッチングモジュール、オプトエレクトエロニクス用モ
ジュール、マイクロウエーブ用セラミックスパッケージ
基板等の用途に広く使用されている。しかし、特開昭６
０−１２７２６７号公報，特開昭６０−７１５７５号公
報，特開昭６１−１００７１号公報，特開昭６３−２７
７５７０号公報，特開昭６３−２７７５７３号公報等で
紹介されているように、２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱
伝導率のものを製造するためには、Ｎ2 ガス雰囲気下、
カーボン製の容器の中で１８５０℃で１０時間と極めて
高い温度で長時間焼結する必要がある。更に、焼結体に
不純物として含まれる酸素量を１０００ｐｐｍ以下にコ
ントロールする必要があった。しかも、ＡｌＮ焼結体
は、展延性がないので圧延による薄板加工ができないた
め、現在では主に小型で特殊な用途のみにしか使用され
ていない。
膨張率を示し、熱伝導性も良好である。このような物性
を活用し、ＡｌＮ焼結体は、半導体の高性能放熱部材と
して、ＶＨＦ帯電力増幅モジュール、高電圧・大電流ス
イッチングモジュール、オプトエレクトエロニクス用モ
ジュール、マイクロウエーブ用セラミックスパッケージ
基板等の用途に広く使用されている。しかし、特開昭６
０−１２７２６７号公報，特開昭６０−７１５７５号公
報，特開昭６１−１００７１号公報，特開昭６３−２７
７５７０号公報，特開昭６３−２７７５７３号公報等で
紹介されているように、２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱
伝導率のものを製造するためには、Ｎ2 ガス雰囲気下、
カーボン製の容器の中で１８５０℃で１０時間と極めて
高い温度で長時間焼結する必要がある。更に、焼結体に
不純物として含まれる酸素量を１０００ｐｐｍ以下にコ
ントロールする必要があった。しかも、ＡｌＮ焼結体
は、展延性がないので圧延による薄板加工ができないた
め、現在では主に小型で特殊な用途のみにしか使用され
ていない。
【０００７】ＡｌＮの焼結温度がこのように高いのは、
高融点のＹ2 Ｏ3 （融点：２４１０℃）やＣａＯ（融
点：２５７２℃）等の酸化物を焼結助剤として使用して
いるためである。また、焼結体中の不純物酸素量が１０
００ｐｐｍ以上になると、粒界を構成しているＹ−Ａｌ
−Ｏ化合物やＣａ−Ａｌ−Ｏ化合物の中にトラップしき
れない酸素がＡｌＮの結晶格子中に固溶し、熱伝導率を
著しく低下させることも原因の一つであると考えられて
いる。そこで、本発明者等は、比重の小さなＡｌＮ粉末
粒子の間を透間なくＣｕ、Ａｌ，Ａｇ等の展延性に優れ
た比較的低融点の金属で充填できると、熱膨張率をかな
り低く保持した状態で熱伝導率の一層の向上が図れ、よ
り低温での焼結や圧延による大面積の放熱部材の製造が
可能となるものと考えた。しかし、ＡｌＮ粉末粒子は、
Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の溶融金属に対して全く濡れ性を示
さず、単にこれらの粉末を混合しただけでは焼結反応が
進行しない。
高融点のＹ2 Ｏ3 （融点：２４１０℃）やＣａＯ（融
点：２５７２℃）等の酸化物を焼結助剤として使用して
いるためである。また、焼結体中の不純物酸素量が１０
００ｐｐｍ以上になると、粒界を構成しているＹ−Ａｌ
−Ｏ化合物やＣａ−Ａｌ−Ｏ化合物の中にトラップしき
れない酸素がＡｌＮの結晶格子中に固溶し、熱伝導率を
著しく低下させることも原因の一つであると考えられて
いる。そこで、本発明者等は、比重の小さなＡｌＮ粉末
粒子の間を透間なくＣｕ、Ａｌ，Ａｇ等の展延性に優れ
た比較的低融点の金属で充填できると、熱膨張率をかな
り低く保持した状態で熱伝導率の一層の向上が図れ、よ
り低温での焼結や圧延による大面積の放熱部材の製造が
可能となるものと考えた。しかし、ＡｌＮ粉末粒子は、
Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の溶融金属に対して全く濡れ性を示
さず、単にこれらの粉末を混合しただけでは焼結反応が
進行しない。
【０００８】ＡｌＮ粉末の濡れ性を改善するため、本発
明では、Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体（以下、濡れ
性改善金属という），これら金属元素とＣｕ，Ａｌ，Ａ
ｇ（以下、高熱伝導性金属という）との合金，混合物と
して又は複層形態でＡｌＮ粉末を予めコーティングして
いる。ＡｌＮ粉末の濡れ性がＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の
金属元素により改善されることは、「セラミックス接合
工学」、（１９９６．１１．１５ 日刊工業新聞社発行
岩本信也、須賀唯知著）ｐ．２２４〜２３１等により
知られているが、本発明ではこの濡れ性改善を利用して
半導体素子用放熱部材に適した焼結体を製造している。
ＡｌＮ粉末粒子に対する濡れ性改善金属の重量比を１〜
１０重量％の範囲に調整すると、ＡｌＮ粉末粒子の表面
に連続したコーティング層が形成され、実質的に粉末粒
子の全表面が濡れ性改善金属で覆われる。したがって、
コーティングされたＡｌＮ粉末を使用して作成した焼結
体では、個々のＡｌＮ粉末粒子の間に確実に高熱伝導性
金属の金属相が介在し、ＡｌＮ粉末粒子相互が直接的に
隣り合うことがなくなるので、焼結体の接合強度が著し
く向上する。
明では、Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体（以下、濡れ
性改善金属という），これら金属元素とＣｕ，Ａｌ，Ａ
ｇ（以下、高熱伝導性金属という）との合金，混合物と
して又は複層形態でＡｌＮ粉末を予めコーティングして
いる。ＡｌＮ粉末の濡れ性がＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の
金属元素により改善されることは、「セラミックス接合
工学」、（１９９６．１１．１５ 日刊工業新聞社発行
岩本信也、須賀唯知著）ｐ．２２４〜２３１等により
知られているが、本発明ではこの濡れ性改善を利用して
半導体素子用放熱部材に適した焼結体を製造している。
ＡｌＮ粉末粒子に対する濡れ性改善金属の重量比を１〜
１０重量％の範囲に調整すると、ＡｌＮ粉末粒子の表面
に連続したコーティング層が形成され、実質的に粉末粒
子の全表面が濡れ性改善金属で覆われる。したがって、
コーティングされたＡｌＮ粉末を使用して作成した焼結
体では、個々のＡｌＮ粉末粒子の間に確実に高熱伝導性
金属の金属相が介在し、ＡｌＮ粉末粒子相互が直接的に
隣り合うことがなくなるので、焼結体の接合強度が著し
く向上する。
【０００９】ＡｌＮ粉末に対する濡れ性改善金属の割合
が１重量％を下回ると、ＡｌＮ粉末粒子の表面に形成さ
れるコーティング層が縞状や点状になり易い。このよう
なＡｌＮ粉末を用いて得られた焼結体では、高熱伝導性
金属の金属相を介在させることなく、ＡｌＮ粉末粒子相
互が直接的に隣り合った部分が観察される。この部分で
は、ピンホール等の内部欠陥が発生しやすい。逆に、濡
れ性改善金属の割合が１０重量％を越えると、得られた
焼結体の特性に及ぼすＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の影響が
大きく現れ、熱膨張率が半導体素子に比較して著しく大
きくなる。その結果、繰返し昇温及び降温する半導体素
子と放熱部材との間の接合界面に熱応力に起因した亀裂
等が発生し易くなる。濡れ性改善金属で被覆されるＡｌ
Ｎ粉末粒子は、連続したコーティング層の作用を効率よ
く発揮させるため、１〜１０μｍの粒径を持つことが必
要である。ＡｌＮ粉末粒子の粒径が１μｍ未満では、Ａ
ｌＮ粉末粒子相互の凝集が激しく、個々のＡｌＮ粉末粒
子に均一なコーティング層を形成することが困難であ
る。逆に、ＡｌＮ粉末粒子の粒径が１０μｍを越える
と、個々のＡｌＮ粉末粒子に形成すべきコーティング層
が厚くなるので、膜厚の不均一化やコーティング表面の
凸凹が激しくなり易く、粉末の流動性や見掛け比重の変
動等の実用的諸問題が発生する。
が１重量％を下回ると、ＡｌＮ粉末粒子の表面に形成さ
れるコーティング層が縞状や点状になり易い。このよう
なＡｌＮ粉末を用いて得られた焼結体では、高熱伝導性
金属の金属相を介在させることなく、ＡｌＮ粉末粒子相
互が直接的に隣り合った部分が観察される。この部分で
は、ピンホール等の内部欠陥が発生しやすい。逆に、濡
れ性改善金属の割合が１０重量％を越えると、得られた
焼結体の特性に及ぼすＹ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ等の影響が
大きく現れ、熱膨張率が半導体素子に比較して著しく大
きくなる。その結果、繰返し昇温及び降温する半導体素
子と放熱部材との間の接合界面に熱応力に起因した亀裂
等が発生し易くなる。濡れ性改善金属で被覆されるＡｌ
Ｎ粉末粒子は、連続したコーティング層の作用を効率よ
く発揮させるため、１〜１０μｍの粒径を持つことが必
要である。ＡｌＮ粉末粒子の粒径が１μｍ未満では、Ａ
ｌＮ粉末粒子相互の凝集が激しく、個々のＡｌＮ粉末粒
子に均一なコーティング層を形成することが困難であ
る。逆に、ＡｌＮ粉末粒子の粒径が１０μｍを越える
と、個々のＡｌＮ粉末粒子に形成すべきコーティング層
が厚くなるので、膜厚の不均一化やコーティング表面の
凸凹が激しくなり易く、粉末の流動性や見掛け比重の変
動等の実用的諸問題が発生する。
【００１０】濡れ性改善金属でコーティングされたＡｌ
Ｎ粉末粒子と高熱伝導性金属との混合割合を変えること
により、目的とする焼結体の熱膨張率や熱伝導率を種々
調整することができる。ＡｌＮ粉末以外にも、人造ダイ
ヤ，立方晶ＢＮ等の粉末を使用することができるが、Ｓ
ｉＣ、ＴｉＣ、ＣｒＣ、ＷＣ、ＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等の
セラミックス粉末は、概して熱膨張率が小さいものの、
熱伝導率が著しく劣るので、放熱部材として使用できな
い。濡れ性改善金属は、スパッタリング法，イオンプレ
ーティング法，真空蒸着法，ＣＶＤ法等でＡｌＮ粉末粒
子にコーティングされる。なかでも、粉末スパッタリン
グ法が最適である。スパッタリング法以外の方法で、Ｙ
（融点：１５２６℃）、Ｔｉ（融点１６７０℃）、Ｚｒ
（融点：１８５２℃），Ｈｆ（融点：２２２７℃）等の
高融点金属をコーティングしたり、融点が相当低いＣｕ
（融点：１０８５℃）、Ａｌ（融点：６６０℃）、Ａｇ
（融点：９６１℃）等と濡れ性改善金属との合金を一定
組成のままコーティングすることは極めて難しい。スパ
ッタリング法によるＡｌＮ粉末のコーティングは、本発
明者等が開発した粉末スパッタリング装置を使用するこ
とにより容易に実施できる。この種の粉末スパッタリン
グ装置としては、たとえば粉末を装入した回転容器の回
転により形成した粉末流動層に金属をスパッタリングす
る装置（特開平２−１５３０６８号公報）がある。
Ｎ粉末粒子と高熱伝導性金属との混合割合を変えること
により、目的とする焼結体の熱膨張率や熱伝導率を種々
調整することができる。ＡｌＮ粉末以外にも、人造ダイ
ヤ，立方晶ＢＮ等の粉末を使用することができるが、Ｓ
ｉＣ、ＴｉＣ、ＣｒＣ、ＷＣ、ＴｉＮ、Ｓｉ3 Ｎ4 等の
セラミックス粉末は、概して熱膨張率が小さいものの、
熱伝導率が著しく劣るので、放熱部材として使用できな
い。濡れ性改善金属は、スパッタリング法，イオンプレ
ーティング法，真空蒸着法，ＣＶＤ法等でＡｌＮ粉末粒
子にコーティングされる。なかでも、粉末スパッタリン
グ法が最適である。スパッタリング法以外の方法で、Ｙ
（融点：１５２６℃）、Ｔｉ（融点１６７０℃）、Ｚｒ
（融点：１８５２℃），Ｈｆ（融点：２２２７℃）等の
高融点金属をコーティングしたり、融点が相当低いＣｕ
（融点：１０８５℃）、Ａｌ（融点：６６０℃）、Ａｇ
（融点：９６１℃）等と濡れ性改善金属との合金を一定
組成のままコーティングすることは極めて難しい。スパ
ッタリング法によるＡｌＮ粉末のコーティングは、本発
明者等が開発した粉末スパッタリング装置を使用するこ
とにより容易に実施できる。この種の粉末スパッタリン
グ装置としては、たとえば粉末を装入した回転容器の回
転により形成した粉末流動層に金属をスパッタリングす
る装置（特開平２−１５３０６８号公報）がある。
【００１１】濡れ性改善金属でコーティングされたＡｌ
Ｎ粉末は、次に示す何れかの方法で高熱伝導性金属と混
合され、焼結される。 （１） 濡れ性改善金属を予めコーティングしたＡｌＮ
粉末と高熱伝導性金属の１種又は２種以上と混合し、圧
粉成形し、圧粉体を水素ガス雰囲気中で８００℃〜１２
００℃に加熱する。 （２）ＡｌＮ粉末の表面に、第１層として濡れ性改善金
属でコーティングし、第１層の上に高熱伝導性金属でコ
ーティングして第２層を形成する。得られた二層複合粉
末を圧粉成形し、水素ガス雰囲気中で８００〜１２００
℃に加熱する。 （３）ＡｌＮ粉末の表面に、濡れ性改善金属と高熱伝導
性金属との合金又は混合物で予めコーティングしたＡｌ
Ｎ粉末を圧粉成形し、水素ガス雰囲気中で８００℃〜１
２００℃に加熱する。
Ｎ粉末は、次に示す何れかの方法で高熱伝導性金属と混
合され、焼結される。 （１） 濡れ性改善金属を予めコーティングしたＡｌＮ
粉末と高熱伝導性金属の１種又は２種以上と混合し、圧
粉成形し、圧粉体を水素ガス雰囲気中で８００℃〜１２
００℃に加熱する。 （２）ＡｌＮ粉末の表面に、第１層として濡れ性改善金
属でコーティングし、第１層の上に高熱伝導性金属でコ
ーティングして第２層を形成する。得られた二層複合粉
末を圧粉成形し、水素ガス雰囲気中で８００〜１２００
℃に加熱する。 （３）ＡｌＮ粉末の表面に、濡れ性改善金属と高熱伝導
性金属との合金又は混合物で予めコーティングしたＡｌ
Ｎ粉末を圧粉成形し、水素ガス雰囲気中で８００℃〜１
２００℃に加熱する。
【００１２】得られた焼結体は、断面減少率５０％以上
の圧下率で必要な厚さまで圧延される。圧下率を５０％
以上に設定することにより、焼結体が圧密化され、靭性
が向上する。圧密化された焼結体は、密度が実質的に理
論密度まで上昇する。この焼結体は、ＡｌＮ粉末粒子の
間が隙間なく高熱伝導性金属で充填されている構造とな
っているので、圧延に起因したクラック等の欠陥が圧延
後の組織に発生することも抑制される。圧延された焼結
体は、用途に応じて打抜き加工，曲げ加工等が施され、
所定形状の放熱部材となる。ここで、圧密化された組織
に由来して優れた加工性が発現し、打抜き加工や曲げ加
工時に欠け，破断等の欠陥が発生せず、高精度で目標形
状に加工される。加工後の製品は、平坦で緻密な表面を
もっている。したがって、素子の搭載に先立って形成さ
れる無電解ニッケルめっき層等の密着性も向上する。
の圧下率で必要な厚さまで圧延される。圧下率を５０％
以上に設定することにより、焼結体が圧密化され、靭性
が向上する。圧密化された焼結体は、密度が実質的に理
論密度まで上昇する。この焼結体は、ＡｌＮ粉末粒子の
間が隙間なく高熱伝導性金属で充填されている構造とな
っているので、圧延に起因したクラック等の欠陥が圧延
後の組織に発生することも抑制される。圧延された焼結
体は、用途に応じて打抜き加工，曲げ加工等が施され、
所定形状の放熱部材となる。ここで、圧密化された組織
に由来して優れた加工性が発現し、打抜き加工や曲げ加
工時に欠け，破断等の欠陥が発生せず、高精度で目標形
状に加工される。加工後の製品は、平坦で緻密な表面を
もっている。したがって、素子の搭載に先立って形成さ
れる無電解ニッケルめっき層等の密着性も向上する。
【００１３】本発明に従った放熱部材の比重は、４〜５
であり、従来の放熱部材に比較して極めて低い値を示
す。因みに、３０重量％Ｃｕ−７０重量％Ｗの放熱部材
では比重が１６．２。３０重量％Ｃｕ−７０重量％Ｍｏ
の放熱部材では比重が９．８であり、本発明の放熱部材
に比較して重いものである。また、ＡｌＮ粉末の単位重
量当りの価格はＷ粉末やＭｏ粉末の価格とほぼ同レベル
であるが、ＡｌＮ粉末の比重は３．３であり、Ｗ粉末の
比重１９．３，Ｍｏ粉末の比重１０．２と比較して非常
に軽い。そのため、単位体積当りの価格に換算すると、
原料粉末価格は１／６〜１／３と極めて安価である。
であり、従来の放熱部材に比較して極めて低い値を示
す。因みに、３０重量％Ｃｕ−７０重量％Ｗの放熱部材
では比重が１６．２。３０重量％Ｃｕ−７０重量％Ｍｏ
の放熱部材では比重が９．８であり、本発明の放熱部材
に比較して重いものである。また、ＡｌＮ粉末の単位重
量当りの価格はＷ粉末やＭｏ粉末の価格とほぼ同レベル
であるが、ＡｌＮ粉末の比重は３．３であり、Ｗ粉末の
比重１９．３，Ｍｏ粉末の比重１０．２と比較して非常
に軽い。そのため、単位体積当りの価格に換算すると、
原料粉末価格は１／６〜１／３と極めて安価である。
【００１４】
実施例１：本発明者等が開発した粉末スパッタリング装
置（特開平２−１５３０６８号公報参照）を使用し、市
販のＡｌＮ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹ
ＡＬＮＩＴＥ−ＵＳ，平均粒径１．４μｍ）の表面に１
重量％のＹをコーティングした。コーティング粉末７５
ｇと市販のＣｕ粉末（福田金属箔粉株式会社製 平均粒
径１．０μｍ）２５ｇを十分混合し、圧力５トン／ｃｍ
2 で圧粉成形した。圧粉体を水素ガス雰囲気中で１２０
０℃に１時間保持することにより焼結した。得られた焼
結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍ
の板状に成形した。 実施例２：実施例１と同様に、ＡｌＮ粉末を４重量％の
Ｔｉでコーティングした。コーティング粉末８０ｇと市
販のＡｌ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 平均粒径
１０．０μｍ）２０ｇを十分混合し、圧粉成形後、水素
ガス雰囲気中で８００℃に１時間保持することにより焼
結した。得られた焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延
し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
置（特開平２−１５３０６８号公報参照）を使用し、市
販のＡｌＮ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹ
ＡＬＮＩＴＥ−ＵＳ，平均粒径１．４μｍ）の表面に１
重量％のＹをコーティングした。コーティング粉末７５
ｇと市販のＣｕ粉末（福田金属箔粉株式会社製 平均粒
径１．０μｍ）２５ｇを十分混合し、圧力５トン／ｃｍ
2 で圧粉成形した。圧粉体を水素ガス雰囲気中で１２０
０℃に１時間保持することにより焼結した。得られた焼
結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍ
の板状に成形した。 実施例２：実施例１と同様に、ＡｌＮ粉末を４重量％の
Ｔｉでコーティングした。コーティング粉末８０ｇと市
販のＡｌ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 平均粒径
１０．０μｍ）２０ｇを十分混合し、圧粉成形後、水素
ガス雰囲気中で８００℃に１時間保持することにより焼
結した。得られた焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延
し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
【００１５】実施例３：実施例１と同様に、ＡｌＮ粉末
を７重量％のＺｒでコーティングした。コーティング粉
末８５ｇと市販のＡｇ粉末（株式会社高純度化学研究所
製 平均粒径３．０μｍ）１５ｇを十分混合し、圧粉成
形後、水素ガス雰囲気中で１１００℃に１時間保持する
ことにより焼結した。得られた焼結体を断面減少率５０
％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例４：実施例１と同様に、ＡｌＮ粉末を１０重量％
のＨｆでコーティングした。コーティング粉末９０ｇと
市販のＡｇ−Ｃｕ合金粉末（日本アトマイズ加工株式会
社製 Ａｇ７２重量％−Ｃｕ２８重量％，平均粒径５．
０μｍ）１０ｇを十分混合し、圧粉成形後、水素ガス雰
囲気中で９００℃に１時間保持することにより焼結し
た。得られた焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、
板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
を７重量％のＺｒでコーティングした。コーティング粉
末８５ｇと市販のＡｇ粉末（株式会社高純度化学研究所
製 平均粒径３．０μｍ）１５ｇを十分混合し、圧粉成
形後、水素ガス雰囲気中で１１００℃に１時間保持する
ことにより焼結した。得られた焼結体を断面減少率５０
％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例４：実施例１と同様に、ＡｌＮ粉末を１０重量％
のＨｆでコーティングした。コーティング粉末９０ｇと
市販のＡｇ−Ｃｕ合金粉末（日本アトマイズ加工株式会
社製 Ａｇ７２重量％−Ｃｕ２８重量％，平均粒径５．
０μｍ）１０ｇを十分混合し、圧粉成形後、水素ガス雰
囲気中で９００℃に１時間保持することにより焼結し
た。得られた焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、
板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
【００１６】実施例５：実施例１と同様に、市販のＡｌ
Ｎ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩ
ＴＥ−ＵＦ，平均粒径２．０μｍ）の表面を第１層とし
て１重量％のＹでコーティングし、更に２５重量％のＣ
ｕでコーティングして第１層の上に第２層を形成した。
得られた２層コーティング粉末１００ｇを圧力５トン／
ｃｍ2 で圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で１２００
℃に１時間保持することにより焼結した。次いで、焼結
体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの
板状に成形した。 実施例６：実施例５と同様に、ＡｌＮ粉末を第１層とし
て４重量％のＴｉでコーティングし、更に第２層として
２０重量％のＡｌでコーティングした。得られた２層コ
ーティング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰
囲気中で８００℃に１時間保持することにより焼結し
た。次いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、
板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
Ｎ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩ
ＴＥ−ＵＦ，平均粒径２．０μｍ）の表面を第１層とし
て１重量％のＹでコーティングし、更に２５重量％のＣ
ｕでコーティングして第１層の上に第２層を形成した。
得られた２層コーティング粉末１００ｇを圧力５トン／
ｃｍ2 で圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で１２００
℃に１時間保持することにより焼結した。次いで、焼結
体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの
板状に成形した。 実施例６：実施例５と同様に、ＡｌＮ粉末を第１層とし
て４重量％のＴｉでコーティングし、更に第２層として
２０重量％のＡｌでコーティングした。得られた２層コ
ーティング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰
囲気中で８００℃に１時間保持することにより焼結し
た。次いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、
板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
【００１７】実施例７：実施例５と同様に、ＡｌＮ粉末
を第１層として７重量％のＺｒでコーティングし、更に
第２層として１５重量％のＡｇでコーティングした。得
られた２層コーティング粉末１００ｇを圧粉成形した
後、水素ガス雰囲気中で１１００℃に１時間保持するこ
とにより焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５０％
で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例８：実施例５と同様に、ＡｌＮ粉末を第１層とし
て１０重量％のＨｆでコーティングし、更に第２層とし
て１０重量％のＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ７２重量％，Ｃｕ
２８重量％）でコーティングした。得られた２層コーテ
ィング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気
中で９００℃に１時間保持することにより焼結した。次
いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚
０．５ｍｍの板状に成形した。
を第１層として７重量％のＺｒでコーティングし、更に
第２層として１５重量％のＡｇでコーティングした。得
られた２層コーティング粉末１００ｇを圧粉成形した
後、水素ガス雰囲気中で１１００℃に１時間保持するこ
とにより焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５０％
で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例８：実施例５と同様に、ＡｌＮ粉末を第１層とし
て１０重量％のＨｆでコーティングし、更に第２層とし
て１０重量％のＡｇ−Ｃｕ合金（Ａｇ７２重量％，Ｃｕ
２８重量％）でコーティングした。得られた２層コーテ
ィング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気
中で９００℃に１時間保持することにより焼結した。次
いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚
０．５ｍｍの板状に成形した。
【００１８】実施例９：実施例１と同様に、市販のＡｌ
Ｎ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩ
ＴＥ−ＵＭ，平均粒径６．５μｍ）７４ｇをＣｕ−Ｙ合
金（Ｃｕ９６．２重量％，Ｙ３．８重量％）２６ｇでコ
ーティングした。コーティング粉末１００ｇを圧粉成形
した後、水素ガス雰囲気中で１２００℃に１時間保持す
ることにより焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５
０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例１０：実施例９と同様に、ＡｌＮ粉末７６ｇをＡ
ｌ−Ｔｉ合金（Ａｌ８３．３重量％，Ｔｉ１６．７重量
％）２４ｇでコーティングした。コーティング粉末１０
０ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で８００℃に
１時間保持することにより焼結した。次いで、焼結体を
断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状
に成形した。
Ｎ粉末（東洋アルミニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩ
ＴＥ−ＵＭ，平均粒径６．５μｍ）７４ｇをＣｕ−Ｙ合
金（Ｃｕ９６．２重量％，Ｙ３．８重量％）２６ｇでコ
ーティングした。コーティング粉末１００ｇを圧粉成形
した後、水素ガス雰囲気中で１２００℃に１時間保持す
ることにより焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５
０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例１０：実施例９と同様に、ＡｌＮ粉末７６ｇをＡ
ｌ−Ｔｉ合金（Ａｌ８３．３重量％，Ｔｉ１６．７重量
％）２４ｇでコーティングした。コーティング粉末１０
０ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で８００℃に
１時間保持することにより焼結した。次いで、焼結体を
断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚０．５ｍｍの板状
に成形した。
【００１９】実施例１１：実施例９と同様に、ＡｌＮ粉
末７８ｇをＡｇ−Ｚｒ合金（Ａｇ６８．２重量％，Ｚｒ
３１．８重量％）２２ｇでコーティングした。コーティ
ング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中
で１１００℃に１時間保持することにより焼結した。次
いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚
０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例１２：実施例９と同様に、ＡｌＮ粉末８０ｇをＨ
ｆ−Ａｇ−Ｃｕ合金（Ｈｆ５０．０重量％，Ａｇ３６．
０重量％，Ｃｕ１４．０重量％）２０ｇでコーティング
した。コーティング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水
素ガス雰囲気中で９００℃に１時間保持することにより
焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧
延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
末７８ｇをＡｇ−Ｚｒ合金（Ａｇ６８．２重量％，Ｚｒ
３１．８重量％）２２ｇでコーティングした。コーティ
ング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中
で１１００℃に１時間保持することにより焼結した。次
いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧延し、板厚
０．５ｍｍの板状に成形した。 実施例１２：実施例９と同様に、ＡｌＮ粉末８０ｇをＨ
ｆ−Ａｇ−Ｃｕ合金（Ｈｆ５０．０重量％，Ａｇ３６．
０重量％，Ｃｕ１４．０重量％）２０ｇでコーティング
した。コーティング粉末１００ｇを圧粉成形した後、水
素ガス雰囲気中で９００℃に１時間保持することにより
焼結した。次いで、焼結体を断面減少率５０％で冷間圧
延し、板厚０．５ｍｍの板状に成形した。
【００２０】比較例１：市販のＡｌＮ粉末（東洋アルミ
ニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩＴＥ−ＵＳ，平均粒
径１．４μｍ）７４ｇを市販のＹ粉末（株式会社高純度
化学研究所製平均粒径１０．０μｍ）１ｇ及び市販のＣ
ｕ粉末２５ｇと十分混合し、圧力５トン／ｃｍ2 で圧粉
成形した後、水素ガス雰囲気中で１２００℃に１時間保
持することによって焼結を試みた。 比較例２：比較例１と同様に、ＡｌＮ粉末７６ｇを市販
のＴｉ粉末（株式会社高純度化学研究所製 平均粒径１
０．０μｍ）４ｇ及び市販のＡｌ粉末２０ｇと十分混合
し、圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で８００℃に１
時間保持することによって焼結を試みた。
ニウム株式会社製 ＴＯＹＡＬＮＩＴＥ−ＵＳ，平均粒
径１．４μｍ）７４ｇを市販のＹ粉末（株式会社高純度
化学研究所製平均粒径１０．０μｍ）１ｇ及び市販のＣ
ｕ粉末２５ｇと十分混合し、圧力５トン／ｃｍ2 で圧粉
成形した後、水素ガス雰囲気中で１２００℃に１時間保
持することによって焼結を試みた。 比較例２：比較例１と同様に、ＡｌＮ粉末７６ｇを市販
のＴｉ粉末（株式会社高純度化学研究所製 平均粒径１
０．０μｍ）４ｇ及び市販のＡｌ粉末２０ｇと十分混合
し、圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で８００℃に１
時間保持することによって焼結を試みた。
【００２１】比較例３：比較例１と同様に、ＡｌＮ粉末
７８ｇを市販のＺｒ粉末（株式会社高純度化学研究所製
平均粒径８．０μｍ）７ｇ及び市販のＡｇ粉末１５ｇ
と十分混合し、圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で１
１００℃に１時間保持することによって焼結を試みた。 比較例４：比較例１と同様に、ＡｌＮ粉末８０ｇを市販
のＨｆ粉末（株式会社高純度化学研究所製 平均粒径１
０．０μｍ）１０ｇ，市販のＡｇ粉末７．２ｇ及び市販
のＣｕ粉末２．８ｇと十分混合し、圧粉成形した後、水
素ガス雰囲気中で９００℃に１時間保持することによっ
て焼結を試みた。以上の実施例で得られた各焼結体の熱
伝導率を測定したところ、表１に示すように何れも２０
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を示した。また、熱膨
張率は、８．０×１０-6／℃以下の低い値を示した。こ
れらの結果から、放熱特性に優れた半導体パッケージ用
放熱部材として使用できることが判る。これに対し、表
面処理を施していないＡｌＮ粉末を使用した比較例で
は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の溶融金属でＡｌＮ粉末粒子が
全く濡れないため、焼結体とならなかった。
７８ｇを市販のＺｒ粉末（株式会社高純度化学研究所製
平均粒径８．０μｍ）７ｇ及び市販のＡｇ粉末１５ｇ
と十分混合し、圧粉成形した後、水素ガス雰囲気中で１
１００℃に１時間保持することによって焼結を試みた。 比較例４：比較例１と同様に、ＡｌＮ粉末８０ｇを市販
のＨｆ粉末（株式会社高純度化学研究所製 平均粒径１
０．０μｍ）１０ｇ，市販のＡｇ粉末７．２ｇ及び市販
のＣｕ粉末２．８ｇと十分混合し、圧粉成形した後、水
素ガス雰囲気中で９００℃に１時間保持することによっ
て焼結を試みた。以上の実施例で得られた各焼結体の熱
伝導率を測定したところ、表１に示すように何れも２０
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い熱伝導率を示した。また、熱膨
張率は、８．０×１０-6／℃以下の低い値を示した。こ
れらの結果から、放熱特性に優れた半導体パッケージ用
放熱部材として使用できることが判る。これに対し、表
面処理を施していないＡｌＮ粉末を使用した比較例で
は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ等の溶融金属でＡｌＮ粉末粒子が
全く濡れないため、焼結体とならなかった。
【００２２】
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
素子用放熱部材は、濡れ性改善金属でコーティングした
ＡｌＮ粉末を高熱伝導性金属と混合して圧粉成形したも
のを焼結しているので、ＡｌＮ粉末粒子の間隙が高熱伝
導性金属で充填された構造をもっている。そのため、Ａ
ｌＮ本来の低熱膨張率及び高熱伝導性が活用され、高性
能化に伴って発熱量が大きくなる傾向にある半導体素子
の基板，ヒートシンク，放熱フィン等に適した放熱部材
として使用される。
素子用放熱部材は、濡れ性改善金属でコーティングした
ＡｌＮ粉末を高熱伝導性金属と混合して圧粉成形したも
のを焼結しているので、ＡｌＮ粉末粒子の間隙が高熱伝
導性金属で充填された構造をもっている。そのため、Ａ
ｌＮ本来の低熱膨張率及び高熱伝導性が活用され、高性
能化に伴って発熱量が大きくなる傾向にある半導体素子
の基板，ヒートシンク，放熱フィン等に適した放熱部材
として使用される。
Claims (5)
- 【請求項１】 濡れ性改善金属でコーティングしたＡｌ
Ｎ粉末と高熱伝導性金属との混合粉末圧粉体が焼結され
たものであり、ＡｌＮ粉末粒子の粒子間隙が高熱伝導性
金属で充填された組織をもつ半導体素子用放熱部材。 - 【請求項２】 濡れ性改善金属及び高導電性金属で複層
にコーティングしたＡｌＮ粉末の粉末圧粉体が焼結され
たものであり、Ａｌ粉末粒子の粒子間隙が高熱伝導性金
属で充填された組織をもつ半導体素子用放熱部材。 - 【請求項３】 濡れ性改善金属と高導電性金属との合金
又は混合物でコーティングしたＡｌＮ粉末の粉末圧粉体
が焼結されたものであり、Ａｌ粉末粒子の粒子間隙が高
熱伝導性金属で充填された組織をもつ半導体素子用放熱
部材。 - 【請求項４】 Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇの金属単体又はこれら
の合金から選ばれた１種又は２種以上を請求項１〜３の
何れかに記載の高熱伝導性金属として使用した半導体素
子用放熱部材。 - 【請求項５】 Ｙ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆの金属単体又はこ
れらの合金から選ばれた１種又は２種以上を請求項１〜
３の何れかに記載の濡れ性改善金属として使用した半導
体素子用放熱部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843497A JPH10321776A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体素子用放熱部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12843497A JPH10321776A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体素子用放熱部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321776A true JPH10321776A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14984657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12843497A Withdrawn JPH10321776A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 半導体素子用放熱部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321776A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035985A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Jfe Seimitsu Kk | 電子機器で用いる放熱板およびその製造方法 |
| CN100364080C (zh) * | 2004-05-15 | 2008-01-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 散热装置及其制造方法 |
| CN110964967A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-07 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP12843497A patent/JPH10321776A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100364080C (zh) * | 2004-05-15 | 2008-01-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 散热装置及其制造方法 |
| JP2007035985A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Jfe Seimitsu Kk | 電子機器で用いる放熱板およびその製造方法 |
| CN110964967A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-07 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
| CN110964967B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-07-23 | 有研亿金新材料有限公司 | 一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法 |
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