JPH10319044A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JPH10319044A JPH10319044A JP9126035A JP12603597A JPH10319044A JP H10319044 A JPH10319044 A JP H10319044A JP 9126035 A JP9126035 A JP 9126035A JP 12603597 A JP12603597 A JP 12603597A JP H10319044 A JPH10319044 A JP H10319044A
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- needles
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングパッドのピッチが小さくなりプ
ローブ針の太さを小さくしなければならない場合、プロ
ーブ針とボンディングパッドとの接触不良が生じてＬＳ
Ｉにテスト信号が印加されず、良品が不良品と判定され
てＬＳＩの歩留まりが低下する。 【解決手段】 複数のプローブ針５３を第１の絶縁板５
４上に配置し、隣接するプローブ針間を１０μｍ程度の
厚さの第２の絶縁板５５で仕切った単位ユニット５７を
多段に積層して成るプローブ針ユニットをプローブカー
ド基板に固定し、第１の絶縁板には、プローブ針を配置
する側に第２の絶縁板をはめ込む溝５６をプローブ針の
太さより小さい間隔で多数設け、第２の絶縁板をプロー
ブ針の太さと略同一間隔でこの溝にはめ込む。
ローブ針の太さを小さくしなければならない場合、プロ
ーブ針とボンディングパッドとの接触不良が生じてＬＳ
Ｉにテスト信号が印加されず、良品が不良品と判定され
てＬＳＩの歩留まりが低下する。 【解決手段】 複数のプローブ針５３を第１の絶縁板５
４上に配置し、隣接するプローブ針間を１０μｍ程度の
厚さの第２の絶縁板５５で仕切った単位ユニット５７を
多段に積層して成るプローブ針ユニットをプローブカー
ド基板に固定し、第１の絶縁板には、プローブ針を配置
する側に第２の絶縁板をはめ込む溝５６をプローブ針の
太さより小さい間隔で多数設け、第２の絶縁板をプロー
ブ針の太さと略同一間隔でこの溝にはめ込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置（以
下、ＬＳＩという）をテストするときに使用するプロー
ブカードに関するものである。
下、ＬＳＩという）をテストするときに使用するプロー
ブカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体試験装置の概略的な
構成図であり、従来の半導体試験装置を用いてＬＳＩを
テストする状態を概略的に示している。図において、１
はテスタ、２はテスタ１に設けられたテスタ本体、３は
テスタ１に設けられたテストヘッド、４はインターフェ
ースボード、５は接続リング、６はプローブカード、７
はプローブカード６に設けられたプローブ針、８はテス
タ本体２とテストヘッド３とを接続する信号線、９はテ
ストヘッド３とインターフェースボード４とを接続する
ポゴピン、１０はインターフェースボード４と接続リン
グ５とを接続するポゴピン、１１は接続リング５とプロ
ーブカード６とを接続するポゴピンである。また、１２
は図示しないチャックトップ上に配置されたウエハ、１
３はウエハ１２に形成されたＬＳＩ、１４はＬＳＩ１３
に設けられたボンディングパッドである。なお、図５に
は、図面を簡略化するため、プローブ針７を２本だけ示
しているが、実際には、多数のプローブ針がプローブカ
ード６に設けられている。
構成図であり、従来の半導体試験装置を用いてＬＳＩを
テストする状態を概略的に示している。図において、１
はテスタ、２はテスタ１に設けられたテスタ本体、３は
テスタ１に設けられたテストヘッド、４はインターフェ
ースボード、５は接続リング、６はプローブカード、７
はプローブカード６に設けられたプローブ針、８はテス
タ本体２とテストヘッド３とを接続する信号線、９はテ
ストヘッド３とインターフェースボード４とを接続する
ポゴピン、１０はインターフェースボード４と接続リン
グ５とを接続するポゴピン、１１は接続リング５とプロ
ーブカード６とを接続するポゴピンである。また、１２
は図示しないチャックトップ上に配置されたウエハ、１
３はウエハ１２に形成されたＬＳＩ、１４はＬＳＩ１３
に設けられたボンディングパッドである。なお、図５に
は、図面を簡略化するため、プローブ針７を２本だけ示
しているが、実際には、多数のプローブ針がプローブカ
ード６に設けられている。
【０００３】テストヘッド３は、テスト信号を発生する
機能、ＬＳＩ１３からの応答信号を期待値と比較する機
能を持っている。テスタ本体２は、テスト信号を発生す
るタイミングを調節する機能、テスト信号のパターンを
決定する機能、期待値を格納する機能、電源としての機
能を持っている。
機能、ＬＳＩ１３からの応答信号を期待値と比較する機
能を持っている。テスタ本体２は、テスト信号を発生す
るタイミングを調節する機能、テスト信号のパターンを
決定する機能、期待値を格納する機能、電源としての機
能を持っている。
【０００４】このような従来の半導体試験装置では、プ
ローブ針７の先端がボンディングパッド１４に接触した
状態において、テストヘッド３で発生したテスト信号
が、インターフェースボード４、接続リング５およびプ
ローブカード６を介してＬＳＩ１３に印加される。逆
に、ＬＳＩ１３からの応答信号が、プローブカード７、
接続リング６およびインターフェースボード４を介して
テストヘッド３に印加される。
ローブ針７の先端がボンディングパッド１４に接触した
状態において、テストヘッド３で発生したテスト信号
が、インターフェースボード４、接続リング５およびプ
ローブカード６を介してＬＳＩ１３に印加される。逆
に、ＬＳＩ１３からの応答信号が、プローブカード７、
接続リング６およびインターフェースボード４を介して
テストヘッド３に印加される。
【０００５】図６は従来のプローブカードの概略的な構
成図であり、プローブカードの中心を通りプローブカー
ド基板の表面に垂直な断面を概略的に示している。図７
は図６中の破線で囲んだＡ領域を拡大して斜視図で示し
ている。図において、１５はプローブカード基板、１６
はプローブ針７をプローブカード基板１５に固定するた
めの樹脂、１７はプローブカード基板１５に設けられた
電極ランド、１８はプローブカード基板１５の中央に位
置する開口である。なお、図６には、図面を簡略化する
ため、プローブ針７を固定する側のプローブカード基板
１５上にのみ電極ランド１７を示しているが、実際に
は、プローブ針７を固定する側と反対側のプローブカー
ド基板１５上にも電極ランドが設けられている。そし
て、プローブ針７を固定する側の電極ランド１７とプロ
ーブ針７を固定する側と反対側の電極ランドとは、プロ
ーブカード基板１５内に設けられた図示しない配線によ
り接続されている。
成図であり、プローブカードの中心を通りプローブカー
ド基板の表面に垂直な断面を概略的に示している。図７
は図６中の破線で囲んだＡ領域を拡大して斜視図で示し
ている。図において、１５はプローブカード基板、１６
はプローブ針７をプローブカード基板１５に固定するた
めの樹脂、１７はプローブカード基板１５に設けられた
電極ランド、１８はプローブカード基板１５の中央に位
置する開口である。なお、図６には、図面を簡略化する
ため、プローブ針７を固定する側のプローブカード基板
１５上にのみ電極ランド１７を示しているが、実際に
は、プローブ針７を固定する側と反対側のプローブカー
ド基板１５上にも電極ランドが設けられている。そし
て、プローブ針７を固定する側の電極ランド１７とプロ
ーブ針７を固定する側と反対側の電極ランドとは、プロ
ーブカード基板１５内に設けられた図示しない配線によ
り接続されている。
【０００６】このような従来のプローブカード６では、
複数のプローブ針７が、樹脂１６を用いてプローブカー
ド基板１５に固定されている。プローブカード基板１５
に固定されている複数のプローブ針７は、隣接するプロ
ーブ針７の間でのショートを避けるため、多段に積層し
た構成となっている。図６および図７には、プローブ針
７を４段に積層した場合について示している。図７にお
いて、７ａは１段目のプローブ針、７ｂは２段目のプロ
ーブ針、７ｃは３段目のプローブ針、７ｄは４段目のプ
ローブ針である。なお、各プローブ針７は、先端に近づ
くにつれて次第にその径が細くなるようにテーパー状に
加工され、先端がＬＳＩ１３に設けられたボンディング
パッド１４に垂直に接触するように、先端の近傍におい
て折り曲げ加工されている。また、各プローブ針７は、
最後端で電極ランド１７に接続している。
複数のプローブ針７が、樹脂１６を用いてプローブカー
ド基板１５に固定されている。プローブカード基板１５
に固定されている複数のプローブ針７は、隣接するプロ
ーブ針７の間でのショートを避けるため、多段に積層し
た構成となっている。図６および図７には、プローブ針
７を４段に積層した場合について示している。図７にお
いて、７ａは１段目のプローブ針、７ｂは２段目のプロ
ーブ針、７ｃは３段目のプローブ針、７ｄは４段目のプ
ローブ針である。なお、各プローブ針７は、先端に近づ
くにつれて次第にその径が細くなるようにテーパー状に
加工され、先端がＬＳＩ１３に設けられたボンディング
パッド１４に垂直に接触するように、先端の近傍におい
て折り曲げ加工されている。また、各プローブ針７は、
最後端で電極ランド１７に接続している。
【０００７】図８はプローブ針の配置図であり、図６中
のＢ１−Ｂ２線に沿って切り取った断面におけるプロー
ブ針の配置を示している。図において、Ｘはプローブ針
７の太さ、Ｙは同一段における隣接するプローブ針７間
のギャップ、Ｚはボンディングパッド１４のピッチであ
る。なお、プローブ針７を人手で配置する現状の方法を
用いて、プローブカード６を製造する場合には、同一段
における隣接するプローブ針７間のギャップＹは、１０
０μｍ程度必要である。
のＢ１−Ｂ２線に沿って切り取った断面におけるプロー
ブ針の配置を示している。図において、Ｘはプローブ針
７の太さ、Ｙは同一段における隣接するプローブ針７間
のギャップ、Ｚはボンディングパッド１４のピッチであ
る。なお、プローブ針７を人手で配置する現状の方法を
用いて、プローブカード６を製造する場合には、同一段
における隣接するプローブ針７間のギャップＹは、１０
０μｍ程度必要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブカード
６は以上のように構成されているので、ボンディングパ
ッド１４のピッチＺが５０μｍとなった場合、プローブ
針７を４段に積層したとき、同一段におけるプローブ針
７のピッチは４Ｚ＝２００μｍとなる。このとき、同一
段における隣接するプローブ針７間のギャップＹを１０
０μｍとすると、プローブ針７の太さＸは、４Ｚ−Ｙ＝
１００μｍとなる。プローブ針７の太さＸが１００μｍ
の場合、プローブ針７の先端をボンディングパッド１４
に接触させるためにオーバードライブをかけたとして
も、ボンディングパッド１４の表面を覆うアルミニウム
酸化物などの不純物を突き破るだけの十分な針圧を得る
ことができない。このため、プローブ針７とボンディン
グパッド１４との接触不良が生じ、ＬＳＩ１３にテスト
信号が印加されなくなる。その結果、良品が不良品と判
定され、ＬＳＩの歩留まりが低下するという課題があっ
た。なお、このような課題は、プローブ針７を４段に積
層した場合に限らず、ボンディングパッド１４のピッチ
Ｚが小さくなるため、プローブ針７の太さＸを小さくし
なければならない、多段に積層した構成の従来のプロー
ブカード６の場合に生じる。
６は以上のように構成されているので、ボンディングパ
ッド１４のピッチＺが５０μｍとなった場合、プローブ
針７を４段に積層したとき、同一段におけるプローブ針
７のピッチは４Ｚ＝２００μｍとなる。このとき、同一
段における隣接するプローブ針７間のギャップＹを１０
０μｍとすると、プローブ針７の太さＸは、４Ｚ−Ｙ＝
１００μｍとなる。プローブ針７の太さＸが１００μｍ
の場合、プローブ針７の先端をボンディングパッド１４
に接触させるためにオーバードライブをかけたとして
も、ボンディングパッド１４の表面を覆うアルミニウム
酸化物などの不純物を突き破るだけの十分な針圧を得る
ことができない。このため、プローブ針７とボンディン
グパッド１４との接触不良が生じ、ＬＳＩ１３にテスト
信号が印加されなくなる。その結果、良品が不良品と判
定され、ＬＳＩの歩留まりが低下するという課題があっ
た。なお、このような課題は、プローブ針７を４段に積
層した場合に限らず、ボンディングパッド１４のピッチ
Ｚが小さくなるため、プローブ針７の太さＸを小さくし
なければならない、多段に積層した構成の従来のプロー
ブカード６の場合に生じる。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ボンディングパッド１４のピッチ
Ｚが小さくなったとしても、ボンディングパッド１４の
表面を覆うアルミニウム酸化物などの不純物を突き破る
だけの十分な針圧を得ることができるプローブ針を備え
たプローブカードを得ることを目的とする。
めになされたもので、ボンディングパッド１４のピッチ
Ｚが小さくなったとしても、ボンディングパッド１４の
表面を覆うアルミニウム酸化物などの不純物を突き破る
だけの十分な針圧を得ることができるプローブ針を備え
たプローブカードを得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
るプローブカードは、複数のプローブ針を第１の絶縁板
上に配置し、隣接するプローブ針間を第２の絶縁板で仕
切った構成の単位ユニットを多段に積層して成るプロー
ブ針ユニットを、プローブカード基板に固定したもので
ある。
るプローブカードは、複数のプローブ針を第１の絶縁板
上に配置し、隣接するプローブ針間を第２の絶縁板で仕
切った構成の単位ユニットを多段に積層して成るプロー
ブ針ユニットを、プローブカード基板に固定したもので
ある。
【００１１】請求項２記載の発明に係るプローブカード
は、第１の絶縁板の、プローブ針を配置する側に、第２
の絶縁板をはめ込む溝を、プローブ針の太さより小さい
間隔で多数設け、第２の絶縁板を、プローブ針の太さと
ほぼ同一の間隔で、この溝にはめ込んであるものであ
る。
は、第１の絶縁板の、プローブ針を配置する側に、第２
の絶縁板をはめ込む溝を、プローブ針の太さより小さい
間隔で多数設け、第２の絶縁板を、プローブ針の太さと
ほぼ同一の間隔で、この溝にはめ込んであるものであ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるプ
ローブカードの概略的な構成図であり、従来のプローブ
カードを示す図６中の破線で囲んだＣ領域に対応する部
分を拡大して斜視図で示している。図において、５１は
プローブカード基板、５２はプローブカード基板５１に
固定されたプローブ針ユニット、５３はブローブ針ユニ
ット５２に設けられたプローブ針である。図１には、１
２本のプローブ針５３がブローブ針ユニット５２に設け
られた場合について示している。１２本のプローブ針５
３は、隣接するプローブ針５３の間でのショートを避け
るため、多段に積層した構成となっている。図１には、
プローブ針７を４段に積層した場合について示してい
る。図において、５３ａは１段目のプローブ針、５３ｂ
は２段目のプローブ針、５３ｃは３段目のプローブ針、
５３ｄは４段目のプローブ針である。なお、各プローブ
針５３は、先端に近づくにつれて次第にその径が細くな
るようにテーパー状に加工され、先端がＬＳＩに設けら
れたボンディングパッドに垂直に接触するように、先端
の近傍において折り曲げ加工されている。また、各プロ
ーブ針５３は、最後端で電極ランドに接続している。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるプ
ローブカードの概略的な構成図であり、従来のプローブ
カードを示す図６中の破線で囲んだＣ領域に対応する部
分を拡大して斜視図で示している。図において、５１は
プローブカード基板、５２はプローブカード基板５１に
固定されたプローブ針ユニット、５３はブローブ針ユニ
ット５２に設けられたプローブ針である。図１には、１
２本のプローブ針５３がブローブ針ユニット５２に設け
られた場合について示している。１２本のプローブ針５
３は、隣接するプローブ針５３の間でのショートを避け
るため、多段に積層した構成となっている。図１には、
プローブ針７を４段に積層した場合について示してい
る。図において、５３ａは１段目のプローブ針、５３ｂ
は２段目のプローブ針、５３ｃは３段目のプローブ針、
５３ｄは４段目のプローブ針である。なお、各プローブ
針５３は、先端に近づくにつれて次第にその径が細くな
るようにテーパー状に加工され、先端がＬＳＩに設けら
れたボンディングパッドに垂直に接触するように、先端
の近傍において折り曲げ加工されている。また、各プロ
ーブ針５３は、最後端で電極ランドに接続している。
【００１３】次に、この実施の形態１のプローブカード
の製造方法について説明する。図２〜図４は、この実施
の形態１のプローブカードの製造方法の説明図である。
の製造方法について説明する。図２〜図４は、この実施
の形態１のプローブカードの製造方法の説明図である。
【００１４】この実施の形態１によるプローブカードを
製造する場合、先ず、２種類の絶縁板５４，５５を用意
する（図２（Ａ））。後工程で詳細に説明するが、一方
の絶縁板（以下、第１の絶縁板という）５４は、その上
に複数のプローブ針５３を配置するために用いられ、他
方の絶縁板（以下、第２の絶縁板という）５５は、第１
の絶縁板５４上に配置されるプローブ針５３間の接触を
防ぐために用いられる。このため、第１の絶縁板５４と
して、ある程度の堅さが望める数１００μｍの厚さを有
するものを用い、第２の絶縁板５５として、隣接するプ
ローブ針５３間の絶縁が望める１０μｍ程度の厚さを有
するものを用いる。
製造する場合、先ず、２種類の絶縁板５４，５５を用意
する（図２（Ａ））。後工程で詳細に説明するが、一方
の絶縁板（以下、第１の絶縁板という）５４は、その上
に複数のプローブ針５３を配置するために用いられ、他
方の絶縁板（以下、第２の絶縁板という）５５は、第１
の絶縁板５４上に配置されるプローブ針５３間の接触を
防ぐために用いられる。このため、第１の絶縁板５４と
して、ある程度の堅さが望める数１００μｍの厚さを有
するものを用い、第２の絶縁板５５として、隣接するプ
ローブ針５３間の絶縁が望める１０μｍ程度の厚さを有
するものを用いる。
【００１５】また、ＬＳＩをテストするとき、チャック
トップを１００℃〜１５０℃に加熱する場合があるの
で、チャックトップからの放射熱に耐えるため、第１お
よび第２の絶縁板５４および５５として、１５０℃程度
の温度に耐え得るものを用いる。例えば、第１および第
２の絶縁板５４，５５として、セラミックから成る基板
やガラスエポキシから成る基板を用いる。セラミック基
板として、アルミナから成るもの、チッカアルミニウム
から成るものがあり、ガラスエポキシ基板として、樹脂
としてエポキシ樹脂を用いるもの、樹脂としてポリイミ
ド樹脂を用いるものがある。また、第２の絶縁板５５と
して、第２の絶縁板５４を第１の絶縁板５４に固定した
とき、その高さが、第１の絶縁板５４上に配置されるプ
ローブ針５３の太さの１／２よりも高くなるものを用い
る。
トップを１００℃〜１５０℃に加熱する場合があるの
で、チャックトップからの放射熱に耐えるため、第１お
よび第２の絶縁板５４および５５として、１５０℃程度
の温度に耐え得るものを用いる。例えば、第１および第
２の絶縁板５４，５５として、セラミックから成る基板
やガラスエポキシから成る基板を用いる。セラミック基
板として、アルミナから成るもの、チッカアルミニウム
から成るものがあり、ガラスエポキシ基板として、樹脂
としてエポキシ樹脂を用いるもの、樹脂としてポリイミ
ド樹脂を用いるものがある。また、第２の絶縁板５５と
して、第２の絶縁板５４を第１の絶縁板５４に固定した
とき、その高さが、第１の絶縁板５４上に配置されるプ
ローブ針５３の太さの１／２よりも高くなるものを用い
る。
【００１６】その後、第１の絶縁板５４に、ダイヤモン
ドカッターなどを用いた切削加工により、第２の絶縁板
５５をはめ込む溝５６を多数形成する（図２（Ｂ））。
この溝５６は、プローブ針５３を配置する側に、プロー
ブ針５３の太さより小さい、例えば２０μｍ程度の間隔
で形成される。また、この溝５６は、第２の絶縁板５５
と同じ厚さの幅で形成される。
ドカッターなどを用いた切削加工により、第２の絶縁板
５５をはめ込む溝５６を多数形成する（図２（Ｂ））。
この溝５６は、プローブ針５３を配置する側に、プロー
ブ針５３の太さより小さい、例えば２０μｍ程度の間隔
で形成される。また、この溝５６は、第２の絶縁板５５
と同じ厚さの幅で形成される。
【００１７】その後、第１の絶縁板５４に形成した溝５
６に第２の絶縁板５５をはめ込む（図２（Ｃ））。この
第２の絶縁板５５は、第１の絶縁板５４上に配置するプ
ローブ針５３の太さとほぼ同一の間隔で、第１の絶縁板
５４に形成した溝５６にはめ込まれる。このようにし
て、第１の絶縁板５４に第２の絶縁板５５が固定され
る。図２（Ｃ）には、４枚の第２の絶縁板５５を第１の
絶縁板５４に固定した場合について示している。
６に第２の絶縁板５５をはめ込む（図２（Ｃ））。この
第２の絶縁板５５は、第１の絶縁板５４上に配置するプ
ローブ針５３の太さとほぼ同一の間隔で、第１の絶縁板
５４に形成した溝５６にはめ込まれる。このようにし
て、第１の絶縁板５４に第２の絶縁板５５が固定され
る。図２（Ｃ）には、４枚の第２の絶縁板５５を第１の
絶縁板５４に固定した場合について示している。
【００１８】その後、第１の絶縁板５４上に複数のプロ
ーブ針５３を配置する（図３（Ａ）および（Ｂ））。各
プローブ針５３は第２の絶縁板５５間に配置される。図
３（Ａ）および（Ｂ）には、３本のプローブ針５３を第
１の絶縁板５４上に配置した場合について示している。
なお、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）中のＤ−Ｄ線に沿って
切り取った断面図である。以上の工程で、単位ユニット
５７が完成する。
ーブ針５３を配置する（図３（Ａ）および（Ｂ））。各
プローブ針５３は第２の絶縁板５５間に配置される。図
３（Ａ）および（Ｂ）には、３本のプローブ針５３を第
１の絶縁板５４上に配置した場合について示している。
なお、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）中のＤ−Ｄ線に沿って
切り取った断面図である。以上の工程で、単位ユニット
５７が完成する。
【００１９】その後、単位ユニット５７を多段に積層す
る（図４）。単位ユニット５７は、各プローブ針５３が
接触せず、かつ各プローブ針５３の先端が一定のピッチ
となるように積層される。図４には、単位ユニット５７
を４段積層した場合について示している。なお、各段毎
に、プローブ針５３の先端の近傍の長さは異なる。
る（図４）。単位ユニット５７は、各プローブ針５３が
接触せず、かつ各プローブ針５３の先端が一定のピッチ
となるように積層される。図４には、単位ユニット５７
を４段積層した場合について示している。なお、各段毎
に、プローブ針５３の先端の近傍の長さは異なる。
【００２０】その後、単位ユニット５７を多段に積層し
たものを樹脂で固定する。樹脂は、プローブ針５３、第
１の絶縁板５４および第２の絶縁板５５の隙間に注入さ
れる。以上の工程で、プローブ針ユニット５２が完成す
る。
たものを樹脂で固定する。樹脂は、プローブ針５３、第
１の絶縁板５４および第２の絶縁板５５の隙間に注入さ
れる。以上の工程で、プローブ針ユニット５２が完成す
る。
【００２１】その後、接着剤等を用いて、プローブ針ユ
ニット５２をプローブカード基板５１に固定し、各プロ
ーブ針５３の最後端をプローブカード基板５１に設けら
ている電極ランドに接続する。以上の工程で、プローブ
カードが完成する。
ニット５２をプローブカード基板５１に固定し、各プロ
ーブ針５３の最後端をプローブカード基板５１に設けら
ている電極ランドに接続する。以上の工程で、プローブ
カードが完成する。
【００２２】以上の製造方法から理解できるように、こ
の実施の形態１のプローブカードは、複数のプローブ針
５３を第１の絶縁板５４上に配置し、隣接するプローブ
針５３間を１０μｍ程度の厚さの第２の絶縁板５５で仕
切った構成の単位ユニット５７を多段に積層して成るプ
ローブ針ユニット５２を、プローブカード基板５１に固
定したものである。また、第１の絶縁板５４には、プロ
ーブ針５３を配置する側に、第２の絶縁板５５をはめ込
む溝５６が、プローブ針５３の太さより小さい間隔で多
数設けられており、第２の絶縁板５５は、プローブ針５
３の太さとほぼ同一の間隔で、この溝５６にはめ込まれ
ている。
の実施の形態１のプローブカードは、複数のプローブ針
５３を第１の絶縁板５４上に配置し、隣接するプローブ
針５３間を１０μｍ程度の厚さの第２の絶縁板５５で仕
切った構成の単位ユニット５７を多段に積層して成るプ
ローブ針ユニット５２を、プローブカード基板５１に固
定したものである。また、第１の絶縁板５４には、プロ
ーブ針５３を配置する側に、第２の絶縁板５５をはめ込
む溝５６が、プローブ針５３の太さより小さい間隔で多
数設けられており、第２の絶縁板５５は、プローブ針５
３の太さとほぼ同一の間隔で、この溝５６にはめ込まれ
ている。
【００２３】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、同一段における隣接するプローブ針５３間のギャッ
プを第２の絶縁板５５の厚さである１０μｍ程度まで小
さくすることができる。そして、ボンディングパッドの
ピッチが５０μｍとなった場合でも、プローブ針５３を
４段に積層したときのプローブ針の太さを１９０μｍ程
度とすることができる。プローブ針の太さが１９０μｍ
の場合、プローブ針５３の先端をボンディングパッドに
接触させるためにオーバードライブをかけたときに、ボ
ンディングパッドの表面を覆うアルミニウム酸化物など
の不純物を突き破るだけの十分な針圧を得ることができ
る。このため、プローブ針７とボンディングパッド１４
との接触不良が生じることがなくなる。その結果、精度
良くＬＳＩをテストすることができるという効果が得ら
れる。
ば、同一段における隣接するプローブ針５３間のギャッ
プを第２の絶縁板５５の厚さである１０μｍ程度まで小
さくすることができる。そして、ボンディングパッドの
ピッチが５０μｍとなった場合でも、プローブ針５３を
４段に積層したときのプローブ針の太さを１９０μｍ程
度とすることができる。プローブ針の太さが１９０μｍ
の場合、プローブ針５３の先端をボンディングパッドに
接触させるためにオーバードライブをかけたときに、ボ
ンディングパッドの表面を覆うアルミニウム酸化物など
の不純物を突き破るだけの十分な針圧を得ることができ
る。このため、プローブ針７とボンディングパッド１４
との接触不良が生じることがなくなる。その結果、精度
良くＬＳＩをテストすることができるという効果が得ら
れる。
【００２４】また、第１の絶縁板５４には、第２の絶縁
板５５をはめ込む溝５６が、プローブ針５３の太さより
小さい、例えば２０μｍ程度の間隔で多数設けられてい
るため、プローブ針５３の太さに合わせて、第２の絶縁
板５５を第１の絶縁板５４に形成した溝５６にはめ込む
ことができる。このため、使用するプローブ針５３の太
さの選択性が広がるという効果が得られる。
板５５をはめ込む溝５６が、プローブ針５３の太さより
小さい、例えば２０μｍ程度の間隔で多数設けられてい
るため、プローブ針５３の太さに合わせて、第２の絶縁
板５５を第１の絶縁板５４に形成した溝５６にはめ込む
ことができる。このため、使用するプローブ針５３の太
さの選択性が広がるという効果が得られる。
【００２５】また、第１の絶縁板５４に設けられた溝５
６に固定されている第２の絶縁板５５間に各プローブ針
５３を配置するため、人手による配置位置の調整が必要
でなくなる。このため、プローブカードの製造が容易に
なるという効果が得られる。
６に固定されている第２の絶縁板５５間に各プローブ針
５３を配置するため、人手による配置位置の調整が必要
でなくなる。このため、プローブカードの製造が容易に
なるという効果が得られる。
【００２６】なお、この実施の形態１では、第２の絶縁
板５５の厚さが１０μｍ程度の場合、第１の絶縁板５４
に形成した溝５６の間隔が２０μｍ程度の場合、単位ユ
ニット５７を４段積層する場合について説明したが、こ
れは一例であり、この発明がこのような場合に限定され
ないことは理解されたい。
板５５の厚さが１０μｍ程度の場合、第１の絶縁板５４
に形成した溝５６の間隔が２０μｍ程度の場合、単位ユ
ニット５７を４段積層する場合について説明したが、こ
れは一例であり、この発明がこのような場合に限定され
ないことは理解されたい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、複数のプローブ針を第１の絶縁板上に配置し、隣
接するプローブ針間を第２の絶縁板で仕切った構成の単
位ユニットを多段に積層して成るプローブ針ユニット
を、プローブカード基板に固定するように構成したの
で、精度良くＬＳＩをテストすることができる効果があ
る。
れば、複数のプローブ針を第１の絶縁板上に配置し、隣
接するプローブ針間を第２の絶縁板で仕切った構成の単
位ユニットを多段に積層して成るプローブ針ユニット
を、プローブカード基板に固定するように構成したの
で、精度良くＬＳＩをテストすることができる効果があ
る。
【００２８】請求項２記載の発明によれば、第１の絶縁
板の、プローブ針を配置する側に、第２の絶縁板をはめ
込む溝を、プローブ針の太さより小さい間隔で多数設
け、第２の絶縁板を、プローブ針の太さとほぼ同一の間
隔で、この溝にはめ込むように構成したので、使用する
プローブ針の太さの選択性が広がる効果がある。
板の、プローブ針を配置する側に、第２の絶縁板をはめ
込む溝を、プローブ針の太さより小さい間隔で多数設
け、第２の絶縁板を、プローブ針の太さとほぼ同一の間
隔で、この溝にはめ込むように構成したので、使用する
プローブ針の太さの選択性が広がる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１によるプローブカー
ドの概略的な構成図である。
ドの概略的な構成図である。
【図２】 （Ａ）〜（Ｃ）はこの発明の実施の形態１に
よるプローブカードの製造方法の説明図である。
よるプローブカードの製造方法の説明図である。
【図３】 （Ａ）および（Ｂ）はこの発明の実施の形態
１によるプローブカードの製造方法の説明図である。
１によるプローブカードの製造方法の説明図である。
【図４】 この発明の実施の形態１によるプローブカー
ドの製造方法の説明図である。
ドの製造方法の説明図である。
【図５】 従来の半導体試験装置の概略的な構成図であ
る。
る。
【図６】 従来のプローブカードの概略的な構成図であ
る。
る。
【図７】 従来のプローブカードに設けられたプローブ
針の先端近傍の拡大図である。
針の先端近傍の拡大図である。
【図８】 従来のプローブカードに設けられたプローブ
針の配置図である。
針の配置図である。
５１ プローブカード基板、５２ プローブ針ユニッ
ト、５３ プローブ針、５４ 第１の絶縁板、５５ 第
２の絶縁板、５６ 溝、５７ 単位ユニット。
ト、５３ プローブ針、５４ 第１の絶縁板、５５ 第
２の絶縁板、５６ 溝、５７ 単位ユニット。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のプローブ針を第１の絶縁板上に配
置し、隣接する上記プローブ針間を第２の絶縁板で仕切
った構成の単位ユニットを多段に積層して成るプローブ
針ユニットを、プローブカード基板に固定したことを特
徴とするプローブカード。 - 【請求項２】 第１の絶縁板は、プローブ針を配置する
側に、第２の絶縁板をはめ込む溝を、プローブ針の太さ
より小さい間隔で多数設けたものであり、 上記第２の絶縁板を、プローブ針の太さとほぼ同一の間
隔で、上記溝にはめ込んであることを特徴とするプロー
ブカード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126035A JPH10319044A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | プローブカード |
| US08/946,095 US5969533A (en) | 1997-05-15 | 1997-10-07 | Probe card and LSI test method using probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9126035A JPH10319044A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10319044A true JPH10319044A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14925073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9126035A Pending JPH10319044A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | プローブカード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5969533A (ja) |
| JP (1) | JPH10319044A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100386680B1 (ko) * | 2001-03-30 | 2003-06-02 | 한무웅 | 탐침고정수단이 구비된 보조기판을 갖는 프로브 카드 및그 제조방법 |
| KR100793637B1 (ko) | 2006-05-10 | 2008-01-10 | 주식회사 파이컴 | 프로브 유닛 및 이를 포함하는 프로브 장치 |
| JP2010164452A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Micronics Japan Co Ltd | プローブ及びプローブカード |
| JP2015065263A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社ダイヘン | 変圧器 |
| JP2015152393A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | エス・ブイ・プローブ・プライベート・リミテッドＳｖ Ｐｒｏｂｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | プローブカード |
| US9194889B2 (en) | 2010-09-07 | 2015-11-24 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Probe card and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (25)
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| US6604395B2 (en) | 2001-07-23 | 2003-08-12 | St Assembly Test Services Ltd. | Semi-automated probe bender |
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| US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
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| JPWO2007029422A1 (ja) | 2005-09-07 | 2009-03-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の検査装置及び電源供給ユニット |
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| WO2009041637A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Nec Corporation | 半導体検査装置及び検査方法ならびに被検査半導体装置 |
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-
1997
- 1997-05-15 JP JP9126035A patent/JPH10319044A/ja active Pending
- 1997-10-07 US US08/946,095 patent/US5969533A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5969533A (en) | 1999-10-19 |
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